KR100308789B1 - method for fabricating pyroelectric device for detecting thermal image - Google Patents
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Abstract
글래스의 구조 변경을 통하여, 유전막으로부터 글래스를 용이하게 분리할 수 있도록 한 열영상 검출용 초전소자 제조방법이 개시된다.Disclosed is a method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image, by which a glass can be easily separated from a dielectric film by changing the structure of the glass.
이를 구현하기 위하여 본 발명에서는, 유전막의 프론트면을 소정 부분 선택식각하여 상기 유전막 내에 복수의 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈 내부의 슬레그를 제거하는 공정과; 상기 홈 내에만 선택적으로 에치스토퍼막을 형성하는 공정과; 상기 결과물 전면에, '공통 전극/페릴렌막/반투과성막' 적층 구조의 IR 흡수막을 형성하는 공정과; 상기 IR 흡수막 상에 복수의 관통 홀이 구비된 글래스를 부착하는 공정과; 상기 에치스토퍼막이 노출되도록 상기 유전막의 백면을 소정 두께 폴리싱하여 유전막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 유전막 패턴의 백면 상에만 선택적으로 제 1 금속 전극을 형성하는 공정과; 상기 제 1 금속 전극 상에 인듐 범프를 형성하는 공정; 및 메사 형상의 아이솔레이션 절연막과 제 2 금속 전극이 구비된 반도체 칩을 준비한 다음, 상기 인듐 범프를 매개체로 이용하여 상기 제 2 금속 전극과 상기 제 1 금속 전극 간을 플립 칩 본딩하는 공정으로 이루어진 열영상 검출용 초전소자 제조방법이 제공된다.In order to achieve this, the present invention includes the steps of forming a plurality of grooves in the dielectric film by partially etching the front surface of the dielectric film; Removing slugs in the grooves; Selectively forming an etch stopper film only in the groove; Forming an IR absorbing film having a 'common electrode / perylene film / semi-permeable film' laminated structure on the entire surface of the resultant product; Attaching a glass having a plurality of through holes on the IR absorbing film; Forming a dielectric film pattern by polishing a back surface of the dielectric film by a predetermined thickness so that the etch stopper film is exposed; Selectively forming a first metal electrode only on a back surface of the dielectric film pattern; Forming an indium bump on the first metal electrode; And preparing a semiconductor chip including a mesa isolation insulating layer and a second metal electrode, and then flip chip bonding the second metal electrode and the first metal electrode using the indium bump as a medium. A method for manufacturing a pyroelectric element for detection is provided.
Description
본 발명은 글래스의 구조 변경을 통하여, 유전막으로부터의 글래스 분리가 용이하게 이루어질 수 있도록 한 열영상 검출용 초전소자 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image, by which a glass can be easily separated from a dielectric film by changing the structure of the glass.
최근들어, 전기석, 주석산 또는 자당등의 결정체의 일부를 가열하여 생기는 표면의 유전분극에 의한 전하를 이용하는 초전기에 대한 연구 개발이 매우 활발하게 이루어지고 있다. 초전형 열전소자는 이러한 초전기를 이용한 소자의 하나로서 별도로 제조된 단결정 구조의 집적소자와 모듈 형태로 재조합되어 열영상 검출용초전소자로 사용되고 있다.In recent years, research and development on superelectrics using electric charges due to dielectric polarization of surfaces generated by heating a part of crystals such as tourmaline, tartaric acid, or sucrose have been actively conducted. Pyroelectric thermoelectric devices are one of the devices using a pyroelectric, and are integrated into a single crystal integrated device and a module form, and are used as a pyroelectric device for detecting a thermal image.
도 1a 내지 도 1i에는 상기 초전형 열전소자와 단결정 구조의 집적소자가 조합된 종래의 열영상 검출용 초전소자 제조방법을 도시한 공정수순도가 제시되어 있다. 상기 공정수순도를 참조하여 그 제조방법을 제 9 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다.1A to 1I show a process flowchart showing a conventional method for manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image, in which the pyroelectric thermoelectric element and an integrated element of a single crystal structure are combined. Referring to the process flow chart and looking at the manufacturing method divided into the ninth step as follows.
제 1 단계로서, 도 1a에 도시된 바와 같이 유전막(10)의 프론트면을 소정 부분 레이저 식각하여 유전막(10) 내에 복수의 홈(g)을 형성한다. 이때, 유전막(10)은 유전체의 자발 분극에 의해 초전 전류가 발생하는 강유전체 물질로 형성되는데, 그 대표적인 예로는 BST(BaSrTiO3), PZT(PbZrTiO3), BT(BaTiO3), PST(PbScTaO3) 등을 들 수 있다.As a first step, as shown in FIG. 1A, the front surface of the dielectric film 10 is partially laser-etched to form a plurality of grooves g in the dielectric film 10. At this time, the dielectric film 10 is formed of a ferroelectric material in which a pyroelectric current is generated by spontaneous polarization of the dielectric. Examples thereof include BST (BaSrTiO 3 ), PZT (PbZrTiO 3 ), BT (BaTiO 3 ), and PST (PbScTaO 3). ), And the like.
제 2 단계로서, 도 1b에 도시된 바와 같이 레이저 식각시 생성된 슬레그를 제거하고 식각면의 균질성(uniformity)을 향상시킬 목적으로 습식식각 공정을 적용하여 상기 홈(g) 내부를 소정 부분 식각처리한다. 그 결과, 도시된 형태의 홈(g')이 만들어지게 된다.As a second step, as shown in FIG. 1B, the inside of the groove g may be partially etched by applying a wet etching process to remove the slugs generated during laser etching and to improve the uniformity of the etching surface. do. As a result, a groove g 'of the form shown is made.
제 3 단계로서, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 홈(g') 내부가 충분히 채워지도록 유전막(10) 상의 프론트면에 폴리이미드(polyimide) 재질의 에치스토퍼막(12)을 형성하고, 이를 소정 두께 폴리싱하여 상기 홈(g') 내에만 에치스토퍼막(12)을 잔존시킨다.As a third step, as shown in FIG. 1C, an etch stopper film 12 made of polyimide is formed on the front surface of the dielectric film 10 so as to sufficiently fill the groove g '. The thickness is polished to leave the etch stopper film 12 only in the groove g '.
제 4 단계로서, 도 1d에 도시된 바와 같이 에치스토퍼막(12)을 포함한 유전막(10)의 프론트면에 '공통 전극(14)/페릴렌막(parylene)(16)/반투과성막(18)' 적층 구조의 적외선 흡수막(이하, IR 흡수막이라 한다)을 형성한다.As a fourth step, the common electrode 14 / parylene film 16 / semi-permeable film 18 is formed on the front surface of the dielectric film 10 including the etch stopper film 12 as shown in FIG. 1D. An infrared absorbing film (hereinafter referred to as an IR absorbing film) having a laminated structure is formed.
제 5 단계로서, 도 1e에 도시된 바와 같이 에폭시(epoxy)나 왁스(wax) 재질의 접착제(20)를 사용하여 상기 IR 흡수막을 이루는 반투과성막(18) 상에 글래스(22)를 부착한다.As a fifth step, as shown in FIG. 1E, the glass 22 is attached onto the semi-permeable film 18 forming the IR absorbing film by using an adhesive 20 made of epoxy or wax.
제 6 단계로서, 도 1f에 도시된 바와 같이 제 5 단계에서 제조된 결과물을 뒤집어 유전막(10)의 백면이 위로 올라오도록 위치 정렬한 다음, 에치스토퍼막(12)이 노출될 때까지 상기 유전막(10)의 백면을 폴리싱하여 에치스토퍼막(12) 사이 사이에 유전막 패턴(10a)이 놓여지도록 한다. 이어, 폴리싱된 유전막 패턴(10a)의 백면 상에만 선택적으로 'In/Au/TiW/NiCr' 적층 구조의 제 1 금속 전극(24)을 형성하고, 상기 금속 전극(24) 상에 인듐 범프(26)를 형성한다.As a sixth step, as shown in FIG. 1F, the resultant fabricated in the fifth step is turned upside down so that the back surface of the dielectric film 10 is positioned upward, and then the dielectric film (until the etch stopper film 12 is exposed). The back surface of 10 is polished so that the dielectric film pattern 10a is placed between the etch stopper films 12. Subsequently, a first metal electrode 24 having an 'In / Au / TiW / NiCr' stacked structure is selectively formed on only the back surface of the polished dielectric layer pattern 10a, and the indium bumps 26 are formed on the metal electrode 24. ).
제 7 단계로서, 도 1g에 도시된 바와 같이 메사 형상의 아이솔레이션 절연막(52)과 제 2 금속 전극(54)이 구비된 반도체 칩(50)을 준비한다.As a seventh step, as shown in FIG. 1G, a semiconductor chip 50 having a mesa-shaped isolation insulating film 52 and a second metal electrode 54 is prepared.
제 8 단계로서, 도 1h에 도시된 바와 같이 인듐 범프(26)를 매개체로 이용하여 반도체 칩(50) 상의 제 2 금속 전극(54)과 유전막 패턴(10a) 백면의 제 1 금속 전극(24) 간을 플립 칩 본딩한다.As an eighth step, as shown in FIG. 1H, the second metal electrode 54 on the semiconductor chip 50 and the first metal electrode 24 on the back surface of the dielectric film pattern 10a using the indium bump 26 as a medium. The liver is flip chip bonded.
제 9 단계로서, 도 1i에 도시된 바와 같이 IR 흡수막을 이루는 반투과성막(18)으로부터 글래스(22)를 분리하고, 상기 홈(g') 내의 에치스토퍼막(12)을 제거하므로써, 본 공정 진행을 완료한다.As a ninth step, the process proceeds by separating the glass 22 from the semi-permeable film 18 forming the IR absorption film and removing the etch stopper film 12 in the groove g 'as shown in FIG. To complete.
그러나, 상기에 언급된 일련의 공정수순에 의거하여 열영상 검출용 초전 소자를 제조할 경우에는 소자 제조시 다음과 같은 문제가 발생된다.However, when the pyroelectric element for thermal image detection is manufactured based on the above-described series of process procedures, the following problem occurs when manufacturing the element.
유전막(10) 상에 글래스(22) 부착시, 접착제(20)로서 에폭시를 이용할 경우에는 왁스를 사용한 경우에 비해 우수한 접착 특성을 얻을 수 있기는 하나 플립 칩 본딩후 IR 흡수막으로부터의 글래스 분리가 어렵다는 문제가 발생되고, 반면 왁스를 이용할 경우에는 에폭시를 사용한 경우에 비해 접착력이 떨어지므로 분리 자체가 용이하기는 하나 재질 특징상, 케미컬 특성이 약하고 용융점(mealting point)과 연화점(softening point)이 이 낮다는 특성을 지녀, 공정 진행시 가해지는 열 스트레스(thermal stress)나 습식식각(특히, 세정 작업)시 이용되는 케미컬로부터 왁스가 손상(damage)되는 문제가 발생된다.When the glass 22 is attached on the dielectric film 10, when the epoxy is used as the adhesive 20, excellent adhesive properties can be obtained compared to the case where the wax is used, but glass separation from the IR absorbing film after flip chip bonding is performed. Difficulty arises in the case of using wax. On the other hand, it is easier to separate because wax has less adhesive strength than epoxy. However, due to the characteristics of the material, the chemical properties are weak, and the melting point and softening point are different. Due to its low characteristics, problems such as thermal stress applied during the process or damage to the wax from chemicals used during wet etching (especially cleaning operations) are generated.
이에 본 발명의 목적은, 복수의 관통 홀이 구비된 글래스를 적용하여 열영상 검출용 초전소자를 제조해 주므로써, 에폭시 재질의 접착제를 사용하여 유전막과 글래스 간을 부착시켜 주더라도 유전막으로부터의 글래스 분리가 용이하게 이루어질 수 있도록 한 열영상 검출용 초전소자 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to manufacture a pyroelectric element for detecting a thermal image by applying glass having a plurality of through holes, so that the glass from the dielectric film may be adhered even if the dielectric film and glass are attached using an epoxy adhesive. It is to provide a method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image to facilitate the separation.
도 1a 내지 도 1i는 종래의 열영상 검출용 초전소자 제조방법을 도시한 공정수순도,1A to 1I are process flowcharts showing a conventional method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image,
도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 의한 열영상 검출용 초전소자 제조방법을 도시한 공정수순도이다.2A to 2I are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 유전막의 프론트면을 소정 부분 선택식각하여 상기 유전막 내에 복수의 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈 내부의 슬레그를 제거하는 공정과; 상기 홈 내에만 선택적으로 에치스토퍼막을 형성하는공정과; 상기 결과물 전면에, '공통 전극/페릴렌막/반투과성막' 적층 구조의 IR 흡수막을 형성하는 공정과; 상기 IR 흡수막 상에 복수의 관통 홀이 구비된 글래스를 부착하는 공정과; 상기 에치스토퍼막이 노출되도록 상기 유전막의 백면을 소정 두께 폴리싱하여 유전막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 유전막 패턴의 백면 상에만 선택적으로 제 1 금속 전극을 형성하는 공정과; 상기 제 1 금속 전극 상에 인듐 범프를 형성하는 공정; 및 메사 형상의 아이솔레이션 절연막과 제 2 금속 전극이 구비된 반도체 칩을 준비한 다음, 상기 인듐 범프를 매개체로 이용하여 상기 제 2 금속 전극과 상기 제 1 금속 전극 간을 플립 칩 본딩하는 공정으로 이루어진 열영상 검출용 초전소자 제조방법이 제공된다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of forming a plurality of grooves in the dielectric film by partially etching the front surface of the dielectric film; Removing slugs in the grooves; Selectively forming an etch stopper film in the groove; Forming an IR absorbing film having a 'common electrode / perylene film / semi-permeable film' laminated structure on the entire surface of the resultant product; Attaching a glass having a plurality of through holes on the IR absorbing film; Forming a dielectric film pattern by polishing a back surface of the dielectric film by a predetermined thickness so that the etch stopper film is exposed; Selectively forming a first metal electrode only on a back surface of the dielectric film pattern; Forming an indium bump on the first metal electrode; And preparing a semiconductor chip including a mesa isolation insulating layer and a second metal electrode, and then flip chip bonding the second metal electrode and the first metal electrode using the indium bump as a medium. A method for manufacturing a pyroelectric element for detection is provided.
상기 공정을 적용하여 초전소자를 제조할 경우, 유전막으로부터 글래스 분리시 에폭시 분리 용액이 글래스의 사면외에 그 내부에 만들어진 관통 홀을 통해서도 침투하게 되므로, 유전막과 글래스 간의 분리 작업이 보다 용이하게 이루어질 수 있게 된다.In the case of manufacturing the pyroelectric element by applying the above process, when the glass is separated from the dielectric film, the epoxy separation solution penetrates through the through-holes formed therein besides the slope of the glass, so that the separation between the dielectric film and the glass can be made more easily. do.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명에서 제안된 열영상 검출용 초전소자 제조방법을 도시한 공정수순도를 나타낸 것으로, 이를 참조하여 그 제조방법을 제 9 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다. 여기서는 편의상, 종래 기술과 동일하게 진행되는 부분은 간략하게만 언급하고 차별화되는 부분을 중심으로 살펴본다.2A to 2I illustrate a process flowchart showing a method of manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image proposed in the present invention. Referring to this, the manufacturing method is classified into ninth steps as follows. Here, for convenience, parts that proceed in the same manner as in the prior art will only be briefly described and described based on the parts that are differentiated.
제 1 단계로서, 도 2a에 도시된 바와 같이 유전막(100)의 프론트면을 소정부분 레이저 식각하여 유전막(100) 내에 복수의 홈(g)을 형성한다. 이때, 유전막(100)은 유전체의 자발 분극에 의해 초전 전류가 발생하는 강유전체 물질(예컨대, BST, PZT, BT, PST 등)로 형성되며, 상기 홈(g) 형성 공정은 레이저 식각 공정 대신 이온 밀링법으로 실시해 주어도 무방하다.As a first step, as shown in FIG. 2A, the front surface of the dielectric film 100 is laser-etched to form a plurality of grooves g in the dielectric film 100. In this case, the dielectric film 100 is formed of a ferroelectric material (eg, BST, PZT, BT, PST, etc.) in which pyroelectric current is generated by spontaneous polarization of the dielectric, and the groove g is formed by ion milling instead of laser etching. You may do it by law.
제 2 단계로서, 도 2b에 도시된 바와 같이 레이저 식각시 생성된 슬레그를 제거하고 식각면의 균질성을 향상시킬 목적으로 습식식각 공정을 이용하여 상기 홈(g) 내부를 소정 부분 식각처리한다. 그 결과, 도시된 형태의 홈(g')이 만들어지게 된다.As a second step, as shown in FIG. 2B, the inside of the groove g is partially etched by using a wet etching process to remove slegs generated during laser etching and to improve homogeneity of the etching surface. As a result, a groove g 'of the form shown is made.
제 3 단계로서, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 홈(g') 내부가 충분히 채워지도록 유전막(100) 상의 프론트면에 폴리이미드 재질의 에치스토퍼막(102)을 형성하고, 유전막(100) 표면이 노출될 때까지 이를 폴리싱하여 상기 홈(g') 내에만 에치스토퍼막(102)을 잔존시킨다.As a third step, as shown in FIG. 2C, an etch stopper film 102 made of polyimide is formed on the front surface of the dielectric film 100 so that the inside of the groove g 'is sufficiently filled, and the surface of the dielectric film 100 is formed. It is polished until it is exposed so that the etch stopper film 102 remains only in the groove g '.
제 4 단계로서, 도 2d에 도시된 바와 같이 에치스토퍼막(102)을 포함한 유전막(100)의 프론트면에 '공통 전극(104)/페릴렌막(106)/반투과성막(108)' 적층 구조의 IR 흡수막을 형성한다. 이때, 상기 공통 전극(104)과 반투과성막(108)은 NiCr이나 TiW 재질로 형성된다.As a fourth step, as shown in FIG. 2D, a 'common electrode 104 / perylene film 106 / semi-permeable film 108' laminated structure is formed on the front surface of the dielectric film 100 including the etch stopper film 102. An IR absorption film is formed. In this case, the common electrode 104 and the semi-permeable layer 108 are formed of NiCr or TiW material.
제 5 단계로서, 도 2e에 도시된 바와 같이 에폭시 재질의 접착제(110)를 사용하여 상기 IR 흡수막을 이루는 반투과성막(108) 상에 복수의 관통 홀(h)이 구비된 글래스(112)를 부착한다. 이와 같이 관통 홀(h)이 구비된 글래스(112)를 적용하여 소자 제조를 이룬 것은 플립 칩 본딩 공정 완료후 실시되는 유전막으로부터의글래스 분리 작업시 에폭시 분리 용액의 침투 부위를 넓혀 주기 위함이다.As a fifth step, as shown in FIG. 2E, the glass 112 having the plurality of through holes h is attached to the semi-permeable layer 108 forming the IR absorbing layer by using an epoxy adhesive 110. do. Thus, the device 112 is manufactured by applying the glass 112 having the through hole h to widen the penetration region of the epoxy separation solution during the glass separation operation from the dielectric film performed after the flip chip bonding process is completed.
제 6 단계로서, 도 2f에 도시된 바와 같이 제 5 단계에서 제조된 결과물을 뒤집어 유전막(100)의 백면이 위로 올라오도록 위치 정렬한 다음, 에치스토퍼막(102)이 노출될 때까지 상기 유전막(100)의 백면을 폴리싱하여 에치스토퍼막(102) 사이 사이에 유전막 패턴(100a)이 놓여지도록 한다. 이어, 폴리싱된 유전막 패턴(100a)의 백면 상에만 선택적으로 'In/Au/TiW/NiCr' 적층 구조의 제 1 금속 전극(114)을 형성하고, 상기 금속 전극(114) 상에 인듐 범프(116)를 형성한다.As a sixth step, as shown in FIG. 2F, the resultant fabricated in the fifth step is turned upside down so that the back surface of the dielectric film 100 is positioned upward, and then the dielectric film (until the etch stopper film 102 is exposed). The back surface of the substrate 100 is polished so that the dielectric film pattern 100a is disposed between the etch stopper films 102. Subsequently, a first metal electrode 114 having an 'In / Au / TiW / NiCr' stacked structure is selectively formed on only the back surface of the polished dielectric layer pattern 100a, and the indium bump 116 is formed on the metal electrode 114. ).
제 7 단계로서, 도 2g에 도시된 바와 같이 신호처리를 위한 회로가 집적된 반도체 칩(150)을 준비하고, 그 위에 메사 형상을 갖는 폴리이미드 재질의 아이솔레이션 절연막(152)을 형성한 다음, 상기 아이솔레이션 절연막(152)의 상면과 그 일 측면 및 반도체 칩(150) 상의 소정 부분에 걸쳐 제 2 금속 전극(154)을 형성한다.As a seventh step, as shown in FIG. 2G, a semiconductor chip 150 having an integrated circuit for signal processing is prepared, a polyimide isolation insulating film 152 having a mesa shape is formed thereon, and then The second metal electrode 154 is formed over the top surface and one side surface of the isolation insulating layer 152 and a predetermined portion on the semiconductor chip 150.
제 8 단계로서, 도 2h에 도시된 바와 같이 유전막 패턴(100a)과 아이솔레이션 절연막(152)이 상·하측부에서 각각 일대일 대응되도록 위치 정렬한 다음, 인듐 범프(116)를 매개체로 이용하여 반도체 칩(150) 상의 제 2 금속 전극(154)과 유전막 패턴(100a) 백면의 제 1 금속 전극(114) 간을 플립 칩 본딩한다.As an eighth step, as shown in FIG. 2H, the dielectric film pattern 100a and the isolation insulating film 152 are aligned in a one-to-one correspondence at the upper and lower portions thereof, and then the semiconductor chip using the indium bump 116 as a medium. Flip chip bonding is performed between the second metal electrode 154 on the 150 and the first metal electrode 114 on the back surface of the dielectric film pattern 100a.
제 9 단계로서, 도 2i에 도시된 바와 같이 IR 흡수막을 이루는 반투과성막(108)으로부터 글래스(112)를 분리하고, 상기 홈(g') 내의 에치스토퍼막(102)을 제거해 주므로써, 본 공정 진행을 완료한다.As a ninth step, the glass 112 is separated from the semi-permeable film 108 forming the IR absorption film as shown in FIG. 2I, and the etch stopper film 102 in the groove g 'is removed. Complete the process.
이와 같이 공정을 진행할 경우, 반투과성막(108)으로부터 글래스(112) 분리시 에폭시 분리 용액이 글래스(112)의 사면(four side)외에 그 내부에 만들어진 관통 홀을 통해서도 침투하게 되므로, 공정 진행상의 어려움없이도 유전막 패턴(100a)과 글래스(112) 간을 용이하게 분리할 수 있게 된다.When the process proceeds as described above, when the glass 112 is separated from the semi-permeable membrane 108, the epoxy separation solution penetrates through the through-holes formed therein in addition to the four sides of the glass 112. Without being able to easily separate between the dielectric film pattern 100a and the glass 112.
뿐만 아니라, 기존의 경우에는 접착제(110)로서 에폭시를 사용할 경우 유전막과 글래스간의 분리가 어려워 전체적인 칩 사이즈 증가에 제한이 따랐으나, 본 기술을 적용할 경우에는 전체적인 칩 사이즈를 크게 가져가더라도 글래스(112) 내의 관통 홀(h) 개수 조절을 통해 유전막과 글래스간을 쉽게 분리할 수 있게 되므로, 초전 소자 제조시 칩 사이즈의 크기 제한으로부터 자유로와질 수 있다는 부가적인 효과 또한 얻을 수 있게 된다.In addition, in the conventional case, when the epoxy is used as the adhesive 110, it is difficult to separate the dielectric film and the glass, thereby increasing the overall chip size. However, when the present technology is applied, even if the overall chip size is large, the glass ( By adjusting the number of through holes h in 112, the dielectric film and the glass can be easily separated, and thus, an additional effect of freeing chip size from the size limit of the pyroelectric device can be obtained.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 복수의 관통 홀이 구비된 글래스를 적용하여 열영상 검출용 초전소자를 제조하므로써, 유전막으로부터 글래스 분리시 에폭시 분리 용액이 침투되는 영역을 기존보다 넓게 확보할 수 있게 되므로, 에폭시 재질의 접착제를 사용하여 유전막과 글래스 간을 부착하더라도 공정 진행상의 어려움없이 유전막과 글래스 간을 분리시킬 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, by manufacturing a pyroelectric element for detecting a thermal image by applying a glass having a plurality of through holes, an area in which an epoxy separation solution penetrates when separating glass from a dielectric film can be secured more widely than before. Therefore, even if the dielectric film and glass are attached using an epoxy adhesive, the dielectric film and the glass may be separated without difficulty in the process.
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1999
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