KR100293824B1 - Wafer holder of ion implanter and ion implantation method using same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온 주입기용 웨이퍼 홀더 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따르면, 이온 주입이 실시되는 복수개의 웨이퍼(W)가 안치되는 웨이퍼 홀더(1)가 직사각형 형상으로 이루어진다. 복수개의 웨이퍼(W)는 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)에 종횡 등간격으로 배치되어서, 웨이퍼 홀더(1)는 종축 및 횡축 방향으로 이동되고, 이온 빔은 종횡으로 주기적으로 스캔되면서, 웨이퍼(W) 표면에 주입된다. 채널링 효과 억제를 위해, 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)를 종축 또는 횡축 어느 한 방향이나 또는 양방향으로 틸트시킨 상태에서 이온 주입이 실시된다. 따라서, 웨이퍼 홀더의 회전에 의한 감마 효과가 방지되므로, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 균일한 이온 주입이 실현된다.The present invention discloses a wafer holder for an ion implanter and an ion implantation method using the same. According to the disclosed invention, the wafer holder 1 in which the plurality of wafers W to be ion implanted is placed is formed in a rectangular shape. The plurality of wafers W are arranged in the rectangular wafer holder 1 at equal intervals in the longitudinal direction, so that the wafer holder 1 is moved in the longitudinal axis and the horizontal axis direction, and the ion beam is periodically scanned vertically and horizontally, so that the wafer W Injected into the surface. In order to suppress the channeling effect, ion implantation is performed while the rectangular wafer holder 1 is tilted in either the longitudinal axis, the horizontal axis, or both directions. Therefore, since the gamma effect by the rotation of a wafer holder is prevented, uniform ion implantation is realized over the whole wafer area.

Description

이온 주입기의 웨이퍼 홀더 및 이를 이용한 이온 주입 방법Wafer holder of ion implanter and ion implantation method using same

본 발명은 이온 주입기용 웨이퍼 홀더 및 이를 이용한 이온 주입 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼에 불순물을 주입하는 이온 주입기에서, 복수개의 웨이퍼가 안치되는 웨이퍼 홀더 및 이를 이용한 이온 주입 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer holder for an ion implanter and an ion implantation method using the same, and more particularly, to a wafer holder for placing a plurality of wafers in an ion implanter for implanting impurities into a wafer and an ion implantation method using the same.

일반적으로, 고집적 반도체 제조 공정에서 많은 용도로 쓰이는 이온 주입은, 이온에 목표물의 표면을 뚫고 들어갈 만큼 큰 에너지를 갖게 하여 목표물 속에 넣어 주는 것을 말한다. 이러한 이온 주입 공정은 정확한 위치 및 농도를 제어할 수 있으며, 균일도가 높고, 투사 위치에 이온 주입물의 측면 퍼짐이 확산 공정에 비해 적고, 저온에서도 공정이 가능하며, 단위 시간당 높은 처리량을 갖는 장점을 가진 단위 공정이다. 대부분의 이온주입은 기판상에 소오스, 드레인을 형성하기 위한 불순물 주입과, 게이트 폴리실리콘 증착시에 전도성을 향상하기 위하여 불순물을 주입하거나, 또는 문턱 전압을 증가시키기 위한 불순물을 주입할 때 등 많은 용도로 이용된다.In general, ion implantation, which is used for many purposes in a high-density semiconductor manufacturing process, refers to putting ions into a target so that the energy is large enough to penetrate the surface of the target. This ion implantation process has the advantages of precise positioning and concentration control, high uniformity, less side spread of the ion implantation in the projection position than diffusion process, process at low temperature, and high throughput per unit time. It is a unit process. Most of ion implantation has many uses such as impurity implantation for forming source and drain on the substrate, impurity implantation to improve conductivity during gate polysilicon deposition, or impurity implantation to increase threshold voltage. Used as

이러한 이온 주입 공정에 사용되는 이온 주입기의 구성을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to the configuration of the ion implanter used in such an ion implantation process as follows.

이온 빔이 발생되는 이온 소스 챔버, 이온 빔이 통과되면서 적정한 이온만이 추출되고 분석 자석기에 의해 분석되어서 가속튜브를 거치면서 고에너지화되는 빔 라인, 및 이온 빔이 통과되는 해상개도(resolving aperture)를 결정짓는 엔드 스테이션(3)이 순차적으로 연결된다. 이온 소스 챔버, 빔 라인, 및 엔드 스테이션에는 각각 진공을 부여하는 진공수단이 구비되는데, 그 이유는 잔류 가스와 이온 빔의 충돌로 인해 형성되는 이온 중립 영역을 최소화하여, 중립 영역에서의 빔 효과를 억제하기 위함이다. 중립 영역 빔 효과란 웨이퍼상에 정확한 이온주입이 이루어지기 위해서는, 중립 영역에서 좌우측뿐만 아니라 중앙까지 세 방향의 빔의 촛점이 일치되어야 하는 현상을 말한다.Ion source chamber where ion beams are generated, only the appropriate ions are extracted as the ion beam passes, analyzed by analytical magnets, and beam lines are energized through the acceleration tube, and resolving apertures through which the ion beam passes. The end stations 3, which determine, are sequentially connected. The ion source chamber, the beam line, and the end station are each provided with vacuum means for applying a vacuum, because the ion neutral region formed by the collision of the residual gas and the ion beam is minimized to minimize the beam effect in the neutral region. To suppress it. The neutral region beam effect refers to a phenomenon in which three beams must be focused in the neutral region from the neutral region to the center as well as to the right ion implantation on the wafer.

그래서, 이온소스 챔버에는 고진공용 디퓨젼(diffusion) 펌프와 저진공용 기계적 펌프가 장착되고, 빔 라인과 엔드 스테이션에는 각각 고진공용으로는 크라이어 펌프, 저진공용으로는 기계적 펌프가 연결된다.Thus, the ion source chamber is equipped with a high vacuum diffusion pump and a low vacuum mechanical pump, and a beam line and an end station are connected with a cry pump for high vacuum and a mechanical pump for low vacuum, respectively.

엔드 스테이션의 일측에 웨이퍼를 반입,반출시키는 플레이트인 플레튼(platen)이 설치된다. 플레튼의 일측에는 웨이퍼를 수납된 상태로 운반하기 위한 카세트가 배치되고, 타측, 즉 엔드 스테이션 방향에 플레튼의 웨이퍼와 엔드 스테이션을 연결시켜 이온 빔이 주입되는 로드락 챔버가 연결된다. 또한, 로드락 챔버와 엔드 스테이션 사이에는 로킹 밸브가 설치되어, 엔드 스테이션의 진공압을 선택적으로 단속하게 된다.On one side of the end station, a platen, which is a plate for loading and unloading a wafer, is installed. On one side of the platen is arranged a cassette for transporting the wafer in a housed state, the load lock chamber in which the ion beam is injected by connecting the platen wafer and the end station in the other side, that is, the end station direction is connected. In addition, a locking valve is provided between the load lock chamber and the end station to selectively interrupt the vacuum pressure of the end station.

이와 같이 구성되어서, 이온 주입이 실시될 웨이퍼가 카세트로 수납된 상태로 이송되어 플레튼에 의해 로드락 챔버에 반입되면, 각 진공 펌프들이 가동되어 이온소스 챔버, 빔 라인, 및 엔드 스테이션에 진공이 형성된다. 이와같은 상태에서, 이온 소스 챔버에서 이온 빔이 발생되어서 빔 라인을 거쳐 적정한 이온 빔만이 걸러진 다음, 엔드 스테이션에 도달된다. 이어서, 로킹 밸브가 개방되어, 이온 빔이 웨이퍼에 조사되므로써, 웨이퍼에 불순물이 주입된다.In this manner, when the wafer to be ion implanted is transported in a cassette and brought into the load lock chamber by the platen, each of the vacuum pumps is operated to apply vacuum to the ion source chamber, the beam line, and the end station. Is formed. In this state, an ion beam is generated in the ion source chamber to filter only the proper ion beam through the beam line and then reach the end station. Then, the locking valve is opened, and the ion beam is irradiated onto the wafer, whereby impurities are injected into the wafer.

이러한 이온 주입 공정은, 통상적으로 하나의 웨이퍼에 실시하지 않고, 복수개에 동시에 실시하게 된다. 따라서, 복수개의 웨이퍼는 웨이퍼 홀더상에 안치되어서, 이온 주입 공정이 실시된다.Such an ion implantation process is not performed normally on one wafer, but is performed simultaneously in several. Therefore, a plurality of wafers are placed on the wafer holder, and an ion implantation process is performed.

도 1은 종래의 웨이퍼 홀더를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 홀더(H)는 원형으로서, 그의 표면에 복수개의 웨이퍼(W)가 원주선상을 따라 일정 등간격으로 배치되어 있다.FIG. 1 shows a conventional wafer holder, and as shown, the conventional wafer holder H is circular, and a plurality of wafers W are disposed on the surface thereof at regular intervals along the circumferential line.

원형의 웨이퍼 홀더(H)는 회전하고 있는 상태에서, 이온 빔이 웨이퍼 홀더(H)로 수직하게 입사되어 웨이퍼(W)상에 불순물이 주입된다.In the state where the circular wafer holder H is rotating, an ion beam is incident vertically into the wafer holder H, and impurities are injected onto the wafer W. As shown in FIG.

그런데, 이온 주입시의 채널링 효과를 억제하기 위해서, 상기와 같이 웨이퍼 홀더(H)를 도 1에서 γ 방향으로 회전시키는데, 웨이퍼 홀더(H)를 회전시키는 것만으로는 채널링 억제 효과가 그다지 높지 않기 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 홀더(H)를 한 축을 중심으로 틸트 또는 트위스트시킨 상태에서 이온 주입을 실시하였다.By the way, in order to suppress the channeling effect at the time of ion implantation, the wafer holder H is rotated in the γ direction in FIG. 1 as described above, but only by rotating the wafer holder H, the channeling suppression effect is not so high. As shown in FIG. 2, ion implantation was performed while the wafer holder H was tilted or twisted about one axis.

그러나, 이온 빔은 도 3과 같이 직선 궤도로 웨이퍼(W)에 주입되어야 하는데, 원형의 웨이퍼 홀더(H)가 회전되면, 이온 빔의 궤도가 도 4와 같이 타원이 된다. 이러한 현상을 감마 효과(γ-effect)라 한다. 감마 효과는, 결과적으로, 웨이퍼(W)를 인위적으로 트위스트시킨 것과 동일한 효과가 발생된다.However, the ion beam should be injected into the wafer W in a linear trajectory as shown in FIG. 3. When the circular wafer holder H is rotated, the trajectory of the ion beam becomes an ellipse as shown in FIG. 4. This phenomenon is called gamma-effect. As a result, the gamma effect has the same effect as that in which the wafer W is artificially twisted.

따라서, 웨이퍼(W)의 중앙을 기준으로 채널링 억제를 위한 틸트 또는 트위스트 각도가 설정된 경우라면, 감마 효과에 의해 웨이퍼(W)의 중앙과 가장자리 사이에서 이온 주입 각도가 달라지게 된다. 즉, 웨이퍼(W)의 가장자리에서의 이온 주입 각도가 중앙과 상이하게 되므로써, 채널링 양상도 달라지게 되고, 웨이퍼(W)의 각 영역에서의 도핑 프로파일이 달라지게 된다. 결국, 하나의 웨이퍼(W)에서 디바이스 특성이 영역에 따라 불균일해지게 된다. 특히, 이러한 결과는 고집적 디바이스 제작시나 대구경 웨이퍼가 사용될 때, 더욱 큰 문제점으로 발생된다.Therefore, when the tilt or twist angle for channeling suppression is set based on the center of the wafer W, the ion implantation angle is changed between the center and the edge of the wafer W by the gamma effect. That is, since the ion implantation angle at the edge of the wafer W is different from the center, the channeling aspect is also different, and the doping profile in each region of the wafer W is different. As a result, the device characteristics in one wafer W become nonuniform depending on the area. In particular, these results are more problematic when fabricating highly integrated devices or when large diameter wafers are used.

따라서, 본 발명은 종래의 웨이퍼 홀더로 인한 제반 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼 홀더의 형상을 종래의 원형으로 다른 구조로 변경하여, 웨이퍼 홀더의 회전에 의한 감마 효과를 방지하여, 도핑 프로파일이 전체 영역에 걸쳐 균일해지는 이온 주입기용 웨이퍼 홀더를 제공하는데 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve all the problems caused by the conventional wafer holder, by changing the shape of the wafer holder to a conventional circular structure to prevent the gamma effect due to the rotation of the wafer holder, doping profile An object of the present invention is to provide a wafer holder for an ion implanter that becomes uniform over the entire area.

다른 목적은, 본 발명에 따른 웨이퍼 홀더를 이용해서 이온을 주입하는 방법을 제공하는데 있다.Another object is to provide a method of implanting ions using the wafer holder according to the present invention.

도 1은 종래의 웨이퍼 홀더를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a conventional wafer holder

도 2는 종래의 웨이퍼 홀더를 틸트시키는 방향을 나타낸 평면도Figure 2 is a plan view showing a direction to tilt the conventional wafer holder

도 3은 감마 효과 미발생시의 이온 빔 궤적을 나타낸 도면3 shows an ion beam trajectory when no gamma effect occurs

도 4는 종래의 웨이퍼 홀더로 인해 발생되는 감마 효과에 의한 이온 빔 궤적을 나타낸 도면4 is a diagram illustrating an ion beam trajectory due to a gamma effect generated by a conventional wafer holder.

도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 웨이퍼 홀더를 나타낸 평면도5 is a plan view showing a wafer holder according to a first embodiment of the present invention

도 6은 채널링 효과 억제를 위해 웨이퍼 홀더를 틸트시키는 방향을 나타낸 도면6 is a view showing a direction in which the wafer holder is tilted to suppress the channeling effect

도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 웨이퍼 홀더를 나타낸 평면도7 is a plan view showing a wafer holder according to a second embodiment of the present invention

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

1,10 ; 웨이퍼 홀더 11 ; 오목홈1,10; Wafer holder 11; Recess

12 ; 개구부 13 ; 만곡부12; Opening 13; bend

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 홀더는 다음과 같은 구성으로 이루어진다.In order to achieve the above object, the wafer holder according to the present invention has the following configuration.

이온 주입이 실시되는 복수개의 웨이퍼가 안치되는 웨이퍼 홀더가 직사각형 형상으로 이루어진다. 복수개의 웨이퍼는 직사각형의 웨이퍼 홀더에 종횡 등간격으로 배치되어서, 웨이퍼 홀더는 종축 및 횡축 방향으로 이동되고, 이온 빔은 종횡으로 주기적으로 스캔되면서, 웨이퍼 표면에 주입된다. 채널링 효과 억제를 위해, 직사각형의 웨이퍼 홀더를 종축 또는 횡축 어느 한 방향이나 또는 양방향으로 틸트시킨 상태에서 이온 주입이 실시된다.The wafer holder in which the plurality of wafers on which the ion implantation is performed is placed is formed in a rectangular shape. The plurality of wafers are arranged in a rectangular wafer holder at equal intervals vertically and horizontally, so that the wafer holders are moved in the longitudinal and transverse directions, and the ion beam is periodically scanned vertically and horizontally, and injected into the wafer surface. In order to suppress the channeling effect, ion implantation is performed while the rectangular wafer holder is tilted in either the longitudinal axis, the horizontal axis, or both directions.

한편, 이온 빔이 직사각형의 웨이퍼 홀더에 맞는 부분을 최소화하기 위해서, 직사각형의 웨이퍼 홀더중, 4개의 웨이퍼 중심 부분에 개구부가 형성되고, 또한 각 모서리에 만곡부가 형성되며, 전체 측면중 각 웨이퍼 사이 부분에 오목홈이 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, in order to minimize the portion where the ion beam fits into the rectangular wafer holder, an opening is formed in the center of four wafers, and a curved portion is formed in each corner of the rectangular wafer holder, and the portion between each wafer in the entire side surface. Preferably, recessed grooves are formed in the grooves.

상기와 같은 구조의 웨이퍼 홀더를 이용한 이온 주입 방법은 다음과 같다.An ion implantation method using the wafer holder having the above structure is as follows.

복수개의 웨이퍼를 직사각형의 웨이퍼 홀더상에 종횡 등간격으로 배치하고, 웨이퍼 홀더를 종횡 방향으로 이동시킨다. 이온 빔을 웨이퍼 홀더의 이동 방향과 반대 방향으로 스캔시키면서 웨이퍼 표면에 주입시킨다. 또한, 웨이퍼 홀더를 종축이나 횡축 어느 한 방향이나 또는 양방향으로 틸트시키고, 이러한 상태에서 웨이퍼 홀더를 상기와 같이 종횡 방향으로 이동시키면서 이온 빔을 주입한다.A plurality of wafers are arranged on the rectangular wafer holder at equal intervals in length and width, and the wafer holder is moved in the longitudinal direction. The ion beam is implanted into the wafer surface while scanning in the direction opposite to the direction of movement of the wafer holder. Further, the wafer holder is tilted in either the longitudinal axis, the horizontal axis, or in both directions, and in this state, the ion beam is implanted while the wafer holder is moved in the longitudinal direction as described above.

상기된 본 발명의 구성에 의하면, 웨이퍼 홀더가 직사각형이고 종횡 방향으로 이동되는 상태에서 이온 주입이 실시되므로써, 웨이퍼 홀더에 의한 감마 효과가 방지된다. 따라서, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 균일한 이온 주입이 실현된다.According to the above-described configuration of the present invention, the ion implantation is performed while the wafer holder is rectangular and moved in the longitudinal and horizontal directions, thereby preventing the gamma effect by the wafer holder. Thus, uniform ion implantation is realized over the entire wafer area.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<실시예 1><Example 1>

도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 웨이퍼 홀더를 나타낸 평면도이고, 도 6은 채널링 효과 억제를 위해 웨이퍼 홀더를 틸트시키는 방향을 나타낸 도면이다.5 is a plan view showing a wafer holder according to a first embodiment of the present invention, Figure 6 is a view showing a direction to tilt the wafer holder to suppress the channeling effect.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 홀더(1)의 형상은 종래의 원형에서 직사각형으로 변경된다. 복수개, 본 실시예에서는 6개의 웨이퍼(W)가 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)상에 종횡 등간격으로 배치된다.As shown in Fig. 5, the shape of the wafer holder 1 according to the present invention is changed from a conventional circle to a rectangle. In the present embodiment, six wafers W are arranged on the rectangular wafer holder 1 at equal intervals in length and width.

직사각형의 웨이퍼 홀더(1)는, 이온 주입시 회전되지 않고 종축이나 단축 어느 한 방향, 또는 양 방향으로 주기적으로 이동된다. 또한, 이온 빔은 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)의 이동 방향에 대해서 역방향으로 스캔되면서 웨이퍼(W) 표면에 주입된다. 즉, 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)가 한 예로 종축으로 이동할 때, 이온 빔은 횡축 방향으로 스캔되면서 주입된다. 따라서, 웨이퍼 홀더의 회전에 의한 감마 효과가 방지된다.The rectangular wafer holder 1 is not rotated at the time of ion implantation and is periodically moved in either the longitudinal axis, the short axis, or both directions. Further, the ion beam is injected into the wafer W surface while scanning in the reverse direction with respect to the moving direction of the rectangular wafer holder 1. That is, when the rectangular wafer holder 1 moves in the longitudinal axis as an example, the ion beam is injected while being scanned in the horizontal axis direction. Thus, the gamma effect due to the rotation of the wafer holder is prevented.

또한, 이온 주입시의 채널링 효과 억제를 위해, 도 6에 도시된 바와 같이, 직사각형의 웨이퍼 홀더(1)를 종축이나 단축 중 어느 한 축을 중심으로 틸트시키거나 또는 양축 방향으로 틸트시킨 상태에서, 상기와 같이 종횡 방향으로 이동시키는 것도 바람직하다.In addition, in order to suppress the channeling effect at the time of ion implantation, as shown in FIG. 6, in the state where the rectangular wafer holder 1 is tilted about either one of the longitudinal axis and the minor axis, or tilted in the biaxial direction. It is also preferable to move in the vertical and horizontal directions as shown.

<실시예 2><Example 2>

도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 웨이퍼 홀더를 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a wafer holder according to a second embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)가 대략 직사각형 형상을 갖고 있지만, 여러 지점에 홈이 형성된 벌집 구조로 이루어진다. 이는, 이온 빔이 웨이퍼 홀더(10)에 부딪혀서, 웨이퍼 홀더(10)로부터 이온 빔에 의해 스퍼터링된 미립자 발생을 억제시키기 위함이다.As shown, the wafer holder 10 has a substantially rectangular shape, but has a honeycomb structure in which grooves are formed at various points. This is to suppress the generation of particles sputtered by the ion beam from the wafer holder 10 by the ion beam hitting the wafer holder 10.

벌집 구조의 웨이퍼 홀더(10) 형상을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 4개의 웨이퍼(W)의 중심 부분에 원형의 개구부(12)가 형성된다. 각 웨이퍼(W) 사이인 가장자리에는 반구 형상의 오목홈(11)이 형성된다. 즉, 본 실시예에서는 6개의 웨이퍼(W)가 배치되어 있으므로, 장측면을 따라서는 총 6개, 단측면을 따라서는 총 2개의 오목홈(11)들이 형성된다. 또한, 웨이퍼 홀더(10)의 각 모서리는, 거의 웨이퍼(W)의 곡률과 대응되는 곡률로 만곡부(13)가 형성된다.The shape of the honeycomb wafer holder 10 will be described in more detail as follows. Circular openings 12 are formed in the central portions of the four wafers W. As shown in FIG. The hemispherical recess 11 is formed in the edge between each wafer W. As shown in FIG. That is, since six wafers W are arranged in this embodiment, a total of six concave grooves 11 are formed along the long side and a total of two concave grooves 11 along the short side. In addition, each corner of the wafer holder 10 is formed with a curved portion 13 with a curvature substantially corresponding to the curvature of the wafer W. As shown in FIG.

이러한 구조의 웨이퍼 홀더(10)도 실시예 1과 마찬가지로, 종횡 방향으로 이동되고, 이온 빔은 역방향으로 스캔되면서 주입된다.Like the first embodiment, the wafer holder 10 having such a structure is also moved in the longitudinal direction, and the ion beam is injected while being scanned in the reverse direction.

상기된 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼 홀더가 직사각형 형상으로 이루어져서 종횡 방향으로 이동되고, 이온 빔은 웨이퍼 홀더의 이동 방향에 대해 역방향으로 스캔되면서 웨이퍼에 주입되므로써, 웨이퍼 홀더의 회전에 의한 감마 효과가 방지된다. 따라서, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐 균일한 도핑 프로파일이 되는 이온 주입이 실현된다.As described above, according to the present invention, the wafer holder has a rectangular shape and is moved in the longitudinal direction, and the ion beam is injected into the wafer while being scanned in the reverse direction with respect to the moving direction of the wafer holder, whereby the gamma effect due to the rotation of the wafer holder is achieved. Is prevented. Thus, ion implantation that results in a uniform doping profile over the entire wafer area is realized.

한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the invention claimed in the claims. will be.

Claims (6)

복수개의 웨이퍼가 안치되어, 이온 주입이 실시되는 웨이퍼 홀더로서,A wafer holder in which a plurality of wafers are placed and ion implantation is performed, 상기 각 웨이퍼가 종횡 등간격으로 배치되어서, 상기 종횡 방향으로 이동되는 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 이온 주입기용 웨이퍼 홀더.The wafer holder for an ion implanter, wherein each of the wafers is disposed at equal intervals in length and width and is moved in the longitudinal direction. 제 1 항에 있어서, 이온 빔에 맞는 부분이 최소화되도록, 상기 각 웨이퍼 사이의 중심 부분에 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 이온 주입기용 웨이퍼 홀더.2. The wafer holder of claim 1, wherein an opening is formed in a central portion between the respective wafers so as to minimize a portion that fits the ion beam. 제 1 항에 있어서, 이온 빔이 맞는 부분이 최소화되도록, 각 웨이퍼 사이인 가장자리 부분을 따라 오목홈들이 형성된 것을 특징으로 하는 이온 주입기용 웨이퍼 홀더.2. The wafer holder of claim 1, wherein recesses are formed along edge portions between the respective wafers so that the portion where the ion beam fits is minimized. 제 1 항에 있어서, 이온 빔이 맞는 부분이 최소화되도록, 각 모서리에 만곡부가 형성된 것을 특징으로 하는 이온 주입기용 웨이퍼 홀더.The wafer holder of claim 1, wherein a curved portion is formed at each corner so that the portion where the ion beam fits is minimized. 직사각형의 웨이퍼 홀더상에 복수개의 웨이퍼를 종횡 등간격으로 배치하고, 상기 웨이퍼 홀더를 종횡 방향으로 이동시키면서, 이온 빔을 상기 웨이퍼 홀더의 이동 방향과 역으로 스캔하면서 상기 각 웨이퍼 표면에 주입하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.A plurality of wafers are disposed on a rectangular wafer holder at equal intervals in length and width, and the ion beam is injected to the surface of each wafer while scanning the wafer holder in the vertical and horizontal directions while scanning the reverse direction of the movement direction of the wafer holder. Ion implantation method. 제 5 항에 있어서, 이온 주입시의 채널링 효과 억제를 위해, 상기 직사각형의 웨이퍼 홀더를 종축이나 횡축 어느 한 방향이나 또는 양축 방향으로 틸트시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.6. The ion implantation method according to claim 5, wherein the rectangular wafer holder is tilted in either the longitudinal axis, the horizontal axis, or the biaxial direction in order to suppress the channeling effect during ion implantation.
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