KR100279249B1 - Stacked Package and Manufacturing Method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 두 개 이상의 반도체 패키지들을 적층시킨 적층형 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 적층형 패키지는 서로 평행한 다수개의 리드들이 반도체 칩의 일측 상부면에 그의 외측 방향으로 연장되게 부착되어 있고, 다수의 금속 와이어들에 의해 상기 반도체 칩의 본딩 패드들과 각각 전기적으로 접속되어 있으며, 이 반도체 칩 및 리드들을 포함한 공간적 영역이 몰딩 컴파운드에 의해 봉지된 형태를 갖는 단위 반도체 패키지들이 접착제의 개재하에 적어도 2개 이상이 적층되고, 각 단위 반도체 패키지의 리드들은 이웃하는 단위 반도체 패키지의 리드들과 동일 역할을 수행하는 것끼리 상호연결배선으로 연결되어 있으며, 상기 상호연결배선이 형성된 면은 보호막에 의해 덮혀져 있고, 상기 상호연결배선 상에는 기판에의 실장을 위한 솔더 볼이 상기 보호막을 관통하여 부착되어 있다.The present invention relates to a laminated package in which two or more semiconductor packages are laminated and a method of manufacturing the same. In the stacked package according to the present invention, a plurality of leads parallel to each other are attached to one upper surface of the semiconductor chip so as to extend in an outward direction thereof, and are electrically connected to the bonding pads of the semiconductor chip by a plurality of metal wires, respectively. At least two unit semiconductor packages having a shape in which the spatial region including the semiconductor chip and the leads are sealed by the molding compound are stacked under an adhesive, and the leads of each unit semiconductor package are adjacent to the unit semiconductor package. The same roles as the leads of the interconnections are connected to each other by interconnection wiring, and a surface on which the interconnection wiring is formed is covered by a protective film, and solder balls for mounting on a substrate are mounted on the interconnection wiring. It penetrates through.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 두 개 이상의 패키지들을 적층시킨 적층형 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a stacked package in which two or more packages are stacked and a method of manufacturing the same.
통상, 공지된 제조 공정을 통해 얻어진 웨이퍼 상태의 반도체 칩들은 칩 절단(Sawing), 칩 부착(Die Attach), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding) 및 트림/포밍(Trim/Forming) 등을 포함하는 어셈블리(Assembly) 공정을 통해 패키지화된다. 상기한 어셈블리 공정을 통해 제조된 일반적인 반도체 패키지의 단면 구조가 도 1 에 도시되어 있는바, 이를 설명하면 다음과 같다.Typically, wafer-like semiconductor chips obtained through known manufacturing processes are used for chip cutting, die attach, wire bonding, molding, and trim / forming. It is packaged through the containing assembly process. A cross-sectional structure of a general semiconductor package manufactured through the above assembly process is illustrated in FIG. 1, which will be described below.
도시된 바와 같이, 반도체 칩(1)은 다이 패드(2a)와 인너리드들(2b) 및 아웃리드들(2c)을 포함하는 리드 프레임의 상기 다이 패드(2a) 상에 부착되어 있고, 금속 와이어(3)에 의해 상기 인너리드들(2b)과 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 외부 영향에 의해 반도체 칩(1)이 손상되는 것이 방지되도록 상기 반도체 칩(1) 및 인너리드들(2b)을 포함한 공간적 영역은 에폭시 수지와 같은 몰딩 컴파운드(4)에 의해 봉지되어 있다.As shown, the semiconductor chip 1 is attached on the die pad 2a of the lead frame including the die pad 2a and the inner leads 2b and the outleads 2c, and a metal wire (3) is electrically connected to the inner leads 2b. In addition, the spatial region including the semiconductor chip 1 and the inner leads 2b is sealed by a molding compound 4 such as an epoxy resin so that the semiconductor chip 1 is prevented from being damaged by external influences.
한편, 도시되지는 않았지만, 모듈을 제작시에 상기한 반도체 패키지는 몰딩 컴파운드의 외부로 노출된 아웃리드들을 기판의 전극단자들과 각각 연결시키는 것에 의해 실장된다. 그러나, 기판 상에는 상기한 반도체 패키지들이 다수개가 각각 실장되기 때문에 실장 면적이 증가되는 문제점이 있다. 게다가, 기판과 연결된 아웃리드 부분이 외부 영향, 예를 들어, 수분에 의해 손상되는 솔더 조인트 크랙(Solder Joint Crack)과 같은 결함이 발생되며, 이 결과, 아웃리드 및 인너리드를 통한 반도체 칩과 기판 사이의 전기적 신호의 입·출력이 원할하지 못하여 모듈의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.On the other hand, although not shown, when manufacturing the module, the semiconductor package is mounted by connecting out leads exposed to the outside of the molding compound with the electrode terminals of the substrate, respectively. However, there is a problem in that the mounting area is increased because a plurality of the semiconductor packages are mounted on the substrate. In addition, defects such as solder joint cracks in which the outlead portion connected to the substrate are damaged by external influences, for example, moisture, are generated. As a result, the semiconductor chip and the substrate through the outlead and innerlead are generated. There is a problem that the reliability of the module is deteriorated because the input and output of the electrical signal between them is not desired.
따라서, 최근에는 상기한 문제들을 해결하기 위한 노력들이 진행되고 있다. 그 예로서, 실장 면적은 하나의 패키지에 두 개 이상의 반도체 칩들을 내장시킨 적층형 패키지를 제작·이용함에 따라 감소된다. 그리고, 솔더 조인트 크랙과 같은 결함은 반도체 패키지의 실장 수단으로 사용되는 아웃리드 대신에 솔더 볼(Solder Ball)을 사용함으로써 해결된다.Therefore, efforts have recently been made to solve the above problems. As an example, the mounting area is reduced by manufacturing and using a stacked package in which two or more semiconductor chips are embedded in one package. Defects such as solder joint cracks are solved by using solder balls instead of outleads used as mounting means for semiconductor packages.
상기에서, 실장 면적을 감소시키기 위한 적층형 패키지는 두 개 이상의 베어 칩들이 적층된 형태이거나, 또는, 두 개 이상의 반도체 패키지들이 적층된 형태이다. 도 2 는 두 개 이상의 반도체 패키지들을 적층시켜 제작한 적층형 패키지가 기판 상에 실장된 상태를 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 적층형 패키지는 어셈블리 공정을 통해 제작된 반도체 패키지들(10a, 10b, 10c)이 적층되고, 각 패키지들의 아웃리드들(11a, 11b, 11c)은 이웃하는 패키지의 아웃리드들과 상호 연결되어 있는 형태이며, 이러한 적층형 패키지는 최하부에 위치된 패키지(10c)의 아웃리드들(11c)을 통해 기판(20) 상에 실장되어 있다.In the above, the stacked package for reducing the mounting area is a form in which two or more bare chips are stacked or two or more semiconductor packages are stacked. FIG. 2 is a view illustrating a stacked package manufactured by stacking two or more semiconductor packages on a substrate. As shown, the stacked package includes semiconductor packages 10a, 10b, and 10c fabricated through an assembly process, and the outleads 11a, 11b, and 11c of each package are formed with outleads of neighboring packages. The stacked package is mounted on the substrate 20 through the outleads 11c of the package 10c positioned at the bottom thereof.
그러나, 상기와 같은 적층형 패키지는 기판에의 실장이 최하부에 위치된 패키지의 아웃리드들을 솔더링(Soldering)하는 것에 의해 이루어지기 때문에, 여전히 솔더 조인트 크랙과 같은 결함이 존재하여 모듈의 전기적 특성이 저하된다. 또한, 상기한 적층형 패키지는 각 반도체 패키지의 아웃리드들과 하부에 위치된 반도체 패키지의 아웃리드들간을 상호 접속시켜야 하기 때문에 전체적인 제조 공정이 매우 어려우며, 이에 따라, 양산에 적용되지 못하는 문제점이 있다.However, since such a laminated package is made by soldering outleads of the package located at the bottom of the mounting on the substrate, there are still defects such as solder joint cracks, thereby degrading the electrical characteristics of the module. . In addition, the stacked package has a problem in that the overall manufacturing process is very difficult because the interconnects between the outleads of each semiconductor package and the outleads of the semiconductor package located below are interconnected, and thus, there is a problem in that it cannot be applied to mass production.
따라서, 본 발명의 목적은 솔더 조인트 크랙과 같은 결함이 제거된 적층형 패키지를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a laminated package in which defects such as solder joint cracks are removed.
본 발명의 다른 목적은 보다 용이한 적층형 패키지의 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a laminated package easier.
도 1 은 종래의 반도체 패키지를 도시한 도면.1 illustrates a conventional semiconductor package.
도 2 는 종래 기술에 따라 제조된 적층형 패키지를 도시한 도면.2 illustrates a stacked package made according to the prior art.
도 3 내지 도 9 는 본 발명의 실시예에 따른 적층형 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 일련의 공정 단면도.3 to 9 are a series of cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a stacked package according to an embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
30 : 리드 프레임 30a : 단위 리드 프레임30: lead frame 30a: unit lead frame
32 : 리드 40 : 반도체 칩32: lead 40: semiconductor chip
42 : 본딩패드 50 : 금속 와이어42: bonding pad 50: metal wire
60 : 몰딩 컴파운드 70 : 접착성 필름60: molding compound 70: adhesive film
80a : 1차 보호막 80b : 2차 보호막80a: primary protective film 80b: secondary protective film
90 : 상호연결배선 100 : 단위 반도체 패키지90 interconnection wiring 100 unit semiconductor package
110 : 솔더 볼 200,200a,200b,200c,200d : 스트립형 패키지110: solder ball 200,200a, 200b, 200c, 200d: strip type package
300 ; 적층형 패키지300; Stacked Package
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 적층형 패키지는, 서로 평행하게 배열된 수개의 리드들이 반도체 칩의 일측 상부면에 부착되어 있고, 상기 리드들과 반도체 칩의 본딩패드들은 와이어 본딩되어 있으며, 이러한 반도체 칩 및 리드들을 포함한 공간적 영역은 몰딩 컴파운드로 봉지되어 있는 반도체 패키지들이 접착제의 개재하에 두 개 이상이 적층되어 있다. 이때, 리드들은 몰딩 컴파운드의 외부로 노출되어져 있으며, 각 반도체 패키지의 리드들은 동일 역할을 수행하는 이웃하는 반도체 패키지의 리드들과 상호 연결되어 있다. 또한, 상호 연결 배선이 형성된 패키지 면에는 외부 영향으로부터 상호 연결 배선이 손상되는 것이 방지되도록 소정 두께의 보호막이 형성되어 있으며, 상호 연결 배선들의 일부는 식각 공정을 통해 외부로 노출되어져 있고, 이러한 노출된 상호 연결 배선들 상에는 기판에의 실장을 위한 솔더 볼이 부착되어 있다.In the stacked package for achieving the object of the present invention, a plurality of leads arranged in parallel to each other is attached to the upper surface of one side of the semiconductor chip, the leads and the bonding pads of the semiconductor chip are wire bonded, In the spatial region including the semiconductor chip and the leads, two or more semiconductor packages encapsulated with a molding compound are stacked under an adhesive. In this case, the leads are exposed to the outside of the molding compound, and the leads of each semiconductor package are interconnected with the leads of the neighboring semiconductor package which play the same role. In addition, a protective film having a predetermined thickness is formed on the package surface on which the interconnect wiring is formed to prevent damage to the interconnect wiring from external influences, and some of the interconnect wirings are exposed to the outside through an etching process. Solder balls are attached to the interconnect wires for mounting on the substrate.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 적층형 패키지의 제조방법은, 우선, 일측단에만 리드들이 배열되어 있는 스트립 상태로된 리드 프레임에 반도체 칩을 부착시키고, 반도체 칩의 본딩패드들과 이에 대응하는 리드들간을 와이어 본딩한 후, 몰딩 공정을 실시하여 스트립 상태로된 반도체 패키지를 제작한다. 그런 다음, 접착제를 이용하여 두 개 이상의 스트립 상태로 제작된 반도체 패키지들을 적층시킨 후, 트림 공정을 실시한다. 이어서, 리드들의 배치된 패키지 면에 보호막을 형성하고, 식각 공정을 통해 리드들을 노출시킨 후, 노출된 리드들 중에서 동일한 역할을 수행하게 될 리드들간을 금속 물질로 상호 연결시켜 상호 연결 배선들을 형성한다. 이후, 상호 연결 배선이 덮혀지도록 상기한 패키지 면에 재차 보호막을 형성한 후, 앞서와 마찬가지로 식각 공정을 통해 상호 연결 배선들의 일부분을 노출시킨다. 그리고 나서, 노출된 상호 연결 배선 상에 기판에의 실장을 위한 솔더 볼들을 각각 부착시킨다.In addition, a method of manufacturing a stacked package for achieving another object of the present invention, first, attaching a semiconductor chip to a lead frame in a strip state in which leads are arranged only at one end, and corresponding bonding pads of the semiconductor chip and the same. After wire bonding between the leads, a molding process is performed to fabricate a semiconductor package in a strip state. Thereafter, two or more stripped semiconductor packages are laminated using an adhesive, and then trimmed. Subsequently, a passivation layer is formed on the disposed package surface of the leads, the leads are exposed through an etching process, and interconnections are formed by interconnecting the leads, which will perform the same role among the exposed leads, with a metal material. . Subsequently, after the protective film is formed on the surface of the package so that the interconnect wiring is covered, a portion of the interconnect wiring is exposed through an etching process as before. Then, solder balls for mounting to the substrate are respectively attached on the exposed interconnect wiring.
본 발명에 따르면, 기판에의 실장 수단으로 솔더 볼을 이용하기 때문에 솔더 조인트 크랙과 같은 결함을 방지할 수 있으며, 아울러, 리드들간을 금속 물질을 이용하여 상호 연결시키기 때문에 이웃하는 반도체 패키지들의 리드들간을 각각 연결시키는 방법에 비해 공정의 단순화를 얻을 수 있다.According to the present invention, since solder balls are used as a means for mounting on a substrate, defects such as solder joint cracks can be prevented, and since the leads are interconnected by using a metal material, the leads between neighboring semiconductor packages are prevented. The process can be simplified compared to the method of connecting the two.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 및 도 9 는 본 발명의 실시예에 따른 적층형 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 일련의 공정 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.3 and 9 are a series of cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a stacked package according to an embodiment of the present invention, which will be described below.
우선, 도 3 에 도시된 바와 같이, 리드들(32)이 일측단에만 배열되어 있는 스트립(Strip) 상태로된 리드 프레임(30)의 단위 리드 프레임들(30a) 각각에 센터 패드형 반도체 칩(40)을 부착시킨다. 이때, 반도체 칩(40)은 그의 상부면이 리드들(32)의 하부면과 접촉되도록 부착된다. 그런 다음, 와이어 본딩 공정을 통해 반도체 칩의 본딩패드들(42)과 대응하는 리드들(32)간을 금속 와이어(50)로 각각 연결한다.First, as shown in FIG. 3, a center pad type semiconductor chip (not shown) is formed on each of the unit lead frames 30a of the lead frame 30 in a strip state in which the leads 32 are arranged only at one end thereof. 40). At this time, the semiconductor chip 40 is attached such that its upper surface is in contact with the lower surface of the leads 32. Thereafter, the wire bonding process connects the bonding pads 42 and the corresponding leads 32 of the semiconductor chip to the metal wires 50, respectively.
이어서, 도 4 에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 몰딩(Transfer Molding) 공정을 통해 반도체 칩 및 이에 와이어 본딩된 리드들을 포함한 공간적 영역들을 개별적으로 봉지시켜 수개의 단위 반도체 패키지들(100)이 포함된 스트립형 패키지(200)를 제작한다. 여기서, 도면부호 60은 트랜스퍼 몰딩 공정시에 사용된 몰딩 컴파운드이다.Subsequently, as shown in FIG. 4, a strip type including several unit semiconductor packages 100 by individually encapsulating spatial regions including a semiconductor chip and wire-bonded leads through a transfer molding process. The package 200 is manufactured. Here, reference numeral 60 denotes a molding compound used in the transfer molding process.
그리고 나서, 도 5 에 도시된 바와 같이, 상기한 공정을 통해 제작된 두 개 이상, 바람직하게는, 네 개의 스트립형 패키지들(200a, 200b, 200c, 200d)을 적층시킨다. 이때, 적층된 단위 반도체 패키지들(100) 사이에는 도 6 에 도시된 바와 그들간의 접착을 위해 열경화성 또는 열가소성 계열의 접착성 필름(70)이 개재되며, 본 발명의 실시예에서는 베이스 필름의 상·하부에 접착성 물질이 부착된 3층 구조를 갖는 통상적으로 사용되는 접착성 필름 대신에 비용적인 측면을 고려하여 접착성 물질로만된 것을 사용한다.Then, as shown in Fig. 5, two or more, preferably four strip-shaped packages 200a, 200b, 200c, 200d fabricated through the above process are stacked. At this time, between the stacked unit semiconductor packages 100 is a thermosetting or thermoplastic adhesive film 70 is interposed for adhesion between them as shown in FIG. 6, in the embodiment of the present invention, Instead of a conventionally used adhesive film having a three-layer structure having an adhesive material attached to the bottom thereof, only an adhesive material is used in consideration of cost.
이후, 도 6 에 도시된 바와 같이, 트림 공정을 실시하여 스트립 형태로 적층되어 있는 단위 반도체 패키지들을 개별적으로 분리시키고, 적층된 단위 반도체 패키지들(100)간의 편평도가 유지되도록 리드들(32)의 단면을 폴리싱(Polishing)한다.Thereafter, as shown in FIG. 6, the trimming process is performed to separately separate the unit semiconductor packages stacked in a strip form, and to maintain flatness between the stacked unit semiconductor packages 100. Polish the cross section.
그런 다음, 도 7 에 도시된 바와 같이, 적층된 단위 반도체 패키지들(100)의 일측면, 즉, 리드들(32)이 배치된 면에 폴리이미드 계열의 비전도성 레진 혹은 필름을 라미네이션시켜 1차 보호막(80a)을 형성한다. 그리고 나서, 공지된 식각 공정을 통해 단위 반도체 패키지들(100)의 리드들(32)을 노출시킨다.Then, as shown in FIG. 7, the polyimide-based nonconductive resin or film is laminated on one side of the stacked unit semiconductor packages 100, that is, the surface on which the leads 32 are disposed, to form a primary layer. The protective film 80a is formed. Then, the leads 32 of the unit semiconductor packages 100 are exposed through a known etching process.
이어서, 도 8 에 도시된 바와 같이, 단위 반도체 패키지들(100) 각각의 리드들 중에서 동일 역할, 예를 들어, 동일한 신호선 및 전원선으로 사용되는 리드들간을 구리 또는 알루미늄 금속물질을 이용하여 상호 연결시켜 상호연결배선(90)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 8, interconnections between the leads of the unit semiconductor packages 100 having the same role, for example, the same signal lines and power lines, are interconnected using copper or aluminum metal materials. To form the interconnection wiring 90.
그런 다음, 도 9 에 도시된 바와 같이, 상호연결배선(90)이 형성된 패키지 면에 재차 소정 두께의 폴리이미드 계열의 레진 혹은 필름을 라미네이션시켜 2차 보호막(80b)을 형성한 후, 앞서와 마찬가지로, 공지된 식각 공정을 통해 상호연결배선들의 소정 부분을 노출시킨다. 그리고 나서, 노출된 각각의 상호연결배선들 상에 기판에의 실장을 위한 솔더 볼(110)을 각각 부착시켜 적층형 패키지(300)를 완성한다.Then, as shown in FIG. 9, the second protective layer 80b is formed by laminating a polyimide-based resin or film of a predetermined thickness on the package surface on which the interconnection interconnection 90 is formed, and then as in the previous case. Exposed portions of the interconnection interconnects are exposed through known etching processes. Then, each of the solder balls 110 for mounting to the substrate is attached to each of the exposed interconnects to complete the stacked package 300.
상기에서, 일반적인 반도체 패키지 제작시에는 알루미늄 재질의 리드 프레임이 사용되는 반면에 본 발명의 실시예에서는 구리 재질의 리드 프레임을 사용한다. 자세하게, 구리 재질의 리드 프레임은 알루미늄 재질의 리드 프레임에 비해 전기 전도도가 높기는 하지만, 외부 영향, 예를 들어, 수분에 의해 쉽게 부식되기 때문에 이러한 구리 재질로된 리드 프레임을 사용할 경우에는 오히려 패키지의 전기적 특성을 저하시킬 수 있다. 또한, 부식과 같은 결함을 방지하기 위해서는 보호막 코팅과 같은 부가적인 공정이 추가되어야 하기 때문에 제작 시간 및 비용이 증가되는 문제점이 있다. 그러나, 앞서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 리드들이 패키지의 외부로 노출되지 않으며, 아울러, 실장 공정이 솔더 볼에 의해 이루어지기 때문에 부식 문제를 고려할 필요가 없다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 구리 재질의 리드 프레임의 사용이 가능하며, 이에 따라, 적층형 패키지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있게 된다.In the above, when manufacturing a general semiconductor package, a lead frame made of aluminum is used, while an embodiment of the present invention uses a lead frame made of copper. In detail, the lead frame made of copper has a higher electrical conductivity than the lead frame made of aluminum, but is easily corroded by external influences, for example, moisture, so that the lead frame made of copper may be It may lower the electrical characteristics. In addition, in order to prevent defects such as corrosion, an additional process such as a protective coating has to be added, thereby increasing the manufacturing time and cost. However, as described above, in the embodiment of the present invention, the leads are not exposed to the outside of the package, and furthermore, there is no need to consider the corrosion problem because the mounting process is made by solder balls. Therefore, in the embodiment of the present invention it is possible to use a lead frame made of copper, thereby improving the electrical properties of the laminated package.
또한, 본 발명의 실시예에서는 적층형 패키지의 실장이 솔더 볼에 의해 이루어지기 때문에 종래 적층형 패키지에서 발생되는 솔더 조인트 크랙과 같은 결함 발생을 방지할 수 있게 되며, 그 결과, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the embodiment of the present invention, since the mounting of the laminated package is made by solder balls, defects such as solder joint cracks generated in the conventional laminated package can be prevented, and as a result, the electrical reliability can be improved. do.
한편, 도시되지는 않았지만, 본 발명의 다른 실시예로서 전기적 신호 전달 경로를 제공하는 리드들 대신에 회로 패턴이 구비된 탭 테이프를 사용할 수도 있다. 이 방법은 비용적인 측면에서는 전술된 본 발명의 실시예보다는 다소 비싸지만, 리드들과 반도체 칩의 본딩패드들간을 접속시키는 와이어 본딩 공정이 삭제되기 때문에 단위 반도체 패키지의 두께를 최대한으로 감소시킬 수 있으며, 이에 따라, 적층형 패키지의 두께도 감소시킬 수 있다.On the other hand, although not shown, in another embodiment of the present invention, a tab tape having a circuit pattern may be used instead of leads providing an electrical signal transmission path. This method is more expensive in terms of cost than the above-described embodiment of the present invention, but the thickness of the unit semiconductor package can be reduced as much as possible because the wire bonding process connecting the leads and the bonding pads of the semiconductor chip is eliminated. Thus, the thickness of the stacked package can be reduced.
또한, 본 발명의 실시예에서는 스트립 형태로 단위 반도체 패키지들을 적층시킨 후에 후속 공정을 진행하여 개별적인 적층형 패키지를 제조하는 방법을 설명하고 도시하였지만, 각각의 단위 반도체 패키지들을 적층시켜 적층형 패키지를 제작할 수 도 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing an individual stacked package by stacking unit semiconductor packages in a strip form and then proceeding to a subsequent process is illustrated and illustrated, but a stacked package may be manufactured by stacking respective unit semiconductor packages. have.
이상에서와 같이, 본 발명의 적층형 패키지 및 그의 제조방법은 기판에의 실장을 위한 수단으로서 솔더 볼을 사용하기 때문에 리드들을 사용할 때 발생되는 솔더 조인트 크랙과 같은 결함을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 적층형 패키지의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, since the laminated package of the present invention and the manufacturing method thereof use solder balls as a means for mounting on a substrate, defects such as solder joint cracks generated when using leads can be prevented. The electrical reliability of the stacked package can be improved.
또한, 적층된 단위 반도체 패키지들의 리드들간을 접속시키기 위한 방법을 개선함으로써 적층될 패키지의 수량에 제한을 받지 않으며, 이에 따라, 실장 면적을 현저하게 감소시킬 수 있다.In addition, by improving the method for connecting the leads of the stacked unit semiconductor packages, the number of packages to be stacked is not limited, and thus the mounting area can be significantly reduced.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (16)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980011537A KR100279249B1 (en) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Stacked Package and Manufacturing Method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980011537A KR100279249B1 (en) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Stacked Package and Manufacturing Method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990079131A KR19990079131A (en) | 1999-11-05 |
KR100279249B1 true KR100279249B1 (en) | 2001-02-01 |
Family
ID=65860991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980011537A KR100279249B1 (en) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Stacked Package and Manufacturing Method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100279249B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240001818A (en) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | (주)엠아이디 | Composition packaging method for space memory parts and space memory parts package manufact |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960015868A (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-22 | 김광호 | Laminated package and its manufacturing method |
-
1998
- 1998-04-01 KR KR1019980011537A patent/KR100279249B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960015868A (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-22 | 김광호 | Laminated package and its manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990079131A (en) | 1999-11-05 |
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