KR100276688B1 - Aperture for exposure equipment and its manufacturing method - Google Patents
Aperture for exposure equipment and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR100276688B1 KR100276688B1 KR1019980052528A KR19980052528A KR100276688B1 KR 100276688 B1 KR100276688 B1 KR 100276688B1 KR 1019980052528 A KR1019980052528 A KR 1019980052528A KR 19980052528 A KR19980052528 A KR 19980052528A KR 100276688 B1 KR100276688 B1 KR 100276688B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- aperture
- light
- exposure equipment
- central portion
- light transmittance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a diaphragm for exposure equipment and a method of manufacturing the same.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다The present invention provides a diaphragm for use in off-axis deformation lighting of exposure equipment for manufacturing semiconductor and display devices, wherein the central portion of the aperture is set to have zero light transmittance and is formed at the edge of the aperture except for the central portion. The four pole parts are 100% light transmittance, and the other aperture portion is formed so that the light transmittance is 3 ~ 40%, and blocks the light transmitted to the central portion of the aperture, but selectively blocks other portions To provide a diaphragm for exposure equipment and a method of manufacturing the same that can increase the light transmittance by adjusting the
Description
본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a diaphragm for exposure equipment and a method of manufacturing the same, and in particular, to block the light transmitted to the central portion of the aperture, but to selectively block and adjust the other portions of the exposure equipment aperture to increase the light transmittance and The manufacturing method is related.
반도체 소자제작에 사용되는 미세패턴 형성 기술에 있어서, 변형조명 기술은 PSM(phase shift mask) 기술과 같이 해상도를 증가시키는 기술의 하나로 발전되어 왔다. 특히 변형조명 기술은 2중극(dipole), 4중극(quadrupole) 및 환상조명(annu- lar illumination ) 등의 기술이 주를 이루어 왔다. 이러한 변형조명 기술에 사용되는 노광장비를 도 1 및 도 2에 도시하였다.In the micropattern forming technique used in semiconductor device fabrication, the modified illumination technique has been developed as one of the techniques for increasing the resolution, such as a phase shift mask (PSM) technique. In particular, the modified illumination technology has been mainly focused on dipole, quadrupole, and annu- lar illumination. Exposure apparatuses used in the modified lighting technique are illustrated in FIGS. 1 and 2.
도 1은 일반적인 리소그래피에 사용되는 일 예인 노광장비의 광학계를 나타내고, 도 2는 오프-액시스(off- axis) 변형 조명계를 사용한 노광장비의 광학계를 나타내고, 도 3(a) 및 도 3(b)는 일반적인 종래 조리개들의 평면도이다.FIG. 1 shows an optical system of an exposure apparatus which is an example used in general lithography, and FIG. 2 shows an optical system of an exposure apparatus using an off-axis modified illumination system, and FIGS. 3 (a) and 3 (b). Is a plan view of a typical conventional aperture.
도 1과 도 2를 참조하면, 도면부호 1 및 도면부호 21은 광원에 의해 조명되는 조명광의 형태를 결정짓는 조리개로서, 오프-액시스로 변형조명할 것 인지를 결정한다. 여기서 도면부호 1은 일반적인 조명법이고, 도면부호 21은 본 발명에 따른 오프-액시스용 변형조명법을 나타낸다. 도면번호 2는 콘덴서 렌즈이고, 도면부호 3 은 레티클, 도면부호 4는 투영 광학계, 도면부호 5는 웨이퍼를 나타내고 있다. 그리고 도면부호 6은 패턴 크기가 작을 경우의 1차 회절광을 나타내고, 도면부호 7은 패턴 크기가 클 경우의 1차 회절광을 나타낸다.1 and 2, reference numeral 1 and reference numeral 21 are apertures that determine the shape of the illumination light illuminated by the light source, and decide whether to deform with off-axis. Here, reference numeral 1 denotes a general illumination method, and reference numeral 21 denotes a modified illumination method for off-axis according to the present invention. Reference numeral 2 denotes a condenser lens, reference numeral 3 denotes a reticle, reference numeral 4 denotes a projection optical system, and reference numeral 5 denotes a wafer. Reference numeral 6 denotes first order diffracted light when the pattern size is small, and reference numeral 7 denotes first order diffracted light when the pattern size is large.
도 1에 도시된 노광장비는 0차 회절광이 패턴 형성에 기여하여 패턴의 공간 이미지 상에서 DC 성분만 증가시켜 공간 이미지 MTF 값의 저하를 가져온다. 또한, 패턴 크기가 작을 경우는 1차 회절광이 투영 렌즈를 통과하지 못하게 되어 패턴을 형성할 수 없게 된다. 그러나, 도 2에 도시된 노광장비에 의해 오프-액시스 변형조명을 하면, DC 성분의 0차 회절광이 사 입사 되면서 공간 이미지 상에 DC 성분이 제거되어 MTF 값을 증가시켜 해상도 향상과 초점심도 증가를 가져온다. 이에 따라,변형조명의 경우는 일반조명과는 달리 조리개를 투과하는 광량 자체가 작기 때문에 광 투사도가 많이 감소한다. 도 3(a) 및 도 3(b)는 종래에 많이 사용되는 조리개의 형태를 표현한 것으로서, 도면부호 11은 조리개에서 광의 투과도가 1인 극(pole)을 나타내고 도면부호 12는 광의 투과도가 0인 부위를 나타낸다.In the exposure apparatus shown in FIG. 1, the zero-order diffracted light contributes to the pattern formation and increases only the DC component on the spatial image of the pattern, resulting in a decrease in the spatial image MTF value. In addition, when the pattern size is small, the first diffracted light does not pass through the projection lens, and thus the pattern cannot be formed. However, when off-axis deformation illumination is performed by the exposure apparatus shown in FIG. 2, the zero-order diffracted light of the DC component is incident to remove the DC component on the spatial image, thereby increasing the MTF value to increase resolution and depth of focus. Bring it. Accordingly, in the case of the modified illumination, unlike the general illumination, since the amount of light passing through the aperture itself is small, the light projection degree is greatly reduced. 3 (a) and 3 (b) represent a type of aperture commonly used in the art, and reference numeral 11 denotes a pole having a light transmittance of 1 at the aperture and reference numeral 12 denotes a light transmittance of 0. Indicates a site.
상기에서 알 수 있듯이, 일반적으로 변형조명 기술은 노광 빛이 들어오는 조리개(aperture)의 형태를 조절함으로써 조리개를 통과하여 레티클을 투과하는 DC 성분의 0차 회절광을 제거시키도록 설계되어 있다. 이때, 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 조리개내 구멍의 갯수가 2개이면 2중극, 4개이면 4중극 그리고 중앙 부분만 막혀 있다면 환상 방식의 변형조명이라 한다. 이들 모두의 공통점은 조리개의 중앙부분을 모두 가려 빛이 똑바로 투과되지 않도록 한다는 것이다. 즉, 레티클에서 수직으로 투과한 0차 회절광은 마스크 공간 이미지를 형성할 때 DC 성분으로 작용한다. 그런데, 사입사 조명의 경우 광이 마스크를 투과하여 웨이퍼에 도달하는 0차 회절광이 마스크 공간 이미지를 형성하는 DC 성분으로서가 아니라 마스크 이미지를 전달하는 광으로 작용함으로써 마스크 공간 이미지의 DC 성분을 제거시킨다. 이에 따라, MTF(modulation transfer function)를 증가시킨다. 그러므로, 변형조명은 해상도와 초점심도는 증가시키지만, 투과되는 광량이 절대적으로 적어 광 투과도를 감소시키는 단점이 있다. 그래서, 변형조명을 사용하는 반도체 생산 라인에서는 하나의 문제로 대두되고 있다.As can be seen from above, in general, the modified illumination technology is designed to remove the zero-order diffracted light of the DC component passing through the reticle through the aperture by adjusting the shape of the aperture through which the exposure light enters. At this time, as shown in Figure 3 (a) and Figure 3 (b), if the number of holes in the diaphragm is two dipoles, if the four quadrupoles and if only the central portion is called the deformed illumination of the annular system. What all of them have in common is that they cover all of the central part of the iris so that light does not pass straight through. That is, the zero-order diffracted light transmitted vertically in the reticle acts as a DC component when forming a mask spatial image. However, in the case of incidence illumination, the zero-order diffracted light that passes through the mask and reaches the wafer acts as the light that transmits the mask image, not the DC component that forms the mask spatial image, thereby removing the DC component of the mask spatial image. Let's do it. Accordingly, MTF (modulation transfer function) is increased. Therefore, the modified illumination increases the resolution and the depth of focus, but there is a disadvantage in that the amount of light transmitted is absolutely small, thereby reducing the light transmittance. Therefore, a problem arises in the semiconductor production line using the modified illumination.
따라서, 본 발명은 일반적인 4중극형 조명방식에서 조리개의 중앙 부위로 들어 오는 광을 차단하되 그 이외의 부위가 광 투과도를 3 ~ 40 %가 되도록 조정하므로서, 해상도와 초점심도가 일반 4중극형과 동일한 반면 광 투과도가 증가될 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention blocks the light entering the center portion of the aperture in the general quadrupole illumination system, but adjusts the other portion so that the light transmittance is 3 to 40%, the resolution and depth of focus and the general quadrupole type It is an object of the present invention to provide a diaphragm for an exposure apparatus and a method of manufacturing the same, on the other hand, in which light transmittance may be increased.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 노광장비용 조리개는 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In the diaphragm for an exposure apparatus according to the present invention for achieving the above object, in the diaphragm used for off-axis deformation lighting of an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor and a display element, the central portion of the aperture is zero light transmittance The four poles formed at the edge of the stop except for the central part may have a light transmittance of 100%, and the other stop parts may have a light transmittance of 3 to 40%.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 노광장비용 조리개의 제조 방법은 기판상의 선택된 영역에 제 1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 레지스트 패턴을 포함하는 기판상에 제 1 광 차단물질을 형성하는 단계; 상기 제 1 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 전체 구조상에 제 2 레지스트를 형성하고 상기 제 2 레지스트의 중앙부위를 제거하는 단계; 및 상기 제 2 레지스트의 중앙부위가 제거된 전체 구조상에 제 2 광 차단물질을 형성한 후, 상기 제 2 레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a diaphragm for an exposure apparatus, the method including: forming a first resist pattern on a selected region on a substrate; Forming a first light blocking material on the substrate including the first resist pattern; After removing the first resist pattern, forming a second resist on the entire structure and removing a central portion of the second resist; And forming a second light blocking material on the entire structure from which the central portion of the second resist is removed, and then removing the second resist.
도 1은 일반적인 조명계를 갖는 노광장비의 단면도.1 is a cross-sectional view of an exposure apparatus having a general illumination system.
도 2는 오프-액시스(off-axis) 변형 조명계를 갖는 노광장비의 단면도.2 is a cross-sectional view of an exposure apparatus having an off-axis modified illumination system.
도 3(a) 및 도 3(b)는 종래 조리개들의 평면도.3 (a) and 3 (b) are plan views of conventional apertures.
도 4는 본 발명에 따른 조리개의 평면도.4 is a plan view of an aperture according to the present invention.
도 5(a) 내지 도 5(g)는 본 발명에 따른 변형조명용 조리개의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.5 (a) to 5 (g) are cross-sectional views sequentially showing a method for manufacturing a modified illumination stop according to the invention.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호 설명〉<Description of Signs of Major Parts of Drawings>
1 및 21 : 노광장비에 사용되는 조리개1 and 21: Aperture used for exposure equipment
2 및 22 : 콘덴서 렌스(condenser lens)2 and 22: condenser lens
3 및 23 : 레티클 혹은 마스크3 and 23: reticle or mask
4 및 24 : 투영 광학계4 and 24: projection optical system
5 및 25 : 웨이퍼5 and 25: wafer
6 및 26 : 레티클 작은 패턴을 투과한 1차 회절광6 and 26: first order diffracted light transmitted through a small pattern of reticle
7 및 27 : 레티클 큰 패턴을 투과한 1차 회절광7 and 27: 1st order diffracted light transmitted through the reticle large pattern
11 : 4중극에서의 극(pole)의 형태로 광이 100 % 투과하는 부위11: 100% light transmission in the form of pole in quadrupole
12 : 광이 전혀 투과하지 않는 조리개 부위12: aperture part through which light does not transmit at all
31 : 반사도가 95 %이상인 부위31: 95% or more reflectivity
32 : 광 투과도가 5 ~ 40 %인 부위32: 5-40% light transmittance
33 : 극(pole; 광 투과도가 95 % 이상인 조리개 기판)33 pole: aperture substrate with light transmittance of 95% or more
41 : 조리개 기판 42 : 제 1 레지스트41: aperture substrate 42: first resist
43 : 제 1 광 차단물질 44 : 제 2 레지스트43: first light blocking material 44: second resist
45 : 제 2 광 차단물질45: second light blocking material
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
도 2는 본 발명에 적용되는 오프-액시스(off-axis) 변형 조명계를 사용한 노광장비의 광학계를 나타내고, 도 4는 본 발명에 따른 오프-액시스 변형조명용 조리개의 평면도를 나타낸다.2 shows an optical system of an exposure apparatus using an off-axis modified illumination system applied to the present invention, and FIG. 4 shows a plan view of an off-axis modified illumination aperture according to the present invention.
도 2를 참조하면, 도면 부호 21은 광원에 의해 조명되는 조명광의 형태를 결정짓는 조리개로서 오프-액시스로 변형조명할 것 인지를 결정하는데, 여기에서 본 발명에 따른 오프-액시스용 변형조명법을 나타낸다. 도면번호 22는 콘덴서 렌즈이고, 도면부호 23은 레티클, 도면부호 24는 투영 광학계, 도면부호 25는 웨이퍼를 나타내고 있다. 그리고 도면부호 26은 패턴 크기가 작을 경우의 1차 회절광을 나타내고, 도면부호 27은 패턴 크기가 클 경우의 1차 회절광을 나타낸다.Referring to FIG. 2, reference numeral 21 denotes whether to deform into off-axis as an aperture that determines the shape of the illumination light illuminated by the light source, where the modified illumination method for off-axis according to the present invention is shown. . Reference numeral 22 denotes a condenser lens, reference numeral 23 denotes a reticle, reference numeral 24 denotes a projection optical system, and reference numeral 25 denotes a wafer. Reference numeral 26 denotes first-order diffraction light when the pattern size is small, and reference numeral 27 denotes first-order diffraction light when the pattern size is large.
도 4는 본 발명에 따른 조리개의 형태를 나타낸 것으로서, 도면 부호 33은 극(pole)을 지칭하며, 이때 기판은 유리(Glass), 석영(Quartz), 용융석영, CaF2, MgF2, LaF3, LiF 등으로 이루어져 자외선이나 원자외선에서 광 투과도가 95 % 이상을 나타낸다. 도면부호 32는 Cr, Al, Ti, W, Mo, Si 등으로 이루어진 물질로서 증착 두께가 20Å, 자외선이나 원자외선에서 광 투과도가 3 % ~ 40 %이고, 도면 부호 31은 자외선이나 원자외선에서 광투과도가 0 이 될 부위 즉, 조리개의 중심부위에 Cr, Al, Ti, W, Mo, Si 등의 물질이 1000Å 이상 증착된 것을 나타낸다.Figure 4 shows the shape of the aperture according to the present invention, 33 denotes a pole, wherein the substrate is glass (quartz), quartz (Quartz), molten quartz, CaF 2 , MgF 2 , LaF 3 , LiF and the like, exhibiting 95% or more light transmittance in ultraviolet or far ultraviolet rays. Reference numeral 32 is a material consisting of Cr, Al, Ti, W, Mo, Si, etc., the deposition thickness is 20Å, light transmittance of 3% to 40% in ultraviolet light or ultraviolet light, and 31 is light in ultraviolet light or ultraviolet light It means that a material such as Cr, Al, Ti, W, Mo, Si, or the like is deposited on the region where the transmittance is to be zero, that is, at the center of the stop.
상기에서, 조리개의 중심부위(31)의 형태는 원형, 사각형, 타원형, 십자형, 다각형 등으로 구성되고, 극(33; pole)의 형태는 원형, 사각형, 타원형, 십자형, 다각형 등으로 구성되며, 기판(21)의 형태는 사각형, 원형 및 다각형 등으로 구성된다.In the above, the shape of the center portion 31 of the aperture is composed of a circle, a square, an ellipse, a cross, a polygon, etc., the shape of the pole 33 is composed of a circle, a square, an ellipse, a cross, a polygon, etc., The shape of the substrate 21 is composed of squares, circles, polygons, and the like.
상기한 본 발명에 따른 노광장비용 조리개의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the manufacturing method of the aperture for the exposure equipment according to the present invention as follows.
도 5(a) 내지 도 5(g)는 본 발명에 따른 변형조명용 조리개의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도로서, 리소그래피 및 리프트-오프(lift-off) 공정을 사용하여 투과율이 다양한 조리개를 형성하는 것을 나타낸다.5 (a) to 5 (g) are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a modified illumination stop according to the present invention, and using a lithography and a lift-off process, an aperture having various transmittances is formed. It shows.
도 5(a)는 자외선(436 nm, 365 nm,)이나 원자외선(248 nm, 193 nm, 153 nm)에서 투과도가 각각의 사용에 따른 95 % 이상인 유리(Glass), 석영(Quartz), 용융석영, CaF2, MgF2, LaF3, LiF 등으로 이루어진 기판(41)을 나타낸 단면도이고, 도 5(b)는 상기 기판(41)상의 극(pole) 부분에 제 1 레지스트(42)가 잔류되도록 전자빔 리소그래피를 실시한 상태를 나타낸 단면도이고, 도 5(c)는 상기 도 5(b)에 도시된 제 1 레지스트 패턴(42)을 포함하는 전체 구조상에 제 1 광 차단물질(43)을 형성한 상태를 나타낸 단면도로서, 여기서 제 1 광 차단물질(43)은 Cr, Al, Ti, W, Mo, Si 등의 물질이 20 ~ 300 Å의 두께가 되도록 증착되어 3 % ~ 40 %의 광 투과도를 갖도록 형성된다.FIG. 5 (a) shows glass, quartz, and molten glass having a transmittance of 95% or more in the ultraviolet (436 nm, 365 nm) or far ultraviolet (248 nm, 193 nm, 153 nm) according to each use. 5 is a cross-sectional view showing a substrate 41 made of quartz, CaF 2 , MgF 2 , LaF 3 , LiF, and the like, and FIG. 5B shows the first resist 42 remaining at a pole portion of the substrate 41. 5 is a cross-sectional view showing a state in which electron beam lithography is performed, and FIG. 5 (c) shows a first light blocking material 43 formed on the entire structure including the first resist pattern 42 shown in FIG. 5 (b). As a cross-sectional view showing a state, wherein the first light blocking material 43 is deposited so that a material such as Cr, Al, Ti, W, Mo, Si, etc., has a thickness of 20 to 300 kPa, and has a light transmittance of 3% to 40%. It is formed to have.
도 5(d)는 아세톤(Aceton)으로 제 1 레지스트(42)를 제거한 상태를 나타낸 단면도이고, 도 5(e)는 상기 제 1 광 차단물질(43)을 포함하는 전체 구조상에 제 2 레지스트(44)를 증착하여 제 2 레지스트(44)의 중앙 부위를 전자빔을 사용하여 패터닝한 상태를 나타낸 단면도이고, 도 5(f)는 상기 도 5(e)에 도시된 제 2 레지스트 패턴(44)을 포함하는 전체 구조상에 제 2 광 차단물질(45)을 형성한 상태를 나타낸 단면도로서, 여기서 제 2 광 차단물질(45)은 Cr, Al, Ti, W, Mo, Si 등의 물질(45)이 500 Å 이상의 두께로 증착되어 광 투과도가 0이 되도록 형성되고, 도 5(g)는 제 2 레지스트 패턴(44)을 제거하여 본 발명에 의해 제작된 조리개의 최종 단면도를 나타낸다.FIG. 5 (d) is a cross-sectional view illustrating a state in which the first resist 42 is removed with acetone, and FIG. 5 (e) shows a second resist (on the entire structure including the first light blocking material 43). 44 is a cross-sectional view illustrating a state in which a central portion of the second resist 44 is patterned by using an electron beam, and FIG. 5 (f) illustrates the second resist pattern 44 shown in FIG. 5 (e). A cross-sectional view showing a state in which the second light blocking material 45 is formed on the entire structure including the second light blocking material 45, wherein the material 45 such as Cr, Al, Ti, W, Mo, Si, or the like is formed. It is formed to have a light transmittance of 0 by being deposited to a thickness of 500 kPa or more, and Fig. 5 (g) shows a final cross-sectional view of the diaphragm produced by the present invention by removing the second resist pattern 44.
상술한 바를 종합하여 [표 1]에 나타내면 다음과 같다.When summarizing the above, it is as follows in [Table 1].
[표 1]은 본 발명에서 제안한 조리개를 사용하여, 193 nm 리소그래피에서 조리개 유형별 해상정도 및 상대적 강도를 나타낸 것이다.Table 1 shows the resolution and relative intensity of each aperture type in 193 nm lithography using the aperture proposed in the present invention.
상기 [표 1]를 참조하면, 도 4와 같은 본 발명에 따른 4중극은 종래의 4중극에 비해 해상도의 감소가 없으면서 광 강도(light intensity)의 증가를 가져오기 때문에 광 투과도를 향상시킨다.Referring to Table 1, the quadrupole according to the present invention as shown in FIG. 4 improves light transmittance since the light intensity is increased without a decrease in resolution compared to the conventional quadrupole.
이상에서 설명한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니다.The present invention described above is capable of various substitutions, modifications, and changes without departing from the spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It is not limited.
상술한 바와 같이, 본 발명은 일반적인 4중극 등의 변형 조명방식에서 조리개의 중앙 부위로 들어 오는 광을 차단하되 4중극 부위는 광투과도를 100 %로, 그 이외의 부위는 광 투과도를 3 ~ 40 %로 조정하여 해상도와 초점심도가 일반 4중극과 동일하지만 광 투과도가 증가되는 조리개 구조를 제안함으로써 종래의 변형조명보다 광 투과도를 증가시키는데 탁월한 효과를 발휘한다.As described above, the present invention blocks the light coming into the central portion of the aperture in a modified illumination method such as a quadrupole, but the quadrupole portion has a light transmittance of 100%, and the other portions have a light transmittance of 3 to 40. By adjusting the percentage, the aperture and the depth of focus are the same as those of the general quadrupole, but the diaphragm structure with the increased light transmittance is proposed, thereby showing an excellent effect of increasing the light transmittance over the conventional modified illumination.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980052528A KR100276688B1 (en) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | Aperture for exposure equipment and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980052528A KR100276688B1 (en) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | Aperture for exposure equipment and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000037779A KR20000037779A (en) | 2000-07-05 |
| KR100276688B1 true KR100276688B1 (en) | 2001-01-15 |
Family
ID=19560981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980052528A KR100276688B1 (en) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | Aperture for exposure equipment and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100276688B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721183B1 (en) * | 2000-11-24 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | Quadrupole aperture of modifided illumination system |
-
1998
- 1998-12-02 KR KR1019980052528A patent/KR100276688B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000037779A (en) | 2000-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5229230A (en) | Photomask | |
| US5144362A (en) | Projection aligner | |
| KR100549776B1 (en) | Apparatus and method of image enhancement through spatial filtering | |
| JPH0682598B2 (en) | Projection exposure device | |
| KR100579637B1 (en) | Imaging method using phase boundary masking with modified illumination | |
| JPH10233361A (en) | Exposure and exposure mask | |
| JP3955815B2 (en) | How to illuminate a photomask with chevron illumination | |
| KR100276688B1 (en) | Aperture for exposure equipment and its manufacturing method | |
| KR100518586B1 (en) | Diffractive optical element, illumination system comprising same, and method for fabricating semiconductor device using same | |
| KR20100133429A (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system | |
| JP5326733B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| KR100307524B1 (en) | Aperture plate structure for semiconductor optical wxposure system | |
| KR100388490B1 (en) | Off axis illumination aperture having fly eye lens and method for forming the same | |
| JP2894922B2 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
| JP2000021763A (en) | Method of exposure and aligner | |
| KR100600042B1 (en) | Modified aperture in exposure equipment for semiconductor device fabrication | |
| KR20030043443A (en) | Method for exposing of semiconductor device | |
| JPH09148244A (en) | Projection exposure device and projection exposure method | |
| US7105278B2 (en) | Pattern mask with features to minimize the effect of aberrations | |
| US8982325B2 (en) | Microlithographic projection exposure apparatus | |
| JPH06151280A (en) | Forming method for hole pattern | |
| JP2001085298A (en) | Projection aligner and method | |
| KR100594222B1 (en) | Method of divided exposure and apparatus using the same for semiconductor device | |
| KR100487921B1 (en) | Apparatus for exposing of semiconductor device | |
| KR20030042536A (en) | Lithogrphy system and lithography processing using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070919 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |