KR100264208B1 - Apparatus for etching wafer - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An etching device of a semiconductor manufacturing system is provided to supply uniformly a processing gas on a wafer and discharge a reactive by-product when performing an etching process. CONSTITUTION: A processing gas supply tube(202) is formed on an upper end of a process chamber(200). The processing gas supply tube(202) has a multitude of supply hole(202-1). An exhausting tube(204) is formed on an upper end of a process chamber(200). The exhausting tube(204) has a multitude of exhausting hole(204-1). A gas distribution plate(206) is installed on a space among the processing gas supply tube(202), a reactive by-product exhaust tube, and a wafer(212). A wafer stage(210) loads the wafer(212).

Description

반도체 제조장비의 식각장치Etching Equipment of Semiconductor Manufacturing Equipment

본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 특히, 식각공정을 진행 할시에, 웨이퍼 상에 공정가스를 균일하게 분포시키고 또한, 미반응가스 또는 반응부산물 등을 배기시키기에 적당한 반도체 제조장비의 식각장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an etching apparatus of a semiconductor manufacturing equipment suitable for uniformly distributing process gas on a wafer and exhausting unreacted gas or reaction by-products during the etching process. It is about.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조장비의 식각장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

종래의 반도체 제조장비의 식각장치는 도 1과 같이, 공정챔버(100)와, 공정챔버(100)에 형성된 공정가스 공급관(102) 및 반응부산물 배기관(104)과, 공정챔버 상단에 설치되어 공정가스 공급관(102)으로 부터 공급되는 공정가스의 흐름을 유도시키기 위한 가스분배판(106)과, 웨이퍼(112)가 안착되는 웨이퍼스테이지(110)로 구성된다.The etching apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment is installed on the process chamber 100, the process gas supply pipe 102 and the reaction by-product exhaust pipe 104 formed in the process chamber 100, the process chamber is installed as shown in FIG. The gas distribution plate 106 for guiding the flow of the process gas supplied from the gas supply pipe 102 and the wafer stage 110 on which the wafer 112 is seated.

이 가스분배판(106)은 공정가스 공급관(102)으로 부터 공급되는 공정가스가 통과되는 다 수개의 공급구(106-1)를 갖는다.The gas distribution plate 106 has a plurality of supply holes 106-1 through which the process gas supplied from the process gas supply pipe 102 passes.

상술한 구성을 갖는 종래의 반도체 제조장비의 식각장치 내에서 공정가스의 흐름 및 반응부산물이 배기되는 과정을 알아본다.The process of the process gas flow and the reaction by-products in the etching apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment having the above-described configuration will be described.

도 1과 같이, 웨이퍼(112)가 공정챔버(100) 내로 인입되어 웨이퍼스테이지(110)상에 안착되면, 공정가스 공급관(102)을 통해 공정챔버 내부공간으로 공정가스가 유입된다. 이 공정가스는 가스분배판(106)을 통해 그 흐름이 조절되면서 하부의 웨이퍼(112) 상에 공급되며, 이 공정가스가 웨이퍼(정확히는 웨이퍼 상에 형성된 소정막)와 반응하여 식각이 진행된다. 여기에서 공정가스는 통상적으로 플라즈마 상태로 웨이퍼 상에 공급된다.As shown in FIG. 1, when the wafer 112 is introduced into the process chamber 100 and seated on the wafer stage 110, the process gas is introduced into the process chamber internal space through the process gas supply pipe 102. The process gas is supplied onto the lower wafer 112 while its flow is controlled through the gas distribution plate 106, and the process gas reacts with the wafer (preferably a predetermined film formed on the wafer) to perform etching. Here the process gas is typically supplied on the wafer in a plasma state.

공정가스 공급관(102)은 공정챔버(100) 상단 또는 측벽에 형성되며, 또한, 반응부산물 배기관(104)은 공정챔버 하단에 설치되거나 또는 공정가스공급관과 나란히 공정챔버 상단에 설치될 수도 있다.The process gas supply pipe 102 may be formed at the top or sidewall of the process chamber 100, and the reaction byproduct exhaust pipe 104 may be installed at the bottom of the process chamber or may be installed at the top of the process chamber in parallel with the process gas supply pipe.

상기의 식각 공정 중에 발생되는 반응부산물 및 미반응된 공정가스는 반응부산물 배기관(104)을 통해 외부로 배기된다. 도면에서, 화살표는 가스의 흐름방향을 보이기 위한 것이다.The reaction byproduct and the unreacted process gas generated during the etching process are exhausted to the outside through the reaction byproduct exhaust pipe 104. In the figure, the arrows are for showing the flow direction of the gas.

그러나, 종래의 반도체 제조장비의 식각장치에서는 웨이퍼 상에 공급되는 공정가스가 웨이퍼의 부분별 분포도가 다르게 된다. 즉, 웨이퍼 중심부분이 가장자리 부분보다 공정가스 분포도가 큰 문제점이 있었다.However, in the etching apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, the distribution of process gas supplied on the wafer is different for each part of the wafer. In other words, the central portion of the wafer has a problem that the process gas distribution is greater than that of the edge portion.

따라서, 웨이퍼가 대구경화될수록 식각 균일성 확보에 많은 어려움이 따랐다.Therefore, as the wafer is larger in diameter, it is more difficult to secure etching uniformity.

상기의 문제점을 해결하고자, 본 발명의 목적은 웨이퍼 상에 균일하게 공정가스를 공급시킬 수 있는 반도체 제조장비의 식각장치를 제공하는 데 있다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide an etching apparatus of a semiconductor manufacturing equipment that can supply a process gas uniformly on a wafer.

상기 목적을 달성하고자, 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치는 공정가스가 내부공간으로 유입되면서 웨이퍼와 반응하여 식각공정이 진행되며 반응부산물이 외부로 배기되는 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서, 공정챔버와, 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 공급구를 갖는 공정가스공급관과, 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 배기구를 갖고 다 수개의 배기구가 다 수개인 공급구와 동일 평면 상에서 교대로 배열된 반응부산물 배기관과, 공정가스 공급관 및 반응부산물 배기관과 웨이퍼 사이의 공간에 설치되고, 웨이퍼와 마주보는 일면에 다 수개인 공급구와 다 수개인 배기구가 교대로 배열되어 다 수개인 공급구를 통해 공정가스가 공정챔버 내부공간으로 공급되고 다 수개인 배기구를 통해 공정챔버 내부공간의 반응부산물이 배기되도록 가스의 흐름을 제어하는 가스분배판과, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼스테이지를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is an etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment in which the process gas is introduced into the internal space and reacts with the wafer and the etching process proceeds and the reaction by-products are exhausted to the outside. Process gas supply pipe formed in the form of a branch pipe at the top of the process chamber, and having a plurality of supply ports, and in the form of a branch pipe at the top of the process chamber, have a plurality of exhaust ports and a plurality of exhaust ports. The reaction by-product exhaust pipes arranged alternately on the same plane as the spheres, the process gas supply pipe and the space between the reaction by-product exhaust pipes and the wafer, are arranged alternately with multiple supply ports and multiple exhaust ports on one side facing the wafer. Process gas is supplied to the process chamber interior through several supply ports and in the process chamber through several exhaust ports. And a gas distribution plate for controlling the flow of gas to exhaust the reaction byproducts of the subspace, and a wafer stage on which the wafer is seated.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 제조장비의 식각장치의 개략적인 단면도이고,1 is a schematic cross-sectional view of an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 식각장치의 개략적인 단면도이고,2 is a schematic cross-sectional view of an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention,

도 3은 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서 가스분배판의 저면도이고,3 is a bottom view of a gas distribution plate in the etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention,

도 4는 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서 공정가스 공급관 및 반응부산물 배기관의 모형도이다.4 is a model diagram of a process gas supply pipe and a reaction byproduct exhaust pipe in an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 200. 공정챔버 102, 202. 공정가스공급관100, 200. Process chamber 102, 202. Process gas supply pipe

104, 204. 반응부산물 배기관 106, 206. 가스분배판104, 204. By-product exhaust pipes 106, 206. Gas distribution plates

110, 210. 웨이퍼스테이지 112, 212. 웨이퍼110, 210. Wafer stage 112, 212. Wafer

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 식각장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서 가스분배판의 저면도이고, 도 4는 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서 공정가스 공급관 및 반응부산물 배기관의 모형도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, Figure 3 is a bottom view of a gas distribution plate in the etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, Figure 4 is a semiconductor manufacturing equipment of the present invention A schematic diagram of a process gas supply pipe and a reaction byproduct exhaust pipe in an etching apparatus of FIG.

본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치는 도 2 및 도 4와 같이, 공정챔버(200)와, 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 공급구(202-1)를 갖는 공정가스공급관(202)과, 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 배기구(204-1)를 갖고, 다 수개의 배기구가 공급구(202-2)와 동일 평면 상에서 교대로 배열된 반응부산물 배기관(204)과, 공정가스 공급관 및 반응부산물 배기관과 웨이퍼 사이의 공간에 설치되고, 웨이퍼와 마주보는 일면에 다 수개인 공급구(202-1)와 다 수개인 배기구(204-1)가 교대로 배열되어 다 수개인 공급구를 통해 공정가스가 공급되고 다 수개인 배기구를 통해 반응부산물이 배기되는 가스분배판(206)과, 웨이퍼(212)가 안착되는 웨이퍼스테이지(210)로 구성된다. 도 3에서 처럼, 가스분배판(206)에 배열된 공급구(202-1)와 배기구(204-1)는 등간격 또는 규칙적으로 형성된다.2 and 4, the etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is formed in the process chamber 200 and the upper part of the process chamber in the form of a branch pipe having a plurality of supply ports 202-1 202 and a plurality of exhaust ports 204-1 formed in the shape of branch pipes at the upper end of the process chamber, and several exhaust ports are alternately arranged on the same plane as the supply ports 202-2. 204 and a plurality of supply ports 202-1 and a plurality of exhaust ports 204-1, which are provided in the space between the process gas supply pipe and the reaction by-product exhaust pipe and the wafer, and face the wafer. The gas distribution plate 206 is arranged to be supplied with a process gas through a plurality of supply ports and the reaction by-products are exhausted through a plurality of exhaust ports, and a wafer stage 210 on which the wafer 212 is seated. As in FIG. 3, the supply port 202-1 and the exhaust port 204-1 arranged in the gas distribution plate 206 are formed at equal intervals or regularly.

상술한 구성을 갖는 본 발명의 반도체 제조장비의 식각장치 내에서 공정가스의 흐름 및 반응부산물 또는 미반응가스 등이 배기되는 과정을 알아본다.The process of the flow of the process gas and the reaction by-product or unreacted gas in the etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention having the above-described configuration will be described.

도 2와 같이, 웨이퍼(212)가 이송암(미도시) 등의 이송수단에 의해 공정챔버(200) 내로 인입되어 웨이퍼스테이지(210)상에 안착되면, 공정가스 공급관(202)을 통해 공정챔버(200) 내부공간에 식각을 위한 공정가스가 유입된다. 도 2에서 화살표는 공급 및 배기되는 가스의 흐름 방향을 보인 것이다.As shown in FIG. 2, when the wafer 212 is introduced into the process chamber 200 by a transfer means such as a transfer arm (not shown) and seated on the wafer stage 210, the process chamber is supplied through the process gas supply pipe 202. (200) Process gas for etching is introduced into the inner space. Arrows in FIG. 2 show the flow direction of the gas to be supplied and exhausted.

도 4와 같이, 공정가스공급관(202)은 가지관 형태로 그 일단에는 다 수개의 공급구(202-1)가 형성되어 있으며, 이 다 수개의 공급구는 가스분배판(206)을 통해 하방향의 웨이퍼 상에 공급된다. 웨이퍼 상에 공급된 공정가스는 웨이퍼와 반응하여 식각이 진행된다. 이 과정에서 미반응가스 또는 반응부산물 등이 발생되며, 이러한 반응부산물은 가스분배판(206)을 통해 공정부산물 배기관으로 펌핑되어 외부로 배기된다. 도면에서 화살표 ↓은 공정가스 공급관(202-1)과 공급구(202-1)를 통해 공급되는 공정가스의 흐름을 보인 것이고, 화살표↑은 반응부산물 배기관(204-1)과 배기구(204-1)를 통해 배기되는 반응부산물 가스의흐름을 보인 것이다.As shown in FIG. 4, the process gas supply pipe 202 has a branch pipe shape, and at one end thereof, a plurality of supply ports 202-1 are formed, and these several supply ports are downward through the gas distribution plate 206. Is supplied onto the wafer. The process gas supplied on the wafer reacts with the wafer to be etched. In this process, unreacted gas or reaction by-products are generated, and the reaction by-products are pumped to the process by-product exhaust pipe through the gas distribution plate 206 and exhausted to the outside. In the figure, arrow ↓ shows the flow of process gas supplied through the process gas supply pipe 202-1 and the supply port 202-1, and arrow ↑ shows the reaction by-product exhaust pipe 204-1 and the exhaust port 204-1. It shows the flow of reaction by-product gas exhausted through).

상술한 과정을 통해, 공정챔버(200) 내부공간에서 공급되는 가스량과 배기되는 가스량 사이에는 균형이 이루어짐에 따라, 압력이 일정하게 유지된다.Through the above-described process, as the balance between the amount of gas supplied from the space inside the process chamber 200 and the amount of exhaust gas is maintained, the pressure is kept constant.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 공정챔버 상단에 공정가스 공급관과 반응부산물 배기관을 교대로 균일하게 형성함으로써 웨이퍼의 중심이나 가장자리 부분 등 위치에 관계없이 공정가스를 균일하게 공급되고 반응부산물이 배기되어 내부압력이 일정하게 유지되는 잇점이 있다.As described above, in the present invention, the process gas supply pipe and the reaction by-product exhaust pipe are alternately uniformly formed at the upper end of the process chamber, so that the process gas is uniformly supplied regardless of the position of the center or the edge of the wafer and the reaction by-product is exhausted. The advantage is that the pressure remains constant.

Claims (2)

공정가스가 내부공간으로 유입되면서 웨이퍼와 반응하여 식각공정이 진행되며 반응부산물이 외부로 배기되는 반도체 제조장비의 식각장치에 있어서,In the etching apparatus of the semiconductor manufacturing equipment in which the process gas is introduced into the internal space and reacts with the wafer to perform the etching process and the reaction by-products are exhausted to the outside, 공정챔버와,Process chamber, 상기 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 공급구를 갖는 공정가스공급관과,A process gas supply pipe formed in the shape of a branch pipe at the top of the process chamber and having a plurality of supply ports; 상기 공정챔버 상단에 가지관 형태로 형성되어 다 수개의 배기구를 갖고, 상기 다 수개의 배기구가 상기 다 수개인 공급구와 동일 평면 상에서 교대로 배열된 반응부산물 배기관과,A reaction by-product exhaust pipe formed in the shape of a branch pipe at an upper end of the process chamber, the plurality of exhaust ports being alternately arranged on the same plane as the plurality of supply ports; 상기 공정가스 공급관 및 반응부산물 배기관과 웨이퍼 사이의 공간에 설치되고, 상기 웨이퍼와 마주보는 일면에 상기 다 수개인 공급구와 상기 다 수개인 배기구가 교대로 배열되어 상기 다 수개인 공급구를 통해 공정가스가 상기 공정챔버 내부공간으로 공급되고 다 수개인 배기구를 통해 상기 공정챔버 내부공간의 반응부산물이 배기되도록 가스의 흐름을 제어하는 가스분배판과,Installed in the space between the process gas supply pipe and the reaction by-product exhaust pipe and the wafer, the plurality of supply ports and the plurality of exhaust ports are alternately arranged on one surface facing the wafer to process the process gas through the plurality of supply ports. A gas distribution plate for controlling the flow of the gas so that the reaction by-products in the process chamber internal space are exhausted through the exhaust chamber and the exhaust chamber has a plurality of exhaust ports; 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼스테이지를 구비한 반도체 제조장비의 식각장치.Etching apparatus of a semiconductor manufacturing equipment having a wafer stage on which the wafer is seated. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 공급구 및 상기 배기구는 상기 가스분배판 일면에 등간격 또는 규칙적으로 형성된 것이 특징인 반도체 제조장비의 식각장치.And the supply port and the exhaust port are formed at equal intervals or regularly on one surface of the gas distribution plate.
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