KR100246183B1 - Serial access interfacing method and flash chip architecture - Google Patents

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KR100246183B1 KR1019970030577A KR19970030577A KR100246183B1 KR 100246183 B1 KR100246183 B1 KR 100246183B1 KR 1019970030577 A KR1019970030577 A KR 1019970030577A KR 19970030577 A KR19970030577 A KR 19970030577A KR 100246183 B1 KR100246183 B1 KR 100246183B1
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Abstract

본 발명은 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스로 구성된 프레쉬 메모리 시스템에 관한 것으로 특히, 상기 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스간에는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정을 선택하기 위한 소정갯수의 콘트롤 전송 경로들과, 어드레스나, 코멘드 및 데이터 입력을 위한 데이터 전송경로들 및 데이터 출력을 위한 경로들로 연결구성되어지며, 상기 스테이지 디바이스는 상기 경로들을 통한 콘트롤 신호와 데이터 신호의 입력을 따른 데이터를 저장할 수 있는 범용 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 어드레스를 저장하기 위한 어드레스 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 데이터를 저장하기 위한 데이터 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 코멘드를 저장하기 위한 코맨드 레지스터와, 각각의 입력신호중 에러 상태를 복원하여 정정하기 위한 ECC, 및 상기 콘트롤 전송 경로들을 통해 유입되는 제어신호에 따라서 상기 각각의 레지스터를 선택하기 위한 먹스를 포함하는 것을 특징으로 하는 프레쉬 칩 구조 및 그에 다른 운영방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fresh memory system comprised of a microcontroller and a stage device. In particular, a predetermined number of control transfer paths, addresses or commands are selected between the microcontroller and the stage device to select a clock pin adjustment for driving the device. And data transmission paths for data input and paths for data output, wherein the stage device includes: a general register capable of storing data according to input of a control signal and a data signal through the paths; An address register for storing the address in a signal, a data register for storing the data in an input signal, a command register for storing the command in an input signal, and an error state in each input signal According to the ECC, and the control signal that flows through the control transmission channel for correcting relates to a fresh chip structure and different methods of operation thereof, it characterized in that it comprises a multiplexer for selecting the respective register.

Description

시리얼 억세스 인터페이스 방법 및 프레쉬 칩 구조Serial access interface method and fresh chip structure

본 발명은 중앙처리 장치에서의 저장용 디바이스로 사용되는 프레쉬 메모리의 구조 및 그에 다른 억세스 방식에 관한 것으로 특히, 시리얼 억세스를 통해서 칩 핀수의 감소를 유도할 수 있으며 메모리 칩을 제어하고자 하는 사용자에게 편리함을 제공할 수 있도록 하기 위한 시리얼 억세스 인터페이스 방법 및 프레쉬 칩 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of a fresh memory used as a storage device in a central processing unit and another access method thereof. In particular, it is possible to induce a reduction in the number of chip pins through serial access and is convenient for a user who wants to control a memory chip. It relates to a serial access interface method and a fresh chip structure to provide a.

또한 본 발명은 ECC를 사용하여 칩의 라이프 타임을 증대할 수 있도록 위함이다.In addition, the present invention is to increase the life time of the chip using the ECC.

일반적으로, 첨부한 제1도에 도시되어 있는 바와같이 마이크로 프로세서(10)에서 메모리 소자로 구성되어 있는 저장용 디바이스(20)에 데이터를 쓰거나 읽어오는 동작을 수행하기 위해서는 즉, 억세스 동작을 수행하기 위해서는 저장용 디바이스(20)의 외부에서 제1도에서 VPP, VDD, VSS등으로 표시되는 전압을 공급하여 주거나 아니면 외부에 따라 캐패시터가 존재하면서 내부 전압 펌핑 회로(Internal Voltage Pumping Circuit)를 이용하여 VPP, VDD등과 같은 고전압을 생성시켜 사용하여야 하였다.In general, as shown in FIG. 1, in order to perform an operation of writing or reading data from the microprocessor 10 to the storage device 20 composed of memory elements, that is, to perform an access operation. In order to supply the voltage indicated by VPP, VDD, VSS, etc. in FIG. 1 from the outside of the storage device 20, or by using an internal voltage pumping circuit with an internal voltage pumping circuit with a capacitor depending on the outside. High voltage such as VDD and VDD should be used.

따라서, 최근 디자인 룰이 감소되어 동일 면적내의 칩 집적도가 많이 향상되고 있으나, 상기와 같은 종래의 방식에서는 내부 전압 펌핑 회로가 메모리 셀의 집적도와 관계없이 일정 영역의 크기를 차지하여야 하므로 칩 집적도에 상당한 영향을 미친다는 문제점이 발생되었다.Therefore, in recent years, the chip density in the same area has been greatly improved due to the reduction of design rules. However, in the conventional method as described above, since the internal voltage pumping circuit must occupy a certain area regardless of the density of the memory cells, the chip density is considerably increased. There was a problem that affects.

또한, 외부로부터 유입되는 전압을 사용하는 경우 그 안정성에도 신뢰성이 떨어질 수 있다는 문제점이 발생되었다.In addition, there is a problem that the reliability may be deteriorated in the stability when using a voltage introduced from the outside.

상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은 시리얼 억세스를 통해서 칩 핀수의 감소를 유도할 수 있으며 메모리 칩을 제어하고자 하는 사용자에게편리함을 제공할 수 있도록 하기 위한 시리얼 억세스 인터페이스 방법 및 프레쉬 칩 구조를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to induce a reduction in the number of chip pins through serial access and serial access interface method and fresh chip structure to provide convenience to the user who wants to control the memory chip To provide.

또한, 본 발명은 ECC를 사용하여 칩의 라이프 타임을 증대할 수 있도록 위함이다.In addition, the present invention is to increase the life time of the chip using the ECC.

제1도는 종래 프레쉬 칩 억세스를 위한 구성 예시도.1 is an exemplary configuration diagram for a conventional fresh chip access.

제2도는 본 발명에 따른 프레쉬 칩 억세스를 위한 구성 예시도.2 is an exemplary configuration diagram for a fresh chip access according to the present invention.

제3도는 본 발명에 따른 프레쉬 칩 구성 예시도.3 is an exemplary fresh chip configuration according to the present invention.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스로 구성된 프레쉬 메모리 시스템에 있어서, 상기 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스간에는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정을 선택하기 위한 소정갯수의 콘트롤 전송 경로들과, 어드레스나, 코멘드 및 데이터 입력을 위한 데이터 전송경로들 및 데이터 출력을 위한 경로들로 연결구성되어지며, 상기 스테이지 디바이스는 상기 경로들을 통한 콘트롤 신호와 데이터 신호의 입력을 따른 데이터를 저장할 수 있는 범용 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 어드레스를 저장하기 위한 어드레스 레지스터와, 입력되는 상기 데이터를 저장하기 위한 데이터 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 코멘드를 저장하기 위한 코맨드 레지스터와, 각각의 입력신호중 에러 상태를 복원하여 정정하기 위한 ECC, 및 상기 콘트롤 전송 경로들을 통해 유입되는 제어신호에 따라서 상기 각각의 레지스터를 선택하기 위한 먹스를 포함하는 데 있다.A feature of the present invention for achieving the above object is a fresh memory system comprising a microcontroller and a stage device, wherein a predetermined number of control transmission paths for selecting a clock pin adjustment for driving a device between the microcontroller and the stage device are provided. And data transmission paths for address, command and data input and paths for data output, wherein the stage device can store data along the control signal and data signal input through the paths. A general purpose register, an address register for storing the address among the input signals, a data register for storing the input data, a command register for storing the command among the input signals, and a respective one of the input signals. In accordance with a control signal that flows through the ECC, and the control for correcting the transmission path to restore the state to contain the mux to select the respective registers.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징은, 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스간에는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정을 선택하기 위한 소정갯수의 콘트롤 전송 경로들과, 어드레스나 코멘드 및 데이터 입력을 위한 데이터 전송경로들, 및 데이터 출력을 위한 경로들로 연결 구성되어지는 프레쉬 메모리 시스템에서의 운영 방법에 있어서, 상기 마이크로 콘트롤러로부터 제어신호와 함께 시리얼 방식으로 데이터가 발생되는 제1과정과, 상기 과정에서 발생되는 시리얼 데이터중 소정 크기의 비트신호를 특정 메모리 칩의 선택신호로 인식하는 제2과정과, 상기 제2과정을 통하여 특정 메모리 칩을 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 소정 크기의 비트신호를 특정 명령으로 인식하는 제3과정과, 상기 제3과정을 통하여 특정 명령을 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 상기 스테이지 디바이스의 사이즈에 의존하는 소정 크기의 비트신호를 어드레스 신호로 인식하는 제4과정, 및 상기 제4과정을 통하여 어드레스를 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 소정 크기의 비트신호를 데이터로 인식하는 제5과정을 포함하는데 있다.Another feature of the present invention for achieving the above object is a predetermined number of control transmission paths for selecting a clock pin adjustment for driving a device between a microcontroller and a stage device, and data transmission for address or command and data input. A method of operating in a fresh memory system configured to be connected to paths and paths for outputting data, the method comprising: a first process of generating data in a serial manner together with a control signal from the microcontroller; A second process of recognizing a bit signal having a predetermined size among serial data as a selection signal of a specific memory chip; and a predetermined size of data continuously input through the first process after recognizing a specific memory chip through the second process A third process of recognizing a bit signal of a specific command; A fourth step of recognizing a specific command in step 3 and recognizing a bit signal having a predetermined size depending on the size of the stage device among the data continuously input through the first step as an address signal, and the fourth step And a fifth process of recognizing the address through the first process and recognizing a bit signal having a predetermined size as data among the data continuously input through the first process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 따라 제안된 실시예로서, 크게 마이크로 콘트롤러(100)와 스테이지 디바이스(200)로 구성된다. 상기 스테이지 디바이스는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정(오퍼레이션)를 선택(selection)하기 위한 콘트롤 핀들(OS0~OS2)과, 어드레스(address)와, 코멘드(명령)와, 데이터 입력을 위한 핀들(P0~P7) 및 데이터 출력을 위한 핀들(D0,D1)로 구성되어 있다.2 is a proposed embodiment according to the present invention, and is largely composed of a microcontroller 100 and a stage device 200. The stage device includes control pins OS0 to OS2 for selecting a clock pin adjustment (operation) for driving the device, an address, a command (command), and pins P0 for data input. ~ P7) and pins D0 and D1 for data output.

상기 스테이지 디바이스(200)의 내부 구성은 첨부한 제3도에 도시되어 있는 바와같이, 상기 콘트롤 핀들(OS0~OS2)을 통해 유입되는 제어신호에 따라서 각 레지스터를 선택하기 위한 먹스(210)가 존재한다.As shown in FIG. 3, the internal configuration of the stage device 200 includes a mux 210 for selecting each register according to a control signal flowing through the control pins OS0 to OS2. do.

상기 먹스(210)은 상기 콘트롤 핀들(OS0~OS2)을 통해 유입되는 데이터에 따라서 칩 선택 레지스터(220)와, 어드레스 레지스터(230)와, 코맨드 레지스터(240)와, 데이터 레지스터(270)로 데이터 전송을 위한 경로를 형성하고, ECC(260)를 인에이블시키는 역할을 수행한다. 한편, 콘트롤 신호(OS0~OS2)과 데이터 신호(P0~P7)의 입력을 따른 데이터를 저장할 수 있는 범용 레지스터(290)가 있다.The mux 210 transmits data to the chip select register 220, the address register 230, the command register 240, and the data register 270 according to data flowing through the control pins OS0 to OS2. It forms a path for transmission and enables the ECC 260. On the other hand, there is a general-purpose register 290 capable of storing data along the input of the control signals OS0 to OS2 and the data signals P0 to P7.

상기 먹스(210)에 의하여 데이터 전송에 따른 경로가 형성되어 동작하는 구성을 살펴보면, 첫 번째 동작 레지스터는 칩 선택 레지스터(220)로서 8-비트로 구성되어 있다. 또한, 두 번째 동작 레지스터는 코맨드 레지스터(240)이며 이 역시 8-비트로 구성되어 있다. 세 번째 동작 레지스터는 어드레스 레지스터(230)이며, 상기 어드레스 레지스터(240)이 사이즈는 스테이지 디바이스의 사이즈에 의존한다. 네 번째 동작 레지스터는 데이터 레지스터(270)이고, 상기 데이터 레지스터(270)는 설계에 전적으로 의존할 뿐 사이즈 제한은 없다.Looking at the configuration in which the path according to the data transmission is formed by the mux 210 to operate, the first operation register is a chip select register 220 is composed of 8-bit. Also, the second operation register is the command register 240, which is also composed of 8-bits. The third operation register is an address register 230, the size of which is dependent on the size of the stage device. The fourth operation register is the data register 270, which is entirely dependent on the design and has no size limit.

한편, 스테이지 디바이스 내부에는 저장과 삭제를 위해 필요한 전압을 발생하기 위해 고전압 펌핑부가 구비되어 있다.On the other hand, a high voltage pumping part is provided inside the stage device to generate a voltage necessary for storage and deletion.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 시리얼 억세스 인터페이스 방법에 따라 프레쉬 칩 구조의 동작을 살펴보면, 스테이지 디바이스에 대한 구동은 칩 선택부터 출발한다.Referring to the operation of the fresh chip structure according to the serial access interface method according to the present invention configured as described above, the driving of the stage device starts from the chip selection.

마이크로 콘트롤러(100)는 스테이지 디바이스(200A-200N)를 선택하기 위해서 콘트롤 핀들(OS0~OS2, 이하 생략)에 공급되는 신호 레벨을(1,1,1)로 설정하고 동시에 데이터 입력 핀들(P0~P7)에 칩 선택 어드레스를 설정한다.The microcontroller 100 sets the signal level supplied to the control pins OS0 to OS2 (hereinafter omitted) to (1,1,1) to select the stage devices 200A-200N and simultaneously the data input pins P0 to Set the chip select address in P7).

상기 콘트롤 핀들과 데이터 입력 핀들을 통해서 들어온 데이터들은 범용 레지스터(290)에 저장한다. 상기 범용 레지스터(290)에 저장된 데이터의 일부(콘트롤 신호 데이터)에 의해서 칩 선택 레지스터(220)가 선택되고, 상기 칩 선택 어드레스(220)가 저장된다.Data entered through the control pins and the data input pins are stored in the general register 290. The chip select register 220 is selected by a portion of the data stored in the general register 290 (control signal data), and the chip select address 220 is stored.

상기 동작 설명에서와 같이 칩 선택 레지스터가 선택되고 칩 선택 어드레스가 전달되는데 클럭1 사이클이 필요하다. 이처럼 범용 레지스터에서 특정 레지스터를 선택하고 데이터 전송이 이루어지기 위해서는 클럭 1 사이클 꼭 필요하다. 칩 선택 레지스터로 경로가 형성되기 위해서 먹스(210)가 동작되었음을 상기하고자 한다. 하나의 스테이지 디바이스를 선택하기 위해서는 항상 2 사이클 클럭이 필요하다. 클럭 2 사이클 이후에 이루어지는 동작은 에러 정정 코드(ECC) 관련 동작이다.As described in the above operation, a clock select cycle is required for the chip select register to be selected and the chip select address to be transferred. In order to select a specific register from the general purpose register and to transmit data, one clock cycle is necessary. Recall that the mux 210 has been operated to establish a path to the chip select register. Two cycle clocks are always required to select one stage device. The operation performed after two clock cycles is an error correction code (ECC) related operation.

ECC는 리드-솔로몬(Reed-solmon) ECC가 사용된다.The ECC is a Reed-solmon ECC.

ECC 관련 동작은(n,k,t)를 정하는 동작이다. 콘트롤 신호은(1,1,0)이다. n은 리드/라이트 데이터에 균등치가 포함된 데이터 길이이며, k는 리드/라이트 데이터의 길이이다. 또한, t는 ECC의 교정능력을 결정하는 요인이다.An ECC related operation is an operation of determining (n, k, t). The control signal is (1, 1, 0). n is the data length in which read / write data includes an equivalent value, and k is the length of read / write data. In addition, t is a factor that determines the ECC's calibration capability.

본 발명에서는 t=1로 결정한다. 또한 길이의 기본 구성은 8-비트로 제한한다.In the present invention, t = 1 is determined. In addition, the default configuration of length is limited to 8-bit.

따라서, ECC의 동작에 대하여 살펴보면, 첫 번째 동작은 n을 결정하는 일이다. 콘트롤 핀에(1,1,0)과 데이터 입력 핀들(P7~P0)에 임의로 데이터가 입력된다. 가령, 데이터에 입력 핀들에(0,0,0,1,0,0,0,0)이 들어오면 n=16(=25)이다.Therefore, with reference to the operation of the ECC, the first operation is to determine n. Data is arbitrarily inputted to the control pins (1, 1, 0) and the data input pins P7 to P0. For example, if data enters input pins (0,0,0,1,0,0,0,0), then n = 16 (= 2 5 ).

두 번째 동작은 k을 결정하는 일이다. 콘트롤 핀에는 (1,1,0)이 들어올 것이며, 데이터 입력 핀에는 임의의 데이터가 들어올 것이다. 이때 k는 항상 n보다 2만큼 작아야 한다.The second action is to determine k. The control pin will contain (1,1,0) and the data input pin will contain random data. K must always be 2 less than n.

따라서, t는 다음의 식에서와 같이 결정되어지는데,Therefore, t is determined as in the equation

Figure kpo00002
Figure kpo00002

본 발명에서 t을 1로 정의하였으므로, n을 결정하기 위해 입력된 데이터보다는 크기가 꼭 작아야 한다. 따라서, 상술한 바와같이 n=16으로 결정됐다면 k를 결정하기 위한 데이터 입력은 (0,0,0,0,1,1,1,0)이 되어야 한다. 즉, k=14이어야 한다.Since t is defined as 1 in the present invention, the size must be smaller than the input data to determine n. Therefore, if n = 16 is determined as described above, the data input for determining k should be (0, 0, 0, 0, 1, 1, 1, 0). That is, k = 14.

ECC 관련해서 n과 k는 데이터 입력 핀(P7~P0)의 값에 의해서 제한된다. 또한, ECC에서 소요되는 클럭은 총 4-사이클이다. 또한 n, k는 시스템구성 또는 스테이지 디바이스 데이터 레지스터 사이즈에 의해서 제한된다. ECC 관련해서 동작이 완료되면 어드레스를 적용하는 동작이 수행된다. 어드레스를 적용하기 위해서 콘트롤 핀에는 (1,0,1)이 적용된다.With respect to ECC, n and k are limited by the value of the data input pins (P7 to P0). In addition, the clock required in ECC is a total of four cycles. Also, n and k are limited by system configuration or stage device data register size. When the operation is completed in relation to ECC, an operation of applying an address is performed. (1,0,1) is applied to the control pin to apply the address.

데이터 입력 핀들 통해서 들어온 어드레스는 어드레스 레지스터에 전달된다. 어드레스 레지스터의 사이즈는 스테이지 디바이스의 덴시티에 의해서 결정된다. 어드레스에 관련한 사이클수는 어드레스 레지스터 비트수에 결정된다. 만약 어드레스 레지스터 사이즈가 20비트라면, 클럭은 6사이클이 필요하다. 따라서, 6 사이클동안 데이터 입력 핀을 통해서 들어가는 어드레스 비트 크기는 24비트이다. 이때 최상의 비트(=MSB)부터 무시된다.The address entered through the data input pins is passed to the address register. The size of the address register is determined by the density of the stage device. The number of cycles associated with the address is determined by the number of address register bits. If the address register size is 20 bits, the clock needs 6 cycles. Thus, the address bit size entering through the data input pin for six cycles is 24 bits. The most significant bit (= MSB) is ignored.

결국 MSB부터 4비트가 무시되고 20비트 만이 유효하게 된다. 다음 단계는 명령 레지스터를 선택하고 명령을 유출하는 동작으로 콘트롤 신호는 (1,0,0)이다. 명령의 가능한 경우에 따른 모든 가지수는 256(=28)이지만 실제 사용되는 명령은 많지 않을 것이다.As a result, 4 bits are ignored from the MSB and only 20 bits are valid. The next step is to select the command register and issue the command, with the control signal at (1,0,0). All possible branches of a command are 256 (= 2 8 ), but not many commands are actually used.

명령은 사용자 명령들과 특징명령들로 구성된다. 주요 사용자 명령은 리드 프로그램(=라이트) 그리고 삭제이다. 명령 레지스터에 따라서 스테이지 디바이스가 동작하게 된다. 명령에 따라서 출력 버퍼가 인에이블되기도 하며 고전압 펌핑회로가 동작하기도 할 것이다.The command consists of user commands and feature commands. The main user commands are Lead Program (= Write) and Delete. The stage device operates according to the instruction register. Depending on the command, the output buffer may be enabled and the high voltage pumping circuit may operate.

명령에 대한 코드는 디자인에 의해서 결정될 것이다.The code for the command will be determined by the design.

명령 입력이 끝나면 크게 3가지 모드로 진입한다. 첫 번째 모드는 리드 모드이다. 리드 명령에 의해서 내부적으로 리드 오퍼레이션이 수행된다. 두 번째 모드는 프로그램 모드이다. 명령을 유출한 후 저장하고자하는 데이터로 데이터 레지스터에 저장하는 단계이다. 데이터 레지스터의 사이즈는 결정되지 않았다.After entering the command, three modes are entered. The first mode is the lead mode. The read operation is performed internally by the read command. The second mode is the program mode. After the instruction is leaked, save the data to the data register. The size of the data register was not determined.

데이터 레지스터 사이즈는 인터페이스에 의존한다. 저장하고자 하는 데이터를 데이터 레지스터에 로드하기 위해서는 콘트롤 신호이 (0,1,1)이어야 한다. 한편, 세 번째 모드는 삭제 모드이다. 이때의 모드는 리드 모드와 동일하다.The data register size depends on the interface. The control signal must be (0,1,1) to load the data to be stored into the data register. On the other hand, the third mode is the delete mode. The mode at this time is the same as the read mode.

리드, 프로그램 그리고 삭제 명령가 유출된 후 오퍼레이션이 시작하기 위해서는 명령 코드가 (1,1,1,1,1,1,1,1)이 되어야 한다. 시작 명령(1,1,1,1,1,1,1,1)가 유출되기 위해서 어떤 오퍼레이션도 수행되지 않을 것이다.The command code must be (1,1,1,1,1,1,1,1) for the operation to start after the read, program, and delete commands are leaked. No operation will be performed in order for the start command 1,1,1,1,1,1,1,1 to flow out.

콘트롤 신호가 (0,0,0)이면 모든 레지스터는 리셋된다.If the control signal is (0,0,0), all registers are reset.

한편, ECC 하드 웨어는 리드, 프로그램 모드에서만 동작한다. 한편, 데이터 출력 핀은 2개로 제한한다. 데이터 핀을 2핀으로 제한한 이유는 인터페이스와 관련되어 있기 때문이다. 가령 데이터 레지스터가 258-비트으로 구성되어 있을 경우, 마지막 비트까지 2비트 단위로 클럭에 동기시켜 데이터를 리드할 수 있다. 그러나, 4핀 그 이상으로 할 경우 클럭에 등기된 마지막 비트 단위에서 트루 모드가 이루어져야 한다. 즉, 마지막 사이클에서 데이터 257, 258를 리드한다. 그 때 더미 비트(259,260)도 함께 리드되는데, 더미 비트는 실제 데이터 레지스터에서 없는 비트이다.ECC hardware, on the other hand, works only in read and program modes. On the other hand, there are two data output pins. The reason for limiting the data pins to 2 pins is that they are associated with the interface. For example, if the data register consists of 258-bits, data can be read in synchronization with the clock in 2-bit increments up to the last bit. However, if it is more than 4 pins, the true mode must be done in the last bit unit registered in the clock. That is, data 257 and 258 are read in the last cycle. At that time, the dummy bits 259 and 260 are also read together, which are bits not present in the actual data register.

상술한 바와같이 동작하는 본 발명에 따른 시리얼 억세스 인터페이스 방법 및 프레쉬 칩 구조를 제공하면, 최근 디자인 룰이 감소되어 동일 면적내의 칩 집적도가 많이 향상되고 있으나, 종래의 방식에서 내부 전압 펌핑 회로가 메모리 셀의 집적도와 관계없이 일정 영역의 크기를 차지하여야 하므로 칩 집적도에 상당한 영향을 미친다는 문제점을 해소할 수 있다.Providing the serial access interface method and the fresh chip structure according to the present invention operating as described above, the design density has been reduced recently, the chip density in the same area has been improved a lot, but in the conventional method the internal voltage pumping circuit is a memory cell It is necessary to occupy a certain area regardless of the degree of integration, so that the problem of significant influence on chip density can be solved.

Claims (4)

마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스로 구성된 프레쉬 메모리 시스템에 있어서, 상기 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스간에는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정을 선택하기 위한 소정갯수의 콘트롤 전송 경로들과, 어드레스나, 코멘드 및 데이터 입력을 위한 데이터 전송경로들 및 데이터 출력을 위한 경로들로 연결구성되어지며, 상기 스테이지 디바이스는 상기 경로들을 통한 콘트롤 신호와 데이터 신호의 입력을 따른 데이터를 저장할 수 있는 범용 레지스터와, 입력되는 신호중 상기 어드레스를 저장하기 위한 어드레스 레지스터와; 입력되는 신호중 상기 데이터를 저장하기 위한 데이터 레지스터와; 입력되는 신호중 상기 코멘드를 저장하기 위한 코맨드 레지스터와, 각각의 입력신호중 에러 상태를 복원하여 정정하기 위한 ECC, 및 상기 콘트롤 전송 경로들을 통해 유입되는 제어신호에 따라서 상기 각각의 레지스터를 선택하기 위한 먹스를 포함하는 것을 특징으로 하는 프레쉬 칩 구조.A fresh memory system comprising a microcontroller and a stage device, comprising: a predetermined number of control transfer paths for selecting a clock pin adjustment for driving a device between the microcontroller and the stage device, and for address, command, and data input. And a general purpose register capable of storing data in accordance with input of a control signal and a data signal through the paths, and storing the address among the input signals. An address register for performing; A data register for storing the data among the input signals; A command register for storing the command among the input signals, an ECC for restoring and correcting an error state among the respective input signals, and a mux for selecting each register according to a control signal flowing through the control transmission paths. Fresh chip structure comprising a. 제1항에 있어서, 상기 스테이지 디바이스 내부에는 저장과 삭제를 위해 필요한 전압을 발생하기 위해 고전압 펌핑부가 구비되어 있으며 상기 고전압 펌핑부는 상기 ECC의 제어에 따라 동작하는 것을 특징으로 하는 프레쉬 칩 구조.The fresh chip structure of claim 1, wherein a high voltage pumping part is provided in the stage device to generate a voltage necessary for storage and deletion, and the high voltage pumping part operates under control of the ECC. 제1항에 있어서, 상기 먹스는 구비되어 있는 각종 레지스터를 통해 정보의 전송 경로를 형성하며 ECC를 인에이블시키는 것을 특징으로 하는 프레쉬 칩 구조.The fresh chip structure of claim 1, wherein the mux forms a transmission path of information through various registers provided and enables the ECC. 마이크로 콘트롤러와 스테이지 디바이스간에는 디바이스를 구동시키기 위한 클럭 핀 조정을 선택하기 위한 소정갯수의 콘트롤 전송 경로들과, 어드레스나 코멘드 및 데이터 입력을 위한 데이터 전송경로들, 및 데이터 출력을 위한 경로들로 연결 구성되어지는 프레쉬 메모리 시스템에서의 운영 방법에 있어서:상기 마이크로 콘트롤러로부터 제어신호와 함께 시리얼 방식으로 데이터가 발생되는 제1과정과; 상기 과정에서 발생되는 시리얼 데이터중 소정 크기의 비트신호를 특정 메모리 칩의 선택신호로 인식하는 제2과정과; 상기 제2과정을 통하여 특정 메모리 칩을 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 소정 크기의 비트신호를 특정 명령으로 인식하는 제3과정과; 상기 제3과정을 통하여 특정 명령을 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 상기 스테이지 디바이스의 사이즈에 의존하는 소정 크기의 비트신호를 어드레스 신호로 인식하는 제4과정; 및 상기 제4과정을 통하여 어드레스를 인식한 후 상기 제1과정을 통하여 연속적으로 입력되는 데이터중 소정 크기의 비트신호를 데이터로 인식하는 제5과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 시리얼 억세스 인터페이스 방법.The connection between the microcontroller and the stage device consists of a predetermined number of control transmission paths for selecting clock pin adjustments for driving the device, data transmission paths for address or command and data input, and paths for data output. A method of operating in a fresh memory system, comprising: a first process of generating data in a serial manner together with a control signal from the microcontroller; A second process of recognizing a bit signal having a predetermined size among serial data generated in the process as a selection signal of a specific memory chip; A third process of recognizing a specific memory chip through the second process and recognizing a bit signal having a predetermined size among data continuously input through the first process as a specific command; A fourth process of recognizing a specific command through the third process and recognizing, as an address signal, a bit signal having a predetermined size depending on the size of the stage device among data continuously input through the first process; And a fifth process of recognizing an address through the fourth process and recognizing a bit signal having a predetermined size as data among the data continuously inputted through the first process.
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