KR100234180B1 - Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head - Google Patents
Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head Download PDFInfo
- Publication number
- KR100234180B1 KR100234180B1 KR1019960001022A KR19960001022A KR100234180B1 KR 100234180 B1 KR100234180 B1 KR 100234180B1 KR 1019960001022 A KR1019960001022 A KR 1019960001022A KR 19960001022 A KR19960001022 A KR 19960001022A KR 100234180 B1 KR100234180 B1 KR 100234180B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistance
- magnetic head
- thin film
- gap depth
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Abstract
본 발명은 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴 및 깁 깊이 가공방법에 관한 것이다. 본 발명의 저항 패턴은 계단형의 에지를 가진 제1저항 패턴부 및 제2저항 패턴부 사이에 소정의 저항치를 가진 연결패턴부를 포함하고, 기판의 연마거리에 따라서 상기 두 저항 패턴부 사이의 전기 저항이 계단식으로 증가됨으로써 이로부터 작업자는 작업의 진행 정도를 용이하게 파악하는 동시에 정밀한 가공이 가능하다.The present invention relates to a resistance pattern for gap depth processing and a method of processing a depth of a thin film magnetic head. The resistance pattern of the present invention includes a connection pattern portion having a predetermined resistance value between the first resistance pattern portion and the second resistance pattern portion having a stepped edge, and the electrical pattern between the two resistance pattern portions according to the polishing distance of the substrate. The stepwise increase in resistance allows the operator to easily grasp the progress of the work and at the same time, precise machining.
Description
제1도는 종래의 박막 자기 헤드의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional thin film magnetic head.
제2도는 종래의 광학 패턴을 이용한 자기 헤드 갭 깊이 가공방법에 있어서, 기판 상에 형성된 광학 패턴을 나나낸 도면이다.2 is a view showing an optical pattern formed on a substrate in a magnetic head gap depth processing method using a conventional optical pattern.
제3도는 종래의 광학 패턴을 이용한 자기 헤드 갭 깊이 가공방법에 있어서, 기판 상에 형성된 광학 패턴 및 스케일 바를 나타낸 도면이다.3 is a view showing an optical pattern and a scale bar formed on a substrate in a magnetic head gap depth processing method using a conventional optical pattern.
제4도는 종래의 저항 패턴을 이용한 자기 헤드 갭 깊이 가공방법에 있어서, 기판 상에 형성된 저항 패턴을 나타낸 평면도이다.4 is a plan view showing a resistance pattern formed on a substrate in the magnetic head gap depth processing method using a conventional resistance pattern.
제5도는 본 발명에 따라 기판 상에 형성된 저항패턴을 나타낸 개략적 도면이다.5 is a schematic diagram showing a resistance pattern formed on a substrate according to the present invention.
제6도는 제5도에 있어서, 연마거리에 따라서 자기 저항의 증가를 나타낸 그래프이다.FIG. 6 is a graph showing the increase of the magnetoresistance according to the polishing distance in FIG.
제7도는 제6도의 부분도이다.7 is a partial view of FIG.
제8도는 본 발명에 따라 기판 상에 형성된 저항 패턴의 또 다른 실시예를 나타낸 개략적 도면이다.8 is a schematic diagram illustrating another embodiment of a resistance pattern formed on a substrate according to the present invention.
제9도는 본 발명에 따라 기판 상에 형성된 저항 패턴의 또 다른 실시예를 나타낸 개략적 도면이다.9 is a schematic diagram illustrating another embodiment of a resistance pattern formed on a substrate in accordance with the present invention.
제10도는 본 발명에 따라 기판 상에 형성된 복수개의 저항패턴을 나타낸 개략적 평면도이다.10 is a schematic plan view showing a plurality of resistance patterns formed on a substrate according to the present invention.
〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉<Description of reference numerals for the main parts of the drawings>
1 : 상부자성층 2 : 하부자성층1: upper magnetic layer 2: lower magnetic layer
3 : 코 4 : 절연층3: nose 4: insulation layer
5 : 갭 10,40 : 박막 자기 헤드5: gap 10,40: thin film magnetic head
11, 12 : 광학 패턴 13 : 스케일 바11, 12: optical pattern 13: scale bar
20 : 저항부 20a, 20b : 사이드 에지20: resistance parts 20a, 20b: side edge
20c : 배면 에지부 21, 22, 31, 32 : 단자20c: rear edge portion 21, 22, 31, 32: terminal
30,100a : 연마부 3 : 제1저항 패턴부30,100a: polishing part 3: first resistance pattern part
33a : 전면 에지부 33b : 제1계단형 에지33a: front edge 33b: first stepped edge
34 : 제2저항 패턴부 34a. : 배면에지부34: second resistance pattern portion 34a. : Back branch
34b : 제2계단형 에지 35 : 연결 패턴부34b: second stepped edge 35: connection pattern portion
100 : 기판 d : 갭 깊이100: substrate d: gap depth
L : 갭 폭 D : 연마거리L: gap width D: grinding distance
W : 계단 폭 h : 계단 높이W: Stair Width h: Stair Height
w' : 연결 패턴 폭 l : 연결 패턴부 길이w ': Connection pattern width l: Connection pattern part length
P : 계단형 저항점 E1, E2 : 경사진 연마면P: Stepped resistance point E1, E2: Inclined polished surface
본 발명은 HDD(hard disc drive), 디지탈 오디오 시스템, VTR 등의 자기 기록 장치에 사용되는 박막 자기 헤드(thin film magnetic head)를 가공하기 위한 저항 패턴에 관한 것으로서, 특히 디지탈 저항 패턴(digital resistance pattern)의 저항을 측정함으로써 박막 자기 헤드의 특성에 중요한 영향을 미치는 갭 깊이(gap depth)를 높은 정밀도로 가공(machining)할 수 있는 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴에 관한 것이다. 또한 본 발명은 가공 연마된 연마 거리에 따라서 저항이 계단 형태로 증가하는 것을 이용하여 정밀하게 자기 헤드를 가공하는 방법에 관한 것이기도 하다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistance pattern for processing a thin film magnetic head used in a magnetic recording device such as a hard disc drive (HDD), a digital audio system, a VTR, and the like, and particularly, a digital resistance pattern. The present invention relates to a resistance pattern for gap depth machining of a thin film magnetic head capable of machining with high precision the gap depth, which has a significant effect on the characteristics of the thin film magnetic head by measuring the resistance of the thin film. The present invention also relates to a method for precisely machining a magnetic head by using a step of increasing resistance in accordance with a work-polished polishing distance.
HDD, 디자탈 오디오 시스템 및 VTR 등에 사용되는 자기 헤드는, 예컨대 디스크나 자기 테이프와 같은 정보 기록 매체에 기록된 소정의 데이타를 읽어 재생시키거나, 또는 데이타를 기록하기 위한 장치이다.Magnetic heads used in HDDs, digital audio systems, VTRs, and the like are devices for reading and playing back predetermined data recorded on an information recording medium such as a disk or a magnetic tape, or recording data.
제1도에는 종래의 박막 자기 헤드의 구성이 개략적인 단면도로 도시되어 있다.1 shows a schematic cross-sectional view of a conventional thin film magnetic head.
이를 참조하면, 종래의 박막 자기 헤드(10)는 도시된 것과 같이 기판(100) 위에, 하부자성층(2), 자기장에 의해 그 저항치가 변화되는 코일(MR;Magneto Resistive Device, 3) 그 코일(3) 위의 절연층(4) 및 그 절연층(4) 위의 상부자성층(1)이 증착(deposition)법에 의해 형성된다. 이때에 매체에 접촉되는 부위에는 자기 유입을 위한 갭(gap, 5)이 유지되고, 이 갭은 소정 깊이(d)로 일정하게 유지되는 구조를 가진다.Referring to this, the thin film magnetic head 10 according to the related art has a coil MR whose resistance value is changed by the lower magnetic layer 2 and the magnetic field on the substrate 100 as shown in FIG. 3) The insulating layer 4 on and the upper magnetic layer 1 on the insulating layer 4 are formed by a deposition method. At this time, a gap (gap) 5 for magnetic inflow is maintained at a portion contacting the medium, and this gap has a structure that is kept constant at a predetermined depth (d).
완전히 증착된 박막 자기 헤드(10)는 그 극단(pole tip)과 평행한 방향으로 연마(lap)된다. 이와 같은 종래 자기 헤드에 있어서, 갭 깊이(d)는 자기 헤드의 특성을 결정짓는 중요한 요소이다. 상기 박막 자기 헤드의 갭 부분의 칫수, 즉 폭(L)와 깊이(d)는 자기 헤드의 성능(efficiency)을 결정짓는 것으로서 그 마무리 정밀도는 매우 중요하다.The fully deposited thin film magnetic head 10 is lap in a direction parallel to its pole tip. In such a conventional magnetic head, the gap depth d is an important factor in determining the characteristics of the magnetic head. The dimensions of the gap portion of the thin film magnetic head, that is, the width L and the depth d, determine the performance of the magnetic head, and the finishing precision is very important.
박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공을 위한 방법이 본 출원인의 한국 특허 출원 제95-23521호에 기재되어 있으며, 참고로 그 내용을 제2도 및 제3도를 참조로 인용한다.A method for gap depth machining of thin film magnetic heads is described in Korean Patent Application No. 95-23521 to the applicant, the contents of which are hereby incorporated by reference with reference to FIGS. 2 and 3.
상기 문헌에 따르면, 자기 헤드의 정밀한 갭 깊이(d) 가공을 위해 광학적 가공방법이 선행기술로 기재되어 있다. 즉, 제2도에 도시되는 바와 같은 광학 패턴(11)을 가공되는 기판 또는 웨이퍼에 형성시키고 가공을 하는 동안 갭 깊이(d) 가공 정도를 메저스코우프(measurescope)를 사용하여 치수를 측정하는 방법이다.According to this document, an optical processing method is described in the prior art for the precise gap depth d machining of a magnetic head. That is, a method of forming an optical pattern 11 as shown in FIG. 2 on a substrate or wafer to be processed and measuring the dimensions of the gap depth d by using a measuring scope during the processing. to be.
그러나, 이와 같은 광학적 측정에 의한 가공방법은 메저스코우프의 분해능의 한계 및 측정 오차의 발생때문에 1㎛이하의 정밀도를 얻기 어려운 문제점이 있다.However, the processing method by the optical measurement has a problem that it is difficult to obtain a precision of 1 μm or less due to the limitation of the resolution of the measuring scope and the occurrence of measurement errors.
대안으로서, 상기 문헌에 따르면, 제3도에 나타난 바와 같이 박막 자기 헤드의 갭 깊이(d) 측정 및 자기 헤드 가공을 위한 미세 눈금 간격을 가지는 스케일 바(scale bar, 13)를 광학 패턴(12)에 대하여 직각으로 형성시키는 방법이 제공된다.As an alternative, according to this document, as shown in FIG. 3, a scale bar 13 having a fine scale interval for measuring the gap depth d of the thin film magnetic head and the magnetic head machining is provided with an optical pattern 12. A method of forming at right angles to is provided.
그러나, 상기와 같은 광학적인 가공방법은 높은 정밀도를 얻기 어려울 뿐만 아니라 작업 도중에 갭 깊이(d) 측정을 위해 가공을 일시적으로 중단해야 한다는 단점이 뒤따른다. 나아가, 하나의 웨이퍼상에서 다수의 박막 자기 헤드를 동시에 가공할 경우에는 그 오차가 더욱 커질 수밖에 없다.However, such an optical processing method is not only difficult to obtain high precision, but also has the disadvantage of temporarily stopping processing for measuring the gap depth d during operation. Furthermore, when multiple thin film magnetic heads are simultaneously processed on one wafer, the error is inevitably larger.
광학적인 가공방법의 한계를 보완하기 위한 방안으로서, 전기저항을 이용한 연마 가공방법이 미국 특허 제4, 670, 732호에 개시되어 있다. 이를 제4도를 참조로 설명하면, 기판에 대해 두 개의 도전성단자(21), (22)가 소정 간격(X) 이격되어 증착되고 그 사이에는 크롬으로 만들어진 저항부(20)가 도포된다. 상기 저항부(20)는 기판의 연마면(30)과 일치하는 전면 에지부 (20d), 배면 에지부(20c), 그리고 상기 단자(21), (22)와 경계를 이루는 사이드 에지부(20a), (20b)를 포함한다.As a solution to the limitation of the optical processing method, a polishing processing method using an electrical resistance is disclosed in US Patent No. 4, 670, 732. Referring to FIG. 4, two conductive terminals 21 and 22 are deposited on the substrate at predetermined intervals X, and a resistance part 20 made of chromium is applied therebetween. The resistor portion 20a has a front edge portion 20d, a rear edge portion 20c, and a side edge portion 20a bordering the terminals 21, 22, which coincide with the polishing surface 30 of the substrate. ), (20b).
박막 자기 헤드의 증착이 끝나고 두 개의 단자(21), (22)에 전류를 가한 뒤 연마면(30)을 가공하면, 기판과 함께 도전성 단자(21), (22) 및 저항부(20)가 연마되면서 연마 거리(lapping distance, W)는 점차 증가하게 된다. 그와 동시에, 상기 두 단자(21), (22)의 저항부(20)의 면적은 점차 감소하여 전체적으로 저항은 증가하게 된다. 이때 연마 거리(W)에 따라 저항은 선형적으로 증가하게 된다.After the deposition of the thin film magnetic head is finished and the current is applied to the two terminals (21) and (22), and the polishing surface 30 is processed, the conductive terminals (21), (22) and the resistor unit (20) together with the substrate As polishing, the lapping distance W gradually increases. At the same time, the area of the resistance portion 20 of the two terminals 21 and 22 gradually decreases to increase the resistance as a whole. At this time, the resistance increases linearly with the polishing distance (W).
그런데, 이 경우에는 연마 거리에 따른 저항값이 선형적으로 증가하므로 정확한 연마 거리(W)를 찾는 것은 쉽지 않다. 무엇보다도, 가공되는 연마면이 (15)와 같이 기울어진 경우에도 상기 연마 거리(W)에 따른 저항은 여전히 선형적으로 증가할 것이으므로, 비록 정확한 저항치에서 가공을 중지하더라도 제품의 불량을 면하기는 어렵다. 이러한 단점은 단순히 형상적인 면을 고려하지 못하고 양적인 저항치만을 고려한 것에서 비롯된 것이다.However, in this case, since the resistance value according to the polishing distance increases linearly, it is not easy to find the correct polishing distance (W). First of all, even if the polished surface to be processed is inclined as shown in (15), the resistance according to the polishing distance (W) will still increase linearly, so that even if the machining is stopped at the correct resistance value, the defect of the product is avoided. Is difficult. This shortcoming stems from the consideration of quantitative resistance, not simply the shape.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창안된 것으로서, 계단식으로 단차를 가지는 전기 저항 패턴을 이용하여 박막 자기 헤드의 갭 깊이를 정확하게 가공할 뿐만 아니라 형상적으로도 균형을 이루면서 연마할 수 있는 박막 자기 헤드의 자기 저항 패턴을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was conceived in view of the above problems, using a step-by-step electrical resistance pattern to precisely process the gap depth of the thin film magnetic head, as well as the shape of the thin film porcelain can be polished in balance The purpose is to provide a magnetoresistive pattern of the head.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴은, 기판의 중심 방향으로 가면서 상기 기판의 연마면에 평행한 복수개의 계단 형상으로 이루어진 제1계단형 에지와, 전류를 인가하기위해 연결된 제1단자를 포함하는 도전성 제1저항 패턴부; 상기 계단형 에지로부터 일정 거리만큼 이격되어 상기 에지의 각 계단과 동일한 형상으로 대향되는 복수개의 계단을 가진 제2계단형 에지와, 전류를 인가하기 위해 연결된 제2단자를 포함하는 도전성 제2저항 패턴부; 및 서로 대향되는 상기 제1에지의 계단 및 상기 제2에지의 계단을 연결하는 동일한 저항치를 가진 복수개의 도전성 연결 패턴부;를 포함하고, 상기 기판을 연마하는 동안 연마 거리가 증가함에 따라 상기 두 단자 사이의 저항치가 계단식으로 증가하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the resistance pattern for gap depth processing of a thin film magnetic head of the present invention includes a first stepped edge formed of a plurality of stepped shapes parallel to the polishing surface of the substrate while going toward the center of the substrate, and a current. A conductive first resistive pattern portion including a first terminal connected to apply a; A conductive second resistance pattern including a second stepped edge having a plurality of steps, the plurality of steps being spaced apart from the stepped edge by a predetermined distance and facing the same shape as each step of the edge, and a second terminal connected to apply current; part; And a plurality of conductive connection pattern portions having the same resistance value connecting the stairs of the first edge and the stairs of the second edge facing each other, wherein the two terminals are increased as the polishing distance increases while polishing the substrate. The resistance value between the steps is characterized by increasing stepwise.
또한, 상기 제1에지 및 상기 제2에지의 계단은 그 폭이 서로 동일하고, 그 높이는 상기 연마면으로 멀어질수로 작아질 수 있다.In addition, the steps of the first and second edges are equal in width to each other, and the height thereof may be reduced as the distance from the polishing surface.
본 발명에 따르면, 박막 자기 헤드의 정확한 갭 깊이 가공을 위한 방법도 역시 제공 되는데 그 방법은, 기판위에 서로 대향되어 동일한 형상으로 형성된 두 개의 계단형 패턴 및 상기 계단형 패턴의 상호 대향된 계단을 연결하는 연결 패턴을 포함하는 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴을 형성시키고, 상기 기판을 연마하는 동안 기판의 연마 거리가 증가함에 따라서 상기 두 개의 계단형 패턴 사이의 저항이 계단식으로 증가하는 것을 이용하여 미리 설정된 갭 깊이를 정밀하게 가공하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a method for accurate gap depth machining of a thin film magnetic head is also provided, which connects two stepped patterns formed on the substrate and formed in the same shape and opposite stepped steps of the stepped patterns. Forming a resistance pattern for gap depth processing of the thin film magnetic head including a connection pattern, and using the stepwise increase in resistance between the two stepped patterns as the polishing distance of the substrate increases while polishing the substrate. It is characterized by precisely machining a predetermined gap depth.
본 방법은 또한 상기 두 개의 계단형 패턴 각각에 연결된 단자에 전류를 공급하는 단계; 및 상기 연마면을 가공하는 동안 상기 두 단자 사이의 저항치가 계단식으로 증가하는지를 관찰하여 그 값이 미리 설정된 저항치에 도달하면 가공을 중지하는 단계를 포함할 수 있다.The method also includes supplying current to a terminal connected to each of the two stepped patterns; And observing whether the resistance value between the two terminals increases stepwise during the machining of the polishing surface, and stopping the machining when the value reaches a predetermined resistance value.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제5도에는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴의 실시예가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 박막 자기 헤드(40)가 증착된 기판(100)위에 저항 패턴이 형성된다. 저항 패턴은 크게 제1저항 패턴부(33), 제2저항 패턴부(34) 및 연결 패턴부(35)를 포함한다.5 shows an embodiment of a resistance pattern for gap depth machining of a thin film magnetic head according to the present invention. Referring to the drawings, a resistance pattern is formed on the substrate 100 on which the thin film magnetic head 40 is deposited. The resistance pattern largely includes a first resistance pattern portion 33, a second resistance pattern portion 34, and a connection pattern portion 35.
전술한 바와 같이 상기 패턴부들은 증착에 의해 형성되는 것이 바람직하며, 재료는 철-니켈 합금 재료가 적당하다.As described above, the pattern portions are preferably formed by vapor deposition, and the material is preferably an iron-nickel alloy material.
제1저항 패턴부(33)는 기판(100)의 연마면(100a)에 인접하는 전면 에지부(33a)와, 기판의 중심 방향으로 갈수록 상기 기판의 연마면(100a)에 평행한 복수개의 계단(41) 형상으로 이루어진 제1계단형 에지(33b)를 포함한다. 에지(33b)의 각 계단들의 폭(W)은 모두 동일하며, 계단의 수는 가공 정밀도에 따라서 적절히 조절된다.The first resistance pattern portion 33 includes a front edge portion 33a adjacent to the polishing surface 100a of the substrate 100 and a plurality of steps parallel to the polishing surface 100a of the substrate toward the center of the substrate. And a first stepped edge 33b having a 41 shape. The widths W of the steps of the edge 33b are all the same, and the number of steps is appropriately adjusted according to the machining precision.
한편, 제1저항 패턴부(33)와 일정 거리(l)만큼 이격되어 제2저항 패턴부(34)가 형성되어 있다. 제2저항 패턴부(34) 또한 기판(100)의 연마면(100a)에서 멀어질수록 그와 평행한 복수개의 계단 (42)을 가진 제2계단형 에지(34b) 및 배면 에지부(34a)를 포함한다. 제2계단형 에지(34b)의 계단(42)들은 그와 서로 대향되는 제1계단형 에지(33b)의 계단(41)과 동일하다. 서로 대응하는 제1에지(33b)의 계단(41)과 제2에지(34b)의 계단(42)은 폭(W) 및 높이(h)가 동일하다. 전술한 바와 마찬가지로 계단의 폭(W)은 모두 일정할 수 있으나 계단의 높이(h)는 후술하는 바와 같이 서로 달라질 수 있다.Meanwhile, the second resistance pattern portion 34 is formed to be spaced apart from the first resistance pattern portion 33 by a predetermined distance l. The second resistance pattern portion 34 also has a second stepped edge 34b and a back edge portion 34a having a plurality of steps 42 parallel to the farther away from the polishing surface 100a of the substrate 100. It includes. The steps 42 of the second stepped edge 34b are the same as the steps 41 of the first stepped edge 33b opposite to each other. The stairs 41 of the first edge 33b and the stairs 42 of the second edge 34b corresponding to each other have the same width W and height h. As described above, the widths W of the stairs may all be constant, but the height h of the stairs may be different from each other as described below.
상기 제1저항 패턴부(33)와 제2저항 패턴부(34)는 연결 패턴부(35)에 의해 연결되어 전기적으로 접속된다. 연결 패턴의 길이(l)와 폭(w') 및 각각의 저항치는 동일한 것이 바람직하다.The first resistance pattern portion 33 and the second resistance pattern portion 34 are connected and electrically connected by the connection pattern portion 35. It is preferable that the length l and the width w 'of the connection pattern and the respective resistance values are the same.
제1저항 패턴부(33)와 제2저항 패턴부(34)는 연결 패턴부(35)에 의해 전기적으로 접속되며, 이들 저항 패턴부는 전류를 공급받기 위한 제1단자(31) 및 제2단자(32)와 연결된다.The first resistance pattern portion 33 and the second resistance pattern portion 34 are electrically connected by the connection pattern portion 35, and these resistance pattern portions are provided with a first terminal 31 and a second terminal for receiving current. It is connected with 32.
이상과 같은 저항 패턴이 형성된 기판(100)을 연마하는 동안 상기 저항 패턴의 저항치의 변화로써 박막 자기 헤드(40)의 정확한 갭 깊이 가공 정도를 알 수 있다.While polishing the substrate 100 on which the resistance pattern is formed, the accurate gap depth processing degree of the thin film magnetic head 40 may be known by changing the resistance value of the resistance pattern.
구체적으로, 최종적으로 원하는 갭 깊이(d)를 얻기 위해서 기판(100)을 연마면(100a)에 대해 연마한다. 최총연마면(100a)으로부터 연마가 완료된 면까지의 거리를 연마거리(D)라 하며 이것은 갭 깊이를 직접적으로 조절하는 중요한 인자가 된다.Specifically, the substrate 100 is polished against the polishing surface 100a in order to finally obtain the desired gap depth d. The distance from the most polished surface 100a to the surface on which polishing is completed is called a polishing distance D, which is an important factor for directly controlling the gap depth.
연마를 시작하기에 앞서 두 단자(31), (32)에 전류를 공급한다. 이때 저항 패턴이 나타내는 저항치는 제6도에서 보는 바와 같이 고유 저항치(R0)가 될 것이며, 이 값은 저항 패턴부 및 제1연결 패턴(35a) 내지 마지막 연결 패턴(35d)을 통해 흐르는 전류에 대한 저항치이다.Prior to starting polishing, current is supplied to both terminals 31 and 32. At this time, the resistance value represented by the resistance pattern will be the intrinsic resistance value R 0 , as shown in FIG. 6, and this value corresponds to the current flowing through the resistance pattern portion and the first connection pattern 35a to the last connection pattern 35d. Resistance.
일단 연마가 시작되면, 기판(100)이 그라인딩됨과 동시에 저항 패턴부의 전면 에지부(33a)도 함께 연마될 것이다. 상기 전면 에지부(33a)는 바람직하게는 연마면(100a)에 평행하게 형성되는 것이 적절하며, 연마면(100a)과 일치되는 지점에 형성될 수도 있다.Once polishing begins, the substrate 100 will be ground and the front edge 33a of the resist pattern portion will also be polished. The front edge portion 33a is preferably formed parallel to the polishing surface 100a and may be formed at a point coinciding with the polishing surface 100a.
기판(100)과 저항 패턴부가 동시에 연마되먼서 연마 거리(D)는 점차 증가한다. 이때 연마 거리(D1)에 이르게 되면, 제1저항 패턴부(33)가 그라인딩됨으로써 연결 패턴(35a)와의 접속이 끊어지게 된다. 그러면, 이제 전류는 저항 패턴부과 제2연결 패턴(35b) 내지 마지막 연결 패턴(35d)을 통해서만 흐르게 된다. 저항은 전류가 흐르는 매개체의 면적에 반비례하므로 전체적으로 전류가 흐를 수 있는 통로가 차단된 상태에서는 저항은 증가할 것이다. 즉, 연마거리가 (D1)에 이르는 순간에 전체 저항은 (R1)으로 증가하며, 이러한 증가는 급속한 계단식 양상을 띈다.Since the substrate 100 and the resistance pattern portion are polished at the same time, the polishing distance D gradually increases. At this time, when the polishing distance D1 is reached, the first resistance pattern part 33 is ground, thereby disconnecting the connection pattern 35a. Then, the current flows only through the resistance pattern portion and the second connection pattern 35b to the last connection pattern 35d. Since the resistance is inversely proportional to the area of the medium through which the current flows, the resistance will increase when the passage through which the current can flow is blocked. That is, at the moment when the polishing distance reaches (D1), the total resistance increases to (R1), and this increase takes a rapid stepwise pattern.
이어서, 연마가 계속되어 연마거리가 (D2)에 도달하면, 이번에는 제2연결 패턴 (35b)도 오픈되어 전류가 차단된다. 따라서 그만큼 저항은 계단식으로 상승되어 저항치는 (R2)를 가리킬 것이다.Subsequently, when polishing is continued and the polishing distance reaches D2, the second connection pattern 35b is also opened at this time to cut off the current. Thus the resistance will rise stepwise and the resistance will point to (R2).
같은 식으로, 연마가 계속되면서 점차 연마거리(D)가 증가하는 동안 저항은 증가되어 결국은 제6도에 도시된 그래프와 같은 파형을 그리게 된다.In the same way, as the polishing continues, the resistance increases while the polishing distance D gradually increases, resulting in a waveform like the graph shown in FIG.
제6도에 나타난 그래프의 가장 큰 특징은 파형이 계단식으로 얻어진다는 것이다. 이것은 연마거리(D)의 증가에 따른 저항치의 증가가 계단식으로 급속히 증가하는 부위를 가진다는 것을 의미한다.The biggest feature of the graph shown in Figure 6 is that the waveform is obtained in a stepwise manner. This means that the increase of the resistance value with the increase of the polishing distance D has a portion which increases rapidly stepwise.
더욱이, 그래프상의 각각의 계단은 저항 패턴부의 각각의 계단(41)에 대응하여 그려진다는 사실이 강조 되어야만 한다. 이것은 매우 중요한 사실로서 박막 자기 헤드를 가공하는 작업자로 하여금 보다 쉽게 그리고 보다 정확하게 갭 깊이 가공 정도를 파악할 수 있도록 해주는 근거가 된다.Moreover, it should be emphasized that each step on the graph is drawn corresponding to each step 41 of the resistance pattern portion. This is a very important fact and provides the basis for the operator of the thin-film magnetic head to more easily and more accurately determine the degree of gap depth machining.
다시 말해, 작업자는 박막 자기 헤드를 가공하기에 앞서, 먼저 원하는 갭 깊이에 해당하는 저항 패턴의 계단을 선택하고 그 계단이 몇번째 계단인지 또한 연마하는 동안 예상되는 저항치의 증가는 얼마가 되는지를 계산한다. 따라서, 가공을 하는 동안 작업자는 계단형 에지(33b)의 연마에 따라서 점차적으로 증가하는 저항 그래프의 계단의 숫자를 세면서 작업 진행 정도를 쉽게 파악할 수 있다. 또한, 작업이 (P)지점에 이르는 순간 원하는 저하치 (RD)의 증가가 있는 것을 확인한 작업자는 가공을 중단하고 제품을 완성하게 된다. 이러한 저하으이 순간적인 증가는 반복적이고 단순한 공정을 수행하는 작업자로 하여금 가공 완료가 되었음을 확신하게끔 만들 것이다.In other words, before machining the thin film magnetic head, the operator first selects the step of the resistance pattern corresponding to the desired gap depth and calculates the step number of the step and how much the increase in the expected resistance value during grinding is expected. do. Therefore, during processing, the operator can easily grasp the progress of the work by counting the number of steps of the resistance graph which gradually increases as the stepped edge 33b is polished. In addition, the worker who confirms that the desired decrease value R D is increased as soon as the work reaches the point P, stops processing and completes the product. This instantaneous increase in these degradations will convince the operator performing the repetitive and simple process to be sure that the machining is complete.
저항을 나타내는 그래프에서 계단의 급속한 상승을 더욱 뚜렷하게 만들기 위해서는 연결 패턴(35)의 전기적 저항이 상기 제1저항(33) 및 제2저항 패턴부(34)의 저항보다 큰것이 바람직하다. 그렇다면, 다소 큰 저항을 가진 연결 패턴부 각각의 오픈은 급속한 계단형 파형을 더욱 뚜렷하게 특징지을 것이다.In order to make the rapid rise of the stairs more clearly in the graph representing the resistance, it is preferable that the electrical resistance of the connection pattern 35 is larger than the resistance of the first resistance 33 and the second resistance pattern portion 34. If so, the opening of each of the connecting pattern portions with rather large resistance will be more distinctly characterized by the rapid stepped waveform.
본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴에 있어서, 실제로 기판(100)의 연마와 동시에 제1저항 패턴부(33)의 그라인딩이 동시에 진행되므로 이것으로 인한 저항의 증가도 고려되어야만 할 것이다. 즉, 연마거리(D1)에 이르는 동안 제1저항 패턴부(33)가 연마에 의해 그 실질적인 면적이 감소되므로 저항이 점차 증가되어 실제 그래프의 양상은 (Rc)와 같을 것이다. 제7도에 이러한 그래프를 부분적으로 도시하였다.In the resistance pattern for gap depth processing of the thin film magnetic head according to the present invention, since the grinding of the first resistance pattern portion 33 proceeds simultaneously with the polishing of the substrate 100, an increase in resistance due to this should also be considered. . That is, since the substantial area of the first resistance pattern portion 33 is reduced by polishing while the polishing distance D1 is reached, the resistance gradually increases, so that the actual graph will be the same as (R c ). This graph is partially shown in FIG.
제7도를 참조하면, 연마거리(D1)에서 연결 패턴의 접속이 끊어지면서 저항은 (R1)으로 급속히 상승한다. 그러나 연마거리(D1)과 (D2)사이에서는, 연결 패턴의 접속은 변화가 없는 상태에서 제1저항 패턴부(33)의 면적이 계속 감소하므로 이에 따라 저항은 (R2')로 곡선을 그리면서 증가할 것이다. 그러다가, 연마 거리(D2)에 이르면 연결 패턴의 오픈이 다시 발생하므로 저항은 다시 급격하게 (R2)로 증가한다.Referring to FIG. 7, the resistance is rapidly increased to R1 as the connection pattern is disconnected at the polishing distance D1. However, between the polishing distances D1 and D2, the area of the first resistance pattern portion 33 continues to decrease while the connection of the connection pattern remains unchanged, and thus the resistance is curved by (R2 '). It will increase. Then, when the polishing distance D2 is reached, the opening of the connection pattern occurs again, so that the resistance rapidly increases to R2 again.
이상과 같은 그래프의 특징은 작업자로 하여금 여전히 갭 깊이 가공 정도를 용이하게 파악할 수 있도록 도와주는데, 예를 들어 정확한 갭 깊이 가공에 대한 요구 저항치가 (RD)라면 작업자는 계속되는 선형적인 그래프를 추적할 필료가 없이, 저항 패턴부의 계단의 숫자에 해당하는 숫자만큼 나타내는 계단식 저항의 증가점을 감지함으로써 가공 진행 상황을 파악할 수 있다. 따라서, 최종적으로 작업자는 마지막으로 급격한 저항 증가(R2)를 확인한 뒤에 정밀하게 가공을 하여 (RD)저항치를 획득함으로써 원하는 연마 거리(Dd)만큼 가공할 수 있는 것이다. 이러한 과정에 있어서, 전술한 바와 같이 저항 패턴부(33), (34)보다 큰 저항을 가진 연결 패턴(35)가 더욱 크게 활용될 수 있다.This characteristic of the graph helps the operator to easily determine the degree of gap depth machining. For example, if the required resistance for accurate gap depth machining is (R D ), the operator can keep track of the linear graph. It is possible to grasp the progress of the machining by detecting the increase of the stepped resistance, which is represented by the number corresponding to the number of steps of the resistance pattern portion without the necessary material. Therefore, the operator can finally process the desired polishing distance Dd by precisely machining the final resistance increase (R2) and then obtaining a resistance value (R D ). In this process, as described above, the connection pattern 35 having a larger resistance than that of the resistance pattern parts 33 and 34 may be further utilized.
본 발명에 따른면, 보다 정밀한 갭 깊이 가공을 위해 상기 에지의 계단(41), (42)가 조절될 수 있다. 즉, 각 계단(41), (42)의 높이(h)가 기판(100)의 연마면(100a)으로부터 멀어질수록 점차 작아질 수 있다. 이것은 저항 그래프 상에서 최초에 나타나는 계단 파형은 급속하게 변화하지만 소정 깊이까지 연마가 될수록 계단 파형은 그 높이가 작아지고 정밀해짐으로써 작업자로 하여금 보다 정확한 가공을 할 수 있도록 도와준다.According to the invention, the steps 41, 42 of the edge can be adjusted for more precise gap depth machining. That is, the height h of each of the steps 41 and 42 may become gradually smaller as it moves away from the polishing surface 100a of the substrate 100. This allows the operator to perform more precise machining by changing the initial step waveforms on the resistance graph rapidly, but as they are polished to a certain depth, the step waveforms become smaller and more precise.
본 발명은 전술한 바와 같이 연마면(100a)의 가공 실수를 제어할 수 있는 방법도 제공한다. 이것을 제8도를 참조로 자세히 설명하면 다음과 같다.The present invention also provides a method capable of controlling the machining mistake of the polishing surface 100a as described above. This will be described in detail with reference to FIG. 8.
만약 가공되는 연마면이 (E1)과 같이 경사가 진 경우에는, 가공이 진행되는 동안 연결 패턴(35a) 및 (35b)가 거의 동시에 오픈 될 것이며, 따라서 이때에는 저항 그래프의 계단은 두 배로 갑자기 증가할 것이다. 또한 저항 패턴부(33)의 계단의 숫자보다 저항 그래프의 계단의 숫자가 하나 작게 된다.If the polished surface to be machined is inclined, such as (E1), the connection patterns 35a and 35b will open almost simultaneously during the process, so that the step of the resistance graph suddenly doubles at this time. something to do. In addition, the number of steps in the resistance graph is smaller than the number of steps in the resistance pattern part 33.
만약 연마되는 경사 각도가 그리 크지 않아서 연결 패턴(35a)가 오픈되고 그 다음에 연결 패턴(35b)가 오픈될 때에도 작업자는 역시 실수를 감지할 수 있다. 이때에는 저항 그래프 상에 나타나는 각 계단의 모양이 동일하지 않을 것이다. 왜냐하면, 저항 패턴부(33)의 계단이 동일한 폭(W)과 높이(h)를 가지고 있다면 그에 대응하는 저항 그래프상의 계단들도 동일한 비율의 폭과 높이를 가져야만 하기 때문이다. 나아가, 전술한 바와 같이 가공의 정밀도을 높이기 위해서 기판의 중심방향으로 멀어질수록 저항 패턴부(33)의 게단의 높이(h)를 점차 작게한 경우에도 그 높이(h)가 축소되는 일정한 비율은 저항 그래프 상의 계단의 높이가 축소되는 비율과 같아야만 하기 때문에 불규칙한 연마에 의한 불량품의 생산은 막을 수 있는 것이다.If the inclination angle to be polished is not so great, the operator can also detect a mistake even when the connection pattern 35a is opened and then the connection pattern 35b is opened. At this time, the shapes of the steps appearing on the resistance graph will not be the same. This is because if the stairs of the resistance pattern part 33 have the same width W and the height h, the stairs on the resistance graph corresponding thereto must have the same width and height. Furthermore, as described above, even if the height h of the edge of the resistance pattern portion 33 is gradually reduced in the direction toward the center of the substrate in order to increase the accuracy of the machining, the constant ratio of the height h is reduced. The production of defective products by irregular grinding can be prevented because the height of the stairs on the graph must be equal to the rate of reduction.
본 발명에 따라서 제공되는 박막 자기 헤드의 가공 실수를 방지하는 또 다른 실시예가 제9도에 도시되어 있다.Another embodiment is shown in FIG. 9 to prevent machining mistakes of the thin film magnetic head provided in accordance with the present invention.
도면을 참조하면, 제1계단형 에지(33b) 및 제2계단형 에지(34b)는 연마면(100a)에 수직인 선(V)에 대해 상호 대칭적으로 형성되어 있다. 즉, 수직선 중심에서 옆으로 멀어질수록, 그리고 상기 연마면으로부터 기판 중심방향으로 멀어질수록 계단이 순차적으로 형성되어 있다.Referring to the drawings, the first stepped edge 33b and the second stepped edge 34b are formed symmetrically with respect to the line V perpendicular to the polishing surface 100a. That is, the steps are sequentially formed as they move laterally away from the center of the vertical line and away from the polishing surface toward the substrate center.
이와 같은 저항 패턴에 전류를 가하면서 연마를 하면, 정상적인 연마의 경우에는 저항 그래프의 파형 증가는 일정한 증가의 비율로 급격하게 증가한다. 즉, 연마 거리(D1)에서는 연결 패턴(35e)만이 오픈되지만, 연마 거리(D2)에서는 연결 패턴(35f), (35g)가 동시에 오픈되므로 그 만큼 저항은 급격하게 증가한다. 이러한 증가 비율은 일정할 것이다.When polishing is applied while applying a current to such a resistance pattern, in the case of normal polishing, the waveform increase in the resistance graph increases rapidly at a constant rate of increase. That is, only the connection pattern 35e is opened at the polishing distance D1, but at the polishing distance D2, the connection patterns 35f and 35g are opened at the same time, so that the resistance increases rapidly. This rate of increase will be constant.
그러나, 가공면이 (E2)와 같이 경사진 경우에는 연결 패턴(35f)는 오픈이 되지만 연결 패턴(35g)는 여전히 접속된 상태를 유지하므로 저항증가율은 불규칙하게 나타난다. 이러한 불규칙성은 작업자로 하여금 쉽게 공정상의 실수를 감지하도록 할 것이다.However, when the machining surface is inclined as in (E2), the connection pattern 35f is open but the connection pattern 35g is still connected, so the increase rate of resistance appears irregular. Such irregularities will allow the operator to easily detect process mistakes.
통상적으로 박막 자기 헤드는 기판위에 다수의 자기 헤드를 증착시키고 이것을 가공하여 제작되므로, 이때에는 제10도에 나타난 바와 같이 다수의 저항 패턴을 형성하여 가공을 할 수 있다.In general, since the thin film magnetic head is manufactured by depositing a plurality of magnetic heads on a substrate and processing the same, the thin film magnetic head may be processed by forming a plurality of resistance patterns as shown in FIG. 10.
이러한 가공시에는 왼쪽에 위치하는 저항 패턴의 저항 변화와 오른쪽에 위치한 저항 패턴의 저항 변화를 상호 비교하여 그 불일치를 찾아냄으로써 제조 공정상의 실수를 방지할 수 있다.In such processing, a mistake in the manufacturing process can be prevented by comparing the resistance change of the resistance pattern located on the left side with the resistance change of the resistance pattern located on the right side to find a mismatch.
이상과 같이 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 갭 깊이 가공용 저항 패턴은 기판의 연마거리에 따라서 패턴의 저항치가 계단식으로 변함으로써 작업자로 하여금 작업의 정도를 용이하게 파악하게 하고, 또한 저항 패턴의 계단 높이를 조절하여 정밀한 갭 깊이 가공을 가능하게 할 뿐만 아니라 공정상 연마면의 경사에 따른 실수도 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, in the resistance pattern for gap depth processing of the thin film magnetic head according to the present invention, the resistance value of the pattern is changed stepwise according to the polishing distance of the substrate so that the operator can easily grasp the degree of work, and also the step height of the resistance pattern. It is possible not only to enable precise gap depth processing by adjusting, but also to prevent mistakes due to the inclination of the polishing surface in the process.
또한, 본 발명의 저항 패턴은 연마거리에 따라서 저항치가 선형적으로 변화하는 종래의 자기 저항 방식에 응용시킴으로써 작업자로 하여금 일정한 작업 정도가 지나기 전까지는 계단형 파형의 숫자로써 작업의 진행 정도를 알리고 그 정도가 지난 후에는 다시 선형적으로 변화하는 저항 그래프의 값으로써 갭 깊이를 정밀하게 가공할 수 있도록 한다.In addition, the resistance pattern of the present invention is applied to the conventional magnetoresistance method in which the resistance value changes linearly according to the polishing distance, so that the operator informs the progress of the work by the number of stepped waveforms until a certain degree of work passes. After the accuracy, the gap depth can be precisely processed by the value of the resistance graph that changes linearly.
비록 본 발명은 첨부된 도면과 한정된 실시예만을 참조로 하여 설명되었으나, 본 발명의 적절한 기술범위에 속하는 한 다양한 변형예가 만들어질 수 있음은 물론이다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and limited embodiments only, various modifications may be made as long as they fall within the appropriate technical scope of the present invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001022A KR100234180B1 (en) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001022A KR100234180B1 (en) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970060069A KR970060069A (en) | 1997-08-12 |
| KR100234180B1 true KR100234180B1 (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=19449692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960001022A KR100234180B1 (en) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100234180B1 (en) |
-
1996
- 1996-01-18 KR KR1019960001022A patent/KR100234180B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970060069A (en) | 1997-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5361547A (en) | Ultimate inductive head integrated lapping system | |
| CA1311272C (en) | Electrical guide for tight tolerance machining | |
| US4675986A (en) | Electrical lapping guide for controlling the batch fabrication of thin film magnetic transducers | |
| US5175938A (en) | Electrical guide for tight tolerance machining | |
| US4689877A (en) | Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers | |
| US5772493A (en) | Method and apparatus for controlling the lapping of magnetic heads | |
| US6193584B1 (en) | Apparatus and method of device stripe height control | |
| US6884148B1 (en) | Independently controlled read and write head stripe height parameters in slider back end process | |
| US8065788B2 (en) | Method for manufacturing a slider for a perpendicular magnetic recording head | |
| US5588199A (en) | Lapping process for a single element magnetoresistive head | |
| US6170149B1 (en) | Magnetoresistive type magnetic head and method of manufacturing the same and apparatus for polishing the same | |
| US6515475B2 (en) | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields | |
| JP3421983B2 (en) | Method of manufacturing composite thin film magnetic head | |
| US6299507B1 (en) | Thin-film magnetic head manufacturing method and apparatus | |
| KR100234180B1 (en) | Resistance pattern for processing gap depth and gap depth processing method of thin film magnetic head | |
| JP2000251222A (en) | Manufacture of compound thin-film magnetic head and wafer used therefor | |
| US7147539B1 (en) | Head performance based nano-machining process control for stripe forming of advanced sliders | |
| JPH097121A (en) | Magnetoresistance type magnetic head and its production and wafer | |
| JPH10269530A (en) | Manufacturing method of magneto-resistance effect type head | |
| US5612843A (en) | Method for accurately setting the gap in an inductive magnetic head | |
| US8117736B2 (en) | Method of lapping a magnetic head slider | |
| GB2128747A (en) | Gauging the machining of a block using severing of an electrically conducting path | |
| CA1249075A (en) | Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers | |
| JPH05101339A (en) | Production of thin-film magnetic head | |
| KR100234187B1 (en) | Electrical and optical composite lapping guide device for controlling gap depth of thin film magnetic head |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020716 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |