KR100212698B1 - Orient plate of wafer loading apparatus - Google Patents

Orient plate of wafer loading apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100212698B1
KR100212698B1 KR1019960038533A KR19960038533A KR100212698B1 KR 100212698 B1 KR100212698 B1 KR 100212698B1 KR 1019960038533 A KR1019960038533 A KR 1019960038533A KR 19960038533 A KR19960038533 A KR 19960038533A KR 100212698 B1 KR100212698 B1 KR 100212698B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
wafer
orientation plate
orientation
orienting
Prior art date
Application number
KR1019960038533A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980020172A (en
Inventor
이채영
손성수
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019960038533A priority Critical patent/KR100212698B1/en
Publication of KR19980020172A publication Critical patent/KR19980020172A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100212698B1 publication Critical patent/KR100212698B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20214Rotation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 오리엔트 플레이트와 부싱(bushing)을 일체형으로 만들고 웨이퍼가 놓여지는 부분인 플레이트 패드를 오리엔트 플레이트에 삽입고정하여 웨이퍼 셋팅 에러를 보정하는 웨이퍼 로딩설비의 오리엔트 플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to an orientation plate of a wafer loading facility that integrates an orientation plate and a bushing and corrects wafer setting errors by inserting a plate pad, which is a portion where the wafer is placed, into the orientation plate.

본 발명의 목적은 오리엔트 플레이트 돌출부와 회전축(bushing)에 체결용 나사부를 형성하여 종래에 발생하던 오리엔트 플레이트와 결합핀의 회전슬립을 방지하고 오리엔트 플레이트에 발생하던 상하 편차의 발생을 억제하는 오리엔트 플레이트를 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide an orientation plate for preventing rotation slippage of the orientation plate and the engaging pin which has occurred in the past and preventing occurrence of vertical deviation generated in the orientation plate by forming a fastening thread on the orientation plate projection and the bushing .

본 발명의 효과는 오리엔트 플레이트와 오리엔트 플레이트를 구동시키는 회전축을 직접 나사부로 체결하여 회전축과 오리엔트 플레이트가 서로 이격되는 것을 방지하여 오리엔트 플레이트와 회전축의 회전슬립과 오리엔트 플레이트의 상하편차와 플래이트 패드의 이탈을 방지하여 웨이퍼의 셋팅불량을 방지함에 있다.The effect of the present invention is that the rotation axis for driving the orientation plate and the orientation plate is directly fastened with a screw to prevent the rotation axis and the orientation plate from being separated from each other, so that the rotation slip of the orientation plate and the rotation axis, So as to prevent defective setting of the wafer.

Description

웨이퍼 로딩(loading) 설비의 오리엔트 플레이트Orient plate of wafer loading facility

본 발명은 웨이퍼 로딩(loading) 설비의 오리엔트 플레이트에 관한 것으로 더욱 상세하게는 오리엔트 플레이트와 부싱(bushing)을 일체형으로 만들고 웨이퍼가 놓여지는 부분인 플레이트 패드를 오리엔트 플레이트에 삽입고정하여 웨이퍼 셋팅 에러를 보정하는 웨이퍼 로딩설비의 오리엔트 플레이트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an orientation plate of a wafer loading facility, and more particularly, to an orientation plate of a wafer loading facility, To an orientation plate of a wafer loading facility.

일반적으로 반도체 제조소자의 모체가 되는 순수실리콘 웨이퍼는 각종 공정을 거치면서 산화, 확산 등에 의해 웨이퍼의 성질이 변하거나, 웨이퍼의 상면에 원하는 박막이 증착된 후, 사진식각 등의 공정이 진행되어 트랜지스터나 커패시터, 저항 등의 기본적인 회로소자가 웨이퍼상에 집적되게 된다.Generally, pure silicon wafers which are to be the matrix of a semiconductor manufacturing device are subjected to various processes to change the properties of the wafers by oxidation, diffusion, or the like, or a desired thin film is deposited on the wafer, Basic capacitors, resistors, and other basic circuit elements are integrated on the wafer.

이들중 웨이퍼에 형성되는 반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 웨이퍼의 내부에 P형,또는 N형 불순물 이온을 강제로 침투시키는 공정이 일반적인 이온주입공정(ion implantation)이다.Of these, a process of forcibly impregnating P-type or N-type impurity ions into the wafer is a general ion implantation process so that the semiconductor device formed on the wafer has desired electrical characteristics.

이와 같은 이온주입공정이 진행되기 이전에 이미 웨이퍼에는 많은 공정을 거치면서 이미 여러개의 반도체 소자가 집적되어 있어, 웨이퍼는 진행되는 모든 공정을 기준이 되는 패턴 방향에 맞추어 공정을 진행하게 된다. 따라서, 이온주입공정이 진행되기 전에 웨이퍼에 형성되어 있는 반도체 소자의 패턴의 방향을 일정하게 맞춰주는 사전공정은 필수적이다. 이와 같이 이온주입공정이 진행되기 이전에 웨이퍼에 형성되어 있는 반도체 소자의 패턴방향을 맞추어 주는 장치가 바로 웨이퍼 로딩 설버의 오리엔트 플레이트이다.Before such an ion implantation process, a plurality of semiconductor devices are already integrated in a wafer, and the wafer is processed in accordance with the standard pattern direction. Therefore, it is necessary to perform a pre-process for uniformly orienting the pattern of the semiconductor elements formed on the wafer before the ion implantation process proceeds. A device for aligning the pattern direction of semiconductor devices formed on the wafer before the ion implantation process is performed is an orientation plate of the wafer loading shower.

이와 같은 종래의 웨이퍼 로딩 설비의 구성을 첨부된 도면 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The structure of such a conventional wafer loading facility will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

웨이퍼 로딩 설비(10)는 크게 로딩 설비에 부착되어 회전력을 발생시키는 구동장치(미도시)와, 구동장치에 연결되어 있는 회전축(14)과, 웨이퍼(17)를 지지하는 오리엔트 플레이트(11)와 웨이퍼가 놓여지도록 형성된 플레이트 패드(12)와 상기 회전축(14)에 부착 형성되어, 오리엔트 플레이트(11)와 회전축(14)을 결합시키는 결합핀(15)을 포함하고 있다.The wafer loading facility 10 mainly includes a drive unit (not shown) attached to a loading facility to generate a rotational force, a rotary shaft 14 connected to the drive unit, an orientation plate 11 supporting the wafer 17, A plate pad 12 formed so that the wafer is placed thereon and an engaging pin 15 formed on the rotating shaft 14 for engaging the orienting plate 11 and the rotating shaft 14. [

웨이퍼(17)와 대등한 직경으로 형성되어 있는 상기 오리엔트 플레이트(11)는 오리엔트 플레이트(11)의 하부면 중앙이 소정직경과 소정두께로 돌출되어 있으며 돌출된 플레이트 돌출부(13)의 중앙에는 상기 회전축(14)에 부착되어 있는 결합핀(15)이 삽입되는 결합핀 삽입홀(15a)이 형성되어 있으며, 결합핀 삽입홀(15a)에 결합핀(15)이 삽입된 후 고정되도록 결합핀 삽입홀(15a)과 직교 방향으로 고정 암나사부(10)가 형성되어 있으며 고정 암나사부(10)와 대응하여 결합핀 고정볼트(10a)가 체결된다.The center of the lower surface of the orientation plate 11 is protruded with a predetermined diameter and a predetermined thickness and the center of the protruded plate projection 13 is formed with the rotation axis A coupling pin insertion hole 15a into which the coupling pin 15 attached to the coupling pin insertion hole 15a is inserted and a coupling pin insertion hole 15a through which the coupling pin insertion hole 15a is inserted, And the fixing pin fixing bolt 10a is fastened to the fixing female threaded portion 10 in correspondence with the fixed female threaded portion 10 in a direction perpendicular to the fixing pin 15a.

또한, 오리엔트 플레이트(11)의 원주선상과 대응하여 웨이퍼(17)의 셋팅 불량을 감지하는 웨이퍼 감지센서가 형성되어 있으며 웨이퍼 감지센서는 웨이퍼를 사이에 두고 투광부(18)와 수광부(19)로 구성되어 있으며 다시 투광부(18)와 수광부(19)에 의해 발생한 전기 신호를 제어부(미도시)에서 입력받게 된다.A wafer detection sensor is formed to sense the setting error of the wafer 17 in correspondence with the circumferential line of the orientation plate 11 and the wafer detection sensor is provided with a light transmitting portion 18 and a light receiving portion 19 And receives an electrical signal generated by the light projecting unit 18 and the light receiving unit 19 from a control unit (not shown).

이와 같은 종래의 오리엔트 플레이트의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The operation of such a conventional orientation plate will now be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 선행공정을 종료한 웨이퍼(17)가 이온주입공정을 개시하기 위해 이온주입 설비로 이송되면, 웨이퍼(17)에 기 형성되어 있는 반도체 소자 패턴 방향을 공정진행시 기준이 되는 방향과 일치시키기 위해 웨이퍼(17)는 로드락 챔버내의 웨이퍼 로딩 설비의 오리엔트 플레이트(11)에 적재된다.First, when the wafer 17 that has undergone the preceding process is transferred to the ion implantation facility to start the ion implantation process, the direction of the semiconductor device pattern formed on the wafer 17 is made to coincide with the reference direction at the time of the process progress The weir wafer 17 is loaded on the orientation plate 11 of the wafer loading facility in the load lock chamber.

이때, 이온주입 설비에 형성되어 있는 구동원(미도시)에 의해 구동된 회전축(14)에 의해 플래이트 패드(12)위에 놓여진 웨이퍼의 패턴 방향이 정확하게 셋팅된다.At this time, the pattern direction of the wafer placed on the plate pad 12 is accurately set by the rotation shaft 14 driven by a driving source (not shown) formed in the ion implantation facility.

이후, 웨이퍼 감지센서가 웨이퍼의 상태를 감지하여 감지 신호를 제어부(미도시)에 입력하고, 제어부에서는 웨이퍼가 플래이트 패드(12) 상면에 정확히 셋팅되었다는 신호를 입력받게 되면, 웨이퍼 블레이드(미도시)가 플래이트 패드(12)와 웨이퍼(17)의 이격공간에 삽입된후, 웨이퍼를 흡착하여 이온주입 챔버(미도시)내로 웨이퍼(17)를 이송하게 된다.When a signal indicating that the wafer is correctly set on the upper surface of the plate pad 12 is input to the control unit (not shown), the wafer sensor (not shown) Is inserted into the spacing space between the plate pad 12 and the wafer 17, and thereafter, the wafer 17 is transferred into the ion implantation chamber (not shown) by sucking the wafer.

그러나, 이와 같은 종래의 오리엔트 플레이트가 웨이퍼를 셋팅하기 위해 소정 각도로 반복회전을 하게되면 오리엔트 플레이트와 결합핀을 고정시키는 체결용 나사의 체결력이 약해져서 결합핀과 오리엔트 플레이트 사이에는 회전슬립이 발생하여 오리엔트 플레이트가 정확한 회전을 할 수 없을 뿐만 아니라 오리엔트 플레이트가 회전하면서 오리엔트 플레이트의 상면이 수평을 이루지 못하고 상하 편차를 발생하여 웨이퍼가 정확하게 셋팅되지 못하는 문제점이 있었다.However, if such a conventional oriente plate is repeatedly rotated at a predetermined angle to set the wafer, the fastening force of the fastening screw for fixing the orienting plate and the engaging pin is weakened, and rotation slip occurs between the engaging pin and the orienting plate, Not only the plate can not be rotated accurately but also the orientation of the orientation plate is not aligned horizontally with the rotation of the orientation plate, and the wafer is not accurately set because the vertical deviation is generated.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 오리엔트 플레이트 돌출부와 회전축(bushing)에 체결용 나사부를 형성하여 종래에 발생하던 오리엔트 플레이트와 결합핀의 회전슬립을 방지하고 오리엔트 플레이트에 발생하던 상하 편차의 발생을 억제하는 오리엔트 플레이트를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a spinning machine, And an orientation plate which prevents occurrence of a vertical deviation occurring in the orientation plate.

본 발명의 또다른 목적은 오리엔트 플레이트의 상면에 고정되어 있는 플레이트 패드를 오리엔트 플레이트에 형성된 패드삽입홈에 삽입하여 패드의 이탈을 방지함에 있다.Another object of the present invention is to prevent the pad from being separated by inserting the plate pad fixed on the upper surface of the orient plate into the pad insertion groove formed in the orient plate.

도 1은 종래의 기술에 의한 이온주입 설비의 오리엔트 플레이트의 분해 단면도를 나타낸 도면이고,1 is an exploded cross-sectional view of an orientation plate of an ion implantation facility according to a conventional technique,

도 2는 종래의 기술에 의한 이온주입 설비의 오리엔트 플레이트의 작용을 나타낸 도면이고,2 is a view showing the operation of the orientation plate of the ion implantation apparatus according to the conventional art,

도 3은 본 발명에 의한 이온주입 설비의 오리엔트 플레이트를 나타낸 분해 단면도이다.3 is an exploded cross-sectional view showing an orientation plate of an ion implantation facility according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

11 : 오리엔트 플레이트 12 : 플레이트 패드11: Orient plate 12: Plate pad

13 : 플레이트 돌출부 14 : 회전축13: Plate projection 14:

15 : 결합핀 16 : 결합핀 고정핀15: engaging pin 16: engaging pin fixing pin

17 : 웨이퍼17: wafer

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 오리엔트 플레이트는 반도체 소자가 기 형성되어 있는 웨이퍼가 놓여지는 오리엔트 플레이트와, 상기 오리엔트 플레이트의 상면에 웨이퍼가 안착되도록한 오리엔트 플레이트 패드와, 상기 오리엔트 플레이트의 하면 중심부에 소정 두께와 소정 직경으로 돌출되어 있는 플레이트 돌출부와, 상기 오리엔트 플레이트를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고 있는 오리엔트 플레이트에 있어서, 상기 플레이트 돌출부와 상기 회전축이 직접 결합되어 있는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an orientation plate comprising: an orienting plate on which a wafer on which a semiconductor element is formed is placed; an orienting plate pad on which a wafer is placed on an upper surface of the orienting plate; And a rotation axis for rotating the orientation plate, wherein the plate projection portion and the rotation axis are directly coupled to each other.

본 발명 오리엔트 플레이트를 첨부된 도면 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The orientation plate of the present invention will now be described with reference to FIG.

오리엔트 플레이트설비(20)는 크게 설비에 부착되어 회전력을 발생시키는 구동장치(미도시)와, 구동장치에 연결되어 있는 회전축(14)과, 웨이퍼를 지지하는 오리엔트 플레이트(11)를 포함하고 있다.The orientation plate apparatus 20 mainly includes a drive device (not shown) attached to the equipment to generate a rotational force, a rotation shaft 14 connected to the drive device, and an orientation plate 11 for supporting the wafer.

웨이퍼(17)와 대등한 직경으로 형성되어 있는 상기 오리엔트 플레이트(11)는 오리엔트 플레이트(11)의 하부면 중앙부가 소정 직경으로 돌출되어 있으며, 돌출된 플레이트 돌출부(13)의 중앙에는 상기 회전축(14)에 형성되어 있는 수나사부(1)와 체결될 수 있도록 암나사부(2)가 형성되어 있으며,상기 암·수나사(1)(2)의 나사선은 상기 회전축이 회전하는 방향과 반대방향으로 형성되어 있어 있다.The central portion of the lower surface of the orientation plate 11 protrudes with a predetermined diameter and the center of the protruded plate projection 13 is formed with the rotation axis 14 And the screw thread of the male screw 1 and the female screw 1 is formed in a direction opposite to the direction of rotation of the rotary shaft .

또한, 오리엔트 플레이트(11)의 상면에는 플레이트 패드(12)의 면적에 대응하여 패드 삽입홈(30)이 형성되어 있다.A pad insertion groove 30 is formed on the upper surface of the orientation plate 11 in correspondence with the area of the plate pad 12.

한편, 오리엔트 플레이트(11)의 원주선상과 대응하여 웨이퍼의 셋팅 불량을 감지하는 웨이퍼 감지센서가 형성되어 있으며 웨이퍼 감지센서는 웨이퍼(17)를 사이에 두고 투광부와 수광부로 구성되어 있으며 다시 투광부와 수광부에 의해 발생한 전기 신호를 제어부(미도시)에서 입력받게 된다.On the other hand, a wafer detection sensor for detecting a setting error of the wafer is formed in correspondence with the circumferential line of the orientation plate 11, and the wafer detection sensor is composed of a transparent portion and a light receiving portion with a wafer 17 therebetween, And an electric signal generated by the light receiving unit are received from a control unit (not shown).

이와 같이 구성된 본 발명 오리엔트 플레이트의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The operation of the inventive orient plate thus constructed will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 선행공정을 종료한 웨이퍼(17)가 이온주입공정을 개시하기 위해 이온주입 설비로 이송되면, 웨이퍼(17)에 기 형성되어 있는 반도체 소자 패턴 방향을 이온주입공정 진행시와 일치시키기 위해 웨이퍼(17)는 로드락 챔버내의 오리엔트 플레이트(11)에 적재된다.First, when the wafer 17 after completion of the preceding process is transferred to the ion implantation facility to start the ion implantation process, the direction of the semiconductor element pattern formed on the wafer 17 is matched with the ion implantation process, (17) is loaded on the orientation plate (11) in the load lock chamber.

이후, 오리엔트 플레이트(11)에 웨이퍼(17)가 셋팅되고 웨이퍼의 패턴 방향을 수정하기 위해 상기 구동원(미도시)에 의해 회전축이 소정 회전각으로 회전하게 되는데, 이때 암·수나사(1)(2)의 나사선은 상기 회전축(14)이 회전하는 방향과 반대방향으로 형성되어 있어 오리엔트 플레이트(11)가 회전을 반복하여도 오리엔트 플레이트(11)와 회전축(14)의 체결력은 약해지지 않게 된다.Thereafter, the wafer 17 is set on the orientation plate 11 and the rotation axis is rotated at a predetermined rotation angle by the driving source (not shown) to correct the pattern direction of the wafer. At this time, Is formed in a direction opposite to the direction in which the rotary shaft 14 is rotated so that the fastening force between the orient plate 11 and the rotary shaft 14 is not weakened even if the orientation plate 11 is repeatedly rotated.

이후, 오리엔트 플레이트(11)가 일정각으로 회전하여 웨이퍼(17)의 셋팅이 끝난 후, 제어부가 웨이퍼 감지센서에 의해 웨이퍼가 오리엔트 플레이트 패드(12) 상면에 정확히 셋팅되었다는 신호를 입력받으면 오리엔트 플레이트 패드(12)와 웨이퍼(17)의 이격공간에 웨이퍼 블래이드(미도시)가 삽입되어 로드락 챔버에서 웨이퍼를 이온주입 챔버(미도시)내로 웨이퍼를 이송하게 된다.Thereafter, when the control unit receives a signal indicating that the wafer is correctly set on the upper surface of the orientation plate pad 12 by the wafer detection sensor after the orienting plate 11 rotates at a predetermined angle and the setting of the wafer 17 is completed, (Not shown) is inserted into the spacing space between the wafer 12 and the wafer 17 to transfer the wafer from the load lock chamber into the ion implantation chamber (not shown).

이상에서 상세히 살펴본 바와 같이 오리엔트 플레이트와 오리엔트 플레이트를 구동시키는 회전축을 직접 나사부로 체결하여 회전축과 오리엔트 플레이트가 서로 이격되는 것을 방지하여 오리엔트 플레이트와 회전축의 회전슬립과 오리엔트 플레이트의 상하편차와 플래이트 패드의 이탈을 방지하여 웨이퍼의 셋팅불량을 방지하는 효과가 있다.As has been described in detail above, the rotating shaft for driving the orientation plate and the orientation plate is directly fastened with a screw to prevent the rotation axis and the orientation plate from being separated from each other, so that the rotation slip of the orientation plate and the rotation axis, the vertical deviation of the orientation plate, Thereby preventing the setting error of the wafer.

Claims (4)

반도체 소자가 기 형성되어 있는 웨이퍼가 놓여지는 오리엔트 플레이트와, 상기 오리엔트 플레이트의 상면에 웨이퍼가 안착되도록한 오리엔트 플레이트 패드와, 상기 오리엔트 플레이트의 하면 중심부에 소정 두께와 소정 직경으로 돌출되어 있는 플레이트 돌출부와, 상기 오리엔트 플레이트를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고 있는 오리엔트 플레이트에 있어서,An orienting plate pad on which a wafer is seated on the upper surface of the orienting plate; a plate protruding portion protruding at a center of a lower surface of the orienting plate with a predetermined thickness and a predetermined diameter; And an axis of rotation for rotating the orientation plate, 상기 플레이트 돌출부와 상기 회전축이 직접 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 로딩 설비의 오리엔트 플레이트.Wherein the plate projection and the rotation shaft are directly coupled to each other. 제 1 항에 있어서, 상기 플레이트 돌출부와 상기 회전축에는 각각 암나사부와 수나사부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 로딩 설비의 오리엔트 플레이트.The orienting plate of the wafer loading facility according to claim 1, wherein the plate projection portion and the rotation shaft each have a female screw portion and a male screw portion. 제 2 항에 있어서, 상기 암나사부와 상기 수나사부의 체결방향은 상기 회전축의 회전 방향과 반대인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 로딩 설비의 오리엔트 플레이트.The orienting plate according to claim 2, wherein the fastening direction of the female threaded portion and the male threaded portion is opposite to the rotating direction of the rotary shaft. 제 1 항에 있어서, 상기 오리엔트 플레이트의 상면에는 상기 플레이트 패드가 삽입되기 위한 패드 삽입홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 로딩 설비의 오리엔트 플레이트.The orienting plate according to claim 1, wherein a pad insertion groove for inserting the plate pad is formed on an upper surface of the orient plate.
KR1019960038533A 1996-09-05 1996-09-05 Orient plate of wafer loading apparatus KR100212698B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960038533A KR100212698B1 (en) 1996-09-05 1996-09-05 Orient plate of wafer loading apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960038533A KR100212698B1 (en) 1996-09-05 1996-09-05 Orient plate of wafer loading apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980020172A KR19980020172A (en) 1998-06-25
KR100212698B1 true KR100212698B1 (en) 1999-08-02

Family

ID=19472896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960038533A KR100212698B1 (en) 1996-09-05 1996-09-05 Orient plate of wafer loading apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100212698B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980020172A (en) 1998-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0637070B1 (en) Perimeter independent precision locating member for a semiconductor chip and method of making said member
KR960010142B1 (en) Wafer handling system
KR20030045009A (en) Edge gripping pre-aligner
KR100212698B1 (en) Orient plate of wafer loading apparatus
KR100577582B1 (en) Spinner for manufacturing semiconductor device and method for preventing wafer teaching badness at the same
CN114121733A (en) Method for monitoring position of wafer fixing unit and wafer cleaning machine platform
CN107611069B (en) Robot and semiconductor processing apparatus
KR20060094146A (en) Wafer aligner and method for align
US4846452A (en) Two-stage rotational positioning chuck for successive mask layer registration of odd-shaped, odd-sized wafers
US6762417B2 (en) System in which a rotating body is connected to a rotary shaft in an ion implanter
KR20060115167A (en) Wafer aligner and method using the aligner
KR100217339B1 (en) Apparatus and method of alignment of semiconductor wafer
KR20030021653A (en) Wafer stage and bake apparatus using this stage
KR100508986B1 (en) Semiconductor wafer aligner
KR100211663B1 (en) Alignment apparatus of semiconductor wafer
JPH03148154A (en) Wafer positioning device
KR20030000610A (en) Tilt control apparatus for palten of ion implanter
KR20060125150A (en) Apparatus for aligning flat zone of a wafer
KR19980022564A (en) Semiconductor Wafer Clamping Marker
KR200165743Y1 (en) Flat-zone alignment apparatus of wafer
KR0115437Y1 (en) Clamp system for wafer cassette
JPH0817897A (en) Method for positioning wafer and manufacturing semiconductor device
KR100208704B1 (en) Robot arm for wafer loading
JPH05256898A (en) Electronic parts testing structure
KR0119134Y1 (en) Spin dryer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070418

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee