KR100190621B1 - Bias type magnetoresistor and manufacturing method - Google Patents
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Abstract
이 발명은 바이어스형(bias type) 자기저항소자에 취부되는 마그네트의 장착구조 및 제조방법을 개선하여 소자의 원가절감 및 공정개선등에 유리하도록 한 바이어스형 자기저항소자 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a bias type magnetoresistive element and a manufacturing method for improving the mounting structure and manufacturing method of a magnet mounted on a bias type magnetoresistive element to be advantageous in cost reduction and process improvement of the element.
이 발명은 바이어스형 자기저항소자에 있어서. 웨이퍼 또는 단일 칩상에서 패턴이 위치한 반대측에 바이어스용 마그네트를 직접 장착하는 과정과, 상기 칩과 몰드물를 조립하는 과정을 구비하며, 전면 중앙부위에 패턴이 삽입 장착되는 단일 칩과, 상기 칩의 후면에 부착되는 소정의 마그네트와, 상기 칩의 저면과 후면의 마그네트를 감싸도록 장착되는 몰드물로 구성된 것이다.The present invention is directed to a bias magnetoresistive element. And a step of directly mounting a bias magnet on the opposite side where the pattern is located on the wafer or a single chip, and assembling the chip and the mold, and having a single chip inserted into the front center part and mounted on the back of the chip. It is composed of a predetermined magnet to be attached, and a mold mounted to surround the magnet on the bottom and back of the chip.
따라서, 이 발명은 바이어스형 자기저항소자의 제조에 있어, 마그네트의 사이즈를 줄일 수 있으므로 원가를 절감할 수 있고, 몰드물을 고려하지 않아도 되므로 공정오차를 줄일 수 있으며, 다이-본더를 사용할 수 있어 큰 공정개선의 효과를 가져올 수 있다.Therefore, in the manufacture of the bias type magnetoresistive element, the size of the magnet can be reduced, so that the cost can be reduced, and the process error can be reduced because the mold is not considered, and the die-bonder can be used. It can bring about the effect of big process improvement.
Description
제1도는 종래의 바이어스형 자기저항소자를 나타내는구조로서, (a)는 사시도, (b)는 측단면도,1 is a structure showing a conventional bias type magnetoresistive element, (a) is a perspective view, (b) is a side cross-sectional view,
제2도의 (a)는 본 발명이 적용되는 웨이퍼의 구조, (b)는 웨이퍼의 요부측면구성도,(A) of FIG. 2 is a structure of a wafer to which the present invention is applied, (b) is a main side surface configuration diagram of the wafer
제3도는 본 발명에 따른 바이어스형 자기저항소자의 일실시예로서, (a)는 사시도, (b)는 측단면도이다.3 is an embodiment of a bias type magnetoresistive element according to the present invention, (a) is a perspective view, and (b) is a side cross-sectional view.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
20 : 자기저항소자 21 : 패턴20: magnetoresistive element 21: pattern
22: : 칩 23 : 마그네트22: chip 23: magnet
24 : 몰드물 25 : 와이어24: mold 25: wire
본 발명은 자기저항소자에 관한 것으로, 특히 바이어스형(bias type) 자기저항소자에 취부되는 마그네트의 장착구조를 개선하여 소자의 원가절감 및 공정개선등에 유리하도록 한 바이어스형 자기저항소자 및 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive element, and more particularly to a bias type magnetoresistive element and a manufacturing method for improving the mounting structure of a magnet mounted on a bias type magnetoresistive element, which is advantageous for cost reduction and process improvement of the element. It is about.
주지한 바와 같은 자기저항소자는 자계의 변화에 따라 저항값이 가변되는 소자로서, 좀 더 상세하게 언급하면 자화각도에 따라 변화하는 저항값을 이용하는 소자이다.As is well known, a magnetoresistive element is a device in which a resistance value is changed according to a change in a magnetic field. In more detail, the magnetoresistive device is a device using a resistance value that varies according to a magnetization angle.
상기 저항소자의 대표적인 재료로는 NiCo, NiFe를 들 수 있으며, 모타의 회전속도를 검출하는데 많이 사용되고 있다.Representative materials of the resistance element include NiCo and NiFe, and are widely used to detect the rotational speed of the motor.
또한, 상기 저항소자는 소자에 바이어스를 걸어주기 위한 바이어스형과 그렇지 않은 난바이어스형 (non-bias type)으로 나눌 수 있으며, 상기 바이어스형 자기저항소자는 히스테리시스르 소멸시켜 보다 좋은 특성을 얻게 되며, 이와 같은 바이어스형 자기저항소자는 바이어스용 마그네트를 포함하는 구조를 가지게 된다.In addition, the resistor element can be divided into a bias type and a non-bias type (non-bias type) for biasing the device, the bias type magnetoresistive element is hysteresis dissipation to obtain better characteristics, Such a bias type magnetoresistive element has a structure including a bias magnet.
종래의 바이어스형 자기저항소자(10)가 첨부된 도면, 제 1 도의 (a)(b)에 소개된다.A conventional bias magnetoresistive element 10 is shown in the accompanying drawings, Fig. 1 (a) and (b).
도시된 바와 같이, 바이어스형 자기저항소자(10)는 중앙부위에 패턴(12)이 부착된 단일 칩(13)을 몰드물(11)의 전면에 장착하고, 상기 몰드물(11)의 상부에 바이어스용 마그네트(14)를 삽입하여 구성한다.As shown in the drawing, the bias type magnetoresistive element 10 mounts a single chip 13 having a pattern 12 attached to a center portion on a front surface of the mold 11, and on the upper portion of the mold 11. A bias magnet 14 is inserted into this configuration.
이와 같은 자기저항소자(10)는 제 1도의 (b)와 같이 패턴(12)과 마그네트(14)와의 거리, 즉 두께(t1)가 크게 되어 마그네트(14)의 사이즈를 크게해야지만 소망하는 자기력을 발휘하게 됨으로서 자기저항소자(10)의 전체 크기가 커지는 문제점이 있다.The magnetoresistive element 10 as described above (b) has a large distance between the pattern 12 and the magnet 14, that is, the thickness t1, so that the size of the magnet 14 should be increased. As a result, the overall size of the magnetoresistive element 10 becomes large.
또한, 상기 두께(t1)가 몰드물(11)의 공차가 크게 의존되는 문제점이 있고, 상기 마그네트(14)를 몰드물(11)에 장착시에 다이-본더(Die-bonder)를 사용하기 어려운 문제점이 있다.In addition, the thickness t1 has a problem that the tolerance of the mold 11 greatly depends, and it is difficult to use a die-bonder when the magnet 14 is mounted on the mold 11. There is a problem.
이는 자기저항소자의 원가를 상승시키고, 그 제조공정을 난해하게 만드는 문제점으로 발전한다.This raises the cost of the magnetoresistive element and develops a problem that makes the manufacturing process difficult.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하고자 안출된 것이다.The present invention has been made to solve the above problems.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 또는 단일 칩상에서 바이어스용 마그네트를 직접 장착함으로서 소형의 마그네트를 사용할 수 있어 자기저항소자의 소형화가 가능하고, 다이-본더를 사용하여 작업을 수행할 수 있어 공정을 개선하도록한 바이어스형 자기저항소자 및 제조방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to mount a bias magnet directly on a wafer or a single chip, so that a small magnet can be used, so that the magnetoresistive element can be miniaturized, and work can be performed using a die-bonder to improve the process. The present invention provides a bias magnetoresistive element and a manufacturing method.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 바이어스형 자기저항소자에 있어서, 웨이퍼 또는 단일 칩상에서 패턴이 위치한 반대측에 바이어스용 마그네트를 직접 장착하는 과정과, 사이 칩과 몰드물를 조립하는 과정을 구비하여 된 특징이 있다.The present invention for achieving the object as described above, in the bias type magnetoresistive device, the process of directly mounting the bias magnet on the opposite side where the pattern is located on the wafer or a single chip, and the process of assembling the chip and the mold between There is a characteristic.
본 발명의 다른 특징은 바이어스형 자기저항소자에 있어서, 전면 중앙부위에 패턴이 삽입 장착되는 단일 칩과, 상기 칩의 후면에 부착되는 소정의 마그네트와, 상기 칩의 저면과 후면의 마그네트를 감싸도록 장착되는 몰드물로 구성된 점에 있다.Another feature of the present invention is a bias type magnetoresistive device comprising: a single chip in which a pattern is inserted into a front center portion, a predetermined magnet attached to a rear surface of the chip, and a magnet on a bottom surface and a rear surface of the chip; It consists of a mold to be mounted.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제 2 도의 (a)는 본 발명이 적용되는 웨이퍼(W)의 구조, (b)는 (a)의 요부 측면 구성도이다.(A) is a structure of the wafer W to which this invention is applied, (b) is a principal part side block diagram of (a).
도시된 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼(W) 또는 단일 칩(22)상에서 패턴(21)이 위치(부착)한 반대측에 바이어스용 마그네트(23)를 직접 장착한다.As shown, the present invention directly mounts the bias magnet 23 on the opposite side where the pattern 21 is positioned (attached) on the wafer W or the single chip 22.
이때, 마그네트(23)의 장착을 위해 다이-본더를 사용하는 것이 가능하다.At this time, it is possible to use a die-bonder for mounting the magnet 23.
이와 같이 칩(22)에 마그네트(23)가 장착되면, 제 3 도의 (a)(b)에 도시된 바와 같이 칩(21)의 후면과 저면, 그리고 칩(22)에 장착된 마그네트(23)를 감싸도록 몰드물(24)를 조립한다.When the magnet 23 is mounted on the chip 22 as described above, as shown in (a) and (b) of FIG. 3, the rear and bottom surfaces of the chip 21 and the magnet 23 mounted on the chip 22 are provided. Assemble the mold 24 to surround.
따라서, 자기저항소자(20)는 구성된다.Thus, the magnetoresistive element 20 is configured.
미설명부호 15, 25는 와이어이다.Reference numerals 15 and 25 are wires.
상기와 같이 구성시켜서된 본 발명에 따르자면, 자기저항소자(20)의 성형시 패턴(21)과 마그네트(23)의 거리, 즉 칩(기판)(22)의 두께(t2)만 고려하면 되는바, 그 거리가 종래의 두께(t2)보다 가깝게 되어 왕성한 자기력을 유도할 수 있어 소형의 마그네트(23)를 사용할 수 있다.According to the present invention configured as described above, only the distance (t2) of the chip (substrate) 22, that is, the distance between the pattern 21 and the magnet 23 when forming the magnetoresistive element 20, The distance is closer than the conventional thickness t2, so that a strong magnetic force can be induced, so that the small magnet 23 can be used.
또한, 상기 웨이퍼(w) 또는 단일 칩(22)상에 직접 마그네트(23)를 장착하여 작업 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to improve the work productivity by mounting the magnet 23 directly on the wafer (w) or a single chip (22).
이상에서와 같이 본 발명은 바이어스형 자기저항소자의 제조에 있어, 마그네트의 사이즈를 줄일 수 있으므로 원가를 절감할 수 있다.As described above, the present invention can reduce the size of the magnet in the manufacture of the bias type magnetoresistive element, thereby reducing the cost.
또한, 몰드물을 고려하지 않아도 되므로 공정오차를 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, since there is no need to consider the mold, there is an effect that can reduce the process error.
또한, 다이-본더를 사용할 수 있어 큰 공정개선의 효과를 가져올 수 있다.In addition, it is possible to use a die-bonder can bring about a large process improvement effect.
이상의 설명은 본 발명의 일시예에 대한 설명에 불과하며, 본 발명은 그 구성의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능하다.The above description is only a description of the date and time of the present invention, the present invention is capable of various changes and modifications within the scope of the configuration.
Claims (3)
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019950023554A KR100190621B1 (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Bias type magnetoresistor and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950023554A KR100190621B1 (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Bias type magnetoresistor and manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970008231A KR970008231A (en) | 1997-02-24 |
KR100190621B1 true KR100190621B1 (en) | 1999-06-01 |
Family
ID=19422486
Family Applications (1)
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KR1019950023554A KR100190621B1 (en) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | Bias type magnetoresistor and manufacturing method |
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-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023554A patent/KR100190621B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR970008231A (en) | 1997-02-24 |
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