KR100190088B1 - Method for fabricating a phase shift mask - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레벤슨형 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관하여 기재하고 있다. 이는, 석영 기판상에 차광막 및 감광막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 사진 식각 공정 및 식각 공정에 의하여 상기 감광막 및 차광막을 소정 형상의 제1패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 결과물상에 실리콘 산화물을 소정 두께로 증착시켜서 반투명층을 형성시키는 단계와, 상기 감광막을 제거하는 단계와, 사진 식각 공정에 의하여 상기 석영 기판상에 잔존하는 상기 반투명층의 일부를 제거하는 단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따르면, 위상 반전 마스크를 제작할 때 차광막의 단부가 손상되는 것을 방지시킬 수 있을 뿐만 아니라 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 위상 무반전 영역을 지나는 광에 의해 형성되는 패턴사이에 임계 선폭의 차가 발생되는 것을 방지시켜서 빛의 세기를 일정하게 유지시킨다.The present invention describes a method of manufacturing a Levenson type phase shift mask. The method comprises the steps of sequentially forming a light-shielding film and a photosensitive film on a quartz substrate, forming the photosensitive film and the light-shielding film in a first pattern of a predetermined shape by a photolithography process and an etching process, Forming a translucent layer on the quartz substrate to remove the photoresist layer; and removing a portion of the translucent layer remaining on the quartz substrate by a photolithography process. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the end portion of the light-shielding film from being damaged when fabricating the phase shift mask, and to reduce the critical linewidth So that the intensity of the light is kept constant.
Description
본 발명은 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 임계 선폭의 균일성을 유지할 수 있는 레벤슨형 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a phase shift mask, and more particularly, to a method of manufacturing a Levenson type phase shift mask capable of maintaining uniformity of a critical line width.
일반적으로, 반도체 소자에 형성되는 다양한 패턴의 형상은 사진 식각 공정을 사용하여 형성된다는 것이 널리 공지되어 있다. 이러한 사진 식각 공정에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 절연막 또는 도전막 등과 같이 패턴을 형성시키고자 하는 패턴층상에 X선이나 자외선 등과 같은 광선의 조사에 의해 용해도가 변화하는 포토레지스트막을 형성한 후 상기된 바와 같은 광선의 조사에 의하여 현상액에 대한 용해도차가 변화하는 특성을 이용하여서 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴을 통하여 노출되는 상기 패턴층의 일부를 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정에 의하여 제거함으로서 상기 패턴층에 소정 형상의 패턴을 형성시킨다.In general, it is well known that the shape of various patterns formed on a semiconductor device is formed using a photolithography process. According to such a photolithography process, a photoresist film whose solubility is changed by irradiation of light such as X-rays or ultraviolet rays is formed on a pattern layer to be patterned, such as an insulating film or a conductive film formed on a semiconductor wafer, A photoresist pattern is formed using the property that the difference in solubility with respect to the developing solution changes by irradiation of a light beam as shown in Fig. At this time, a pattern of a predetermined shape is formed on the pattern layer by removing a part of the pattern layer exposed through the photoresist pattern by a dry etching process or a wet etching process.
한편, 반도체 장치의 집적도가 증가되는 추세하에서, 미세한 패턴을 형성시키고자 하는 기술에 대한 요구가 증대되고 있는 실정이다. 이러한 요구를 만족시키기 위하여 전자빔, 이온빔 또는 X선을 이용한 노광법이나, 광원의 회절광을 이용한 변형 조명 방법, 새로운 레지스트 재료나 개선된 레지스트 처리 방법 등이 제시되고 있다. 그러나, 상기된 바와 같이 제시된 새로운 방법들은 반도체 장치의 제조 단가를 상승시키는 요인을 유발시키므로 이러한 문제점을 해소시키기 위하여 마스크의 패턴을 이용하여 해상도를 높이는 위상 반전 방법이 제안되었으며 이러한 위상 반전 방법은 큰 주목을 받고 있는 실정이다.On the other hand, under the trend of increasing the degree of integration of semiconductor devices, there is a growing demand for a technique for forming a fine pattern. In order to satisfy such a demand, exposure methods using an electron beam, an ion beam or X-ray, a modified illumination method using diffracted light from a light source, a new resist material, and an improved resist processing method are proposed. However, since the new methods described above cause a factor of raising the manufacturing cost of the semiconductor device, a phase inversion method of increasing the resolution by using the pattern of the mask has been proposed in order to solve this problem, .
즉, 위상 반전 방법(Phase Shift Method)은 포토마스크를 투과한 빛의 파장을 반전시켜 소멸 간섭시키는 원리에 기초한 위상 시프터를 포함하는 마스크(이하, 위상 반전 마스크라 칭함)를 사용하여 패턴을 노광시키는 방법이다. 한편, 상기 위상 반전 마스크는 광의 간섭 또는 부분 간섭을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 노광시킴으로서 해상도나 초점 심도를 증대시키는 작용을 나타내며 이러한 위상 반전 마스크는 종래의 다른 미세 패턴 형성 방법과는 달리 새로운 장비의 추가없이 마스크 제조 방법의 변경만으로 빛의 회절을 역이용하여 마스크의 분해능을 향상시킨다.That is, in the phase shift method, a pattern is exposed using a mask (hereinafter referred to as a phase inversion mask) including a phase shifter based on the principle that the wavelength of light transmitted through the photomask is inverted and interferes with Method. The phase inversion mask exhibits an effect of increasing the resolution or depth of focus by exposing a pattern of a desired size using light interference or partial interference. The phase inversion mask is different from the conventional method of forming a fine pattern, The diffraction of light is reversed only by the change of the mask manufacturing method without addition, thereby improving the resolution of the mask.
이를 상세히 설명하면, 마스크 기판을 통과하거나 또는 시프터막을 통과하는 빛의 파장은 진공중의 파장을 굴절율로 나눈값만큼 짧아지게 된다. 따라서, 같은 위상의 빛이 시프터의 유무에 따라서 경로차를 발생시키며 이러한 경로차는 하기식(①)으로 표현된다. 상기 식에서 θ가 π인 경우에 시프터를 통과한 광선은 역위상을 갖게된다. 그 결과 광투광부 부분만을 통과한 빛과 시프터를 통과한 빛은 서로 역위상이기 때문에 시프터를 마스크 패턴의 가장자리에 위치시키면 패턴의 경계 부분에서 빛의 강도가 제로로 되어 콘트라스트가 증가된다.To explain this in detail, the wavelength of light passing through the mask substrate or through the shifter film becomes shorter by a value obtained by dividing the wavelength in vacuum by the refractive index. Therefore, light of the same phase generates a path difference depending on the presence or absence of a shifter, and this path difference is expressed by the following equation (1). In the above equation, when? Is?, The light ray passing through the shifter has an opposite phase. As a result, since the light passing through only the light transmissive portion and the light passing through the shifter are in opposite phase to each other, when the shifter is positioned at the edge of the mask pattern, the intensity of light at the boundary portion of the pattern becomes zero and the contrast is increased.
θ= 2πt(n-1)/λ ------① (여기에서, n은 시프터의 굴절율, t는 시프터의 두께, λ는 빛의 파장이다.)(where n is the refractive index of the shifter, t is the thickness of the shifter, and? is the wavelength of light).
한편, 위상 반전 마스크에는 라인 스페이스가 밀집된 상태로 반복되어 있는 경우 교대로 시프터를 배치함으로써 전기장 파동이 두 라인간에 상대적으로 반대 방향이 되도록 형성된 공간 주파 변조형 위상 반전 마스크, 패턴의 주위에 해상도이하의 작은 보조 패턴을 넣어 위상을 시프트시킨 보조 시프터 첨가형 마스크, 모든 패턴의 주위에 시프터를 형성시켜서 패턴 에지 부분만을 개선한 주변 효과 강조형 마스크, 크롬없이 위상 시프터의 경계면의 광량이 제로가 되는 원리를 이용한 무크롬형 위상 반전 마스크, 및 광차단부의 투과율을 0에서 0이 아닌 값으로 투과율을 높이고 그 외 부분을 위상 반전시켜 서로 상쇄시키는 효과를 이용한 하프톤형 위상 반전 마스크 또는 감쇄 위상 반전 마스크 등이 있다.On the other hand, in the phase inversion mask, when a line space is repeatedly densified, a spatial frequency modulation type phase inversion mask is formed so that the electric field wave is reversed between the two lines by alternately arranging the shifter, An auxiliary shifter additive mask in which phases are shifted by inserting a small auxiliary pattern, a peripheral effect enhancement type mask in which shifters are formed around all the patterns to improve only the pattern edge portions, and the principle that the light amount at the interface of the phase shifter is zero without chromium A chromeless phase shift mask, and a halftone phase shift mask or attenuation phase shift mask using the effect of increasing the transmittance of the light shielding portion from zero to a non-zero transmittance and canceling out the other portions by reversing the phase.
상기된 바와 같은 다수의 위상 반전 마스크중에서 라인 스페이스의 연속 패턴 및 콘택홀 패턴에 효과적으로 적용할 수 있는 마스크로서 교번형 위상 반전 마스크(alternative type phase shift mask) 즉 레벤슨형(LEVENSON type) 위상 반전 마스크가 널리 사용되고 있다. 이러한 레벤슨형 위상 반전 마스크는, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 소정 선폭 크기의 불투명층(차광막)(120)이 형성되어 있는 석영 기판(110)에 광경로차가 역위상이 형성될 수 있는 깊이의 트렌치(T)를 형성시키거나 또는 석영 기판상에 SOG를 도포시킴으로서 형성된다.An alternative type phase shift mask, that is, a LEVENSON type phase inversion mask, may be used as a mask that can be effectively applied to a continuous pattern of line space and a contact hole pattern among a plurality of phase inversion masks as described above. Is widely used. As shown in FIG. 1, the Levenson type phase shift mask may have a structure in which a light path difference can be reversed in a quartz substrate 110 on which an opaque layer 120 (light shielding film) Depth trench T or by applying SOG on a quartz substrate.
그러나, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 석영 기판(110)에 트렌치(T)를 형성시키는 경우에 레벤슨형 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역을 지나는 빛이 촛점으로부터 벗어나게 될 경우 패턴의 이미지가 나빠지게 되고 또한 위상 반전 영역 및 위상 무반전 영역을 지나는 광에 의해 형성되는 패턴사이에 임계 선폭(critical dimention)의 차(D)가 발생되고 이러한 현상에 의하여 실질적인 마진이 없게되므로 위상 반전 영역에서 빛 강도가 저하된다.However, when the trench T is formed in the quartz substrate 110, as shown in Fig. 2, when the light passing through the phase inversion region of the Levenson type phase shift mask is deviated from the focal point, A difference in critical dimension D between the patterns formed by light passing through the phase inversion region and the phase inversion region is generated and there is no substantial margin due to such a phenomenon, .
한편, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 석영 기판(210)을 언더컷 형상으로 패터닝시킴으로서 빛 강도가 저하되는 것을 방지시킬 수 있으나 언더컷 형상에 의한 차광막(220)의 단부가 약해져서 후속 세정 공정 등에 의해 상기 차광막이 깨지는 현상(chipping defect)가 발생된다. 또한 SOG를 도포시키는 경우에 불균일한 도포 상태가 형성되거나 또는 결함이 발생되는 등 제조상 많은 문제점을 야기시킨다.3, it is possible to prevent the light intensity from being lowered by patterning the quartz substrate 210 in an undercut shape, but the end portion of the light shielding film 220 due to the undercut shape is weakened, A chipping defect is generated. In addition, when SOG is applied, non-uniform coating state is formed or defects are caused, which causes many problems in manufacturing.
따라서, 상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위한 본 발명의 기술적 과제는 돌출된 크롬 차광막이 파괴되는 현상을 제거할 뿐만 아니라 임계 선폭 차이에 의한 빛강도의 저하를 방지시킬 수 있는 위상 반전 마스크 제조 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to overcome the above-described problems of the prior art by providing a phase reversal mask capable of preventing a phenomenon in which a protruding chromium light- ≪ / RTI >
도 1은 종래 일실시예에 따른 위상 반전 마스크를 도시한 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing a phase inversion mask according to a conventional example; FIG.
도 2는 도 1에 도시된 위상 반전 마스크의 빛 강도 특성을 도시한 그래프.2 is a graph showing the light intensity characteristics of the phase inversion mask shown in Fig.
도 3은 종래 다른 실시예에 따른 위상 반전 마스크를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.4 to 7 are sectional views sequentially showing a method of manufacturing a phase shift mask according to the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
310. 석영 기판 320. 차광막310. Quartz substrate 320. Shade film
330. 감광막 340. 반투명층330. Photoresist film 340. Semi-
상기된 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 석영 기판상에 차광막 및 감광막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 사진 식각 공정에 의하여 상기 감광막을 소정 형상의 감광막 패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 차광막을 식각하여 소정 형성의 차광막 패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 결과물의 전면에 실리콘 산화물을 소정 두께로 증착시켜서 반투명층을 형성시키는 단계와, 상기 감광막 패턴 및 감광막 패턴 상에 형성된 실리콘 산화물층을 제거하는 단계와, 사진 식각 공정에 의하여 상기 석영 기판상 상기 차광막 패턴 사이에 잔존하는 상기 반투명층들 중 일부를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: sequentially forming a light-shielding film and a photoresist on a quartz substrate; forming a photoresist pattern having a predetermined shape on the photoresist by a photolithography process; Forming a light-shielding film pattern having a predetermined shape by etching the light-shielding film with a pattern as a mask; depositing silicon oxide to a predetermined thickness on the entire surface of the resultant to form a translucent layer; Removing the silicon oxide layer; and removing a part of the semi-transparent layers remaining between the light-shielding film patterns on the quartz substrate by a photo-etching process. do.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따라서 위상 반전 마스크를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.4 to 7 are sectional views sequentially showing a method of manufacturing a phase shift mask according to an embodiment of the present invention.
즉, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법은 석영 기판(310)상에 차광막(320) 및 감광막(330)을 순차적으로 형성시키는 단계와, 사진 식각 공정 및 식각 공정에 의하여 상기 감광막(330) 및 차광막(320)을 소정 형상의 제1패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 결과물상에 실리콘 산화물을 소정 두께로 증착시켜서 반투명층(340)을 형성시키는 단계와, 상기 감광막(330)을 제거하는 단계와, 사진 식각 공정에 의하여 상기 석영 기판(310)상에 잔존하는 상기 반투명층(340)의 일부를 제거하는 단계로 이루어진다.That is, the method for fabricating a phase shift mask according to the present invention includes sequentially forming a light shielding film 320 and a photoresist film 330 on a quartz substrate 310, and sequentially forming the photoresist film 330 by a photolithography process and an etching process. A step of forming a translucent layer 340 by depositing silicon oxide to a predetermined thickness on the resultant to form a first pattern having a predetermined shape; and removing the photoresist layer 330 And removing a portion of the semi-transparent layer 340 remaining on the quartz substrate 310 by a photolithography process.
먼저, 석영 기판(310)상에 소정 형상으로 패터닝된 감광막(320) 및 차광막(330)이 도시되어 있는 도 4를 참조하면, 투명한 재질 예를 들면 소다라임 유리, 석영 또는 보로실리케이트 글라스등으로 이루어진 투명 기판을 준비한다. 여기에서, 상기 투명 기판은 열팽창 계수가 작은 석영으로 이루어지는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 석영 기판(310)상에 스퍼터링 증착 공정 또는 플라즈마 증착 공정 등에 의하여 크롬, 산화크롬 또는 MoSi 를 소정 두께로 도포시켜서 차광막(320)을 형성시킨다. 또한, 상기 차광막(320)상에 포토레지스트를 스핀 코팅에 의하여 소정 두께로 도포시킨 후 베이킹 공정에 의하여 감광막(330)을 형성시킨다. 여기에서, 상기 차광막(320) 및 감광막(330)은 도 4에 가상선으로 표시되어 있다.4, in which a photosensitive film 320 and a light-shielding film 330 patterned in a predetermined shape are shown on a quartz substrate 310, a transparent material such as soda lime glass, quartz, or borosilicate glass A transparent substrate is prepared. Here, it is preferable that the transparent substrate is made of quartz having a small thermal expansion coefficient. Accordingly, chromium, chromium oxide, or MoSi is coated on the quartz substrate 310 by a sputtering deposition process or a plasma deposition process to form a light shielding film 320. Further, a photoresist is coated on the light-shielding film 320 to a predetermined thickness by spin coating, and then a photoresist film 330 is formed by a baking process. Here, the light-shielding film 320 and the photoresist film 330 are indicated by imaginary lines in FIG.
한편, 식각 마스크(도시되어 있지 않음)를 통하여 노출되는 상기 감광막(330)의 일부를 노광 및 현상시키는 사진 식각 공정에 의하여 제거하며 그 결과 소정 형상의 감광막(330) 패턴을 형성시킨다. 또한 상기 감광막(330)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 차광막(320)의 일부를 반응성 이온 식각(RIE) 공정 등과 같이 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거함으로서 상기 감광막(330) 패턴의 형상과 동일한 형상을 구비한 차광막 패턴을 형성시킨다.Meanwhile, a part of the photoresist layer 330 exposed through an etch mask (not shown) is removed by a photolithography process for exposing and developing the photoresist layer 330, thereby forming a photoresist pattern 330 having a predetermined shape. A portion of the light blocking film 320 exposed through the pattern of the photoresist layer 330 is removed by a dry etching process having a favorable anisotropic etching characteristic such as a reactive ion etching (RIE) process, Thereby forming a light-shielding film pattern having the same shape.
또한, 실리콘 산화물이 상기 결과물의 전면에 소정 두께로 증착되어 있는 것을 단면 도시한 도 5를 참조하면, 화학 기상 증착(CVD) 등과 같은 증착 공정에 의하여 실리콘 산화물을 상기 결과물의 전면에 소정 두께로 증착시킨다. 이때, 상기 실리콘 산화물의 일부는 상기 감광막(330)의 상부에 소정 두께로 증착되어 있을 뿐만 아니라 다른 일부는 상기 감광막(330)의 패턴 및 차광막(320)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 석영 기판(310)상에 소정 두께로 증착되어서 반투명층(340)을 형성시킨다.5, a silicon oxide layer is deposited on the entire surface of the resultant to a predetermined thickness by a deposition process such as chemical vapor deposition (CVD) or the like, . At this time, a part of the silicon oxide is deposited on the upper part of the photoresist layer 330 to a predetermined thickness, and the other part of the silicon oxide is exposed to the pattern of the photoresist layer 330 and the quartz substrate 310 To form a semitransparent layer 340. The semi-
상기 감광막(330) 패턴이 제거되는 것을 단면 도시한 도 6을 참조하면, 상기 석영 기판(310) 상부에 소정 형상으로 잔존하는 감광막(330) 패턴을 아세톤 또는 리무버(remover) 용액에 용해시켜 제거함다. 이때, 상기 감광막(330) 패턴상에 소정 두께로 잔존하는 상기 실리콘 산화물의 일부는 상기 감광막(330) 패턴의 제거와 동시에 리프트 오프(lift-off)된 상태로 제거된다.Referring to FIG. 6 illustrating a cross-sectional view of removing the pattern of the photoresist layer 330, a photoresist pattern 330 remaining in a predetermined shape on the quartz substrate 310 is dissolved in an acetone or remover solution and removed . At this time, a part of the silicon oxide remaining in a predetermined thickness on the pattern of the photoresist layer 330 is removed in a state of being lifted off simultaneously with the removal of the photoresist layer 330 pattern.
또한, 상기 석영 기판(310)상에 위상 반전 영역(A)이 형성된 것을 단면 도시한 도 7을 참조하면, 상기 석영 기판(310)상에 포토레지스트를 소정 두께로 도포시킨 후 베이킹을 시킴으로서 형성되는 감광층(도시되어 있지 않음)을 노광 및 현상시킴으로서 소정 형상의 식각 마스크를 형성시킨다. 이때, 상기 식각 마스크를 통하여 노출되는 상기 석영 기판(310)상에 잔존하는 상기 반투명층(340)의 일부가 노출된다. 따라서, 상기 식각 마스크를 통하여 노출되는 상기 반투명층(340)의 일부는 반응성 이온 식각 공정 등과 같이 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거하며 그 결과 상기 석영 기판(310)상에 위상 반전 영역(A)이 형성될 뿐만 아니라 상기 실리콘 산화물로 이루어진 반투명층(340) 및 차광막(320)이 잔존한다.7, which is a cross-sectional view illustrating a phase inversion region A formed on the quartz substrate 310, a photoresist is formed on the quartz substrate 310 by applying a predetermined thickness to the quartz substrate 310 and then baking A photosensitive layer (not shown) is exposed and developed to form an etched mask of a predetermined shape. At this time, a part of the semi-transparent layer 340 remaining on the quartz substrate 310 exposed through the etching mask is exposed. Therefore, a part of the semi-transparent layer 340 exposed through the etching mask is removed by a dry etching process having a favorable anisotropic etching characteristic such as a reactive ion etching process, and as a result, a phase inversion region A) is formed, and the translucent layer 340 and the light shielding film 320 made of the silicon oxide remain.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 첨부된 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지 및 사상을 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined by the appended claims. .
따라서, 본 발명에 따르면, 상기된 바와 같은 방법에 의하여 위상 반전 마스크를 제작할 때 차광막의 단부가 손상되는 것을 방지시킬 수 있을 뿐만 아니라 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 위상 무반전 영역을 지나는 광에 의해 형성되는 패턴사이에 임계 선폭(critical dimention)의 차(D)가 발생되는 것을 방지시켜서 빛의 세기를 일정하게 유지시킨다.Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the end portion of the light shielding film from being damaged when fabricating the phase shift mask by the above-described method, and also to prevent the edge of the light shielding film from being damaged by the light passing through the phase inversion region and the phase non- Thereby preventing the critical dimension difference D between the formed patterns from being generated, thereby maintaining the intensity of the light constant.
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Cited By (1)
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- 1996-08-30 KR KR1019960037216A patent/KR100190088B1/en not_active IP Right Cessation
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| US8257886B2 (en) | 2009-03-10 | 2012-09-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same |
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| KR19980017436A (en) | 1998-06-05 |
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