KR0179862B1 - Electrode structure of etching apparatus - Google Patents

Electrode structure of etching apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR0179862B1
KR0179862B1 KR1019950044878A KR19950044878A KR0179862B1 KR 0179862 B1 KR0179862 B1 KR 0179862B1 KR 1019950044878 A KR1019950044878 A KR 1019950044878A KR 19950044878 A KR19950044878 A KR 19950044878A KR 0179862 B1 KR0179862 B1 KR 0179862B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
helium
lower electrode
wafer
etching apparatus
hole
Prior art date
Application number
KR1019950044878A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR970030407A (en
Inventor
박진한
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950044878A priority Critical patent/KR0179862B1/en
Publication of KR970030407A publication Critical patent/KR970030407A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0179862B1 publication Critical patent/KR0179862B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 식각장치의 하부전극에 관한 것으로, 종래에는 식각공정 진행시 하부전극에 형성되어 있는 헬륨홀을 통하여 헬륨이 공급되고, 상기 하부전극의 상면에 형성되어 있는 방사형 그루브와 환형 그루브를 통하여 웨이퍼를 냉각시킬때 웨이퍼 전체가 골고루 냉각되지 않아 웨이퍼의 식각이 균일하게 되지 못하는 문제점이 있었던 바, 본 발명 반도체 식각장치의 하부전극은 헬륨을 공급하기 위한 헬륨홀(11a)의 주변에 헬륨을 골고루 공급하기 위한 다수개의 분산공급홀(20)을 형성하고, 적어도 2개 이상의 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')를 형성하여 반도체 웨이퍼 식각공정 진행시 웨이퍼의 하면에 헬륨이 골고루 공급되도록 함으로써 균일한 냉각에 의한 식각의 균일도를 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a lower electrode of a semiconductor etching apparatus, and in the related art, helium is supplied through a helium hole formed in a lower electrode during an etching process, and is provided through a radial groove and an annular groove formed on an upper surface of the lower electrode. When the wafer is cooled, the entire wafer is not evenly cooled, so that the etching of the wafer is not uniform. The lower electrode of the semiconductor etching apparatus of the present invention evenly distributes helium around the helium hole 11a for supplying helium. By forming a plurality of distributed supply holes 20 for supplying, forming at least two radial grooves 11b and annular grooves 11b 'so that helium is evenly supplied to the lower surface of the wafer during the semiconductor wafer etching process. There is an effect of improving the uniformity of etching by uniform cooling.

Description

반도체 식각장치의 하부전극Bottom electrode of semiconductor etching device

제1도는 종래 하부전극이 구비된 반도체 식각장치의 구성을 보인 개략구성도.1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a semiconductor etching apparatus having a conventional lower electrode.

제2도는 종래 반도체 식각장치의 하부전극을 보인 평면도.2 is a plan view showing a lower electrode of a conventional semiconductor etching apparatus.

제3도는 본 발명 하부전극이 구비된 반도체 식각장치의 구성을 보인 개략구성도.Figure 3 is a schematic diagram showing the configuration of a semiconductor etching apparatus provided with a lower electrode of the present invention.

제4도는 본 발명 반도체 식각장치의 하부전극을 보인 평면도.Figure 4 is a plan view showing a lower electrode of the semiconductor etching apparatus of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11a : 헬륨홀 11b,11b' : 방사형/환형 그루브11a: Helium hole 11b, 11b ': Radial / annular groove

11 : 하부전극 20 : 분산공급홀11: lower electrode 20: distributed supply hole

본 발명은 반도체 식각장치의 하부전극에 관한 것으로, 특히 반도체 식각공정에서 하부전극의 상부에 설치되어 있는 웨이퍼의 냉각시 헬륨 가스(He Gas)를 골고루 공급하여 균일한 냉각에 의한 식각의 균일도(UNIFORMITY)를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 식각장치의 하부전극에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lower electrode of a semiconductor etching apparatus, and in particular, to uniformly supply helium gas (He Gas) during cooling of a wafer installed on an upper portion of a lower electrode in a semiconductor etching process, thereby providing uniformity of etching by uniform cooling. The bottom electrode of the semiconductor etching apparatus suitable for improving the).

제1도는 종래 하부전극이 구비된 반도체 식각장치의 구성을 보인 개략구성도이고, 제2도는 종래 반도체 식각장치의 하부전극을 보인 평면도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram showing a structure of a semiconductor etching apparatus with a conventional lower electrode, and FIG. 2 is a plan view showing a lower electrode of a conventional semiconductor etching apparatus.

도시된 바와 같이, 종래 반도체 식각장치는 일측하부에 헬륨가스를 펌핑하기 위한 펌프(1a)가 구비된 챔버(1)와, 그 챔버(1)의 내부에 설치되며 식각공정시 웨이퍼의 후면을 냉각시키기 위한 헬륨홀(2a)이 구비된 하부전극(2)과, 상기 헬륨홀(2a)의 내측에 설치되며 상기 하부전극(2)의 상부에 설치되는 웨퍼(W)를 들어주기 위한 수개의 리프트 핀(3)과, 상기 하부전극(2)의 상부에 설치되며 그 하부전극(2)의 상부에 설치되는 웨이퍼(W)를 고정시키기 위한 클램프 링(CLAMP RING)(4)과, 상기 하부전극(2)의 상면에 형성되어 있으며 상기 헬륨홀(2a)을 통하여 공급되는 헬륨이 웨이퍼(W)에 골고루 공급되도록 하기 위한 방사형 그루브(5)와 환형 그루브(5')로 구성되어 있다.As shown, the conventional semiconductor etching apparatus is provided with a chamber 1 having a pump 1a for pumping helium gas under one side thereof, and installed inside the chamber 1, and cooling the rear surface of the wafer during the etching process. Several lifts for holding a lower electrode 2 having a helium hole 2a to be provided therein, and a wafer W provided inside the helium hole 2a and installed at an upper portion of the lower electrode 2. CLAMP RING (4) for fixing the pin (3), the wafer (W) which is provided on the lower electrode 2 and is installed on the lower electrode (2), and the lower electrode It is formed on the upper surface of (2) and consists of a radial groove 5 and an annular groove 5 'for helium supplied through the helium hole 2a to be evenly supplied to the wafer W.

이와 같이 구성되어 있는 종래의 식각장치는 공정을 진행하기 위하여 플라즈마가 인가되고, 하부전극(2)의 내측에 형성된 헬륨홀(2a)을 통하여 헬륨이 공급되어 웨이퍼의 온도를 조절하며 식각이 진행되는 것이다.In the conventional etching apparatus configured as described above, plasma is applied to proceed the process, and helium is supplied through the helium hole 2a formed inside the lower electrode 2 to control the temperature of the wafer and the etching is performed. will be.

헬륨의 인입과 배출방식은 장비별로 약간씩 특성을 달리하나 하부전극(2)에 별도로 헬륨 포트(PORT)를 내거나, 제1도와 같이 웨이퍼(W)를 들어주기 위한 리프트 핀(3)이 설치된 헬륨홀(2a)을 통하여 헬륨이 인입될 수 있도록 하고 있다.The helium inlet and outlet are slightly different for each equipment, but helium port is provided separately on the lower electrode 2, or helium is provided with a lift pin 3 for lifting the wafer W as shown in FIG. Helium can be introduced through the hole 2a.

상기와 같이 인입되는 헬륨은 하부전극(2)의 상면에 형성되어 있는 가이트 라인(5)을 타고 흐르면서 웨이퍼(W)의 하면을 냉각시키고, 챔버(1)에 설치되어 있는 펌프(1a)를 통하여 챔버(1)의 외부로 배출된다.Helium introduced as described above flows through the guide line 5 formed on the upper surface of the lower electrode 2 to cool the lower surface of the wafer W, and is pumped through the pump 1a installed in the chamber 1. It is discharged out of the chamber 1.

그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 식각장치의 하부전극은 식각공정 진행시 하부전극(2)에 형성되어 있는 헬륨홀(2a)을 통하여 헬륨이 공급되고, 상기 하부전극(2)의 상면에 형성되어 있는 방사형 그루브(5)와 환형 그루브(5')를 통하여 웨이퍼(W)를 냉각시킬 때 웨이퍼(W) 전체가 골고루 냉각되지 않아 웨이퍼(W)의 식각이 균일하게 되지 못하는 문제점이 있었다.However, the lower electrode of the conventional semiconductor etching apparatus as described above is supplied with helium through the helium hole 2a formed in the lower electrode 2 during the etching process, and is formed on the upper surface of the lower electrode 2. When the wafer W is cooled through the radial groove 5 and the annular groove 5 ', the entire wafer W is not evenly cooled, so that the etching of the wafer W is not uniform.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명의 목적은 식각공정 진행시 웨이퍼에 헬륨이 골고루 공급되어 웨이퍼의 냉각이 균일하게 되도록 함으로써 식각의 균일도를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 식각장치의 하부전극을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention in view of the above problems is to provide a lower electrode of a semiconductor etching apparatus suitable for improving the uniformity of etching by allowing helium to be uniformly supplied to the wafer during the etching process to uniformly cool the wafer.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 중앙에 헬륨가스가 공급되는 헬륨홀이 형성되어 있고, 상면에는 그 헬륨홀을 통하여 공급된 헬륨가스가 분산되는 방사형 그루브와 환형 그루브가 연결 형성되어 있는 반도체 식각장치의 하부전극에 있어서, 상기 헬륨홀에 연결되도록 분지됨과 아울러 상기 방사형 그루브와 환형 그루브가 형성되지 않는 몸체부분에 복수개의 분산공급홀을 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 하부전극이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, a helium hole in which a helium gas is supplied is formed in the center, and on the upper surface a semiconductor in which a radial groove and an annular groove are formed in which helium gas is distributed through the helium hole is dispersed. A lower electrode of the etching apparatus, wherein the lower electrode of the semiconductor etching apparatus is formed by forming a plurality of distributed supply holes in the body portion which is branched to be connected to the helium hole and in which the radial groove and the annular groove are not formed. This is provided.

이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 식각장치의 하부전극을 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the lower electrode of the semiconductor etching apparatus of the present invention configured as described above will be described in more detail with reference to embodiments of the accompanying drawings.

제3도는 본 발명 하부전극이 구비된 반도체 식각장치의 구성을 보인 개략구성도이고, 제4도는 본 발명 반도체 식각장치의 하부전극을 보인 평면도이다.3 is a schematic diagram showing the configuration of a semiconductor etching apparatus with a lower electrode of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing a lower electrode of the semiconductor etching device of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명 하부전극이 구비된 반도체 식각장치는 일측하부에 헬륨을 펌핑하기 위한 펌프(10a)가 구비된 챔버(10)가 설치되어 있고, 그 챔버(10)의 내부에 헬륨을 공급하기 위한 헬륨홀(11a)이 구비된 하부전극(11)이 설치되어 있으며, 그 하부전극(11)의 상면에는 상기 헬륨홀(11a)을 통하여 공급된 헬륨을 웨이퍼(W)에 골고루 공급하기 위한 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')가 형성되어 있고, 상기 헬륨홀(11a)의 내측에는 웨이퍼(W)를 들어주기 위한 수개의 리프트 핀(12)이 설치되어 있으며, 상기 하부전극(11)의 상부에는 웨이퍼(W)를 고정시키기 위한 클램핑 링(13)이 설치되어 있는 구성은 종래와 동일하다.As shown, the semiconductor etching apparatus provided with the lower electrode of the present invention is provided with a chamber 10 having a pump 10a for pumping helium under one side thereof, and helium inside the chamber 10. The lower electrode 11 is provided with a helium hole (11a) for supplying, the upper surface of the lower electrode 11 to evenly supply the helium supplied through the helium hole (11a) to the wafer (W) A radial groove 11b and an annular groove 11b 'are formed therein, and several lift pins 12 are formed inside the helium hole 11a to lift the wafer W. The lower electrode The configuration in which the clamping ring 13 for fixing the wafer W is provided on the upper portion of the 11 is the same as in the prior art.

여기서, 본 발명은 상기 헬륨홀(11a)의 주변에 형성되어 있는 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')가 형성되지 않는 하부전극(11)의 몸체 상면에 형성되도록 복수개의 분산공급홀(20)을 형성하여서 구성된다.Here, the present invention provides a plurality of distributed supply holes such that the radial groove 11b and the annular groove 11b 'formed around the helium hole 11a are formed on the upper surface of the body of the lower electrode 11 not formed. 20) is formed by forming.

또한, 상기 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')는 적어도 2개 이상 형성하여 종래보다 냉각의 균일도를 향상시킬 수 있도록 하였다.In addition, at least two radial grooves 11b and annular grooves 11b 'may be formed to improve the uniformity of cooling.

즉, 종래에는 하부전극(2)의 중앙에 형성되어 있는 1개의 헬륨홀(2a)을 통하여 헬륨이 공급되도록 하였으나, 본 발명에서는 그 헬륨홀(11a)의 주변에 제4도에 도시된 바와 같이 헬륨을 웨이퍼(W)에 골고루 공급하기 위한 다수개의 분산공급홀(20)을 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')가 형성되지 않은 부분에 형성하였으며, 또한 종래에는 하부전극(2)의 상면에 헬륨을 흐르게 하기 위한 ㅇ자형의 환형 그루브(11b')가 X자형의 방사형 그루브(11b)가 1개씩 형성되어 있었으나, 본 발명에서는 적어도 2개 이상 형성하여서 구성되어 있다.That is, in the prior art, helium is supplied through one helium hole 2a formed in the center of the lower electrode 2, but in the present invention, as shown in FIG. 4 around the helium hole 11a. A plurality of distributed supply holes 20 for evenly supplying helium to the wafer W are formed in a portion where the radial groove 11b and the annular groove 11b 'are not formed, and conventionally, the lower electrode 2 The o-shaped annular grooves 11b 'for flowing helium on the upper surface were formed with one X-shaped radial groove 11b, but at least two or more are formed in the present invention.

상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 하부전극이 구비된 반도체 식각장치의 동작은 종래의 범주를 크게 벗어나지 않는다.The operation of the semiconductor etching apparatus provided with the lower electrode of the present invention configured as described above does not significantly depart from the conventional scope.

즉, 공정을 진행하기 위한 플라즈마가 인가되고, 하부전극(11)의 내측에 형성된 헬륨홀(11a)과 다수개의 분산공급홀(20)을 통하여 헬륨이 공급되어 웨이퍼(W)의 온도를 조절하며 식각이 진행되는 것이다.That is, a plasma is applied to proceed the process, and helium is supplied through the helium hole 11a and the plurality of distributed supply holes 20 formed inside the lower electrode 11 to control the temperature of the wafer W. Etching is in progress.

그리고, 상기와 같이 공급되는 헬륨은 하부전극(11)의 상면에 형성되어 있는 방사형 그루브(11b)와 환형 그루브(11b')를 타고 흐르면서 웨이퍼(W)의 하면을 골고루 냉각시키고, 챔버(10)에 설치되어 있는 펌프(10a)를 통하여 챔버(10)의 외부로 배출된다.Then, the helium supplied as described above flows through the radial grooves 11b and the annular grooves 11b 'formed on the upper surface of the lower electrode 11 and evenly cools the lower surface of the wafer W, and the chamber 10 It is discharged to the outside of the chamber 10 through the pump 10a installed in the.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 반도체 식각장치의 하부전극은 헬륨을 공급하기 위한 헬륨홀의 주변에 헬륨을 골고루 공급하기 위한 다수개의 분산공급홀을 형성하고, 하부전극의 상면에 형성되어 헬륨이 흐르게 하기 위한 방사형 그루브와 환형 그루브를 적어도 2개 이상 형성하여 반도체 웨이퍼 식각공정 진행시 웨이퍼의 하면에 헬륨이 골고루 공급되도록 함으로써 균일한 냉각에 의한 식각의 균일도를 향상시키는 효과가 있다.As described in detail above, in the present invention, the lower electrode of the semiconductor etching apparatus forms a plurality of distributed supply holes for evenly supplying helium around the helium hole for supplying helium, and is formed on the upper surface of the lower electrode so that helium flows. By forming at least two radial grooves and annular grooves, helium is evenly supplied to the lower surface of the wafer during the semiconductor wafer etching process, thereby improving the uniformity of etching by uniform cooling.

Claims (1)

중앙에 헬륨가스가 공급되는 헬륨홀이 형성되어 있고, 상면에는 그 헬륨홀을 통하여 공급된 헬륨가스가 분산되는 방사형 그루브와 환형 그루브가 연결 형성되어 있는 반도체 식각장치의 하부전극에 있어서, 상기 헬륨홀에 연결되도록 분지됨과 아울러 상기 방사형 그루브와 환형 그루브가 형성되지 않는 몸체 부분에 복수개의 분산공급홀을 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 하부전극.A helium hole in which a helium gas is supplied is formed at a center thereof, and an upper surface of the lower electrode of the semiconductor etching apparatus, in which a radial groove and an annular groove are formed, in which a helium gas supplied through the helium hole is dispersed. The lower electrode of the semiconductor etching apparatus, characterized in that formed by forming a plurality of distributed supply holes in the body portion which is branched to be connected to the radial groove and the annular groove is not formed.
KR1019950044878A 1995-11-29 1995-11-29 Electrode structure of etching apparatus KR0179862B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044878A KR0179862B1 (en) 1995-11-29 1995-11-29 Electrode structure of etching apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044878A KR0179862B1 (en) 1995-11-29 1995-11-29 Electrode structure of etching apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970030407A KR970030407A (en) 1997-06-26
KR0179862B1 true KR0179862B1 (en) 1999-04-15

Family

ID=19436519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950044878A KR0179862B1 (en) 1995-11-29 1995-11-29 Electrode structure of etching apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0179862B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990079892A (en) * 1998-04-10 1999-11-05 윤종용 Dry Etcher or Asher Electrode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990079892A (en) * 1998-04-10 1999-11-05 윤종용 Dry Etcher or Asher Electrode

Also Published As

Publication number Publication date
KR970030407A (en) 1997-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060133656A (en) Cooling apparatus of electrostatic chuck for semiconductor equipment
WO2018133482A1 (en) Lower electrode wafer chuck of etching machine
KR100674922B1 (en) Wafer supporting apparatus having cooling path for cooling focus ring
JPH05243191A (en) Dry etching device
KR19980086942A (en) Back gas quick removal device for semiconductor processing system
KR0179862B1 (en) Electrode structure of etching apparatus
KR100557675B1 (en) Chuck base having cooling path for cooling wafer
KR100541447B1 (en) Electrostatic chuck for wafer
JP2005033062A (en) Plasma processor, focus ring, and plasma processing method
KR100523643B1 (en) Process chamber of a rapid thermal processing apparatus capable of uniformly heat transferring to a wafer loaded therein
KR100437284B1 (en) electrostatic chuck
KR200195120Y1 (en) Gas supply structure for semiconductor wafer clamping chuck
KR20070031660A (en) Semiconductor manufacturing equipment with improved screw
KR100449919B1 (en) electrostatic chuck
KR200195114Y1 (en) Structure for cooling wafer of plasma etcher in semiconductor
KR20040103728A (en) Improved wafer support structure for semiconductor manufacture equipment
KR20030024363A (en) Electrostatic chuck and he circulation system for electrostatic chuck
JP2837842B2 (en) Pedestal for semiconductor manufacturing equipment
KR20010035562A (en) Wafer backside cooling system
KR20020004623A (en) Etcing equipment for plasma of semiconductor
KR20010046528A (en) Structure for cooling of electro static chuck
KR20040070697A (en) Cooling apparatus and apparatus for manufacturing semiconductor devices
KR20030053326A (en) A Apparatus for Uniformity Temperature of the Semiconductor Wafer
KR19990023069U (en) Helium flow system of electrostatic chuck
KR100236709B1 (en) Pedestal of semiconductor manufacturing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051021

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee