KR0172849B1 - Solid state image sensing device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토 다이오드를 마이크로 렌즈 형태와 같은 형태로 형성하여 광 감도를 향상시키고, 마이크로 렌즈를 통해 집속되는 광을 포토다이오드 영역에만 집광되도록하여 스미어 현상을 방지할 수 있는 고체촬상소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 고체촬상소자는 볼록부를 갖는 제1도전형의 기판과; 볼록부를 제외한 기판내에 형성된 제1도전형의 전하전송영역과; 기판의 볼록부에 형성되고, 상면이 볼록렌즈형태로 된 광검출영역과; 광검출영역의 상부 표면상에 형성된 제2도전형의 고농도 불순물 영역과 광검출영역을 제외한 기판에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막상에 형성된 전송 게이트와; 전송 게이트를 포함한 기판상에 형성된 평탄화층과; 광검출영역 상부의 평탄화층상에 형성된 마이크로 렌즈를 포함한다.The present invention improves the light sensitivity by forming a photodiode in the form of a micro lens, and the solid-state image pickup device capable of preventing the smear phenomenon by condensing light focused through the micro lens only in the photodiode region and a manufacturing method thereof. A solid state image pickup device includes: a first conductive type substrate having a convex portion; A charge transfer region of the first conductivity type formed in the substrate except the convex portion; A photodetection area formed in the convex portion of the substrate and having an image surface in the form of a convex lens; A gate insulating film formed on the substrate except for the second conductive high concentration impurity region and the photodetecting area formed on the upper surface of the photodetecting area, and a transfer gate formed on the gate insulating film; A planarization layer formed on the substrate including the transfer gate; And a micro lens formed on the planarization layer above the photodetection area.
Description
제1도(a)와 (b)는 종래의 고체촬상소사의 단면도.1A and 1B are cross-sectional views of a conventional solid state imager.
제2도(a)와 (b)는 본 발명의 제1실시예에 따른 고체촬상소자의 단면도.2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views of the solid state image pickup device according to the first embodiment of the present invention.
제3도(a)-(j)는 제2도의 본 발명의 고체촬상소의 제조공정도.3 (a)-(j) are manufacturing process diagrams of the solid state image pickup device of the present invention of FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
31 : 실리콘 기판 32,33 : P형 웰31 silicon substrate 32,33 P-type well
34 : 포토 다이오드 35 : 전하전송영역(VCCD)34 photodiode 35 charge transfer region (VCCD)
36 : P+형 표면 격리층 37 : P+형 채널스톱영역36: P + type surface isolation layer 37: P + type channel stop region
38 : 게이트절연막 39 : 전송 게이트38 gate insulating film 39 transfer gate
40 : 층간 절연막 41 : 차광막40: interlayer insulation film 41: light shielding film
42 : 보호막 43,45 : 평탄화층42: protective film 43, 45: planarization layer
44 : 칼라필터층 46 : 마이크로 렌즈44 color filter layer 46 micro lens
본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로서, 스미어 방지 및 감도를 향상시킬 수 있는 고체촬상소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid state image pickup device, and to a solid state image pickup device capable of improving smear prevention and sensitivity, and a method of manufacturing the same.
제1도(a)와 (b)는 종래의 고체촬상소자의 단면도를 도시한 것이다.1 (a) and (b) show cross-sectional views of a conventional solid state image pickup device.
제1도(a)를 참조하면, 종래의 고체촬상소자의 구조는 n형 기판(10)상에 제1 및 제2의 p-형 웰(11),(12)이 형성되고, 제1 및 제2의 p-형 웰(11),(12)에는 각각n+형 포토 다이오드(14)와 전하전송영역인 n+형 VCCD 영역(Vertical Charge Coupled Device)(15)가 형성되며, n+형 포토 다이오드(14)의 표면에는 p++형 표면 격리층(16)이 형성되고, n+형 VCCD(15)을 감싸도록 제3의 p-형 웰(13)이 형성되며, 화소와 화소간을 격리시켜주기 위한 p+형 채널스톱영역(17)이 형성된다.Referring to FIG. 1 (a), in the conventional solid state image pickup device, first and second p-type wells 11 and 12 are formed on an n-type substrate 10, and the first and second p-type wells 12 and 12 are formed. In the second p-type wells 11 and 12, an n + type photodiode 14 and an n + type VCCD region 15, which is a charge transfer region, are formed, respectively, and an n + type photodiode A p ++ type surface isolation layer 16 is formed on the surface of 14), and a third p-type well 13 is formed to surround the n + type VCCD 15, and p + is provided to isolate the pixel from the pixel. The channel stop region 17 is formed.
그리고, 기판전면에 게이트 절연막(18)이 형성되고, VCCD 영역(15)상부의 게이트 절연막(18)상에 전송 게이트(19), 층간 절연막(20) 및 차광막(21)이 순차 형성되며, 기판전면에 보호막(passivation layer)(22)이 형성된다.The gate insulating film 18 is formed on the entire surface of the substrate, and the transfer gate 19, the interlayer insulating film 20, and the light blocking film 21 are sequentially formed on the gate insulating film 18 on the VCCD region 15. A passivation layer 22 is formed on the entire surface.
또한, 보호막(22)상에 제1평탄화층(23)이 형성되며, 포토 다이오드(14)상부의 제1평탄화층(23)상에 칼라필터층(24)이 형성되고, 칼라필터층(24)을 포함한 제1평탄화층(23)상에 제2평탄화층(25)이 형성되며, 칼라필터층(24)상부의 제2평탄화층(25)상에 마이크로 렌즈(26)가 형성된다.In addition, a first flattening layer 23 is formed on the passivation layer 22, a color filter layer 24 is formed on the first flattening layer 23 on the photodiode 14, and the color filter layer 24 is formed. The second leveling layer 25 is formed on the first leveling layer 23 included therein, and the microlens 26 is formed on the second leveling layer 25 on the color filter layer 24.
상기의 종래의 고체촬상소자는 카메라 렌즈를 통해 입사되는 광은 마이크로 렌즈(26)에 의해 집속되어 칼라필터층(24)을 통과한다. 칼라필터층(24)을 선택투과한 광은 포토 다이오드(14)에 입사되어 전하로 광전변환된다. 따라서, 광전변환에 의해 포토 다이오드(14)에서 발생된 전하들은 VCCD 영역(15)으로 전송된 후 VCCD 영역(15)의 클럭신호에 의해 HCCD(Horizontal Charge Coupled Device)(도면상에 미도시)로 수직 전송된다. HCCD로 전송된 전하들은 HCCD의 클럭신호에 의해 수평전송되고, 소자 끝단의 플로팅 확산에 의해 수평전송된 전하들은 전압으로 감지되고 증폭되어 주변회로로 전송된다.In the conventional solid state image pickup device, the light incident through the camera lens is focused by the micro lens 26 and passes through the color filter layer 24. Light passing through the color filter layer 24 is incident on the photodiode 14 and photoelectrically converted into electric charges. Therefore, the charges generated in the photodiode 14 by photoelectric conversion are transferred to the VCCD region 15 and then transferred to the HCCD (Horizontal Charge Coupled Device) (not shown) by the clock signal of the VCCD region 15. Is transmitted vertically. The charges transferred to the HCCD are horizontally transferred by the clock signal of the HCCD, and the charges horizontally transferred by the floating diffusion at the end of the device are sensed by voltage and amplified and transferred to the peripheral circuit.
그러나, 종래의 고체촬상소자는 제1도(b)에서 보는 바와같이, 마이크로 렌즈(26)에 입사되는 광중 마이크로 렌즈의 중앙부에 입사되는 광은 포토 다이오드(14)에 입사되어 신호전하로 광전변환되지만, 마이크로 렌즈(26)의 양쪽 주변부에 입사되는 광은 VCCD 영역(15)으로 입사되어 스미어 전하로 광전변환되어 스미어 현상을 일으키는 주요 원인이 되고 있다. 또한, 장파장의 광인 경우, 마이크로 렌즈(26)를 통해 입사되는 광이 포토 다이오드를 통과하여 제1의 p-형의 웰(11)까지 입사되어 원하지 않는 신호 전하가 발생되는 문제점이 있었다.However, in the conventional solid state image pickup device, as shown in FIG. 1B, light incident on the center portion of the microlens is incident on the photodiode 14 and photoelectrically converted into signal charges. However, light incident on both peripheral portions of the microlens 26 is incident on the VCCD region 15 and photoelectrically converted into smear charges, thereby causing a smear phenomenon. In addition, in the case of light having a long wavelength, light incident through the microlens 26 passes through the photodiode and enters the first p-type well 11 to generate an unwanted signal charge.
게다가, 포토 다이오드와 VCCD 상부에서의 단차가 심시하게 발생되는 문제점이 있었다.In addition, there was a problem that the stepped over the photodiode and the VCCD is seriously generated.
본 발명은 상기한 바와같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토 다이오드를 마이크로 렌즈형태와 같은 형태로 형성하여 광 감도를 향상시킬 수 있는 고체촬상소자 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, it is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device and a method of manufacturing the same that can improve the light sensitivity by forming a photodiode in the form of a micro lens. .
또한, 본 발명의 다른 목적은 마이크로 렌즈를 통해 집속되는 광이 포토 다이오드 영역에만 집광되도록하여 스미어 현상을 방지할 수 있는 고체촬상소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a solid-state image pickup device and a method of manufacturing the same that can prevent the smear phenomenon by condensing light focused through the micro lens only in the photodiode region.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 볼록부를 갖는 제1도전형의 기판과; 볼록부를 제외한 기판내에 형성된 제1도전형의 전하전송영역과, 기판의 볼록부에 형성되고, 상면이 볼록렌즈 형태로 된 광검출영역과, 광검출영역을 제외한 기판에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막상에 형성된 전송 게이트와, 전송 게이트를 포함한 기판상에 형성된 평탄화층과, 포토 다이오드 상부의 평탄화층상에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 고체촬상소자를 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a first conductive substrate having a convex portion; A charge transfer region of the first conductivity type formed in the substrate except the convex portion, a photodetection region formed in the convex portion of the substrate, the upper surface of which is in the form of a convex lens, a gate insulating film formed on the substrate except the photodetection region, and gate insulation A solid state image pickup device comprising a transfer gate formed on a film, a planarization layer formed on a substrate including a transfer gate, and a microlens formed on the planarization layer above the photodiode.
또한, 제1도전형의 기판을 식각하여 볼록부를 형성하는 공정과, 볼록부를 제외한 기판으로 제1도전형의 불순물을 이온주입하여 제1도전형의 전하전송영역을 형성하는 공정과, 전송전하영역 상부의 기판상에 게이트 절연막과 전송게이트를 순차 형성하는 공정과, 전송 게이트를 마스크로하여 기판의 볼록부로 제1도전형의 불순물을 이온주입하여 상면이 볼록한 곡면으로 된 광검출영역을 형성하는 공정과, 광검출영역으로 제2도전형의 고농도 불순물을 이온주입하여 광검출영역의 표면에 제2도전형의 고농도 불순물 영역을 형성하는 공정과, 기판전면에 걸쳐 평탄화층을 형성하는 공정과, 광검출영역 상부의 평탄화층상에 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 포함하는 고체촬상소자의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.In addition, a process of forming a convex portion by etching the substrate of the first conductive type, a process of forming a charge transfer region of the first conductive type by ion implanting impurities of the first conductive type into the substrate except the convex portion, and a transfer charge region A process of sequentially forming a gate insulating film and a transfer gate on the upper substrate, and a process of forming a photodetection region having a curved surface having an upper surface convex by ion implanting impurities of a first conductivity type into the convex portion of the substrate using the transfer gate as a mask; And forming a high concentration impurity region of the second conductivity type on the surface of the photodetection region by ion implanting a high concentration impurity of the second conductivity type into the photodetection region, and forming a planarization layer over the entire surface of the substrate; A method of manufacturing a solid-state imaging device comprising the step of forming a microlens on the planarization layer above the detection area is provided.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도(a)와 (b)는 본 발명의 실시예에 따른 고체촬상소자의 단면도를 도시한 것이다.2 (a) and 2 (b) show cross-sectional views of the solid state image pickup device according to the embodiment of the present invention.
제2도(a)를 참조하면, 본 발명의 고체촬상소자에 있어서, n형 기판(30)상에 제1및 제2의 p-형 웰(31),(32)이 형성되고, 제1의 p-형 웰(31)에는 볼록한 곡면의 상면을 갖는 포토 다이오드(34)가 형성되며, 제2의 p-형 웰(32)에는 전하전송영역인 VCCD 영역(35)이 형성된다.Referring to FIG. 2A, in the solid state image pickup device of the present invention, first and second p-type wells 31 and 32 are formed on an n-type substrate 30, and the first The p-type well 31 has a photodiode 34 having a convex curved top surface, and the VCCD region 35 serving as a charge transfer region is formed in the second p-type well 32.
포토 다이오드(34)의 볼록한 상면에는 p++형의 표면 격리층(36)이 형성되고, 포토 다이오드(34)의 볼록한 상면을 제외한 기판상에는 게이트 절연막(38), 전송 게이트(39)와 차광막(41)이 형성되며, 전송 게이트(39)와 차광막(41)사이에는 층간 절연막(40)이 형성된다.A p ++ type surface isolation layer 36 is formed on the convex upper surface of the photodiode 34, and the gate insulating film 38, the transfer gate 39, and the light shielding film 41 are formed on the substrate except for the convex upper surface of the photodiode 34. The interlayer insulating film 40 is formed between the transfer gate 39 and the light shielding film 41.
또한, 기판전면에 걸쳐 보호막(passivation layer)(42)이 형성되고, 보호막(42)상에는 제1평탄화층(43)이 형성되며, 포토 다이오드(34) 상부의 제1평탄화층(43)에는 칼라필터층(44)이 형성되고, 칼라필터층(44)을 포함하는 제1평탄화층(43)상에는 제2평탄화층(45)이 형성되며, 칼라필터층(44) 상부의 제2평탄화층(45)상에는 마이크로 렌즈(46)가 형성된 구조를 갖는다.In addition, a passivation layer 42 is formed over the entire surface of the substrate, a first planarization layer 43 is formed on the passivation layer 42, and a color is formed on the first planarization layer 43 on the photodiode 34. A filter layer 44 is formed, a second leveling layer 45 is formed on the first leveling layer 43 including the color filter layer 44, and a second leveling layer 45 on the color filter layer 44. It has a structure in which the microlens 46 is formed.
상기의 구조를 갖는 본 발명의 고체촬상소자는 포토 다이오드(34)는 상면이 볼록하게 형성되어 마이크로 렌즈(46)와 같은 형태를 가지므로 제1도에 도시된 종래의 고체촬상소자의 포토 다이오드 보다 빛을 받아들이는 수광면적이 증가하게 된다.In the solid-state image pickup device of the present invention having the above structure, the photodiode 34 is convexly formed and has a shape similar to that of the microlens 46, so that the photodiode of the conventional solid-state image pickup device shown in FIG. The area of light reception to receive light is increased.
또한, 포토 다이오드가 볼록 렌즈형태로 형성되어 마이크로 렌즈와 포토 다이오드간의 거리가 단축되므로, 제2도(b)에 도시된 바와같이, 마이크로 렌즈(46)를 통해 집속된 광이 포토 다이오드(34)에만 집속될 뿐만 아니라 장파장의 광도 포토 다이오드 영역에만 입사되므로 종래에서와 같은 스미어 현상 등을 방지할 수 있다.In addition, since the photodiode is formed in the form of a convex lens, the distance between the microlens and the photodiode is shortened. As shown in FIG. 2B, light focused through the microlens 46 is concentrated in the photodiode 34. Not only is focused, but also the light of long wavelength is incident only on the photodiode region, so that a smear phenomenon and the like can be prevented.
게다가 포토 다이오드의 상면이 볼록 렌즈 형태로 형성되어 포토 다이오드와 VCCD 영역상부에서의 단차가 개선되므로, 후속공정의 용이함을 제공하게 된다.In addition, since the top surface of the photodiode is formed in the form of a convex lens, the step difference between the photodiode and the VCCD region is improved, thereby providing ease of subsequent processing.
제3도(a)-(j)는 상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 고체촬상소자의 제조공정도를 도시한 것이다.3 (a)-(j) show manufacturing process drawings of the solid state image pickup device of the present invention having the above structure.
제3도(a)와 같이 n형 기판(30)상에 제1 및 제2의 p-형 웰(31),(32)을 순차 형성하고, 기판(30)의 전면에 마이크로 렌즈용 물질(51)을 도포한 후, 상기 제1의 p-형 웰(31)상부의 가판(30)상에만 마이크로 렌즈용 물질(51)이 남도록 패터닝한다.As shown in FIG. 3A, the first and second p-type wells 31 and 32 are sequentially formed on the n-type substrate 30, and the microlens material is formed on the entire surface of the substrate 30. 51) is then patterned such that the material for microlens 51 remains only on the substrate 30 on the first p-type well 31.
이때, 제1의 p-형 웰(31)은 기판(30)으로 p-형 불순물을 1차로 이온주입하여 형성하고, 제2의 p-형 웰(32)은 상기 제1의 p-형 웰(31)을 제외한 기판(30)으로 p-형 불순물을 2차로 이온주입하여 형성하는데, 제2의 p-형 웰(32)은 제1의 p-형 웰(31)보다 큰 접합깊이를 갖는다.In this case, the first p-type well 31 is formed by primary ion implantation of p-type impurities into the substrate 30, and the second p-type well 32 is formed in the first p-type well. The p-type impurity is secondarily implanted into the substrate 30 except for (31), and the second p-type well 32 has a junction depth greater than that of the first p-type well 31. .
이어, 100℃ 내지 200℃의 온도에서 마이크로 렌즈용 물질(51)을 열플로우시키면 제3도(b)와 같이 제1의 p-형 웰(31)상부의 기판(30)상에 볼록한 형태의 마이크로 렌즈(52)가 형성된다.Subsequently, when the microlens material 51 is thermally flowed at a temperature of 100 ° C. to 200 ° C., the convex shape is formed on the substrate 30 on the first p-type well 31 as shown in FIG. The micro lens 52 is formed.
그리고 마이크로 렌즈(52)가 형성된 기판(30)을 마이크로 렌즈(52)가 모두 식각되도록 드라이 에칭하면 제3도(c)와 같이 기판(30)은 렌즈형태의 볼록부(30-1)를 갖게 된다. 즉, 마이크로 렌즈(52)의 하부의 기판(30)은 식각이 되지 않는 반면에 그 이외의 기판(30)은 표면으로부터 소정두께만큼 식각됨으로써 렌즈형태의 볼록부(30-1)를 갖게 된다.When the substrate 30 on which the microlens 52 is formed is dry etched to etch all of the microlenses 52, the substrate 30 has the lens-shaped convex portion 30-1 as shown in FIG. 3C. do. That is, while the substrate 30 below the microlens 52 is not etched, the other substrate 30 is etched by a predetermined thickness from the surface to have the lens-shaped convex portion 30-1.
이때, 기판(30)의 볼록부(30-1)는 후속의 공정에서 포토 다이오드가 형성될 부분이다.At this time, the convex portion 30-1 of the substrate 30 is a portion where the photodiode is to be formed in a subsequent process.
제3도(d)와 같이 화소와 화소간을 격리시켜 주기 위한 p+형 채널스톱(37)을 형성하고, 이어서 제3도(e)와 같이 볼록부(30-1)를 제외한 기판(30)으로 p-형 불순물과 n+형 불순물을 이온주입하여 제3의 p-형 웰(33)과 n+형 VCCD(35)를 형성한다.As shown in FIG. 3D, a p + type channel stop 37 is formed to isolate the pixel from the pixel. Then, as shown in FIG. 3E, the substrate 30 except for the convex portion 30-1. The third p-type well 33 and the n + type VCCD 35 are formed by ion implantation of the p-type impurity and the n + type impurity.
제3도(f)와 같이 볼록부(30-1)를 제외한 기판(30)상에 산화막과 질화막으로 된 게이트 절연막(38)을 형성하고, 기판(30)의 전면에 폴리 실리콘막을 증착하고 패터닝하여 게이트 절연막(38)상에 전송 게이트(39)를 형성한다.As shown in FIG. 3F, a gate insulating film 38 formed of an oxide film and a nitride film is formed on the substrate 30 except for the convex portion 30-1, and a polysilicon film is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 30. Thus, the transfer gate 39 is formed on the gate insulating film 38.
제3도(g)와 같이 전송 게이트(39)를 마스크로하여 기판(30)으이 볼록부(30-1)로 n+형 불순물 이온주입하여 n+형 포토 다이오드(34)를 형성하고, 이어서 전송 게이트(39)를 마스크로하여 p++형 불순물을 포토 다이오드(34)로 이온주입하여 포토 다이오드(34)의 표면에 p++형 표면 격리층(36)을 형성한다.As shown in FIG. 3 (g), n + type impurity ions are implanted into the convex portion 30-1 through the substrate 30 using the transfer gate 39 as a mask to form an n + type photodiode 34, and then the transfer gate P ++ type impurities are implanted into the photodiode 34 using (39) as a mask to form a p ++ type surface isolation layer 36 on the surface of the photodiode 34.
제3도(h)와 같이 포토 다이오드(34)의 볼록한 상면을 제외한 전송 게이트(39)상부에 층간 절연막(40)을 형성하고, 기판(30) 전면에 걸쳐 금속막을 증착하고 패터닝하여 층간 절연막(40)상에 차광막(41)을 형성한다.As shown in FIG. 3H, an interlayer insulating film 40 is formed on the transfer gate 39 except for the convex top surface of the photodiode 34, and a metal film is deposited and patterned over the entire surface of the substrate 30. A light shielding film 41 is formed on 40.
제3도(i)와 같이 기판(30) 전면에 걸쳐 질화막을 증착하여 보호막(passivation layer)(42)를 형성하고, 그위에 제1의 평탄화층(43)을 형성하고, 포토 다이오드(34)상부의 제1의 평탄화층(43)상에 칼라필터층(44)을 형성한다.As shown in FIG. 3 (i), a nitride film is deposited over the entire surface of the substrate 30 to form a passivation layer 42, a first planarization layer 43 is formed thereon, and a photodiode 34 The color filter layer 44 is formed on the upper first planarization layer 43.
최종적으로, 제3도(j)와 같이 칼라필터층(44)을 포함한 제1평탄화층(43)상에 제2평탄화층(45)을 형성하고, 칼라필터층(44)상부의 제2평탄화층(45)상에 통상의 마이크로 렌즈 형성공정으로 마이크로 렌즈(46)를 형성하면 본 발명의 일시예에 따른 고체촬상소자가 제조된다.Finally, as shown in FIG. 3 (j), the second leveling layer 45 is formed on the first leveling layer 43 including the color filter layer 44, and the second leveling layer (above the color filter layer 44) is formed. When the microlens 46 is formed on a conventional microlens forming process on 45), the solid state image pickup device according to the instant embodiment of the present invention is manufactured.
상기한 바와같은 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.
첫째로, 포토 다이오드를 마이크로 렌즈와 같은 형태로 형성하여 줌으로써 포토 다이오드의 수광면적을 종래의 고체촬상소자에서 보다 크게 증가시켜 광감도를 향상시킬 수 있다.First, by forming the photodiode in the form of a micro lens, the light receiving area of the photodiode can be increased to be larger than that of a conventional solid state image pickup device, thereby improving light sensitivity.
둘째로, 포토 다이오드와 VCCD 상부에서의 단차를 개선하여 후속공정을 용이하게 진행할 수 있는 잇점이 있다.Second, there is an advantage that the subsequent process can be easily proceeded by improving the level difference on the photodiode and the VCCD.
셋째로, 포토 다이오드를 볼록한 형태로 형성하여 마이크로 렌즈와 포토 다이오드간의 간격을 종래의 고체촬상소자에서 보다 단축시켜 준다. 따라서, 장파장의 광을 포함한 마이크로 렌즈에 집속되는 광을 모두 포토 다이오드에만 입사시켜 줌으로써 스미어 현상의 발생을 완전히 억제시켜 줄 수 있다.Third, the photodiode is formed in a convex shape, which shortens the distance between the microlens and the photodiode in the conventional solid state image pickup device. Therefore, the incident of the smear phenomenon can be completely suppressed by making all the light focused on the micro lens including the long wavelength light incident only on the photodiode.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100545598B1 (en) * | 2000-09-22 | 2006-01-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | Solid-state imaging device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970013393A (en) | 1997-03-29 |
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