KR0168080B1 - Latch circuit having the stable temperature character - Google Patents

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이창현
류영익
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윤종용
삼성전자주식회사
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking

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Abstract

SMPS(Switched Mode Power Supply)의 오실레이션 제어회로로 사용되는 랫치회로를 제공한다.Provides a latch circuit used as an oscillation control circuit of a switched mode power supply (SMPS).

랫치회로는 제1 및 제2제어단자와 제1 및 제2바이어스단자를 구비하며, 2가지의 안정상태를 가지는 쌍안정회로(10)와; 콜렉터와 쌍안정회로의 상기 제1바이어스단자에 연결되어 있고, 에미터가 쌍안정회로의 상기 제1제어단자에 연결되어 있으며, 쌍안정회로를 선택적으로 턴온시키는 제1스위칭 트랜지스터(Q3)와; 상기 제1스위칭 트랜지스터의 베이스를 바이어스하기 위한 바이어스 회로(30)와; 상기 쌍안정회로의 제1제어단자와 제1바이어스 레벨 사이에 연결되는 캐패시터(C1)와; 상기 캐패시터 양단의 전압과 클럭 신호를 받아들이고, 캐패시터의 양단의 전압이 로우레벨이고 클럭 신호가 하이레벨인 경우에만 로우레벨을 가지는 스위칭 신호를 출력하는 게이트수단(11 및 12)과; 상기 스위칭 신호를 받아들이고, 스위칭 신호와 반대되는 위상을 가지는 출력신호를 외부에 출력함과 동시에 바이어스 회로에 공급하는 출력회로(20)를 구비한다. 상기 바이어스 회로(30)는 바이어스 저항(R6)과; 콜렉터가 제1스위칭 트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 제2바이어스 레벨에 연결되는 제1트랜지스터(Q4)와; 콜렉터가 제1트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 상기 바이어스 저항을 통해 제1바이어스 레벨에 연결되어 있으며, 베이스로 출력신호를 받아들이는 제2트랜지스터(Q5)를 포함한다.The latch circuit includes a bistable circuit 10 having first and second control terminals and first and second bias terminals and having two stable states; A first switching transistor (Q3) connected to the collector and the first bias terminal of the bistable circuit, the emitter being connected to the first control terminal of the bistable circuit, and selectively turning on the bistable circuit; A bias circuit (30) for biasing the base of the first switching transistor; A capacitor C1 coupled between the first control terminal and a first bias level of the bistable circuit; Gate means (11 and 12) for receiving a voltage and a clock signal across the capacitor and outputting a switching signal having a low level only when the voltage across the capacitor is low level and the clock signal is high level; An output circuit 20 which receives the switching signal, outputs an output signal having a phase opposite to the switching signal to the outside, and simultaneously supplies the output signal to the bias circuit. The bias circuit (30) includes a bias resistor (R6); A first transistor Q4 connected to the base of the first switching transistor and an emitter connected to the second bias level; The collector is connected to the base of the first transistor, the emitter is connected to the first bias level via the bias resistor, and includes a second transistor Q5 that receives an output signal to the base.

Description

안정된 온도 특성을 가지는 랫치회로Latch circuit with stable temperature characteristics

제1도는 종래의 랫치회로의 회로도이고,1 is a circuit diagram of a conventional latch circuit,

제2도는 본 발명의 랫치회로의 회로도이고,2 is a circuit diagram of the latch circuit of the present invention,

제3도는 상기 제1도 및 제2도의 회로들의 출력파형도이다.3 is an output waveform diagram of the circuits of FIGS. 1 and 2.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 상보형 쌍안정회로 20 : 출력회로10: complementary bistable circuit 20: output circuit

본 발명은 랫치회로에 관한 것으로, 특히 스위칭 모드 전원과 같은 정전압회로의 동작을 펄스폭변조 방식으로 제어하는 회로에 사용되는 랫치회로에 관한 것이다.The present invention relates to a latch circuit, and more particularly, to a latch circuit used in a circuit for controlling the operation of a constant voltage circuit such as a switching mode power supply in a pulse width modulation method.

스위칭 모드 전원(Switched Mode Power Supply)에 있어서는, 입력되는 전원전압을 주기적인 파형으로 변환한 후 이를 제어하고 정류하여 일정한 크기의 공급전압을 출력한다. 특히, 이러한 스위칭 모드 전원의 일 예에 있어서는, 일정한 주파수를 가지는 클록 신호를 받아들이고, 일정한 듀티비를 가지는 펄스를 각 클럭 주기마다 하나씩 출력하는 랫치회로가 오실레이터 제어회로로 사용된다.In a switched mode power supply, the input power voltage is converted into a periodic waveform, then controlled and rectified to output a supply voltage having a constant magnitude. In particular, in one example of such a switching mode power supply, a latch circuit that receives a clock signal having a constant frequency and outputs one pulse having a constant duty ratio for each clock period is used as the oscillator control circuit.

제1도는 종래의 랫치회로를 보여준다. 제1도의 랫치회로는 클럭 신호가 하이 레벨인 동안 일정한 폭을 가진 하나의 펄스를 발생하여 출력함으로써 오실레이터(미도시됨)가 상기 펄스에 따라 발진을 하도록 하는 회로로서, 트랜지스터들(Q1 과 Q2)을 구비하는 상보형 쌍안정회로(10)와, 제1스위칭트랜지스터(Q3)와, 캐패시터(C1)와, 외부입력신호를 반전하는 인버터(11)와, OR게이트(12)와, 출력회로(20)와 저항들(R1,R2,R3,R4)로 구성된다.1 shows a conventional latch circuit. The latch circuit of FIG. 1 generates and outputs a pulse having a constant width while the clock signal is at a high level so that an oscillator (not shown) oscillates according to the pulse, and the transistors Q1 and Q2. Complementary bistable circuit 10, a first switching transistor (Q3), a capacitor (C1), an inverter 11 for inverting an external input signal, OR gate 12, and an output circuit 20) and resistors R1, R2, R3, and R4.

반전기(11)에 입력되는 클럭 신호가 로우 레벨일 때, OR게이트(12)는 하이 레벨을 출력하고 이에 따라 트랜지스터(Q7)은 턴온된다. 이때, 트랜지스터(Q4)의 베이스 전압은 로우 레벨이 되어 트랜지스터(Q4)는 턴오프된다. 이에 따라 트랜지스터(Q3)의 에미터 전압과 출력 전압(Va)는 로우 레벨이 된다. 즉, 클럭 신호가 로우일 때에는 로우 레벨의 출력전압(Va)이 출력된다. 한편, 트랜지스터들(Q1,Q2)는 모두 턴온된 채 정궤환에 의해 랫치상태를 유지하게 된다.When the clock signal input to the inverter 11 is at the low level, the OR gate 12 outputs a high level and thus the transistor Q7 is turned on. At this time, the base voltage of the transistor Q4 becomes low level and the transistor Q4 is turned off. As a result, the emitter voltage and the output voltage Va of the transistor Q3 become low level. That is, when the clock signal is low, the low level output voltage Va is output. On the other hand, the transistors Q1 and Q2 are both turned on to maintain the latch state by the positive feedback.

다음에는, 클럭 신호가 로우에서 하이로 천이한 후를 살펴본다. 이때에는, 반전기(11)가 로우 레벨을 출력하게 되므로, OR게이트(12)의 두 입력신호가 모두 로우가 되어, OR게이트(12)는 로우 레벨을 출력하고 트랜지스터(Q7)은 턴오프된다. 이에 따라, 트랜지스터(Q4)의 베이스 전압은 하이 레벨이 되어 트랜지스터(Q4)은 턴온되고, 출력전압(Va)은 하이 레벨이 된다. 그리고, 트랜지스터(Q3)이 포화영역에서 동작하게 되어 에미터-콜렉터전압(트랜지스터(Q2)의 에미터-베이스 전압)이 작아지므로, 트랜지스터(Q2)는 턴오프되고 트랜지스터들(Q1,Q2)의 랫치는 풀리게 된다. 이때 트랜지스터(Q3)을 흐르는 전류는 캐패시터(C1)를 충전시킨다.Next, we will look after the clock signal transitions from low to high. At this time, since the inverter 11 outputs a low level, both input signals of the OR gate 12 go low, the OR gate 12 outputs a low level, and the transistor Q7 is turned off. . Accordingly, the base voltage of the transistor Q4 is at a high level, the transistor Q4 is turned on, and the output voltage Va is at a high level. Since the transistor Q3 is operated in the saturation region, the emitter-collector voltage (the emitter-base voltage of the transistor Q2) becomes small, so that the transistor Q2 is turned off and the transistors Q1 and Q2 are turned off. The latch is released. At this time, the current flowing through the transistor Q3 charges the capacitor C1.

캐패시터(C1)가 충전되어 캐패시터(C1) 양단 전압이 하이 레벨이 되면, OR게이트(12)가 하이 레벨을 출력하고, 이에 따라 트랜지스터(Q7)은 턴온되고 트랜지스터(Q4)는 턴오프된다. 따라서, 출력전압(Va)는 로우 레벨이 되고, 출력 신호를 통해 하나의 클럭이 완전하게 발생된다.When the capacitor C1 is charged and the voltage across the capacitor C1 becomes high level, the OR gate 12 outputs a high level, whereby the transistor Q7 is turned on and the transistor Q4 is turned off. Therefore, the output voltage Va is at a low level, and one clock is completely generated through the output signal.

그런데, 캐패시터(C1)의 충전으로 인해 트랜지스터(Q3)의 에미터 전압이 트랜지스터(Q3)의 베이스 전압(Vref-(R5IB4+VBE4+VBE3)보다 커지게 되면, 트랜지스터(Q3)은 턴오프되고 이에 따라 트랜지스터(Q2)가 턴온될 수가 있다. 저항(R3) 양단의 전압이 0.7V 보다 크다면 특징으로 하는도 턴온되어 트랜지스터들(Q1,Q2)은 랫치 상태가 된다. 그리고, 캐패시터(C1)에 충전된 전하는 트랜지스터(Q1)을 통해 방전된다. 캐패시터(C1) 양단 전압이 로우 레벨로 떨어지게 되면, OR게이트(12)는 로우를 출력하고, 트랜지스터(Q7)은 턴오프되며 트랜지스터(Q4)는 턴온되어 다시 하이 레벨의 출력신호(Va)가 출력될 수 있게 된다. 따라서, 제3도에 도시된 바와 같이, 한 주기의 클럭 신호에 대해 두 개 이상의 펄스가 발생될 수가 있다.However, when the emitter voltage of the transistor Q3 becomes larger than the base voltage Vref− (R 5 I B4 + V BE4 + V BE3 ) of the transistor Q3 due to the charging of the capacitor C1, the transistor Q3. Is turned off and transistor Q2 can be turned on, and if the voltage across resistor R3 is greater than 0.7 V, then the transistors Q1 and Q2 are also latched. The charge charged in the capacitor C1 is discharged through the transistor Q1.When the voltage across the capacitor C1 falls to a low level, the OR gate 12 outputs a low, the transistor Q7 is turned off and the transistor Q4 is turned on so that the high level output signal Va can be output again, and as shown in FIG. 3, two or more pulses can be generated for one clock signal.

특히, 제1도의 회로는 온도가 변화함에 따라 동작이 더욱 불안정해지는 특성을 가지고 있다. 상기 회로의 온도 특성에 대하여 살펴보기로 하자. 회로의 바이어스 상태를 정하기 위하여 각 능동소자에 연결되어 있는 저항들(R1,R2,R3,R4,R5)은 온도에 대한 정특성을 나타내며, 각 트랜지스터의 베이스-에미터의 스위칭 온 전압(VBE)은 온도에 대한 부특성을 나타내며 통상 -2mV/℃정도의 온도특성을 가지게 된다. 따라서, 온도가 증가하게 되면, 트랜지스터(Q1)의 베이스 전위 즉 저항(R3) 양단의 전압이 0.7V 보다 작아도 트랜지스터(Q1)이 턴온될 수 있게 되어 트랜지스터들(Q1,Q2)이 보다 랫치 작용을 하게 된다. 이에 따라, 출력전압(Va)가 하이로 변화함으로써 출력신호에 포함되는 펄스의 수가 많아질 수 있게 된다.In particular, the circuit of FIG. 1 has the characteristic that operation becomes more unstable as temperature changes. Let's look at the temperature characteristics of the circuit. The resistors R1, R2, R3, R4, and R5 connected to each active element to determine the bias state of the circuit exhibit positive characteristics with respect to temperature, and the switching-on voltage (V BE ) of the base-emitter of each transistor. ) Shows negative characteristics with respect to temperature and usually has a temperature characteristic of about -2mV / ℃. Therefore, when the temperature increases, the transistors Q1 can be turned on even when the base potential of the transistor Q1, that is, the voltage across the resistor R3 is less than 0.7V, thereby causing the transistors Q1 and Q2 to latch more. Done. As a result, the output voltage Va changes to high, thereby increasing the number of pulses included in the output signal.

이와 같이, 제1도의 랫치회로에 있어서는 기기의 주변환경이 상온보다 높아지면 오동작을 하게되는 문제점이 있었다.As described above, in the latch circuit of FIG. 1, there is a problem that a malfunction occurs when the surrounding environment of the apparatus is higher than room temperature.

따라서 본 발명의 목적은 온도가 변화해도 안정한 동작을 하는 랫치회로를 제공하는 것에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a latch circuit that performs stable operation even if the temperature changes.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 랫치회로는 제1 및 제2제어단자와 제1 및 제2바이어스단자를 구비하며, 2가지의 안정상태를 가지는 상보형 쌍안정회로와; 콜렉터와 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1바이어스단자에 연결되어 있고, 에미터가 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1제어단자에 연결되어 있으며, 상기 상보형 쌍안정회로를 선택적으로 턴온시키는 제1스위칭 트랜지스터와; 상기 제1스위칭 트랜지스터의 베이스를 바이어스하기 위한 바이어스회로와; 일 단자가 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1제어단자에 연결되어 있고, 다른 단자가 제1바이어스 레벨에 연결되는 캐패시터와; 상기 캐패시터 양단의 전압과 클럭 신호를 받아들이고, 상기 캐패시터의 양단의 전압이 로우레벨이고 상기 클럭 신호가 하이레벨인 경우에만 로우레벨을 가지는 스위칭 신호를 출력하며, 상기 클럭 신호를 반전시켜 반전된 클럭 신호를 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제2제어단자에 공급하는 게이트수단과; 상기 스위칭 신호를 받아들이고, 상기 스위칭 신호와 반대되는 위상을 가지는 출력신호를 외부에 출력함과 동시에 상기 바이어스 회로에 공급하는 출력회로를 구비하며, 상기 바이어스 회로는 바이어스 저항과; 콜렉터가 상기 제1스위칭 트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 제2바이어스 레벨에 연결되는 제1트랜지스터와; 콜렉터가 상기 제1트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 상기 바이어스 저항을 통해 상기 제1바이어스 레벨에 연결되어 있으며, 베이스로 상기 출력신호를 받아들이는 제2트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the latch circuit of the present invention comprises: a complementary bistable circuit having first and second control terminals and first and second bias terminals and having two stable states; Connected to the first bias terminal of the collector and the complementary bistable circuit, the emitter is connected to the first control terminal of the complementary bistable circuit, and selectively turns on the complementary bistable circuit. A first switching transistor; A bias circuit for biasing the base of the first switching transistor; A capacitor having one terminal connected to the first control terminal of the complementary bistable circuit, and the other terminal connected to a first bias level; Accepts a voltage across the capacitor and a clock signal, outputs a switching signal having a low level only when the voltage across the capacitor is low and the clock signal is high, and inverts the clock signal to invert the clock signal Gate means for supplying a signal to the second control terminal of the complementary bistable circuit; An output circuit which accepts the switching signal and outputs an output signal having a phase opposite to the switching signal to the outside and is supplied to the bias circuit, the bias circuit comprising: a bias resistor; A first transistor having a collector connected to the base of the first switching transistor and an emitter connected to a second bias level; The collector is connected to the base of the first transistor, the emitter is connected to the first bias level through the bias resistor, characterized in that it comprises a second transistor for receiving the output signal to the base.

이어서 본 발명에 관하여 첨부한 도면을 이용하여 상세히 설명하기로 한다.Next, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 의한 랫치회로의 회로도이다. 제2도에 있어서, 제1도상의 요소와 대응하는 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용한다.2 is a circuit diagram of a latch circuit according to the present invention. In FIG. 2, the same reference numerals are used for elements corresponding to those in FIG.

제2도의 랫치회로는 상보형 쌍안정회로(10)와, 반전기(11)과, OR게이트(12)와, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)와, 출력회로(20)와, 바이어스 회로(30)와, 저항들(R1,R2,R3,R6)과, 캐패시터(C1)를 포함한다.The latch circuit of FIG. 2 includes a complementary bistable circuit 10, an inverter 11, an OR gate 12, a first switching transistor Q3, an output circuit 20, and a bias circuit 30. ), Resistors R1, R2, R3, and R6, and capacitor C1.

상보형 쌍안정회로(10)에 있어서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에는 저항(R1)을 통해 기준전압(Vref)이 공급되고, 트랜지스터(Q1)의 에미터는 접지되어 있다. 또한, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 트랜지스터(Q2)의 베이스에 연결되어 있고, 트랜지스터(Q1)의 베이스는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 저항(R3)을 통해 접지되어 있고, 트랜지스터(Q2)의 에미터는 저항(R2)의 일 단자 및 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 연결되어 있다. 저항(R2)의 다른 단자에는 기준전압(Vref)이 인가된다.In the complementary bistable circuit 10, the collector of transistor Q1 is supplied with reference voltage Vref through resistor R1, and the emitter of transistor Q1 is grounded. In addition, the collector of transistor Q1 is connected to the base of transistor Q2, and the base of transistor Q1 is connected to the collector of transistor Q2. The collector of transistor Q2 is grounded through resistor R3, and the emitter of transistor Q2 is connected to one terminal of resistor R2 and the collector of transistor Q3. The reference voltage Vref is applied to the other terminal of the resistor R2.

상기 상보형 쌍안정회로(10)는 2가지 안정상태를 가지게 된다. 즉 Q1이 온상태이면 Q2도 온상태가 되고 Q1이 오프상태가 되면 Q2도 오프상태가 된다.The complementary bistable circuit 10 has two stable states. That is, when Q1 is on, Q2 is on, and when Q1 is off, Q2 is off.

제1스위칭 트랜지스터(Q3)의 콜렉터는 트랜지스터(Q2)의 에미터에 연결되어 있고, 그 에미터는 트랜지스터(Q2)의 베이스 및 캐패시터(C1)의 일 단자에 연결되어 있다. 캐패시터(C1)의 다른 단자는 접지되어 있다.The collector of the first switching transistor Q3 is connected to the emitter of the transistor Q2, and the emitter is connected to the base of the transistor Q2 and one terminal of the capacitor C1. The other terminal of capacitor C1 is grounded.

상기 제1스위칭 트랜지스터(Q3)은 그 베이스에 인가되는 전압에 따라 상보형 쌍안정회로(10)를 스위칭시킨다. 즉, 트랜지스터(Q3)의 콜렉터-에미터간 전압은 트랜지스터(Q2)의 에미터-베이스간 전압과 동일하므로, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)가 턴온되어 포화영역에 있게 되면 트랜지스터(Q2)의 에미터-베이스간 전압은 아주 작은 값(대략 0.2V)을 가지게 되어 트랜지스터(Q2)는 턴오프된다. 제1스위칭 트랜지스터(Q3)가 포화영역에 있지 않아 트랜지스터(Q2)의 에미터-베이스간 전압이 0.7V보다 큰 값을 가지는 경우에는, 트랜지스터(Q2)는 턴온된다. 이때, 트랜지스터(Q1)도 턴온되어 상보형 쌍안정회로(10)는 랫치 상태를 유지한다. 한편, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)가 턴온되었을 때, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)를 흐르는 전류는 캐패시터(C1)을 충전시킨다.The first switching transistor Q3 switches the complementary bistable circuit 10 according to the voltage applied to the base thereof. That is, since the collector-emitter voltage of the transistor Q3 is the same as the emitter-base voltage of the transistor Q2, the emitter of the transistor Q2 is turned on when the first switching transistor Q3 is turned on and is in the saturation region. The base-to-base voltage has a very small value (approximately 0.2V), so transistor Q2 is turned off. When the first switching transistor Q3 is not in the saturation region and the emitter-base voltage of the transistor Q2 has a value larger than 0.7V, the transistor Q2 is turned on. At this time, the transistor Q1 is also turned on so that the complementary bistable circuit 10 maintains a latched state. On the other hand, when the first switching transistor Q3 is turned on, the current flowing through the first switching transistor Q3 charges the capacitor C1.

반전기(11)는 클럭 신호를 받아들이고 반전시켜 반전된 클럭 신호를 출력한다. OR게이트(12)의 일 입력단자는 트랜지스터(Q3)의 에미터에 연결되어 있고, 다른 입력 단자는 반전기(11)의 출력단자에 연결되어 있다. 반전기(11)의 출력단자는 트랜지스터(Q1)의 베이스에도 연결되어 있다.The inverter 11 receives the clock signal, inverts it, and outputs the inverted clock signal. One input terminal of the OR gate 12 is connected to the emitter of the transistor Q3, and the other input terminal is connected to the output terminal of the inverter 11. The output terminal of the inverter 11 is also connected to the base of the transistor Q1.

출력회로(20)는 제2-스위칭 트랜지스터(Q7)와 트랜지스터(Q4)와 전류제한저항(R5)를 포함한다. 제2-스위칭 트랜지스터(Q7)의 베이스는 OR게이트(12)의 출력단자에 연결되어 있고, 그 에미터는 접지되어 있다. 트랜지스터(Q4)의 콜렉터에는 전원전압(Vcc)이 인가되고, 그 베이스는 제2스위칭 트랜지스터(Q7)의 콜렉터 및 저항(R5)의 일 단자에 연결되어 있다. 저항(R5)의 다른 단자는 기준전압(Vref) 레벨에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q4)의 에미터전위는 출력전압(Va)로써 출력된다. 상기 제2-스위칭 트랜지스터(Q7)이 오프상태인 경우 트랜지스터(Q4)의 베이스에는 하이레벨이 인가되고 트랜지스터(Q4)는 포화상태가 되어, 출력전압(Va)은 Vref-Vbe의 하이레벨이 된다. 한편, 제2스위칭 트랜지스터(Q7)이 온상태인 경우 트랜지스터(Q4)의 베이스에는 로우 레벨이 인가되고 트랜지스터(Q4)는 턴오프되어, 출력전압(Va)은 로우 레벨이 된다.The output circuit 20 includes a second switching transistor Q7, a transistor Q4, and a current limiting resistor R5. The base of the second switching transistor Q7 is connected to the output terminal of the OR gate 12, and the emitter is grounded. A power supply voltage Vcc is applied to the collector of the transistor Q4, and its base is connected to the collector of the second switching transistor Q7 and one terminal of the resistor R5. The other terminal of resistor R5 is connected to the reference voltage level Vref. The emitter potential of the transistor Q4 is output as the output voltage Va. When the second-switching transistor Q7 is in an off state, a high level is applied to the base of the transistor Q4 and the transistor Q4 is saturated, and the output voltage Va becomes a high level of Vref-Vbe. . On the other hand, when the second switching transistor Q7 is in the on state, a low level is applied to the base of the transistor Q4 and the transistor Q4 is turned off, so that the output voltage Va becomes a low level.

한편, 바이어스 회로(30)에 있어서, 트랜지스터(Q5)의 콜렉터는 제1스위칭 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q5)의 에미터에는 기준전압(Vref)이 공급되고, 트랜지스터(Q5)의 베이스는 트랜지스터(Q6)의 콜렉터에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q6)의 에미터는 저항(R6)을 통해 접지되어 있고, 트랜지스터(Q5)의 베이스는 트랜지스터(Q4)의 에미터에 연결되어 있다.On the other hand, in the bias circuit 30, the collector of the transistor Q5 is connected to the base of the first switching transistor Q3. The reference voltage Vref is supplied to the emitter of the transistor Q5, and the base of the transistor Q5 is connected to the collector of the transistor Q6. The emitter of transistor Q6 is grounded through resistor R6, and the base of transistor Q5 is connected to the emitter of transistor Q4.

이하, 본 발명에 의한 랫치회로의 동작을 설명한다.The operation of the latch circuit according to the present invention will be described below.

반전기(11)에 입력되는 클럭 신호가 로우 레벨일 때, OR게이트(12)는 하이 레벨을 출력하고 이에 따라 트랜지스터(Q7)은 턴온된다. 이때, 트랜지스터(Q4)의 베이스 전압은 로우 레벨이 되고 트랜지스터(Q4)는 턴오프된다. 이에 따라 출력전압(Va)는 로우 레벨이 된다. 즉, 클럭 신호가 로우일 때에는 로우 레벨의 출력전압(Va)이 출력된다.When the clock signal input to the inverter 11 is at the low level, the OR gate 12 outputs a high level and thus the transistor Q7 is turned on. At this time, the base voltage of the transistor Q4 goes low and the transistor Q4 is turned off. As a result, the output voltage Va becomes a low level. That is, when the clock signal is low, the low level output voltage Va is output.

한편, 이때 반전기(11)가 하이를 출력하기 때문에, 트랜지스터(Q1)은 턴온된다. 트랜지스터(Q1)이 턴온되면, 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위는 로우 레벨이 되어 트랜지스터(Q2)도 턴온된다. 이에 따라, 튼랜지스터들(Q1,Q2)는 모두 턴온된 채 정궤환에 의해 랫치 상태를 유지하게 된다.On the other hand, since the inverter 11 outputs high at this time, the transistor Q1 is turned on. When transistor Q1 is turned on, the base potential of transistor Q2 is at a low level, and transistor Q2 is also turned on. Accordingly, the strong transistors Q1 and Q2 are both turned on to maintain the latch state by the positive feedback.

다음에는, 클럭 신호가 로우에서 하이로 천이한 후를 살펴본다. 이때에는, 반전기(11)가 로우 레벨을 출력하게 된다. 만약 트랜지스터(Q3)의 에미터 전위가 로우 레벨이라 가정하면, OR게이트(12)의 두 입력신호가 모두 로우가 되어 OR게이트(12)는 로우 레벨을 출력하고 트랜지스터(Q7)은 턴오프된다. 이에 따라, 트랜지스터(Q4)의 베이스 전압은 하이 레벨이 되어 트랜지스터(Q4)는 턴온되고, 출력전압(Va)은 하이 레벨이 된다.Next, we will look after the clock signal transitions from low to high. At this time, the inverter 11 outputs a low level. If the emitter potential of transistor Q3 is at low level, both input signals of OR gate 12 go low, so OR gate 12 outputs low level and transistor Q7 is turned off. Accordingly, the base voltage of the transistor Q4 becomes high level, the transistor Q4 is turned on, and the output voltage Va becomes high level.

트랜지스터(Q4)가 턴온되었을 때, 트랜지스터들(Q6,Q5)는 턴온된다. 이때, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)의 베이스에는 Vref-VCE,sat,Q4의 높은 전압이 인가되기 때문에, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)도 턴온되어 포화영역에 있게 된다. 제1스위칭 트랜지스터(Q3)이 에미터-콜렉터 전압(트랜지스터(Q2)의 에미터-베이스 전압)이 작아지므로, 트랜지스터(Q2)는 턴오프되고 트랜지스터들(Q1,Q2)의 랫치는 풀리게 된다. 이때 트랜지스터(Q3)을 흐르는 전류는 캐패시터(C1)를 충전시킨다. 캐패시터(C1)의 충전으로 인해 캐패시터(C1) 양단 전압이 일정한 레벨을 넘게 되면, OR게이트(12)는 하이를 출력하여 트랜지스터(Q7)을 턴온시킨다. 이에 따라, 출력전압(Va)는 로우 레벨로 천이하게 된다.When transistor Q4 is turned on, transistors Q6 and Q5 are turned on. At this time, since a high voltage of Vref-V CE, sat, Q4 is applied to the base of the first switching transistor Q3, the first switching transistor Q3 is also turned on to be in a saturation region. Since the first switching transistor Q3 becomes smaller the emitter-collector voltage (the emitter-base voltage of the transistor Q2), the transistor Q2 is turned off and the latches of the transistors Q1 and Q2 are released. At this time, the current flowing through the transistor Q3 charges the capacitor C1. When the voltage across the capacitor C1 exceeds a predetermined level due to the charging of the capacitor C1, the OR gate 12 outputs high to turn on the transistor Q7. As a result, the output voltage Va transitions to the low level.

이와 같이, 제2도의 랫치회로는 클럭 신호가 하이 레벨인 동안 일정한 폭을 가진 하나의 펄스를 발생하여 출력함으로써 오실레이터(미도시됨)가 상기펄스에 따라 발진을 하도록 하였다.As described above, the latch circuit of FIG. 2 generates and outputs a pulse having a constant width while the clock signal is at a high level so that the oscillator (not shown) oscillates according to the pulse.

한편, 제2도의 회로에 있어서, 캐패시터(C1)가 충전되어 캐패시터(C1) 양단전압 즉 제1스위칭 트랜지스터(Q3)의 에미터 전위가 Vref-VCE,sat,Q4-VBE,Q3보다 커지게 되면, 제1스위칭 트랜지스터(Q3)은 턴오프되고 트랜지스터(Q2)가 턴온될 수 있다. 그렇지만, 캐패시터 양단 전압이 종래에 비해 증가되었기 때문에(종래에 비해 VBE와 VCE,sat만큼의 차이 즉 약 0.5V만큼 증가됨), 이러한 트랜지스터(Q2)의 턴온 현상은 그리 쉽게 나타나지 않는다. 따라서, 트랜지스터들(Q1,Q2)이 기생적으로 랫치되는 현상은 잘 발생하지 않게 되며, 한 주기의 클럭 신호에 대해 두 개 이상의 펄스가 발생될 가능성이 작아지게 있다. 특히, 제2도의 회로는 온도가 변화하는 경우에는 동작이 더욱 안정해지는 특성을 가지게 된다.On the other hand, in the circuit of FIG. 2, the capacitor C1 is charged so that the voltage across the capacitor C1, that is, the emitter potential of the first switching transistor Q3 is greater than Vref-V CE, sat, Q4 -V BE, Q3 . In this case, the first switching transistor Q3 may be turned off and the transistor Q2 may be turned on. However, since the voltage across the capacitor is increased in comparison with the related art (a difference between V BE and V CE, sat, that is, increased by about 0.5V , compared with the conventional case), such a turn-on phenomenon of the transistor Q2 does not appear very easily. Accordingly, the parasitic latching of the transistors Q1 and Q2 is less likely to occur, and the possibility of generating two or more pulses for a clock signal of one cycle becomes small. In particular, the circuit of FIG. 2 has a characteristic that the operation becomes more stable when the temperature changes.

제3도와 온도가 상온이상이고 이벽단자에 구형펄스를 인가하는 경우에 종래회로와 본 발명에 의한 회로의 출력파형을 나타낸 것으로서, 종래에 있어서는 한 주기의 클럭 펄스에 대해서 여러 개의 출력 펄스가 발생되지만, 본 발명에 의한 회로에서는 입력단자에 인가되는 신호의 하이레벨인 구간에서 한번에 펄스만을 나타냄을 알 수 있다.Figure 3 shows the output waveforms of the conventional circuit and the circuit according to the present invention when the temperature is above room temperature and the spherical pulse is applied to the two-wall terminals. In the conventional art, several output pulses are generated for one cycle of clock pulses. In the circuit according to the present invention, it can be seen that only one pulse is displayed at a time in a high level section of a signal applied to an input terminal.

상술한 바와 같이 본 발명은 종래의 랫치회로의 온도 특성을 개선한 것으로서 이를 SMPS(Switched Mode Power Supply)와 같은 불연속 모드 오실레이터의 제어회로로서 사용하는 경우 안정되고 신뢰성있는 동작을 얻을 수가 있다.As described above, the present invention improves the temperature characteristics of a conventional latch circuit, and when used as a control circuit of a discontinuous mode oscillator such as a switched mode power supply (SMPS), a stable and reliable operation can be obtained.

Claims (4)

제1 및 제2제어단자와 제1 및 제2바이어스단자를 구비하며, 2가지의 안정상태를 가지는 상보형 쌍안정회로(10)와; 콜렉터와 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1바이어스단자에 연결되어 있고, 에미터가 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1제어단자에 연결되어 있으며, 상기 상보형 쌍안정회로를 선택적으로 턴온시키는 제1스위칭 트랜지스터(Q3)와; 상기 제1스위칭 트랜지스터의 베이스를 바이어스하기 위한 바이어스 회로(30)와; 일 단자가 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제1제어단자에 연결되어 있고, 다른 단자가 제1바이어스 레벨에 연결되는 캐패시터(C1)와; 상기 캐패시터 양단의 전압과 클럭 신호를 받아들이고, 상기 캐패시터의 양단의 전압이 로우레벨이고 상기 클럭 신호가 하이레벨인 경우에만 로우레벨을 가지는 스위칭 신호를 출력하며, 상기 클럭 신호를 반전시켜 반전된 클럭 신호를 상기 상보형 쌍안정회로의 상기 제2제어단자에 공급하는 게이트수단(11 및 12)과; 상기 스위칭 신호를 받아들이고, 상기 스위칭 신호와 반대되는 위상을 가지는 출력신호를 외부에 출력함과 동시에 상기 바이어스 회로에 공급하는 출력회로(20)를 구비하는 랫치회로에 있어서, 상기 바이어스 회로(30)는 바이어스 저항(R6)과; 콜렉터가 상기 제1스위칭 트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 제2바이어스 레벨에 연결되는 제1트랜지스터(Q4)와; 콜렉터가 상기 제1트랜지스터의 베이스에 연결되어 있고, 에미터가 상기 바이어스 저항을 통해 상기 제1바이어스 레벨에 연결되어 있으며, 베이스로 상기 출력신호를 받아들이는 제2트랜지스터(Q5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 랫치회로.A complementary bistable circuit (10) having first and second control terminals and first and second bias terminals and having two stable states; Connected to the first bias terminal of the collector and the complementary bistable circuit, the emitter is connected to the first control terminal of the complementary bistable circuit, and selectively turns on the complementary bistable circuit. A first switching transistor Q3; A bias circuit (30) for biasing the base of the first switching transistor; A capacitor C1 having one terminal connected to the first control terminal of the complementary bistable circuit and the other terminal connected to a first bias level; Accepts a voltage across the capacitor and a clock signal, outputs a switching signal having a low level only when the voltage across the capacitor is low and the clock signal is high, and inverts the clock signal to invert the clock signal Gate means (11 and 12) for supplying to the second control terminal of the complementary bistable circuit; In the latch circuit having an output circuit (20) for receiving the switching signal and outputting an output signal having a phase opposite to the switching signal to the outside and to the bias circuit, the bias circuit (30) A bias resistor R6; A first transistor (Q4) having a collector connected to the base of the first switching transistor and an emitter connected to a second bias level; A collector connected to the base of the first transistor, an emitter connected to the first bias level through the bias resistor, and a second transistor Q5 receiving the output signal to the base; Latch circuit. 제1항에 있어서, 상기 상보형 쌍안정회로는 콜렉터가 상기 제1제어단자에 연결되어 있으며 소정의 제1바이어스 수단을 통해 상기 제2바이어스 레벨로 연결되고, 베이스가 상기 제2제어단자에 연결되어 있으며, 에미터가 상기 제1바이어스 레벨에 연결되는 제3트랜지스터와; 에미터가 상기 제1바이어스단자에 연결되어 있으며 소정의 제2바이어스 수단을 통해 상기 제2바이어스 레벨로 바이어스되고, 베이스가 상기 제1제어단자에 연결되어 있으며, 콜렉터가 상기 제2제어단자에 연결되는 제4트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 랫치회로.The complementary bistable circuit of claim 1, wherein a collector is connected to the first control terminal, the second bias level is connected to the second control terminal through a predetermined first bias means, and a base is connected to the second control terminal. A third transistor having an emitter coupled to the first bias level; An emitter is connected to the first bias terminal, biased to the second bias level via a predetermined second bias means, a base is connected to the first control terminal, and a collector is connected to the second control terminal. And a fourth transistor to be used. 제1항에 있어서, 상기 게이트수단은 상기 클럭 신호를 받아들이고 반전시켜 반전된 클럭 신호를 출력하는 반전기와; 상기 반전기의 출력과 상기 캐패시터 양단의 전압을 받아들이고 논리합하는 OR게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 랫치회로.2. The apparatus of claim 1, wherein the gate means comprises: an inverter configured to receive and invert the clock signal to output an inverted clock signal; And an OR gate for accepting and ORing the output of the inverter and the voltage across the capacitor. 제1항에 있어서, 상기 출력회로는 게이트로 상기 스위칭 신호로 받아들이고, 에미터가 상기 제1바이어스 레벨에 연결되어 있는 제2-스위칭 트랜지스터와; 상기 제2바이어스 레벨과 상기 제2-스위칭 트랜지스터의 콜렉터에 연결되는 전류제한저항과; 콜렉터가 전원전압 레벨에 연결되고, 베이스가 상기 제2-스위칭 트랜지스터의 콜렉터에 연결되며, 에미터가 상기 바이어스 회로에 연결되는 제5트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 랫치회로.2. The apparatus of claim 1, wherein the output circuit comprises: a second switching transistor, the gate of which receives the switching signal and whose emitter is connected to the first bias level; A current limiting resistor connected to the second bias level and the collector of the second switching transistor; And a fifth transistor having a collector connected to a power supply voltage level, a base connected to a collector of the second switching transistor, and an emitter connected to the bias circuit.
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