KR0166413B1 - 플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화방법 및 이를 수행하는 장치 - Google Patents

플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화방법 및 이를 수행하는 장치 Download PDF

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Abstract

소각로 및 산업용 보일러 등에서 연소 시에 배출되는 배기가스에 포함된 미세분진 뿐만 아니라 유해가스도 동시에 제거하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법 및 이를 수행하는 장치가 개시된다. 사이클론 장치에 배기가스를 유입받아 코로나 전류를 방전시켜 원심력에 쿨롱력 및 전기유동에 의하여 분진을 제거하며, 고전압 및 고온상태에서 상기 배기가스를 플라즈마 형태로 변형시킨다. 상기 플라즈마에 고전압 및 저온의 상태에서 활성 레디칼상태로 변형시키고, 상기 레디칼을 연쇄적으로 방전화학반응시켜 가스상태의 오염물질을 입자상태로 변형시켜 제거한다.

Description

플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법 및 이를 수행하는 장치
본 발명은 플라즈마 사이클론 장치 및 상기 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법에 관한 것으로, 특히 소각로 및 산업용 보일러 등에서 연소시에 배출되는 배기가스에 포함된 미세분진 및 유해가스를 동시에 제거시키는 플라즈마 사이클론 장치 및 상기 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법에 관한 것이다.
최근에 관심이 고조되고 있는 환경에 관한 문제 가운데서도 유해가스등에 의한 대기오염의 문제는 전 세계적인 사회문제이다. 청정한 대기는 인류가 공존하기 위하여 필수 불가결한 요소이기 때문에 전세계적으로 각종 협약 및 규제를 통하여 대기오염을 방지하기 위한 움직임이 가속화되는 추세이다. 이러한 추세에 의해 대기 오염을 방지하기 위한 각종장치의 설치 필요성이 급증하고 있으며, 점차 강화되는 환경오염규제에 대처하기 위한 고효율의 대기오염방지장치가 요구된다.
대기오염의 주원인은 고체입자상태의 분진과 산화황(SOx), 산화질소(NOx), 염화수소(HCL) 및 휘발성유기화물(Volatile Organic Compound: 이하 VOC라함)을 포함하는 유해가스이다. 상기 대기오염물질이 포함되어 있는 유해가스는 산업체의 오일 및 석탄연소 보일러, 자동차, 제철/제강 및 시멘트 플랜트로부터 주로 배출되고 있다. 그리고, 최근에는 분진 및 가스상의 유해물을 동시에 제거할 수 있는 복합시스템에 대한 연구가 활발한 추세이다. 상기 분진 및 가스상의 유해물을 제거하기위한 대기오염 방지장치는 습식방식 및 건식방식으로 구분되며, 건식방식의 대기오염 방지장치에서 대표적인 예는 사이클론 장치이다.
사이클론 장치는 원심력을 이용하여 배기가스 중에 포함되어 있는 분진을 제거하는 장치이다. 사이클론 장치는 구조가 간단하고 설치원가 및 운전비가 저렴하기 때문에 대표적인 방지장치로 사용되고 있으며, 보건 위생분야에서 호흡에 의하여 인체의 흡입이 가능한 서브 미크론 크기의 입자를 집진하는 본체 직경 10mm이하에서부터 각종 산업단계에서 배출되는 오염가스로부터 입자상의 물질을 집진하는 7∼8m의 크기로 다양하게 적용되고 있다.
제1도는 종래의 사이클론 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 제1도에 도시된 바와 같이, 일반적인 건식방식의 대기오염 방지장치인 사이클론은, 오일 및 석탄등을 연소시키는 소각로(1)로 부터 연료의 연소시에 배출되는 배기가스를 사이클론 장치(2)로 유입 받아 배기가스에 포함된 분진을 제거한다. 상기 사이클론 장치(2)를 통과한 공기는 흡입팬(3)의 동작에 의하여 굴뚝(4)을 통하여 외부로 배출시키게 된다.
상기 사이클론 장치(2)는 상기 소각로(1)와 연결된 제1유로(2A)를 통하여 연소시에 발생하는 배기가스를 유입 받으며, 상기 흡입팬(3)과 연결되고, 내부로 소정길이 돌출되어 형성된 제2유로(2B)를 통하여 정화된 가스를 배출한다. 사이클론 본체(2C)는 하부의 폭이 상부의 폭보다 좁은 원통형태이며, 그 하부에는 분진을 포집하는 분진실(2D)이 설치된다.
이와 같이 구성된 종래의 사이클론 장치는 소각로(1)등에서 석탄 및 오일등이 연소할 때 발생하는 배기가스가 제1유로(2A)를 통하여 사이클론 본체(2C)로 유입된다. 상기 소각로(1)에서 10∼20m/s의 풍속으로 배출된 배기가스는 상기 사이클론 본체(2C)에 유입되면 선회하게 된다. 상기 사이클론 본체(2C)에 유입된 배기가스가 선회하면 배기가스 중에 포함되어 있는 분진은 원심력에 의하여 사이클론 본체(2C)의 내벽에 부딪치면서 낙하되어 분진실(2D)에 포집된다. 상기 소각로(1)에서 배출된 배기가스에서 분진이 제거되고 정화된 청정공기는 상승되어 상기 사이클론 본체(2C)의 중앙부에 소정깊이로 돌출 형성된 제2유로(2B)를 통하여 배출된다. 상기 흡입팬(3)은 상기 제2유로(2B)와 굴뚝(4)사이에 설치되어 상기 사이클론 본체(2C)로 부터 청정공기의 배출을 촉진시킨다.
상기와 같이 구성된 종래의 사이클론 장치는 구조가 간단하며, 설치원가 및 유지비가 저렴한 장점은 있으나, 대부분의 관성력을 이용한 집진 장치와 마찬가지로 원심력을 이용하여 분진을 포집하기 때문에 원심력에 의하여 제어되지 못하는 직경이 수 μ이하의 미세분진인 경우에는 이러한 원심력을 이용한 제거장치로는 포집이 효율적이지 못한 문제점이 있다.
또한, 종래의 사이클론 장치는 소각로나 산업체의 보일러에서 배출되는 배기가스 중에 포함되어 있는 산화황, 산화질소, 염화수소 및 휘발성 유기화물등의 유해가스를 제거하지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해소하기 위하여 창안된 것으로, 원심력을 이용하여 분진을 포집하고, 코로나 방전을 통하여 유해물질을 제거하여 직경 수 μ이하의 미세분진 뿐만 아니라 배기가스 중에 포함된 산화황등의 유해가스도 동시에 효과적으로 제거하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 원심력을 이용하여 분진을 포집하는 사이클론 장치를 복수 개로 구성하고, 상기 복수개의 사이클론 장치에 코로나 방전에 의한 오염물 제거수단을 추가하여 원심력과 전기력을 이용하여 미세분진 및 유해가스를 동시에 정화하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스 정화장치를 제공하기 위함이다.
여기서, 플라즈마 사이클론 장치는 사이클론장치내로 유입되는 미세분진 및 유해가스를 플라즈마상태 즉, 이온상태로 변형시키며, 변형된 플라즈마를 제거하는 장치를 통칭한다.
제1도는 종래의 사이클론 장치를 이용한 배기가스 정화장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고,
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 사이클론 장하다 이용한 배기가스 정화장치를 설명하기 위한 개략도인 구성도이고,
제3도는 제2도에서 도시한 플라즈마 사이클론 장치의 일부 상세도이고, 그리고
제4도는 본 발명에 따른 배기가스정화장치에서 전하의 하전에 따른 집진 효율의 증가를 나타내기 위한 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 소각로 11 : 제1유로
20 : 제1사이클론 장치 21 : 제2유로
21A,21B : 지지대 22 : 분진실
21C : 코로나방전극 30 : 제2사이클론 장치
31A,31B : 지지대 32 : 분진실
31C : 코로나방전극 40 : 고전압공급장치
50 : 흡입팬 60 : 굴뚝
상기의 목적을 수행하기 위해 본 발명은 전처리 집진단계를 통하여 사이클론 장치로 유입된 배기가스에 고전압을 방전시켜 원심력및 쿨롱력으로 분진을 제거한다.
플라즈마 생성단계를 통하여 상기 전처리 집진단계를 통과한 배기가스에 포함된 유해물질을 고전압 및 고온의 상태에서 활성 래디칼 상태로 변형시킨다. 그리고, 플라즈마 화학처리단계를 통하여 상기 플라즈마 생성단계를 통과한 배기가스에 펄스 간격이 짧은 고전압을 인가하여, 저온 상태에서 전자의 가속에너지를 증가시켜 배기가스에 포함된 유해물질을 활성 레디칼 상태로의 변형을 촉진시킴과 동시에, 상기 활성 레디칼을 이용한 연쇄 방전화학반응에 의하여 가스상태의 오염물질을 고체의 분진입자로 변형시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 생성단계및 플라즈마 화학처리단계에서 인가되는 고전압의 펄스폭은 100∼500ns이고, 상기 플라즈마 생성단계및 플라즈마 화학처리단계에서 인가되는 고전압의 주파수는 500Hz미만이다. 그리고, 상기 플라즈마 생성단계 및 플라즈마 화학처리단계에서 인가되는 고전압은 20∼100ns의 증가시간을 지니고 있다.
본 발명의 다른 특징은 연료를 연소하는 소각로와 제1유로를 통하여 제1사이클론 장치가 연결되어 배기가스가 유입되고, 제2사이클론 장치가 상기 제1사이클론 장치와 제2유로를 통하여 연결되어 상기 제1사이클론 장치에서 배출된 가스가 유입된다. 상기 제2유로 내에는 코로나 방전극이 다수의 지지대에 의하여 지지되며, 상기 제1사이클론 장치의 내부로 소정길이 돌출되어 설치되어, 고전압을 인가받아 방전하며, 상기 제3유로 내에도 코로나 방전극이 다수의 지지대에 의하여 지지되며, 상기 제2사이클론 장치의 내부로 소정길이 돌출되어 설치되고, 고전압을 인가받아 방전한다. 그리고, 상기 제1사이클론장치내의 코로나 방전극및 제2사이클론장치내의 코로나 방전극에 고전압이 인가되고, 상기 제2사이클론 장치에서 배출된 가스는 제3유로를 통하여 흡입팬에 유입되고, 최종적으로 상기 배출가스는 굴뚝을 통하여 배출된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 상기 코로나 방전극은 원형 상태의 철선(Wire)이며, 상기 제2유로의 내부에 청정공기와 오염공기를 분리하는 분리벽이 추가된다.
본 발명은 바람직하게는 상기 제2유로의 전위는 영준위이고, 상기 제2사이클론 장치와 상기 흡입팬 사이에 적어도 하나 이상의 사이클론 장치가 추가로 설치된다.
따라서, 본 발명은 소각로 및 산업용 보일러 등에서 발생하는 배기가스에 원심력, 전기유동효과및 쿨롱력을 작용시켜 직경 수μ이하의 미세분진을 제거할 수 있을뿐만 아니라 고전압에 의한 코로나전류에 의하여 플라즈마 상태에서 활성레디칼을 생성시키고, 이 활성레디칼을 전자가속에너지에 의한 연속적인 화학반응에 의하여 배기가스 중에 포함된 유해가스도 효과적으로 제거한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 구성 및 동작을 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
본 발명의 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스 정화장치는, 제2도에 도시된 바와 같이, 산업체 등에서 오일 및 석탄등을 연소시키기 위한 소각로(10)가 제1유로(11)를 통하여 제1사이클론장치(20)에 연결된다. 상기 소각로(10)에서 배출된 배기가스는 상기 제1사이클론 장치(20)에 유입되어 정화되고, 제1사이클론 장치(20)의 상부에서 소정길이 내부로 돌출되어 형성된 제2유로(21)를 통하여 가스가 배출된다. 상기 제1사이클론 장치(20)는 하부의 폭이 상부의 폭보다 좁은 원통형태로 구성되며, 그 하부에는 분진을 포집하는 분진실(22)이 설치된다.
또한, 상기 제1사이클론 장치(20)에서 배출되는 가스는 상기 제2유로(21)를 통하여 상기 제2사이클론 장치(30)에 유입된다. 상기 제2사이클론 장치(30)는 상기 제1사이클론 장치(20)와 상기 제2유로(21)를 통하여 연결되며, 상기 제2사이클론 장치(30)의 상부에서 소정길이 내부로 돌출되어 형성된 제3유로(31)를 통하여 가스가 배출된다. 상기 제2사이클론 장치(30)의 구성 역시 하부의 폭이 상부의 폭보다 좁은 원통형태로 구성되며, 그 하부에는 분진을 포집하는 분진실(32)이 설치된다.
상기 제3유로(31)는 가스의 배출을 원활히 하는 흡입팬(50)을 통하여 굴뚝(60)과 연결되며, 상기 굴뚝(60)을 통하여 정화된 공기가 외부로 배출된다.
제3도는 제2도에서 도시한 배기가스정화장치의 일부상세도이다.
여기서, 상기 제1및 제2사이클론 장치(20,30)는 제3도에서 보는 바와 같이, 상기 제2유로(21)에는 고전압 공급장치(40)에서 고전압을 인가 받아 코로나 방전하는 원형 철선 형태의 코로나 방전극(21C)이 상기 제1사이클론 장치(20)의 내부에 소정길이 돌출되어 형성된다. 상기 코로나 방전극(21C)은 다수의 지지대(21A,21B)에 의하여 지지되며, 상기 제2유로(21)에는 분리벽(23)이 설치되어 청정공기와 오염공기를 분리한다.
그리고, 상기 제3유로(31)에도 마찬가지로 고전압 공급장치(40)에서 고전압을 인가 받아 코로나 방전하는 원형 철선 형태의 코로나 방전극(31C)이 상기 제2사이클론 장치(30)의 내부로 소정길이 돌출되며, 상기 코로나 방전극(31C)은 다수의 지지대(31A,31B)에 의하여 지지된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화방법 및 이를 수행하는 장치의 동작을 설명한다.
제4도는 본 발명에 따른 플라즈마 사이클론 장치에서 전하의 하전에 따른 분진효율증가를 나타내는 그래프이다.
먼저, 산업체의 보일러나 소각로(10)등에서 석유나 석탄등이 연소할 때 발생하는 배기가스가 제1유로(11)를 통하여 제1사이클론 장치(20)로 유입되면 고전압 및 고온에 의한 전처리 집진 단계가 수행된다. 상기 소각로(10)등에서 10∼20m/s의 풍속으로 배출된 배기가스가 제1사이클론 장치(20)에 유입되면 제1사이클론 장치(20)내에서 선회하게 된다. 상기 배기가스중에 포함되어 있는 분진 등은 선회하면서 원심력이 생성되고, 상기 원심력에 의하여 입자가 큰 분진은 제1사이클론 장치(20)의 내벽에 부딪치면서 낙하되어 분진실(22)에 포집된다. 상기 소각로(10)등에서 배기가스가 제1사이클론 장치(20)에 유입됨과 동시에 고전압 공급장치(40)에서는 상기 제1사이클론 장치(20)의 내부로 소정길이 돌출되어 있는 원형의 코로나 방전극(21C)의 펄스폭이 극히 짧은 고전압이 인가된다. 이때, 상기 제1사이클론 장치(20)의 외벽이 접지극의 역할을 한다. 상기 코로나 방전극(21C)에 고전압이 인가되면 코로나 방전극(21C)에서는 코로나가 방전되고, 방전된 코로나에 의하여 유입된 배기가스 중에 포함된 미세분진 및 유해물질이 대전된다. 상기 제1사이클론 장치(20)에 유입된 배기가스에 포함된 미세분진은 선회하여 발생하는 원심력에 상기 코로나 방전극(21C)에 인가된 고전압에 의하여 생성된 코로나로부터 대전됨으로써 쿨롱력이 첨가된다. 즉, 제1사이클론(20)내에 대전되어 있는 미세분진 사이에는 작용하는 쿨롱력(F)은 다음과 같다.
F=q1q2/4πεr2
여기서, q1,q1=미세분진에 하전된 전하량이고 ε=8.854 pF/m이다.
또한, 상기 코로나방전극(21C)에서 고전압이 인가되면 발생되는 코로나에 의하여 배기가스는 입자가 이온화되어 전기유동현상이 발생한다.
따라서, 제4도에서 보는 바와 같이, 제1사이클론 장치(20)의 전하를 인가하는 경우에 집진효율은 전하를 인가하지 않는 경우에 비하여 입자의 직경에 따라 차이는 있으나, 최소 약30%이상의 집진 효율의 향상을 가져오게 된다. 이와 같은 집진 효율의 향상은 미소분진의 경우에도 원심력, 입자의 이온화에 따른 전기유동현상 및 쿨롱력에 의하여 상기 제1사이클론 장치(20)의 내벽으로 분진의 전달을 촉진시키는 것이다.
상기 고전압공급장치(40)는 펄스 간격이 극히 짧은 고전압을 상기 코로나 방전극(21C)에 인가시킨다. 상기 코로나 방전극(21C)은 고전압을 인가받아 상기 제1사이클론장치(20)에 유입된 분진에 균일한 코로나를 형성시키기 위하여 원형의 철선형태로 구성된다. 상기 코로나 방전극(21C)에서 발생된 코로나에 의하여 제1사이클론 장치(20)에 유입된 배기가스의 분진층은 균일한 전류분포를 가져온다. 여기서, 상기 펄스하전방식은 펄스 간격이 극히 짧은 고전압을 하전하게 되는데, 이는 코로나에 의하여 하전되어 이온화된 이온구름이 하전되지 못한 분진층에 도달하기 전에 고전압이 소멸될 수 있게 하여 스파크 발생을 억제시킨다. 즉, 고전압에 의하여 하전되어 이온화된 입자는 양의 전하를 띠게 되고, 하전되지 않은 분진은 상대적으로 음의 전하를 지니게 됨으로써, 펄스주기가 긴 고전압이 인가되면 이온화된 이온구름이 하전되지 못한 분진층에 도달하여 상대적인 전하의 전기적인 충돌에 의하여 충돌된 스파크가 발생됨으로써, 고전압공급장치(40)에서는 펄스주기가 극히 짧은 고전압을 코로나방전극(21C)에 인가하여 스파크 현상을 방지한다.
상기 제1사이클론 장치(20)에서 1차적으로 원심력, 전기유동및 쿨롱력에 의하여 미세분진이 제거된 배기가스는 제2유로(21)에 유입되어 고전압 및 저온에 의한 플라즈마 생성단계로 처리된다. 상기 제2유로(21)내부로 다수의 지지대(21A,21B)에 의하여 지지되며, 상기 고전압공급장치(40)에서 고전압이 인가되는 코로나방전극(21C)에 비하여 상기 제2유로(21)는 전압이 인가되지 않아 전기적으로 영준위가 되며, 상대적으로 고전압이 인가되는 코로나 방전극(21C)과는 반대의 전극을 지니게 된다. 즉, 상기 코로나 방전극(21C)에는 양의 전하를 지닌 고전압이 인가되고, 제2유로(21)는 전하를 지니지 않고 있음으로 코로나 방전극(21C)과 제2유로(21)는 상대적으로 반대의 극성을 지니게 된다.
따라서, 제1사이클론 장치(20)를 통과한 배기가스는 반대의 극성으로 대전된 제2유로(21)와 코로나 방전극(21C)의 사이를 통과하게 된다. 상기 고전압공급장치(40)에서는 코로나 방전극(21C)에서 약20∼100ns정도의 급속한 증가시간을 지니고, 펄스 폭이 약 100∼500ns로 매우 좁으며, 수십에서 수백Hz정도의 비교적 낮은 주파수를 지닌 고전압을 인가한다. 상기 고전압 공급장치(40)에서 공급된 고전압이 배기가스에 인가되면, 배기가스에 포함되어 있는 가스상의 유해물질은 강력한 방전광을 생성하고, 펄스 폭이 극히 짧은 고전압이 인가되기 때문에 질량이 가벼운 전자가 가속되어 비평형 플라즈마 즉, 이온상태로 변형되고, 짧은 시간 이내에 불완전 전자의 형태인 레디칼이 생성된다. 또한, 배기가스에는 펄스의 폭이 짧은 고전압이 인가되어 펄스의 인가시간에는 배기가스는 고온의 상태가 되어 레디칼 상태로 되며, 다음 펄스의 인가 시까지 배기가스는 냉각되기 때문에 가스의 온도가 상승되는 것을 방지하게 된다. 따라서, 배기가스내의 분자온도의 상승이 미미하고, 배기가스의 불꽃방전을 억제하면서 펄스 전압의 상승치를 매우 높일 수 있기 때문에 펄스전압의 상승치를 매우 높일 수 있으며, 이에 따라 전자의 가속에너지도 함께 증가하여 활성의 레디컬 상태를 풍부하게 만들 수 있다. 여기서, 상기 제2유로(21)내에 차단벽(23)이 설치되어 제1사이클론 장치(20)에서 배출된 청정공기는 제3유로(31)로 흐르게 되고, 가스상의 유해물질을 포함하는 오염공기는 제2사이클론 장치(30)내로 유입된다.
상기 제2사이클론 장치(30)에서는 배기가스에 포함된 가스상태의 유해물질이 상기 제1사이클론 장치(20)와 제2유로(21)를 통과하는 상태에서 생성시킨 플라즈마의 화학처리단계가 수행된다. 상기 제2사이클론 장치(30)의 내부에는 고전압 공급장치(40)에서 고전압을 인가받아 코로나를 발생하는 코로나 방전극(31C)이 설치되어, 상기 제2유로(21)를 통과하면서 배기가스에서 발생된 플라즈마가 상기 제2사이클론 장치(30)내에서 반응속도가 매우 빠른 수백개의 방전화학 반응기구가 복잡하게 발생된다. 이중에서 대표적으로 탈황반응 및 탈질반응에 대한 반응식은 다음과 같다.
배기가스 중에 포함되어 있는 가스상의 유해물질중의 하나인 질소는 전자와 결합되면 해리(Bond dissociation)되어 활성 레디칼이 생성된다.
2N2O+e(12.94eV)→2N2+O2
2NO+e(9.25eV)→N2+O2
2NO2+e(9.78eV)→N2+2O2
N2(9.8eV)+O2(5.1eV),H2O(5.2eV)+e→O, OH, HO2, N
상기 과정에서 생성된 활성 레디칼은 이산화 황(SO2)을 산화시키고, 황산(H2SO4)을 생성시킨다.
SO2+O→SO3+H2O→H2SO4
SO2+OH→HSO3+OH→H2SO4
상기 과정에서 생성된 활성 레디칼은 산화질소(NOx)를 산화시켜, 질산(HNO3)을 생성시킨다.
NO+O→NO2
NO+HO2→NO2+OH
NO2+OH→HNO3
배기가스 중에 포함되어 있는 산화황 및 산화질소등의 유해물질은 활성레디칼에 의하여 황산 및 질산을 생성하며, 상기 황산 및 질산은 암모니아(NH3)와 반응하여 고체의 분진입자를 생성시킨다.
H2SO4+NH3→(NH4)2SO4
HNO3+NH3→NH4NO3
따라서, 배기가스에 포함되어 있는 질산 및 황산등 가스상의 유해물질은 제2사이클론 장치(30)에서 (NH4)2SO4또는 NH4NO3등의 고체분진입자상으로 변형되며, 생성된 분진은 제2사이클론 장치(30)내에서 집진된다. 즉, 분진은 제2사이클론 장치(30)내부에서 선회하면서 하강되어 원심력에 의하여 제2사이클론 장치(30)의 내벽에 부딪치고 분진실(32)에 포집된다. 분진이 제거되고 정화된 청정공기는 상승되어 제2사이클론 장치(30)의 중앙부에 소정깊이까지 돌출 되어 형성되어 있는 제3유로(31)를 통하여 배출된다. 제3유로(31)와 굴뚝(60)사이에 설치되어 있는 흡입팬(50)은 상기 제2사이클론 장치(30)에서 청정공기의 배출을 촉진시킨다.
본 발명에 따르면, 복수개의 사이클론 장치 각각의 내부에서 원심력에 의한 집진과 전기력에 의한 집진을 동시에 수행하며, 미세분진까지 집진 가능하므로써 집진 효율이 대폭 향상된다. 이에 따라, 상기 플라즈마 방전극의 클린(Clean)화에 의하여 장치의 내구성과 수명이 향상된다. 그리고, 두 개의 독립 연결식으로부터 하나의 일체형으로 구성됨으로써, 제작 및 설치원가를 대폭 절감시킬 수 있다. 또한, 나노펄스에 의한 소비전력의 감소와 일체형에 의한 유동 압력손실의 감소화로 유지비를 절감시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예인 사이클론 장치를 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 당업자의 통상의 지식범위 내에서 다단, 즉 적어도 2단 이상의 사이클론 장치를 복합적으로 구성할 수 있다.

Claims (9)

  1. i)사이클론 장치로 유입된 배기가스에 고전압을 방전시켜 원심력, 전기유동 및 쿨롱력으로 분진을 제거하는 전처리집진단계; ii)상기 전처리집진단계를 통과한 배기가스에 포함된 유해물질을 고전압 및 고온의 상태에서 활성 래디칼 상태로 변형시키는 플라즈마생성단계; iii)상기 플라즈마생성단계를 통과한 배기가스에 펄스간격이 짧은 고전압을 인가하여, 저온 상태에서 전자의 가속에너지를 증가시켜 배기가스에 포함된 유해물질을 활성 레디칼상태로의 변형을 촉진시킴과 동시에, 상기 활성 레디칼을 이용한 연쇄 방전화학반응에 의하여 가스상태의 오염물질을 고체의 분진입자로 변형시키는 플라즈마 화학처리단계로 이루어진 플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마생성단계 및 플라즈마화학처리단계에서 인가되는 고전압의 펄스폭은 100∼500ns인 것을 특징으로 하는 사이클론장치를 이용한 배기가스정화방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마생성단계 및 플라즈마화학처리단계에서 인가되는 고전압의 주파수는 500Hz미만인 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마생성단계 및 플라즈마화학처리단계에서 인가되는 고전압은 20∼100ns의 증가시간을 지니고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론장치를 이용한 배기가스정화방법.
  5. 연료를 연소하는 소각로(10)와 제1유로(11)를 통하여 연결되어 배기가스를 유입받는 제1사이클론장치(20); 상기 제1사이클론장치(20)와 제2유로(21)를 통하여 연결되어 상기 제1사이클론 장치(20)에서 배출된 가스를 유입받는 제2사이클론 장치(30); 상기 제2유로(21)내에 다수의 지지대(21A,21B)에 의하여 지지되며, 상기 제1사이클론 장치(20)의 내부로 소정길이 돌출되어 설치되어, 고전압을 인가받아 방전하는 코로나방전극(21C); 상기 제3유로(31)내에 다수의 지지대(31A,31B)에 의하여 지지되며, 상기 제2사이클론 장치(30)의 내부로 소정길이 돌출되어 설치되고, 고전압을 인가받아 방전하는 코로나방전극(31C); 상기 제1사이클론 장치(20)내의 코로나방전극(21C) 및 제2사이클론 장치(30)내의 코로나방전극(31C)에 고전압을 인가하는 고전압공급장치(40); 그리고 상기 제2사이클론 장치(30)에서 배출된 가스를 제3유로(31)를 통하여 유입 받아 굴뚝(60)을 통하여 배출시키는 흡입팬(50)으로 이루어진 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 코로나방전극(21C,31C)은 원형 형태의 와이어인 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2유로(21)의 내부에 청정공기와 오염공기를 분리하는 분리벽(23)을 추가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제2유로(21)의 전위는 영준위 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제2사이클론 장치(30)와 상기 흡입팬(50) 사이에 적어도 하나 이상의 사이클론 장치를 추가로 설치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 사이클론 장치를 이용한 배기가스정화장치.
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