KR0162600B1 - 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 - Google Patents

유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유도부하 회로를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 서지 바이패스 회로에 관한 것으로, 유도부하 회로에서 스위치 회로(4)의 온/오프 시에 코일(3)에서 발생하는 역기전력으로 인한 서지를 서지 바이패스 회로(4)에 의해 바이패스 시키므로 서지 발생으로 인한 코일(3), 스위치 회로(4) 등의 소손을 방지할 수 있다.

Description

유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로
제1도는 종래의 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 일예를 보이는 회로도.
제2도는 본 발명에 따른 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 서지 바이패스 회로의 실시예를 보이는 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1전원전압 2 : 제2전원전압
3 : 코일 4 : 스위치 회로
5 : 트랜지스터 6 : 제어 신호선
7 : 유도부하장치 10 : 서지 바이패스 회로
본 발명은 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에 관한 것으로, 특히 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로에 관한 것이다.
제1도는 종래의 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 일 예를 보이는 회로도이다.
제1도에 있어서, 제1전원전압단(1)과 제2전원전압단(2) 사이에 유도 기전력 발생용 코일(3)이 연결된다. 상기 코일(3)에 전류를 인가/차단 하는 스위치 회로(4) 예컨대, 트랜지스터(5)는 코일(3)과 상기 제2전원전압단(2) 사이에 연결된다. 상기 트랜지스터(5)의 베이스 단자는 스위치 회로(4)의 온/오프(ON/OFF)를 위한 제어 신호선(6)에 연결된다.
제1도를 참조하여, 반도체 제조장비의 제어부(도시되지 않음)로 부터 스위치 회로(3)를 온 하는 신호가 스위치 회로(4)인 트랜지스터(5)의 베이스 단자에 인가되면, 트랜지스터(5)는 도통되어 제1전원전압(1)과 제2전원전압(2) 사이에 연결된 코일(3)을 통하여 전류가 흐르게 된다. 상기 코일(3)에 전류가 흐르면, 유도자기가 발생하여 유도부하장치(7)(예컨대, 솔레노이드 밸브, 릴레이 등)가 작동한다.
이상과 같은 종래의 유도부하 장치를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에 있어서, 스위치 회로(4)가 온 되면 코일(1)에 전류가 흐르고, 스위치 회로(4)가 오프 되면 전류가 차단 되면서 코일(3)에는 역기전력이 저장된다. 이때 다시 스위치 회로(4)가 온 되면, 전류가 흐르면서 코일(3)은 순간적으로 제1전원전압(1)의 2배 이상의 고전압이 인가되어 서지가 발생되는 경우가 있다.
상기와 같은 서지가 발생할 경우, 코일(3)의 열화와 스위치 회로(4)의 열화가 진행되어, 심할 경우 코일(3)의 열화에 의해 주변 장치가 손상을 입는 문제점이 있으며, 스위치 회로(4)의 열화되는 문제점이 있다. 또한 상기한 서지가 회로기판으로 흘러 들어가는 경우, 에러 발생이나 디바이스(device)의 파손 등이 발생 하는 등의 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에서 스위치 회로의 온/오프 시에 코일의 서지 발생으로 인해 유도부하 장치의 제어를 위한 회로의 손상을 방지하는 것이다.
본 발명은 제1전원전압과 제2전원전압 사이에 연결되는 코일과, 상기 코일과 제2전원전압 사이에 연결되는 스위치 수단과, 상기 코일의 양단에 병렬로 연결되어 상기 코일의 서지를 바이패스 시키는 서지 바이패스 수단을 포함하는데 그 특징이 있다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 서지 바이패스 회로의 실시예를 보이는 회로도이다.
제2도에 있어서, 제1전원전압단(1)과 제2전원전압단(2) 사이에 유도 기전력 발생용 코일(3)이 직렬로 연결된다. 상기 코일(3)에 전류를 인가/차단 하기 위한 트랜지스터(5)는 코일(3)과 상기 제2전원전압단(2) 사이에 연결된다. 상기 트랜지스터(5)의 베이스 단자는 제어 신호선(6)에 연결된다. 상기 코일(3)의 양단은 그것과 병렬로 서지를 바이패스 시키기 위한 서지 바이패스 회로(10)가 연결된다. 상기 서지 바이패스 회로는 직류회로에서 다이오드(11)로 구성되고, 교류회로에서 바리스터(varistors)로 구성된다.
제2도를 참조하여, 반도체 제조장비의 제어부(도시되지 않음)로 부터 스위치 온 신호가 스위치 회로(6)인 트랜지스터(5)의 베이스 단자에 인가되면 트랜지스터(5)가 도통되어, 제1전원전압(1)과 제2전원전압(2) 사이에 직렬로 연결된 코일(3)에 전류가 흐르게 된다. 상기 코일(3)에 전류가 흐르면 유도자기가 발생하여 유도부하장치(7)가 작동하게 된다.
스위치 회로(4)가 오프 되면 전류가 차단 되면서 코일(3)에는 역기전력이 저장된다. 유도 부하장치(7)의 구동을 위해 다시 스위치 회로(4)가 온되면 전류가 흐르면서 코일(3)은 순간적으로 제1전원전압(1)의 2배 이상의 고전압이 인가되어 서지가 발생 되고, 발생된 서지는 바이패스 회로(10)에 의해 바이패스 된다.
이상에서 상세히 설명된 바와 같이 유도부하 장치를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에서 스위치 회로(4)의 온/오프 시에 코일(3)에서 발생하는 서지가 서지 바이패스 회로에 의해 바이패스 되므로 종래의 발생된 문제점을 해결할 수 있다.

Claims (3)

  1. 제1전원전압과 제2전원전압 사이에 직렬로 연결되어 기전력을 발생하는 코일과, 상기 코일에 직렬로 연결되는 스위치 수단을 포함하는 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에 있어서; 상기 코일에 병렬로 연결되어 상기 코일의 서지를 바이패스 시키는 서지 바이패스 수단을 포함하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지바이패스 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이패스 수단은 직류회로에서 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이패스 수단으로 교류회로에서 바리스터를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로.
KR1019950055692A 1995-12-23 1995-12-23 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 KR0162600B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188579A1 (ko) * 2016-04-26 2017-11-02 주식회사 모스트파워 위상 오프 제어를 위한 유도성 킥백 전압 제거 장치

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WO2017188579A1 (ko) * 2016-04-26 2017-11-02 주식회사 모스트파워 위상 오프 제어를 위한 유도성 킥백 전압 제거 장치

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