KR0162022B1 - Thick film resistor composition and variable resistor - Google Patents

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KR0162022B1
KR0162022B1 KR1019950026839A KR19950026839A KR0162022B1 KR 0162022 B1 KR0162022 B1 KR 0162022B1 KR 1019950026839 A KR1019950026839 A KR 1019950026839A KR 19950026839 A KR19950026839 A KR 19950026839A KR 0162022 B1 KR0162022 B1 KR 0162022B1
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히로시 간다
찌에 오까베
마모루 무라까미
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미리암 디. 메코너헤이
이.아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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    • H01C10/30Adjustable resistors the contact sliding along resistive element

Abstract

본 발명은 우수한 전기 특성을 갖고, 낮은 접촉 저항을 가지며 슬라이더와 저항체 슬라이딩 통로 사이의 슬라이딩 동안 안정한 전도성 커플링을 생성시키는, 가감 저항기에 사용하기 적합한 후막 저항체 조성물을 제공하기 위한 것이다.The present invention seeks to provide a thick film resistor composition which has good electrical properties, has a low contact resistance and which is suitable for use in a regulating resistor which produces a stable conductive coupling during sliding between the slider and the resistor sliding passageway.

7㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 전기 전도성 피로클로르 10 내지 50 중량%, 산화 카드뮴을 함유하지 않는 유리 결합제 20 내지 70 중량% 및 산화 알루미늄, 산화아연 및 산화 카드뮴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화물 첨가제 0 내지 5 중량%를 유기 비히클 중에 분산시켜 후막 저항체 조성물을 제조하고, 이어서 기판 상에 인쇄하고 소성시켜 가감 저항기에 사용하기 위한 저항체를 생성시킨다.Oxide additive selected from the group consisting of 10 to 50% by weight of electrically conductive pyrochlore having a specific surface area of 7 m 2 / g or less, 20 to 70% by weight of glass binder free of cadmium oxide and aluminum oxide, zinc oxide and cadmium oxide 0 to 5% by weight is dispersed in an organic vehicle to produce a thick film resistor composition, which is then printed on a substrate and fired to produce a resistor for use in the regulating resistor.

Description

후막 저항체 조성물 및 가감 저항기Thick Film Resistor Compositions and Rheostats

제1도는 접촉 저항의 평가에 사용되는 등가 회로를 나타내는 도면.1 shows an equivalent circuit used for evaluation of contact resistance.

제2도는 접촉 저항의 변화를 평가에 사용되는 측정 회로를 나타내는 도면.2 shows a measuring circuit used for evaluating a change in contact resistance.

제3도는 오실로스코프 파형을 나타내는 도면.3 shows an oscilloscope waveform.

본 발명은 가감 저항기에 사용하기 적합한 후막 피로클로르 저항체 조성물 및 그로부터 제조한 가감 저항기에 관한 것이다.The present invention relates to thick film pyrochlore resistor compositions suitable for use in regulating resistors and to regulating resistors prepared therefrom.

콘트롤, 센서 및 셋팅 분야에서 널리 사용되는 가감 저항기에서, 슬라이딩 접촉은 기판에 스크린 인쇄되거나, 분무되거나 또는 다르게는 도포된 저항체 조성물을 소성시켜 얻은 오옴 저항으로부터 형성된 슬라이딩 통로와 전도성 커플링을 유지하면서 슬라이딩 이동을 수행하고, 출력 신호로서 얻어지는 전류와 크기는 슬라이딩 통로 상에서의 슬라이딩 접촉 위치에 대응하는 전압 및 저항치의 크기에 의존한다.In regulating resistors widely used in the fields of control, sensors and settings, sliding contacts slide while maintaining conductive coupling and sliding passages formed from ohmic resistors obtained by firing a resistor composition screen-printed, sprayed or otherwise applied to a substrate. The movement and the current and magnitude obtained as the output signal depend on the magnitude of the voltage and resistance value corresponding to the sliding contact position on the sliding passage.

상기 가감 저항기를 사용하여 회전 각 및 회전 운동의 기타 기계적 입력값들을 대응하는 전기적 출력 신호, 예를 들면 전압으로 변환시키고, 이들 전기적 특성들은 무엇보다도 슬라이딩 통로의 슬라이딩 표면의 마모, 슬라이딩 접촉과 슬라이딩 통로 사이의 전도성 커플링, 및(또는) 슬라이딩 저항의 변화에 의해 영향을 받는다. 그 결과, 가감 저항기의 출력 평활도에 기복이 있다.The regulating resistor is used to convert the rotational angle and other mechanical inputs of the rotary motion into a corresponding electrical output signal, for example a voltage, these electrical properties of which, among other things, wear of the sliding surface of the sliding passage, sliding contact and sliding passage. It is affected by the change in the conductive coupling between, and / or the sliding resistance. As a result, there is a undulation in the output smoothness of the regulating resistor.

가감 저항기의 선형성을 안정화시키고 슬라이딩 소음을 억제하는데 기여하는 중요한 인자들의 예로는 슬라이더와 슬라이딩 표면 사이의 전도성 커플링을 안정화시키는 것 및 온도 변화에 대한 시간에 따른 전반적인 저항치를 안정화시키면서 접촉 저항을 저하 및 안정화시키는 것을 들 수 있다. 따라서, 후막 저항체 조성물을 사용하여 형성된 슬라이딩 통로 표면을 평활화시키고 상당한 전기 전도도를 가지며 안정한 전도성 커플링을 보장하는 전도체 조성물 페이스트를 개발하는 것이 바람직하다.Examples of important factors that contribute to stabilizing the linearity of the regulating resistor and suppressing the sliding noise include: stabilizing the conductive coupling between the slider and the sliding surface, and reducing contact resistance while stabilizing the overall resistance over temperature changes. Stabilization is mentioned. Therefore, it is desirable to develop a conductor composition paste that smoothes the sliding passage surface formed using the thick film resistor composition and has significant electrical conductivity and ensures stable conductive coupling.

가감 저항기는 일반적으로 후막 저항체 조성물로부터 형성되고, 대부분의 후막 저항체 조성물은 전도체 성분, 결합제 및 유기 비히클을 주성분으로서 함유한다. 전도체 성분은 오옴 저항에 의해 형성된 슬라이딩 통로를 구성하는 후막 전도체의 전기적 특성을 결정함과 동시에 기계적 특성에 영향을 미친다. 유리 및(또는) 결정질 산화물과 같은 결합제는 후막을 함께 고정시켜 기판에 결합시키도록 작용한다. 반면, 유기 비히클은 저항 조성물의 사용 특성 및 특히 그의 물성에 영향을 주는 분산 매질이다.The regulating resistor is generally formed from a thick film resistor composition, and most thick film resistor compositions contain a conductor component, a binder, and an organic vehicle as main components. The conductor component determines the electrical properties of the thick film conductors that make up the sliding passage formed by ohmic resistance and at the same time affects the mechanical properties. Binders, such as glass and / or crystalline oxide, act to fix the thick film together to bond to the substrate. Organic vehicles, on the other hand, are dispersion media that affect the use properties of the resist composition and in particular its properties.

본 발명의 목적은 우수한 전기 특성을 갖고, 낮은 접촉 저항을 가지며 슬라이더와 저항체 슬라이딩 통로 사이의 슬라이딩 동안 안정한 전도성 커플링을 생성시키는, 가감 저항기에 사용하기 적합한 후막 저항체 조성물을 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기한 후막 저항체 조성물로부터 제조된 가감 저항기를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a thick film resistor composition suitable for use in regulating resistors, which has good electrical properties, has low contact resistance and creates a stable conductive coupling during sliding between the slider and the resistor sliding passageway. It is another object of the present invention to provide a regulating resistor prepared from the above thick film resistor composition.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (A) 7 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 하기 일반식의 전기 전도성 피로클로르 10 내지 50중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준)In order to achieve the above object, the present invention (A) 10 to 50% by weight of the electrically conductive pyrochlor of the following general formula having a specific surface area of 7 m 2 / g or less (based on the total weight of components A, B and C)

(MxBi2-x) (M'yM2-y)O7-Z (M x Bi 2-x ) (M ' y M 2-y ) O 7-Z

(상기 식 중, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리, 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M'은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고, x는 0 내지 2이며, 단 1가 구리의 경우에는 x≤1이고, y는 0 내지 0.5이며, 단 M'이 로듐이거나 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬 중에서 선택된 1종 이상의 원소일 때 y는 0 내지 1이고, z은 0 내지 1이며, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴일 때 z은 적어도 약 x/2와 동일함), (B) 산화 카드뮴을 함유하지 않는 유리 결합제 20 내지 70 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), (C) 산화 알루미늄, 산화 아연 및 산화 가돌리늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화물 첨가제 0 내지 5 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), 및 (D) 유기 비히클을 포함하는, 가감 저항기에 사용하기 적합한 후막 저항체 조성물을 제공한다.Wherein M is selected from the group consisting of yttrium, thallium, indium, cadmium, lead, copper, and rare earth metals, M 'is selected from the group consisting of platinum, titanium, chromium, rhodium and antimony, and M is Ruthenium, iridium, or mixtures thereof, x is 0 to 2, with x≤1 for monovalent copper, y is 0 to 0.5, provided that M 'is rhodium or platinum, titanium, chromium, rhodium and When at least one element selected from antimony, y is 0 to 1, z is 0 to 1, provided that z is at least about x / 2 when M is divalent lead or cadmium), (B) cadmium oxide 20 to 70% by weight of the glass binder free of (based on the total weight of components A, B and C), (C) 0 to 5% by weight of an oxide additive selected from the group consisting of aluminum oxide, zinc oxide and gadolinium (component Based on the total weight of A, B, and C), and (D) an organic vehicle Provides a thick film resistor composition suitable for use in an adjustable resistor.

본 발명은 또한 상기한 후막 저항체 조성물을 기판에 도포함으로써 슬라이딩 통로를 형성시킨 가감 저항기를 제공한다.The present invention also provides an adjustable resistor in which a sliding passage is formed by applying the above-described thick film resistor composition to a substrate.

본 발명에 속하는 후막 저항체 조성물의 무기 고상물은 피로클로르, 유리 결합제 및 산화물 첨가제를 포함한다. 이제, 구성 성분들에 관하여 상세하게 설명하기로 한다.Inorganic solids of the thick film resistor composition according to the present invention include pyrochlor, glass binder and oxide additive. Now, the components will be described in detail.

피로클로르는 Ru+4, Ir+4, 또는 이들의 혼합물 (M)의 다성분 화합물로서 하기 일반식을 갖는다.Pyrochlor has the following general formula as a multicomponent compound of Ru +4 , Ir +4 , or mixtures (M) thereof.

(MxBi2-x) (M'yM2-y)O7-Z (M x Bi 2-x ) (M ' y M 2-y ) O 7-Z

상기 식 중, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리, 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M'은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고, x는 0 내지 2이며, 단 1가 구리의 경우에는 x≤l이고, y는 0 내지 0.5이며, 단 M'이 로듐이거나 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬 중에서 선택된 1종 이상의 원소일 때 y는 0 내지 1이고, z은 0 내지 1이며, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴일 때 z은 적어도 약 x/2와 동일하다.Wherein M is selected from the group consisting of yttrium, thallium, indium, cadmium, lead, copper, and rare earth metals, M 'is selected from the group consisting of platinum, titanium, chromium, rhodium and antimony, and M is ruthenium , Iridium or mixtures thereof, x is 0 to 2, with x≤l for monovalent copper, y is 0 to 0.5, provided that M 'is rhodium or platinum, titanium, chromium, rhodium and antimony When at least one element selected from among y is 0 to 1, z is 0 to 1, provided that z is equal to at least about x / 2 when M is divalent lead or cadmium.

이들 피로클로르 물질들은 미합중국 특허 제3,583,931호에 상세하게 기재되어 있다.These pyrochlor materials are described in detail in US Pat. No. 3,583,931.

상기 피로클로르 중에서, 루텐산 비스무스(Bi2Ru2O7) 및 루텐산 납(Pb2Ru2O6)은 순수한 형태로 쉽게 얻어질 수 있고 유리 결합제에 의해 나쁜 영향을 받지 않으며 비교적 온도에 의해 영향을 받지 않는 낮은 저항치를 갖고 공기 중에서 약 1000 ℃로 가열하였을 때에도 안정한 상태로 있으며 환원 분위기 하에서 비교적 안정하기 때문에 바람직하다. 피로클로르의 다른 예로는 Pb1.5Bi0.5Ru2O6.5및 GdBiRu2O6.5를 들 수 있다. 이들 모두에 있어서, y=0이다.Among the pyrochlorates, bismuth bismuth (Bi 2 Ru 2 O 7 ) and lead luthenate (Pb 2 Ru 2 O 6 ) can be easily obtained in pure form and are not adversely affected by the glass binder and are relatively affected by temperature. It is preferable because it has a low resistance value that is not affected and remains stable even when heated to about 1000 ° C. in air and relatively stable under a reducing atmosphere. Other examples of pyrochlore include Pb 1.5 Bi 0.5 Ru 2 O 6.5 and GdBiRu 2 O 6.5 . In all of these, y = 0.

본 발명에 사용되는 피로클로르는 7 ㎡/g 이하의 비표면적을 가져야 한다. 실제로 0.1 내지 7 ㎡/g의 비표면적을 갖는 피로클로르를 사용하지만 이 범위 밖의 피로클로르는 가감 저항기의 전기적 특성이 나쁜 영향을 받고 접촉 저항이 증가하고 슬라이더와 전도체 슬라이딩 통로 사이의 슬라이딩 동안 전도성 커플링이 불안정하게 되기 때문에 적합하지 않다. 특히, 이용가능성 및 기타 인자들을 고려할 때, 0.5 내지 5 ㎡/g의 비 표면적을 갖는 피로클로르가 본 발명에 사용하기 적합하다.The pyrochlor used in the present invention should have a specific surface area of 7 m 2 / g or less. In practice, fatigue chlorides with specific surface areas of 0.1 to 7 m 2 / g are used, but fatigue chlorides outside this range are adversely affected by the electrical properties of the regulating resistor, the contact resistance increases and the conductive coupling during sliding between the slider and the conductor sliding passageway. It is not suitable because it becomes unstable. In particular, in view of availability and other factors, pyrochlores having a specific surface area of 0.5 to 5 m 2 / g are suitable for use in the present invention.

본 발명의 저항체 조성물에 함유되어 있는 피로클로르상은 가감 저항기를 형성하는 저항체 조성물에 필요한 전도도, 소결성 및 안정성을 제공하고, 사용된 유리 결합제가 과거에 저항체의 온도 계수(TCR)를 조절하기 위하여 유리 결합제에 첨가된 산화 카드뮴을 함유하지 않기 때문에 어떠한 부작용을 일으키지 않고서 안정하고 낮은 접촉 저항(Rc) 및 접촉 저항 변화(CRV)를 생성시킨다.The pyrochlor phase contained in the resistor composition of the present invention provides the conductivity, sinterability, and stability required for the resistor composition to form the regulating resistor, and the glass binder used is used to control the temperature coefficient (TCR) of the resistor in the past. Since it does not contain cadmium oxide added to it, it produces stable and low contact resistance (R c ) and contact resistance change (CRV) without causing any side effects.

유리 결합제의 조성은 비전도성 기판에 적절하게 일치시키기 위한 후막에 대한 필요성에 따라 좌우된다. 구체적으로는, 유리 결합제는 약 540 내지 950℃의 결합 온도 범위를 가져야 함과 동시에 기판과 동일한 팽창/수축 특성을 가져야 한다. 따라서 이들 요구 사항을 만족하는 광범위의 유리 결합제를 본 발명에 사용할 수 있다. 본 발명에 속하는 유리 결합제의 두드러진 특징은 산화 카드뮴이 존재하지 않는다는 것이다. 이들의 예로는 규산납 유리, 보로규산납 유리 및 보로규산 알루미늄 아연 유리를 들 수 있다. 유리 결합제들의 대표적 조성을 하기 표 1에 나타내었다.The composition of the glass binder depends on the need for a thick film to properly match the nonconductive substrate. Specifically, the glass binder should have a bonding temperature range of about 540 to 950 ° C. while having the same expansion / contraction properties as the substrate. Therefore, a wide range of glass binders meeting these requirements can be used in the present invention. A distinctive feature of the glass binders belonging to the present invention is the absence of cadmium oxide. Examples thereof include lead silicate glass, lead borosilicate glass, and aluminum borosilicate zinc glass. Representative compositions of the glass binders are shown in Table 1 below.

이들 유리 결합제 중에서 No. 1, 2, 4, 5 및 9가 바람직하다.Among these glass binders, no. 1, 2, 4, 5 and 9 are preferred.

소정의 성분들(또는 이들의 전구체, 예를 들면, BO의 경우 HBO)을 통상의 유리 제조 기술을 사용하여 소정의 비율로 혼합하고, 생성된 혼합물을 가열시켜 용융물을 제조함으로써 유리 결합제를 제조하였다. 널리 알려져 있는 바와 같이, 상기 기술은 용융물을 가스 생성은 피하면서 액체로 완전히 변형시키기에 충분한 시간동안 피크 온도로의 가열을 수행하는 것을 포함한다. 이러한 유형의 연구에서, 피크 온도는 1100 내지 1500℃이고, 일반적으로 1200 내지 1400℃이다. 전형적으로, 용융물은 이어서 급냉시키기 위하여 냉각 벨트 상으로 또는 냉각수 플로우 내로 부어 냉각시킨다. 이어서 밀링시켜 입도를 원하는 만큼 감소시킨다.Glass binders were prepared by mixing certain components (or their precursors, such as HBO in the case of BO) in the desired proportions using conventional glass making techniques, and heating the resulting mixture to produce a melt. . As is well known, the technique involves performing heating to a peak temperature for a time sufficient to completely transform the melt into a liquid while avoiding gas production. In this type of study, the peak temperature is 1100-1500 ° C., generally 1200-1400 ° C. Typically, the melt is then poured onto a cooling belt or into a cooling water flow to cool it. It is then milled to reduce the particle size as desired.

유리 결합제 성분 외에, 산화 알루미늄, 산화 아연 및 산화 카드뮴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 소량의 산화물 첨가제를 본 발명의 후막 저항체 조성물 내에 포함시키는 것이 유용하다. 상기 첨가제는 시판되는 미립자 형태로 사용될 수 있다. 이들 산화물 첨가제는 저항체 미세구조의 형성을 이용함으로써 R및 CRV를 추가로 개선시킨다.In addition to the glass binder component, it is useful to include small amounts of oxide additives selected from the group consisting of aluminum oxide, zinc oxide and cadmium oxide in the thick film resistor composition of the present invention. The additives can be used in the form of commercially available particulates. These oxide additives further improve R and CRV by utilizing the formation of resistor microstructures.

본 발명의 저항체 조성물의 무기 고상물을 유기 비히클 중에 분산시켜 인쇄가능한 조성물 페이스트를 생성시킨다. 무기 물질:비히클의 중량비는 1:1 내지 6:1이다.The inorganic solids of the resistor composition of the present invention are dispersed in an organic vehicle to produce a printable composition paste. The weight ratio of inorganic material to vehicle is 1: 1 to 6: 1.

임의의 불활성 액체가 비히클로서 사용될 수 있다. 사용되는 비히클은 또한 물이거나 또는 증점제 및(또는) 안정화제 및(또는) 기타 통상의 첨가제가 첨가되거나 또는 첨가되지 않은 각종의 유기 액체일 수도 있다. 사용가능한 유기 액체의 예로는 지방족 알콜, 상기 알콜의 에스테르 (예를 들면, 아세테이트 및 프로피오네이트), 테르펜 (예를 들면, 투르펜타인 및 테르피네올) 및 기타 용매 (예를 들면, 투르펜타인 및 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르 중에 함유되는 수지, 예를 들면 폴리메타크릴레이트 용액 또는 저급 알콜의 에틸 셀룰로오스 용액)을 들 수 있다. 비히클은 물질을 기판에 도포한 후에 일어나는 급속한 경화를 가속화시키도록 디자인된 휘발성 액체를 함유할 수 있다. 비히클이 상기 액체들을 포함할 수도 있다.Any inert liquid can be used as the vehicle. The vehicle used may also be water or various organic liquids with or without thickeners and / or stabilizers and / or other conventional additives. Examples of organic liquids that can be used include aliphatic alcohols, esters of such alcohols (eg acetate and propionate), terpenes (eg turpentine and terpineol) and other solvents (eg turpenta) Resins contained in the monobutyl ether of phosphorus and ethylene glycol monoacetate, for example, polymethacrylate solution or ethyl cellulose solution of lower alcohol). The vehicle may contain a volatile liquid designed to accelerate the rapid cure that occurs after applying the material to the substrate. The vehicle may comprise the liquids.

바람직한 비히클은 에틸 셀룰로오스 및 B-테르피네올을 기재로 한다.Preferred vehicles are based on ethyl cellulose and B-terpineol.

페이스트는 3개의 롤 밀을 사용하여 제조해야 한다The paste must be made using three roll mills

본 발명의 가감 저항기 상의 슬라이딩 통로는 예를 들면 제시한 저항체 조성물을 통상의 방법으로 세라믹, 알루미나 또는 기타 유전체로 이루어진 기판 상에 막 형태로 인쇄함으로써 제조할 수 있다. 알루미나 기판을 사용하는 것이 더 좋다.The sliding passage on the regulating resistor of the present invention can be produced, for example, by printing the presented resistor composition in a film form on a substrate made of ceramic, alumina or other dielectric in a conventional manner. It is better to use an alumina substrate.

일반적으로, 스크린 스텐실 기술을 사용해야 한다. 얻어진 인쇄된 패턴은 일반적으로 레벨링(leveling)시키기 위해 정치시키고, 150℃와 같은 고온에서 약 10분 동안 건조시키고, 공기 중에서 또는 벨트 로 중에서 예를 들면 약 850℃의 피크 온도에서 소성시킨다.In general, screen stencil technology should be used. The printed pattern obtained is generally left for leveling, dried for about 10 minutes at a high temperature such as 150 ° C., and calcined in air or in a belt furnace, for example at a peak temperature of about 850 ° C.

예를 들면, 슬라이딩 통로 표면 상에서의 마모를 감소시키고 협착 저항을 저하시키기 위하여, 팔라듐 기재 PALINEY(등록된 상표명)를 가감 저항기 슬라이더용 재료로서 사용한다. 슬라이더를 저항체의 슬라이딩 통로 표면에 대해 크림핑시켜 전도성 커플링을 생성시키기 위해서 30 g의 크림프 압력을 가해야 한다.For example, palladium based PALINEY to reduce wear on sliding passage surfaces and to lower stenosis resistance. (Registered trade name) is used as a material for the regulating resistor slider. A 30 g crimp pressure must be applied to crimp the slider against the sliding passageway surface of the resistor to create a conductive coupling.

가감 저항기 특성 중, 협착 접촉 저항 (Rc)을 사용하여 접촉 저항을 평가한다. 제1도에 나타낸 바와 같은 방식으로 저항체로부터 형성된 슬라이딩 통로의 양 말단에 장착된 전극 단자들 사이의 저항 (Rl3) 및 슬라이더가 전체 저항치의 약 1/2에 해당하는 지점에 위치할 때 측정되는 슬라이더와 대응 단자 사이의 저항치(Rl2및 R23)를 사용하여 하기 식의 도움으로 Rc를 계산한다.Among the regulating resistor characteristics, the contact resistance is evaluated using the narrow contact resistance (R c ). The resistance R l3 between the electrode terminals mounted at both ends of the sliding passage formed from the resistor in the manner as shown in FIG. 1 and the slider are measured when the slider is located at a point corresponding to about 1/2 of the total resistance value. Using the resistance values R l2 and R 23 between the slider and the corresponding terminal, R c is calculated with the help of the following equation.

Rc(%) = {(Rl2+R23-Rl3)/2Rl3} x 100 (I)R c (%) = {(R l2 + R 23 -R l3 ) / 2R l3 } x 100 (I)

JIS C 45261에 따라 협착 접촉 저항 (Rc)를 측정한다. 제1도에 나타낸 등가 회로에서, 시험 저항 (R)은 접촉 저항(Rc)을 가지고, 이 Rc는 상기 방정식 1에 기초하여 계산할 수 있다.The stenosis contact resistance (R c ) is measured according to JIS C 45261. In the equivalent circuit shown in FIG. 1, the test resistance (R) has a contact resistance (R c), the R c may be calculated based on the equation 1.

정지 상태에서 가감 저항기의 접촉 저항을 평가하는데 있어서 Rc를 사용하는 것 외에, 슬라이더를 저항체 상에 슬라이딩시켜 접촉 저항이 상기 저항기 상에서의 위치에 따라 변하도록 하고, 이들 변화의 최소 및 최대치를 비교하여 비교 결과 얻은 최대 변화(제3A도)를 접촉 저항 변화(RCV)라 하고, 이 파라미터를 사용하여 접촉 저항의 안정성을 평가하였다.In addition to using R c in evaluating the contact resistance of the regulating resistor in the stationary state, the slider is slid over the resistor so that the contact resistance changes with position on the resistor, and the minimum and maximum of these changes are compared to The maximum change (Fig. 3A) obtained as a result of the comparison is called a change in contact resistance (RCV), and this parameter was used to evaluate the stability of the contact resistance.

제2도에 나타낸 측정 회로를 사용하여 샘플 저항체를 통해 직류를 통과시키고, 상기 슬라이더가 회전하거나 또는 2분 당 1 사이클의 속도로 이동할 때 슬라이딩 통로(저항체) 및 슬라이더 사이에 생성된 노이즈 전압을 오실로스코프로 측정함으로써, 접촉 저항 변화 (CRV)를 예를 들면 제3도에 나타낸 파형으로부터 하기 방정식 2를 사용하여 계산할 수 있다.Using a measuring circuit as shown in FIG. 2, a direct current is passed through the sample resistor and the oscilloscope generates the noise voltage generated between the sliding passage (resistor) and the slider as the slider rotates or moves at a rate of one cycle per two minutes. By measuring by, the contact resistance change (CRV) can be calculated from the waveform shown in FIG. 3 using, for example, Equation 2 below.

CRV(%)={(Rc,(최대치)-Rc(최소치))}/{전체 저항(Rl3)}×100=(A/Rl3)×100 (Ⅱ)CRV (%) = {(R c , (Max) -R c (Min))} / {Total Resistance (R l3 )} × 100 = (A / R l3 ) × 100 (II)

또한, 단자 상의 접촉 저항(약 0)으로부터 피크(최대 접촉 저항; 제3B도)까지의 측정된 값을 동적 협착 접촉 저항 (CR)으로 정의하고 하기 방정식 Ⅲ을 사용하여 계산할 수 있다.In addition, the measured value from the contact resistance (about 0) on the terminal to the peak (maximum contact resistance; FIG. 3B) can be defined as the dynamic narrowing contact resistance (CR) and calculated using the following equation III.

CR (%) = {B/전체 저항치(R13)} × 100 (Ⅲ)CR (%) = {B / total resistance (R 13 )} × 100 (Ⅲ)

관계식 B A는 항상 참이므로, CR CRV이고, 따라서 0에 접근하는 CR은 점근적으로 이상 가감 저항기에 대응한다.Since relationship B A is always true, it is CR CRV, so CR approaching zero gradually corresponds to the anomaly-derating resistor.

저항이 온도에 따라 변하는 속도를 나타내는 저항의 온도 계수(TCR)는 일반적으로 ppm/℃로 표현된다. TCR이 높을 때, 그것은 온도 변화가 비교적 큰 저항 변화를 생성시키기 쉽기 때문에 중요한 저항체 특성이다. TCR은 일반적으로 (1) 실온(25℃)에서의 저항, (2) -55℃에서의 저항, 및 (3) 125℃에서의 저항을 포함하는 측정치들을 사용하여 계산한다. 각 온도에서 열 평형을 얻기 위하여 최대한의 주의를 기울여야 한다. 저항 변화는 이 온도 계수를 구하도록 만들어진, 실온 저항을 온도 증가로 나눈 함수로서 표현된다. -55℃에서의 저항으로부터 실온에서의 저항까지의 변화 속도를 CTCR로 라벨링하고, 실온에서의 저항으로부터 125℃에서의 저항까지의 변화를 HTCR로 라벨링한다.The temperature coefficient (TCR) of the resistance, which represents the rate at which the resistance changes with temperature, is usually expressed in ppm / ° C. When the TCR is high, it is an important resistor characteristic because the temperature change is easy to produce a relatively large resistance change. TCR is generally calculated using measurements including (1) resistance at room temperature (25 ° C.), (2) resistance at −55 ° C., and (3) resistance at 125 ° C. Great care should be taken to achieve thermal equilibrium at each temperature. Resistance change is expressed as a function of room temperature resistance divided by temperature increase, which is made to obtain this temperature coefficient. The rate of change from resistance at −55 ° C. to resistance at room temperature is labeled with CTCR, and the change from resistance at room temperature to resistance at 125 ° C. is labeled with HTCR.

본 발명의 후막 저항체 조성물은 우수한 전기 특성을 갖고, 낮은 접촉 저항을 가지며 슬라이더와 저항체 슬라이딩 통로 사이의 슬라이딩 동안 안정한 전도성 커플링을 생성시키는 가감 저항기를 제공할 수 있도록 한다.The thick film resistor composition of the present invention makes it possible to provide a regulating resistor which has excellent electrical properties, has a low contact resistance and creates a stable conductive coupling during sliding between the slider and the resistor sliding passageway.

이제, 본 발명을 실시예 및 비교예를 통해 보다 상세하게 설명하고자 한다. 실시예에서 사용된 무기 결합제, 전도성 성분 및 산화물 첨가제의 배합비는 모두 중량%로 나타낸다. 표 2에 나타낸 실시예 중에서, 실시예 1 내지 8 및 17 내지 24는 본 발명의 실시예를 나타내는 반면, 실시예 9 내지 16은 비교예를 나타낸다.Now, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. The blending ratio of the inorganic binder, the conductive component and the oxide additive used in the examples are all expressed in weight percent. Among the examples shown in Table 2, Examples 1 to 8 and 17 to 24 represent Examples of the present invention, while Examples 9 to 16 represent Comparative Examples.

[실시예 1]Example 1

약 3 ㎡/g의 비표면적을 갖는 GdBiRu2O6.5피로클로르 25 중량% 및 표 1의 유리 결합제 No. 5 25중량%를 에틸 셀룰로오스 15부 및 β-테르피네올 85부로 이루어지고 약 30 Pa·S의 점도를 갖는 비히클 중에 분산시키고 성분들을 3개의 롤 밀을 사용하여 블렌딩시켜 페이스트 조성물을 생성시켰다. 조성물 중에서 무기 고상물(피로클로르+ 유리 결합제):비히클의 중량비는 70/30이었다.25 wt% of GdBiRu 2 O 6.5 pyrochlore having a specific surface area of about 3 m 2 / g and the glass binder No. 5 25% by weight was dispersed in a vehicle consisting of 15 parts ethyl cellulose and 85 parts β-terpineol and having a viscosity of about 30 Pa.S and blending the components using three roll mills to create a paste composition. The weight ratio of inorganic solids (pyrochlor + glass binder): vehicle in the composition was 70/30.

상기한 출발 물질들을 약 30분 내지 5시간 동안 1000 내지 1700의 온도 범위에서(유리 조성에 따라) 가스 생성이 완전히 중지될 때까지 가열 및 용융시키고, 용융물을 물 중에서 급냉시킨 다음 생성물을 약 2 내지 5 ㎡/g의 비표면적을 갖도록 밀링시켜 유리 결합제를 제조하였다. 이렇게 제조된 저항체 조성물을 스크린 인쇄에 의해 알루미나 기판에 도포하고 생성된 패턴을 850℃에서 소성시켰다. 이 저항체의 전기적 특성을 상기한 방법으로 평가하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The starting materials are heated and melted in the temperature range of 1000 to 1700 (depending on the glass composition) for about 30 minutes to 5 hours until gas production is completely stopped, the melt is quenched in water and the product is then subjected to about 2 to The glass binder was prepared by milling to have a specific surface area of 5 m 2 / g. The resistor composition thus prepared was applied to the alumina substrate by screen printing and the resulting pattern was baked at 850 ° C. The electrical characteristics of this resistor were evaluated by the method described above. The results are shown in Table 2 below.

[실시예 2 내지 8][Examples 2 to 8]

표 2에 명시한 지시에 따라 실시예 1 에서와 동일한 방법을 수행함으로써 페이스트 조성물 및 저항체를 제조하였다. 저항체의 전기적 특성들을 측정함으로써 얻은 결과를 또한 표 2에 나타낸다.The paste composition and the resistor were prepared by performing the same method as in Example 1 according to the instructions specified in Table 2. The results obtained by measuring the electrical properties of the resistors are also shown in Table 2.

[실시예 9 내지 16][Examples 9 to 16]

비교 실시예 9 내지 12에서는 실시예 1에서 사용한 약 3 ㎡/g의 비표면적을 갖는 피로클로르 성분 대신에 약 8 ㎡/g의 비표면적을 갖는 피로클로르 성분을 사용하는 것을 제외하고는 표 2에 명시한 지시에 따라 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행함으로써 페이스트 조성물 및 저항체들을 제조하였다.In Comparative Examples 9 to 12, Table 2 is used except that the pyrochlor component having a specific surface area of about 8 m 2 / g is used instead of the pyrochlor component having a specific surface area of about 3 m 2 / g used in Example 1. The paste composition and resistors were prepared by following the same method as in Example 1 according to the specified instructions.

비교 실시예 13 내지 16에서는 실시예 1에서 사용한 피로클로르 성분 대신에 산화 루테늄 (RuO2)을 사용하는 것을 제외하고는 표 2에 명시한 지시에 따라 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행함으로써 페이스트 조성물 및 저 항체들을 제조하였다. 이렇게 얻은 저항제의 전기적 특성들을 측정함으로써 얻은 결과를 또한 표 2에 나타낸다.In Comparative Examples 13 to 16, the paste composition was prepared by carrying out the same method as in Example 1 according to the instructions shown in Table 2 except for using ruthenium oxide (RuO 2 ) instead of the pyrochlor component used in Example 1. Low antibodies were prepared. The results obtained by measuring the electrical properties of the resistors thus obtained are also shown in Table 2.

[실시예 17 내지 24][Examples 17 to 24]

이들 실시예는 산화물 첨가제를 사용하는 것에 관한 것이다. 사용한 산화 알루미늄은 0.2 내지 0.7㎡/g(평균치: 약 0.5㎡/g) 및 7.4 내지 10.5㎡/g(평균치: 약 9㎡/g)의 비표면적을 가졌다. 제2유형의 산화 알루미늄이 더 양호한 결과를 나타냈다. 사용한 산화 아연 및 산화 카드뮴은 1.8 내지 5.0㎡/g(평균치: 약 3㎡/g)의 비표면적을 가졌다.These examples relate to the use of oxide additives. The aluminum oxide used had a specific surface area of 0.2 to 0.7 m 2 / g (average: about 0.5 m 2 / g) and 7.4 to 10.5 m 2 / g (average: about 9 m 2 / g). The second type of aluminum oxide gave better results. The used zinc oxide and cadmium oxide had specific surface areas of 1.8 to 5.0 m 2 / g (average: about 3 m 2 / g).

표 2에 명시한 지시에 따라 실시예 1 에서와 동일한 방법을 수행함으로써 페이스트 조성물 및 저항체를 제조하였다. 저항체의 전기적 특성들을 측정함으로써 얻은 결과를 또한 표2에 나타낸다.The paste composition and the resistor were prepared by performing the same method as in Example 1 according to the instructions specified in Table 2. The results obtained by measuring the electrical properties of the resistors are also shown in Table 2.

표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 광범위의 소성 온도에 걸쳐 낮은 CR을 유지하고 낮은 TCR을 갖는 저항체는 실시예 1 내지 8에서와 같이 3㎡/g 피로클로르를 사용하여 얻을 수 있고, 그의 TCR값이 많이 변화하지 않으면서 그의 CR값은 0에 보다 가까운 저항체는 실시예 17 내지 24에서와 같이 무기 산화물을 첨가함으로써 얻을 수 있다.As can be seen from Table 2, a resistor that maintains low CR over a wide range of firing temperatures and has a low TCR can be obtained using 3 m 2 / g pyrochlor as in Examples 1 to 8, and its TCR value The resistor whose CR value is closer to zero without changing this much can be obtained by adding an inorganic oxide as in Examples 17 to 24.

Claims (12)

(A) 7㎡/g이하의 비표면적을 갖는 하기 일반식의 전기 전도성 피로클로르 10 내지 50중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준)(A) 10 to 50% by weight, based on the total weight of components A, B and C, of the electrically conductive pyrochlor of the following general formula having a specific surface area of 7 m 2 / g or less (MxBi2-x) (M'yM2-y)O7-Z (M x Bi 2-x ) (M ' y M 2-y ) O 7-Z (상기 식 중, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리, 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M'은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고, x는 0 내지 2이며, 단 1가 구리의 경우에는 x≤1이고, y는 0 내지 0.5이며, 단 M'이 로듐이거나 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬 중에서 선택된 1종 이상의 원소일 때 y는 0 내지 1이고, z은 0 내지 1이며, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴일 때 z은 적어도 약 x/2와 동일함), (B) 산화 카드뮴을 함유하지 않는 유리 결합제 20 내지 70 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), (C) 산화 알루미늄, 산화 아연 및 산화 가돌리늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화물 첨가제 0 내지 5 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), 및 (D) 유기 비히클을 포함하는, 가감 저항기에 사용하기 적합한 후막 저항체 조성물.Wherein M is selected from the group consisting of yttrium, thallium, indium, cadmium, lead, copper, and rare earth metals, M 'is selected from the group consisting of platinum, titanium, chromium, rhodium and antimony, and M is Ruthenium, iridium, or mixtures thereof, x is 0 to 2, with x≤1 for monovalent copper, y is 0 to 0.5, provided that M 'is rhodium or platinum, titanium, chromium, rhodium and When at least one element selected from antimony, y is 0 to 1, z is 0 to 1, provided that z is at least about x / 2 when M is divalent lead or cadmium), (B) cadmium oxide 20 to 70% by weight of the glass binder free of (based on the total weight of components A, B and C), (C) 0 to 5% by weight of an oxide additive selected from the group consisting of aluminum oxide, zinc oxide and gadolinium (component Based on the total weight of A, B, and C), and (D) an organic vehicle Is a thick film resistor composition suitable for use in an adjustable resistor. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 피로클로르의 비표면적이 0.1 내지 7㎡/g 인 조성물.The composition of claim 1, wherein the specific surface area of the electrically conductive pyrochlor is 0.1 to 7 m 2 / g. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 피로클로르의 비표면적이 0.5 내지 5㎡/g 인 조성물.The composition of claim 1, wherein the specific surface area of the electrically conductive pyrochlor is 0.5 to 5 m 2 / g. 제1항에 있어서, 상기 산화물 첨가제가 존재하지 않는 조성물.The composition of claim 1 wherein the oxide additive is absent. 제1항에 있어서, 상기 산화물 첨가제가 존재하는 조성물.The composition of claim 1 wherein said oxide additive is present. 제1항에 있어서, 상기 유기 비히클이 성분 A, B 및 C의 혼합물:유기 비히클의 중량비가 1:1 내지 6:1인 양으로 함유되는 조성물.The composition of claim 1, wherein the organic vehicle is contained in an amount of 1: 1 to 6: 1 by weight of the mixture of components A, B, and C: organic vehicle. (A) 7㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 하기 일반식의 전기 전도성 피로클로르 10 내지 50중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준)(A) 10 to 50% by weight, based on the total weight of components A, B and C, of the electrically conductive pyrochlor of the following general formula having a specific surface area of 7 m 2 / g or less (MxBi2-x) (M'yM2-y)O7-Z (M x Bi 2-x ) (M ' y M 2-y ) O 7-Z (상기 식 중, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리, 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M'은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고, x는 0 내지 2이며, 단 1가 구리의 경우에는 x≤1이고, y는 0 내지 0.5이며, 단 M'이 로듐이거나 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬 중에서 선택된 1종 이상의 원소일 때 y는 0 내지 1이고, z은 0 내지 1이며, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴일 때 z은 적어도 약 x/2와 동일함), (B) 산화 카드뮴을 함유하지 않는 유리 결합제 20 내지 70 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), (C) 산화 알루미늄, 산화 아연 및 산화 가돌리늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화물 첨가제 0 내지 5 중량%(성분 A, B 및 C의 총 중량 기준), 및 (D) 유기 비히클을 포함하는, 후막 저항체 조성물을 기판에 도포하여 형성시킨 슬라이딩 통로를 갖는 가감 저항기.Wherein M is selected from the group consisting of yttrium, thallium, indium, cadmium, lead, copper, and rare earth metals, M 'is selected from the group consisting of platinum, titanium, chromium, rhodium and antimony, and M is Ruthenium, iridium, or mixtures thereof, x is 0 to 2, with x≤1 for monovalent copper, y is 0 to 0.5, provided that M 'is rhodium or platinum, titanium, chromium, rhodium and When at least one element selected from antimony, y is 0 to 1, z is 0 to 1, provided that z is at least about x / 2 when M is divalent lead or cadmium), (B) cadmium oxide 20 to 70% by weight of the glass binder free of (based on the total weight of components A, B and C), (C) 0 to 5% by weight of an oxide additive selected from the group consisting of aluminum oxide, zinc oxide and gadolinium (component Based on the total weight of A, B, and C), and (D) an organic vehicle The regulating resistor having a sliding passage formed by applying the thick film resistor composition to a substrate. 제7항에 있어서, 상기 전기 전도성 피로클로르의 비표면적이 0.1 내지 7㎡/g 인 가감 저항기.The regulating resistor according to claim 7, wherein the specific surface area of the electrically conductive pyrochlor is 0.1 to 7 m 2 / g. 제7항에 있어서, 상기 전기 전도성 피로클로르의 비표면적이 0.5 내지 5㎡/g 인 가감 저항기.The regulating resistor according to claim 7, wherein the specific surface area of the electrically conductive pyrochlor is 0.5 to 5 m 2 / g. 제7항에 있어서, 상기 산화물 첨가제가 존재하지 않는 가감 저항기.8. The resistor according to claim 7, wherein the oxide additive is absent. 제7항에 있어서, 상기 산화물 첨가제가 존재하는 가감 저항기.8. The resistor according to claim 7, wherein said oxide additive is present. 제7항에 있어서, 상기 유기 비히클이 성분 A, B 및 C의 혼합물:유기 비히클의 중량비가 1:1 내지 6:1인 양으로 함유되는 가감 저항기.8. The resistor according to claim 7, wherein said organic vehicle is contained in an amount in which the weight ratio of the component: organic vehicle of the components A, B and C is 1: 1 to 6: 1.
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