KR0160913B1

KR0160913B1 - Micro-relay

Info

Publication number: KR0160913B1
Application number: KR1019950053673A
Authority: KR
Inventors: 최부연; 박경호; 이종현; 유형준
Original assignee: 양승택; 한국전자통신연구원
Priority date: 1995-12-21
Filing date: 1995-12-21
Publication date: 1998-12-15
Also published as: KR970051605A

Abstract

본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro relay using a surface micromachining and a method of manufacturing the same, wherein an oxide film and a nitride film for insulation are sequentially raised on a silicon wafer substrate having a plane of 100 or 110 planes, and then an oxide film and a nitride film of a mercury inlet portion. A first step of removing by dry etching; After the thick film oxide film having a thickness of several μm or more is placed on the nitride film of the first step, the second thick film is dry-etched in the form of a relay structure having a heater and a signal electrode, and the signal wiring is fabricated by electrolytic and electroless plating of the thick film. Steps; After performing the second step, a third step of depositing polysilicon having a large wet etching selectivity with an oxide sacrificial layer, and forming an oxide film of several μm thick film thereon for protecting the entire surface of the wafer during etching of the mercury inlet and sealing the structure perfectly. Wow; After performing the third step, dry etching the nitride film and the oxide film on the back of the wafer to make the mercury injection hole, and then wet etching more than a few hundred ㎛ with an anisotropic solution, and remove the sacrificial layer with a wet solution to form a mercury inlet A fourth step; And a fifth step of sealing the back side of the wafer by injecting mercury, which is a liquid contact point, by using the mercury inlet formed in the fourth step, and bonding the glass with ultraviolet adhesive using glass, and does not use high-temperature anodical bonding. Since oxidation of the wiring metal can be prevented, low resistance of the contact can be achieved, mass production is possible, and it is inexpensive, and it is easy to configure a relay array.

Description

Micro relay using surface micro machining and manufacturing method thereof

제1도는 본 발명에 의한 마이크로 릴레이 구조체.1 is a micro relay structure according to the present invention.

제2a도는 본 발명에 의한 마이크로 릴레이 후막 산화막 희생층 단면도.Figure 2a is a cross-sectional view of the micro relay thick film oxide film sacrificial layer according to the present invention.

제2b도는 본 발명에 의한 마이크로 릴레이 히터 및 배선 단면도.Figure 2b is a cross-sectional view of a micro relay heater and wiring according to the present invention.

제2c도는 본 발명에 의한 마이크로 릴레이 밀봉 단면도.Figure 2c is a cross-sectional view of a micro relay sealing according to the present invention.

제2d도는 본 발명에 의한 마이크로 릴레이 수은주입구 및 본딩 단면도.Figure 2d is a micro relay mercury inlet and bonding cross-sectional view according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 능동 저장고 2 : 수은1: active reservoir 2: mercury

3 : 수동 저장고 4,6 : 히터3: manual storage 4,6: heater

5A,5B,7A,7B : 신호전극 8 : 마이크로 채널5A, 5B, 7A, 7B: signal electrode 8: micro channel

9,10 : 구멍 11 : 실리콘 웨이퍼 기판9,10: hole 11: silicon wafer substrate

12,18 : 산화막 13,17 : 질화막12,18 oxide film 13,17 nitride film

14,16 : 후막 산화막 15 : 폴리 실리콘14,16 thick film oxide film 15 polysilicon

19 : 수은 주입구 20 : 글라스19: mercury inlet 20: glass

본 발명에 의한 표면 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 공정기술을 사용하여 기존의 전자기 릴레이에 비해 크기가 ㎜ 이하로 소형이고 타 전자 부품과의 집적화가 가능하며, 마이크로 채널 및 후막의 전기도금을 채용하여 액체 금속을 사용할 수 있어 전극접점의 접촉저항을 작게 할 수 있는 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않고 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a micro relay using a surface machining according to the present invention and a method of manufacturing the same. In particular, the semiconductor processing technology is used to reduce the size of the micro relay, and to integrate with other electronic components. And a micro relay using surface micromachining and a method of manufacturing the same, without using a high temperature anodical bonding which can use a liquid metal by employing a thick film electroplating and can reduce the contact resistance of an electrode contact.

일반적으로, 릴레이는 전자교환기의 스위칭 부품 및 교통신호 제어 시스템등 많은 응용 분야에서 전류의 개·폐를 담당하는 스위칭 소자로서 사용되고 있다.In general, the relay is used as a switching element that is responsible for the opening and closing of the current in many applications, such as switching components of the electronic exchange and traffic signal control system.

그러나, 상기와 같은 기능을 수행하는 종래의 릴레이는 크기가 크고 고가이며, 릴레이 어레이 구성이 불가능할 뿐만 아니라 타 전자소자와의 집적화가 불가능하기 때문에 이용하기가 불편한 단점이 있다.However, conventional relays that perform the above functions are disadvantageous in that they are large in size and expensive, and are not only impossible to construct a relay array but also impossible to integrate with other electronic devices.

특히, 선행 기술 자료로서, 특허번호 EP-573267에 서술되는 릴레이는 마그네틱 구동방식을 사용하고, 신호전극 부분을 금속으로 사용함에 따라 접촉저항을 1Ω 이하로 낮출 수 없고, 릴레이 어레이의 구성이 어렵다는 문제점이 있었다.In particular, as the prior art data, the relay described in Patent No. EP-573267 uses a magnetic driving method, and as the signal electrode part is used as a metal, the contact resistance cannot be lowered to 1 Ω or less, and the configuration of the relay array is difficult. There was this.

또한, 최근 Transducers에 발표된 J. Drake의 정전력 구동 마이크로 릴레이는 구동전압이 500볼트 이상이고, 접촉저항이 2Ω으로 구동전압 및 접점저항 면에서 실용화하기 어려운 문제점을 가지고 있다.In addition, J. Drake's constant power driving micro relay recently announced by Transducers has a driving voltage of more than 500 volts and a contact resistance of 2 Ω, which makes it difficult to be practical in terms of driving voltage and contact resistance.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 액체금속 접점으로 접점저항을 최소화하여 전력소모를 작게 하고, 전류의 개·폐시 rebouncing이 없도록 하며, 반도체 공정기술과 실리콘 웨이퍼 표면 및 벌크 마이크로 머시닝을 이용한 습식식각 방법에 의해 소형이고도 대량생산과 집적화가 가능한 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to minimize the contact resistance to the liquid metal contact, to reduce the power consumption, to avoid rebouncing when opening and closing the current, semiconductor processing technology and silicon wafer surface and bulk micro machining The present invention provides a micro relay using a surface micromachining which can be compact and mass-produced and integrated by a wet etching method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 릴레이 구조체 제작에 있어서, 반도체 공정에서 사용하는 박막 및 습식식각 기술을 대부분 사용하고, 액체금속 주입을 위해 습식식각을 이용한 벌크 마이크로 머시닝 기술을 이용하여, 신호 전극의 접촉저항을 작게 하기 위한 후막의 배선으로는 전해 및 무전해 도금 기술, 액체금속이 마이크로 채널 사이에서 움직일 수 있도록 구동력을 발생시키는 히터 기술, 실리콘 웨이퍼와 글라스를 접착시키기 위한 실온 자외선 접착제(glue) 본딩 기술 등을 사용한다는 것을 그 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the fabrication of the relay structure, using the thin film and wet etching techniques used in the semiconductor process most, using a bulk micro-machining technique using wet etching for the liquid metal injection, Thick film wiring to reduce the contact resistance of signal electrodes includes electrolytic and electroless plating technology, heater technology to generate driving force to move liquid metal between microchannels, and room temperature ultraviolet adhesive for bonding silicon wafer and glass ( It is characterized by using a bonding technique or the like.

즉, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 실리콘 웨이퍼 표면 및 벌크 마이크로 머시닝을 이용하고, 상기 기판의 소정부분에 상하로 연결 배선되는 전해 및 무전해 도금인 히터가 형성되고, 상기 히터가 형성된 저장고 내의 압력에 따라 움직이는 액체금속인 수은이 주입될 수 있도록 상기 기판의 뒷면의 소정부분에 수은 주입구가 형성되며, 상기 주입구를 밀봉형태로 만들어지는 데에 있다.That is, a feature of the present invention for achieving the above object is a heater of electrolytic and electroless plating which is connected and wired up and down on a predetermined portion of the substrate using a silicon wafer surface and bulk micromachining, and the The mercury inlet is formed in a predetermined portion of the rear surface of the substrate so that the mercury, which is a liquid metal moving according to the pressure in the reservoir in which the heater is formed, is formed in a sealed form.

본 발명의 부가적인 특징은, 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이의 제조방법이, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식 식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 데에 있다.An additional feature of the present invention is that the method of manufacturing a micro relay using surface micromachining, after sequentially placing an oxide film and a nitride film for insulation on a silicon wafer substrate having a directionality of 100 planes or 110 planes, an oxide film of a mercury inlet portion. A first step of removing the nitride film by dry etching; After placing a thick film oxide film of several micrometers or more on the nitride film of the first step, dry etching the thick film oxide film in the form of a relay structure having a heater and a signal electrode and the like, and manufacturing a signal wiring by electrolytic and electroless plating of the thick film. Steps; After performing the second step, a third step of depositing polysilicon having a large wet etching selectivity with an oxide sacrificial layer, and forming an oxide film of several μm thick film thereon for protecting the entire surface of the wafer during etching of the mercury inlet and sealing the structure perfectly. Wow; After performing the third step, dry etching the nitride film and the oxide film on the back of the wafer to make the mercury injection hole, and then wet etching more than a few hundred ㎛ with an anisotropic solution, and remove the sacrificial layer with a wet solution to form a mercury inlet A fourth step; And a fifth step of sealing the back side of the wafer by injecting mercury, which is a liquid contact point, using the mercury injection hole formed in the fourth step, and bonding the glass with an ultraviolet adhesive.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 반도체 공정과 벌크 마이크로 머시닝 기술을 이용한 열 구동 마이크로 릴레이 구조체를 나타내는 도면이다.1 illustrates a thermally driven micro relay structure using a semiconductor process and bulk micromachining techniques.

제1도에 도시된 바와 같이, 릴레이 구조체는 릴레이 구조체의 능동 저장고(1)의 히터(4)를 사용하여 가열하면 상기 저장고(1)의 압력이 상승하고 이의 압력이 릴레이의 접점으로 사용하고자 하는 액체금속인 수은(2)의 표면장력(surface tension)의 힘보다 큰 경우에는 상기 액체금속인 수은(2)이 움직여 전도(ON) 상태가 되고, 수은 저장고(3)의 히터(6)에 전원을 인가하여 상기 히터(6)를 가열하면 상기 수은(2)이 오른쪽에서 왼쪽으로 이동하여 차단(OFF) 상태가 되는 동작특성을 갖는 릴레이 소자이다.As shown in FIG. 1, when the relay structure is heated using the heater 4 of the active reservoir 1 of the relay structure, the pressure of the reservoir 1 rises and its pressure is intended to be used as a contact point of the relay. When greater than the surface tension of the mercury 2, which is a liquid metal, the mercury 2, which is a liquid metal, is moved to an ON state, and the power is supplied to the heater 6 of the mercury reservoir 3. Is applied to heat the heater 6, the mercury (2) is a relay element having an operating characteristic to move from the right to the left to the (OFF) state.

상기 히터(4)에 펄스 전원을 인가하면 히터 저항에 의해 열이 발생하고, 이 열에 의해 저장고 부분의 압력이 상승한다.When pulse power is applied to the heater 4, heat is generated by the heater resistance, which increases the pressure in the reservoir portion.

이 상승된 압력이 액체금속을 움직여 신호전극으로 사용한 전극 (5A)와 (5B) 사이에 도달하고, 이에 의해 전극 사이의 저항값이 무한대 값에서 영에 가깝게 떨어져 전기를 통할 수 있는 상태가 된다.This elevated pressure moves between the electrodes 5A and 5B used as a signal electrode by moving the liquid metal, whereby the resistance value between the electrodes is close to zero at infinity value and becomes a state in which electricity can be passed.

상기 신호전극 (5A)와 (5B) 사이가 저항값 무한대를 갖게 하기 위해서는 또 다른 히터(6)에 펄스 전원을 인가하면 이전의 설명에서와 마찬가지로 액체금속이 또 다른 전극 (7A)와 (7B) 사이로 이동하게 되어 신호전극 (5A)와 (5B) 사이의 저항은 무한대가 되어 전류가 흐를 수 없는 상태가 된다.In order to have the resistance value infinity between the signal electrodes 5A and 5B, a pulse power is applied to another heater 6, and as in the previous description, the liquid metal is added to the other electrodes 7A and 7B. The resistance between the signal electrodes 5A and 5B becomes infinity so that the current cannot flow.

이때, 릴레이의 랫칭(latching)은 마이크로 채널(8)에 액체 금속이 주입되었을 때, 상기 마이크로 채널(8)과 수은(2)과의 접촉면 사이에 수온의 표면장력에 의해 미소 틈이 생기므로 이 부분을 통해 능동 저장고와 수동 저장고 사이의 압력 평형과 저장고와 마이크로 채널의 체적비에 의해 이루어진다.At this time, the latching of the relay is because when a liquid metal is injected into the microchannel 8, a micro gap is generated between the contact surface between the microchannel 8 and the mercury 2 due to the surface tension of the water temperature. This is achieved by the pressure balance between the active and passive reservoirs and the volume ratio of the reservoirs and microchannels.

또한, 상기 마이크로 채널(8)은 릴레이 저장고의 온도 변동 폭이 크더라도 릴레이 스위칭 동작에 안정성을 갖게 하기 위함이다.In addition, the micro channel 8 is to ensure the stability of the relay switching operation even if the temperature fluctuation range of the relay reservoir is large.

구멍(9)은 압력에 의해 액체금속을 릴레이 구조체에 주입하기 위한 것이고, 구멍(10)은 액체금속 주입시 역방향의 압력 발생으로 인한 액체금속 주입 압력의 상승을 막고, 히터 부분의 체적비와 마이크로 채널 부분의 체적비를 크게 하기 위한 공간이다.The hole 9 is for injecting the liquid metal into the relay structure by pressure, and the hole 10 prevents an increase in the liquid metal injection pressure due to the occurrence of reverse pressure during the injection of the liquid metal, and the volume ratio of the heater portion and the micro channel. It is a space for increasing the volume ratio of the part.

제2도는 상기 제1도의 표면 마이크로 머시닝을 이용한 열구동 마이크로 릴레이 구조체의 A-A' 단면을 보인 것으로서, 그 제작 방법은 다음과 같다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of the thermally driven micro relay structure using surface micromachining of FIG. 1, and the fabrication method thereof is as follows.

제2a,2b도에 도시된 바와 같이, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판(11)에 절연을 위해 산화막(12), 질화막(13)을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거한다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the oxide film 12 and the nitride film 13 are sequentially raised to insulate the silicon wafer substrate 11 having the orientation of 100 planes or 110 planes, and then the oxide film of the mercury inlet portion. The nitride film is removed by dry etching.

그 다음 수 ㎛ 이상의 후막 산화막(14)을 올린 후, 릴레이 구조체 형태로 건식식각하여 구조체를 만든다.Then, a thick film oxide film 14 having a thickness of several μm or more is raised and then dry-etched in the form of a relay structure to form a structure.

이때, 히터(4,6) 및 신호전극(5,7)은 두 가지 방법으로 제작할 수 있는데, 첫째로는 형상반전(image reversal) 포토레지스트를 사용하여 패턴을 형성한 후 seed layer를 전자빔(E-beam) 증착하고, 이를 사용하여 구리 무전해 도금을 하여 후막을 제작하는 방법과, 둘째로는 희생층 산화막 전면에 seed layer를 증착한 후, 후막의 포토레지스트로 패턴을 형성하고 후막의 전해도금을 하는 방법이 있다.In this case, the heaters 4 and 6 and the signal electrodes 5 and 7 may be manufactured in two ways. First, a pattern is formed using an image reversal photoresist, and then the seed layer is electron beam (E). -beam) deposition, copper electroless plating using this method to produce a thick film, and second, after depositing a seed layer on the entire surface of the sacrificial layer oxide film, a pattern is formed with a thick film photoresist and electroplating of the thick film There is a way to do it.

그 후, 레지스트를 제거하고 건식식각으로 seed layer를 제거한다.After that, the resist is removed and the seed layer is removed by dry etching.

다음에는 제2c도에 도시된 바와 같이, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘(15)을 사용하며, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막(16)으로 덮는다.Next, as shown in FIG. 2C, an oxide sacrificial layer and a polysilicon 15 having a large wet etching selectivity are used, and an oxide film having a thickness of several μm thick is formed thereon for protecting the entire surface of the wafer during etching of the mercury inlet and sealing the structure. Cover with (16).

이어서, 제2d도에 도시된 바와 같이, 수은 주입구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막(17), 산화막(18)을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층(14)을 습식용액으로 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 2D, after etching the nitride film 17 and the oxide film 18 on the back surface of the wafer to make the mercury injection hole, the wafer is wet-etched several hundred μm or more with an anisotropic solution, and the sacrificial layer 14 ) With wet solution.

그 후, 수은 주입구멍(19)을 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 웨이퍼 뒷면을 글라스(20)를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 마이크로 릴레이 구조체를 완성한다.Thereafter, mercury, which is a liquid contact point, is injected using the mercury injection hole 19, and the back surface of the wafer is bonded with an ultraviolet adhesive using the glass 20 to complete the micro relay structure.

이상과 같이, 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 표면 및 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 액체접점 마이크로 릴레이 구조체를 제조함으로써, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.As described above, the present invention uses the surface of the silicon wafer and bulk micromachining technology, electroplating technology and semiconductor processing technology to produce a liquid contact micro relay structure that is smaller than the conventional relay, and compatible with the integrated circuit process, It is possible to prevent the oxidation of the wiring metal by not using a high temperature anodic bonding, thereby achieving low resistance of the contact point, mass production is possible, and it is inexpensive, and an array of relays is easy.

Claims

Using a silicon wafer surface and bulk micromachining, a heater of electrolytic and electroless plating, which is wired up and down, is formed on a predetermined portion of the substrate, and mercury, which is a liquid metal moving according to the pressure in the reservoir in which the heater is formed, is implanted. A mercury inlet is formed in a predetermined portion of the back side of the substrate so that the inlet is formed in a sealed form.

A first step of sequentially raising an oxide film and a nitride film for insulation on a silicon wafer substrate having a directionality of 100 planes or 110 planes, and then removing the oxide film and the nitride film of the mercury inlet by dry etching; A second step of placing a thick film oxide film of several μm or more on the nitride film of the first step, followed by dry etching in the form of a relay structure having a heater, a signal electrode, and the like and manufacturing a signal wiring by electrolytic and electroless plating of the thick film; After performing the second step, a third step of depositing polysilicon having a large wet etching selectivity with an oxide sacrificial layer, and forming an oxide film of several μm thick film thereon for protecting the entire surface of the wafer during etching of the mercury inlet and sealing the structure perfectly. Wow; After performing the third step, dry etching the nitride film and the oxide film on the back of the wafer to make the mercury injection hole, and then wet etching more than a few hundred ㎛ with an anisotropic solution, and remove the sacrificial layer with a wet solution to form a mercury inlet A fourth step; And a fifth step of sealing the back side of the wafer by injecting mercury, which is a liquid contact point, using the mercury inlet formed in the fourth step, and bonding the glass with ultraviolet adhesive using a glass. Manufacturing method.