KR0155157B1 - Transfer method and apparatus - Google Patents
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Abstract
내용없음.None.
Description
제1도는, 본 발명의 1 실시예를 설명하기 위한 종형 열처리 장치를 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a vertical heat treatment apparatus for explaining an embodiment of the present invention.
제2도는, 제1도의 수평 수직 변환 반송 장치의 요부를 나타낸 사시도.FIG. 2 is a perspective view showing the main parts of the horizontal-vertical conversion conveying apparatus of FIG. 1. FIG.
제3도는, 제2도의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG.
제4도는, 제2도의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG.
제5도는, 제2도의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도.5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 2.
제6도는, 상부 보우트 핸드의 일부 절결 평면도.6 is a partially cutaway plan view of the upper boat hand.
제7도는, 하부 보우트 핸드의 일부 절결 평면도.7 is a partially cutaway plan view of the lower bolt hand.
제8도는, 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 멀티 챔버형 CVD 장치의 구성을 나타낸 도면.8 is a diagram showing the configuration of a multi-chamber type CVD apparatus for explaining another embodiment of the present invention.
제9도는, 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 레지스트 처리장치의 구성을 나타낸 도면.9 is a diagram showing the configuration of a resist processing apparatus for explaining another embodiment of the present invention.
제10도 및 제11도는, 반송아암의 변경예를 각각 나타낸 개략 평면도이다.10 and 11 are schematic plan views each showing a modification of the carrier arm.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1a 내지 1d : 상자체 2 : 크린룸1a to 1d: box 2: clean room
3 : 메인티넌스룸 4 : 웨이퍼 보우트3: Maintenance Room 4: Wafer Boat
4a : 위쪽 지지부 4b : 아래쪽 지지부4a: upper support 4b: lower support
4c : 플랜지부 5 : 이동적재장치4c: flange portion 5: mobile loading device
6 : 보우트 라이너 7 : 수평수직 변환 반송장치6: boat liner 7: horizontal and vertical conversion conveying device
12,32,112 : 기초부 14,34,114 : 로우터리 엑츄에이터12,32,112: Foundation 14,34,114: Rotary Actuator
16,36,116 : 샤프트 18,38 : 스톱퍼16,36,116 Shaft 18,38 Stopper
22,42 : 핸드본체 24a,24b,44a,44b : 오목부22, 42: hand body 24a, 24b, 44a, 44b: recessed portion
26,46 : 호울더 60 : 반송로26,46: holder 60: return path
61a,61b : 보우트 지지기구 62a,62b : 보우트 지지부61a, 61b: bolt support mechanism 62a, 62b: bolt support
70 : 기본대 71 : 가동대70: basic stage 71: movable platform
72 : 지주 73 : 변환아암72: prop 73: conversion arm
75 : 상부 보우트 핸드 76 : 하부 보우트 핸드75: upper boat hand 76: lower boat hand
77a,77b,78a,78b : 걸어멈춤부 79a,79b,79a' : 플랜지 걸어멈춤부77a, 77b, 78a, 78b: Hanging part 79a, 79b, 79a ': Flange hanging part
101 : 웨이퍼 반송실 102 : 웨이퍼 카셋트101: wafer transfer chamber 102: wafer cassette
103 : 로우드록실 104 : 챔버103: lock lock chamber 104: chamber
105,107 : 반송아암 105a,107a : 접촉부위105,107: Carrying arm 105a, 107a: Contact area
106 : 반도체 웨이퍼 122 : 앞끝단판106: semiconductor wafer 122: front end plate
124 : 오목부 128,134 : 웨이퍼 접촉부위124: recess 128,134: wafer contact region
132 : 아암본체 138 : 슬릿132: arm body 138: slit
144 : 슬라이드판 146 : 왕복 실린더144: slide plate 146: reciprocating cylinder
148 : 실린더 로드 152 : 바아148: cylinder rod 152: bar
154 : 핀 201 : 반송장치154: pin 201: conveying device
202 : 레지스트 도포장치 203 : 베이킹 장치202: resist coating apparatus 203: baking apparatus
204 : 노출장치 205 : 현상장치204: exposure apparatus 205: developing apparatus
본 발명은, 반송방법 및 반송장치에 관한 것이다.The present invention relates to a conveying method and a conveying apparatus.
근래에, 반도체장치는 급속하게 고집적화되고 있으며, 그 회로패턴은 미세화 되고 있다.In recent years, semiconductor devices are rapidly becoming highly integrated, and their circuit patterns are miniaturized.
이와같은 미세한 회로패턴 형성에 있어서는, 먼지의 존재가 큰 문제가 되기 때문에, 제조공정에 있어서는 분위기중의 먼지량을 될 수 있는 대로 적게 하는 노력이 행하여지고 있다.In the formation of such a fine circuit pattern, since the presence of dust is a big problem, efforts have been made to reduce the amount of dust in the atmosphere as much as possible in the manufacturing process.
그래서, 반도체 제조공정에 있어서는, 먼지 발생원이 되는 작업원의 수를 될 수 있는 대로 적게 하는 무인화가 진행되고 있으며, 예를들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 보우트, 액정 표시기용 기판 등의 반송에도 로봇 기술을 이용한 반송장치가 다수 이용되고 있다.Therefore, in the semiconductor manufacturing process, unmanning is being carried out to reduce the number of workers as dust sources as much as possible. For example, robot technology is also used to convey semiconductor wafers, wafer boats, and substrates for liquid crystal displays. Many used conveying apparatuses are used.
즉, 이와같은 반송장치로는, 예를들면, 진공척을 갖춘 지지아암으로 반도체웨이퍼를 지지하거나, 소정의 간격을 마련하여 배치된 2개의 지지핸드에 의하여 석영제의 웨이퍼 보우트의 양끝단을 걸어멈춤하여 지지하거나 하여 반송을 행한다.That is, as such a conveying apparatus, for example, the semiconductor wafer is supported by a support arm provided with a vacuum chuck, or both ends of the quartz wafer boat are held by two support hands arranged at predetermined intervals. It stops and supports, and conveys.
그렇지만, 본 발명자 등이 상세히 조사한 바로는, 이와같은 반송장치 가운데, 예를들면, 반도체 웨이퍼, 웨이퍼 보우트, 액정표시기용 기판등의 피처리물을 다수의 상이한 공정, 예를들면 CVD막 형성공정과 산화막 형성공정, 혹은 레지스트 도포공정과 현상공정등으로 반송하는 반송장치에 있어서는, 예를들면 지지아암이나 핸드등에 있어서의 피처리물과의 접촉부에, 각 공정에서 사용되는 약제, 생성물등이 부착하여, 다른 공정에서 이러한 물질이 오염물로서 유입되는, 이른바 상호 오염이 발생하고 있는 것이 판명되었다.However, the inventors have investigated in detail such materials, such as semiconductor wafers, wafer boats, substrates for liquid crystal displays, and the like in a number of different processes, such as CVD film forming processes. In the conveying apparatus conveyed by an oxide film forming process, a resist coating process, or a developing process, the chemical agent, product, etc. which are used at each process adhere to the contact part with the to-be-processed object in a support arm, a hand, etc. It has been found that so-called cross-contamination is occurring, in which these substances are introduced as contaminants in other processes.
본 발명은 이러한 종래의 사정에 대처하여 이루어지게 된 것으로 종류가 다른 공정간의 상호 오염의 발생을 방지할 수 있는 반송방법 및 장치를 제공하려고 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional situation, and an object thereof is to provide a conveying method and apparatus capable of preventing cross contamination between different types of processes.
본 발명의 반송방법은, 피처리물을 복수의 상이한 처리공정으로 반송하기 위하여 이 피처리물을 지지하는 지지기구에 있어서, 상이한 처리공정마다 상기 피처리물과 상기 지지기구와의 접촉부위를 변경하는 것을 특징으로 한다.The conveying method of this invention is a support mechanism which supports this to-be-processed object in order to convey a to-be-processed object to a several different process process WHEREIN: The contact part of the to-be-processed object and said support mechanism is changed for every different process process. Characterized in that.
이 방법은, 예를들면, 웨이퍼 보우트를 위한 수평수직 변환 반송장치, 웨이퍼 보우트를 위한 보우트 라이너(Liner), 웨이퍼의 반송아암등에 있어서 응용이 가능해진다.This method can be applied to, for example, a horizontal and vertical conversion transfer apparatus for a wafer boat, a boat liner for a wafer boat, a transfer arm of a wafer, and the like.
본 발명의 반송장치는, 웨이퍼 보우트를 위한 수평수직 변환 반송장치로서, 대체로 수직인 평면 내에서 적어도 90도 회전이 가능한 아암수단과, 아암수단의 한 끝단부에 형성된 상부핸드수단과, 상기 상부핸드수단이 수평 및 수직 겸용의 복수의 보우트 접촉부위를 가지고 있는 것과, 상기 상부핸드수단이, 상기 복수의 보우트 접촉 부위의 위치를 상호간에 전환할 수 있도록 회전이 가능한 것과, 아암수단의 다른 끝단부에 형성된 하부핸드수단과, 상기 하부핸드수단이 수평용의 복수의 보우트 접촉부위 및 수직용의 복수의 보우트 접촉부위를 가지는 것과, 상기 상부핸드수단이 상기 수평용 및 수직용의 복수의 보우트 접촉부위의 위치를 상호간에 전환할 수 있도록 회전이 가능한 것을 구비하는 것을 특징으로 한다.The conveying apparatus of the present invention is a horizontal and vertical conversion conveying apparatus for a wafer boat, comprising: arm means capable of rotating at least 90 degrees in a generally vertical plane, an upper hand means formed at one end of the arm means, and the upper hand The means having a plurality of horizontal and vertical boat contact portions, the upper hand means being rotatable to switch positions of the plurality of boat contact portions to each other, and at the other end of the arm means. The lower hand means formed, the lower hand means having a plurality of horizontal boat contact portions and the vertical plurality of bolt contact portions, and the upper hand means having a plurality of horizontal and vertical bolt contact portions. It is characterized in that it is provided with a rotatable so as to switch between positions.
상기 구성의 본 발명에서는, 피처리물을 반송하는 공정에 따라서, 적어도 피처리물을 지지하는 지지기구의 피처리물과의 접촉부위를 변경한다.In this invention of the said structure, the contact part with the to-be-processed object of the support mechanism which supports a to-be-processed object is changed according to the process of conveying a to-be-processed object.
따라서, 피처리물과의 접촉에 의하여, 피처리물을 지지하는 지지기구에 부착하는 약제, 생성물 등에 의한 다른 종류의 공정 간의 상호 오염의 발생을 방지 할 수가 있다.Therefore, the contact with the workpiece can prevent the occurrence of cross contamination between different kinds of processes by drugs, products, and the like that adhere to the support mechanism for supporting the workpiece.
[실시예]EXAMPLE
상자체(1a) 내지 (1d) 내에는, 각각 예를들면, 석영 등으로 원통형상으로 구성된 반응관 및 그 주위를 둘러싸도록 설치된 히이터, 균열관(均熱管), 단열재등으로 구성된 반응로(反應爐)(도시하지 않음)가 거의 수직으로 배열설치되어 있다.Inside the boxes 1a to 1d, for example, a reaction tube composed of a cylindrical shape made of quartz or the like, and a reactor composed of a heater, a crack tube, a heat insulating material, etc., installed to surround the periphery thereof. Iii) (not shown) are arranged almost vertically.
반응로의 하부에는 반응로 내에 피처리물, 예를들면, 웨이퍼 보우트 상에 배열된 반도체 웨이퍼를 로우드·언로우드 하기 위한 기구로서 보우트 엘리베이터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.In the lower part of the reactor, a boat elevator (not shown) is provided as a mechanism for rolling and unloading a workpiece, for example, a semiconductor wafer arranged on a wafer boat.
상자체(1a) 내지 (1d)는, 예를들면, 크린룸(2)과 메인티넌스룸(3)과의 경계에 따라서 일렬로 복수개, 예를들면 4개가 나란하게 배열되어 있다.For example, the boxes 1a to 1d are arranged side by side, for example, four in parallel along the boundary between the
또한, 상자체(1a) 내지 (1d)의 전방, 즉 크린룸(2) 내에는 웨이퍼 카셋트 내에 수용된 반도체 웨이퍼를 제2도에 나타낸 것 같이 웨이퍼 보우트(4)상에 옮겨 얹어 놓기 위한 이동적재장치(5), 이 웨이퍼 보우트(4)를 각 상자체(1a) 내지 (1d)의 전방으로 반송하는 반송기구로서 보우트 라이너(6), 이동적재장치(5)로부터 웨이퍼 보우트(4)를 반송하여 보우트 라이너(6) 상에 거의 수직으로 얹어놓는 기구로서 수평수직 변환 반송장치(7)가 설치되어 있다.Further, in front of the boxes 1a to 1d, i.e., in the
즉, 이동적재장치(5)는 주지한 바와 같이 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수평으로 배치한 상태에서, 웨이퍼 카셋트 내로부터 반도체 웨이퍼를 복수개, 예를들면 25매씩 이동적재하고, 처리완료된 반도체 웨이퍼를 같은식으로 하여 웨이퍼 보우트(4)로부터 웨이퍼 카셋트 내에 수용하도록 구성되어 있다.That is, the
또한, 보우트 라이너(6)는 상자체(1a) 내지 (1d)에 평행하도록 그 전방에 설치된 반송로(60)와, 예를들면, 벨트의 구동 등에 의하여 이 반송로(60)상을 이동가능하게 구성되고, 또한 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수직으로 유지하는 복수개, 예를들면 2개의 보우트 지지기구(61a),(61b)로서 구성되어 있다.Moreover, the
그리고, 예를들면 CVD, 산화막 형성등의 공정의 상이함에 따라 웨이퍼 보우트(4)를 취급하는 지지기구(61a),(61b)가 변경이 가능하게 되어 있다.For example, the
또한, 반송장치(7)는, 다음과 같이 구성되어 있다.In addition, the conveying
즉, 상기 이동적재장치(5)와 보우트 라이너(6)와의 사이를 접속하도록 설치된 기본대(70)상에는, 이들의 장치 사이를 이동이 가능하도록 가동대(71) 및 지주(72)가 설치되어 있다.That is, on the base table 70 installed to connect the
지주(72)는, 가동대(71) 위에서 180도 이상 회동이 가능하게 구성되어 있다.The
지주(72)의 측면에는 이 지주(72)의 측면에 거의 평행하는 면 내에서 거의 90도 이상 회동이 자유롭도록 구성되고, 동시에 상하 동작이 가능하게 구성된 변환아암(73)이 설치되어 있다.A side of the
그리고, 이 변환아암(73)의 양끝단에는 제2도에도 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 보우트(4)를 지지하기 위한 상부 보우트 핸드(75)와 하부 보우트 핸드(76)가 각각 설치되어 있다.At both ends of the conversion arm 73, as shown in FIG. 2, an
이들 상부 보우트 핸드(75) 및 하부 보우트 핸드(76)는, 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수평한 상태 및 거의 수직한 상태의 어느쪽이든 지지가 가능하도록 다음과 같이 구성되어 있다.These upper and lower hand hands 75 and 76 are configured as follows so that the wafer boat 4 can be supported in either a substantially horizontal state or a substantially vertical state.
제3도에도 나타낸 바와같이 상부 보우트 핸드(75)에는, 이 상부 보우트 핸드(75)의 안쪽면에서 약간 돌출하도록, 예를들면 석영, 탄화규소 등의 재료로 이루어진 걸어멈춤부(77a),(77b)가 양면에 설치되어 있다.As shown in FIG. 3, the
이들 걸어멈춤부(77a),(77b)는, 그 어느 편에 의하여 웨이퍼 보우트(4)의 윗끝단부에 설치된 원주형상의 윗쪽 지지부(4a)의 측면을 걸어멈춤하도록 구성된다.These stop portions 77a and 77b are configured to stop the side surfaces of the columnar upper support portions 4a provided at the upper end portions of the wafer boat 4 by either of them.
걸어멈춤부(77a),(77b)는, 이 상부 보우트 핸드(75)를 제2도에 나타낸 화살표와 같이 회전시킴으로써 전환되어, 예를들면 CVD, 산화막 형성 등의 공정이 상이함에 따라 웨이퍼 보우트(4)와 접촉하는 걸어멈춤부(77a),(77b)의 변경이 가능해진다.The stop portions 77a and 77b are switched by rotating the
또한, 하부 보우트 핸드(76)에는, 제4도에도 나타낸 것 같이, 상기 상부 보우트 핸드(75)와 동일하게, 안쪽면에서 약간 돌출하도록, 석영, 탄화규소 등의 재료로 이루어지는 걸어멈춤부(78a),(78b)가 양면에 설치되어 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the
이들 걸어멈춤부(78a),(78b)는 그 어느 한편에 의하여, 웨이퍼 보우트(4)의 아래끝단부에 설치된 원주형상의 아래쪽 지지부(4b)의 측면을 걸어멈춤하도록 구성된다.These stops 78a and 78b are configured to stop the side surface of the cylindrical lower support 4b provided at the lower end of the wafer boat 4 by either of them.
이를 위하여, 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽 지지부(4b)는, 예를들면 하부 보우트 핸드(76)의 걸어멈춤부(78a)에서 이 아래쪽 지지부(4b)를 지지하고 있을 때는, 걸어멈춤부(78b)가 접촉하지 않도록, 아래쪽 부분의 지름이 위쪽부분(걸어멈춤부(78a)와의 접촉부분)보다 작은 지름으로 구성되어 있다.For this purpose, when the lower support part 4b of the wafer boat 4 is supporting this lower support part 4b in the locking part 78a of the
또한, 이 하부 보우트 핸드(76)의 앞끝단 부근에도, 제5도에도 나타내고 있는 것 같이, 수직지지시에 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽에 설치된 플랜지부(4c)의 아래면을 지지하기 위한 플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)가 상하방향 양쪽으로 돌출하도록 설치되어 있다.In addition, as shown in FIG. 5 and near the front end of the
플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)는 예를들면 석영, 탄화규소 등의 재료로 이루어진다.The flange stops 79a and 79b are made of a material such as quartz or silicon carbide, for example.
그리고, 이 하부 보우트 핸드(76)도, 제2도에 나타낸 화살표와 같이 회전시킴으로써, 예를들면 CVD, 산화막 형성 등의 공정의 상이함에 따라 웨이퍼 보우트(4)와 접촉하는 걸어멈춤부(78a),(78b) 및 플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)의 변경이 가능하게 된다.Then, the
즉, 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수평으로 유지할 경우는, 상부 보우트 핸드(75)의 걸어멈춤부(77a),(77b)의 어느 한편에서 웨이퍼 보우트(4)의 위쪽 지지부(4a)의 측면을 걸어멈춤하는 동시에, 하부 보우트 핸드(76)의 걸어멈춤부(78a),(78b)의 어느 한편에서 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽 지지부(4b)의 측면을 걸어멈춤한다.That is, when keeping the wafer boat 4 almost horizontal, the side surface of the upper support portion 4a of the wafer boat 4 is either one of the engaging portions 77a and 77b of the
한편, 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수직으로 유지할 경우는, 상부 보우트 핸드(75)의 걸어멈춤부(77a),(77b)의 어느 한편에서 웨이퍼 보우트(4)의 위쪽 지지부(4a)의 측면을 걸어멈춤하는 동시에, 하부 보우트 핸드(76)의 플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)에서 웨이퍼 보우트(4)의 플랜지부(4c)의 아래쪽을 지지한다.On the other hand, when the wafer boat 4 is held almost vertically, the side surface of the upper support portion 4a of the wafer boat 4 is either one of the engaging portions 77a and 77b of the
이 경우, 플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)는 웨이퍼 보우트(4)의 긴쪽방향 중심축보다도 전방으로 옵셋트하고 있기 때문에, 걸어멈춤부(79a),(79b)상의 웨이퍼 보우트(4)에는 뒤쪽으로 넘어지려고 하는 회전 모우멘트가 작용한다.In this case, since the flange engaging portions 79a and 79b are offset forward from the longitudinal central axis of the wafer boat 4, the wafer bolts 4 on the engaging portions 79a and 79b are offset. The rotation moment acts to try to fall backwards.
이 회전 모우멘트는, 웨이퍼 보우트(4)의 상부에서, 위쪽 지지부(4a)의 측면에 접촉하는 상부 보우트 핸드(75)의 걸어멈춤부(77a),(77b)에 의하여 지지된다.This rotation moment is supported by the engaging portions 77a and 77b of the
이에 의하여, 웨이퍼 보우트(4)의 안정된 수직지지상태가 얻어진다.As a result, a stable vertical support state of the wafer boat 4 is obtained.
제6도는 상부 보우트 핸드(75)의 일부 절결 평면도이다.6 is a partially cutaway plan view of the
핸드(75)는 변환아암(73)(제1도 참조)에 대하여 제6도 화살표 방향으로 약간의 여유를 가질 수 있도록 착설된 기초부(12)를 포함하고, 여기에 로우터리 엑츄에이터(14)가 내장된다.The
액츄에이터(14)의 출력축과 결합되는 샤프트(16)는 기초부(12)에서 뻗어나와 핸드본체(22)에 접속된다. 핸드본체(22)에는 호울더(26)를 통하여 걸어멈춤부(77a),(77b)가 붙임고정된다. 핸드본체(22)는, 엑츄에이터(14)의 작용에 의하여 기초부(12)에 대하여 왕복 회전이 가능해진다. 핸드본체(22)의 밑부분 양측에는 오목부(24a),(24b)가 형성되고, 이것에 대하여 기초부(12)에는 스톱퍼(18)가 부착 설치된다.The shaft 16, which is coupled to the output shaft of the actuator 14, extends from the base 12 and is connected to the hand body 22. The hand parts 22 are secured with stops 77a and 77b through the holder 26. The hand body 22 is capable of reciprocating rotation with respect to the base 12 by the action of the actuator 14. Concave portions 24a and 24b are formed on both sides of the bottom of the hand body 22, while the stopper 18 is attached to the base portion 12.
핸드본체(22)가 기초부에 대하여 회전하고, 오목부(24a)가 스톱퍼(18)와 맞닿으면, 제2도, 제6도 등에 도시한 상태로 위치가 정해지고, 여기서 걸어멈춤부(77a)가 아래쪽으로 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 위쪽 지지부(4a)와 대향한다.When the hand main body 22 rotates with respect to the base part, and the recessed part 24a contacts the stopper 18, a position is set in the state shown in FIG. 2, FIG. 6, etc. 77a is positioned downward to oppose the upper support 4a of the wafer boat 4.
또한, 여기에서 핸드본체(22)가 역방향으로 180도 회전하여, 오목부(24b)가 스톱퍼(18)와 맞붙으면, 걸어멈춤부(77b)가 아래쪽에 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 위쪽 지지부(4a)와 대향하는 상태로 위치가 정하여진다.In addition, when the hand body 22 rotates 180 degrees in the reverse direction and the recessed part 24b engages with the stopper 18, the stop part 77b is located below and the upper support part of the wafer boat 4 is located here. The position is set in the state which opposes (4a).
제7도는, 하부 보우트 핸드(76)의 일부 절결 평면도이다.7 is a partially cutaway plan view of the
핸드(76)는 변환아암(73)(제1도 참조)에 대하여 고정 설치된 제7도의 화살표 방향으로 약간의 여유를 가질 수 있도록 붙임고정된 기초부(32)를 포함하고, 여기에 로우터리 엑츄에이터(3)가 내장된다.The
엑츄에이터(34)의 출력축과 결합되는 샤프트(36)는 기초부(32)로부터 뻗어나와 핸드본체(42)에 접속된다. 핸드본체(42)에는 호울더(46)를 통하여 걸어멈춤부(78a),(78b)가 붙임고정된다. 핸드본체(42)의 앞끝단에는 플랜지 걸어멈춤부(79a),(79b)가 부착 설치된다. 원한다면, 제2의 플랜지 걸어멈춤부(79a')를 (뒷면에도 똑같은 제2의 플랜지 걸어멈춤부를) 설치할 수도 있다.The shaft 36, which is coupled with the output shaft of the actuator 34, extends from the base 32 and is connected to the hand body 42. The hand body 42 is secured with fastening portions 78a and 78b through the holder 46. Flange stop portions 79a and 79b are attached to the front end of the hand body 42. If desired, a second flange stop 79a 'may also be provided (the same second flange stop on the back side).
핸드본체(42)는, 실린더(34)의 작용에 의하여 기초부(32)에 대하여 왕복회전이 가능해진다. 핸드본체(42)의 밑부분 양쪽에는 오목부(44a),(44b)가 형성되고, 이것에 대하여 기초부(32)에는 스톱퍼(38)가 부착설치된다. 핸드본체(42)가 기초부에 대하여 회전하고, 오목부(44a)가 스톱퍼(38)와 맞붙이면, 제2도, 제7도 등에 도시한 상태대로 위치가 정하여지고, 여기서 걸어멈춤부(78a)가 위쪽에 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽 지지부(4b)의 큰 지름부와 대치하는 동시에, 걸어멈춤부(79a)가 위쪽으로 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 플랜지부(4c)를 지지한다.The hand body 42 is capable of reciprocating rotation with respect to the base portion 32 by the action of the cylinder 34. Concave portions 44a and 44b are formed at both bottom portions of the hand body 42, while a stopper 38 is attached to the base portion 32. When the hand body 42 rotates with respect to the base portion, and the recessed portion 44a engages with the stopper 38, the position is set as shown in FIG. 2, FIG. 7, and the like, and the stop portion 78a ) Is positioned upward to replace the large diameter portion of the lower support portion 4b of the wafer boat 4, while the stop portion 79a is positioned upward to support the flange portion 4c of the wafer boat 4. do.
또한, 여기에서 핸드본체(42)가 역방향으로 180도 회전하여, 오목부(44b)가 스톱퍼(38)가 맞붙으면, 걸어멈춤부(78b)가 위쪽에 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽 지지부(4b)의 큰 지름부와 대치하는 동시에, 걸어멈춤부(79b)가 위쪽에 위치하여 웨이퍼 보우트(4)의 플랜지부(4c)를 지지하는 상태로 위치가 정하여진다.If the hand body 42 is rotated 180 degrees in the reverse direction and the stopper 38 is engaged with the recess 44b, the stop portion 78b is positioned upward and the lower support portion of the wafer boat 4 is located here. While facing the large diameter part of (4b), the position is set in the state in which the locking part 79b is located upward and supports the flange part 4c of the wafer boat 4.
상기 구성의 본 실시예에서는, 이동적재장치(5)에 의하여, 웨이퍼 카셋트 내에 수용된 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 보우트(4) 위에 이동적재한다. 이때, 수평수직 변환 반송장치(7)는, 미리 아암(73)을 이동적재장치(5) 위의 소정의 위치에 있는 웨이퍼 보우트(4)의 아래쪽에 삽입하고, 이 상태로 대기한다.In this embodiment of the above-described configuration, the semiconductor wafer accommodated in the wafer cassette is moved and stacked on the wafer boat 4 by the
그리고, 이동적재장치(5)에 의한 반도체 웨이퍼의 이동적재가 종료하면, 변환아암(73)을 상승시켜 이동적재장치(5)로부터 웨이퍼 보우트(4)를 받는다.When the transfer of the semiconductor wafer by the
그 다음에, 가동대(71)를 이동시킴으로써 웨이퍼 보우트(4)를 이동적재장치(5)와 간섭하지 않는 위치까지 보우트 라이너(6) 방향으로 반송하고, 여기서 변환아암(73)을 수직평면 내에서 거의 90도 회전시킴으로써 웨이퍼 보우트(4)를 거의 수직으로 세운다.Then, by moving the movable table 71, the wafer boat 4 is conveyed in the direction of the
그후에, 지주(72)를 수평 평면 내에서 거의 180도 회전시켜, 웨이퍼 보우트(4)를 보우트 라이너(6) 방향으로 향하게 하는 동시에, 가동대(71)를 보우트 라이너(6) 쪽으로 이동시켜, 웨이퍼 보우트(4)를 보우트 라이너(6)의 지지구(61a), 혹은 지지기구(61b) 위에 얹어놓는다.Thereafter, the
또한, 지지기구(61a),(61b)에는, 원형으로 도려낸 보우트 지지부(62a),(62b)가 형성되어 있고, 이 보우트 지지부(62a), (62b)에 웨이퍼 보우트(4) 아래쪽 끝단부가 삽입되도록 구성되어 있다.In addition, the
이와 같이 하여, 웨이퍼 보우트(4)를 수평수직 변환하여 이동적재장치에서 보우트 라이너(6)로 받아 넘긴 뒤에는, 이 보우트 라이너(6)에 의하여 웨이퍼 보우트(4)를 각 상자체(1a) 내지 (1d)의 전방으로 반송하고, 보우트 엘리베이터에 의하여 반응로 내에 삽입하여, 예를들면, 열확산, 산화막 형성, CVD 등의 소정의 처리를 행한다.In this manner, after the wafer boat 4 is horizontally and vertically converted and transferred to the
그리고, 처리가 끝나면, 상술한 순서와는 반대 순서로 웨이퍼 보우트(4)를 이동적재장치(5)로 반송하고, 이동적재장치(5)에 의하여 처리가 완료한 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 카셋트 내에 수용한다.After the processing is completed, the wafer boat 4 is transferred to the mobile stacking
이때, 4개의 반응로에서 상이한 2종류의 처리를 병행하여 동시에 행하여야 할 경우, 예를들면 상자체(1a),(1b)내의 반응로에서 CVD를 행하고, 상자체(1c),(1d)내의 반응로에서 산화막 형성을 하여야 할 경우는, 보우트 라이너(6)에서는, 예를들면 상자체(1a),(1b)(CVD 공정)에 대한 반송에 대해서는, 지지기구(61a)를 사용하고, 상자체(1c),(1d)(산화막 형성공정)에 대한 반송에 대해서는, 지지기구(61b)를 사용함으로써, 웨이퍼 보우트(4)와 직접 접촉하는 부분을 공정에 따라 변경하고, 이들 공정 사이에서 상호 오염이 발생하는 것을 방지한다.At this time, when it is necessary to simultaneously perform two different kinds of treatments in four reactors, for example, CVD is performed in the reactors in boxes 1a and 1b, and boxes 1c and 1d. In the case where the oxide film should be formed in the reactor in the inside, in the
또한, 수평 수직 반송장치(7)에 있어서는, 상부 보우트 핸드(75) 및 하부 보우트 핸드(76)를 회전시킴으로써, 예를들면 상자체(1a),(1b),(CVD 공정)에 대한 반송에 대해서는, 걸어멈춤부(77a), 걸어멈춤부(78a), 플랜지 걸어멈춤부(79a)를 사용하고, 상자체(1c),(1d)(산화막 형성공정)에 대한 반송에 대해서는, 걸어멈춤부(77b), 걸어멈춤부(78b), 플랜지 걸어멈춤부(79b)를 사용함으로써, 웨이퍼 보우트(4)와 직접 접촉하는 부분을 공정에 따라 변경하고, 이들 공정에서 상호 오염이 발생하는 것을 방지한다.In addition, in the horizontal vertical conveying
즉, 상기 실시예에서는, CVD 공정용의 웨이퍼 보우트(4)를 반송하는 경우와 산화막 형성 공정용의 웨이퍼 보우트(4)를 반송하는 경우등에 따라서 보우트 라이너(6) 및 수평수직 변환 반송장치(7)의 웨이퍼 보우트(4)와의 접촉부위를 변경한다.That is, in the above embodiment, the
따라서, 웨이퍼 보우트(4)와의 접촉부위에 부착하는 약제, 생성물등에 의한 상이한 종류의 공정 간의 상호 오염의 발생을 방지할 수가 있다.Therefore, it is possible to prevent the occurrence of cross contamination between different kinds of processes due to chemicals, products, etc. adhering to the contact portion with the wafer boat 4.
또한, 상기 실시예에서는, 본 발명 방법 및 장치를 다수 연속되는 종형 열처리 장치에 적용한 예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 다른 장치, 예를들면 제8도에 나타낸 멀티챔버형 CVD 장치, 제9도에 나타낸 레지스트 처리장치 등에도 적용할 수가 있다.Further, in the above embodiment, an example in which the method and apparatus of the present invention is applied to a plurality of continuous longitudinal heat treatment apparatuses has been described, but the present invention is another apparatus, for example, the multichamber type CVD apparatus shown in FIG. 8, FIG. The present invention can also be applied to a resist processing apparatus and the like.
즉, 제8도에 나타낸 바와 같이, 멀티챔버형 CVD 장치에서는, 중앙부에 배치된 웨이퍼 반송실(101)의 한쪽에는 이것을 사이에 두고 양쪽에 웨이퍼 카셋트(102)를 수용하는 로우드록실(103)이 각각 배치되어 있으며, 또한 웨이퍼 반송실(101)의 다른편에는 웨이퍼 반송실(101)을 중심으로 하여 복수개, 예를들면, 3개의 챔버(104)가 동일 원주상에 배열 설치되어 있다.That is, as shown in FIG. 8, in the multi-chamber type CVD apparatus, the lock lock chamber 103 which accommodates the wafer cassettes 102 on both sides of the wafer transfer chamber 101 disposed in the center portion is disposed therebetween. Each of these chambers is arranged, and on the other side of the wafer transfer chamber 101, a plurality of, for example, three chambers 104 are arranged on the same circumference with the wafer transfer chamber 101 as the center.
그리고, 반송아암(105)에 의하여 소정의 반도체 웨이퍼(106)를 1장 뽑아내고 이것을 챔버(104)측의 반송아암(107)으로 받아 넘기고, 처리내용에 맞추어서 소정의 챔버(104)로 반송하고, 예를들면 제1의 챔버에서 표면의 자연 산화막의 에칭처리를 행한 뒤, 제2의 챔버에서 CVD막을 형성하고, 그 후에, 제3의 챔버에서 열처리로 행하는 등, 소정의 처리를 행하도록 구성되어 있다.Then, one of the predetermined semiconductor wafers 106 is taken out by the transfer arm 105, is transferred to the transfer arm 107 on the chamber 104 side, and transferred to the predetermined chamber 104 in accordance with the processing contents. For example, after the etching process of the natural oxide film on the surface is performed in the first chamber, the CVD film is formed in the second chamber, and then the predetermined treatment is performed, such as by heat treatment in the third chamber. It is.
그래서, 예를들면 반송아암(105),(107)의 앞끝단쪽을 판형상으로 구성하여 양면 어느것이든 반도체 웨이퍼(106)를 지지가능케 하고, 처리공정에 따라 접촉부위(105a),(107a)를 180도 회전시키도록 한다.Thus, for example, the front ends of the transfer arms 105 and 107 are formed in a plate shape to enable the semiconductor wafer 106 to be supported on both sides, and the contact portions 105a and 107a according to the processing process. Rotate 180 degrees.
혹은, 반송아암(105),(107)의 앞끝단에 반도체 웨이퍼(106)를 지지하기 위한 제2의 접촉부위를 나오고 들어가기가 가능하게 설치해두고, 처리공정에 따라 이들을 적절히 신축시켜서 반도체 웨이퍼(106)를 지지하도록 한다.Alternatively, a second contact portion for supporting the semiconductor wafer 106 is provided at the front end of the transfer arms 105 and 107 so that the second contact portion for entering and exiting can be inserted therein, and the semiconductor wafer 106 is properly stretched and contracted according to the processing step. Support).
이러한 구조를 사용하여, 반도체 웨이퍼(106)와의 접촉부위(105a),(107a)를 처리공정에 따라 변경하면 상술한 실시예와 같이 상호 오염의 발생을 방지할 수가 있다.By using this structure, if the contact portions 105a and 107a with the semiconductor wafer 106 are changed in accordance with the processing step, the occurrence of cross contamination can be prevented as in the above-described embodiment.
제10도는, 반송아암 앞끝단쪽을 180도 회전시킴으로써, 웨이퍼 접촉부위를 전환하도록 한 예를 나타낸 개략 평면도이다.10 is a schematic plan view showing an example in which the wafer contact portion is switched by rotating the front end side of the transfer arm 180 degrees.
본 반송아암은 기초부(112)와 앞끝단부(122)로 되어 있다.The carrier arm is composed of a base portion 112 and a front end portion 122.
기초부(112)에는 로우터리 엑츄에이터(114)가 내장되고, 이 샤프트(116)는 기초부(112)에서 뻗어나와, 앞끝단판(122)에 접속된다. 앞끝단판(122)에는 앞뒤에 웨이퍼 접촉부위(128)가 형성된다.The base 112 has a rotary actuator 114 embedded therein, and the shaft 116 extends from the base 112 and is connected to the front end plate 122. The front end plate 122 is formed with wafer contact portions 128 before and after.
앞끝단판(122)은, 로우터리 엑츄에이터(114)의 작용에 의하여 기초부(112)에 대하여 왕복회전이 가능해진다.The front end plate 122 is capable of reciprocating rotation with respect to the base portion 112 by the action of the rotary actuator 114.
앞끝단판(122)의 밑부분 양쪽에는 오목부(124)가 형성되어, 이에 대하여 기초부(12)에도 스톱퍼(18)가 부착 설치된다.Concave portions 124 are formed at both bottom portions of the front end plate 122, and a stopper 18 is attached to the base portion 12.
제6도 및 제7도에서의 기구와 같이, 앞끝단판(122)이 기초부(112)에 대하여 180도 왕복회전하고, 양 오목부(124)의 어느것이든 한편과 스톱퍼(118)가 맞붙음함으로써, 앞끝단판(122)의 회전방향위치가 결정되고, 이에 따라 앞뒤의 웨이퍼 접촉부위(128)가 전환이 가능해진다.As with the mechanism in FIGS. 6 and 7, the front end plate 122 rotates 180 degrees with respect to the base portion 112, and either of the recesses 124 and the stopper 118 engage. As a result, the rotational direction position of the front end plate 122 is determined, whereby the front and rear wafer contact portions 128 can be switched.
제11도는, 반송아암 앞끝단쪽에 나가고 들어오기가 가능한 제2의 접촉부위를 설치함으로써 웨이퍼 접촉부위를 전환이 가능케한 예를 나타낸 개략 평면도이다.FIG. 11 is a schematic plan view showing an example in which a wafer contact portion can be switched by providing a second contact portion that can be moved in and out of the front end of the transfer arm.
본 반송아암은, 아암본체(132)의 앞끝단부에 웨이퍼 접촉부위(134)가 형성되는 한편, 아암본체(132)에 지지된 슬라이드판(144)상에 제2의 웨이퍼 접촉부위가 형성된다.In the carrier arm, a wafer contact portion 134 is formed at the front end portion of the arm body 132, while a second wafer contact portion is formed on the slide plate 144 supported by the arm body 132.
아암본체(132)의 측부에는 왕복 실린더(146)가 배열설치되고, 이 실린더 로드(148)는 바아(152) 및 핀(154)을 통하여 슬라이드판(144)의 뒷면에 접속된다.A reciprocating cylinder 146 is arranged on the side of the arm body 132, and the cylinder rod 148 is connected to the rear surface of the slide plate 144 via the bars 152 and the pins 154.
슬라이드판(144)을 실린더(146)의 작용에 의하여, 아암본체(132)의 긴쪽방향으로 따라서 이동이 가능하며, 이때, 슬라이드판(144)의 양쪽부는 본체(132) 양쪽의 가이트(136)에 의해 안내되고, 핀(154)은 본체(132)의 긴쪽방향 중앙에 따르는 슬릿(138)에 의해 안내된다.By the action of the cylinder 146, the slide plate 144 can be moved along the longitudinal direction of the arm body 132, wherein both sides of the slide plate 144 are guides 136 on both sides of the main body 132. Guided by the slit 138 along the longitudinal center of the body 132.
따라서, 슬라이드판(144)의 나오고 들어감에 의해 웨이퍼 접촉부위(134),(144)가 전환이 가능해진다.Therefore, the wafer contact portions 134 and 144 can be switched by coming out of the slide plate 144.
또한, 제9도에 나타낸 레지스트 처리장치에서는, 중앙부에 반송장치(201)가 설치되어 있으며 이 반송장치(201)의 양쪽에, 예를들면, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 떨어뜨린 후, 이 반도체 웨이퍼를 고속회전시켜서 반도체 웨이퍼 전체면에 레지스트를 균일하게 도포하는 레지스트 도포장치(202), 예를들면 레지스트 도포전, 레지스트 도포후 등에 반도체 웨이퍼를 가열하여 베이킹을 행하는 복수의 베이킹 장치(203), 노출장치(204), 현상장치(205) 증의 소정의 장치가 설치되어 있다.Moreover, in the resist processing apparatus shown in FIG. 9, the conveying apparatus 201 is provided in the center part, and after dropping a resist on a semiconductor wafer, for example on both sides of this conveying apparatus 201, this semiconductor wafer is carried out. A resist coating apparatus 202 for uniformly applying resist to the entire surface of the semiconductor wafer by rotating the substrate at high speed, for example, a plurality of baking apparatuses 203 for heating and baking the semiconductor wafer before the resist coating and after the resist coating, etc. The predetermined apparatus of the apparatus 204 and the developing apparatus 205 is provided.
따라서, 이와 같은 레지스트 처리장치에 있어서도, 상술한 멀티챔버형 CVD 장치와 동일하게, 반송장치(201)의 도시하지 않은 반송아암으로서, 제10도 및 제11도에 도시한 바와 같은 구조의 것을 사용하고 처리공정에 따라서 웨이퍼 접촉부위를 전환함으로써 상호 오염의 발생을 방지할 수가 있다.Therefore, also in such a resist processing apparatus, similarly to the above-mentioned multichamber type CVD apparatus, as a conveyance arm which is not shown in the conveying apparatus 201, the thing of the structure shown in FIG. 10 and 11 is used. By switching the wafer contact portions in accordance with the processing step, cross contamination can be prevented.
이상, 본 발명의 상세한 내용은, 첨부된 도면에 나타내고 있는 바람직한 실시예에 따라서 설명해왔으나, 이러한 실시예에 대하여서는, 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 여러 가지의 변경, 개량이 가능해지는 것은 명백한 것이다.As mentioned above, although the detail of this invention was described according to the preferred embodiment shown in the accompanying drawing, it is clear that various changes and improvement are possible for this embodiment without departing from the scope of the present invention. .
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