KR0145647B1 - Manufacture of resin sealed semiconductor device - Google Patents
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Abstract
수지 봉지 반도체 장치의 제조방법은 반도체 소자를 장착하는 소자 장착부와, 상기 소자 장착부 주변에 갭을 가지고 상호 대면되도록 배열된 내부 리이드와, 상기 내부 리이드에 접속되고 갭을 가지고 배열된 외부 리이드와, 상기 외부 및 내부 리이드를 지지하기 위하여 상기 외부 리이드에 접속된 프레임부를 구비하는 리이드 프레임을 형성하는 단계와, 상기 소자 장착부상에 상기 반도체 소자를 접착시켜 상기 반도체 소자를 장착하는 단계와, 상기 반도체 소자의 전극과 상기 재부 리이드를 얇은 금속선으로 상호 접속시키는 단계와, 상기 반도체 소자, 상기 소자 장착부, 및 상기 내부 리이드를 수지로 봉지시키고, 동시에 상기 외부 리이드 사이에 수지를 충진시키를 단계와, 상기 외부 리이드 사이의 수지를 레이저로 제거하는 단계와, 상기 외부 리이드를 소정의 형상을 갖도록 절단 형성시키는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a resin encapsulated semiconductor device includes an element mounting portion for mounting a semiconductor element, an inner lead arranged to face each other with a gap around the element mounting portion, an outer lead connected to the inner lead and arranged with a gap; Forming a lead frame having a frame portion connected to the external lead to support external and internal leads, attaching the semiconductor element to the element mounting portion, and mounting the semiconductor element; Interconnecting the electrode and the support lead with a thin metal wire, encapsulating the semiconductor element, the device mounting portion, and the inner lead with a resin, and simultaneously filling a resin between the outer lead, and the outer lead Removing the resin between the laser and the outer li And cutting the id to have a predetermined shape.
Description
제1a도 내지 제1c도는 종래의 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법을 제조단계별로 도시하는 주요부분의 사시도이다.1A to 1C are perspective views of main parts showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device for each manufacturing step.
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 실시예를 제조단계별로 도시하는 주요부분의 사시도이다.2A to 2C are perspective views of main parts showing embodiments of the present invention according to manufacturing steps.
*도면의 주요부분에 대한 설명* Description of the main parts of the drawings
1:수지 봉지부 2:외부 리이드1: Resin bag 2: External lead
3:타이바 4:댐수지3: tie 4: dam resin
5:프레임부 6:리이드간 수지5: Frame part 6: resin between leads
본 발명은 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다. 보다 특별하게는, 매우 작은 리이드 피치를 갖는 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device having a very small lead pitch.
종래의 반도체 장치의 제조방법에 따라서, 반도체 소자를 장착하는 소자 장착부와, 상기 소자 장착부 주변에 상호 대변하도록 배열된 내부 리이드와, 상기 내부 리이드에 접속된 외부 리이드와, 상기 내부 리이드와 상기 외부 리이드의 측부를 결합시키는 타이바와, 상기 소자 장착부, 내부 리이드, 외부 리이드 및 타이바를 지지하는 프레임부를 갖는 리이드 프레임을 형성한다.According to a conventional method for manufacturing a semiconductor device, an element mounting portion for mounting a semiconductor element, an inner lead arranged to represent each other around the element mounting portion, an outer lead connected to the inner lead, the inner lead and the outer lead And a lead frame having a tie bar for coupling the sides of the element and a frame portion for supporting the element mounting portion, the inner lead, the outer lead, and the tie bar.
실질적으로, 반도체 소자는 상기 소자 장착부에 접착제, 즉 실버페이스트로 접착되고, 상기 반도체 소자의 전극과 상기 내부 리이드의 말단부는 얇은 금속선을 통하여 상호 접속된다. 상기 반도체 소자, 상기 소자장착부, 상기 내부 리이드들은 수지로 봉지된다. 상기 타이바는 상기 내부 리이드를 상기 수지로 고정시키는 수지 단계까지 상기 내부 리이드가 변형되는 것을 방지하고, 상기 수지 단계에서 상기 외부 리이드 사이의 갭으로 상기 수지가 흘러나오지 못하도록 하는 역할을 한다. 대형의 반도체 장치에 있어서, 폴리마이드로 제조된 절연테이프는 상기 내부 리이드의 변형을 방지하기 위하여 프레임을 형성하는 상기 내부 리이드상에 접착된다.Substantially, the semiconductor element is adhered to the element mounting portion with an adhesive, i. The semiconductor element, the element mounting portion, and the inner leads are encapsulated with a resin. The tie bar prevents the inner lead from being deformed until the resin step of fixing the inner lead with the resin, and prevents the resin from flowing out into the gap between the outer leads in the resin step. In a large semiconductor device, an insulating tape made of polyamide is adhered on the inner lead forming a frame to prevent deformation of the inner lead.
제1a도 내지 제1c도는 종래의 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법을 제조 단계별로 도시하는 주요부분의 사시도이다. 제1a도에 도시되어 있는 바와 같이, 타이바(3)는 상기 외부 리이드(2) 사이의 갭으로 상기 수지가 흘러나오는 것을 방지하고, 수지 봉지부(1)와 타이바(3) 사이에 형성된 상기 외부 리이드(2) 사이의 갭에는 상기 외부 리이드(2)와 거의 같은 두께를 갖는 댐 수지(4)가 충지된다. 또한, 상기 타이바(3)는 상기 외부 리이드(2)와 전기적으로 접속된다. 제1b도에 도시된 바와 같이, 일단, 수지 봉지가 실행되면, 상기 타이바(3)는 더 이상 필요치 않기 때문에 금형으로 절단되어, 상기 댐 수지(4)와 함게 제거된다. 수지(4)를 제거하기 위해서는, 수지나 유리분말을 고압 공기 및 고압수와 함께 뿌리는 호닝법(honing method)과, 전해탈지후 고압수를 뿌리는 방법등이 단독으로 사용될 수 있으나, 대부분의 경우에 있어서는, 이러한 방법들이 금형을 사용하여 제거하는 방법과 조합하여 실시된다. 이때, 상기 외부 리이드(2)상으로 흘러나오는 얇은 수지 플래쉬도 동시에 제거된다.1A to 1C are perspective views of principal parts showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in manufacturing steps. As shown in FIG. 1A, the tie bar 3 prevents the resin from flowing out into the gap between the outer leads 2 and is formed between the resin encapsulation portion 1 and the tie bar 3. The gap between the outer leads 2 is filled with a dam resin 4 having a thickness almost equal to that of the outer leads 2. The tie bar 3 is also electrically connected to the outer lead 2. As shown in FIG. 1B, once the resin encapsulation is carried out, the tie bar 3 is cut into a mold because it is no longer needed and removed together with the dam resin 4. In order to remove the resin (4), the honing method of spraying the resin or glass powder together with the high pressure air and high pressure water, and the method of spraying the high pressure water after electrolytic degreasing can be used alone. In some cases, these methods are practiced in combination with removal using a mold. At this time, the thin resin flash flowing onto the outer lead 2 is also removed at the same time.
또한, 상기 댐 수지(4)를 레이저 조사에 의해 제거하는 방법도 이용할 수 있으며, 이는 일본특허 공보 제62-229849호, 제62-247553호, 재3-106063호에 개시되어 있다.In addition, a method of removing the dam resin 4 by laser irradiation can also be used, which is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 62-229849, 62-247553, and 3-106063.
상기 타이바(3)와 상기 댐 수지(4)가 제거된 후에는, 제1c도에 도시되어 있는 바와 같이, 납땜 도금이 상기 외부 리이드(2)상에 제공되어 상기 외부 리이드(2)가 납땜된다. 상기 외부 리이드(2)는 프레임부(5)로부터 분리되어 소정의 형상을 갖도록 형성시킴으로써, 수지 봉지 반도체 장치가 완성된다.After the tie bar 3 and the dam resin 4 are removed, solder plating is provided on the outer lead 2, as shown in FIG. 1C, so that the outer lead 2 is soldered. do. The outer lead 2 is separated from the frame portion 5 and formed to have a predetermined shape, thereby completing the resin encapsulated semiconductor device.
종래의 리이드 프레임의 재질(금속)과 동일 재료로 형성된 타이바(3)를 절연물, 즉, 수지로 형성된 타이바(3)로 대치하는 방법에 대해서는 일본국 특개소 제64-72549호에 개시되어 있다.A method of replacing a tie bar 3 formed of the same material as a conventional lead frame (metal) with an insulator, that is, a tie bar 3 formed of resin, is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-72549. have.
또한, 타이바가 없는 리이드 프레임을 사용하고 수지 봉지부 주변의 외부 리이드 사이의 부분에 대응하는 부분에 돌기를 형성한 봉입 금형으로, 상기 돌기를 상이 타이바의 대신으로 사용하여 봉지 수지를 막는 방법이 예컨대, 일본국 특허공개 공보 제2-310955호에 개시되어 있다. 어떠한 방법에 있어서도, 상기 봉지 수지가 상기 외부 리이드(2) 사이의 갭으로 흘러 들어가는 것은 방지되어야 한다.In addition, a sealing mold in which a lead frame without a tie bar is used and protrusions are formed in a portion corresponding to a portion between the outer leads around the resin encapsulation portion, and a method of preventing the sealing resin by using the protrusions instead of the different tie bars is provided. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-310955 is disclosed. In any way, the encapsulation resin should be prevented from flowing into the gap between the outer leads 2.
종래의 타이바를 구비한 리이드 프레임을 사용하는 경우에 있어서, 상기 타이바는 수지 봉지후에 제거되어야 한다.In the case of using a lead frame with a conventional tie bar, the tie bar must be removed after the resin encapsulation.
최근의 수지 봉지 반도체 장치의 경향은, 핀수가 증가함으로 인하여 상기 리이드 피치가 감소하기 때문에, 상기 타이바를 절단하기가 어렵다. 상기 리이드 피치가 0.4mm일 때, 상기 펀치의 마모는 현저하다. 상기 리이드 피치가 0.3mm일때는, 파손이 종종 발생하여 상기 타이바를 기술적으로 절단하기는 불가능하다.The tendency of the resin-encapsulated semiconductor device in recent years is that it is difficult to cut the tie bar because the lead pitch decreases due to the increase in the number of pins. When the lead pitch is 0.4 mm, the wear of the punch is noticeable. When the lead pitch is 0.3 mm, breakage often occurs and it is impossible to technically cut the tie bar.
다른 방법으로서는, 상술한 바와 같이, 상기 타이바의 재질을 수지로 대체하는 수지 타이바 방법과, 외부 리이드 사이의 부분에 대응하는 부분에 돌기를 형성한 봉입 금형으로, 상기 돌기를 상기 타이바의 대신으로 사용하는 돌기가 형성된 금형법이 이용될 수 있다. 그러나, 어떠한 방법에 있어서도, 충분히 높은 봉지 수지 댐핑 효과는 얻을 수 없으며, 많은 수지 플래쉬가 형성된다.As another method, as described above, a resin tie bar method for replacing the material of the tie bar with a resin, and an encapsulation mold in which protrusions are formed on a portion corresponding to a portion between the outer lead, Instead, a mold method in which protrusions are used may be used. However, in any method, a sufficiently high sealing resin damping effect cannot be obtained, and many resin flashes are formed.
상기 수지가 부분적으로 누설될 때, 상기 리이드는 상기 수지의 압력에 의하여 변형된다. 상기 수지 타이바 방법으로는, 액상의 수지 또는 접착제를 사용함으로 인하여 양호한 절연성 수지를 종종 얻을 수 없다.When the resin partially leaks, the lead is deformed by the pressure of the resin. In the resin tie bar method, a good insulating resin is often not obtained due to the use of a liquid resin or an adhesive.
또한, 상기 수지 타이바 부분은 상기 봉지 수지 외부로 노출되기 때문에, 작은 피치의 수지 봉지 반도체 장치에 있어서 리이드간에 리이크가 발생하는 문제점이 있다. 상술한 돌기가 형성된 금형법에 있어서, 상기 돌기가 형성된 금형을 고정밀도로 제조하고, 상기 정밀도를 유지 관리하기는 극히 어렵다.In addition, since the resin tie bar portion is exposed to the outside of the encapsulating resin, there is a problem that leakage occurs between leads in the resin encapsulating semiconductor device having a small pitch. In the metal mold | die method with a processus | protrusion mentioned above, it is extremely difficult to manufacture the metal mold | die in which the said processus | protrusion was formed with high precision, and to maintain the said precision.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점들을 해결하고자 하는 관점에서 이루어졌으며, 본 발명의 목적은 충분히 높은 봉지 수지 댐핑 효과를 획득하고, 플래쉬의 형성, 리이드의 변형 및 리이드간의 리이크가 발생하지 않으며, 핀수의 증가로 인하여 야기되는 피치의 감소에 대응할 수 있는 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법을 제공하는데 있다.The present invention has been made in view of solving the problems of the prior art, the object of the present invention is to obtain a sufficiently high sealing resin damping effect, the formation of flash, the deformation of the lead and the leakage between the lead does not occur, the number of pins The present invention provides a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that can cope with a decrease in pitch caused by an increase in.
본 발명에 따라, 반도체 소자를 장착하는 소자 장착부와, 상기 소자 장착부 주변에 그들 사이의 갭을 가지고 상호 대면되도록 배열된 내부 리이드와, 상기 내부 리이드에 접속되고 그들 사이의 갭을 가지고 배열된 외부 리이드와, 상기 외부 및 내부 리이드를 지지하기 위하여 상기 외부 리이드에 접속된 프레임부를 구비하는 리이드 프레임을 형성하는 단계와, 상기 소자 장착부상에 반도체 소자를 접착시켜 상기 반도체 소자를 장착하는 단계와, 상기 반도체 소자의 전극과 상기 내부 리이드를 얇은 금속선으로 상호 접속시키는 단계와, 상기 반도체 소자, 상기 소자 장착부 및 상기 내부 리이드를 수지를 봉지하고, 동시에 상기 외부 리이드 사이에 수지를 충진하는 단계와, 상기 외부 리이드 사이의 수지를 레이저로 제거하는 단계와, 상기의 결과에 의한 구조물을 전해 탈지하는 단계와, 200kg/cm2를 초과하지 않는 고압력수를 뿌리는 단계와, 상기 외부 리이드를 소정의 형상으로 절단 형성하는 단계를 포함하는 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, an element mounting portion for mounting a semiconductor element, an inner lead arranged to face each other with a gap therebetween, and an outer lead arranged to be connected to the inner lead and having a gap therebetween And forming a lead frame including a frame portion connected to the external lead to support the external and internal leads, attaching the semiconductor element to the device mounting portion, and mounting the semiconductor element. Interconnecting the electrode of the device with the inner lead with a thin metal wire, encapsulating the semiconductor element, the device mounting portion and the inner lead with a resin, and simultaneously filling the resin between the outer lead, and the outer lead Laser-removing the resin between Electrolytic degreasing and spraying steps, the number of high pressure does not exceed 200kg / cm2 to the structure it is a step, and a method of manufacturing a resin sealed semiconductor device including the step of cutting forms the outer leads into a predetermined shape is provided.
본 발명의 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법에 따라서, 타이바가 전혀 없는 리이드 프레임이 사용되기 때문에, 금형을 사용하여 상기 타이바를 절단하고 제거한 필요가 없으며 그래서, 작은 피치를 갖는 외부 리이드에도 이 방법이 적용될 수 있고, 상기 피치가 0.4mm, 0.3mm 및 0.25mm이하로 감소해도 대응할 수 있게 된다.According to the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, since the lead frame without any tie bar is used, there is no need to cut and remove the tie bar using a mold, so that the method is also applied to an external lead having a small pitch. Even if the pitch is reduced to 0.4 mm, 0.3 mm and 0.25 mm or less, it becomes possible to cope.
타이바 잔류물이 상기 외부 리이드상에 존재하지 않기 때문에, 균일하고, 고정밀도 형성이 수행될 수 있다. 고가의 절단 금형을 반도체 장치의 형태의 장치로서 준비할 필요가 없게 되고, 어떤 형태의 반도체 장치도 레이저 장치만 준비하게 되면 제조될 수 있으므로, 작업 효율을 개선할 수 있게 된다.Since no tie bar residue is present on the outer lead, uniform, high precision formation can be performed. It is not necessary to prepare an expensive cutting mold as a device in the form of a semiconductor device, and any type of semiconductor device can be manufactured by preparing only a laser device, thereby improving work efficiency.
또한 절단 금형을 사용하는 방법과 다른 방법인 수지 타이바 방법이나, 돌기가 형성된 금형법에서는 외부 리이드의 변형, 전기 누전등의 신뢰성의 감소 및 돌기가 형성된 금형의 제조, 유지 관리의 문제점이 해결될 수 있다.In addition, the resin tie bar method, which is different from the method of using a cutting mold, or the mold method in which protrusions are formed may solve problems of deformation of external leads, reliability of electric leakage, etc., and manufacturing and maintenance of protrusions in which molds are formed. Can be.
본 발명의 상기의 목적 및 많은 다른 장점, 특징 및 추가의 목적들은 본 발명의 원리를 포함하는 바람직한 구조 실시예들이 도시된 하기의 세부 기술 및 수반되는 도면을 참조하면 명백해질 것이다.The above and many other advantages, features and further objects of the present invention will become apparent with reference to the following detailed description and the accompanying drawings in which preferred structural embodiments, including the principles of the invention, are shown.
본 발명의 바람직한 실시예는 수반되는 도면 (제2a도 내지 제2c도)를 참조하여 기술된다.Preferred embodiments of the invention are described with reference to the accompanying drawings (FIGS. 2A-2C).
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 실시예를 제조단계별로 도시하는 주요부분의 사시도이다.2A to 2C are perspective views of main parts showing embodiments of the present invention according to manufacturing steps.
반도체 소자를 장착하는 소자 장착부와, 상기 소자 장착부 주변에 갭을 갖고 상호 대면되도록 배역된 내부 리이드와, 상기 내부 리이드에 접속되고, 갭을 갖고 배열된 외부 리이드와, 상기 외부 밑 내부 리이드를 지지하기 위하여 상기 외부 리이드에 접속된 프레임부를 구비하는 리이드 프레임을 형성한다. 상기 리이드 프레임은 타이바를 갖지 않는다. 대형의 복수의 핀을 갖는 반도체 장치에 있어서, 종래의 반도체 장치와 동일한 방법으로 프레임을 형성하기 위하여 절연 테이프가 상기 내부 리이드상에 접착한다.Supporting an element mounting portion for mounting a semiconductor element, an inner lead disposed to face each other with a gap around the element mounting portion, an outer lead connected to the inner lead and arranged with a gap, and the outer lower inner lead In order to form a lead frame having a frame portion connected to the outer lead. The lead frame does not have a tie bar. In a semiconductor device having a plurality of large fins, an insulating tape adheres on the inner lead to form a frame in the same manner as a conventional semiconductor device.
제2a도에 도시된 바와 같이, 반도체 장치는 종래의 반도체 장치와 동일한 방법으로 실버 페이스트등으로 소자 장착부상에 접착 장착된다. 상기 반도체 소자의 전극과 상기 내부 리이드의 말단부는 얇은 금속선을 통하여 상호 접속된다.As shown in FIG. 2A, the semiconductor device is adhesively mounted on the element mounting portion with silver paste or the like in the same manner as the conventional semiconductor device. The electrode of the semiconductor element and the distal end of the inner lead are interconnected through a thin metal wire.
반도체 소자, 소자 장착부 및 내부 리이드는 수지로 봉지되어, 수지 봉지부(1)가 형성된다. 이때, 상기 내부 리이드와 외부 리이드(2) 사이에는 종래의 리이드 프레임의 타이바(3)가 존재하지 않기 때문에, 모든 외부 리이드(2) 사이의 프레임부(5)까지 리이드간 수지(6)가 충진된다. 상기 각각의 내부 리이드의 양측면에 가해진 압력의 차이가 작기 때문에, 상기 반도체 장치는 수지 봉지 동안의 압력의 차로 인하여 상기 내부 리이드가 변형되는 일이 없이 봉지된다.The semiconductor element, the element mounting portion, and the inner lead are sealed with resin, so that the resin encapsulation portion 1 is formed. At this time, since the tie bar 3 of the conventional lead frame does not exist between the inner lead and the outer lead 2, the interleaved resin 6 is added to the frame portions 5 between all the outer leads 2. It is filled. Since the pressure difference applied to both sides of each of the inner leads is small, the semiconductor device is encapsulated without deforming the inner lead due to the difference in pressure during resin encapsulation.
실질적으로, 제2b도에 도시된 바와 같이, 상기 외부 리이드(2)사이에 충진된 리이드간 수지는 제거된다.Substantially, as shown in FIG. 2B, the interleaved resin filled between the outer leads 2 is removed.
상기 리이드간 수지(6)를 제거하기 위하여 레이저를 사용하면, 좋은 결과가 얻어진다. 상기 레이저 방법과는 다른 종래의 방법으로는, 예컨대, 저해 탈지후 고압력수(압력: 200 kg/cm2이하)를 뿌리는 방법 및 수지 또는 유리 호닝법이 수행되었다. 상기 외부 리이드 길이가 작을때는(두께:0.5mm. 폭:0.2mm, 길이:2mm이하), 리이드 변형이 작고, 비교적 좋은 결과가 얻어진다. 그러나, 상기 외부 리이드 길이가 클때는(2mm이상), 리이드 굽힘이 크게 발생되어 실용성이 없다.When a laser is used to remove the interleaved resin 6, good results are obtained. As a conventional method different from the laser method, for example, a method of spraying high pressure water (pressure: 200 kg / cm 2 or less) after inhibition degreasing and a resin or glass honing method were performed. When the outer lead length is small (thickness: 0.5 mm, width: 0.2 mm, length: 2 mm or less), the lead deformation is small, and a relatively good result is obtained. However, when the length of the outer lead is large (2 mm or more), the lead bend is greatly generated and it is not practical.
상기 리이드간 수지(6)를 레이저로 제거할 때는, 상기 수지만 제거되고, 상기 외부 리이드(2)에는 직접적으로 어떠한 힘도 가하지 않는다. 그래서, 상기 외부 리이드(2)는 상기 리이드 길이에 관계없이 변형되지 않는다.When the interleaved resin 6 is removed with a laser, only the resin is removed, and no force is applied directly to the outer lead 2. Thus, the outer lead 2 does not deform regardless of the length of the lead.
또한, 상기 외부 리이드(2)상의 수지 플래쉬도 동시에 제거된다.In addition, the resin flash on the outer lead 2 is also removed at the same time.
상기 레이저 조사 조건으로서, 30W의 레이저 발진원이 사용될때, 상기 리이드간 수지(6) 및 상기 외부 리이드(2)상의 얇은 수지 플래쉬는 400내지 1000mm/sec의 스케닝 속도 및 200㎛의 스케닝 간격으로 완전히 제거된다. 단, 상기 반도체 장치가, 에칭된 리이드 프레임을 가질때는, 에칭에 의해 형성된 상기 외부 리이드(2)의 측면부상의 작은 요철부의 그늘진 곳에 있는 수지 또는 레이저 조사 퀘적간의 수지가 때때로 완전히 제거되지 않는 경우가 있기 때문에, 이들을 완전히 제거하기 위해서는, 종래의 전해 탈지법에 의해, 상기 외부 리이드(2)와 잔재 수지와의 밀착성을 열화시킨 후, 호닝법에 의해 상기 수지를 제거하기 위하여 고압력수를 불어넣는 종래의 전해탈지법 및 호닝법을 병용하여야 한다. 이대, 상기 고압력수의 압력을 200 kg/cm2이하로 설정하면,외부 리이드(2)의 변형이 방지되고, 또한 잔재 수지도 완전히 제거된다. 상기 전해 탈지는 시판되는 이용가능한 화학제를 사용하여 65℃, 1A/dm2으로 15분간 수행된다.As the laser irradiation condition, when a 30W laser oscillation source is used, the thin resin flash on the interleaved resin 6 and the outer lead 2 is completely at a scanning speed of 400 to 1000 mm / sec and a scanning interval of 200 μm. Removed. However, when the semiconductor device has an etched lead frame, it is sometimes the case that the resin in the shaded portion of the small uneven portion on the side portion of the outer lead 2 formed by etching or the resin between the laser irradiation quarts is sometimes not completely removed. Therefore, in order to remove these completely, the conventional electrolytic degreasing method deteriorates the adhesiveness between the outer lead 2 and the residual resin, and then blows high pressure water to remove the resin by the honing method. Electrolytic degreasing and honing should be used together. When the pressure of the high pressure water is set to 200 kg / cm 2 or less, deformation of the outer lead 2 is prevented, and the residual resin is also completely removed. The electrolytic degreasing was carried out at 65 ° C., 1 A / dm 2 for 15 minutes using commercially available chemicals.
최종적으로, 제2c도에 도시된 바와 같이, 리이드간 수지(6)를 제거하여, 상기 외부 리이드(2)를 소정의 형상으로 절단 형성함으로써, 수지 봉지 반도체 장치가 얻어진다.Finally, as shown in FIG. 2C, the resin-encapsulated semiconductor device is obtained by removing the interlead resin 6 and cutting the outer lead 2 into a predetermined shape.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5288929A JPH07142664A (en) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
| JP93-288929 | 1993-11-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015724A KR950015724A (en) | 1995-06-17 |
| KR0145647B1 true KR0145647B1 (en) | 1998-08-01 |
Family
ID=17736639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940030289A KR0145647B1 (en) | 1993-11-18 | 1994-11-17 | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142664A (en) |
| KR (1) | KR0145647B1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4467203B2 (en) * | 2001-03-27 | 2010-05-26 | 新日本無線株式会社 | Electronic component lead cutting method |
| JP5334239B2 (en) | 2008-06-24 | 2013-11-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP5380244B2 (en) * | 2009-10-22 | 2014-01-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP6753086B2 (en) * | 2016-03-14 | 2020-09-09 | 富士電機株式会社 | Removal method and manufacturing method |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP5288929A patent/JPH07142664A/en active Pending
-
1994
- 1994-11-17 KR KR1019940030289A patent/KR0145647B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950015724A (en) | 1995-06-17 |
| JPH07142664A (en) | 1995-06-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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