KR0137047Y1 - Oscillation circuit using surface acoustic wave resonator - Google Patents
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Abstract
본 고안은 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로에 관한 것으로서, 종래의 케이블 텔레비젼의 수신 채널인 채널 3을 채널 13으로 변경하여 수신하고자 할 경우에 주파수를 채널 13에 적합한 주파수로 발진하기 위하여, 824MHz용 표면 탄성파 공진기를 사용함으로써, 채널 13의 수신을 가능하게 하였다.The present invention relates to an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator, and in order to oscillate the frequency to a frequency suitable for channel 13 when receiving channel 3, which is a reception channel of a conventional cable television, to channel 13, the surface for 824MHz By using the acoustic wave resonator, reception of channel 13 was made possible.
본 고안은 현재 케이블 텔레비젼의 수신 채널이 채널 13인 국가에서 사용할 수 있도록 고안된 것이다.The present invention is designed to be used in a country where the receiving channel of the cable television is channel 13.
Description
제1도는 일반적인 튜너의 구성을 나타내는 블록도.1 is a block diagram showing the configuration of a general tuner.
제2도는 종래의 기술에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로의 구성을 나타내는 회로도.2 is a circuit diagram showing the configuration of an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator according to the prior art.
제3도는 본 고안에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로의 구성을 나타내는 회로도.3 is a circuit diagram showing the configuration of an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator according to the present invention.
제 4 도는 표면 탄성파 공진기의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of a surface acoustic wave resonator.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
RF IN : 고주파 입력단자 RF OUT : 고주파 출력단자RF IN: High Frequency Input Terminal RF OUT: High Frequency Output Terminal
BPF1~BPF4 : 밴드 패스 필터 DBM : 이중평형 믹서BPF1 ~ BPF4: Band Pass Filter DBM: Double Balanced Mixer
AMP1,AMP2 : 증폭기 MIX : 믹서AMP1, AMP2: Amplifier MIX: Mixer
ATT : 감쇄기 BUF1,BUF2 : 버퍼ATT: Attenuator BUF1, BUF2: Buffer
V IN : 전압 입력단자 VCO : 전압제어 발진기V IN: Voltage input terminal VCO: Voltage controlled oscillator
PRE : 분주기 OSC : 발진기PRE: Divider OSC: Oscillator
SAW1,SAW2 : 표면 탄성파 공진기 VCC : 정전압원SAW1, SAW2: Surface acoustic wave resonator VCC: Constant voltage source
R1~R10 : 저항 L1~L4 : 코일R1 ~ R10: Resistance L1 ~ L4: Coil
C1~C11 : 콘덴서 T : 트랜스C1 ~ C11: Condenser T: Transformer
Q1 : 모스 트랜지스터 Q2 : 바이폴라 트랜지스터Q1: MOS transistor Q2: Bipolar transistor
본 고안은 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고주파 13채널을 수신하기 위하여, 수신 주파수를 직접 변환하는 튜너부 내에 표면 탄성파 공진기를 이용하여 고주파 13채널에 해당하는 주파수를 출력할 수 있도록 한 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로에 관한 것이다.The present invention relates to an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator, and more particularly, in order to receive a high frequency 13 channel, a frequency corresponding to a high frequency 13 channel is output using a surface acoustic wave resonator in a tuner unit for directly converting a reception frequency. It relates to an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator.
제1도는 튜너의 구성을 나타내는 블럭도이다.1 is a block diagram showing the configuration of a tuner.
제1도를 보면, 고주파 입력단자(RF IN)는 밴드 패스 필터(BPFI)를 통하여 이중 평형 믹서(Double Balanced Mixer:DBM)에 연결되어 있고, 이중 평형믹서(DBM)는 밴드 패스 필터(BPF2)와 증폭기(AMPI) 및 밴드 패스 필터(BPF3)를 통하여 믹서(MIX)에 연결되어 있으며, 믹서(MIX)는 증폭기(AMP2)와 밴드 패스필터(BPF4) 및 감쇄기(ATT)를 통하여 고주파 출력단자(RF OUT)에 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, a high frequency input terminal (RF IN) is connected to a double balanced mixer (DBM) through a band pass filter (BPFI), and a double balance mixer (DBM) is a band pass filter (BPF2). And an amplifier (AMPI) and a band pass filter (BPF3) are connected to the mixer (MIX), and the mixer (MIX) is a high frequency output terminal (AMP) through the amplifier (AMP2), the band pass filter (BPF4) and the attenuator (ATT). RF OUT).
한편, 전압 입력단자(V IN)는 전압제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator:VCO)에 연결되어 있고, 전압제어 발진기(VCO)에서 분기되어 하나는 분주기(Prescaler:PRE)를 통하여 마이크로 컴퓨터(도시되지 않음)에 연결되어있으며, 마이크로 컴퓨터는 다시 전압 입력단자(V IN)에 연결되어 있다. 또, 전압제어 발진기(VCO)에서 분기된 다른 하나는 두개의 버퍼(BUF1,BUF2)를 통하여 이중 평형 믹서(DBM)에 연결되어 있다.Meanwhile, the voltage input terminal V IN is connected to a voltage controlled oscillator (VCO), branched from the voltage controlled oscillator (VCO), and one is connected to a microcomputer (not shown) through a divider (PRE). The microcomputer is again connected to the voltage input terminal (V IN). The other branched from the voltage controlled oscillator VCO is connected to the dual balance mixer DBM through two buffers BUF1 and BUF2.
이상의 회로를 참조하면, 고주파 입력단자(RF IN)에 입력된 고주파는 밴드패스 필터(BPFI)에서 필터링되어 ±50∼550MHz의 주파수가 이중 평형 믹서(DBM)에 공급된다.Referring to the above circuit, the high frequency input to the high frequency input terminal RF IN is filtered by the band pass filter BPFI, and a frequency of ± 50 to 550 MHz is supplied to the dual balance mixer DBM.
한편, 전압 입력단자(VIN)를 통하여 입력된 일정 전압은 전압제어발진기(VCO)에서 발진하여 두개의 버퍼(BUF1,BUF2)를 통하여 이중 평형믹서(DBM)로 인가되고, 전압제어 발진기(VCO)의 다른 출력은 분주기(PRE)를 통하여 후단에 설치된 마이크로 컴퓨터가 인식할 수 있는 크기의 주파수로 나누어 마이크로 컴퓨터로 출력하는데, 마이크로 컴퓨터는 분주기(PRE)를 통하여 입력된 주파수 크기를 비교하여 전압원을 제어함으로써, 일정 주파수가 이중 평형믹서(DBM)에 공급되도록 한다.Meanwhile, the constant voltage input through the voltage input terminal VIN is oscillated by the voltage controlled oscillator VCO and applied to the double balance mixer DBM through the two buffers BUF1 and BUF2, and the voltage controlled oscillator VCO. The other output of is divided into frequencies of the magnitude that can be recognized by the microcomputer installed at the rear stage through the frequency divider and output to the microcomputer. The microcomputer compares the magnitude of the frequency inputted through the frequency divider and compares the voltage source. By controlling this, a constant frequency is supplied to the dual balance mixer (DBM).
또한, 이중 평형 믹서(DBM)는 상기 두개의 주파수를 믹서하여 밴드 패스필터(BPF2)와 증폭기(AMPI) 및 또 하나의 밴드 패스 필터(BPF3)를 거쳐 믹서(MIX)에 공급되는데, 이때, 믹서(MIX)에 공급된 주파수는 영상신호가 ±612,75MHz이고, 음성신호가 ±608.25MHz이다.In addition, the dual balance mixer DBM mixes the two frequencies and is supplied to the mixer MIX through a band pass filter BPF2, an amplifier AMP, and another band pass filter BPF3. The frequency supplied to (MIX) is ± 612,75MHz for video signal and ± 608.25MHz for audio signal.
여기서, 3채널을 선택하여 시청하고자 할 때에는, 발진기(OSC)를 통하여 일정 주파수를 발진하여 믹서(MIX)에 공급함으로써, 3채널에 해당하는 주파수를 후단에 공급하게 되는데, 이때, 3채널에 해당하는 주파수는 영상신호가 ±61.25MHz이고, 음성신호가 ±65.75MHz이므로, 이 주파수에 맞추기 위하여 결국, 믹스(MIX)에서는 674MHz를 발진하고, 감쇄기(ATT)에 인가되는 주파수는 1286.75MHz와 61.25MHz가 된다. 따라서, 고주파 출력단자(RF OUf)로부터 출력되는 주파수는 3채널에 적합한 61.25MHz가 된다.Here, when selecting and watching three channels, by oscillating a predetermined frequency through an oscillator (OSC) and supplying it to the mixer (MIX), a frequency corresponding to three channels is supplied to the rear stage, in this case, corresponding to three channels Since the frequency of the video signal is ± 61.25MHz and the audio signal is ± 65.75MHz, in order to meet this frequency, the oscillator oscillates 674MHz in the mix and the frequencies applied to the attenuator ATT are 1286.75MHz and 61.25MHz. Becomes Therefore, the frequency output from the high frequency output terminal RF OUf becomes 61.25 MHz suitable for three channels.
제2도는 종래의 기술에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing the configuration of an oscillator using a surface acoustic wave resonator according to the prior art.
제2도를 보면, 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 입력단자는 접지되어 있고, 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 출력은 콘덴서(C4)를 통하여 제1도에서 도시된 믹서(MIX)에 연결되어 있으며, 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 그라운드단자는 저항(R1)을 통하여 접지되어 있다.2, the input terminal of the surface acoustic wave resonator SAW1 is grounded, and the output of the surface acoustic wave resonator SAW1 is connected to the mixer MIX shown in FIG. 1 through a condenser C4. The ground terminal of the surface acoustic wave resonator SAW1 is grounded through the resistor R1.
또한, 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 출력과 콘덴서(C4) 사이에서 분기되어 하나는 모스 트랜지스터(Q1)의 드레인 단자에 연결되어 있고, 모스트랜지스터(Q1)의 게이트 단자는 코일(L2)을 통하여 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 그라운드단자와 저항(R1) 사이에 연결되어 있으며, 모스 트랜지스터(Q1)의 다른 게이트 단자는 콘덴서(C1)를 통하여 접지되어 있고, 모스 트랜지스터(Q1)의 소오스단자는 접지되어 있다.In addition, a branch between the output of the surface acoustic wave resonator SAW1 and the capacitor C4 is connected to the drain terminal of the MOS transistor Q1, and the gate terminal of the MOS transistor Q1 is surfaced through the coil L2. It is connected between the ground terminal of the acoustic wave resonator SAW1 and the resistor R1, the other gate terminal of the MOS transistor Q1 is grounded through the capacitor C1, and the source terminal of the MOS transistor Q1 is grounded. have.
또한, 표면 탄성파 공진기(SAW1)의 출력과 콘텐서(C4) 사이에서 분기되어 다른 하나는 코일(L1)과 저항(R4) 및 콘텐서(C3)를 통하여 접지되어 있고, 저항(R4)과 콘겐서(C3) 사이에서 분기되어 정전압원(VCC)에 연결되어 있다. 또, 모스 트랜지스터(Q1)의 다른 게이트 단자와 콘덴서(C1) 사이에서 분기되어 하나는 저항(R2)을 통하여 접지되어 있고, 다른 하나는 저항(R3)을 통하여 코일(L1)과 저항(R4) 사이의 분기점에 연결되어 있으며, 코일(L1)과 저항(R4) 사이의 분기점과 저항(R3) 사이에서 분기되어 콘텐서(C2)를 통하여 접지되어 있다.In addition, a branch between the output of the surface acoustic wave resonator SAW1 and the capacitor C4 and the other is grounded through the coil L1, the resistor R4 and the capacitor C3, and the resistor R4 and the cone. It is branched between the genus C3 and connected to the constant voltage source VCC. In addition, a branch is branched between the other gate terminal of the MOS transistor Q1 and the capacitor C1, and one is grounded through the resistor R2, and the other is the coil L1 and the resistor R4 through the resistor R3. It is connected to the branching point between, and branched between the branching point between the coil (L1) and the resistor (R4) and the resistor (R3) is grounded through the capacitor (C2).
상기 종래 표면 탄성파 공진기(SAW1)는 674MHz 및 0도 위상(Phase)의 공진주파수 특성을 갖는 소자로서 상기 모스 트랜지스터(Q1)과 코일(L2)의 조합으로 그 표면 탄성파 공진기(SAW1) 자체의 공진점에서 발진을 하며, 여기서 발생된 주파수(674MHz)는 콘덴서(C4)를 통해 제1도의 믹서로 제공되고, 상기 모스트랜지스터(Q1)에서 공진된 발진신호는 상기 표면 탄성파 공진기(SAW1)로 궤환(feedback)된다. 한편, 제2도에서 상기 표면 탄성파 공진기(SAW1), 트랜지스터(Q1), 코일(L2)등을 제외한 기타 구성요소들은 상기 트랜지스터(Q1)의 직류 바이어스로 동작한다.The conventional surface acoustic wave resonator SAW1 has a resonant frequency characteristic of 674 MHz and a zero degree phase, and is a combination of the MOS transistor Q1 and the coil L2 at the resonance point of the surface acoustic wave resonator SAW1 itself. The oscillation is performed, and the generated frequency (674MHz) is provided to the mixer of FIG. 1 through the condenser C4, and the oscillation signal resonated in the MOS transistor Q1 is fed back to the surface acoustic wave resonator SAW1. do. Meanwhile, in FIG. 2, other components except for the surface acoustic wave resonator SAW1, the transistor Q1, the coil L2, and the like operate as a direct current bias of the transistor Q1.
상기 종래의 표면 탄성파 공진기는 3채널에 해당하는 주파수 즉, 674MHz만을 공진하며 0도 공진 위상(Phase) 특성을 가지고 있다.The conventional surface acoustic wave resonator resonates only a frequency corresponding to three channels, that is, 674 MHz, and has a zero degree resonance phase characteristic.
그러나, 상기된 제1도 및 제2도는 각국의 경우 케이블 텔레비젼의 수신주파수가 서로 상이하여, 3채널을 수신하도록 된 튜너를 사용하여 13채널을 수신하고자 할 경우에는 수신할 수 없으며, 또한 제2도의 종래 발진회로는 0도 공진 위상 특성을 갖는 표면 탄성파 공진기에만 적합하도록 설계되어 있기 때문에, 그 발진회로에는 180도 공진 위상 특성을 갖는 표면 탄성파 공진기는 사용할 수 없는 문제가 있었다.However, the above-mentioned FIG. 1 and FIG. 2 cannot be received when 13 channels are to be received by using a tuner that is capable of receiving 3 channels because the receiving frequencies of the cable television are different from each other in each country. Since the conventional oscillation circuit of Fig. 1 is designed to be suitable only for a surface acoustic wave resonator having a zero degree resonance phase characteristic, there is a problem that the surface acoustic wave resonator having a 180 degree resonance phase characteristic cannot be used in the oscillation circuit.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 3채널을 수신하도록 구성된 튜너부에 13채널에 해당하는 발진 주파수를 제공함으로써, 13채널을 수신할 수 있도록 한 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention by providing an oscillation frequency corresponding to 13 channels in the tuner unit configured to receive 3 channels, the surface acoustic wave resonator to receive 13 channels It is to provide an oscillation circuit used.
본 고안의 다른 목적은 180도 공진 위상 특성을 갖는 표면 탄성파 공진기를 사용할 수 있도록 하고, 그 표면 탄성파 공진기의 열화를 방지하도록 하는 발진회로를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an oscillation circuit capable of using a surface acoustic wave resonator having a 180 degree resonant phase characteristic and preventing degradation of the surface acoustic wave resonator.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로는, 824MHz 및 180도 공진 위상의 주파수 특성을 가지고 있으며, 그라운드단자는 접지되고 입력단자는 상기 그라운드단자 또는 출력단자에 연결된 표면탄성파 공진기와; 상기 표면 탄성파 공진기의 출력단자와 정전압원 사이에 차례로 직렬 연결된 제1저항, 코일 및 제2저항과; 베이스는 상기 표면 탄성파 공진기와 상기 제1저항 사이의 접점에 연결되고 콜렉터는 상기 제1저항과 상기코일 사이의 접점에 연결되며 에미터는 제3저항을 통해 접지된 바이폴라 트랜지스터와; 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터와 에미터 사이에 연결된 제1콘덴서와: 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제1콘덴서의 공통접점과 접지 사이에 연결된 제2콘덴서와; 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제1콘덴서 및 제2콘덴서의 공통접점에 일단이 연결되고 타단은 출력측에 연결되는 제3콘덴서; 및 상기 코일과 제2저항의 공통접점과 접지 사이에 연결된 제4콘덴서를 포함하여 구성된다.The oscillation circuit using the surface acoustic wave resonator according to the present invention for achieving the above object has a frequency characteristic of 824MHz and 180 degrees resonant phase, the ground terminal is grounded and the input terminal is a surface connected to the ground terminal or output terminal An acoustic wave resonator; A first resistor, a coil and a second resistor connected in series between an output terminal of the surface acoustic wave resonator and a constant voltage source; A base connected to a contact between the surface acoustic wave resonator and the first resistor, a collector connected to a contact between the first resistor and the coil, and an emitter connected to a ground through a third resistor; A first capacitor connected between the collector and the emitter of the bipolar transistor; a second capacitor connected between the common contact of the emitter of the bipolar transistor and the first capacitor and ground; A third capacitor having one end connected to a common contact between the emitter of the bipolar transistor and the first and second capacitors, and the other end connected to an output side; And a fourth capacitor connected between the common contact of the coil and the second resistor and ground.
이하, 본 고안에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of an oscillation circuit using a surface acoustic wave resonator according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제3도는 본 고안에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing the configuration of an oscillator using a surface acoustic wave resonator according to the present invention.
제3도를 보면, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 그라운드 단자는 접지되어있고, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 입력 단자는 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 그라운드 단자와 접지점 사이에 연결되거나 또는 출력단자에 연결되어 있으며, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력단자는 저항(R5)과 코일(L3) 및 또 하나의 저항(R7)을 통하여 정전압원(VCC)에 연결되어 있다.Referring to FIG. 3, the ground terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 is grounded, and the input terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 is connected between the ground terminal and the ground point of the surface acoustic wave resonator SAW2 or connected to the output terminal. The output terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 is connected to the constant voltage source VCC through a resistor R5, a coil L3, and another resistor R7.
또한, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력단자와 저항(R5) 사이에서 분기되어 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 베이스에 연결되어 있고, 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 저항(R5)과 코일(L3) 사이에 연결되어 있으며, 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 에미터는 저항(R6)을 통하여 접지되어 있다.In addition, a branch between the output terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 and the resistor R5 is connected to the base of the bipolar transistor Q2, and the collector of the bipolar transistor Q2 is connected between the resistor R5 and the coil L3. The emitter of bipolar transistor Q2 is grounded through resistor R6.
또한, 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 에미터와 저항(R6) 사이에서 분기되어 콘덴서(C7)를 통하여 제1도의 믹서(MIX)에 연결되어 있고, 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 에미터와 저항(R6) 사이의 분기점과 콘덴서(C7) 사이에서 분기되어 하나는 콘덴서(C6)를 통하여 접지되어 있으며, 다른 하나는 콘덴서(C5)를 통하여 저항(R5)과 코일(L3) 사이의 분기점과 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 사이에 연결되어 있고, 코일(L3)과 저항(R7) 사이에서 분기되어 콘덴서(C8)를 통하여 접지되어 있다.Further, it is branched between the emitter of the bipolar transistor Q2 and the resistor R6 and connected to the mixer MIX of FIG. 1 through the capacitor C7, and the emitter and resistor R6 of the bipolar transistor Q2. Branched between branch and capacitor C7, one grounded through capacitor C6, and the other branched between resistor R5 and coil L3 and bipolar transistor Q2 through capacitor C5. Is connected between the collectors of the coils, and is branched between the coil L3 and the resistor R7 and grounded through the capacitor C8.
또한, 제1도에서 도시된 발진기(OSC)인 본 고안의 발진회로는 제2도의표면 탄성파 공진기(SAW1)가 제3도의 표면 탄성파 공진기(SAW2)로 대체되어 구비되는 것이다. 즉, 674MHz 및 0도 공진 위상의 표면 탄성파 공진기(SAW1)가 824MHz 및 180도 공진위상용으로 대체된다.In addition, the oscillator of the present invention, which is the oscillator (OSC) shown in FIG. 1, is provided by replacing the surface acoustic wave resonator SAW1 of FIG. 2 with the surface acoustic wave resonator SAW2 of FIG. That is, the surface acoustic wave resonator SAW1 of 674 MHz and 0 degree resonant phase is replaced for the 824 MHz and 180 degree resonant phase.
따라서, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 주파수 값은 824MHz이고, 이 주파수가 표면 탄성파 공진기(SAW2)를 통하여 출력되는데, 이때, 출력 주파수의 위상이 상기 180도 공진 위상을 갖는 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 특성으로 인하여 180도 반전되어 출력된다.Therefore, the frequency value of the surface acoustic wave resonator SAW2 is 824 MHz, and this frequency is output through the surface acoustic wave resonator SAW2, where the phase of the output frequency of the surface acoustic wave resonator SAW2 has a 180-degree resonant phase. Due to the characteristics, the output is inverted 180 degrees.
따라서, 그 180도 반전된 주파수를 재반전하여 믹서로 출력하기 위하여 에미터가 접지된 바이폴라 트랜지스터(Q2)를 사용하여 재반전하여 출력한다. 즉, 상기 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 상기 표면 탄성파 공진기(SAW2)에 의해 180도 반전된 주파수를 다시 반전시켜 0도 공진 위상으로 보상하여 믹서로 인가하기 위한 것이다.Therefore, in order to invert the 180 degree inverted frequency and output it to the mixer, the emitter is inverted and output again using the grounded bipolar transistor Q2. That is, the bipolar transistor Q2 is for inverting the frequency inverted 180 degrees by the surface acoustic wave resonator SAW2 to compensate for the zero degree resonance phase and applying it to the mixer.
본 고안의 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로의 전기적인 동작은, 표면 탄성파 공진기(SAW2)에서 공진 출력되는 180도 공진위상 및 824MHz 신호가 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스로 인가되어 위상이 반전된 후, 코일(L3) 및 콘덴서(C8)를 통해 접지(Ground)로 흐른다. 이때, 상기 콘덴서(C8)는 교류적으로 접지에 쇼트(Short)되어 있기 때문에 여기로 흐른 발진신호는 다시 상기 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 접지단자로 인가됨으로써 상기 동작을 반복하게 된다. 한편, 상기바이폴라 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전류는 거의 에미터 전류와 같기 때문에 에미터에서 콘덴서(C7)를 통해 제1도의 믹서(MIX) 측으로 출력한다.Electrical operation of the oscillation circuit using the surface acoustic wave resonator of the present invention, after the 180-degree resonant phase and 824MHz signal that is resonantly output from the surface acoustic wave resonator (SAW2) is applied to the base of the bipolar transistor (Q1), the phase is reversed, Flow to ground through coil L3 and condenser C8. At this time, since the capacitor C8 is short-circuited to the ground alternatingly, the oscillation signal flowing here is applied to the ground terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 to repeat the operation. On the other hand, since the collector current of the bipolar transistor Q1 is almost equal to the emitter current, it is output from the emitter to the mixer MIX side of FIG. 1 through the condenser C7.
제4도는 표면 탄성파 공진기의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of the surface acoustic wave resonator.
제4도를 보면, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 입력단자는 저항(RM)과 코일(LM) 및 콘텐서(CM1)를 통하여 트랜스(T)의 1차 권선 중 일측 단자에 연결되어 있고, 트랜스(T)의 1차 권선 중 타측 단자는 분기되어 하나는 콘덴서(CM2)를 통하여 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 입력단자와 저항(RM) 사이에 연결되어 있으며, 트랜스(T)의 1차 권선과 콘덴서(CM2) 사이에서 분기되어 접지되어 있다.Referring to FIG. 4, the input terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2 is connected to one terminal of the primary winding of the transformer T through the resistor RM, the coil LM, and the capacitor CM1. The other terminal of the primary winding of (T) is branched and one is connected between the input terminal of the surface acoustic wave resonator (SAW2) and the resistor (RM) through the capacitor (CM2), and the primary winding of the transformer (T) and It is branched between the capacitors CM2 and grounded.
또한, 트랜스(T)의 2차 권선 중 일측 단자는 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력단자에 연결되어 있고, 트랜스(T)의 2차 권선중 타측 단자는 분기되어 하나는 트랜스(T)의 1차 권선 중 타측 단자의 분기점에 연결되어 있으며, 트랜스(T)의 2차 권선 중 타측 단자는 분기되어 다른 하나는 콘덴서(CM3)를 통하여 트랜스(T)의 2차 권선과 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력단자 사이에 연결되어 있다. 그리고, 상기표면 탄성파 공진기는 요구되는 값으로 설정된 저항, 콘덴서, 코일에 의하여 일정주파수가 출력된다.In addition, one terminal of the secondary winding of the transformer (T) is connected to the output terminal of the surface acoustic wave resonator (SAW2), the other terminal of the secondary winding of the transformer (T) is branched one is the primary of the transformer (T) It is connected to the branching point of the other terminal of the winding, and the other terminal of the secondary winding of the transformer T is branched and the other one of the secondary winding of the transformer T and the surface acoustic wave resonator SAW2 through the capacitor CM3. It is connected between the output terminals. The surface acoustic wave resonator outputs a constant frequency by a resistor, a capacitor, and a coil set to a required value.
또한, 824MHz로 되는 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 주파수는 저항(RM)과 코일(LM) 및 콘덴서(CM1)를 통하여 트랜스(T)의 1차 권선으로 인가되고, 이것은 위상이 반전되어 트랜스(T)의 2차 권선으로 유도된다. 결국, 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력 위상이 반전되어 표면 탄성파 공진기(SAW2)의 출력 단자를 통하여 출력된다.In addition, the frequency of the surface acoustic wave resonator SAW2, which becomes 824 MHz, is applied to the primary winding of the transformer T through the resistor RM, the coil LM, and the capacitor CM1, which is inverted in phase and thus the transformer T Leads to the secondary winding. As a result, the output phase of the surface acoustic wave resonator SAW2 is reversed and output through the output terminal of the surface acoustic wave resonator SAW2.
이상에서와 같이 본 고안에 따른 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진회로에 의하면, 824MHz 및 180도 공진 위상 특성의 표면 탄성파 공진기를 사용한 발진회로를 구현할 수 있음으로, 13채널에 해당하는 주파수를 발진할 수 있고, 180도공진위상의 표면 탄성파 공진기를 이용한 발진기술을 확보할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the oscillation circuit using the surface acoustic wave resonator according to the present invention, an oscillation circuit using the surface acoustic wave resonator having 824MHz and 180 degree resonant phase characteristics can be implemented, and thus, frequencies corresponding to 13 channels can be oscillated. In addition, it is possible to secure an oscillation technique using a surface acoustic wave resonator having a 180 degree resonance phase.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019920026154U KR0137047Y1 (en) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | Oscillation circuit using surface acoustic wave resonator |
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|---|---|---|---|
| KR2019920026154U KR0137047Y1 (en) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | Oscillation circuit using surface acoustic wave resonator |
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| KR940018129U KR940018129U (en) | 1994-07-30 |
| KR0137047Y1 true KR0137047Y1 (en) | 1999-04-01 |
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ID=19347297
Family Applications (1)
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| KR2019920026154U KR0137047Y1 (en) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | Oscillation circuit using surface acoustic wave resonator |
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|---|---|
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-
1992
- 1992-12-23 KR KR2019920026154U patent/KR0137047Y1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| KR940018129U (en) | 1994-07-30 |
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