KR0122519Y1 - Crt protection circuit of a monitor - Google Patents
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Abstract
본 고안은 셀의 이상으로 과도한 전압이나 전류가 흘러 씨알티의 고압이나 빔 전류가 높아질 때 수평 발진부의 동작을 차단하여 씨알티를 보호할 수 있도록 한 모니터의 씨알티 보호 회로에 관한 것으로, 본체로부터 입력되는 수평동기신호를 처리하여 수평신호를 출력시키는 수평 발진부(1)와, 상기 수평 발진부(1)로부터 출력되는 구형파의 수평신호를 입력받아 수평 드라이브 신호를 출력시키는 수평 드라이브부(2)와, 상기 수평 드라이브부(2)의 출력신호를 소정레벨로 증폭시켜 이를 씨알티(4)로 출력시키는 수평 출력부(3)와, 상기 수평 발진부(1)와 플라이 백 트랜스(5) 사이에 접속되어 플라이 백 트랜스(5)의 고압이나 빔전류가 설정치이상으로 높아질 때 수평 발진부(1)의 발진을 차단하는 수평발진 차단부(6)를 구비하여 구성되는 모니터의 씨알티 보호 회로에 있어서, 상기 수평발진차단부(6)에 셀의 이상동작으로 고압이 설정전압이상으로 될 때 상기 수평발진 차단부(6)의 트랜지스터(Q1)가 항상 스위칭 온상태를 유지하도록 제어하는 스위칭 제어부(7)를 더 구비하여 이루어진다.The present invention relates to a SALTI protection circuit of a monitor that protects SALTI by blocking the operation of the horizontal oscillator when excessive voltage or current flows to the cell to increase the high voltage or beam current of the SALTI. A horizontal oscillator 1 for processing an input horizontal synchronization signal and outputting a horizontal signal, a horizontal drive unit 2 for receiving a horizontal signal of a square wave output from the horizontal oscillator 1 and outputting a horizontal drive signal; A horizontal output unit 3 which amplifies the output signal of the horizontal drive unit 2 to a predetermined level and outputs it to the STI 4, and is connected between the horizontal oscillation unit 1 and the flyback transformer 5 SALTIBO of a monitor configured with a horizontal oscillation blocker 6 for blocking oscillation of the horizontal oscillator 1 when the high voltage of the flyback transformer 5 or the beam current becomes higher than a set value. In the call circuit, the transistors Q1 of the horizontal oscillation blocking section 6 are always kept switched on when the high voltage becomes higher than the set voltage due to abnormal operation of the cell. A switching control unit 7 is further provided.
Description
제1도는 종래 모니터의 씨알티 보호 회로도.1 is a SALTI protection circuit diagram of a conventional monitor.
제2도는 본 고안에 따른 모니터의 씨알티 보호 회로도.2 is a SALTI protection circuit diagram of a monitor according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 수평 발진부 2 : 수평 드라이브부1: horizontal oscillation part 2: horizontal drive part
3 : 수평 출력부 4 : 씨알티3: horizontal output unit 4: CALTI
5 : 플라이 백 트랜스 6 : 수평발진 차단부5: flyback transformer 6: horizontal oscillation block
7 : 스위칭 제어부 Q1-Q3 : 트랜지스터7: switching control unit Q1-Q3: transistor
R1-R7 : 저항 ZD : 제너 다이오드R1-R7: Resistor ZD: Zener Diode
본 고안은 모니터에 관한 것으로, 특히 셀의 이상으로 과도한 전압이나 전류가 흘러 씨알티(CRT)의 고압이나 빔 전류가 높아질 때 수평 발진부의 동작을 차단하여 씨알티를 보호할 수 있도록 한 모니터의 씨알티 보호 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a monitor, in particular, a monitor's seed that prevents the horizontal oscillation unit from operating when the high voltage or current of the CRT flows due to excessive voltage or current flowed into the cell, thereby protecting the seed. Tee protection circuit.
일반적으로 14인치 모니터의 경우 24KV의 고압이 씨알티에 인가되며, 17인치 모니터의 경우 27KV의 고압이 씨알티에 인가되는데 상기 24KV+20% 또는 27KV+20% 이상의 고압이 씨알티에 인가되면 씨알티에 손상을 주게 되기 때문에 씨알티로의 신호를 차단하여 씨알티를 보호해 주어야 한다.In general, a high voltage of 24KV is applied to CALTI for a 14-inch monitor, and a high pressure of 27KV is applied to CALTI for a 17-inch monitor. When a high pressure of 24KV + 20% or 27KV + 20% is applied to CALTI, it is damaged. You will need to protect it by blocking the signal to it.
종래 이러한 모니터의 씨알티 보호 회로는 제1도에 도시된 바와같이, 본체로부터 입력되는 수평동기신호를 처리하여 수평신호를 출력시키는 수평 발진부(1)와, 상기 수평 발진부(1)로부터 출력되는 구형파의 수평신호를 입력받아 수평 드라이브 신호를 출력시키는 수평 드라이브부(2)와, 상기 수평 드라이브부(2)의 출력신호를 소정레벨로 증폭시켜 이를 씨알티(4)로 출력시키는 수평 출력부(3)와, 상기 수평 발진부(1)와 플라이 백 트랜스(5) 사이에 접속되어 플라이 백 트랜스(5)의 고압이나 빔전류가 설정치이상으로 높아질 때 수평 발진부(1)의 발진을 차단하는 트랜지스터(Q1), 저항(R1-R3), 콘덴서(C1), 제너 다이오드(ZD)로 된 수평발진 차단부(6)를 구비하여 구성되었다.The conventional CALTI protection circuit of the monitor has a horizontal oscillation unit 1 for processing a horizontal synchronization signal input from a main body and outputting a horizontal signal as shown in FIG. 1, and a square wave output from the horizontal oscillation unit 1. A horizontal drive unit 2 for receiving a horizontal signal of the horizontal drive unit 2 and outputting a horizontal drive signal, and a horizontal output unit 3 for amplifying the output signal of the horizontal drive unit 2 to a predetermined level and outputting it to the SALTI 4. And a transistor Q1 connected between the horizontal oscillator 1 and the flyback transformer 5 to block oscillation of the horizontal oscillator 1 when the high voltage or the beam current of the flyback transformer 5 becomes higher than a set value. ), A resistor (R1-R3), capacitor (C1), and a horizontal oscillation blocking portion (6) made of a zener diode (ZD).
이와같이 구성된 종래 모니터의 씨알티 보호회로에 있어서는, 정상시 플라이 백 트랜스(5)로부터의 고압이 수평발진 차단부(6)의 제너 다이오드(ZD) 설정전압보다 작아 제너 다이오드(ZD)가 턴 오프되므로 트랜지스터(Q1)가 오프되어 수평 발진부(1)가 정상적으로 발진동작을 수행함으로써 수평신호가 씨알티(4)로 출력되었다.In the CALTI protection circuit of the conventional monitor configured as described above, the zener diode ZD is turned off because the high voltage from the flyback transformer 5 during normal operation is smaller than the set voltage of the zener diode ZD of the horizontal oscillation cut-off part 6. The transistor Q1 is turned off so that the horizontal oscillator 1 normally oscillates, and thus the horizontal signal is output to the CT4.
만일, 플라이 백 트랜스(5)의 고압이나 빔 전류가 높아지게 되면, 수평 발진 차단부(6)의 제너 다이오드(ZD)의 설정전압보다 높게 되어 제너 다이오드(ZD)가 턴 온된다.If the high voltage and the beam current of the flyback transformer 5 become high, the zener diode ZD is turned on because the voltage is higher than the set voltage of the zener diode ZD of the horizontal oscillation blocking unit 6.
따라서, 제너 다이오드(ZD)가 턴 온되면, 트랜지스터(Q1)가 스위칭 온되어 수평 발진부(1)의 발진동작이 차단되고, 이에따라 수평 드라이브부(2)와 수평 출력부(3)가 동작하지 않음으로써 씨알티(4)로의 신호가 인가되지 않아 결국 전압이 인가되지 않음으로써 씨알티(4)를 보호할 수 있게 되는 것이다.Therefore, when the zener diode ZD is turned on, the transistor Q1 is switched on to block the oscillation operation of the horizontal oscillator 1, and thus the horizontal drive unit 2 and the horizontal output unit 3 do not operate. As a result, since no signal is applied to the CALTI 4, a voltage is not applied, thereby protecting the CALTI 4.
그러나, 상기와 같은 종래 모니터의 씨알티 보호회로에 있어서는, 셀의 이상으로 고압이 높아질 때 수평 발진 차단부(6)의 트랜지스터(Q1)가 계속 스위칭 온상태를 유지하여야 수평신호발생부(1)의 동작을 차단할 수 있으나, 트랜지스터(Q1)가 계속 온 상태를 유지하지 못할 경우 수평 발진부(1)의 동작을 차단하지 못하게 되어 씨알티의 손상을 가져오게 되는 문제가 있었다.However, in the CALTI protection circuit of the conventional monitor as described above, when the high voltage rises above the cell, the transistor Q1 of the horizontal oscillation blocking section 6 must be kept switched on so that the horizontal signal generator 1 Although it can block the operation of, but if the transistor (Q1) is not kept on continuously, the operation of the horizontal oscillation unit (1) is not blocked, there is a problem that may cause damage.
본 고안은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 셀의 이상시 수평발진차단부의 트랜지스터를 항상 안정되게 스위칭 온상태를 유지시킴으로써 수평 발진부의 동작을 차단할 수 있게 하는 모니터의 씨알티 보호 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such a conventional problem, and the SALTI protection circuit of the monitor which can block the operation of the horizontal oscillation unit by always stably switching on the transistor of the horizontal oscillation blocking unit in case of an abnormal cell The purpose is to provide.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은 입력되는 수평동기신호를 처리하여 수평신호를 출력시키는 수평 발진부와, 상기 수평 발진부로부터 출력되는 구형파의 수평신호를 입력받아 수평 드라이브 신호를 출력시키는 수평 드라이브부와, 상기 수평 드라이브부의 출력신호를 소정레벨로 증폭시켜 이를 씨알티로 출력시키는 수평 출력부와, 상기 수평 발진부와 플라이 백 트랜스사이에 접속되어 플라이 백 트랜스의 고압이나 빔전류가 설정치이상으로 높아질 때 수평 발진부의 발진을 차단하는 수평발진 차단부를 구비하여 구성된 모니터의 씨알티 보호회로에 있어서, 상기 수평발진 차단부의 제너 다이오드 애노우드측에 셀의 이상동작으로 고압이 설정전압이상으로 될때 트랜지스터를 스위칭 온시키도록 제어하는 스위칭 제어부를 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a horizontal oscillator for processing the horizontal synchronous signal input to output a horizontal signal, and a horizontal drive unit for outputting a horizontal drive signal by receiving a horizontal signal of a square wave output from the horizontal oscillator; And a horizontal output unit for amplifying the output signal of the horizontal drive unit to a predetermined level and outputting the signal to the STI, and when the high voltage or the beam current of the flyback transformer becomes higher than a set value, between the horizontal oscillator and the flyback transformer. A CALTI protection circuit of a monitor including a horizontal oscillation blocking unit for blocking oscillation of an oscillation unit, the transistor being switched on when a high voltage becomes higher than a set voltage due to an abnormal operation of a cell on the zener diode anode side of the horizontal oscillation blocking unit. It is further provided with a switching control unit for controlling the Characterized in that a.
본 고안의 바람직한 구성상의 특징은 상기 스위칭 제어부가, 제너 다이오드가 턴 온될때 스위칭 온되는 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터가 스위칭 온될 때 동시에 스위칭 온되는 제2트랜지스터와, 상기 제2트랜지스터의 콜렉터와 제1트랜지스터의 베이스사이에 접속되어 전류의 흐름을 제한하는 저항과, 상기 제2트랜지스터의 에미터와 제1트랜지스터의 콜렉터 그리고 전원공급단 사이에 접속되어 상기 트랜지스터를 바이어스시키기 위한 복수의 저항을 구비하여 구성된 데 있다.According to a preferred aspect of the present invention, the switching control unit includes a first transistor switched on when the zener diode is turned on, a second transistor switched on simultaneously when the first transistor is switched on, and a collector of the second transistor. And a resistor connected between the base of the first transistor and limiting the flow of current, and a plurality of resistors connected between the emitter of the second transistor and the collector of the first transistor and a power supply terminal to bias the transistor. It is provided with.
이와같은 본 고안 모니터의 씨알티 보호 회로에 의하면, 셀의 이상동작시 수평발진 차단부의 트랜지스터를 항상 온상태로 유지시킬 수 있어 수평발진부를 계속적으로 차단할 수 있으므로 고압이나 빔전류에 의한 씨알티의 손상을 방지할 수 있게 되는 것이다.According to the CT protection circuit of the present invention monitor, the transistor of the horizontal oscillation blocking unit can be kept on at all times during the abnormal operation of the cell, and thus the horizontal oscillating unit can be continuously blocked, thereby preventing damage to the CT by high voltage or beam current. Will be able to prevent.
이하, 본 고안 모니터의 씨알티 보호 회로의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고로하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the CALTI protection circuit of the subject innovation monitor will be described in detail as follows.
제2도는 본 고안의 회로도로, 본체로부터 입력되는 수평동기신호를 처리하여 수평신호를 출력시키는 수평 발진부(1)와, 상기 수평발진부(1)로부터 출력되는 구형파의 수평신호를 입력받아 수평 드라이브 신호를 출력시키는 수평 드라이브부(2)와, 상기 수평 드라이브부(2)의 출력신호를 소정레벨로 증폭시켜 이를 씨알티(4)로 출력시키는 수평 출력부(3)와, 상기 수평 발진부(1)와 플라이 백 트랜스(5)사이에 접속되어 플라이 백 트랜스(5)의 고압이나 빔전류가 설정치이상으로 높아질 때 수평 발진부(1)의 발진을 차단하는 트랜지스터(Q1), 저항(R1-R3), 콘덴서(C1), 제너 다이오드(ZD)로 된 수평발진 차단부(6)를 구비하여 구성되는 모니터의 씨알티 보호 회로에 있어서, 상기 수평발진차단부(6)의 저항(R3)과 제너 다이오드(ZD) 사이에 셀의 이상동작으로 고압이 설정전압이상으로 될 때 상기 트랜지스터(Q1)가 항상 스위칭 온 상태를 유지하도록 제어하는 스위칭 제어부(7)를 더 구비하여 구성된 것이다.2 is a circuit diagram of the present invention, which receives a horizontal oscillation unit 1 for processing a horizontal synchronous signal input from a main body and outputs a horizontal signal, and receives a horizontal signal of a square wave output from the horizontal oscillation unit 1 and receives a horizontal drive signal. A horizontal drive unit 2 for outputting a signal, a horizontal output unit 3 for amplifying the output signal of the horizontal drive unit 2 to a predetermined level, and outputting the output signal to the STI 4, and the horizontal oscillation unit 1 A transistor (Q1), resistors (R1-R3) connected between the flyback transformer (5) and blocking the oscillation of the horizontal oscillator (1) when the high voltage or the beam current of the flyback transformer (5) becomes higher than the set value. In a SALTI protection circuit of a monitor comprising a capacitor (C1) and a horizontal oscillation blocking portion (6) consisting of a zener diode (ZD), the resistance (R3) of the horizontal oscillation blocking portion (6) and a zener diode ( High pressure is set due to abnormal operation of the cell between ZD). When the above pressure is configured to further comprise a switching controller (7) for controlling said transistor (Q1) it is switched on so as to always maintain the state.
그리고, 상기 스위칭 제어부(7)는 상기 제너 다이오드(ZD)가 턴 온될때 스위칭 온되는 제1트랜지스터(Q2)와, 상기 제1트랜지스터(Q2)가 스위칭 온될 때 동시에 스위칭 온되는 제2트랜지스터(Q3)와, 상기 제2트랜지스터(Q3)의 콜렉터와 제1트랜지스터(Q2)의 베이스사이에 접속되어 전류의 흐름을 제한하는 저항(R4)과, 상기 제2트랜지스터(Q3)의 에미터와 제1트랜지스터(Q2)의 콜렉터 그리고 전원공급단(VCC)사이에 접속되어 상기 트랜지스터(Q2)(Q3)를 바이어스시키기 위한 저항(R5)(R6)으로 구성된다.The switching controller 7 may include a first transistor Q2 which is switched on when the zener diode ZD is turned on, and a second transistor Q3 which is simultaneously switched on when the first transistor Q2 is switched on. ), A resistor (R4) connected between the collector of the second transistor (Q3) and the base of the first transistor (Q2) to limit the flow of current, and the emitter and the first of the second transistor (Q3). It is composed of resistors R5 and R6 connected between the collector of transistor Q2 and the power supply terminal VCC to bias the transistors Q2 and Q3.
도면중 미설명 부호 C2는 리플 제거용 콘덴서, R7은 저항이다.In the figure, reference numeral C2 denotes a capacitor for removing ripple, and R7 denotes a resistor.
이와같이 구성된 본 고안은 셀이 정상적으로 동작할 때에는 플라이백 트랜스(5)의 고압이 제너 다이오드(ZD)의 설정전압보다 낮아 제너 다이오드(ZD)가 턴 오프되므로 스위칭 제어부(7)의 제1트랜지스터(Q2)가 스위칭 오프된다.According to the present invention configured as described above, since the high voltage of the flyback transformer 5 is lower than the set voltage of the zener diode ZD when the cell operates normally, the zener diode ZD is turned off, so that the first transistor Q2 of the switching controller 7 is turned off. ) Is switched off.
따라서, 제1트랜지스터(Q2)가 스위칭 오프되면, 제2트랜지스터(Q3)도 스위칭 오프되어 트랜지스터(Q1)가 스위칭 오프되므로 수평 발진부(1)는 정상적으로 발진 동작을 수행하여 수평 드라이브부(2)로 구형펄스를 출력시키게 되고, 이에따라 씨알티(4)에 정상적인 전압이 인가된다.Therefore, when the first transistor Q2 is switched off, the second transistor Q3 is also switched off and the transistor Q1 is switched off. Therefore, the horizontal oscillator 1 normally oscillates to the horizontal drive unit 2. Spherical pulses are output, so that a normal voltage is applied to the CALTI 4.
그러나, 셀의 이상으로 플라이 백 트랜스(5)로부터 설정치 이상의 고압이나 빔 전류가 출력되면, 제너 다이오드(ZD)가 턴온되어 스위칭 제어부(7)의 제1트랜지스터(Q2)가 스위칭 온된다.However, when a high voltage or a beam current higher than a set value is output from the flyback transformer 5 due to the abnormality of the cell, the zener diode ZD is turned on and the first transistor Q2 of the switching controller 7 is switched on.
따라서, 제1트랜지스터(Q2)가 스위칭 온되면, 제2트랜지스터(Q3)도 스위칭 온되는데, 이때 전원(VCC)의 전류가 제2트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 통하여 i1과 같이 트랜지스터(Q1)의 베이스로 흐름과 동시에 i2와 같이 저항(R4)을 통하여 제2트랜지스터(Q3)의 베이스로 흐르게 된다.Therefore, when the first transistor Q2 is switched on, the second transistor Q3 is also switched on, wherein the current of the power supply VCC is made to pass through the collector of the second transistor Q3, such as i 1 . a base at the same time as the flow of the flows to the base of the second transistor (Q3) through a resistor (R4) 2, such as i.
즉, 제2트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스로 흐르는 전류에 의하여 트랜지스터(Q1)가 스위칭 온되어 수평 발진부(1)의 동작을 차단시키며, 이때 제2트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 통하여 제1트랜지스터(Q2)의 베이스로 흐르는 전류에 의해 제2트랜지스터(Q2)는 항상 온 상태를 유지하게 되는 것이다.That is, the transistor Q1 is switched on by the current flowing to the base of the transistor Q1 through the collector of the second transistor Q3 to block the operation of the horizontal oscillator 1, and at this time, the second transistor Q3 The second transistor Q2 is always kept on by current flowing through the collector to the base of the first transistor Q2.
다시말해서, 일단 제1,제2트랜지스터(Q2)(Q3)가 스위칭 온되면, 이후에 제너 다이오드(ZD)가 턴오프되어도 제2트랜지스터(Q3)의 콜렉터 전류 i2에 의해 제1트랜지스터(Q2)의 베이스에 계속하여 전류가 공급되므로 제2트랜지스터(Q3) 그리고 트랜지스터(Q1)가 항상 온상태를 유지하게 되는 것이다.In other words, once the first and second transistors Q2 and Q3 are switched on, the first transistor Q2 is generated by the collector current i 2 of the second transistor Q3 even after the zener diode ZD is turned off. Since the current is continuously supplied to the base of), the second transistor Q3 and the transistor Q1 are always on.
따라서, 셀의 이상시에는 스위칭 제어부(7)의 제어에 의해 트랜지스터(Q1)가 온상태를 유지하여 수평 발진부(1)의 발진을 차단함으로써 씨알티(4)로의 수평신호를 차단하게 되어 씨알티(4)를 보호할 수 있게 된다.Therefore, in the case of abnormal cell, the transistor Q1 is kept on under the control of the switching controller 7 to block the oscillation of the horizontal oscillator 1 so as to block the horizontal signal to the SALTI 4. 4) can be protected.
이상에서 설명한 바와같은 본 고안은 셀의 이상시 스위칭 제어부(7)에서 항상 트랜지스터(Q1)를 스위칭 온시켜 수평 발진부(1)의 동작을 차단하므로 씨알티(4)로의 신호가 차단되어 고압이나 빔 전류에 의해 씨알티(4)와 다른부품이 손상되는 것을 보호할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention cuts off the operation of the horizontal oscillator 1 by switching on the transistor Q1 in the switching controller 7 in case of an abnormal cell, so that the signal to the SALTI 4 is blocked so that the high voltage or beam There is an effect that can protect the CALTI (4) and other components from damage by the current.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950031264U KR0122519Y1 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Crt protection circuit of a monitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950031264U KR0122519Y1 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Crt protection circuit of a monitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970019929U KR970019929U (en) | 1997-05-26 |
| KR0122519Y1 true KR0122519Y1 (en) | 1998-10-01 |
Family
ID=19427552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019950031264U KR0122519Y1 (en) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Crt protection circuit of a monitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0122519Y1 (en) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR2019950031264U patent/KR0122519Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970019929U (en) | 1997-05-26 |
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