KR0121222Y1 - 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 - Google Patents
반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 29
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대의 척이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공에 하방으로 스크류가 설치되므로써, 웨이퍼의 내부 및 사이에 두께차가 심하게 발생시 드레싱을 하지 않고 용이하게 스크류를 회전시켜 척의 높이를 보상해줌에 따라 생산성을 증대시킬 수 있고, 척과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 것이다.
이를 위해, 본 고안은 웨이퍼(4)의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 ; 척지대(1)의 척(2)의 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에, 회전시킴에 따라 승강하여 척(2)의높이를 조정하기 위한 스크류(5)를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)을 형성하여, 상기 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류(5)를 승강시켜 척의 높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치이다.
Description
제1도는 종래의 반도체 제조공정용 연삭장비에 척이 설치된 상태를 나타낸 평면도
제2도는 제1도를 나타낸 정면도
제3도는 본 고안을 나타낸 평면도
제4도는 제3도를 요부 절개하여 나타낸 정면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 척지지대 2 : 척
3 : 체결공 4 : 웨이퍼
5 : 스크류 5a : 나사홈
본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조공정에 사용되는 뒷면 연삭장비의 척을 웨이퍼 내부 및 웨이퍼 사이의 두께 차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척표면을 드레싱하지 않고 용이하게 미세조정하여 사용할 수 있도록 한 것이다.
종래에는 제1도 및 제2도에 나타낸 바와같이, 반도체 제조공정의 하나인 뒷면 연삭공정에서 연삭장비의 연삭 후 웨이퍼 면상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠(도시는 생략함)로 척지지대(1a)상에 설치되어 웨이퍼(4)가 안착되는 복수개의 척(2)표면을 셀프연삭을 통하여 깎아 균일하게 하는 드레싱(dressing)을 하고 테스트를 한 후 작업을 실시하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래에는 연삭 작업 후, 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼간의 두께차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척(2)표면을 드레싱해야 하므로 인해 척(2) 및 휠의 사용수명이 크게 저하될 뿐만 아니라, 생산성이 떨어지게 되는 등의 많은 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안은 반도체 제조공정에 사용되는 뒷면 연삭장비의 척을 웨이퍼면상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척표면을 드레싱하지 않고 용이하게 미세조정하여 사용할 수 있도록하여 생산성을 증대시킴과 동시에, 척과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안은 웨이퍼의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 ; 척지지대의 척이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공에, 회전시킴에 따라 승강하여 척의 높이를 조정하기 위한 스크류를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈을 형성하여, 상기 웨이퍼면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류를 승강시켜 척의높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 되는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치이다.
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 제3도 및 제4도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안을 나타낸 평면도이고, 제4도는 제3도를 요부 절개하여 나타낸 정면도로서, 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 복수개의 체결공(3)이 형성되어 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 회전시켜 상기 척(2)의 높이를 조정하기 위한 스크류(5)가 상기 체결공(3)의 하방으로 설치되어 구성된다.
이 때, 상기 스크류(5) 하단면에는 육모렌치 등의 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)이 형성된다.
이와 같이 구성된 본 고안은 제3도 및 제4도에 나타낸 바와 같이, 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 하방으로 스크류(5)가 설치되므로 반도체 제조공정의 하나인 뒷면 연삭공정에서 연삭장비의 연삭후 웨이퍼(4)면상의 각 위치에 따른 두께차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 척(2)의 표면을 드레싱하지 않고도 척지지대(1)의 체결공(3) 하방에 설치된 스크류(5)를 회전시켜 척(2)의 높이를 미세조정하여 보상할 수 있어서 작업시간을 크게 단축시켜 생산성을 증대시킬 수 있고, 척(2) 및 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있게 된다.
즉, 육모렌치 등의 공구를 스크류(5) 하단면에 형성된 나사홈(5a)에 결합시켜 공구를 회전시키면, 공구의 회전방향에 따라 스크류(5)가 상승 또는 하강하게 되며, 스크류와 함께 척(2)도 상승 또는 하강하게 된다.
이상에서와 같이, 본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 하방으로 스크류(5)가 설치되므로써, 웨이퍼(4) 면상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호간의 두께차가 심하게 발생시 드레싱을 하지 않고 용이하게 스크류(5)를 회전시켜 척(2)의 높이를 보상해줌에 따라 생산성을 증대시킬 수 있고, 척(2)과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 매우 유용한 고안이다.
Claims (1)
- 웨이퍼(4)의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 : 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 회전시킴에 따라 승강하여 척(2)의 높이를 조정하기 위한 스크류(5)를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)을 형성하여, 상기 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류(5)를 승강시켜 척의 높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960006319U KR960006319U (ko) | 1996-02-17 |
KR0121222Y1 true KR0121222Y1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=19388285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR0121222Y1 (ko) |
-
1994
- 1994-07-13 KR KR2019940017351U patent/KR0121222Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR960006319U (ko) | 1996-02-17 |
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