KR0121222Y1 - 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 - Google Patents

반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0121222Y1
KR0121222Y1 KR2019940017351U KR19940017351U KR0121222Y1 KR 0121222 Y1 KR0121222 Y1 KR 0121222Y1 KR 2019940017351 U KR2019940017351 U KR 2019940017351U KR 19940017351 U KR19940017351 U KR 19940017351U KR 0121222 Y1 KR0121222 Y1 KR 0121222Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
screw
wafer
grinding
thickness difference
Prior art date
Application number
KR2019940017351U
Other languages
English (en)
Other versions
KR960006319U (ko
Inventor
위성은
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019940017351U priority Critical patent/KR0121222Y1/ko
Publication of KR960006319U publication Critical patent/KR960006319U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0121222Y1 publication Critical patent/KR0121222Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대의 척이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공에 하방으로 스크류가 설치되므로써, 웨이퍼의 내부 및 사이에 두께차가 심하게 발생시 드레싱을 하지 않고 용이하게 스크류를 회전시켜 척의 높이를 보상해줌에 따라 생산성을 증대시킬 수 있고, 척과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 것이다.
이를 위해, 본 고안은 웨이퍼(4)의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 ; 척지대(1)의 척(2)의 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에, 회전시킴에 따라 승강하여 척(2)의높이를 조정하기 위한 스크류(5)를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)을 형성하여, 상기 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류(5)를 승강시켜 척의 높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치이다.

Description

반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치
제1도는 종래의 반도체 제조공정용 연삭장비에 척이 설치된 상태를 나타낸 평면도
제2도는 제1도를 나타낸 정면도
제3도는 본 고안을 나타낸 평면도
제4도는 제3도를 요부 절개하여 나타낸 정면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 척지지대 2 : 척
3 : 체결공 4 : 웨이퍼
5 : 스크류 5a : 나사홈
본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조공정에 사용되는 뒷면 연삭장비의 척을 웨이퍼 내부 및 웨이퍼 사이의 두께 차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척표면을 드레싱하지 않고 용이하게 미세조정하여 사용할 수 있도록 한 것이다.
종래에는 제1도 및 제2도에 나타낸 바와같이, 반도체 제조공정의 하나인 뒷면 연삭공정에서 연삭장비의 연삭 후 웨이퍼 면상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠(도시는 생략함)로 척지지대(1a)상에 설치되어 웨이퍼(4)가 안착되는 복수개의 척(2)표면을 셀프연삭을 통하여 깎아 균일하게 하는 드레싱(dressing)을 하고 테스트를 한 후 작업을 실시하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래에는 연삭 작업 후, 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼간의 두께차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척(2)표면을 드레싱해야 하므로 인해 척(2) 및 휠의 사용수명이 크게 저하될 뿐만 아니라, 생산성이 떨어지게 되는 등의 많은 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안은 반도체 제조공정에 사용되는 뒷면 연삭장비의 척을 웨이퍼면상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께차이가 심하게 발생될때 연삭장비의 휠로 척표면을 드레싱하지 않고 용이하게 미세조정하여 사용할 수 있도록하여 생산성을 증대시킴과 동시에, 척과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안은 웨이퍼의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 ; 척지지대의 척이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공에, 회전시킴에 따라 승강하여 척의 높이를 조정하기 위한 스크류를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈을 형성하여, 상기 웨이퍼면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류를 승강시켜 척의높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 되는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치이다.
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 제3도 및 제4도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안을 나타낸 평면도이고, 제4도는 제3도를 요부 절개하여 나타낸 정면도로서, 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 복수개의 체결공(3)이 형성되어 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께 차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 회전시켜 상기 척(2)의 높이를 조정하기 위한 스크류(5)가 상기 체결공(3)의 하방으로 설치되어 구성된다.
이 때, 상기 스크류(5) 하단면에는 육모렌치 등의 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)이 형성된다.
이와 같이 구성된 본 고안은 제3도 및 제4도에 나타낸 바와 같이, 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 하방으로 스크류(5)가 설치되므로 반도체 제조공정의 하나인 뒷면 연삭공정에서 연삭장비의 연삭후 웨이퍼(4)면상의 각 위치에 따른 두께차이 및 웨이퍼 상호 간의 두께 차이가 심하게 발생될때 척(2)의 표면을 드레싱하지 않고도 척지지대(1)의 체결공(3) 하방에 설치된 스크류(5)를 회전시켜 척(2)의 높이를 미세조정하여 보상할 수 있어서 작업시간을 크게 단축시켜 생산성을 증대시킬 수 있고, 척(2) 및 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있게 된다.
즉, 육모렌치 등의 공구를 스크류(5) 하단면에 형성된 나사홈(5a)에 결합시켜 공구를 회전시키면, 공구의 회전방향에 따라 스크류(5)가 상승 또는 하강하게 되며, 스크류와 함께 척(2)도 상승 또는 하강하게 된다.
이상에서와 같이, 본 고안은 반도체 제조공정용 연삭장비에 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 하방으로 스크류(5)가 설치되므로써, 웨이퍼(4) 면상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호간의 두께차가 심하게 발생시 드레싱을 하지 않고 용이하게 스크류(5)를 회전시켜 척(2)의 높이를 보상해줌에 따라 생산성을 증대시킬 수 있고, 척(2)과 휠의 사용수명을 향상시킬 수 있는 매우 유용한 고안이다.

Claims (1)

  1. 웨이퍼(4)의 뒷면을 연삭하기 위한 연삭장비의 척 미세조정장치에 있어서 : 척지지대(1)의 척(2)이 안착되는 부위에 형성된 복수개의 체결공(3)에 회전시킴에 따라 승강하여 척(2)의 높이를 조정하기 위한 스크류(5)를 설치하고, 상기 스크류 하단면에는 공구를 결합시키기 위한 나사홈(5a)을 형성하여, 상기 웨이퍼(4)면 상의 각 위치에 따른 두께차 및 웨이퍼 상호 간의 두께차가 심하게 발생할 경우, 상기 스크류(5)를 승강시켜 척의 높이를 조절하므로써 웨이퍼의 평탄도를 조절할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치.
KR2019940017351U 1994-07-13 1994-07-13 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치 KR0121222Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) 1994-07-13 1994-07-13 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) 1994-07-13 1994-07-13 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960006319U KR960006319U (ko) 1996-02-17
KR0121222Y1 true KR0121222Y1 (ko) 1998-08-01

Family

ID=19388285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019940017351U KR0121222Y1 (ko) 1994-07-13 1994-07-13 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0121222Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960006319U (ko) 1996-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6672943B2 (en) Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6354927B1 (en) Micro-adjustable wafer retaining apparatus
US5289661A (en) Notch beveling on semiconductor wafer edges
JPH1158217A (ja) 化学的/機械的な研磨装置のための研磨布コンディショナ、化学的/機械的な研磨装置のための研磨布をコンディショニングするための方法および半導体ウェーハを研磨するための改良された化学的/機械的な研磨装置
CN110010458B (zh) 控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片
TW374943B (en) Apparatus of grinding process and the method
TWI824024B (zh) 矩形基板的磨削方法
US6273794B1 (en) Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface
KR0121222Y1 (ko) 반도체 제조공정용 연삭장비의 척 미세조정장치
JPH09262747A (ja) 高脆性材の両面研削装置
US6736713B2 (en) Workpiece carrier retaining element
US6221773B1 (en) Method for working semiconductor wafer
TW202243809A (zh) 拋光系統
US20020004265A1 (en) Grind polish cluster and methods to remove visual grind pattern
US6811473B2 (en) Process for machining a wafer-like workpiece
KR101043487B1 (ko) 웨이퍼 양면연마기의 연마패드 보정장치와 보정방법
US20020086625A1 (en) Vacuum mount wafer polishing methods and apparatus
TW202322207A (zh) 研削裝置
US6379216B1 (en) Rotary chemical-mechanical polishing apparatus employing multiple fluid-bearing platens for semiconductor fabrication
KR19980045527U (ko) 화학적 기계적 연마 장치
CN218518956U (zh) 一种SiC晶棒黏结装置
JPH0152148B2 (ko)
KR100643489B1 (ko) 반도체 제조설비의 리테이너링 높이조절장치
US6676496B2 (en) Apparatus for processing semiconductor wafers
KR101596621B1 (ko) 웨이퍼 연마 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050322

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee