KR0113733Y1 - Optical out detect apparatus of surface optical laser - Google Patents

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KR0113733Y1
KR0113733Y1 KR2019940024551U KR19940024551U KR0113733Y1 KR 0113733 Y1 KR0113733 Y1 KR 0113733Y1 KR 2019940024551 U KR2019940024551 U KR 2019940024551U KR 19940024551 U KR19940024551 U KR 19940024551U KR 0113733 Y1 KR0113733 Y1 KR 0113733Y1
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Abstract

표면 광 레이저(VCSEL : vertical cavity surface emitting laser)의 광출력 검출장치가 개시되어 있다.An apparatus for detecting light output of a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) is disclosed.

이 VCSEL의 광출력 검출장치는 반도체 기판과, 이 기판상에 집적된 VCSEL 다이오드인 제1광원과, 상기 제1광원과 마찬가지 구조의 VCSEL다이오드인 제2광원을 구비하고, 이 두 광원의 전극층에 동일 또는 상호 비례하는 순방향 바이어스 전압을 인가한다. 이 전압에 의하여 상기 VCSEL다이오드는 수직방향으로 원형광이 출사한다. 상기 제1광원에서 출사되는 광은 그 본래의 목적에 이용하고, 상기 제2광원에서 출사되는 광은 상기 제1광원에서 출사되는 광량을 제어하기 위한 모니터 전용으로 이용한다.The optical output detection device of this VCSEL comprises a semiconductor substrate, a first light source that is a VCSEL diode integrated on the substrate, and a second light source that is a VCSEL diode having the same structure as the first light source. Apply equal or mutually proportional forward bias voltage. By this voltage, the VCSEL diode emits circular light in the vertical direction. The light emitted from the first light source is used for its original purpose, and the light emitted from the second light source is used exclusively for the monitor for controlling the amount of light emitted from the first light source.

이를 위하여 상기 제2광원의 상부에 광검출기를 결합 구비하였다. 이 광검출기에서 수광된 광량에 따른 신호를 상기 제1광원에 자동제어부를 경유하여 제어신호를 전달하므로써 제1광원에서 출사되는 출사광량을 제어한다.To this end, a photo detector is coupled to the upper portion of the second light source. The amount of emitted light emitted from the first light source is controlled by transmitting a signal corresponding to the amount of light received by the photodetector to the first light source via the automatic control unit.

Description

표면 광 레이저(VCSEL)의 광출력 검출장치Light output detection device of surface light laser (VCSEL)

제1도는 종래의 VCSEL 다이오드를 광원으로 이용하는 경우의 모니터용 광검출기의 일 예를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing an example of a photodetector for a monitor when a conventional VCSEL diode is used as a light source.

제2도는 종래의 VCSEL 다이오드를 광원으로 이용하는 경우의 모니터용 광검출기의 다른 예를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing another example of a photodetector for a monitor when a conventional VCSEL diode is used as a light source.

제3도는 본 고안에 따른 VCSEL의 광출력 검출장치를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing the light output detection device of the VCSEL according to the present invention.

( 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명(Description of the code for the main part of the drawing

30 : 반도체 기판 32 : 제1VCSEL 다이오드30 semiconductor substrate 32 first VCSEL diode

41 : 광검출기 42 : 제2VCSEL 다이오드41: photodetector 42: second VCSEL diode

50 : 자동제어부50: automatic control unit

본 고안은 표면 광 레이저(vertical cavity surface emitting laser :이하 VCSEL로 기술함)의 광출력 검출장치에 관한 것으로, 상세하게는 수직으로 발산되는 광을 제어하는데 사용되는 광량을 검출하기 위한 모니터용 광검출기를 개량한 VCSEL 다이오드의 광출력 검출장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light output detection device of a vertical cavity surface emitting laser (hereinafter referred to as VCSEL), and more specifically, a photodetector for a monitor for detecting the amount of light used to control light emitted vertically. It relates to a light output detection device of the VCSEL diode improved.

VCSEL 다이오드를 이용한 광원은 모서리 발광 레이저 다이오드와는 다르게 기판 상에 적층된 반도체 물질로 이루어진 스택(stack)에 대하여 수직 방향으로 광을 발산한다. 이 광원에서 발산된 광은 원형광에 가깝고, 높은 광밀도를 가지며 단일 종모드로 동작하는 특징을 가진다. 상기 VCSEL다이오드는 단일 반도체 기판상에 광원과 이 광원에서 출사된 광을 이용하여 검출된 광신호중 에러신호에 대한 정보 검출수단인 광검출이 집적 가능하므로, 광픽업용 광원등 광응용 분야에서 관심을 끌고 있다.A light source using a VCSEL diode emits light in a vertical direction with respect to a stack made of a semiconductor material stacked on a substrate, unlike a corner light emitting diode. Light emitted from this light source is close to circular light, has a high light density, and operates in a single longitudinal mode. Since the VCSEL diode is integrated with a light source on the single semiconductor substrate and an optical detection means for detecting an error signal among the optical signals detected by the light emitted from the light source, the VCSEL diode may be of interest in an optical application field such as an optical pickup light source. Is dragging.

그러나, 종래의 모서리 발광 레이저 다이오드는 대응되는 양측면에서 광이 출사되어 그 일면에서 출사된 광은 광원으로 사용하고, 나머지 면에서 출사된 광은 모니터용으로 사용하므로 모니터용 광검출기를 통하여 광원의 광량 조절에 어려움이 없는 것에 비하여, 상기 VCSEL 다이오드는 광이 수직한 방향으로 출사되고 그 출사되는 면중 일면이 반도체 기판상에 결합되어 있으므로, 모니터용 광검출기를 설치하기 위한 대응 방안을 마련하여야 한다.However, in the conventional edge-emitting laser diode, the light emitted from both sides thereof is used as the light source, and the light emitted from the other side is used for the monitor, and thus the amount of light of the light source through the monitor photodetector is used. Compared with no difficulty in adjusting, since the VCSEL diode is emitted in a vertical direction and one surface of the VCSEL diode is coupled on the semiconductor substrate, a countermeasure for installing a photodetector for a monitor must be prepared.

종래에는 모니터용 광검출기를 설치하기 위한 수단으로 광원으로 이용되는 VCSEL다이오드의 상면에 평판형의 광검출기를 마련하거나, 상기 VCSEL 다이오드가 구동시 측면으로 방향성이 없이 발산되는 자발광을 수광하도록 상기 VCSEL 다이오드 주변을 둘러싼 광검출기를 마련하였다.Conventionally, a flat type photodetector is provided on an upper surface of a VCSEL diode that is used as a light source as a means for installing a photodetector for a monitor, or the VCSEL is configured to receive self-emitted light emitted from the side without direction in driving the VCSEL diode. A photodetector around the diode was prepared.

제1도는 종래의 VCSEL 다이오드를 광원으로 이용하는 경우의 모니터용 광검출기의 일 예를 나타낸 사시도이다. 이 도면을 참조하여 그 구조와 동작 원리를 설명하면, 다음과 같다.1 is a perspective view showing an example of a photodetector for a monitor when a conventional VCSEL diode is used as a light source. The structure and principle of operation will be described with reference to this figure.

VCSEL 다이오드는 기판(10)과, 이 기판(10)상에 집적되어 광을 발산하도록 순방향 바이어스 전압의 인가등 전기적 수단을 포함한 VCSEL 다이오드 광원(12)과, 상기 광원의 측면으로 발산하는 자발광을 흡수하도록 상기 광원 주변을 감싸도록 된 고리형상이고 역방향 바이어스 전압 또는 전압이 인가되지 않는 전기적 수단을 포함하는 VCSEL 다이오드로 된 광검출기(14)로 이루어져 있다.The VCSEL diode includes a substrate 10, a VCSEL diode light source 12 including electrical means such as an application of a forward bias voltage integrated on the substrate 10 to emit light, and self-emitting light emitted to the side of the light source. It consists of a photodetector 14 made of a VCSEL diode that has an annular shape that is wrapped around the light source for absorption and includes electrical means with no reverse bias voltage or voltage applied thereto.

상기 광검출기(14)는 상기 광원(12)에서 발산되는 자발광을 흡수한후 전기적 신호로 변환하여 상기 광원(12)의 전극에 피드백하여 인가함으로써 광량을 제어할 수 있는 장점이 있지만, 그 측면으로 방출되는 자발광이 수직으로 발산되는 광량에 정확히 비례하지 않을 뿐 아니라 수직으로 발산되는 광량에 비하여 그 출사량이 현저히 적고, 발산된 자발광의 대부분이 광검출기를 통하여 흡수되지 않고 외부로 통과하므로 수직 발산 광량을 제어하기 위한 신호로 사용하는데 어려움이 있었다.The photodetector 14 has an advantage of controlling the amount of light by absorbing the self-luminous emitted from the light source 12 and converting it into an electrical signal to be fed back to the electrode of the light source 12 to control the amount of light. Not only is the self-emission emitted by the light not exactly proportional to the amount of light emitted vertically, but also its output is remarkably small compared to the amount of light emitted vertically, and since most of the emitted light is passed through the outside without being absorbed through the photodetector, Difficult to use as a signal for controlling the amount of emitted light.

제2도의 종래의 VCSEL 다이오드를 광원으로 이용하는 경우의 모니터용 광검출기의 다른 예를 나타낸 사시도이다.It is a perspective view which shows the other example of the monitor photodetector in the case of using the conventional VCSEL diode of FIG. 2 as a light source.

자발광을 이용할때의 검출되는 출력량을 증가시키기 위하여 측면 자발광을 이용하지 않고 수직으로 발산되는 광량을 이용하였다. 그 이용 수단으로 반도체 기판(20)과, 이 기판(20)상에 적어도 하나의 P층과 적어도 하나의 N층을 포함하는 복수개의 수평층들의 적층구조의 스택(stack)으로 이루어진 VCSEL 다이오드 광원(22)과, 상기 광원(22)의 상면에 광검출기(24)를 위치하였다. 이 광검출기(24)는 상기 VCSEL다이오드 광원(22)의 상면에 소정 두께로 마련되어 있어 입사된 일부광은 흡수하고 나머지 광은 투과하도록 되어 있다. 이때 흡수되는 광을 이용하여 모니터용 광을 검출한다. 이 경우 모니터용으로 검출되는 광량은 충분하여 그 기능을 수행하는데 문제가 없으나 그 모니터를 투과하여 광 기록 재생 매체에 입사되는 광량이 감소하는 단점이 있었다. 따라서, 본 고안은 상기한 바와 같은 단점들을 극복하기 위하여 안출된 것으로서 상기 광검출기의 형상을 변형함으로써, 흡수되는 광의 효율을 높임과 동시에 디스크에 입사되는 광의 효율을 좋게 하는데 그 목적이 있다.In order to increase the output power detected when using the self-luminous, a vertical amount of light emitted is used instead of the side self-luminous. VCSEL diode light source consisting of a stack of a semiconductor substrate 20 and a stack of a plurality of horizontal layers including at least one P layer and at least one N layer on the substrate 20. 22) and a photodetector 24 on the upper surface of the light source 22. The photodetector 24 is provided on the upper surface of the VCSEL diode light source 22 in a predetermined thickness so as to absorb the incident light and transmit the remaining light. At this time, the light for the monitor is detected using the absorbed light. In this case, the amount of light detected for the monitor is sufficient and there is no problem in performing its function, but there is a disadvantage in that the amount of light penetrating the monitor and incident on the optical recording / reproducing medium is reduced. Accordingly, an object of the present invention is to modify the shape of the photodetector to overcome the drawbacks as described above, thereby improving the efficiency of the absorbed light and improving the efficiency of the light incident on the disk.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 반도체 기판과, 상기 기판상에 집적되고 적어도 하나의 N층과 적어도 하나의 P층을 포함하는 복수개의 수평층들의 적층구조이며, 이 적층구조의 상면과 하면에 각각 전극층이 형성되고 이 전극층에 순방향 바이어스 전압이 인가되여 수직으로 광을 발산하도록 된 제1VCSEL 다이오드와, 상기 제1VCSEL 다이오드의 주위에 마련되어 상기 광원에서 출사되는 광량을 검출하여 제어하도록 된 광제어수단을 구비한 VCSEL의 광출력 검출장치에 있어서, 상기 광제어수단으로 상기 기판상에 적어도 하나의 N층과 적어도 하나의 P층으로 된 복수개의 수평층들의 적층구조로 되고, 상기 수평층들의 상면과 하면에 각각 전극층이 형성되고 이 전극층들에 인가되는 순방향 바이어스 전압이 상기 제1VCSEL 다이오드에 인가되는 전압에 비례하도록 된 모니터용 제2VCSEL 다이오드와, 상기 제2VCSEL 다이오드에서 수직방향으로 출사되는 광을 수광하도록 그 상면에 결합된 광검출기와, 상기 광검출기에서 수광된 신호를 통하여 상기 제1VCSEL 다이오드에 공급되는 전기력의 세기를 조절하는 자동제어부가 구비된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a laminated structure of a semiconductor substrate and a plurality of horizontal layers integrated on the substrate and including at least one N layer and at least one P layer, the upper and lower surfaces of the laminated structure. A first VCSEL diode, each having an electrode layer formed thereon, having a forward bias voltage applied thereto to emit light vertically, and an optical control means provided around the first VCSEL diode to detect and control the amount of light emitted from the light source In the VCSEL optical output detection device comprising: a plurality of horizontal layers consisting of at least one N layer and at least one P layer on the substrate by the light control means, the upper surface of the horizontal layers and An electrode layer is formed on the bottom surface, and a forward bias voltage applied to the electrode layers is a voltage applied to the first VCSEL diode. A second VCSEL diode for monitoring, a photo detector coupled to an upper surface thereof to receive light emitted in a vertical direction from the second VCSEL diode, and an electric force supplied to the first VCSEL diode through a signal received from the photo detector Characterized in that the automatic control unit for adjusting the intensity of the.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제3도는 본 고안에 따른 VCSEL의 광출력 검출장치를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing the light output detection device of the VCSEL according to the present invention.

표면 광 레이저(vertical cavity surface emitting laser : 이하, VCSEL로 기술함)다이오드인 제1광원 (32)은 예를 들면 N형 GaAs와 같은 반도체 기판(30)상에 형성되어 있으며, 적어도 하나의 N층과 적어도 하나의 P층을 포함하며, 하나의 층위에 다른 층이 적층되어 스택(stack)을 이룬다. 이 스택은 N형 분포 브래그 반사기 (distributed Braggreflector : 이하, DBR로 기술함) 스택과 P형 DBR 스택 사이에 형성된 양자-우물 활성 영역에 의해 광을 출사하게 된다. 이 제1광원(32)은 전원을 포함하는 바이어스 회로에 의하여 순방향으로 바이어스 되며, 도시된 바와 같이 수직 방향으로 광을 발산한다. 동시에 측면으로도 방향성이 없는 자발광을 발산하지만, 이 자발광은 수직으로 발산되는 광에 비하여, 그 광량이 작으므로 그 광량의 방출을 활용하지 않았다.The first light source 32, which is a vertical cavity surface emitting laser (hereinafter referred to as VCSEL) diode, is formed on a semiconductor substrate 30 such as, for example, N-type GaAs, and has at least one N layer. And at least one P layer, and another layer is stacked on one layer to form a stack. This stack emits light by a quantum-well active region formed between an N-type distributed Braggreflector (hereinafter referred to as DBR) stack and a P-type DBR stack. The first light source 32 is biased forward by a bias circuit including a power supply, and emits light in a vertical direction as shown. At the same time, it emits undirected self-emission even from the side, but since the self-emission is smaller than the light emitted vertically, the light emission is not utilized.

상기 제1광원(32)의 수직방향으로 출사되는 광량을 제어하기 위한 수단으로 상기 제1광원(32)과 동일 기판(30)상에 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량에 비례하는 광을 출사하도록 된 제2광원(42)을 마련하였다. 이 제2광원(42)은 상기 제1광원(32)과 마찬가지로 VCSEL다이오드를 이용하였다. 이 VCSEL 다이오드는 상기 제1광원(32)으로 사용되는 VCSEL 다이오드와 그 구조에 있어서, 구별될 필요가 없으며 때에 따라서는 동일 물질로 동일 구조로 집적할 수 있다.Light proportional to the amount of light emitted from the first light source 32 on the same substrate 30 as the first light source 32 as a means for controlling the amount of light emitted in the vertical direction of the first light source 32. Prepared a second light source 42 to be emitted. The second light source 42 used the VCSEL diode similarly to the first light source 32. This VCSEL diode does not need to be distinguished from the VCSEL diode used as the first light source 32 and its structure, and may be integrated in the same structure in the same material in some cases.

상기 제1광원(32)에 인가되는 순방향 바이어스 전압에 의하여 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량이 결정된다. 이 출사광량을 제어하기 위하여 상기 제2광원(42)에 인가되는 전압으로 상기 제1광원(32)에 인가되는 순방향 바이어스 전압을 이용하거나 이에 비례하는 전압원을 이용한다. 따라서, 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량에 비례하여 상기 제2광원(42)에서 출사되는 광량이 변화하게 된다.The amount of light emitted from the first light source 32 is determined by the forward bias voltage applied to the first light source 32. In order to control the amount of emitted light, a forward bias voltage applied to the first light source 32 is used as a voltage applied to the second light source 42 or a voltage source proportional thereto. Therefore, the amount of light emitted from the second light source 42 changes in proportion to the amount of light emitted from the first light source 32.

상기 제2광원(42)의 상면에 모니터에 의한 광검출기(41)를 직접 체결구비하였다. 이 광검출기(41)는 상기 제2광원(42)에서 출사하는 광량을 수광한다.The photodetector 41 by the monitor was fastened directly to the upper surface of the second light source 42. The photodetector 41 receives the amount of light emitted from the second light source 42.

상기 광검출기의 구조는 종래의 모서리 발광 레이저 다이오드에서 채용한 모니터용 광검출기와 동일한 구조일 수 있다. 또한, 상기 VCSEL 다이오드의 구조를 가지며, 그 양 전극층에 전압을 인가하지 않거나, 양전극층에 역방향 바이어스 전압을 인가하여 상기 제2광원(42)에서 출사하는 광을 능동적으로 수광할 수 있도록 할 수 있다.The structure of the photodetector may be the same as that of the monitor photodetector employed in the conventional edge-emitting laser diode. In addition, the VCSEL diode may have a structure and may receive light emitted from the second light source 42 by applying a voltage to the positive electrode layer or applying a reverse bias voltage to the positive electrode layer. .

상기 광검출기(41)에서 수광된 광량은 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량의 증감에 비례하여 변화하므로, 상기 제1광원(32)과 이 광검출기(41)사이에 자동제어부(APC:automatic power controller:50)를 마련하였다. 상기 자동제어부(50)를 통하여 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량이 적정 광량보다 큰경우, 상기 광검출기(41)에서 수광된 광량이 증가하게 되어 그 수광량에 따른 적정 광량과의 변위를 계산하여 상기 제1광원(32)의 출사 광량을 감소시킨다. 물론, 상기 제1광원(32)에서 출사되는 광량이 적정광량 이하인 경우, 상기 광검출기(41)의 수광량이 감소하게 되고, 그 정보가 상기 자동제어부(50)에 전달되어, 상기 제1광원(32)을 제어하게 된다.Since the amount of light received by the photodetector 41 varies in proportion to the increase and decrease of the amount of light emitted from the first light source 32, an automatic control unit (APC) is provided between the first light source 32 and the photodetector 41. : automatic power controller (50) was prepared. When the amount of light emitted from the first light source 32 through the automatic control unit 50 is greater than the appropriate amount of light, the amount of light received by the photodetector 41 is increased, and the displacement with the appropriate amount of light according to the amount of received light is increased. The amount of light emitted from the first light source 32 is reduced by calculating. Of course, when the amount of light emitted from the first light source 32 is less than or equal to the appropriate amount of light, the amount of light received by the photodetector 41 is reduced, and the information is transmitted to the automatic control unit 50, so that the first light source ( 32).

이와 같이 이루어진 VCSEL을 이용한 광원 및 광검출기 조합체는 출사되는 광의 특성이 뛰어날 뿐만 아니라 제2광원에서 출사되는 광량을 모니터용 광검출기 전용으로 이용하므로 보다 정밀한 광량 제어가 가능하다.The combination of the light source and the photodetector using the VCSEL made as described above is excellent in the characteristics of the emitted light, and more precise light quantity control is possible because the light quantity emitted from the second light source is used exclusively for the monitor photodetector.

따라서, 광 기록 장치와, 광통신, 컴퓨터 시스템등 많은 광응용 분야에 다양하게 적용 가능한 매우 유용한 고안이다.Therefore, it is a very useful design that can be variously applied to many optical applications such as an optical recording device, optical communication, and computer system.

Claims (3)

반도체 기판(30)과, 상기 기판(30)상에 집적되고 적어도 하나의 N층과 적어도 하나의 P층을 포함하는 복수개의 수평층들의 적층구조이며, 이 적층구조의 상면과 하면에 각각 전극층이 형성되고 이 전극층에 순방향 바이어스 전압이 인가되여 수직으로 광을 발산하도록 된 제1VCSEL다이오드(32)와, 상기 제1VCSEL 다이오드의 주위에 마련되어 상기 광원에서 출사되는 광량을 검출하여 제어하도록 된 광제어수단을 구비한 VCSEL의 광출력 검출장치에 있어서, 상기 광제어수단으로 상기 기판(30)상에 적어도 하나의N층과 적어도 하나의 P층으로 된 복수개의 수평층들의 적층구조로 되고, 상기 수평층들의 상면과 하면에 각각 전극층이 형성되고 이 전극층들에 인가되는 순방향 바이어스 전압이 상기 제1VCSEL 다이오드(32)에 인가되는 전압에 비례하도록 된 모니터용 제2VCSEL 다이오드(42)와, 상기 제2VCSEL 다이오드(42)에서 수직방향으로 출사되는 광을 수광하도록 그 상면에 결합된 광검출기(41)와, 상기 광검출기(41)에서 수광된 신호를 통하여 상기 제1VCSEL 다이오드(32)에 공급되는 전기력의 세기를 조절하는 자동제어부(50)가 구비된 것을 특징으로 하는 VCSEL의 광출력 검출장치.A stack structure of a semiconductor substrate 30 and a plurality of horizontal layers integrated on the substrate 30 and including at least one N layer and at least one P layer, wherein the electrode layers are respectively disposed on the upper and lower surfaces of the stacked structure. And a first VCSEL diode 32 formed around the first VCSEL diode to emit light vertically by applying a forward bias voltage to the electrode layer, and to control and detect the amount of light emitted from the light source. In the optical output detection device of the VCSEL provided, the optical control means is a laminated structure of a plurality of horizontal layers of at least one N layer and at least one P layer on the substrate 30, An electrode layer is formed on the upper and lower surfaces, respectively, and the forward bias voltage applied to the electrode layers is proportional to the voltage applied to the first VCSEL diode 32. The second VCSEL diode 42, a photodetector 41 coupled to an upper surface of the second VCSEL diode 42 so as to receive light emitted in a vertical direction, and the first through a signal received by the photodetector 41; 1 VCSEL light output detection device of the VCSEL, characterized in that the automatic control unit 50 for adjusting the intensity of the electric force supplied to the 32. 제1항에 있어서, 상기 제2VCSEL 다이오드(42)가 상기 제1VCSEL 다이오드(32)와 동일 형상과 동일 구조로 이루어 진 것을 특징으로 하는 VCSEL의 광출력 검출장치.2. The apparatus of claim 1, wherein the second VCSEL diode (42) has the same shape and the same structure as the first VCSEL diode (32). 제1항에 있어서, 상기 광검출기(41)는 적어도 하나의 N층과 적어도 하나의 P층으로 된 복수개의 수평층들의 적층구조로 되고, 상기 수평층들의 상면과 하면에 각각 전극층이 형성되고, 상기 전극층들에 역방향 바이어스 전압이 인가되어 상기 제2광원(42)에서 출사되는 광을 수광하도록 된 것을 특징으로 하는 VCSEL의 광출력 검출장치.According to claim 1, wherein the photodetector 41 is a laminated structure of a plurality of horizontal layers consisting of at least one N layer and at least one P layer, the electrode layer is formed on each of the upper and lower surfaces of the horizontal layer, A reverse bias voltage is applied to the electrode layers to receive the light emitted from the second light source (42).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100494062B1 (en) * 1996-07-01 2005-08-12 피니사 코포레이숀 Mode detection and control method in semiconductor laser

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