KR0110491Y1 - Comparative voltage generating device - Google Patents

Comparative voltage generating device

Info

Publication number
KR0110491Y1
KR0110491Y1 KR2019940026753U KR19940026753U KR0110491Y1 KR 0110491 Y1 KR0110491 Y1 KR 0110491Y1 KR 2019940026753 U KR2019940026753 U KR 2019940026753U KR 19940026753 U KR19940026753 U KR 19940026753U KR 0110491 Y1 KR0110491 Y1 KR 0110491Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reference voltage
voltage
mos
converter
voltage converter
Prior art date
Application number
KR2019940026753U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR960015757U (en
Inventor
홍상표
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019940026753U priority Critical patent/KR0110491Y1/en
Publication of KR960015757U publication Critical patent/KR960015757U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0110491Y1 publication Critical patent/KR0110491Y1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/34Analogue value compared with reference values

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

본 고안은 비교전압발생장치에 관한 것으로서, 특히 MCU(Micro-Programmed Control Unit)내에서 사용되는 A/D 변환기의 비교전압을 효율적으로 선택 변경할 수 있도록 한 비교전압발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a comparison voltage generator, and more particularly, to a comparison voltage generator capable of efficiently selecting and changing a comparison voltage of an A / D converter used in a micro-programmed control unit (MCU).

상기와 같은 본 고안의 비교전압발생장치는 각각 다른 저항값을 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)로 구성되어 인가되는 기준전압을 가변하는 기준전압변환부와, 상기 기준전압변환부의 각각의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)에 대응하여 저항값을 달리 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)로 구성되어 인가되는 접지전압을 가변하는 접지전압변환부와, 상기 기준전압변환부와 접지전압변환부의 각각의 스위칭 트랜지스터를 ON, OFF 제어하는 레지스터와 상기 기준전압변환부와 접지전압변환부 사이에 직렬로 연결되어 인가되는 전압을 분압하는 복수개의 저항(R)과 상기 각 저항(R) 사이에 접속되어 비교 기준전압을 출력하는 복수개의 아나로그 출력단(Vf1~ Vfn)을 포함하여 구성된다.The comparison voltage generator according to the present invention is composed of a plurality of switching transistors (p-MOS) each having a different resistance value, the reference voltage converter for varying the applied reference voltage, and the respective switching of the reference voltage converter A ground voltage converting unit configured of a plurality of switching transistors (p-MOS) having a different resistance value corresponding to the transistor (p-MOS) to vary an applied ground voltage, and each of the reference voltage converting unit and the ground voltage converting unit Is connected between a resistor for controlling the switching transistor of ON and OFF, and a plurality of resistors R for dividing an applied voltage connected in series between the reference voltage converter and the ground voltage converter, respectively. And a plurality of analog output terminals Vf 1 to Vf n for outputting a comparison reference voltage.

Description

비교전압 발생장치Comparative Voltage Generator

제1도는 종래의 비교전압발생장치를 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram showing a conventional comparative voltage generator.

제2도는 본 고안의 비교전압발생장치를 나타낸 회로도.2 is a circuit diagram showing a comparison voltage generator of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

20 : 기준전압 변환부 21 : 레지스터20: reference voltage converter 21: resistor

22 : 접지전압 변환부22: ground voltage conversion unit

본 고안은 비교전압 발생장치에 관한 것으로, 특히 MCU(Micro-Programmed Control Unit)내에서 사용되는 A/D 변환기의 비교전압을 효율적으로 선택 변경할 수 있도록 한 비교전압 발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a comparison voltage generator, and more particularly, to a comparison voltage generator capable of efficiently selecting and changing a comparison voltage of an A / D converter used in a micro-programmed control unit (MCU).

일반적으로 MCU내에서의 데이터 전송 및 저장은 아나로그정보가 입력되었을 경우 디지털 값으로 변환되어 메모리부로 전송되는데, 여기서 MCU가 디지털 값으로 표현된 정보를 얻는 과정을 데이터 획득(Data acquisition)이라고 하고, MCU는 이 데이터를 이용해서 여러 가지 응용동작을 행하게 된다.In general, data transmission and storage in the MCU is converted to a digital value when the analog information is input to the memory unit, where the process of obtaining the information represented by the digital value of the MCU is called data acquisition (Data acquisition), The MCU uses this data to perform various application operations.

이 때 데이터 획득(Data acquisition)을 위해 MCU내에는 A/D변환기가 내장되어 있다.At this time, A / D converter is built in MCU for data acquisition.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 비교전압발생장치에 관하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a conventional comparative voltage generator as follows.

MCU내에 내장되어 있는 A/D변환기는 내부에 각 비트에 해당하는 기준전압을 발생하는 비교전압 발생장치(D/A 변환기)를 구비하고 있다.The A / D converter embedded in the MCU has a comparison voltage generator (D / A converter) that generates a reference voltage corresponding to each bit inside.

종래의 비교전압 발생장치를 나타낸 회로도인 제1도에서와 같이, 기준전압이 인가되는 전원전압단자(Vcc)와 접지단자 사이에 직렬로 연결되어 상기의 기준전압을 분압하는 n개의 전압분배용 저항(R1~Rn)(2)과, 상기 전압분배용 저항(R1~Rn)(2)에 인가되는 기준전압을 스위칭하는 P-MOS 트랜지스터(1)와, 상기 전압분배용 저항(R1~Rn)(2)사이에 접속되어 각 비트에 해당하는 비교 기준전압을 출력하는 기준전압출력단자(Vf1~Vfn)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, which is a circuit diagram of a conventional comparison voltage generator, n voltage dividers are connected in series between a power supply voltage terminal (V cc ) to which a reference voltage is applied and a ground terminal to divide the reference voltage. resistance (R 1 ~ R n) (2) and said voltage divider for resistors (R 1 ~ R n) ( 2) P-MOS transistors for switching the reference voltages applied to (1), and a resistor for the voltage division And a reference voltage output terminal Vf 1 to Vf n connected between (R 1 to R n ) (2) to output a comparison reference voltage corresponding to each bit.

A/D 변환장치에 변환시작신호가 입력되면 비교전압 발생장치의 P-MOS트랜지스터(1)에 LOW신호가 입력되어 전압분배용 저항(R1~Rn)에 기준전압이 인가되게된다.When the conversion start signal is input to the A / D converter, a LOW signal is input to the P-MOS transistor 1 of the comparison voltage generator, and a reference voltage is applied to the voltage distribution resistors R 1 to R n .

각 비트에 해당하는 크기로 분압되어진 각각의 기준전압 출력단자(Vf1~Vfn)의 전압은 A/D변환장치의 비교기(도면에 도시하지 않음)로 입력되어 MCU내에 입력된 아나로그 정보를 디지털 값으로 변환하게 된다.The voltage of each reference voltage output terminal (Vf 1 ~ Vf n ) divided by the size corresponding to each bit is input to the comparator (not shown) of the A / D converter to convert the analog information input into the MCU. Convert to a digital value.

그러나 상기와 같은 종래의 비교전압발생장치에 있어서는 전원전압단자에 인가되는 기준전압이 항상 일정하기 때문에 비교전압발생장치에서 출력되는 비교전압(Vf1~Vfn)의 각각의 계단크기(step size)가 일정하여 변환정밀도(Conversion accuracy)의 향상에는 어려운 문제점이 있었다.However, in the conventional comparison voltage generator as described above, since the reference voltage applied to the power supply voltage terminal is always constant, each step size of the comparison voltages Vf 1 to Vf n output from the comparison voltage generator is constant. The constant was difficult to improve the conversion accuracy.

본 고안은 상기와 같은 종래의 비교전압발생장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 특정 범위내에서 비교전압발생장치에 인가되는 기준전압을 효율적으로 선택변경할 수 있게 하여 변환정밀도를 향상시킨 비교전압발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the problems of the conventional comparative voltage generator as described above, and the comparison voltage improved conversion accuracy by making it possible to efficiently change the reference voltage applied to the comparison voltage generator within a specific range. The object is to provide a generator.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안의 비교전압발생장치를 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the comparative voltage generating device of the present invention for achieving the above object in detail with reference to the accompanying drawings as follows.

본 고안의 비교전압발생장치를 나타낸 회로도인 제2도에서와 같이, 각각 다른 저항값을 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(P-MOS)(MP1,MP2,…,MPa)로 구성되어 인가되는 기준전압을 가변하는 기준전압변환부(20)와, 상기 기준전압변환부(20)의 각각의 에 대응하여 저항값을 달리 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(MP1, MP2,…,MPa)로 구성되어 인가되는 접지전압을 가변하는 접지전압변환부(22)와, 상기 기준전압변환부(20)와 접지전압변환부(22) 사이에 직렬로 연결되어 인가되는 기준전압을 분압하는 복수개의 저항(R1, R2,…,Rn)과 상기 각 저항(R1, R2,…,Rn)사이에 접속되어 분압된 비교기준전압을 출력하는 복수개의 아나로그 출력단(Vf1~Vfn)과, 상기 기준전압변환부(20)와 접지전압 변환부(22)의 각각의 스위칭 트랜지스터(MP1, MP2,…,MPa)(MN1, MN2,…,MNa)를 ON,OFF 제어하는 레지스터(21)로 구성된다.As shown in FIG. 2, which is a circuit diagram showing a comparison voltage generator of the present invention, a plurality of switching transistors (P-MOS) (MP 1 , MP 2 ,..., MP a ) each having a different resistance value are applied. A reference voltage converter 20 for varying a reference voltage and a plurality of switching transistors MP 1 , MP 2 ,..., MP a having different resistance values corresponding to each of the reference voltage converter 20. A plurality of resistors for dividing a reference voltage applied in series between the reference voltage converter 20 and the ground voltage converter 22 and a ground voltage converter 22 configured to vary an applied ground voltage. A plurality of analog output terminals Vf 1 to Vf connected between (R 1 , R 2 ,..., R n ) and the respective resistors (R 1 , R 2 ,..., R n ) to output a divided reference voltage. n ) and the switching transistors MP 1 , MP 2 ,..., MP a of the reference voltage converter 20 and the ground voltage converter 22 (MN 1 , MN 2, respectively). ,..., And a register 21 for controlling ON and OFF of MN a ).

이때, 기준전압변환부(20)와 접지전압변환부(22)는 레지스터(21)의 제어에 의해 턴온 저항값 또는 저항값을 달리 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(pMOS)(nMOS)가 선택적으로 ON, OFF되어 실제 기준전압변환부(20)와 접지전압변환부(22) 양단에 걸리는 전압을 가변시키게 된다.In this case, the reference voltage converter 20 and the ground voltage converter 22 selectively turn on a plurality of switching transistors (pMOS) nMOS having different turn-on resistance values or resistance values under the control of the resistor 21. OFF, the voltage across the actual reference voltage converter 20 and the ground voltage converter 22 is varied.

상기와 같은 동작을 하는 기준전압변환부(20)와 접지전압변환부(22)의 각 스위칭 트랜지스터(pMOS)(nMOS)의 ON,OFF시에 라인업되는 각 선로의 저항값을 다르게 하기 위하여 다른 저항값(R' ~ aR')을 갖는 저항을 전원전압단자(또는 접지전압단자)와 각 스위칭 트랜지스터(pMOS 또는 nMOS)사이에 직렬로 연결하여 구성한다.In order to change the resistance value of each line lined up at the time of ON / OFF of each switching transistor (pMOS) (nMOS) of the reference voltage converter 20 and the ground voltage converter 22 operating as described above, A resistor having a value (R 'to aR') is configured in series between a power supply voltage terminal (or a ground voltage terminal) and each switching transistor (pMOS or nMOS).

상기와 같이 구성된 본 고안의 비교전압 발생장치는 레지스터(21)에 의해 선택적으로 스위칭 트랜지스터를 ON,OFF하여 비교전압 발생장치의 양단에 걸리는 기준전압을 가변시킬 수 있으므로 특정 전압범위내의 변환정밀도를 향상시키는 효과가 있다.The comparison voltage generator according to the present invention configured as described above can selectively change the reference voltage across both ends of the comparison voltage generator by selectively turning on and off the switching transistor by the resistor 21, thereby improving conversion accuracy within a specific voltage range. It is effective to let.

Claims (3)

각각 다른 저항값을 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)로 구성되어 인가되는 기준전압을 가변하는 기준전압변환부와, 상기 기준전압변환부의 각각의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)에 대응하여 저항값을 달리 갖는 복수개의 스위칭 트랜지스터(n-MOS)로 구성되어 인가되는 접지전압을 가변하는 접지전압변환부와, 상기 기준전압변환부와 접지전압변환부의 각각의 스위칭 트랜지스터를 ON, OFF 제어하는 레지스터와, 상기 기준전압변환부와 접지전압변환부 사이에 직렬로 연결되어 인가되는 전압을 분압하는 복수개의 저항(R)과, 상기 각 저항(R)사이에 접속되어 비교 기준전압을 출력하는 복수개의 아나로그 출력단(Vf1~Vfn)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 비교전압 발생장치.A reference voltage converter configured to vary a reference voltage applied by a plurality of switching transistors (p-MOS) having different resistance values, and a resistance value corresponding to each switching transistor (p-MOS) of the reference voltage converter. A ground voltage converter configured to vary the ground voltage applied by a plurality of switching transistors (n-MOS) having different voltages, a register for controlling ON and OFF of each switching transistor of the reference voltage converter and the ground voltage converter; A plurality of resistors R, which are connected in series between the reference voltage converter and the ground voltage converter, for dividing an applied voltage, and a plurality of resistors connected between the resistors R to output a comparison reference voltage; Comparing voltage generating device comprising a log output terminal (Vf 1 ~ Vf n ). 제1항에 있어서, 기준전압변환부는 각각의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)의 저항값을 달리하기 위하여 전원전압단자와 스위칭 트랜지스터(p-MOS)사이에 각각의 다른 저항값을 갖는 저항이 일대일 대응하여 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 비교전압 발생장치.The resistor of claim 1, wherein the reference voltage converter corresponds to a resistor having a different resistance value between the power supply terminal and the switching transistor (p-MOS) in order to change the resistance value of each switching transistor (p-MOS). Comparative voltage generator, characterized in that connected in series. 제1항에 있어서, 접지전압변환부는 각각의 스위칭 트랜지스터(p-MOS)의 저항값을 달리하기 위하여 접지전압단자와 스위칭 트랜지스터(n-MOS) 사이에 각각의 다른 저항값을 갖는 저항이 일대일 대응하여 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 비교전압 발생장치.The resistor of claim 1, wherein the ground voltage converter corresponds to a resistor having a different resistance value between the ground voltage terminal and the switching transistor (n-MOS) in order to change the resistance value of each switching transistor (p-MOS). Comparative voltage generator, characterized in that connected in series.
KR2019940026753U 1994-10-13 1994-10-13 Comparative voltage generating device KR0110491Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940026753U KR0110491Y1 (en) 1994-10-13 1994-10-13 Comparative voltage generating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019940026753U KR0110491Y1 (en) 1994-10-13 1994-10-13 Comparative voltage generating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960015757U KR960015757U (en) 1996-05-17
KR0110491Y1 true KR0110491Y1 (en) 1998-10-01

Family

ID=19395433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019940026753U KR0110491Y1 (en) 1994-10-13 1994-10-13 Comparative voltage generating device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0110491Y1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960015757U (en) 1996-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900008821B1 (en) Digital to analog converter
US5075677A (en) Voltage-switching d/a converter using p- and n-channel MOSFETs
US4558242A (en) Extended reference range, voltage-mode CMOS D/A converter
US5585795A (en) D/A converter including output buffer having a controllable offset voltage
JP2768715B2 (en) Analog-to-digital converter with integrated linearity error compensation and method of operation
US5218364A (en) D/a converter with variable biasing resistor
US4459580A (en) DA Converter
US6181265B1 (en) Non-linear digital-to-analog converter
US5406142A (en) Level shifting low to high supply voltage interface circuit
US4920344A (en) Digitally compensated multiplying digital to analog converter
US5387912A (en) Digital-to-analog converter with reference glitch reduction
KR0110491Y1 (en) Comparative voltage generating device
US7676537B2 (en) Address generation method for combining multiple selection results
KR900007378B1 (en) R-2r type a/d converting circuitry
JP3812992B2 (en) AD converter
US7277036B2 (en) Digital-to-analog converting circuit
JPH07297724A (en) D/a converter circuit
JPH0338925A (en) Digital/analog converter
KR100650726B1 (en) Internal voltage supplier for memory device
US5602552A (en) D/A converter capable of disabling the output
KR100282443B1 (en) Digital / Analog Converter
JPH11260082A (en) Sensing circuit of memory having plural threshold voltages
JP2680940B2 (en) D / A converter
JPH0686458A (en) Power-supply selector circuit
KR960002453B1 (en) Constant voltage circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050824

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee