JPWO2022010699A5 - - Google Patents

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Claims (21)

オーバレイ計量ターゲットであって、
標本の第1層上にある一組のデバイスフィーチャを備え、その一組のデバイスフィーチャのうち少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有しており、
前記標本の第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第1組のターゲットフィーチャを備え、その第1組のターゲットフィーチャが周期的で第1計測周期を有しており、その第1計測周期が、検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第1組のモアレフリンジがもたらされるように、選定されており、
前記標本の前記第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第2組のターゲットフィーチャを備え、その第2組のターゲットフィーチャが周期的で第2計測周期を有しており、その第2計測周期が、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第2組のモアレフリンジがもたらされるように、選定されており、
前記第1組のモアレフリンジ及び前記第2組のモアレフリンジの相対位置により、前記標本の前記第1層と前記標本の前記第2層との間のオーバレイ誤差が示され、
前記標本の第3層上の第2組のデバイスフィーチャを備え、前記第2組のデバイスフィーチャの少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有しており、
前記標本の第4層上の第3組のターゲットフィーチャを備え、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第3組のターゲットフィーチャは周期的で第3計測周期を有しており、前記第3計測周期は、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第3組のモアレフリンジがもたらされるように、選定されており、
前記標本の第4層上の第4組のターゲットフィーチャを備え、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第4組のターゲットフィーチャは周期的で第4計測周期を有しており、前記第4計測周期は、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第4組のモアレフリンジがもたらされるように、選定されている、
オーバレイ計量ターゲット。
an overlay metrology target,
a set of device features on a first layer of the specimen, at least a portion of the set of device features being periodic and having a device period;
a first set of target features on a second layer of the specimen overlapping the set of device features, the first set of target features being periodic and having a first measurement period; a first measurement period is selected such that imaging the target by a detector results in a first set of Moiré fringes visible to the detector;
a second set of target features on the second layer of the specimen overlapping the set of device features, the second set of target features being periodic and having a second measurement period; the second measurement period is selected such that imaging the target by the detector results in a second set of moiré fringes visible to the detector;
the relative positions of the first set of moire fringes and the second set of moire fringes are indicative of an overlay error between the first layer of the specimen and the second layer of the specimen;
a second set of device features on a third layer of the specimen, at least a portion of the second set of device features being periodic and having a device period;
a third set of target features on a fourth layer of the specimen, overlapping the second set of device features, the third set of target features being periodic and having a third measurement period; the third measurement period is selected such that imaging the target by the detector results in a third set of moiré fringes visible to the detector;
a fourth set of target features on a fourth layer of the specimen, overlapping the second set of device features, the fourth set of target features being periodic and having a fourth measurement period; the fourth measurement period is selected such that when the target is imaged by the detector, a fourth set of moiré fringes is visible to the detector;
Overlay metrology target.
請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記デバイス周期、前記第1計測周期及び前記第2計測周期に係るモアレ利得因数により前記第1組のモアレフリンジ及び前記第2組のモアレフリンジの前記相対位置を除することによって、前記オーバレイ誤差を判別可能なオーバレイ計量ターゲット。 2. The overlay metrology target according to claim 1, wherein the first set of moire fringe and the second set of moire fringe are determined by a moire gain factor according to the device period, the first measurement period, and the second measurement period. An overlay metrology target capable of determining the overlay error by dividing the relative position. 請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記一組のデバイスフィーチャが、
前記標本の前記第1層上にある全部のデバイスフィーチャのうち一部分の複製部分を含んでいるオーバレイ計量ターゲット。
The overlay metrology target of claim 1, wherein the set of device features comprises:
an overlay metrology target including a duplicate portion of a portion of all device features on the first layer of the specimen;
請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記一組のデバイスフィーチャが、
前記標本の前記第1層上にある全部のデバイスフィーチャのうち一部分を含んでいるオーバレイ計量ターゲット。
The overlay metrology target of claim 1, wherein the set of device features comprises:
an overlay metrology target that includes a portion of all device features on the first layer of the specimen;
請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記第2計測周期が前記第1計測周期と異なるオーバレイ計量ターゲット。 The overlay metrology target of claim 1, wherein the second measurement period is different from the first measurement period. 請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記デバイス周期が前記検出器の分解能未満であるオーバレイ計量ターゲット。 2. The overlay metrology target of claim 1, wherein the device period is less than the resolution of the detector. 請求項1に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記一組のデバイスフィーチャがランダムアクセスメモリフィーチャに相当しているオーバレイ計量ターゲット。 The overlay metric target of claim 1, wherein the set of device features corresponds to random access memory features. 請求項7に記載のオーバレイ計量ターゲットであって、前記ランダムアクセスメモリ(RAM)フィーチャが、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)フィーチャ及びスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)フィーチャのうち少なくとも一方を含んでいるオーバレイ計量ターゲット。
8. The overlay metric target of claim 7, wherein the random access memory (RAM) feature comprises:
An overlay metric target including at least one of dynamic random access memory (DRAM) features and static random access memory (SRAM) features.
オーバレイ計量システムであって、
標本を照明する照明源を備え、但し前記標本が、
前記標本の第1層上にある一組のデバイスフィーチャであり、そのうち少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有している一組のデバイスフィーチャ、
前記標本の第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第1組のターゲットフィーチャであり、周期的で第1計測周期を有している第1組のターゲットフィーチャ
前記標本の前記第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第2組のターゲットフィーチャであり、周期的で第2計測周期を有している第2組のターゲットフィーチャ、
前記標本の第3層上の第2組のデバイスフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャの少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有している第2組のデバイスフィーチャ、
前記標本の第4層上の第3組のターゲットフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第3組のターゲットフィーチャは周期的で第3計測周期を有しており、前記第3計測周期は、検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第3組のモアレフリンジがもたらされるように選定されている、第3組のターゲットフィーチャ、
前記標本の第4層上の第4組のターゲットフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第4組のターゲットフィーチャは周期的で第4計測周期を有しており、前記第4計測周期は、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第4組のモアレフリンジがもたらされるように選定されている、第4組のターゲットフィーチャ、
が備わるオーバレイターゲットを有するものであり、
前記照明源により照明されているときに前記オーバレイターゲットを撮像するよう構成された検出器を備え、前記第1計測周期が、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第1組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されており、且つ、前記第2計測周期が、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第2組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されており、
前記検出器に可通信結合されたコントローラを備え、前記コントローラが、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有していて、それらプログラム命令に従い前記1個又は複数個のプロセッサが、
前記オーバレイターゲットの画像を受け取り、
前記画像における前記第1組のモアレフリンジ及び前記第2組のモアレフリンジの相対位置を、見掛け上のオーバレイ誤差として計測し、且つ
前記デバイス周期、前記第1計測周期及び前記第2計測周期に係るモアレ利得因数により前記見掛け上のオーバレイ誤差を調整することによって、前記標本の前記第1層と前記標本の前記第2層との間のオーバレイ誤差を判別する、
オーバレイ計量システム。
An overlay weighing system,
an illumination source for illuminating a specimen, with the proviso that the specimen is
a set of device features on a first layer of the specimen, at least a portion of which are periodic and have a device period;
a first set of target features on a second layer of the specimen overlapping the set of device features, the first set of target features being periodic and having a first measurement period ;
a second set of target features on the second layer of the specimen overlapping the set of device features, a second set of target features that are periodic and have a second measurement period;
a second set of device features on a third layer of the specimen, at least a portion of the second set of device features being periodic and having a device period;
a third set of target features on a fourth layer of the specimen overlapping the second set of device features, the third set of target features being periodic and having a third measurement period; a third set of target features, wherein the third measurement period is selected such that when the target is imaged by a detector, a third set of moiré fringes are visible to the detector;
a fourth set of target features on a fourth layer of the specimen, overlapping the second set of device features, the fourth set of target features being periodic and having a fourth measurement period; a fourth set of target features, wherein the fourth measurement period is selected such that when the target is imaged by the detector, a fourth set of moiré fringes are visible to the detector;
has an overlay target with
a detector configured to image the overlay target when illuminated by the illumination source, the first measurement period being a first measurement period visible to the detector when the target is imaged by the detector; a set of Moire fringes, and the second measurement period is selected to provide a second set of Moire fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector. and
a controller communicatively coupled to the detector, the controller having one or more processors configured to execute program instructions, and in accordance with the program instructions, the one or more processors. The processor
receiving an image of the overlay target;
The relative positions of the first set of moire fringe and the second set of moire fringe in the image are measured as an apparent overlay error, and according to the device period, the first measurement period, and the second measurement period. determining an overlay error between the first layer of the specimen and the second layer of the specimen by adjusting the apparent overlay error by a moiré gain factor;
Overlay weighing system.
請求項9に記載のオーバレイ計量システムであって、前記一組のデバイスフィーチャが、
前記標本の前記第1層上にある全部のデバイスフィーチャのうち一部分の複製部分を含んでいるオーバレイ計量システム。
10. The overlay metrology system of claim 9, wherein the set of device features comprises:
An overlay metrology system including a duplicate portion of a portion of all device features on the first layer of the specimen.
請求項9に記載のオーバレイ計量システムであって、前記一組のデバイスフィーチャが、
前記標本の前記第1層上にある全部のデバイスフィーチャのうち一部分を含んでいるオーバレイ計量システム。
10. The overlay metrology system of claim 9, wherein the set of device features comprises:
An overlay metrology system including a portion of all device features on the first layer of the specimen.
請求項9に記載のオーバレイ計量システムであって、前記第2計測周期が前記第1計測周期と異なるオーバレイ計量システム。 The overlay metrology system according to claim 9, wherein the second measurement period is different from the first measurement period. 請求項9に記載のオーバレイ計量システムであって、前記デバイス周期が前記検出器の分解能未満であるオーバレイ計量システム。 10. The overlay metrology system of claim 9, wherein the device period is less than the resolution of the detector. 請求項9に記載のオーバレイ計量システムであって、前記一組のデバイスフィーチャがランダムアクセスメモリフィーチャに相当しているオーバレイ計量システム。 10. The overlay metrology system of claim 9, wherein the set of device features corresponds to random access memory features. 請求項14に記載のオーバレイ計量システムであって、前記ランダムアクセスメモリ(RAM)フィーチャが、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)フィーチャ及びスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)フィーチャのうち少なくとも一方を含んでいるオーバレイ計量システム。
15. The overlay metrology system of claim 14, wherein the random access memory (RAM) feature comprises:
An overlay metrology system including at least one of dynamic random access memory (DRAM) features and static random access memory (SRAM) features.
オーバレイ計量方法であって、
一組のデバイスフィーチャを標本の第1層上に作成し、但しその一組のデバイスフィーチャのうち少なくとも一部分を周期的でありデバイス周期を有するものとし、
第1組のターゲットフィーチャを前記標本の第2層上に作成し且つ前記一組のデバイスフィーチャに重ね、その第1組のターゲットフィーチャを周期的であり第1計測周期を有するものとし、その第1計測周期を、検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第1組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されたものとし、
第2組のターゲットフィーチャを前記標本の前記第2層上に作成し且つ前記一組のデバイスフィーチャに重ね、その第2組のターゲットフィーチャを周期的であり第2計測周期を有するものとし、その第2計測周期を、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第2組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されたものとし、
第2組のデバイスフィーチャを前記標本の第3層上に作成し、但しその第2組のデバイスフィーチャのうち少なくとも一部分を周期的であり前記デバイス周期を有するものとし、
第3組のターゲットフィーチャを前記標本の第4層上に作成し且つ前記第2組のデバイスフィーチャに重ね、但しその第3組のターゲットフィーチャを周期的であり第3計測周期を有するものとし、その第3計測周期を、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第3組のモアレフリンジがもたらされるよう選択されたものとし、
第4組のターゲットフィーチャを前記標本の前記第4層上に作成し且つ前記第2組のデバイスフィーチャに重ね、但しその第4組のターゲットフィーチャを周期的であり第4計測周期を有するものとし、その第4計測周期を、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第4組のモアレフリンジがもたらされるよう選択されたものとする、
オーバレイ計量方法。
An overlay weighing method, comprising:
creating a set of device features on a first layer of the specimen, with at least a portion of the set of device features being periodic and having a device period;
A first set of target features is created on a second layer of the specimen and overlies the set of device features, the first set of target features being periodic and having a first measurement period; one measurement period is selected such that imaging the target by a detector results in a first set of moiré fringes visible to the detector;
a second set of target features is created on the second layer of the specimen and overlies the set of device features, the second set of target features being periodic and having a second measurement period; a second measurement period is selected to result in a second set of Moiré fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector;
creating a second set of device features on a third layer of the specimen, with at least a portion of the second set of device features being periodic and having the device period;
creating a third set of target features on a fourth layer of the specimen and overlapping the second set of device features, with the third set of target features being periodic and having a third measurement period; the third measurement period is selected to result in a third set of moiré fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector;
a fourth set of target features is created on the fourth layer of the specimen and overlies the second set of device features, with the fourth set of target features being periodic and having a fourth measurement period; , the fourth measurement period being selected to result in a fourth set of moiré fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector;
Overlay weighing method.
請求項16に記載のオーバレイ計量方法であって、前記第3計測周期が前記第1計測周期と等しいオーバレイ計量方法。 17. The overlay metrology method according to claim 16, wherein the third measurement period is equal to the first measurement period. 請求項17に記載のオーバレイ計量方法であって、前記第4計測周期が前記第2計測周期と等しいオーバレイ計量方法。 18. The overlay metrology method according to claim 17, wherein the fourth measurement period is equal to the second measurement period. 請求項16に記載のオーバレイ計量方法であって、前記第3計測周期が前記第1計測周期と異なるオーバレイ計量方法。 17. The overlay metrology method according to claim 16, wherein the third measurement period is different from the first measurement period. 請求項19に記載のオーバレイ計量方法であって、前記第4計測周期が前記第2計測周期と異なるオーバレイ計量方法。 20. The overlay metrology method according to claim 19, wherein the fourth measurement period is different from the second measurement period. オーバレイ計量方法であって、
照明源を用い標本を照明し、但し前記標本が、
前記標本の第1層上にある一組のデバイスフィーチャであり、そのうち少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有している一組のデバイスフィーチャ、
前記標本の第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第1組のターゲットフィーチャであり、周期的で第1計測周期を有している第1組のターゲットフィーチャ
前記標本の前記第2層上にあり前記一組のデバイスフィーチャと重なっている第2組のターゲットフィーチャであり、周期的で第2計測周期を有している第2組のターゲットフィーチャ、
前記標本の第3層上の第2組のデバイスフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャの少なくとも一部分が周期的でデバイス周期を有している第2組のデバイスフィーチャ、
前記標本の第4層上の第3組のターゲットフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第3組のターゲットフィーチャは周期的で第3計測周期を有している第3組のターゲットフィーチャ、
前記標本の第4層上の第4組のターゲットフィーチャであり、前記第2組のデバイスフィーチャと重なっており、前記第4組のターゲットフィーチャは周期的で第4計測周期を有している第4組のターゲットフィーチャ、
が備わるオーバレイターゲットを有するものであり、
検出器を用い前記オーバレイターゲットを撮像し、但し前記第1計測周期が、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第1組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されており、且つ、前記第2計測周期が、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第2組のモアレフリンジがもたらされるよう選定されており、前記第3計測周期は、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第3組のモアレフリンジがもたらされるように選定されており、前記第4計測周期は、前記検出器により前記ターゲットを撮像したときその検出器にとり可視な第4組のモアレフリンジがもたらされるように選定されており、
前記検出器に可通信結合されたコントローラを用い、
前記オーバレイターゲットの画像を受け取り、
前記画像における前記第1組のモアレフリンジ及び前記第2組のモアレフリンジの相対位置を、見掛け上のオーバレイ誤差として計測し、且つ
前記デバイス周期、前記第1計測周期及び前記第2計測周期に係るモアレ利得因数により前記見掛け上のオーバレイ誤差を調整することによって、前記標本の前記第1層と前記標本の前記第2層との間のオーバレイ誤差を判別する、
オーバレイ計量方法。
An overlay weighing method, comprising:
illuminating a specimen using an illumination source, with the proviso that the specimen is
a set of device features on a first layer of the specimen, at least a portion of which are periodic and have a device period;
a first set of target features on a second layer of the specimen overlapping the set of device features, the first set of target features being periodic and having a first measurement period ;
a second set of target features on the second layer of the specimen overlapping the set of device features, a second set of target features that are periodic and have a second measurement period;
a second set of device features on a third layer of the specimen, at least a portion of the second set of device features being periodic and having a device period;
a third set of target features on a fourth layer of the specimen overlapping the second set of device features, the third set of target features being periodic and having a third measurement period; 3 sets of target features,
a fourth set of target features on a fourth layer of the specimen, overlapping the second set of device features, the fourth set of target features being periodic and having a fourth measurement period; 4 sets of target features,
has an overlay target with
imaging the overlay target using a detector, wherein the first measurement period is selected to result in a first set of Moiré fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector; and the second measurement period is selected to provide a second set of Moiré fringes visible to the detector when the target is imaged by the detector, and the third measurement period is selected to provide a second set of Moiré fringes that are visible to the detector when the target is imaged by the detector. is selected to provide a third set of moiré fringes that are visible to the detector when the target is imaged by the detector, and the fourth measurement period is selected to provide a third set of Moiré fringes that are visible to the detector when the target is imaged by the detector. selected to provide a fourth set of visible moiré fringes;
using a controller communicatively coupled to the detector;
receiving an image of the overlay target;
The relative positions of the first set of moire fringe and the second set of moire fringe in the image are measured as an apparent overlay error, and according to the device period, the first measurement period, and the second measurement period. determining an overlay error between the first layer of the specimen and the second layer of the specimen by adjusting the apparent overlay error by a moiré gain factor;
Overlay weighing method.
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Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929083A (en) * 1986-06-19 1990-05-29 Xerox Corporation Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure
US5767959A (en) * 1997-03-28 1998-06-16 Nikon Corporation Lens distortion measurement using moire fringes
US6275621B1 (en) 1998-03-02 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Moire overlay target
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7317531B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US6819426B2 (en) 2001-02-12 2004-11-16 Therma-Wave, Inc. Overlay alignment metrology using diffraction gratings
US6982793B1 (en) * 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
US7440105B2 (en) 2002-12-05 2008-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuously varying offset mark and methods of determining overlay
US7349105B2 (en) 2004-09-01 2008-03-25 Intel Corporation Method and apparatus for measuring alignment of layers in photolithographic processes
US7561282B1 (en) 2006-03-27 2009-07-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool
US9429856B1 (en) 2013-01-21 2016-08-30 Kla-Tencor Corporation Detectable overlay targets with strong definition of center locations
CN107076682B (en) * 2014-05-15 2021-02-02 斯格瑞公司 X-ray method for measuring, characterizing and analyzing periodic structures
DE102016212462A1 (en) * 2016-07-08 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for moiré measurement of an optical specimen
CN109564391A (en) 2016-07-21 2019-04-02 Asml荷兰有限公司 Measure mesh calibration method, substrate, measurement equipment and lithographic equipment
WO2018089217A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-17 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and implant treatment for overlay error correction
US10824079B2 (en) * 2017-01-03 2020-11-03 Kla-Tencor Corporation Diffraction based overlay scatterometry
US10551749B2 (en) 2017-01-04 2020-02-04 Kla-Tencor Corporation Metrology targets with supplementary structures in an intermediate layer
US10444161B2 (en) * 2017-04-05 2019-10-15 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for metrology with layer-specific illumination spectra
US10817999B2 (en) * 2017-07-18 2020-10-27 Kla Corporation Image-based overlay metrology and monitoring using through-focus imaging
US10401738B2 (en) * 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
KR20200096843A (en) * 2018-01-17 2020-08-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Target measurement method and measurement device

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