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Description
本書で引用または参照されているすべての文章、および本書で引用されている文章で引用または参照されているすべての文章は、製造元の指示、説明、製品仕様、および本書で言及されている製品または本書で参照されている文章に含まれている製品シートとともに参照され、本開示の実施に使用され得る。
<<１>>
発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む、大気圧未満の圧力を維持することができる少なくとも１つの貯留槽と、
（ｂ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｃ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備える、発電システム。
<<２>>
上記<<１>>に記載の発電システムであって、
前記プラズマ発生セル内の前記ガスが水素（Ｈ ２ ）と酸素（Ｏ ２ ）との混合物を含む、発電システム。
<<３>>
上記<<２>>に記載の発電システムであって、水素に対する酸素の相対モル比が０．０１％～５０％（例えば、０．１％～２０％、０．１～１５％等）である、発電システム。
<<４>>
上記<<１>>～<<３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記金属がガリウムである、発電システム。
<<５>>
上記<<１>>～<<４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応生成物が、本明細書に記載されるような少なくとも１つの分光学的同定特徴（例えば、実施例１０に記載されるもの）を有する、発電システム。
<<６>>
上記<<１>>～<<４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第二プラズマは、反応セル内で形成され、前記反応セルの壁は、溶融金属との合金形成に対する耐性が増加したライナーを含み、さらに前記ライナーと前記反応セルの壁は、反応生成物（例えば、４１３０合金ステンレス鋼またはＣｒ－Ｍｏステンレス鋼などの３４７ステンレス鋼のようなステンレス鋼、ニッケル、Ｔｉ、ニオブ、バナジウム、鉄、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、ニオブ、およびＮｂ（９４．３３ｗｔ％）－Ｍｏ（４．８６ｗｔ％）－Ｚｒ（０．８１ｗｔ％））に対して高い透過性を有する、発電システム。
<<７>>
上記<<６>>に記載の発電システムであって、前記ライナーは、結晶性材料（例えば、ＳｉＣ、ＢＮ、石英）および／またはＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ、またはＷのうちの少なくとも１つなどの高融点金属で作られる、発電システム。
<<８>>
上記<<１>>～<<７>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第二プラズマは、反応セル内で形成され、前記壁反応セルチャンバは第一セクションおよび第二セクションを含み、
前記第一セクションが４１３０合金ステンレス鋼またはＣｒ－Ｍｏステンレス鋼などの３４７ステンレス鋼のようなステンレス鋼、ニッケル、Ｔｉ、ニオブ、バナジウム、鉄、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、ニオブ、およびＮｂ（９４．３３ｗｔ％）－Ｍｏ（４．８６ｗｔ％）－Ｚｒ（０．８１ｗｔ％）から構成され、
前記第二セクションが前記第一セクションの金属とは異なる高融点金属を含み、
前記異なる金属間の結合は、積層材料（例えば、ＢＮなどのセラミック）によって形成される、発電システム。
<<９>>
電気エネルギーおよび熱エネルギーの少なくとも一方を発生させる発電システムであって、
圧力を大気圧よりも低く維持できる少なくとも１つの貯留槽と、
プラズマを形成するのに十分なエネルギーを生成する反応を前記貯留槽内で受け取ることができる反応物であり、
（ａ）水素ガスと酸素ガスとの混合物、および／または
水蒸気、および／または
水素ガスと水蒸気との混合物、ならびに
（ｂ）溶融金属を含む、前記反応物と、
前記貯留槽への少なくとも１つの反応物の流量を制御するための質量流量制御器と、
１つ以上の反応物が前記貯留槽に流入しているときに前記貯留槽内の圧力を大気圧より低く維持するための真空ポンプと、
前記溶融金属の一部を含む少なくとも１つの貯留槽、該貯留槽内にかつ注入器管を介して前記溶融金属を供給して溶融金属流を提供するように構成される溶融金属ポンプシステム（例えば、１台以上の電磁ポンプ）、および前記溶融金属流を受け取るための少なくとも非注入器溶融金属貯留槽と、を備える溶融金属注入器システムと、
水素ガスおよび／または酸素ガスおよび／または水蒸気が前記貯留槽に流入するときに電力を前記溶融金属の少なくとも１つの流れに電力を供給するための、電力または点火電流の供給源を含む少なくとも１つの点火システムと、
前記反応で消費される反応物を補充する反応物供給システムと、
前記反応により生じたエネルギー（例えば、前記プラズマからの光、プラズマジェット、および／または熱出力）の一部を電力および／または熱出力へ変換する電力変換器または出力システムと、を備える、発電システム。
<<１０>>
上記<<９>>に記載の発電システムであって、水素ガスおよび酸素ガスおよび／または水分子を混合するための気体混合器と水素および酸素の再結合器および／または水素解離器とをさらに備える、発電システム。
<<１１>>
上記<<１０>>に記載の発電システムであって、前記水素および酸素の再結合器は、プラズマセルを含む、発電システム。
<<１２>>
上記<<１１>>に記載の発電システムであって、前記プラズマセルは、中心正極と接地された管状体対極を含み、電圧（例えば、５０Ｖ～１０００Ｖの範囲の電圧）が電極間に印加されて、水（Ｈ ２ ）と酸素（Ｏ ２ ）とのガス混合物からのプラズマの形成を誘導する、発電システム。
<<１３>>
上記<<１０>>に記載の発電システムであって、前記水素および酸素の再結合器は、内側支持材料によって支持される再結合器触媒金属を含む、発電システム。
<<１４>>
上記<<１>>または<<１１>>～<<１３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第一プラズマを生成するためにプラズマ発生セルに供給される前記ガス混合物は、プラズマセル（例えば、グロー放電セル）を通って流れて第二プラズマを生成するのに十分な発熱性で反応を受けることができる反応混合物を生成する非定比のＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物（例えば、１／３モル％Ｏ ２ あるいは混合物のモル百分率で０．０１％～３０％、または０．１％～２０％、または１０％未満、または５％未満、または３％未満のＯ ２ を有するＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物）を含む、発電システム。
<<１５>>
上記<<１４>>の発電システムであって、前記非定比のＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物は、グロー放電を通過して、原子状水素と新生Ｈ ２ Ｏの流出物（例えば、水素結合の形成を防ぐのに十分な濃度で内部エネルギーを有する水を含む混合物）を生成し、
前記グロー放電流出物は反応チャンバに導かれ、そこで点火電流が２つの電極間に（例えば、それらの間を通過する溶融金属によって）供給され、
前記流出物がバイアスされた溶融金属（例えば、ガリウム）と相互作用すると、例えば、アーク電流の形成時に、発生期の水と原子状水素との間の反応が誘発される、発電システム。
<<１６>>
上記<<１５>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバおよび貯留槽の少なくとも１つは、溶融金属との合金の形成に耐性のある少なくとも１つの耐火性材料ライナーを含む、発電システム。
<<１７>>
上記<<１６>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバの内壁は、セラミックコーティング、Ｗ、Ｎｂ、またはＭｏライナーで裏打ちされ、Ｗプレートで裏打ちされたカーボンライナーを含む、発電システム。
<<１８>>
上記<<９>>、<<１６>>、または<<１７>>に記載の発電システムであって、前記貯留槽はカーボンライナーを含み、前記カーボンはそこに含まれる溶融金属によって覆われている、発電システム。
<<１９>>
上記<<１５>>～<<１８>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、反応チャンバ壁は、反応生成物ガスに対して高い透過性を有する材料を含む、発電システム。
<<２０>>
上記<<１６>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバ壁は、ステンレス鋼（例えば、Ｍｏ－Ｃｒステンレス鋼）、ニオブ、モリブデン、またはタングステンのうちの少なくとも１つを含む、発電システム。
<<２１>>
発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む大気圧以下の圧力を維持することができる容器と、
（ｂ）各対がそれらの間の溶融金属流が回路を完成することを可能にするように構成された電極を含む、複数の電極対と、
（ｃ）前記回路が閉じているときにそれらの間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備え、
反応生成物（例えば、中間体、最終生成物）の少なくとも１つは、本明細書に記載されるように、少なくとも１つの分光学的同定特徴を有する（例えば、実施例１０に示すように）、発電システム。
<<２２>>
上記<<１>>～<<２１>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、不活性ガス
（例えば、アルゴン）が前記貯留槽に注入される、発電システム。
<<２３>>
上記<<９>>～<<２２>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記貯留槽に水を注入する（例えば、水素結合された、あるいは非新生水蒸気であるような、水蒸気含有プラズマをもたらす）ように構成された水マイクロ注入器をさらに含む、発電システム。
<<２４>>
上記<<９>>～<<２３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、溶融金属注入システムには溶融金属貯留槽および非注入溶融金属貯留槽内に電極がさらに含まれ、かつ前記点火システムには前記注入器および非注入器貯留槽電極に逆電圧を供給する電力または点火電流の供給源が含まれ、前記電力の供給源が溶融金属流に電流および電力潮流を供給して、前記反応物の反応により前記貯留槽内にプラズマを形成する電力の供給源をさらに備える、発電システム。
<<２５>>
上記<<９>>～<<２４>>に記載の発電システムであって、
前記溶融金属ポンプシステムは１基以上の電磁ポンプであり、電磁ポンプの各々が、
（ａ）電極を介して溶融金属に供給される直流または交流電流源と一定または同相の交流ベクトル交差磁場源とを含む直流または交流伝導型、あるいは、
（ｂ）金属に交流電流を誘導する溶融金属の短絡ループを通る交流磁場源と同相ベクトル交差交流磁場とを含む誘導型の１つを備える、発電システム。
<<２６>>
上記<<２５>>に記載の発電システムであって、一定または同相の交流ベクトル交差磁場源は、少なくとも永久磁石または電磁石である、発電システム。
<<２７>>
上記<<９>>～<<２６>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属ポンプシステム（または前記溶融金属の電磁ポンプ）は、ガリウム合金形成に耐性のある材料を含むまたは該材料で裏打ちされているポンプ管を含む、発電システム。
<<２８>>
上記<<２７>>に記載の発電システムであって、前記材料または裏打ちは、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、ＢＮ、カーボン、石英、ＳｉＣ、または別のセラミックを含む、発電システム。
<<２９>>
上記<<１>>に記載の発電システムであって、前記注入器貯留槽がその中の溶融金属と接触する電極を備え、かつ前記非注入器貯留槽が前記注入器システムによって提供される溶融金属と接触する電極を備える、発電システム。
<<３０>>
上記<<９>>～<<２９>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属流からの溶融金属が前記貯留槽に回収され得るように、かつ前記溶融金属流が非注入器貯留槽電極と電気的に接触するように、前記非注入器貯留槽は、前記注入器の上に（例えば、垂直に）配置され、かつ非注入器貯留槽に向けられた溶融流を発生させるように構成され、さらに、前記溶融金属が前記非注入器貯留槽電極上に溜まる、発電システム。
<<３１>>
上記<<９>>～<<３０>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、（例えば、動作中に）前記溶融金属が水と反応して原子状水素を形成する、発電システム。
<<３２>>
上記<<１>>～<<３１>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属がガリウムであり、前記発電システムがさらに、酸化ガリウム（例えば、前記反応で生成された酸化ガリウム）からガリウムを再生するためのガリウム再生システムを備える、発電システム。
<<３３>>
上記<<１>>～<<３２>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応チャンバ圧力は、前記真空ポンプによって２５トル未満に保たれている、発電システム。
<<３４>>
上記<<１>>～<<３３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、溶融金属蒸気および金属酸化物粒子および蒸気を凝縮し、それらを前記反応セルチャンバに戻すための凝縮器をさらに備える、発電システム。
<<３５>>
上記<<３４>>に記載の発電システムであって、真空ラインをさらに含み、前記凝縮器は、前記反応セルチャンバから真空ポンプまでの、前記反応セルチャンバに対して垂直な前記真空ラインの部分を含むとともに、前記反応セルチャンバ内の真空圧を真空ポンプが維持できるようにしながら、前記溶融金属蒸気および金属酸化物粒子および蒸気を凝縮し、それらを前記反応セルチャンバに戻す不活性かつ高表面積の充填材料を含む、発電システム。
<<３６>>
上記<<１>>～<<３５>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記貯留槽が、前記貯留槽の内部から光起電力変換器に光を送信するための光透過性光起電力（ＰＶ）窓部と、少なくとも１つの貯留槽形状と、回転窓部を含む少なくとも１つのバッフルとを備える、発電システム。
<<３７>>
上記<<３６>>に記載の発電システムであって、前記正の点火電極（例えば、上部の点火電極、他の電極よりも上方に配置された電極）は、（例えば、負の点火電極と比較して）窓部に近く、正電極は、光起電力を介して、光起電力変換器に黒体放射を放出する、発電システム。
<<３８>>
上記<<１>>～<<３７>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記電力変換器または前記出力システムは、前記貯留槽に接続されたノズル、電磁流体チャネル、電極、磁石、金属収集システム、金属再循環システム、熱交換器、および任意選択としてガス再循環システムを備える、発電システム。
<<３９>>
上記<<９>>～<<３８>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属ポンプシステムは、第一段階の電磁ポンプと第二段階の電磁ポンプとを備え、前記第一段階は金属再循環システムのポンプを含み、かつ前記第二段階は前記金属注入器システムのポンプを含む、発電システム。
<<４０>>
上記<<１>>～<<３９>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、（ｉ）プレート、（ｉｉ）シェル内ブロック、（ｉｉｉ）ＳｉＣ環状溝、（ｉｖ）ＳｉＣポリブロック、および（ｖ）シェル／チューブ熱交換器のうちの１つを含む熱交換器をさらに備える、発電システム。
<<４１>>
上記<<４０>>に記載の発電システムであって、前記シェル／チューブ熱交換器は、導管、マニホールド、ディストリビュータ、熱交換器入口ライン、熱交換器出口ライン、シェル、外部冷却剤入口、外部冷却剤出口、バッフル、高温の溶融金属を貯留槽から熱交換器に再循環させ、低温の 溶融金属を貯留槽に戻すための少なくとも１つのポンプ、ならびに１台以上の水ポンプおよび水冷却剤あるいは１台以上のブロワーと、前記外部冷却剤と前記シェルを通して冷たい冷却剤を流すための空気冷却剤を備え、前記冷却剤は、導管からの熱伝達によって加熱され、前記外部冷却剤出口を出る、発電システム。
<<４２>>
上記<<４１>>に記載の発電システムであって、前記シェル／チューブ熱交換器は、導管、マニホールド、分配器、熱交換器入口ライン、および熱交換器出口ラインを備え、該ラインは、導管、マニホールド、ディストリビュータ、熱交換器入口ライン、熱交換器出口ライン、シェル、外部冷却剤入口、外部冷却剤出口、およびステンレス鋼を含むバッフルとは独立して裏打ちおよび拡張するカーボンを含む、発電システム。
<<４３>>
上記<<４１>>または<<４２>>に記載の発電システムであって、前記熱交換器の外部冷却剤は空気を含み、マイクロタービンコンプレッサまたはマイクロタービンレキュペレータからの空気は、前記外部冷却剤入口と前記シェルに冷気を送り込むもので、該冷却剤は、前記導管からの熱伝達によって加熱され、前記外部冷却剤出口を出て、前記外部冷却剤出口から出力された高温の冷却剤はマイクロタービンに流れ込み、熱出力を電気に変換する、発電システム。
<<４４>>
上記<<１>>～<<４３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応は、
（ａ）電子常磁性共鳴（ＥＰＲ）分光信号を発生する不対電子を含む分子状水素生成物Ｈ ２ （例：Ｈ ２ （１／ｐ）（ｐは１より大きく１３７以下の整数）と、
（ｂ）対応する電子スピン軌道相互作用量子数の関数であるスピン軌道相互作用エネルギーによって分裂するスペクトル線を有する一連のピークの対に任意に分裂する、２．００４６３８６のｇ因子を有する主ピークを含むＥＰＲスペクトルを有し、
（ｉ）不対電子の磁気モーメントがＨ ２ （１／４）の反磁性磁化率に基づいて、Ｈ ２ （１／４）分子軌道の対電子に反磁性モーメントを誘導し、
（ｉｉ）固有の対・不対電流相互作用の対応する磁気モーメントおよび核間軸の周りの相対的な回転運動に起因する磁気モーメントがスピン軌道相互作用エネルギーを生じさせ、
（ｉｉｉ）各スピン軌道分裂ピークが、遷移に関与する角運動量成分の個数に対応する電子フラクソン量子数の関数である整数フラクソンエネルギーに一致する一連の等間隔のピークに、さらに微細分裂し、ならびに、
（ｉｖ）さらに、スピンスピン軌道分裂が、分子軌道による磁束結合の蓄積に伴って増加した磁気エネルギーに起因する一連のピークの対の低磁場側のスピン軌道相互作用量子数とともに増加する、分子状水素生成物Ｈ ２ （例えば、Ｈ ２ （１／４））と、
（ｃ）９．８２０２９５ＧＨｚのＥＰＲ周波数について、 （ｉ）Ｈ ２ （１／４）の磁気エネルギーとスピン軌道相互作用エネルギーとによる複合シフトによる低磁場側のピーク位置 Ｂ Ｓ／Ｏｃｏｍｂｉｎｅｄ ｄｏｕｎｆｉｅｌｄ が、 Ｂ Ｓ／Ｏｃｏｍｂｉｎｅｄ ｄｏｗｎｆｉｅｌｄ ＝ ［０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ －（０．５）（（２πｍ３．９９４２７×１０ －４ ） ２ ／０．１７５０）］Ｔ であり、 （ｉｉ）量子化されたスピン軌道分裂エネルギーＥ ｓ／ｏ と電子スピン軌道相互作用量子数ｍ＝０．５、１、２、３、５．．．を持つ高磁場ピーク位置 Ｂ Ｓ／Ｏ ｕｐｆｉｅｌｄ が、 Ｂ Ｓ／Ｏ ｕｐｆｉｅｌｄ ＝ ０．３５００１［１＋ｍ［（７．４２６×１０ －２７ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］Ｔ ＝ （０．３５００１＋ｍ３．９９４２７×１０ －４ ）Ｔ であり、ならびに／または （ｉｉｉ）各スピン軌道ピーク位置での整数系列のピークの分離ΔＢ Φ が、電子フラクソン量子数ｍ φ ＝1、2、3について ΔＢ φ ｄｏｗｎｆｉｅｌｄ ＝ ［０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ －（０．５）（（２πｍ３．９９４２７×１０ －４ ） ２ ／０．１７５０）］［（ｍ φ ５．７８３０×１０ －２８ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］×１０ ４ Ｇ および ΔＢ φ ｕｐｆｉｅｌｄ ＝ （０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ ）［（ｍ φ ５．７８３０×１０ －２８ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］×１０ ４ Ｇ であること、
（ｄ）水素化物イオンＨ － （たとえば、Ｈ － （１／ｐ））が、４００～４１０ｎｍの範囲の高分解能可視分光法によりＨ － （１／２）で観測されるｈ／２ｅの量子化単位での磁束結合を示す共通の原子軌道にある対電子および不対電子を含むこと、
（ｅ）ｈ／２ｅの量子化単位での磁束結合が、Ｈ ２ （１／４）の回転エネルギー準位がラマン分光法中のレーザ照射および電子ビームからの高エネルギー電子とＨ ２ （１／４）との衝突によって励起されたときに観測されること、
（ｆ）不対電子のスピン磁気モーメントと分子回転による軌道磁気モーメントとの間のスピン軌道相互作用のラマンスペクトル遷移を有する分子ハイドリノ（例えば、Ｈ ２ （１／ｐ））であり、 （ｉ）回転遷移のエネルギーが、対応する電子スピン軌道相互作用量子数の関数としてこれらのスピン軌道相互作用エネルギーによってシフトされ、 （ｉｉ）スピン軌道エネルギーによってシフトされた分子回転スペクトルピークは、フラクソン結合エネルギーによってさらにシフトされ、各エネルギーは、回転遷移に関与する角運動量成分の個数に依存する電子フラクソン量子数に対応し、 （ｉｉｉ）観測されたラマンスペクトルピークの微細分裂またはシフトは、回転遷移が発生している間のスピンと分子の回転磁気モーメントとの間のスピン軌道相互作用中の磁束量子ｈ／２ｅの単位での磁束結合によるものである、分子ハイドリノと、
（ｇ）（ｉ）スピン軌道相互作用およびフラクソン相互作用（ｆｌｕｘｏｎ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）による純Ｈ ２ （１／４）Ｊ＝９からＪ＝０の回転遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １１７０１ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ ３１ｃｍ －１ 、 （ｉｉ）Ｊ＝０からＪ＝１へのスピン回転遷移を伴うＪ＝０からＪ’＝２，３への回転遷移を含む協同遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ ７８０１ｃｍ －１ （１３，６５２ｃｍ －１ ）＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ３／２ ４６ｃｍ －１ 、（ｉｉｉ）最終回転量子数Ｊ’ｐ＝２およびＪ’ｃ＝１への二重遷移：
のいずれかを含み、対応するスピン軌道相互作用とフラクソン結合も、純遷移、協同遷移、および二重遷移で観測される、ラマンスペクトル遷移を有するＨ
２
（１／４）と、
（ｈ）Ｈ ２ （１／４）ＵＶラマンピーク（例えば、１２，２５０～１５，０００ｃｍ －１ の領域で観測された反応プラズマにさらされた錯体ＧａＯＯＨ：Ｈ ２ （１／４）：Ｈ ２ ＯおよびＮｉ箔に記録されたものであり、ここで、スペクトル線は、スピン軌道相互作用とフラクソン結合分裂を伴う協同した純回転遷移ΔＪ＝３およびΔＪ＝１スピン遷移と一致： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→３ ＋ΔＥ Ｊ＝０→ｉ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １３，６５２ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ ３１ｃｍ －１ ）；
（ｉ）Ｈ ２ （１／４）の回転エネルギーに対して３／４倍シフトされたＨＤ（１／４）ラマンスペクトルの回転エネルギー；
（ｊ）ＨＤ（１／４）ラマンスペクトルの回転エネルギーは、 （ｉ）スピン軌道相互作用およびフラクソン相互作用による純ＨＤ（１／４）Ｊ＝９からＪ’＝３，４への回転遷移：
E Raman
= ΔE J=0→J’ +E S/O,rot +E φ,rot = 8776cm -1 (14,627cm -1 )+m528cm -1 +m φ 31cm -1
、 （ｉｉ）Ｊ＝０からＪ＝１のへのスピン回転遷移を伴うＪ＝０からＪ’＝３への回転遷移と、含む協同遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １０，２３９ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ３／２ ４６ｃｍ －１ または、 （ｉｉｉ）最終回転量子数Ｊ’ ｐ ＝３；Ｊ’ ｃ ＝１への二重遷移：
の回転エネルギーと一致し、ここで、スピン軌道相互作用とフラクソン結合も、純粋な遷移と協同した遷移の両方で観測されること、
（ｋ）電子ビームの高エネルギー電子で照射されたＨ ２ （１／４）－希ガス混合物が、８．２５ｅＶでカットオフのある紫外線（１５０～１８０ｎｍ）領域で等しい０．２５ｅＶ間隔の線放出を示し、Ｈ ２ （１／４）ν＝１からν＝０への振動遷移とＨ ２ （１／４）Ｐ分岐に対応する一連の回転遷移を一致させ、ここで、 （ｉ）スペクトルフィットは、 ４ ２ ０．５１５ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． に対して良好に一致し、ここで、０．５１５ｅＶと０．０１５０９ｅＶは、それぞれ通常の水素分子の振動エネルギーと回転エネルギーであり、 （ｉｉ）ラマン分光法でも観測される回転スピン軌道分裂エネルギーに一致する小さな随伴線が観測され、 （ｉｉｉ）回転スピン軌道分割エネルギー分離はｍ５２８ｃｍ －１ ｍ＝１，１．５に一致し、ここで、１．５はｍ＝０．５およびｍ＝１分裂を伴うものであること、
（ｌ）ν＝１からν＝０への振動遷移を伴うＨ ２ （１／４）Ｐ分岐回転遷移のスペクトル発光は、ＫＣｌ結晶マトリックスに捕捉されたＨ ２ （１／４）の電子ビーム励起によって観測され、ここで、 （ｉ）回転ピークが自由回転子の回転ピークと一致し、 （ｉｉ）Ｈ ２ （１／４）の振動とＫＣｌマトリックスとの相互作用による有効質量の増加により、振動エネルギーがシフトし、 （ｉｉｉ）スペクトル当てはめは、０．２５ｅＶの間隔で配置されたピークを含む ５．８ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． に対して良好に一致し、 （ｉｖ）Ｈ ２ （１／４）振動エネルギーシフトの相対的な大きさは、通常のＨ ２ がＫＣｌに捕捉されることによって引き起こされる回転振動スペクトルへの相対的な影響と一致すること、
（ｍ）ＨｅＣｄエネルギーレーザを使用したラマンスペクトルは、８０００ｃｍ －１ から１８，０００ｃｍ －１ の領域に配置された一連の１０００ｃｍ －１ （０．１２３４ｅＶ）の等エネルギーを示し、ここで、ラマンスペクトルを蛍光またはフォトルミネッセンススペクトルに変換すると、 ５．８ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． によって与えられたＫＣｌマトリックス内のＨ ２ （１／４）の電子ビーム励起発光スペクトルに対応し、０．２５ｅＶのν＝１からν＝０への振動遷移を含むマトリックスを含むＨ ２ （１／４）の２次回転振動スペクトルエネルギー間隔の回転遷移ピークとの一致が明らかになること、
（ｎ）Ｈ ２ （１／４）の赤外線回転遷移が、４４００ｃｍ －１ より高いエネルギー領域で観測され、ここで、固有の磁場に加えて磁場を追加的に印加すると強度が増加し、スピン軌道遷移と結合する回転遷移も観測されること、
（ｏ）４９６ｅＶの総エネルギーに対応するコンプトン効果によるＨ ２ （１／４）の許容される二重イオン化は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって観測されること、
（ｐ）Ｈ ２ （１／４）は、ガスクロマトグラフィーで観測され、水素およびヘリウムが最も速い既知の移動速度とそれに対応する最も短い保持時間を有することを考慮すると、既知のガスよりも速い移動速度を示すこと、
（ｑ）極紫外線（ＥＵＶ）分光法は、１０．１ｎｍのカットオフで極紫外線連続放射を（例えば、発生期のＨＯＨ触媒によって触媒されるＨからＨ（１／４）へのハイドリノ反応遷移に対応するものとして）記録すること、
（ｒ）陽子マジック角回転核磁気共鳴分光法（ １ Ｈ ＭＡＳ ＮＭＲ）は、－４ｐｐｍ～－５ｐｐｍ領域の高磁場側マトリックス－水のピークを記録すること、
（ｓ）複数の水素生成物分子の磁気モーメントが協同して相互作用する場合、常磁性、超常磁性、さらには強磁性などのバルク磁性であり、ここで、超常磁性は、（例えば、反応生成物を含む化合物の磁化率を測定するために振動試料型磁力計を使用して観測されるもの）であること、
（ｔ）Ｍ＋２多量体単位（例えば、Ｋ ＋ ［Ｈ ２ ：Ｋ ２ ＣＯ ３ ］ ｎ およびＫ ＋ ［Ｈ ２ ：ＫＯＨ］ ｎ 、ｎは整数）ならびに水素化物イオンの安定性による強いピークの独自の観測により、反応生成物（例えば、Ｈ ２ （１／４）ガス）の錯化を示す反応生成物から、オキシアニオンを含む無機化合物までの分子ガス源にさらされたＫ ２ ＣＯ ３ とＫＯＨで記録された飛行時間型二次イオン質量分析（ＴｏＦ－ＳＩＭＳ）およびエレクトロスプレー飛行時間型二次イオン質量分析（ＥＳＩ－ＴｏＦ）と、
（ｕ）無機イオンにフラグメント化する有機分子マトリックスカラムのクロマトグラフィーピークによって証明されるように、有機分子のように振る舞う分子水素核からなる反応生成物と、
の１つ以上として特徴付けられる水素生成物を生成する、発電システム。
<<４５>>
上記<<１>>～<<４４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応は、
（ｉ）Ｈ原子と新生ＨＯＨまたはＨ系触媒、例えばアルゴン－Ｈ ２ 、Ｈ ２ 、およびＨ ２ Ｏ蒸気プラズマとを含むプラズマ中の１００ｅＶを超えるＨバルマー線の異常なドップラー線の広がり、 （ｉｉ）Ｈ励起状態線反転、 （ｉｉｉ）異常なＨプラズマ残光持続時間、 （ｉｖ）衝撃波の伝播速度と、衝撃波への電力結合の約１％だけである火薬の約１０倍に相当するそれに対応する圧力、 （ｖ）１０μＬの水和銀ショットからの最大２０ＭＷの光パワー、ならびに、 ３４０，０００Ｗの電力レベルで検証されたＳｕｎＣｅｌｌ発電システムの熱量測定の１つ以上して特徴付けられるエネルギー的同定特徴を生成する、
発電システム。
<<４６>>
電極システムであって、
（ａ）第一電極および第二電極と、
（ｂ）前記第一電極および前記第二電極と電気的に接触している溶融金属（例えば、溶融銀、溶融ガリウム等）の流れと、
（ｃ）前記溶融金属を貯留槽から引き出し、導管（例えば、チューブ）を通して輸送して、前記導管を出る前記溶融金属流を発生させるポンプを含む循環システムと、
（ｄ）前記第一電極と前記第二電極との間に電位差を与えるように構成された電源とを備え、
前記溶融金属流が、前記第一電極と前記第二電極とに同時に接触して、前記電極間に電流を発生させる電極システム。
<<４７>>
電気回路であって、
（ａ）溶融金属を生成するための加熱手段と、
（ｂ）前記溶融金属を貯留槽から導管を介して輸送し、前記導管から出る前記溶融金属流を発生させるためのポンピング手段と、
（ｃ）第一電極と第二電極との間に電位差を生じさせるための電力供給手段と電気的連通する第一電極および第二電極とを備え、
前記溶融金属流は、第一電極と第二電極との間に電気回路を構成すべく第一電極と第二電極とに同時に接触している電気回路。
<<４８>>
第一電極と第二電極とを備える電気回路において、改良点が、溶融金属流を前記電極に通して、その間に電流が流れることを可能にすることを含む電気回路。
<<４９>>
プラズマを発生させるためのシステムであって、
（ａ）金属貯留槽から溶融金属を生成するように構成された溶融金属注入器システムと、
（ｂ）電流を誘導して前記溶融金属流に流すための電極システムと、
（ｃ）（ｉ）計量された量の水を溶融金属と接触させるように構成され、前記水の一部および前記溶融金属の一部が反応して、前記金属および水素ガスの酸化物を形成する水注入システム、 （ｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物、ならびに （ｉｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物の少なくとも１つと、
（ｄ）前記電流を供給するように構成された電源と、を備え、
前記金属流を介して電流が供給される時に前記プラズマが発生するシステム。
<<５０>>
上記<<２１>>に記載のシステムであって、
（ａ）前記プラズマの製造後に収集された金属を前記金属貯留槽に移送するように構成されたポンピングシステムと、
（ｂ）前記金属酸化物を収集し、前記金属酸化物を前記金属に変換するように構成された金属再生システムであり、陽極、陰極、電解質を含み、電気バイアスが前記陽極と前記陰極との間に供給されて前記金属酸化物を前記金属に変換する前記金属再生システムとを備え、
前記金属再生システムで再生された金属が前記ポンピングシステムに転送されるシステム。
<<５１>>
プラズマを生成するためのシステムであって、
（ａ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｂ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｃ）ガスからの発生期の水と原子状水素の形成を誘発するための再結合器セル（例えば、グロー放電セル）とを備え、ここで、再結合器の流出物は回路（例えば、溶融金属、アノード、カソード、溶融貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
前記回路に電流が流れると、前記再結合器セルの流出物が反応してプラズマを生成する、システム。
<<５２>>
上記<<５１>>に記載のシステムであって、前記プラズマから熱を発生させるために使用される、システム。
<<５３>>
上記<<５１>>に記載のシステムであって、前記プラズマから光を発生させるために使用される、システム。
<<５４>>
上記<<１>>～<<５０>>に記載のシステムであって、短い分離距離でノードを局所配置できることにより帯域の周波数が高周波になり得る、少なくとも１つの周波数帯域で電磁信号を送受信する複数の発電システム送信機・受信機ノードを含むメッシュネットワークを備え、該周波数は、約０．１ＧＨｚ～５００ＧＨｚ、１ＧＨｚ～２５０ＧＨｚ、１ＧＨｚ～１００ＧＨｚ、１ＧＨｚ～５０ＧＨｚ、および１ＧＨｚ～２５ＧＨｚの少なくとも１つの範囲にあり得る、システム。
<<５５>>
超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）またはＳＱＵＩＤタイプの電子要素であって、少なくとも１つのハイドリノ種Ｈ － （１／ｐ）およびＨ ２ （１／ｐ）（またはこれらの種に一致する分光学的特徴を有する種）および少なくとも１つの入力電流および入力電圧回路ならびに出力電流および電圧回路を備え、ハイドリノハイドライドイオンと分子ハイドリノの少なくとも１つの磁束結合状態の検知および変更の少なくとも１つを実行する、電子素子。
<<５６>>
上記<<５５>>に記載の電子素子であって、前記回路が、無線周波数ＲＬＣ回路を含む交流共振回路を含む、電子素子。
<<５７>>
上記<<５５>>に記載の電子素子であって、前記ＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子は、例えば、サンプル内に磁場を誘導するために、少なくとも１つの電磁放射源（例えば、マイクロ波、赤外線、可視、または紫外線放射の少なくとも１つの源）をさらに含む、電子素子。
<<５８>>
上記<<５７>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記放射線源は、レーザまたはマイクロ波発生器を含む、電子素子。
<<５９>>
上記<<５８>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記レーザ放射は、レンズまたは光ファイバーによって焦点を合わせて適用される、電子素子。
<<６０>>
上記<<５５>>～<<５９>>のいずれか一つに記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記ＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子は、水素化ハイドリノイオンおよび分子ハイドリノのうちの少なくとも１つに印加される磁場源をさらに含む、電子素子。
<<６１>>
上記<<６０>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記磁場が調整可能である、電子素子。
<<６２>>
上記<<６１>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、
放射源および磁場の少なくとも１つのそのような調整可能性は、電磁放射源と磁場との間の共鳴の選択的かつ制御的達成を可能にする、電子素子。
<<６３>>
上記<<５５>>～<<６２>>のいずれか一つに記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、コンピュータ論理ゲート、メモリ要素、ならびに、高温で動作する他の電子測定またはアクチュエータ装置、例えば磁気計、センサ、およびスイッチを備える、電子素子。
<<６４>>
超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）であって、超電導ループに電気的に接続された少なくとも２つのジョセフソン接合を備え、
前記ジョセフソン接合は、ＥＰＲに有効な水素種Ｈ ２ を含む、ＳＱＵＩＤ。
<<６５>>
上記<<６４>>に記載のＳＱＵＩＤであって、前記水素種は、ＭＯＯＨ：Ｈ ２ であり、ここで、Ｍは、金属（例えば、Ａｇ、Ｇａ）である、ＳＱＵＩＤ。
<<６６>>
方法であって、
（ａ）溶融金属に電気的にバイアスをかけることと、ならびに、
（ｂ）プラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）からの流出物を、バイアスされた溶融金属と相互作用させて、プラズマの形成を誘導させることを含む、方法。
<<６７>>
上記<<６６>>に記載の方法であって、前記プラズマ発生セルからの流出物は、動作中にプラズマ発生セルを通過する水素（Ｈ ２ ）および酸素（Ｏ ２ ）ガス混合物から生成される、方法。
<<６８>>
低温剤、ガス状熱伝達剤、および浮力剤であって、分子ハイドリノ（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）を含む、低温剤、ガス状熱伝達剤、および浮力剤。
<<６９>>
ＭＲＩガス造影剤であって、分子ハイドリノ（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）を含むＭＲＩガス造影剤。
<<７０>>
ハイドリノ分子ガスレーザであって、
分子ハイドリノガス（Ｈ ２ （１／ｐ）、ｐ＝２、３、４、５、・・・、１３７）（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）と、前記分子ハイドリノガスを含むレーザキ空洞と、前記分子ハイドリノガスの回転エネルギー準位の励起源と、レーザ光学系とを備える、ハイドリノ分子ガスレーザ。
<<７１>>
上記<<７０>>のレーザであって、前記レーザ光学系は、励起された回転状態の分子ハイドリノガスを含む前記空洞の端にミラーを含み、該ミラーの１つは、レーザ光が前記空洞から放出されることを可能にするために半透明である、レーザ。
<<７２>>
上記<<７０>>または<<７１>>に記載のレーザであって、前記励起源は、レーザ、フラッシュランプ、ガス放電システム（例えば、グロー、マイクロ波、無線周波数（ＲＦ）、誘導結合ＲＦ、容量的に結合されたＲＦ、または他のプラズマ放電システム）のうちの少なくとも１つを含む、レーザ。
<<７３>>
上記<<７０>>～<<７２>>のいずれか一つに記載のレーザであって、少なくとも１つの所望の分子ハイドリノ回転エネルギー準位を満たすべく、外部または内部の磁場源（例えば、電場または磁場源）をさらに含み、その準位は、所望のスピン軌道およびフラクソン結合エネルギーシフトのうちの少なくとも１つを含む、レーザ。
<<７４>>
上記<<７０>>～<<７３>>のいずれか一つに記載のレーザであって、レーザ遷移は、選択された回転状態の反転分布と、より少ないエネルギーの反転分布との間で発生する、レーザ。
<<７５>>
上記<<７０>>～<<７３>>のいずれか一つに記載のレーザであって、前記レーザ空洞、光学系、励起源、および外部場源が、所望の反転分布および誘導放出を所望のより少ない集団のより低いエネルギー状態に達成するように選択される、レーザ。
<<７６>>
上記<<７５>>に記載のレーザであって、固体レーザ媒体を含む、レーザ。
<<７７>>
上記<<７６>>に記載のレーザであって、前記固体レーザ媒体は、固体マトリックスに捕捉された分子ハイドリノを含み、ここで、前記ハイドリノ分子は自由回転子であってもよく、固体媒体が分子ハイドリノガスレーザのガス空洞に置き換わる、レーザ。
<<７８>>
上記<<７７>>に記載のレーザであって、前記固体レーザ媒体は、ＧａＯＯＨ：Ｈ ２ （１／４）、ＫＣｌ：Ｈ ２ （１／４）、および分子ハイドリノを捕捉したシリコン（例：Ｓｉ（結晶）：Ｈ ２ （１／４））（またはその分光学的特徴を持つ種）の少なくとも１つを含む、レーザ。
<<１>>
発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む、大気圧未満の圧力を維持することができる少なくとも１つの貯留槽と、
（ｂ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｃ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備える、発電システム。
<<２>>
上記<<１>>に記載の発電システムであって、
前記プラズマ発生セル内の前記ガスが水素（Ｈ ２ ）と酸素（Ｏ ２ ）との混合物を含む、発電システム。
<<３>>
上記<<２>>に記載の発電システムであって、水素に対する酸素の相対モル比が０．０１％～５０％（例えば、０．１％～２０％、０．１～１５％等）である、発電システム。
<<４>>
上記<<１>>～<<３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記金属がガリウムである、発電システム。
<<５>>
上記<<１>>～<<４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応生成物が、本明細書に記載されるような少なくとも１つの分光学的同定特徴（例えば、実施例１０に記載されるもの）を有する、発電システム。
<<６>>
上記<<１>>～<<４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第二プラズマは、反応セル内で形成され、前記反応セルの壁は、溶融金属との合金形成に対する耐性が増加したライナーを含み、さらに前記ライナーと前記反応セルの壁は、反応生成物（例えば、４１３０合金ステンレス鋼またはＣｒ－Ｍｏステンレス鋼などの３４７ステンレス鋼のようなステンレス鋼、ニッケル、Ｔｉ、ニオブ、バナジウム、鉄、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、ニオブ、およびＮｂ（９４．３３ｗｔ％）－Ｍｏ（４．８６ｗｔ％）－Ｚｒ（０．８１ｗｔ％））に対して高い透過性を有する、発電システム。
<<７>>
上記<<６>>に記載の発電システムであって、前記ライナーは、結晶性材料（例えば、ＳｉＣ、ＢＮ、石英）および／またはＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ、またはＷのうちの少なくとも１つなどの高融点金属で作られる、発電システム。
<<８>>
上記<<１>>～<<７>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第二プラズマは、反応セル内で形成され、前記壁反応セルチャンバは第一セクションおよび第二セクションを含み、
前記第一セクションが４１３０合金ステンレス鋼またはＣｒ－Ｍｏステンレス鋼などの３４７ステンレス鋼のようなステンレス鋼、ニッケル、Ｔｉ、ニオブ、バナジウム、鉄、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、ニオブ、およびＮｂ（９４．３３ｗｔ％）－Ｍｏ（４．８６ｗｔ％）－Ｚｒ（０．８１ｗｔ％）から構成され、
前記第二セクションが前記第一セクションの金属とは異なる高融点金属を含み、
前記異なる金属間の結合は、積層材料（例えば、ＢＮなどのセラミック）によって形成される、発電システム。
<<９>>
電気エネルギーおよび熱エネルギーの少なくとも一方を発生させる発電システムであって、
圧力を大気圧よりも低く維持できる少なくとも１つの貯留槽と、
プラズマを形成するのに十分なエネルギーを生成する反応を前記貯留槽内で受け取ることができる反応物であり、
（ａ）水素ガスと酸素ガスとの混合物、および／または
水蒸気、および／または
水素ガスと水蒸気との混合物、ならびに
（ｂ）溶融金属を含む、前記反応物と、
前記貯留槽への少なくとも１つの反応物の流量を制御するための質量流量制御器と、
１つ以上の反応物が前記貯留槽に流入しているときに前記貯留槽内の圧力を大気圧より低く維持するための真空ポンプと、
前記溶融金属の一部を含む少なくとも１つの貯留槽、該貯留槽内にかつ注入器管を介して前記溶融金属を供給して溶融金属流を提供するように構成される溶融金属ポンプシステム（例えば、１台以上の電磁ポンプ）、および前記溶融金属流を受け取るための少なくとも非注入器溶融金属貯留槽と、を備える溶融金属注入器システムと、
水素ガスおよび／または酸素ガスおよび／または水蒸気が前記貯留槽に流入するときに電力を前記溶融金属の少なくとも１つの流れに電力を供給するための、電力または点火電流の供給源を含む少なくとも１つの点火システムと、
前記反応で消費される反応物を補充する反応物供給システムと、
前記反応により生じたエネルギー（例えば、前記プラズマからの光、プラズマジェット、および／または熱出力）の一部を電力および／または熱出力へ変換する電力変換器または出力システムと、を備える、発電システム。
<<１０>>
上記<<９>>に記載の発電システムであって、水素ガスおよび酸素ガスおよび／または水分子を混合するための気体混合器と水素および酸素の再結合器および／または水素解離器とをさらに備える、発電システム。
<<１１>>
上記<<１０>>に記載の発電システムであって、前記水素および酸素の再結合器は、プラズマセルを含む、発電システム。
<<１２>>
上記<<１１>>に記載の発電システムであって、前記プラズマセルは、中心正極と接地された管状体対極を含み、電圧（例えば、５０Ｖ～１０００Ｖの範囲の電圧）が電極間に印加されて、水（Ｈ ２ ）と酸素（Ｏ ２ ）とのガス混合物からのプラズマの形成を誘導する、発電システム。
<<１３>>
上記<<１０>>に記載の発電システムであって、前記水素および酸素の再結合器は、内側支持材料によって支持される再結合器触媒金属を含む、発電システム。
<<１４>>
上記<<１>>または<<１１>>～<<１３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記第一プラズマを生成するためにプラズマ発生セルに供給される前記ガス混合物は、プラズマセル（例えば、グロー放電セル）を通って流れて第二プラズマを生成するのに十分な発熱性で反応を受けることができる反応混合物を生成する非定比のＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物（例えば、１／３モル％Ｏ ２ あるいは混合物のモル百分率で０．０１％～３０％、または０．１％～２０％、または１０％未満、または５％未満、または３％未満のＯ ２ を有するＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物）を含む、発電システム。
<<１５>>
上記<<１４>>の発電システムであって、前記非定比のＨ ２ ／Ｏ ２ 混合物は、グロー放電を通過して、原子状水素と新生Ｈ ２ Ｏの流出物（例えば、水素結合の形成を防ぐのに十分な濃度で内部エネルギーを有する水を含む混合物）を生成し、
前記グロー放電流出物は反応チャンバに導かれ、そこで点火電流が２つの電極間に（例えば、それらの間を通過する溶融金属によって）供給され、
前記流出物がバイアスされた溶融金属（例えば、ガリウム）と相互作用すると、例えば、アーク電流の形成時に、発生期の水と原子状水素との間の反応が誘発される、発電システム。
<<１６>>
上記<<１５>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバおよび貯留槽の少なくとも１つは、溶融金属との合金の形成に耐性のある少なくとも１つの耐火性材料ライナーを含む、発電システム。
<<１７>>
上記<<１６>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバの内壁は、セラミックコーティング、Ｗ、Ｎｂ、またはＭｏライナーで裏打ちされ、Ｗプレートで裏打ちされたカーボンライナーを含む、発電システム。
<<１８>>
上記<<９>>、<<１６>>、または<<１７>>に記載の発電システムであって、前記貯留槽はカーボンライナーを含み、前記カーボンはそこに含まれる溶融金属によって覆われている、発電システム。
<<１９>>
上記<<１５>>～<<１８>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、反応チャンバ壁は、反応生成物ガスに対して高い透過性を有する材料を含む、発電システム。
<<２０>>
上記<<１６>>に記載の発電システムであって、前記反応チャンバ壁は、ステンレス鋼（例えば、Ｍｏ－Ｃｒステンレス鋼）、ニオブ、モリブデン、またはタングステンのうちの少なくとも１つを含む、発電システム。
<<２１>>
発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む大気圧以下の圧力を維持することができる容器と、
（ｂ）各対がそれらの間の溶融金属流が回路を完成することを可能にするように構成された電極を含む、複数の電極対と、
（ｃ）前記回路が閉じているときにそれらの間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備え、
反応生成物（例えば、中間体、最終生成物）の少なくとも１つは、本明細書に記載されるように、少なくとも１つの分光学的同定特徴を有する（例えば、実施例１０に示すように）、発電システム。
<<２２>>
上記<<１>>～<<２１>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、不活性ガス
（例えば、アルゴン）が前記貯留槽に注入される、発電システム。
<<２３>>
上記<<９>>～<<２２>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記貯留槽に水を注入する（例えば、水素結合された、あるいは非新生水蒸気であるような、水蒸気含有プラズマをもたらす）ように構成された水マイクロ注入器をさらに含む、発電システム。
<<２４>>
上記<<９>>～<<２３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、溶融金属注入システムには溶融金属貯留槽および非注入溶融金属貯留槽内に電極がさらに含まれ、かつ前記点火システムには前記注入器および非注入器貯留槽電極に逆電圧を供給する電力または点火電流の供給源が含まれ、前記電力の供給源が溶融金属流に電流および電力潮流を供給して、前記反応物の反応により前記貯留槽内にプラズマを形成する電力の供給源をさらに備える、発電システム。
<<２５>>
上記<<９>>～<<２４>>に記載の発電システムであって、
前記溶融金属ポンプシステムは１基以上の電磁ポンプであり、電磁ポンプの各々が、
（ａ）電極を介して溶融金属に供給される直流または交流電流源と一定または同相の交流ベクトル交差磁場源とを含む直流または交流伝導型、あるいは、
（ｂ）金属に交流電流を誘導する溶融金属の短絡ループを通る交流磁場源と同相ベクトル交差交流磁場とを含む誘導型の１つを備える、発電システム。
<<２６>>
上記<<２５>>に記載の発電システムであって、一定または同相の交流ベクトル交差磁場源は、少なくとも永久磁石または電磁石である、発電システム。
<<２７>>
上記<<９>>～<<２６>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属ポンプシステム（または前記溶融金属の電磁ポンプ）は、ガリウム合金形成に耐性のある材料を含むまたは該材料で裏打ちされているポンプ管を含む、発電システム。
<<２８>>
上記<<２７>>に記載の発電システムであって、前記材料または裏打ちは、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、ＢＮ、カーボン、石英、ＳｉＣ、または別のセラミックを含む、発電システム。
<<２９>>
上記<<１>>に記載の発電システムであって、前記注入器貯留槽がその中の溶融金属と接触する電極を備え、かつ前記非注入器貯留槽が前記注入器システムによって提供される溶融金属と接触する電極を備える、発電システム。
<<３０>>
上記<<９>>～<<２９>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属流からの溶融金属が前記貯留槽に回収され得るように、かつ前記溶融金属流が非注入器貯留槽電極と電気的に接触するように、前記非注入器貯留槽は、前記注入器の上に（例えば、垂直に）配置され、かつ非注入器貯留槽に向けられた溶融流を発生させるように構成され、さらに、前記溶融金属が前記非注入器貯留槽電極上に溜まる、発電システム。
<<３１>>
上記<<９>>～<<３０>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、（例えば、動作中に）前記溶融金属が水と反応して原子状水素を形成する、発電システム。
<<３２>>
上記<<１>>～<<３１>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属がガリウムであり、前記発電システムがさらに、酸化ガリウム（例えば、前記反応で生成された酸化ガリウム）からガリウムを再生するためのガリウム再生システムを備える、発電システム。
<<３３>>
上記<<１>>～<<３２>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応チャンバ圧力は、前記真空ポンプによって２５トル未満に保たれている、発電システム。
<<３４>>
上記<<１>>～<<３３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、溶融金属蒸気および金属酸化物粒子および蒸気を凝縮し、それらを前記反応セルチャンバに戻すための凝縮器をさらに備える、発電システム。
<<３５>>
上記<<３４>>に記載の発電システムであって、真空ラインをさらに含み、前記凝縮器は、前記反応セルチャンバから真空ポンプまでの、前記反応セルチャンバに対して垂直な前記真空ラインの部分を含むとともに、前記反応セルチャンバ内の真空圧を真空ポンプが維持できるようにしながら、前記溶融金属蒸気および金属酸化物粒子および蒸気を凝縮し、それらを前記反応セルチャンバに戻す不活性かつ高表面積の充填材料を含む、発電システム。
<<３６>>
上記<<１>>～<<３５>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記貯留槽が、前記貯留槽の内部から光起電力変換器に光を送信するための光透過性光起電力（ＰＶ）窓部と、少なくとも１つの貯留槽形状と、回転窓部を含む少なくとも１つのバッフルとを備える、発電システム。
<<３７>>
上記<<３６>>に記載の発電システムであって、前記正の点火電極（例えば、上部の点火電極、他の電極よりも上方に配置された電極）は、（例えば、負の点火電極と比較して）窓部に近く、正電極は、光起電力を介して、光起電力変換器に黒体放射を放出する、発電システム。
<<３８>>
上記<<１>>～<<３７>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記電力変換器または前記出力システムは、前記貯留槽に接続されたノズル、電磁流体チャネル、電極、磁石、金属収集システム、金属再循環システム、熱交換器、および任意選択としてガス再循環システムを備える、発電システム。
<<３９>>
上記<<９>>～<<３８>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記溶融金属ポンプシステムは、第一段階の電磁ポンプと第二段階の電磁ポンプとを備え、前記第一段階は金属再循環システムのポンプを含み、かつ前記第二段階は前記金属注入器システムのポンプを含む、発電システム。
<<４０>>
上記<<１>>～<<３９>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、（ｉ）プレート、（ｉｉ）シェル内ブロック、（ｉｉｉ）ＳｉＣ環状溝、（ｉｖ）ＳｉＣポリブロック、および（ｖ）シェル／チューブ熱交換器のうちの１つを含む熱交換器をさらに備える、発電システム。
<<４１>>
上記<<４０>>に記載の発電システムであって、前記シェル／チューブ熱交換器は、導管、マニホールド、ディストリビュータ、熱交換器入口ライン、熱交換器出口ライン、シェル、外部冷却剤入口、外部冷却剤出口、バッフル、高温の溶融金属を貯留槽から熱交換器に再循環させ、低温の 溶融金属を貯留槽に戻すための少なくとも１つのポンプ、ならびに１台以上の水ポンプおよび水冷却剤あるいは１台以上のブロワーと、前記外部冷却剤と前記シェルを通して冷たい冷却剤を流すための空気冷却剤を備え、前記冷却剤は、導管からの熱伝達によって加熱され、前記外部冷却剤出口を出る、発電システム。
<<４２>>
上記<<４１>>に記載の発電システムであって、前記シェル／チューブ熱交換器は、導管、マニホールド、分配器、熱交換器入口ライン、および熱交換器出口ラインを備え、該ラインは、導管、マニホールド、ディストリビュータ、熱交換器入口ライン、熱交換器出口ライン、シェル、外部冷却剤入口、外部冷却剤出口、およびステンレス鋼を含むバッフルとは独立して裏打ちおよび拡張するカーボンを含む、発電システム。
<<４３>>
上記<<４１>>または<<４２>>に記載の発電システムであって、前記熱交換器の外部冷却剤は空気を含み、マイクロタービンコンプレッサまたはマイクロタービンレキュペレータからの空気は、前記外部冷却剤入口と前記シェルに冷気を送り込むもので、該冷却剤は、前記導管からの熱伝達によって加熱され、前記外部冷却剤出口を出て、前記外部冷却剤出口から出力された高温の冷却剤はマイクロタービンに流れ込み、熱出力を電気に変換する、発電システム。
<<４４>>
上記<<１>>～<<４３>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応は、
（ａ）電子常磁性共鳴（ＥＰＲ）分光信号を発生する不対電子を含む分子状水素生成物Ｈ ２ （例：Ｈ ２ （１／ｐ）（ｐは１より大きく１３７以下の整数）と、
（ｂ）対応する電子スピン軌道相互作用量子数の関数であるスピン軌道相互作用エネルギーによって分裂するスペクトル線を有する一連のピークの対に任意に分裂する、２．００４６３８６のｇ因子を有する主ピークを含むＥＰＲスペクトルを有し、
（ｉ）不対電子の磁気モーメントがＨ ２ （１／４）の反磁性磁化率に基づいて、Ｈ ２ （１／４）分子軌道の対電子に反磁性モーメントを誘導し、
（ｉｉ）固有の対・不対電流相互作用の対応する磁気モーメントおよび核間軸の周りの相対的な回転運動に起因する磁気モーメントがスピン軌道相互作用エネルギーを生じさせ、
（ｉｉｉ）各スピン軌道分裂ピークが、遷移に関与する角運動量成分の個数に対応する電子フラクソン量子数の関数である整数フラクソンエネルギーに一致する一連の等間隔のピークに、さらに微細分裂し、ならびに、
（ｉｖ）さらに、スピンスピン軌道分裂が、分子軌道による磁束結合の蓄積に伴って増加した磁気エネルギーに起因する一連のピークの対の低磁場側のスピン軌道相互作用量子数とともに増加する、分子状水素生成物Ｈ ２ （例えば、Ｈ ２ （１／４））と、
（ｃ）９．８２０２９５ＧＨｚのＥＰＲ周波数について、 （ｉ）Ｈ ２ （１／４）の磁気エネルギーとスピン軌道相互作用エネルギーとによる複合シフトによる低磁場側のピーク位置 Ｂ Ｓ／Ｏｃｏｍｂｉｎｅｄ ｄｏｕｎｆｉｅｌｄ が、 Ｂ Ｓ／Ｏｃｏｍｂｉｎｅｄ ｄｏｗｎｆｉｅｌｄ ＝ ［０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ －（０．５）（（２πｍ３．９９４２７×１０ －４ ） ２ ／０．１７５０）］Ｔ であり、 （ｉｉ）量子化されたスピン軌道分裂エネルギーＥ ｓ／ｏ と電子スピン軌道相互作用量子数ｍ＝０．５、１、２、３、５．．．を持つ高磁場ピーク位置 Ｂ Ｓ／Ｏ ｕｐｆｉｅｌｄ が、 Ｂ Ｓ／Ｏ ｕｐｆｉｅｌｄ ＝ ０．３５００１［１＋ｍ［（７．４２６×１０ －２７ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］Ｔ ＝ （０．３５００１＋ｍ３．９９４２７×１０ －４ ）Ｔ であり、ならびに／または （ｉｉｉ）各スピン軌道ピーク位置での整数系列のピークの分離ΔＢ Φ が、電子フラクソン量子数ｍ φ ＝1、2、3について ΔＢ φ ｄｏｗｎｆｉｅｌｄ ＝ ［０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ －（０．５）（（２πｍ３．９９４２７×１０ －４ ） ２ ／０．１７５０）］［（ｍ φ ５．７８３０×１０ －２８ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］×１０ ４ Ｇ および ΔＢ φ ｕｐｆｉｅｌｄ ＝ （０．３５００１－ｍ３．９９４２７×１０ －４ ）［（ｍ φ ５．７８３０×１０ －２８ Ｊ）／ｈ９．８２０２９５ＧＨｚ］×１０ ４ Ｇ であること、
（ｄ）水素化物イオンＨ － （たとえば、Ｈ － （１／ｐ））が、４００～４１０ｎｍの範囲の高分解能可視分光法によりＨ － （１／２）で観測されるｈ／２ｅの量子化単位での磁束結合を示す共通の原子軌道にある対電子および不対電子を含むこと、
（ｅ）ｈ／２ｅの量子化単位での磁束結合が、Ｈ ２ （１／４）の回転エネルギー準位がラマン分光法中のレーザ照射および電子ビームからの高エネルギー電子とＨ ２ （１／４）との衝突によって励起されたときに観測されること、
（ｆ）不対電子のスピン磁気モーメントと分子回転による軌道磁気モーメントとの間のスピン軌道相互作用のラマンスペクトル遷移を有する分子ハイドリノ（例えば、Ｈ ２ （１／ｐ））であり、 （ｉ）回転遷移のエネルギーが、対応する電子スピン軌道相互作用量子数の関数としてこれらのスピン軌道相互作用エネルギーによってシフトされ、 （ｉｉ）スピン軌道エネルギーによってシフトされた分子回転スペクトルピークは、フラクソン結合エネルギーによってさらにシフトされ、各エネルギーは、回転遷移に関与する角運動量成分の個数に依存する電子フラクソン量子数に対応し、 （ｉｉｉ）観測されたラマンスペクトルピークの微細分裂またはシフトは、回転遷移が発生している間のスピンと分子の回転磁気モーメントとの間のスピン軌道相互作用中の磁束量子ｈ／２ｅの単位での磁束結合によるものである、分子ハイドリノと、
（ｇ）（ｉ）スピン軌道相互作用およびフラクソン相互作用（ｆｌｕｘｏｎ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）による純Ｈ ２ （１／４）Ｊ＝９からＪ＝０の回転遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １１７０１ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ ３１ｃｍ －１ 、 （ｉｉ）Ｊ＝０からＪ＝１へのスピン回転遷移を伴うＪ＝０からＪ’＝２，３への回転遷移を含む協同遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ ７８０１ｃｍ －１ （１３，６５２ｃｍ －１ ）＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ３／２ ４６ｃｍ －１ 、（ｉｉｉ）最終回転量子数Ｊ’ｐ＝２およびＪ’ｃ＝１への二重遷移：
（ｈ）Ｈ ２ （１／４）ＵＶラマンピーク（例えば、１２，２５０～１５，０００ｃｍ －１ の領域で観測された反応プラズマにさらされた錯体ＧａＯＯＨ：Ｈ ２ （１／４）：Ｈ ２ ＯおよびＮｉ箔に記録されたものであり、ここで、スペクトル線は、スピン軌道相互作用とフラクソン結合分裂を伴う協同した純回転遷移ΔＪ＝３およびΔＪ＝１スピン遷移と一致： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→３ ＋ΔＥ Ｊ＝０→ｉ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １３，６５２ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ ３１ｃｍ －１ ）；
（ｉ）Ｈ ２ （１／４）の回転エネルギーに対して３／４倍シフトされたＨＤ（１／４）ラマンスペクトルの回転エネルギー；
（ｊ）ＨＤ（１／４）ラマンスペクトルの回転エネルギーは、 （ｉ）スピン軌道相互作用およびフラクソン相互作用による純ＨＤ（１／４）Ｊ＝９からＪ’＝３，４への回転遷移：
E Raman
= ΔE J=0→J’ +E S/O,rot +E φ,rot = 8776cm -1 (14,627cm -1 )+m528cm -1 +m φ 31cm -1
、 （ｉｉ）Ｊ＝０からＪ＝１のへのスピン回転遷移を伴うＪ＝０からＪ’＝３への回転遷移と、含む協同遷移： Ｅ Ｒａｍａｎ ＝ ΔＥ Ｊ＝０→Ｊ’ ＋Ｅ Ｓ／Ｏ，ｒｏｔ ＋Ｅ φ，ｒｏｔ ＝ １０，２３９ｃｍ －１ ＋ｍ５２８ｃｍ －１ ＋ｍ φ３／２ ４６ｃｍ －１ または、 （ｉｉｉ）最終回転量子数Ｊ’ ｐ ＝３；Ｊ’ ｃ ＝１への二重遷移：
（ｋ）電子ビームの高エネルギー電子で照射されたＨ ２ （１／４）－希ガス混合物が、８．２５ｅＶでカットオフのある紫外線（１５０～１８０ｎｍ）領域で等しい０．２５ｅＶ間隔の線放出を示し、Ｈ ２ （１／４）ν＝１からν＝０への振動遷移とＨ ２ （１／４）Ｐ分岐に対応する一連の回転遷移を一致させ、ここで、 （ｉ）スペクトルフィットは、 ４ ２ ０．５１５ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． に対して良好に一致し、ここで、０．５１５ｅＶと０．０１５０９ｅＶは、それぞれ通常の水素分子の振動エネルギーと回転エネルギーであり、 （ｉｉ）ラマン分光法でも観測される回転スピン軌道分裂エネルギーに一致する小さな随伴線が観測され、 （ｉｉｉ）回転スピン軌道分割エネルギー分離はｍ５２８ｃｍ －１ ｍ＝１，１．５に一致し、ここで、１．５はｍ＝０．５およびｍ＝１分裂を伴うものであること、
（ｌ）ν＝１からν＝０への振動遷移を伴うＨ ２ （１／４）Ｐ分岐回転遷移のスペクトル発光は、ＫＣｌ結晶マトリックスに捕捉されたＨ ２ （１／４）の電子ビーム励起によって観測され、ここで、 （ｉ）回転ピークが自由回転子の回転ピークと一致し、 （ｉｉ）Ｈ ２ （１／４）の振動とＫＣｌマトリックスとの相互作用による有効質量の増加により、振動エネルギーがシフトし、 （ｉｉｉ）スペクトル当てはめは、０．２５ｅＶの間隔で配置されたピークを含む ５．８ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． に対して良好に一致し、 （ｉｖ）Ｈ ２ （１／４）振動エネルギーシフトの相対的な大きさは、通常のＨ ２ がＫＣｌに捕捉されることによって引き起こされる回転振動スペクトルへの相対的な影響と一致すること、
（ｍ）ＨｅＣｄエネルギーレーザを使用したラマンスペクトルは、８０００ｃｍ －１ から１８，０００ｃｍ －１ の領域に配置された一連の１０００ｃｍ －１ （０．１２３４ｅＶ）の等エネルギーを示し、ここで、ラマンスペクトルを蛍光またはフォトルミネッセンススペクトルに変換すると、 ５．８ｅＶ－４ ２ （Ｊ＋１）０．０１５０９；Ｊ＝０，１，２，３．．． によって与えられたＫＣｌマトリックス内のＨ ２ （１／４）の電子ビーム励起発光スペクトルに対応し、０．２５ｅＶのν＝１からν＝０への振動遷移を含むマトリックスを含むＨ ２ （１／４）の２次回転振動スペクトルエネルギー間隔の回転遷移ピークとの一致が明らかになること、
（ｎ）Ｈ ２ （１／４）の赤外線回転遷移が、４４００ｃｍ －１ より高いエネルギー領域で観測され、ここで、固有の磁場に加えて磁場を追加的に印加すると強度が増加し、スピン軌道遷移と結合する回転遷移も観測されること、
（ｏ）４９６ｅＶの総エネルギーに対応するコンプトン効果によるＨ ２ （１／４）の許容される二重イオン化は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって観測されること、
（ｐ）Ｈ ２ （１／４）は、ガスクロマトグラフィーで観測され、水素およびヘリウムが最も速い既知の移動速度とそれに対応する最も短い保持時間を有することを考慮すると、既知のガスよりも速い移動速度を示すこと、
（ｑ）極紫外線（ＥＵＶ）分光法は、１０．１ｎｍのカットオフで極紫外線連続放射を（例えば、発生期のＨＯＨ触媒によって触媒されるＨからＨ（１／４）へのハイドリノ反応遷移に対応するものとして）記録すること、
（ｒ）陽子マジック角回転核磁気共鳴分光法（ １ Ｈ ＭＡＳ ＮＭＲ）は、－４ｐｐｍ～－５ｐｐｍ領域の高磁場側マトリックス－水のピークを記録すること、
（ｓ）複数の水素生成物分子の磁気モーメントが協同して相互作用する場合、常磁性、超常磁性、さらには強磁性などのバルク磁性であり、ここで、超常磁性は、（例えば、反応生成物を含む化合物の磁化率を測定するために振動試料型磁力計を使用して観測されるもの）であること、
（ｔ）Ｍ＋２多量体単位（例えば、Ｋ ＋ ［Ｈ ２ ：Ｋ ２ ＣＯ ３ ］ ｎ およびＫ ＋ ［Ｈ ２ ：ＫＯＨ］ ｎ 、ｎは整数）ならびに水素化物イオンの安定性による強いピークの独自の観測により、反応生成物（例えば、Ｈ ２ （１／４）ガス）の錯化を示す反応生成物から、オキシアニオンを含む無機化合物までの分子ガス源にさらされたＫ ２ ＣＯ ３ とＫＯＨで記録された飛行時間型二次イオン質量分析（ＴｏＦ－ＳＩＭＳ）およびエレクトロスプレー飛行時間型二次イオン質量分析（ＥＳＩ－ＴｏＦ）と、
（ｕ）無機イオンにフラグメント化する有機分子マトリックスカラムのクロマトグラフィーピークによって証明されるように、有機分子のように振る舞う分子水素核からなる反応生成物と、
の１つ以上として特徴付けられる水素生成物を生成する、発電システム。
<<４５>>
上記<<１>>～<<４４>>のいずれか一つに記載の発電システムであって、前記反応は、
（ｉ）Ｈ原子と新生ＨＯＨまたはＨ系触媒、例えばアルゴン－Ｈ ２ 、Ｈ ２ 、およびＨ ２ Ｏ蒸気プラズマとを含むプラズマ中の１００ｅＶを超えるＨバルマー線の異常なドップラー線の広がり、 （ｉｉ）Ｈ励起状態線反転、 （ｉｉｉ）異常なＨプラズマ残光持続時間、 （ｉｖ）衝撃波の伝播速度と、衝撃波への電力結合の約１％だけである火薬の約１０倍に相当するそれに対応する圧力、 （ｖ）１０μＬの水和銀ショットからの最大２０ＭＷの光パワー、ならびに、 ３４０，０００Ｗの電力レベルで検証されたＳｕｎＣｅｌｌ発電システムの熱量測定の１つ以上して特徴付けられるエネルギー的同定特徴を生成する、
発電システム。
<<４６>>
電極システムであって、
（ａ）第一電極および第二電極と、
（ｂ）前記第一電極および前記第二電極と電気的に接触している溶融金属（例えば、溶融銀、溶融ガリウム等）の流れと、
（ｃ）前記溶融金属を貯留槽から引き出し、導管（例えば、チューブ）を通して輸送して、前記導管を出る前記溶融金属流を発生させるポンプを含む循環システムと、
（ｄ）前記第一電極と前記第二電極との間に電位差を与えるように構成された電源とを備え、
前記溶融金属流が、前記第一電極と前記第二電極とに同時に接触して、前記電極間に電流を発生させる電極システム。
<<４７>>
電気回路であって、
（ａ）溶融金属を生成するための加熱手段と、
（ｂ）前記溶融金属を貯留槽から導管を介して輸送し、前記導管から出る前記溶融金属流を発生させるためのポンピング手段と、
（ｃ）第一電極と第二電極との間に電位差を生じさせるための電力供給手段と電気的連通する第一電極および第二電極とを備え、
前記溶融金属流は、第一電極と第二電極との間に電気回路を構成すべく第一電極と第二電極とに同時に接触している電気回路。
<<４８>>
第一電極と第二電極とを備える電気回路において、改良点が、溶融金属流を前記電極に通して、その間に電流が流れることを可能にすることを含む電気回路。
<<４９>>
プラズマを発生させるためのシステムであって、
（ａ）金属貯留槽から溶融金属を生成するように構成された溶融金属注入器システムと、
（ｂ）電流を誘導して前記溶融金属流に流すための電極システムと、
（ｃ）（ｉ）計量された量の水を溶融金属と接触させるように構成され、前記水の一部および前記溶融金属の一部が反応して、前記金属および水素ガスの酸化物を形成する水注入システム、 （ｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物、ならびに （ｉｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物の少なくとも１つと、
（ｄ）前記電流を供給するように構成された電源と、を備え、
前記金属流を介して電流が供給される時に前記プラズマが発生するシステム。
<<５０>>
上記<<２１>>に記載のシステムであって、
（ａ）前記プラズマの製造後に収集された金属を前記金属貯留槽に移送するように構成されたポンピングシステムと、
（ｂ）前記金属酸化物を収集し、前記金属酸化物を前記金属に変換するように構成された金属再生システムであり、陽極、陰極、電解質を含み、電気バイアスが前記陽極と前記陰極との間に供給されて前記金属酸化物を前記金属に変換する前記金属再生システムとを備え、
前記金属再生システムで再生された金属が前記ポンピングシステムに転送されるシステム。
<<５１>>
プラズマを生成するためのシステムであって、
（ａ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｂ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｃ）ガスからの発生期の水と原子状水素の形成を誘発するための再結合器セル（例えば、グロー放電セル）とを備え、ここで、再結合器の流出物は回路（例えば、溶融金属、アノード、カソード、溶融貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
前記回路に電流が流れると、前記再結合器セルの流出物が反応してプラズマを生成する、システム。
<<５２>>
上記<<５１>>に記載のシステムであって、前記プラズマから熱を発生させるために使用される、システム。
<<５３>>
上記<<５１>>に記載のシステムであって、前記プラズマから光を発生させるために使用される、システム。
<<５４>>
上記<<１>>～<<５０>>に記載のシステムであって、短い分離距離でノードを局所配置できることにより帯域の周波数が高周波になり得る、少なくとも１つの周波数帯域で電磁信号を送受信する複数の発電システム送信機・受信機ノードを含むメッシュネットワークを備え、該周波数は、約０．１ＧＨｚ～５００ＧＨｚ、１ＧＨｚ～２５０ＧＨｚ、１ＧＨｚ～１００ＧＨｚ、１ＧＨｚ～５０ＧＨｚ、および１ＧＨｚ～２５ＧＨｚの少なくとも１つの範囲にあり得る、システム。
<<５５>>
超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）またはＳＱＵＩＤタイプの電子要素であって、少なくとも１つのハイドリノ種Ｈ － （１／ｐ）およびＨ ２ （１／ｐ）（またはこれらの種に一致する分光学的特徴を有する種）および少なくとも１つの入力電流および入力電圧回路ならびに出力電流および電圧回路を備え、ハイドリノハイドライドイオンと分子ハイドリノの少なくとも１つの磁束結合状態の検知および変更の少なくとも１つを実行する、電子素子。
<<５６>>
上記<<５５>>に記載の電子素子であって、前記回路が、無線周波数ＲＬＣ回路を含む交流共振回路を含む、電子素子。
<<５７>>
上記<<５５>>に記載の電子素子であって、前記ＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子は、例えば、サンプル内に磁場を誘導するために、少なくとも１つの電磁放射源（例えば、マイクロ波、赤外線、可視、または紫外線放射の少なくとも１つの源）をさらに含む、電子素子。
<<５８>>
上記<<５７>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記放射線源は、レーザまたはマイクロ波発生器を含む、電子素子。
<<５９>>
上記<<５８>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記レーザ放射は、レンズまたは光ファイバーによって焦点を合わせて適用される、電子素子。
<<６０>>
上記<<５５>>～<<５９>>のいずれか一つに記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記ＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子は、水素化ハイドリノイオンおよび分子ハイドリノのうちの少なくとも１つに印加される磁場源をさらに含む、電子素子。
<<６１>>
上記<<６０>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、前記磁場が調整可能である、電子素子。
<<６２>>
上記<<６１>>に記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、
放射源および磁場の少なくとも１つのそのような調整可能性は、電磁放射源と磁場との間の共鳴の選択的かつ制御的達成を可能にする、電子素子。
<<６３>>
上記<<５５>>～<<６２>>のいずれか一つに記載のＳＱＵＩＤまたはＳＱＵＩＤタイプの電子素子であって、コンピュータ論理ゲート、メモリ要素、ならびに、高温で動作する他の電子測定またはアクチュエータ装置、例えば磁気計、センサ、およびスイッチを備える、電子素子。
<<６４>>
超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）であって、超電導ループに電気的に接続された少なくとも２つのジョセフソン接合を備え、
前記ジョセフソン接合は、ＥＰＲに有効な水素種Ｈ ２ を含む、ＳＱＵＩＤ。
<<６５>>
上記<<６４>>に記載のＳＱＵＩＤであって、前記水素種は、ＭＯＯＨ：Ｈ ２ であり、ここで、Ｍは、金属（例えば、Ａｇ、Ｇａ）である、ＳＱＵＩＤ。
<<６６>>
方法であって、
（ａ）溶融金属に電気的にバイアスをかけることと、ならびに、
（ｂ）プラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）からの流出物を、バイアスされた溶融金属と相互作用させて、プラズマの形成を誘導させることを含む、方法。
<<６７>>
上記<<６６>>に記載の方法であって、前記プラズマ発生セルからの流出物は、動作中にプラズマ発生セルを通過する水素（Ｈ ２ ）および酸素（Ｏ ２ ）ガス混合物から生成される、方法。
<<６８>>
低温剤、ガス状熱伝達剤、および浮力剤であって、分子ハイドリノ（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）を含む、低温剤、ガス状熱伝達剤、および浮力剤。
<<６９>>
ＭＲＩガス造影剤であって、分子ハイドリノ（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）を含むＭＲＩガス造影剤。
<<７０>>
ハイドリノ分子ガスレーザであって、
分子ハイドリノガス（Ｈ ２ （１／ｐ）、ｐ＝２、３、４、５、・・・、１３７）（例えば、分子ハイドリノと一致する分光学的同定特徴を有する化学種）と、前記分子ハイドリノガスを含むレーザキ空洞と、前記分子ハイドリノガスの回転エネルギー準位の励起源と、レーザ光学系とを備える、ハイドリノ分子ガスレーザ。
<<７１>>
上記<<７０>>のレーザであって、前記レーザ光学系は、励起された回転状態の分子ハイドリノガスを含む前記空洞の端にミラーを含み、該ミラーの１つは、レーザ光が前記空洞から放出されることを可能にするために半透明である、レーザ。
<<７２>>
上記<<７０>>または<<７１>>に記載のレーザであって、前記励起源は、レーザ、フラッシュランプ、ガス放電システム（例えば、グロー、マイクロ波、無線周波数（ＲＦ）、誘導結合ＲＦ、容量的に結合されたＲＦ、または他のプラズマ放電システム）のうちの少なくとも１つを含む、レーザ。
<<７３>>
上記<<７０>>～<<７２>>のいずれか一つに記載のレーザであって、少なくとも１つの所望の分子ハイドリノ回転エネルギー準位を満たすべく、外部または内部の磁場源（例えば、電場または磁場源）をさらに含み、その準位は、所望のスピン軌道およびフラクソン結合エネルギーシフトのうちの少なくとも１つを含む、レーザ。
<<７４>>
上記<<７０>>～<<７３>>のいずれか一つに記載のレーザであって、レーザ遷移は、選択された回転状態の反転分布と、より少ないエネルギーの反転分布との間で発生する、レーザ。
<<７５>>
上記<<７０>>～<<７３>>のいずれか一つに記載のレーザであって、前記レーザ空洞、光学系、励起源、および外部場源が、所望の反転分布および誘導放出を所望のより少ない集団のより低いエネルギー状態に達成するように選択される、レーザ。
<<７６>>
上記<<７５>>に記載のレーザであって、固体レーザ媒体を含む、レーザ。
<<７７>>
上記<<７６>>に記載のレーザであって、前記固体レーザ媒体は、固体マトリックスに捕捉された分子ハイドリノを含み、ここで、前記ハイドリノ分子は自由回転子であってもよく、固体媒体が分子ハイドリノガスレーザのガス空洞に置き換わる、レーザ。
<<７８>>
上記<<７７>>に記載のレーザであって、前記固体レーザ媒体は、ＧａＯＯＨ：Ｈ ２ （１／４）、ＫＣｌ：Ｈ ２ （１／４）、および分子ハイドリノを捕捉したシリコン（例：Ｓｉ（結晶）：Ｈ ２ （１／４））（またはその分光学的特徴を持つ種）の少なくとも１つを含む、レーザ。
Claims (23)
- 発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む、大気圧未満の圧力を維持することができる少なくとも１つの貯留槽と、
（ｂ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｃ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備える、発電システム。 - 請求項１に記載の発電システムであって、
前記プラズマ発生セル内の前記ガスが水素（Ｈ２）と酸素（Ｏ２）との混合物を含む、発電システム。 - 請求項１又は２に記載の発電システムであって、前記金属がガリウムである、発電システム。
- 請求項１～３のいずれか一項に記載の発電システムであって、前記第二プラズマは、反応セル内で形成され、前記壁反応セルチャンバは第一セクションおよび第二セクションを含み、
前記第一セクションが４１３０合金ステンレス鋼またはＣｒ－Ｍｏステンレス鋼などの３４７ステンレス鋼のようなステンレス鋼、ニッケル、Ｔｉ、ニオブ、バナジウム、鉄、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、ニオブ、およびＮｂ（９４．３３ｗｔ％）－Ｍｏ（４．８６ｗｔ％）－Ｚｒ（０．８１ｗｔ％）から構成され、
前記第二セクションが前記第一セクションの金属とは異なる高融点金属を含み、
前記異なる金属間の結合は、積層材料（例えば、ＢＮなどのセラミック）によって形成される、発電システム。 - 電気エネルギーおよび熱エネルギーの少なくとも一方を発生させる発電システムであって、
圧力を大気圧よりも低く維持できる少なくとも１つの貯留槽と、
プラズマを形成するのに十分なエネルギーを生成する反応を前記貯留槽内で受け取ることができる反応物であり、
（ａ）水素ガスと酸素ガスとの混合物、および／または
水蒸気、および／または
水素ガスと水蒸気との混合物、ならびに
（ｂ）溶融金属を含む、前記反応物と、
前記貯留槽への少なくとも１つの反応物の流量を制御するための質量流量制御器と、
１つ以上の反応物が前記貯留槽に流入しているときに前記貯留槽内の圧力を大気圧より低く維持するための真空ポンプと、
前記溶融金属の一部を含む少なくとも１つの貯留槽、該貯留槽内にかつ注入器管を介して前記溶融金属を供給して溶融金属流を提供するように構成される溶融金属ポンプシステム（例えば、１台以上の電磁ポンプ）、および前記溶融金属流を受け取るための少なくとも非注入器溶融金属貯留槽と、を備える溶融金属注入器システムと、
水素ガスおよび／または酸素ガスおよび／または水蒸気が前記貯留槽に流入するときに電力を前記溶融金属の少なくとも１つの流れに電力を供給するための、電力または点火電流の供給源を含む少なくとも１つの点火システムと、
前記反応で消費される反応物を補充する反応物供給システムと、
前記反応により生じたエネルギー（例えば、前記プラズマからの光、プラズマジェット、および／または熱出力）の一部を電力および／または熱出力へ変換する電力変換器または出力システムと、を備える、発電システム。 - 請求項５に記載の発電システムであって、水素ガスおよび酸素ガスおよび／または水分子を混合するための気体混合器と水素および酸素の再結合器および／または水素解離器とをさらに備え、前記水素および酸素の再結合器は、プラズマセルを含む、発電システム。
- 請求項６に記載の発電システムであって、前記プラズマセルは、中心正極と接地された管状体対極を含み、電圧（例えば、５０Ｖ～１０００Ｖの範囲の電圧）が電極間に印加されて、水（Ｈ２）と酸素（Ｏ２）とのガス混合物からのプラズマの形成を誘導する、発電システム。
- 請求項６または７に記載の発電システムであって、前記第一プラズマを生成するためにプラズマ発生セルに供給される前記ガス混合物は、プラズマセル（例えば、グロー放電セル）を通って流れて第二プラズマを生成するのに十分な発熱性で反応を受けることができる反応混合物を生成する非定比のＨ２／Ｏ２混合物（例えば、１／３モル％Ｏ２あるいは混合物のモル百分率で０．０１％～３０％、または０．１％～２０％、または１０％未満、または５％未満、または３％未満のＯ２を有するＨ２／Ｏ２混合物）を含む、発電システム。
- 請求項８の発電システムであって、前記非定比のＨ２／Ｏ２混合物は、グロー放電を通過して、原子状水素と新生Ｈ２Ｏの流出物（例えば、水素結合の形成を防ぐのに十分な濃度で内部エネルギーを有する水を含む混合物）を生成し、
前記グロー放電流出物は反応チャンバに導かれ、そこで点火電流が２つの電極間に（例えば、それらの間を通過する溶融金属によって）供給され、
前記流出物がバイアスされた溶融金属（例えば、ガリウム）と相互作用すると、例えば、アーク電流の形成時に、発生期の水と原子状水素との間の反応が誘発される、発電システム。 - 発電システムであって、
（ａ）反応チャンバを含む大気圧以下の圧力を維持することができる容器と、
（ｂ）各対がそれらの間の溶融金属流が回路を完成することを可能にするように構成された電極を含む、複数の電極対と、
（ｃ）前記回路が閉じているときにそれらの間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｄ）ガスからの第一プラズマの形成を誘導するためのプラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）であり、該プラズマ発生セルからの流出が回路（例えば、前記溶融金属、前記アノード、前記カソード、溶融金属貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
ここで、前記回路に電流が印加されると、プラズマ発生セルからの流出物が反応して第二プラズマおよび反応生成物を生成する、プラズマ発生セルと、
（ｅ）第二プラズマからのエネルギーを機械的エネルギー、熱的エネルギー、および／または電気的エネルギーに変換および／または転送するように構成された電源アダプタと、を備え、
反応生成物（例えば、中間体、最終生成物）の少なくとも１つは、本明細書に記載されるように、少なくとも１つの分光学的同定特徴を有する（例えば、実施例１０に示すように）、発電システム。 - 請求項１～１０のいずれか一項に記載の発電システムであって、不活性ガス（例えば、アルゴン）が前記貯留槽に注入される、発電システム。
- 請求項５－１１のいずれか一項に記載の発電システムであって、前記貯留槽に水を注入する（例えば、水素結合された、あるいは非新生水蒸気であるような、水蒸気含有プラズマをもたらす）ように構成された水マイクロ注入器をさらに含む、発電システム。
- 請求項５～１２のいずれか一項に記載の発電システムであって、（例えば、動作中に）前記溶融金属が水と反応して原子状水素を形成する、発電システム。
- 請求項１～１３のいずれか一項に記載の発電システムであって、前記溶融金属がガリウムであり、前記発電システムがさらに、酸化ガリウム（例えば、前記反応で生成された酸化ガリウム）からガリウムを再生するためのガリウム再生システムを備える、発電システム。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の発電システムであって、前記貯留槽が、前記貯留槽の内部から光起電力変換器に光を送信するための光透過性光起電力（ＰＶ）窓部と、少なくとも１つの貯留槽形状と、回転窓部を含む少なくとも１つのバッフルとを備える、発電システム。
- 請求項１５に記載の発電システムであって、前記正の点火電極（例えば、上部の点火電極、他の電極よりも上方に配置された電極）は、（例えば、負の点火電極と比較して）窓部に近く、正電極は、光起電力を介して、光起電力変換器に黒体放射を放出する、発電システム。
- 電極システムであって、
（ａ）第一電極および第二電極と、
（ｂ）前記第一電極および前記第二電極と電気的に接触している溶融金属（例えば、溶融銀、溶融ガリウム等）の流れと、
（ｃ）前記溶融金属を貯留槽から引き出し、導管（例えば、チューブ）を通して輸送して、前記導管を出る前記溶融金属流を発生させるポンプを含む循環システムと、
（ｄ）前記第一電極と前記第二電極との間に電位差を与えるように構成された電源とを備え、
前記溶融金属流が、前記第一電極と前記第二電極とに同時に接触して、前記電極間に電流を発生させる電極システム。 - 電気回路であって、
（ａ）溶融金属を生成するための加熱手段と、
（ｂ）前記溶融金属を貯留槽から導管を介して輸送し、前記導管から出る前記溶融金属流を発生させるためのポンピング手段と、
（ｃ）第一電極と第二電極との間に電位差を生じさせるための電力供給手段と電気的連通する第一電極および第二電極とを備え、
前記溶融金属流は、第一電極と第二電極との間に電気回路を構成すべく第一電極と第二電極とに同時に接触している電気回路。 - 第一電極と第二電極とを備える電気回路において、改良点が、溶融金属流を前記電極に通して、その間に電流が流れることを可能にすることを含む電気回路。
- プラズマを発生させるためのシステムであって、
（ａ）金属貯留槽から溶融金属を生成するように構成された溶融金属注入器システムと、
（ｂ）電流を誘導して前記溶融金属流に流すための電極システムと、
（ｃ）（ｉ）計量された量の水を溶融金属と接触させるように構成され、前記水の一部および前記溶融金属の一部が反応して、前記金属および水素ガスの酸化物を形成する水注入システム、 （ｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物、ならびに （ｉｉｉ）過剰な水素ガスと酸素ガスとの混合物の少なくとも１つと、
（ｄ）前記電流を供給するように構成された電源と、を備え、
前記金属流を介して電流が供給される時に前記プラズマが発生するシステム。 - 請求項１０に記載のシステムであって、
（ａ）前記プラズマの製造後に収集された金属を前記金属貯留槽に移送するように構成されたポンピングシステムと、
（ｂ）前記金属酸化物を収集し、前記金属酸化物を前記金属に変換するように構成された金属再生システムであり、陽極、陰極、電解質を含み、電気バイアスが前記陽極と前記陰極との間に供給されて前記金属酸化物を前記金属に変換する前記金属再生システムとを備え、
前記金属再生システムで再生された金属が前記ポンピングシステムに転送されるシステム。 - プラズマを生成するためのシステムであって、
（ａ）溶融金属が２つの電極の間を流れて回路を完成させるように構成された、該２つの電極と、
（ｂ）前記回路が閉じているときに前記２つの電極の間に電流を印加するために前記２つの電極に接続された電源と、
（ｃ）ガスからの発生期の水と原子状水素の形成を誘発するための再結合器セル（例えば、グロー放電セル）とを備え、ここで、再結合器の流出物は回路（例えば、溶融金属、アノード、カソード、溶融貯留槽に沈められた電極）に向けられ、
前記回路に電流が流れると、前記再結合器セルの流出物が反応してプラズマを生成する、システム。 - 方法であって、
（ａ）溶融金属に電気的にバイアスをかけることと、ならびに、
（ｂ）プラズマ発生セル（例えば、グロー放電セル）からの流出物を、バイアスされた溶融金属と相互作用させて、プラズマの形成を誘導させることを含む、方法。
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