JPWO2020219794A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020219794A5
JPWO2020219794A5 JP2021577574A JP2021577574A JPWO2020219794A5 JP WO2020219794 A5 JPWO2020219794 A5 JP WO2020219794A5 JP 2021577574 A JP2021577574 A JP 2021577574A JP 2021577574 A JP2021577574 A JP 2021577574A JP WO2020219794 A5 JPWO2020219794 A5 JP WO2020219794A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
printed circuit
aperture
circuit board
conductive
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021577574A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022536996A (en
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2020/029696 external-priority patent/WO2020219794A1/en
Publication of JP2022536996A publication Critical patent/JP2022536996A/en
Publication of JPWO2020219794A5 publication Critical patent/JPWO2020219794A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Description

本願は、2019年4月26日に出願され、「DIFFERENTIAL SEGMENTED APERTURE」と題された、米国仮出願第62/839,121号の利益を主張する。2019年4月26日に出願された米国仮出願第62/839,121号は、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる。 This application claims the benefit of US Provisional Application No. 62/839,121, filed April 26, 2019 and entitled "DIFFERENTIAL SEGMENTED APERTURE." US Provisional Application No. 62/839,121, filed April 26, 2019, is hereby incorporated by reference in its entirety.

(背景) (background)
以下は、無線周波数(RF)技術分野、RF伝送機技術分野、RF受信機技術分野、RF送受信機技術分野、ブロードバンドRF伝送機、受信機、および/または送受信機技術分野、RF通信技術分野、ならびに関連する技術分野に関する。 The following are radio frequency (RF) technical fields, RF transmitter technical fields, RF receiver technical fields, RF transceiver technical fields, broadband RF transmitter, receiver and/or transceiver technical fields, RF communication technical fields, and related technical fields.

「Electromagnetic Radiation Interface System and Method」と題された、Steinbrecherの米国特許第7,420,522号は、ブロードバンドRF開口を以下のように開示している。「電波周波数との併用のために好適である電磁放射インターフェースが、提供される。表面は、複数の金属の円錐形剛毛体を具備する。対応する複数の終端区分が、各剛毛体が終端区分に伴って終端されるように提供される。終端区分は、各個別の剛毛体によって受容された実質的に全ての電磁波エネルギーを捕捉し、それによって、インターフェースの表面からの反射の防止するために電気抵抗を備えてもよい。各終端区分はまた、各剛毛体からのエネルギーをデジタルワードに転換するためのアナログ/デジタルコンバータを備えてもよい。剛毛体は、それを通して複数の孔を有する接地面上に搭載されてもよい。複数の同軸伝送ラインが、複数の剛毛体を複数の終端区分に相互接続するために接地面を通して延在してもよい。」 US Pat. No. 7,420,522 to Steinbrecher, entitled "Electromagnetic Radiation Interface System and Method," discloses a broadband RF aperture as follows. "An electromagnetic radiation interface is provided that is suitable for use with radio frequencies. The surface comprises a plurality of conical bristle bodies of metal. A corresponding plurality of end segments, each bristle body The termination section is provided to capture substantially all electromagnetic wave energy received by each individual bristle body, thereby preventing reflection from the surface of the interface. Each termination section may also comprise an analog-to-digital converter for converting the energy from each bristle body into a digital word, the bristle bodies having a plurality of holes therethrough. A plurality of coaxial transmission lines may extend through the ground plane to interconnect the plurality of bristle bodies to the plurality of termination sections."

いくらかの改良が、本明細書に開示される。 Some improvements are disclosed herein.

米国特許第7,420,522号公報U.S. Pat. No. 7,420,522

(簡単な要約) (brief summary)
いくつかの例証的実施形態によると、無線周波数(RF)開口が、開示される。インターフェースプリント回路基板が、表側と、裏側とを有する。導電性テーパ状突出部のアレイが、インターフェースプリント回路基板の表側に配置された基部を有し、インターフェースプリント回路基板の表側から離れるように延在する。チップバランが、インターフェースプリント回路基板の裏側に搭載される。各チップバランは、インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して導電性テーパ状突出部のアレイの2つの近隣する導電性テーパ状突出部と電気的に接続される、平衡ポートを有する。各チップバランはさらに、非平衡ポートを有する。RF回路網が、インターフェースプリント回路基板の裏側に配置され、チップバランの非平衡ポートと電気的に接続される。 According to some exemplary embodiments, a radio frequency (RF) aperture is disclosed. An interface printed circuit board has a front side and a back side. An array of conductive tapered protrusions has a base located on the front side of the interface printed circuit board and extends away from the front side of the interface printed circuit board. A chip balun is mounted on the back side of the interface printed circuit board. Each chip balun has a balanced port electrically connected to two adjacent conductive tapered protrusions of the array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. Each chip balun also has an unbalanced port. An RF network is located on the backside of the interface printed circuit board and electrically connected to the unbalanced port of the chip balun.

本明細書に開示されるいくつかの例証的実施形態によると、無線周波数(RF)開口を製造する方法は、誘電性テーパ状突出部の表面を導電性層でコーティングし、導電性テーパ状突出部を形成することと、導電性テーパ状突出部をインターフェースプリント回路基板の表側に搭載することと、RF回路網を、インターフェースプリント回路基板および/またはインターフェースプリント回路と平行に搭載される第2のプリント回路基板上に搭載することと、RF回路網を導電性テーパ状突出部と電気的に接続することとを含む。 According to some exemplary embodiments disclosed herein, a method of manufacturing a radio frequency (RF) aperture includes coating a surface of a dielectric tapered protrusion with a conductive layer and forming a conductive tapered protrusion. mounting a conductive tapered protrusion on the front side of the interface printed circuit board; Mounting on a printed circuit board and electrically connecting the RF network with the conductive tapered protrusions.

本明細書に開示されるいくつかの例証的実施形態によると、RF開口は、表側と、裏側とを有する、インターフェースプリント回路基板と、導電性テーパ状突出部のアレイと、RF回路網とを備える。導電性テーパ状突出部は、インターフェースプリント回路基板の表側に配置された基部を有し、インターフェースプリント回路基板の表側から離れるように延在する。導電性テーパ状突出部は、誘電性テーパ状突出部と、誘電性テーパ状突出部の表面上に配置される、導電性層とを備える。RF回路網は、インターフェースプリント回路基板の裏側に配置され、インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して導電性テーパ状突出部のアレイと電気的に接続される。いくつかの実施形態では、RF回路網はさらに、インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して、導電性テーパ状突出部のアレイ内で隣接している導電性テーパ状突出部の対を接続する、平衡ポートを伴うバランを含む。 According to some exemplary embodiments disclosed herein, an RF aperture includes an interface printed circuit board having a front side and a back side, an array of conductive tapered protrusions, and RF circuitry. Prepare. The conductive tapered protrusion has a base located on the front side of the interface printed circuit board and extends away from the front side of the interface printed circuit board. The conductive tapered protrusion comprises a dielectric tapered protrusion and a conductive layer disposed on a surface of the dielectric tapered protrusion. RF circuitry is disposed on the back side of the interface printed circuit board and is electrically connected to the array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. In some embodiments, the RF circuitry further couples pairs of adjacent conductive tapered protrusions in an array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. It includes a balun with a balanced port that connects.

図面に示されるいかなる定量的寸法も、非限定的な例証的実施例として理解されるものとする。別様に示されない限り、図面は、正確な縮尺率ではなく、図面の任意の側面が、正確な縮尺率であるものとして示され、図示される縮尺は、非限定的な例証的実施例として理解されるものとする。 Any quantitative dimensions shown in the drawings shall be understood as non-limiting illustrative examples. Unless otherwise indicated, the drawings are not drawn to scale and any aspect of the drawing is drawn to scale and the scale shown is as a non-limiting illustrative example. shall be understood.

図1および2は、それぞれ、例証的差動区画化開口(DSA)の正面断面図おFigures 1 and 2 are a cross-sectional front view and an illustrative differential compartmentalization aperture (DSA), respectively. よび側面断面図を図式的に図示する。1 schematically illustrates a side view and a cross-sectional side view. 図1および2は、それぞれ、例証的差動区画化開口(DSA)の正面断面図おFigures 1 and 2 are a cross-sectional front view and an illustrative differential compartmentalization aperture (DSA), respectively. よび側面断面図を図式的に図示する。1 schematically illustrates a side view and a cross-sectional side view.

図3は、図1-4のDSAの単一のQUADサブアセンブリのブロック図を図FIG. 3 depicts a block diagram of a single QUAD subassembly of the DSA of FIGS. 1-4. 式的に示す。shown formally.

図4は、ビアと、搭載孔とを含む、図1-3のDSAのインターフェースプリFIG. 4 is an interface preprint of the DSA of FIGS. 1-3, including vias and mounting holes. ント回路基板(i-PCB)の正面図を図式的に図示し、バランおよびレジスタパッドの場所を図式的に示した。A front view of the printed circuit board (i-PCB) is schematically illustrated and the locations of the baluns and resistor pads are schematically illustrated.

図5は、図式的に示されたRF接続と、制御部と、電力コネクタとを含む、図FIG. 5 is a diagram including RF connections, controls, and power connectors shown diagrammatically; 1-4のDSAのエンクロージャの背面図を図式的に図示する。1 schematically illustrates a rear view of the DSA enclosure of 1-4; FIG.

図6は、2つの隣接する導電性テーパ状突出部の間のチップバランの平衡ポーFIG. 6 shows a balanced port of a chip balun between two adjacent conductive tapered protrusions. トの接続の図式表現に加えて、導電性テーパ状突出部のある実施形態の側面断面図を図式的に図示する。FIG. 4 schematically illustrates a side cross-sectional view of an embodiment with an electrically conductive tapered protrusion, in addition to a diagrammatic representation of the connection of the terminals.

図7-10は、導電性テーパ状突出部の付加的実施形態を図式的に図示する。7-10 schematically illustrate additional embodiments of conductive tapered protrusions. 図7-10は、導電性テーパ状突出部の付加的実施形態を図式的に図示する。7-10 schematically illustrate additional embodiments of conductive tapered protrusions. 図7-10は、導電性テーパ状突出部の付加的実施形態を図式的に図示する。7-10 schematically illustrate additional embodiments of conductive tapered protrusions. 図7-10は、導電性テーパ状突出部の付加的実施形態を図式的に図示する7-10 schematically illustrate additional embodiments of conductive tapered protrusions .

(詳細な説明) (detailed explanation)
図1および2を参照すると、それぞれ、表側12と、裏側14とを有するインターフェースプリント回路基板(i-PCB)10と、i-PCB10の表側12に配置された基部22を有し、i-PCB10の表側12から離れるように延在する、導電性テーパ状突出部20のアレイとを含む、例証的無線周波数(RF)開口の正面断面図ならびに側面断面図が、示される。例証的なi-PCB10が、5インチ×5インチの寸法を有するものとして図1に表示されるが、これは、小型のRF開口の非限定的な例証的実施例にすぎない。図1は、1つの導電性テーパ状突出部20の斜視図を示す挿入図を左上に伴う、RF開口の正面図を示す。導電性テーパ状突出部20の本例証的実施形態は、より大きい正方形基部22と、完全な先端まで延在せず、むしろ、平坦な頂点24において終端する頂点とを伴う正方形断面を有する(言い換えると、挿入図の導電性テーパ状突出部20は、円錐台形状を有する)。これは、例証的実施例にすぎず、より一般的には、導電性テーパ状突出部20は、任意のタイプの断面(例えば、挿入図におけるような正方形、または円形、もしくは六角形、または八角形、等)を有することができる。頂点24は、挿入図の実施例におけるように平坦であることができる、または鋭的点に到達することができる、もしくは丸みを帯びる、またはある他の頂点幾何学形状を有することができる。高さ(すなわち、頂点24が最大「高」にある状態における、基部22の「上方」の距離)の機能としてのテーパリングの率は、挿入図の実施例におけるように一定であることができる、またはテーパリングの率は、高さに伴って可変であることができ、例えば、テーパリングの率は、丸みを帯びた頂部を伴う突出部を形成するように、高さの増加に伴って増加することができる、もしくはより尖頭状の先端を伴う突出部を形成するように、高さの増加に伴って減少することができる。同様に、図1に最も詳細に示されるように、導電性テーパ状突出部20の例証的アレイは、規則的な行と、直交する規則的な列とを伴う直線的アレイであるが、しかしながら、アレイは、他の対称性、例えば、六方対称性、八方対称性、等を有してもよい。挿入図の例証的実施例では、正方形基部22および正方形頂点24は、4つの平坦な傾斜した側壁26を有する導電性テーパ状突出部20に至るが、しかしながら、他の側壁形状も、考えられ、例えば、基部ならびに頂点が、円形である(または、基部が、円形であり、頂点が、ある点まで達する)場合、側壁は、傾斜した、もしくはテーパ状の円筒であり、六角形基部および六角形頂点または尖頭状頂点に関して、6つの傾斜した側壁が、存在する等となるであろう。 1 and 2, each has an interface printed circuit board (i-PCB) 10 having a front side 12 and a back side 14, and a base 22 located on the front side 12 of the i-PCB 10, the i-PCB 10 Front and side cross-sectional views of an exemplary radio frequency (RF) aperture including an array of conductive tapered protrusions 20 extending away from the front side 12 of the are shown. An illustrative i-PCB 10 is shown in FIG. 1 as having dimensions of 5 inches by 5 inches, but this is only a non-limiting illustrative example of a compact RF aperture. FIG. 1 shows a front view of the RF aperture with an inset showing a perspective view of one conductive tapered protrusion 20 at the upper left. This exemplary embodiment of the conductive tapered protrusion 20 has a square cross-section with a larger square base 22 and an apex that does not extend to the full tip, but rather terminates at a flat apex 24 (in other words and the inset conductive tapered protrusion 20 has a frusto-conical shape). This is an illustrative example only, and more generally, the conductive tapered protrusions 20 may be of any type of cross-section (eg, square as in the inset, or circular, or hexagonal, or octagonal). square, etc.). Vertex 24 can be flat as in the inset embodiment, or can reach a sharp point, or can be rounded, or have some other vertex geometry. The rate of taper as a function of height (i.e., the distance "above" the base 22 with the apex 24 at its maximum "high") can be constant as in the inset example. , or the rate of taper can be variable with height, e.g. It can increase or decrease with increasing height to form protrusions with more pointed tips. Similarly, as shown in most detail in FIG. 1, the illustrative array of conductive tapered protrusions 20 is a linear array with regular rows and orthogonal regular columns; , the array may have other symmetries, such as hexagonal symmetry, octagonal symmetry, and the like. In the illustrative embodiment of the inset, a square base 22 and square apex 24 lead to a conductive tapered protrusion 20 having four flat sloping sidewalls 26, however other sidewall shapes are also contemplated, For example, if the base and apex are circular (or the base is circular and the apex reaches a point), the sidewall is a slanted or tapered cylinder, and the hexagonal base and hexagonal For an apex or pointed apex, there will be 6 sloping sidewalls, and so on.

図1および2を継続して参照し、図3をさらに参照すると、RF開口はさらに、例証的実施形態では、i-PCB10の裏側14に搭載されるチップバラン30を含む、RF回路網を備える。各チップバラン30は、i-PCB10を通して通過する電気フィードスルー32を介して導電性テーパ状突出部のアレイの2つの近隣する導電性テーパ状突出部と電気的に接続される、平衡ポートP With continued reference to FIGS. 1 and 2, and with further reference to FIG. 3, the RF aperture further comprises RF circuitry, which in the illustrative embodiment includes a chip balun 30 mounted on the backside 14 of the i-PCB 10. . Each chip balun 30 is a balanced port P electrically connected to two adjacent conductive tapered protrusions of the array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs 32 passing through the i-PCB 10. B. を有する(図3および6参照)。各チップバラン30はさらに、RF回路網の残部と接続する非平衡ポートP(see FIGS. 3 and 6). Each chip balun 30 also has an unbalanced port P that connects with the rest of the RF network. U を有する(図3および6参照)。例証的RF回路網はさらに、チップバラン30の非平衡ポートP(see FIGS. 3 and 6). The illustrative RF network further includes unbalanced port P of chip balun 30. U からの出力を結合するためのRF電力分割器/結合器40を含む。図3に見られるように、RF回路網の例証的電気構成は、非平衡ポートPincludes an RF power splitter/combiner 40 for combining the outputs from. As seen in FIG. 3, an exemplary electrical configuration of the RF network includes an unbalanced port P U の対を結合する第1レベルの1×2 RF電力分割器/結合器40A first level 1×2 RF power divider/combiner 40 that combines pairs of 1 と、第1レベルのRF電力分割器/結合器40and a first level RF power divider/combiner 40 1 の対の出力を結合する第2レベルの1×2 RF電力分割器/結合器40A second level 1×2 RF power divider/combiner 40 that combines the outputs of the pair of 2 とを採用する。これは、例証的アプローチにすぎず、(3つのラインを結合する)1×3、(4つのラインを結合する)1×4、またはより高い結合RF電力分割器/結合器、もしくはそれらの種々の組み合わせ等を使用する、他の構成も、考えられる。例証的RF回路網はさらに、チップバラン30の各非平衡ポートPto adopt. This is only an illustrative approach and a 1x3 (combining 3 lines), 1x4 (combining 4 lines) or higher combining RF power splitter/combiner, or various thereof. Other configurations are also contemplated, such as using combinations of The illustrative RF network further includes each unbalanced port P of chip balun 30. U と第1レベルの1×2電力分割器40and a first level 1×2 power divider 40 1 との間に刺し込まれる、信号調整回路42を含む。各非平衡ポートと接続される信号調整回路42は、RF伝送増幅器Tと、RF受信増幅器Rと、RF伝送増幅器Tと非平衡ポートを動作可能に接続する伝送モードと、RF受信増幅器Rと非平衡ポートを動作可能に接続する受信モードとの間で切り替えるように構成されるスイッチRFSを含む、RF切替回路網とを含む。and a signal conditioning circuit 42 interposed between. A signal conditioning circuit 42 connected to each unbalanced port includes an RF transmit amplifier T, an RF receive amplifier R, a transmission mode operably connecting the RF transmit amplifier T and the unbalanced port, an RF receive amplifier R and the unbalanced port. RF switching circuitry including a switch RFS configured to switch between receive modes operably connecting the balanced ports.

図1-3を継続して参照し、図4および5をさらに参照すると、部分的に、少なくともi-PCB10を含む1つ以上のプリント回路基板(PCB)を採用することによって、小型設計(例えば、図3の非限定的な例証的実施例における3インチの奥行)が、達成される。図3に示される例証的実施例では、チップバラン30が、i-PCB10の裏側14に搭載される。随意に、他の電子構成要素もまた、その表側12に導電性テーパ状突出部20のアレイが配置される、i-PCB10の裏側に搭載されてもよい。しかしながら、i-PCB10上には、RF回路網の電子機器全てを搭載するためには不十分な占有面積が、存在し得る。例証的実施形態では、これは、i-PCB10と並列に配置され、i-PCB10の裏側14に面する、第2のプリント回路基板50を提供することによって対処される。言い換えると、第2のプリント回路基板50は、導電性テーパ状突出部20が配置されるi-PCB10の(表)側12と反対側のi-PCB10の(裏)側14に配置される。RF回路網は、本明細書において信号調整PCBまたはSC-PCB50とも称され得る、第2のプリント回路基板50上に搭載される、電子構成要素を備え、加えて、または代替として、i-PCB10上に搭載される、電子構成要素を備える(典型的には、i-PCBの裏側14上であるが、導電性テーパ状突出部20間のフィールド空間内のi-PCBの表側にRF回路網の構成要素を搭載することもまた、考えられる(図示せず))。SC-PCB50が、提供される場合、図2に示されるように、これは、スタンドオフ54によってi-PCB10に平行して適切に固着され、シングルエンドフィードスルー52が、i-PCB10およびSC-PCB50を電気的に相互接続するために提供される(図3参照)。RF回路網が、2つのPCB10、50の占有面積上に嵌合することが不可能である場合、第3の(必要に応じて第4の、およびさらなる)PCBが、RF回路網の構成要素を収容するために追加されてもよい(図示せず)。 With continued reference to FIGS. 1-3 and further reference to FIGS. 4 and 5, a compact design (e.g., , a depth of 3 inches in the non-limiting illustrative example of FIG. 3) is achieved. In the illustrative embodiment shown in FIG. 3, chip balun 30 is mounted on backside 14 of i-PCB 10 . Optionally, other electronic components may also be mounted on the back side of the i-PCB 10, with an array of conductive tapered protrusions 20 disposed on the front side 12 thereof. However, there may be insufficient footprint on the i-PCB 10 to mount all the electronics of the RF network. In the illustrative embodiment, this is addressed by providing a second printed circuit board 50 that is placed parallel to the i-PCB 10 and faces the backside 14 of the i-PCB 10 . In other words, the second printed circuit board 50 is placed on the (back) side 14 of the i-PCB 10 opposite the (front) side 12 of the i-PCB 10 on which the conductive tapered protrusions 20 are placed. The RF circuitry comprises electronic components mounted on a second printed circuit board 50, which may also be referred to herein as a signal conditioning PCB or SC-PCB 50; (typically on the back side 14 of the i-PCB, but RF circuitry on the front side of the i-PCB in the field space between the conductive tapered protrusions 20). (not shown)). When SC-PCB 50 is provided, it is suitably secured parallel to i-PCB 10 by standoffs 54, and single-ended feedthroughs 52 connect i-PCB 10 and SC-PCB 10, as shown in FIG. Provided for electrically interconnecting PCB 50 (see FIG. 3). If it is not possible for the RF network to fit onto the footprint of the two PCBs 10, 50, then a third (fourth and further if desired) PCB may be a component of the RF network. (not shown).

図4は、ビアと、搭載孔とを含む、i-PCB10の正面図を示し、図4に示される凡例内に表示されるように、バラン30およびレジスタパッドの場所を図式的に表示した。(レジスタは、レーダ断面を低下させることに役立つように、角錐の未使用側を終端させるために使用される。) FIG. 4 shows a front view of i-PCB 10, including vias and mounting holes, and diagrammatically indicated the locations of baluns 30 and resistor pads, as indicated in the legend shown in FIG. (A resistor is used to terminate the unused side of the pyramid to help reduce the radar cross-section.)

図2を参照し、図5をさらに参照すると、例証的RF開口は、例証的実施例では、i-PCB10の周辺がRF回路網を封入するような状態で、その周辺に固着される、エンクロージャ58を有する。これは、1つの例証的配列にすぎず、他の設計も、考えられ、例えば、PCB10、50は両方とも、エンクロージャの内側に配置されてもよい(但し、そのようなエンクロージャは、RF開口の面積を閉塞させるように前方に延在するRF遮蔽体を備えるべきではない)。図5は、(図2および3にも示される、または表示される)図式的に表示されたRFコネクタ(もしくはポート)60、制御電子機器62(例えば、非限定的な図として示される、例証的な位相化アレイビーム操向電子機器63であり、これらの電子機器62、63は、エンクロージャ58の外部に搭載されてもよい、および/またはエンクロージャ58の内側に配置され、有益なRF遮蔽体を提供してもよい)、ならびにRF回路網の能動構成要素を動作させるための電力(例えば、アクティブなRF伝送増幅器T、およびアクティブなRF受信増幅器R、ならびにスイッチRFSのための動作電力)を提供するための、電力コネクタ64を示す、RF開口のエンクロージャ58の背面図を図式的に図示する。エンクロージャの裏側の面積にわたる種々の構成要素60、62、63、64の特定の配列は、図5に示されるものから広く変動し得、また、これらの構成要素は、他所に位置してもよく、例えば、RFコネクタ60は、代替として、RF開口の縁に位置し得る等となる。RF開口が、ある他の構成要素またはシステムと一体的に構築され得、例えば、RF開口が、モバイル地上局、海上無線、無人航空車両(UAV)等のRF伝送要素ならびに/もしくは受信要素として使用される場合、エンクロージャ58は、モバイル地上局、海上無線、UAV機体等の筐体内に内蔵されるRF開口を有することによって置き換えられ得ることもまた、理解されたい。そのような場合には、RFコネクタ60はまた、モバイル地上局、海上無線、UAV電子機器等への有線接続によって置き換えられ得る。 With reference to FIG. 2 and further reference to FIG. 5, the illustrative RF aperture is an enclosure, in an illustrative embodiment, affixed to the perimeter of the i-PCB 10 such that the perimeter encloses the RF circuitry. 58. This is just one illustrative arrangement, other designs are also possible, for example, both PCBs 10, 50 may be placed inside an enclosure (although such an enclosure may not have RF apertures). There should be no RF shield extending forward to occlude the area). FIG. 5 shows a schematic representation of an RF connector (or port) 60 (also shown or displayed in FIGS. 2 and 3), control electronics 62 (shown, for example, as a non-limiting illustration). phased array beam steering electronics 63, which may be mounted external to the enclosure 58 and/or located inside the enclosure 58 to provide beneficial RF shielding. ), and power to operate active components of the RF network (e.g., active RF transmit amplifier T and active RF receive amplifier R, and operating power for switch RFS). 5 schematically illustrates a rear view of RF aperture enclosure 58 showing power connector 64 for providing. The specific arrangement of the various components 60, 62, 63, 64 across the area behind the enclosure may vary widely from that shown in FIG. 5, and these components may be located elsewhere. For example, the RF connector 60 could alternatively be located at the edge of the RF aperture, and so on. The RF aperture may be built integrally with some other component or system, for example the RF aperture may be used as an RF transmitting and/or receiving element in mobile ground stations, maritime radios, unmanned aerial vehicles (UAVs), etc. It should also be understood that enclosure 58 may be replaced by having an RF aperture contained within the enclosure of a mobile ground station, marine radio, UAV airframe, etc., where provided. In such cases, RF connector 60 may also be replaced by a wired connection to mobile ground stations, maritime radios, UAV electronics, and the like.

特に図3を参照すると、例証的RF回路網のための例証的電気構成が、示される。本非限定的な例証的実施例では、導電性テーパ状突出部20のアレイは、図1および4に示されるように、導電性テーパ状突出部20の5×5アレイであると仮定される。チップバラン30の平衡ポートP Referring specifically to FIG. 3, an exemplary electrical configuration for an exemplary RF network is shown. In this non-limiting illustrative example, the array of conductive tapered protrusions 20 is assumed to be a 5×5 array of conductive tapered protrusions 20, as shown in FIGS. . Balance port P of chip balun 30 B. は、(受信モードにおいて、または代替として、伝送モードにおいて2つの隣接する導電性テーパ状突出部20間に差動RF信号を印加するように)2つの隣接する導電性テーパ状突出部20間の差動RF信号を受信するように、アレイの導電性テーパ状突出部20の隣接する(すなわち、近隣する)対を接続する。Steinbrecherの米国特許第7,420,522号(参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる)に詳述されるように、導電性テーパ状突出部20のテーパリングは、「高さ」に伴って、すなわち、導電性テーパ状突出部20の基部22の「上方の」距離に伴って変動する、2つの導電性テーパ状突出部20間の分離を提示する。テーパリングによって導入される、隣接する導電性テーパ状突出部20間の分離の範囲に対応する、ある範囲のRF波長が、捕捉され得るため、これは、ブロードバンドRF捕捉を提供する。RF開口は、したがって、差動区画化開口(DSA)であり、導電性テーパ状突出部20の隣接する対に対応する差動RF受信(またはRF伝送)要素を有する。これらの差動RF受信(または伝送)要素は、本明細書では、開口ピクセルと称される。隣接する導電性テーパ状突出部20の例証的な直線的5×5アレイに関して、これは、5つの導電性テーパ状突出部20の各行(もしくは列)に沿った、4つの開口ピクセルが存在することを意味する。より一般的には、N個の導電性テーパ状突出部20の行(または列)を有する突出部の直線的アレイに関して、行(または列)に沿った、対応するN-1個のピクセルが、存在するであろう。図3は、4つのピクセルの行(または列)の相互接続である、QUADサブアセンブリを示す。4つの行と、4つの列とが、存在するため、これは、4×4または16個のそのようなQUADサブアセンブリにつながる。レジスタパッドが、不必要な反射を防止するために周囲の角錐の未使用の縁のための終端として使用される。レジスタパッドを介して搭載されるレジスタがなければ、それらの表面は、浮動しているままとなり、入射RFエネルギーを再放射し、強化されたレーダ断面を引き起こし得る。between two adjacent conductive tapered protrusions 20 (to apply a differential RF signal between two adjacent conductive tapered protrusions 20 in receive mode, or alternatively in transmit mode). Adjacent (ie, neighboring) pairs of conductive tapered protrusions 20 of the array are connected to receive differential RF signals. As detailed in Steinbrecher, U.S. Pat. No. 7,420,522, which is incorporated herein by reference in its entirety, the tapering of the conductive tapered protrusions 20 is defined by the "height" It presents a separation between the two conductive tapered protrusions 20 that varies with , ie, with the distance “above” the base 22 of the conductive tapered protrusions 20 . This provides broadband RF capture as a range of RF wavelengths can be captured corresponding to the range of separation between adjacent conductive tapered protrusions 20 introduced by the tapering. The RF aperture is therefore a differential compartmentalized aperture (DSA), having differential RF receiving (or RF transmitting) elements corresponding to adjacent pairs of conductive tapered protrusions 20 . These differential RF receive (or transmit) elements are referred to herein as aperture pixels. For the exemplary linear 5x5 array of adjacent conductive tapered protrusions 20, this means that there are four aperture pixels along each row (or column) of five conductive tapered protrusions 20. means that More generally, for a linear array of protrusions having a row (or column) of N conductive tapered protrusions 20, the corresponding N-1 pixels along the row (or column) are , would exist. FIG. 3 shows a QUAD subassembly, which is the interconnection of rows (or columns) of four pixels. Since there are 4 rows and 4 columns, this leads to 4×4 or 16 such QUAD subassemblies. Resistor pads are used as terminations for the unused edges of the surrounding pyramids to prevent unwanted reflections. Without resistors mounted via resistor pads, those surfaces could remain floating and re-radiate the incident RF energy, causing an enhanced radar cross-section.

図3に示される例証的実施形態では、各QUADサブアセンブリの第2レベルの1×2 RF電力分割器/結合器40 In the illustrative embodiment shown in FIG. 3, a second level 1×2 RF power divider/combiner 40 in each QUAD subassembly 2 が、エンクロージャ58の裏側においてRFコネクタ60と接続する。故に、図5に見られるように、行QUADサブアセンブリN1、N2、N3、N4および列QUADサブアセンブリM1、M2、M3、M4のような、図4ならびに5に示される8つのQUADサブアセンブリのための8つのRFコネクタが、存在する。Gnd(N)行およびGnd(M)列は、角錐の周囲側に沿った捕捉されたRFエネルギーからの電流フローのための共通経路を可能にするための、回路接地である。QUADサブアセンブリの使用は、RF開口へのRF結合の高レベルの柔軟性を可能にする。例えば、例証的な位相化アレイビーム操向電子機器63は、行QUADサブアセンブリN1、N2、N3、N4のための適切な位相偏移connects with RF connector 60 on the back side of enclosure 58 . 4 and 5, such as row QUAD subassemblies N1, N2, N3, N4 and column QUAD subassemblies M1, M2, M3, M4, as seen in FIG. There are eight RF connectors for The Gnd(N) rows and Gnd(M) columns are circuit grounds to allow a common path for current flow from the trapped RF energy along the peripheral side of the pyramid. The use of QUAD subassemblies allows for a high level of flexibility in RF coupling to RF apertures. For example, the illustrative phased array beamsteering electronics 63 determine the appropriate phase shifts for the row QUAD subassemblies N1, N2, N3, N4.

Figure 2020219794000001
Figure 2020219794000001
と、列QUADサブアセンブリM1、M2、M3、M4のための位相偏移and the phase shift for the column QUAD subassemblies M1, M2, M3, M4
Figure 2020219794000002
Figure 2020219794000002
とを導入し、伝送RF信号ビームを所望の方向に操向する、または所望の方向からRF信号ビームを受信するようにRF開口を配向することによって、実装されてもよい(伝送もしくは受信は、信号調整回路42のスイッチRFSの設定によって制御される)。RF開口によって実装され得る他の用途は、同時の「伝送/受信二重円偏波モード」と、複数のDSAを物理的に近接近するように物理的に定置させ、開口サイズの増加という組み合わせられた効果を与えることによる「拡張性」とを含む。図3に図式的に示される代替実施形態では、RFコネクタ60は、それを介してデジタル化された信号が出力されるアナログ/デジタル(A/D)コンバータ66およびデジタルコネクタ68によって置き換えられ得る。より一般的には、A/D転換は、RFチェーン内の任意の場所に挿入されてもよく、例えば、A/Dコンバータが、信号調整回路42の出力に設置され、アナログの第1および第2レベルのRF電力分割器/結合器40and steer the transmit RF signal beam in the desired direction, or orient the RF aperture to receive the RF signal beam from the desired direction (transmission or reception may be implemented by controlled by the setting of switch RFS in signal conditioning circuit 42). Other applications that may be implemented by the RF aperture are the simultaneous "transmit/receive dual circular polarization mode" and the combination of physically placing multiple DSAs in close physical proximity to increase the aperture size. and "scalability" by giving a specified effect. In an alternative embodiment shown diagrammatically in FIG. 3, RF connector 60 may be replaced by an analog-to-digital (A/D) converter 66 and a digital connector 68 through which the digitized signal is output. More generally, the A/D conversion may be inserted anywhere in the RF chain, for example an A/D converter placed at the output of the signal conditioning circuit 42 and analog first and first Two Level RF Power Divider/Combiner 40 1 、40, 40 2 が、したがって、デジタル信号処理(DSP)回路網によって置き換えられ得る。can therefore be replaced by digital signal processing (DSP) circuitry.

PCB10、50、チップバラン30、およびアクティブ信号調整構成要素(例えば、アクティブな伝送増幅器Tならびに受信増幅器R)を採用する、説明される電子機器は、有利には、RF開口が小型かつ軽量に作製されることを可能にする。次に説明されるように、導電性テーパ状突出部20の実施形態はさらに、小型かつ軽量のブロードバンドRF開口を提供することを促進する。 The described electronics employing PCBs 10, 50, chip balun 30, and active signal conditioning components (e.g., active transmit amplifier T and receive amplifier R) advantageously allow RF apertures to be made small and lightweight. allow to be Embodiments of the conductive tapered protrusion 20 further facilitate providing a compact and lightweight broadband RF aperture, as described next.

図6は、各導電性テーパ状突出部20が、誘電性テーパ状突出部70の表面上に配置される導電性層72を伴う誘電性テーパ状突出部70として加工される、1つの例証的実施形態の側面断面図を示す。誘電性テーパ状突出部は、例えば、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリカーボネート等の電気絶縁性プラスチックまたはセラミック材料から成ってもよく、射出成型、3次元(3D)印刷、もしくは他の好適な技法によって製造されてもよい。導電性層72は、銅、銅合金、銀、銀合金、金、金合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の任意の好適な導電性材料であってもよい、または異なる導電性材料の層状スタックを含んでもよく、真空蒸発、RFスパッタリング、もしくは任意の他の真空蒸着技法によって誘電性テーパ状突出部70上にコーティングされてもよい。図6は、はんだ付け点74が各誘電性テーパ状突出部20の導電性層72とi-PCB10を通して通過するその対応する電気フィードスルー32を電気的に接続するために使用される、ある実施例を示す。図6はまた、はんだ付け点76を介した、2つの隣接する導電性テーパ状突出部20間の1つのチップバラン30の平衡ポートP FIG. 6 shows one illustrative example in which each conductive tapered protrusion 20 is fabricated as a dielectric tapered protrusion 70 with a conductive layer 72 disposed on the surface of the dielectric tapered protrusion 70 . 1 shows a side cross-sectional view of an embodiment; FIG. The dielectric tapered protrusion may be made of, for example, an electrically insulating plastic or ceramic material such as acrylonitrile butadiene styrene (ABS), polycarbonate, etc., and may be formed by injection molding, three-dimensional (3D) printing, or other suitable technique. may be manufactured. Conductive layer 72 may be any suitable conductive material such as copper, copper alloys, silver, silver alloys, gold, gold alloys, aluminum, aluminum alloys, or may include a layered stack of different conductive materials. It may be coated on the dielectric tapered protrusion 70 by vacuum evaporation, RF sputtering, or any other vacuum deposition technique. FIG. 6 illustrates one implementation in which solder points 74 are used to electrically connect the conductive layer 72 of each dielectric tapered protrusion 20 and its corresponding electrical feedthrough 32 passing through the i-PCB 10. Give an example. FIG. 6 also shows the balanced port P of one chip balun 30 between two adjacent conductive tapered protrusions 20 via soldering points 76. B. の例証的接続も示す。An illustrative connection of is also shown.

図7および8は、それぞれ、誘電性テーパ状突出部70が誘電性プレート80内に一体的に含まれる、ある実施形態の分解側面断面図ならびに斜視図を示す。導電性層72は、各誘電性テーパ状突出部70をコーティングするが、近隣する誘電性テーパ状突出部20間にガルバニック絶縁を提供する、絶縁間隙82を有する。絶縁間隙82は、コーティングの後、コーティングを導電性テーパ状突出部20の間のプレート80から離れるようにエッチングし、導電性テーパ状突出部を相互から直流的に絶縁することによって、導電性層72をコーティングした後に形成されることができる。代替として、絶縁間隙82は、コーティングの前に、コーティングが導電性テーパ状突出部間絶縁間隙82内のプレートをコーティングせず、それによって、導電性テーパ状突出部が相互から直流的に絶縁されるように、導電性テーパ状突出部20間のプレート80上にマスク材料(図示せず)を堆積させることによって、コーティング前に画定されることができる。図8の斜視図に見られるように、結果として、誘電性プレート80は、導電性テーパ状突出部20が誘電性プレート80から離れるように延在している状態で、i-PCB10の表面を被覆する(したがって、それを閉塞する)。 7 and 8 show exploded side cross-sectional and perspective views, respectively, of an embodiment in which a dielectric tapered protrusion 70 is integrally contained within a dielectric plate 80. FIG. A conductive layer 72 coats each dielectric tapered protrusion 70 but has an insulating gap 82 that provides galvanic isolation between adjacent dielectric tapered protrusions 20 . The insulating gaps 82 are formed after coating by etching the coating away from the plate 80 between the conductive tapered protrusions 20 and galvanically isolating the conductive tapered protrusions from each other. 72 can be formed after coating. Alternatively, the insulating gaps 82 may, prior to coating, be such that the coating does not coat the plates within the conductive taper-to-tapered protrusions insulating gaps 82, thereby galvanically isolating the conductive tapered protrusions from each other. , can be defined prior to coating by depositing a masking material (not shown) on the plate 80 between the conductive tapered protrusions 20. As shown in FIG. As seen in the perspective view of FIG. 8, the resulting dielectric plate 80 covers the surface of the i-PCB 10 with the conductive tapered protrusions 20 extending away from the dielectric plate 80 . Cover (thus occlude it).

特に図7を参照すると、電気相互接続のための1つのアプローチでは、貫通孔82が、例証的プレート80および下層のi-PCB10を通して通過し、リベット、ねじ、または他の導電性締結具32’が、貫通孔82を通して通過し(図7が、分解図であることに留意されたい)、したがって、配設されると、i-PCB10を通して通過する、電気フィードスルー32’を形成する。(図8の斜視図が、単純化されていること、および締結具32’を描写していないことに留意されたい。)一体型の誘電性テーパ状突出部70および組み合わせられた締結具/フィードスルー32’を伴う誘電性プレート80の使用は、有利には、導電性テーパ状突出部20が精密な位置付けを用いて、はんだ付けを用いずに配設されることを可能にする。 Referring specifically to FIG. 7, in one approach for electrical interconnection, through-holes 82 pass through illustrative plate 80 and underlying i-PCB 10 to secure rivets, screws, or other conductive fasteners 32'. passes through through-hole 82 (note that FIG. 7 is an exploded view), thus forming electrical feed-through 32 ′ that passes through i-PCB 10 when disposed. (Note that the perspective view of FIG. 8 is simplified and does not depict fastener 32'.) Integral dielectric tapered protrusion 70 and combined fastener/feed. The use of dielectric plate 80 with through 32' advantageously allows conductive tapered protrusion 20 to be disposed with precision positioning and without soldering.

図6-8の実施形態では、導電性コーティング72が、誘電性テーパ状突出部70の外側表面上に配置される。本場合には、誘電性テーパ状突出部70は、中空または中実のいずれであってもよい。 In the embodiment of FIGS. 6-8, a conductive coating 72 is disposed on the outer surface of dielectric tapered protrusion 70. In the embodiment of FIGS. In this case, dielectric tapered protrusion 70 may be either hollow or solid.

図9および10を参照すると、誘電材料は、RF放射に対して実質的に透過的であるため、導電性コーティング72は、代わりに、(中空の)誘電性テーパ状突出部70の内側表面上にコーティングされてもよい。図9は、そのような実施形態の側面断面図を示す一方、図10は、斜視図を示す。図9および10の実施形態は、再び、誘電性テーパ状突出部70を含む誘電性プレート80を採用する。図10に見られるように、中空の誘電性テーパ状突出部70の内側表面上を導電性コーティング72でコーティングすることによって、これは、導電性コーティング72を一体型の誘電性テーパ状突出部70を含む誘電性プレート80による、外部からの接触から保護させる。これは、天候が問題となり得る環境において有用であり得る。 9 and 10, since the dielectric material is substantially transparent to RF radiation, the conductive coating 72 is instead deposited on the inner surface of the (hollow) dielectric tapered protrusion 70. may be coated with FIG. 9 shows a side cross-sectional view of such an embodiment, while FIG. 10 shows a perspective view. The embodiment of FIGS. 9 and 10 again employs a dielectric plate 80 that includes dielectric tapered protrusions 70 . As seen in FIG. 10, by coating the conductive coating 72 on the inner surface of the hollow dielectric tapered protrusion 70, this applies the conductive coating 72 to the integral dielectric tapered protrusion 70. is protected from external contact by a dielectric plate 80 containing This can be useful in environments where weather can be an issue.

種々の開示される側面が例証的実施例であること、および開示される特徴が、具体的実施形態では、種々に組み合わせられる、または省略され得ることを理解されたい。例えば、導電性テーパ状突出部20の例証的実施例のうちの1つまたはそれらの異形が、図2-5のQUADサブアセンブリ回路網構成を伴わずに採用され得る。逆に、図2-5のQUADサブアセンブリ回路網構成またはそれらの異形が、導電性テーパ状突出部20のための誘電体/コーティング構成を伴うことなく採用され得る。同様に、チップバラン30が、具体的な実施形態等において使用される場合とそうでない場合がある。 It is to be understood that the various disclosed aspects are illustrative examples, and that the disclosed features may be variously combined or omitted in particular embodiments. For example, one of the illustrative embodiments of conductive tapered protrusion 20 or variations thereof may be employed without the QUAD subassembly circuitry configuration of FIGS. 2-5. Conversely, the QUAD subassembly network configurations of FIGS. 2-5 or variations thereof may be employed without the dielectric/coating configuration for the conductive tapered protrusions 20. FIG. Similarly, chip balun 30 may or may not be used in particular embodiments and the like.

好ましい実施形態が、例証され、説明されている。明白なこととして、修正および改変が、前述の詳細な説明を熟読ならびに理解することに応じて、当業者に想起されるであろう。本発明が、添付の請求項またはそれらの均等物の範囲内に該当する限りにおいて、そのような修正および改変全てを含むものとして解釈されることが意図される。 Preferred embodiments have been illustrated and described. Obviously, modifications and alterations will occur to those skilled in the art upon a reading and understanding of the preceding detailed description. It is intended that the invention be construed as including all such modifications and alterations insofar as they come within the scope of the appended claims or the equivalents thereof.

Claims (24)

無線周波数(RF)開口であって、 A radio frequency (RF) aperture,
表側と、裏側とを有する、インターフェースプリント回路基板と、 an interface printed circuit board having a front side and a back side;
前記インターフェースプリント回路基板の表側に配置された基部を有し、前記インターフェースプリント回路基板の表側から離れるように延在する、導電性テーパ状突出部のアレイと、 an array of conductive tapered protrusions having a base located on the front side of the interface printed circuit board and extending away from the front side of the interface printed circuit board;
前記インターフェースプリント回路基板の裏側に搭載される、バランであって、各バランは、前記インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して前記導電性テーパ状突出部のアレイの2つの近隣する導電性テーパ状突出部と電気的に接続される、平衡ポートを有し、各バランはさらに、非平衡ポートを有する、バランと、 A balun mounted on the back side of the interface printed circuit board, each balun connecting two adjacent conductive strips of the array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. a balun having a balanced port electrically connected to the tapered protrusion, each balun further having an unbalanced port;
前記インターフェースプリント回路基板の裏側に配置され、前記バランの非平衡ポートと電気的に接続される、RF回路網と RF circuitry located on the backside of the interface printed circuit board and electrically connected to the unbalanced port of the balun;
を備える、RF開口。 an RF aperture.
前記バランは、チップバランを備え、前記RF回路網は、前記インターフェースプリント回路基板の裏側に搭載される、電子構成要素を備える、請求項1に記載のRF開口。 The RF aperture of claim 1, wherein said balun comprises a chip balun and said RF circuitry comprises electronic components mounted on the back side of said interface printed circuit board. 前記インターフェースプリント回路基板と平行に配置され、前記インターフェースプリント回路基板の裏側に面する、第2のプリント回路基板をさらに備え、 further comprising a second printed circuit board arranged parallel to the interface printed circuit board and facing the back side of the interface printed circuit board;
前記RF回路網は、前記第2のプリント回路基板上に搭載される、電子構成要素を備える、請求項1-2のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 1-2, wherein the RF circuitry comprises electronic components mounted on the second printed circuit board.
前記RF回路網は、前記バランの非平衡ポートの1つ以上の組み合わせを1つ以上のRFコネクタと接続する、RF電力分割器/結合器を備える、請求項1-3のいずれか1項に記載のRF開口。 4. The RF network of any one of claims 1-3, wherein the RF network comprises an RF power divider/combiner connecting one or more combinations of unbalanced ports of the balun with one or more RF connectors. RF aperture as described. 前記RF電力分割器/結合器は、複数のRFサブアセンブリとして相互接続され、各RFサブアセンブリは、前記バランの非平衡ポートのうちの4つ以上の亜集合を単一のRFコネクタと接続する、請求項4に記載のRF開口。 The RF power splitters/combiners are interconnected as multiple RF subassemblies, each RF subassembly connecting four or more subsets of the unbalanced ports of the balun with a single RF connector. 5. The RF aperture of claim 4. 前記RF回路網はさらに、複数のアナログ/デジタル(A/D)コンバータを備え、 the RF circuitry further comprising a plurality of analog-to-digital (A/D) converters;
前記RF電力分割器/結合器は、複数のRFサブアセンブリとして相互接続され、各RFサブアセンブリは、前記バランの非平衡ポートのうちの4つ以上の亜集合を単一のアナログ/デジタル(A/D)コンバータと接続する、請求項4に記載のRF開口。 The RF power dividers/combiners are interconnected as a plurality of RF subassemblies, each RF subassembly connecting four or more subsets of the unbalanced ports of the balun to a single analog/digital (A /D) The RF aperture of claim 4 in connection with a converter.
前記RF回路網は、前記バランの各非平衡ポートと接続される、信号調整回路を備え、各非平衡ポートと接続される前記信号調整回路は、 The RF network comprises a signal conditioning circuit connected with each unbalanced port of the balun, the signal conditioning circuit connected with each unbalanced port comprising:
RF伝送増幅器と、 an RF transmission amplifier;
RF受信増幅器と、 an RF receiving amplifier;
前記RF伝送増幅器を前記非平衡ポートと動作可能に接続する伝送モードと、RF受信増幅器を前記非平衡ポートと動作可能に接続する受信モードとの間で切り替えるように構成される、RF切替回路網と RF switching circuitry configured to switch between a transmit mode operably connecting the RF transmit amplifier with the unbalanced port and a receive mode operably connecting the RF receive amplifier with the unbalanced port. When
を含む、請求項1-6のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 1-6, comprising:
前記RF回路網は、前記RF開口を位相化アレイ指向性RF伝送機および/または位相化アレイ指向性RF受信機として動作させるように構成される、ビーム操向回路網を含む、請求項1-7のいずれか1項に記載のRF開口。 1- wherein said RF circuitry comprises beam steering circuitry configured to operate said RF aperture as a phased array directional RF transmitter and/or a phased array directional RF receiver; 8. The RF aperture of any one of 7. 前記導電性テーパ状突出部のアレイは、 The array of conductive tapered protrusions comprises:
誘電性テーパ状突出部と、 a dielectric tapered protrusion;
前記誘電性テーパ状突出部の表面上に配置される、導電性層と a conductive layer disposed on the surface of the dielectric tapered protrusion;
を備える、請求項1-8のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 1-8, comprising:
前記誘電性テーパ状突出部を含む、誘電性プレートを備える、請求項9に記載のRF開口。 10. The RF aperture of Claim 9, comprising a dielectric plate including the dielectric tapered protrusion. 前記誘電性テーパ状突出部は、中空であり、前記導電性層は、前記中空の誘電性テーパ状突出部の外側表面または内側表面上に配置される、請求項9-10のいずれか1項に記載のRF開口。 11. Any one of claims 9-10, wherein the dielectric tapered protrusion is hollow and the conductive layer is disposed on an outer surface or an inner surface of the hollow dielectric tapered protrusion. RF aperture as described in . 無線周波数(RF)開口を製造する方法であって、 A method of manufacturing a radio frequency (RF) aperture, comprising:
誘電性テーパ状突出部の表面を導電性層でコーティングし、導電性テーパ状突出部を形成することと、 coating a surface of the dielectric tapered protrusion with a conductive layer to form a conductive tapered protrusion;
前記導電性テーパ状突出部をインターフェースプリント回路基板の表側に搭載することと、 mounting the conductive tapered protrusion to the front side of an interface printed circuit board;
RF回路網を、前記インターフェースプリント回路基板および/または前記インターフェースプリント回路と平行に搭載される第2のプリント回路基板上に搭載することと、 mounting RF circuitry on said interface printed circuit board and/or on a second printed circuit board mounted parallel to said interface printed circuit;
前記RF回路網を前記導電性テーパ状突出部と電気的に接続することと electrically connecting the RF network with the conductive tapered protrusion;
を含む、方法。 A method, including
前記誘電性テーパ状突出部は、誘電性プレートの表面と一体型であり、前記誘電性プレートの表面から離れるように延在し、前記コーティングすることは、少なくとも前記一体型の誘電性テーパ状突出を含む、前記誘電性プレートをコーティングすることを含み、前記方法はさらに、 The dielectric tapered protrusion is integral with a surface of the dielectric plate and extends away from the surface of the dielectric plate, and the coating comprises at least the integral dielectric tapered protrusion. The method further comprises coating the dielectric plate comprising
前記コーティングすることの後に、前記導電性テーパ状突出部間の前記プレートから離れるように前記コーティングをエッチングし、前記導電性テーパ状突出部を相互から直流的に絶縁させること、または after the coating, etching the coating away from the plate between the conductive tapered protrusions to galvanically isolate the conductive tapered protrusions from one another; or
前記コーティングすることの前に、前記コーティングが前記導電性テーパ状突出部間の前記プレートをコーティングせず、それによって、前記導電性テーパ状突出部が相互から直流的に絶縁されるように、前記導電性テーパ状突出部間の前記プレート上にマスク材料を堆積させること prior to said coating such that said coating does not coat said plate between said conductive tapered protrusions, thereby galvanically isolating said conductive tapered protrusions from each other; depositing a masking material on the plate between the conductive tapered protrusions;
のうちの1つを含む、請求項12に記載の方法。 13. The method of claim 12, comprising one of:
前記RF回路網の搭載は、前記インターフェースプリント回路基板の裏側にバランを搭載することを含み、 mounting the RF network includes mounting a balun to the back side of the interface printed circuit board;
前記電気的に接続することは、前記インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して、前記バランの各平衡ポートを前記導電性テーパ状突出部のうちの2つと電気的に接続することを含む、請求項12-13のいずれか1項に記載の方法。 The electrically connecting electrically connects each balanced port of the balun with two of the conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. The method of any one of claims 12-13, comprising
無線周波数(RF)開口であって、 A radio frequency (RF) aperture,
表側と、裏側とを有する、インターフェースプリント回路基板と、 an interface printed circuit board having a front side and a back side;
前記インターフェースプリント回路基板の表側に配置された基部を有し、前記インターフェースプリント回路基板の表側から離れるように延在する、導電性テーパ状突出部のアレイであって、前記導電性テーパ状突出部は、誘電性テーパ状突出部と、前記誘電性テーパ状突出部の表面上に配置される、導電性層とを備える、導電性テーパ状突出部のアレイと、 An array of conductive tapered protrusions having a base located on the front side of the interface printed circuit board and extending away from the front side of the interface printed circuit board, the conductive tapered protrusions an array of conductive tapered protrusions comprising dielectric tapered protrusions and a conductive layer disposed on a surface of said dielectric tapered protrusions;
前記インターフェースプリント回路基板の裏側に配置され、前記インターフェースプリント回路基板を通して通過する電気フィードスルーを介して前記導電性テーパ状突出部のアレイと電気的に接続される、RF回路網と RF circuitry disposed on the back side of the interface printed circuit board and electrically connected to the array of conductive tapered protrusions via electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board;
を備える、RF開口。 an RF aperture.
前記誘電性テーパ状突出部を含む誘電性プレートを備え、前記導電性層は、前記誘電性テーパ状突出部が相互から直流的に絶縁されるように、前記誘電性テーパ状突出部間の前記プレートのコーティングする部分ではない、請求項15に記載のRF開口。 A dielectric plate comprising said dielectric tapered protrusions, said conductive layer being disposed between said dielectric tapered protrusions such that said dielectric tapered protrusions are galvanically isolated from each other. 16. The RF aperture of claim 15, which is not part of the plate to be coated. 前記誘電性テーパ状突出部は、中空である、請求項15-16のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 15-16, wherein the dielectric tapered protrusion is hollow. 前記RF回路網は、前記インターフェースプリント回路基板の裏側に搭載される、電子構成要素を備える、請求項15-17のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 15-17, wherein the RF circuitry comprises electronic components mounted on the back side of the interface printed circuit board. 前記インターフェースプリント回路基板と平行に配置され、前記インターフェースプリント回路基板の裏側に面する、第2のプリント回路基板をさらに備え、 further comprising a second printed circuit board arranged parallel to the interface printed circuit board and facing the back side of the interface printed circuit board;
前記RF回路網は、前記第2のプリント回路基板上に搭載される、電子構成要素を備える、請求項15-18のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 15-18, wherein the RF circuitry comprises electronic components mounted on the second printed circuit board.
前記RF回路網は、前記インターフェースプリント回路基板を通して通過する前記電気フィードスルーを介して、前記導電性テーパ状突出部のアレイ内で隣接する導電性テーパ状突出部の対を接続する、平衡ポートを伴うバランを含む、請求項15-19のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF network comprises balanced ports connecting pairs of adjacent conductive tapered protrusions within the array of conductive tapered protrusions via the electrical feedthroughs passing through the interface printed circuit board. The RF aperture of any one of claims 15-19, comprising an associated balun. 前記RF回路網はさらに、それぞれが2つのバランの前記非平衡ポートを接続する、第1レベルのRF電力分割器/結合器を含む、請求項20に記載のRF開口。 21. The RF aperture of claim 20, wherein said RF network further comprises first level RF power dividers/combiners each connecting said unbalanced ports of two baluns. 前記RF回路網はさらに、それぞれが2つの第1レベルのRF電力分割器/結合器を接続する、第2レベルのRF電力分割器/結合器を含む、請求項21に記載のRF開口。 22. The RF aperture of claim 21, wherein the RF network further includes second level RF power dividers/combiners each connecting two first level RF power dividers/combiners. 前記RF回路網はさらに、各バランの非平衡ポートと接続される、信号調整回路を含み、前記信号調整回路は、 The RF circuitry further includes signal conditioning circuitry coupled to the unbalanced port of each balun, the signal conditioning circuitry comprising:
RF伝送増幅器と、 an RF transmission amplifier;
RF受信増幅器と、 an RF receiving amplifier;
前記RF伝送増幅器を前記非平衡ポートと動作可能に接続する伝送モードと、RF受信増幅器を前記非平衡ポートと動作可能に接続する受信モードとの間で切り替えるように構成される、RF切替回路網と RF switching circuitry configured to switch between a transmit mode operably connecting the RF transmit amplifier with the unbalanced port and a receive mode operably connecting the RF receive amplifier with the unbalanced port. When
を含む、請求項20-22のいずれか1項に記載のRF開口。 The RF aperture of any one of claims 20-22, comprising:
前記RF回路網は、前記RF開口を位相化アレイ指向性RF伝送機および/または位相化アレイ指向性RF受信機として動作させるように構成される、ビーム操向回路網を含む、請求項15-23のいずれか1項に記載のRF開口。 15- wherein said RF circuitry comprises beam steering circuitry configured to operate said RF aperture as a phased array directional RF transmitter and/or a phased array directional RF receiver 24. The RF aperture of any one of clauses 23.
JP2021577574A 2019-04-26 2020-04-24 differential split aperture Pending JP2022536996A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962839121P 2019-04-26 2019-04-26
US62/839,121 2019-04-26
PCT/US2020/029696 WO2020219794A1 (en) 2019-04-26 2020-04-24 Differential segmented aperture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022536996A JP2022536996A (en) 2022-08-22
JPWO2020219794A5 true JPWO2020219794A5 (en) 2022-11-28

Family

ID=70554305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021577574A Pending JP2022536996A (en) 2019-04-26 2020-04-24 differential split aperture

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11362432B2 (en)
EP (1) EP3959779A1 (en)
JP (1) JP2022536996A (en)
KR (1) KR20220002452A (en)
AU (1) AU2020261055A1 (en)
CA (1) CA3137166A1 (en)
WO (1) WO2020219794A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3236883A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Battelle Memorial Institute Beam steering and nulling for a differentially segmented aperture antenna
WO2023077045A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Battelle Memorial Institute Beam steering and direction finding for a differentially segmented aperture antenna
WO2024030306A1 (en) * 2022-08-02 2024-02-08 Battelle Memorial Institute Multi-function scalable antenna array

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060038732A1 (en) * 2003-07-11 2006-02-23 Deluca Mark R Broadband dual polarized slotline feed circuit
US7420522B1 (en) * 2004-09-29 2008-09-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electromagnetic radiation interface system and method
US8482477B2 (en) * 2010-03-09 2013-07-09 Raytheon Company Foam layer transmission line structures
EP2727183B1 (en) * 2011-06-30 2016-11-16 Gapwaves AB Improved broadband multi-dipole antenna with frequency-independent radiation characteristics
US10145660B1 (en) * 2014-11-18 2018-12-04 Herbert U. Fluhler Land mine detection system
US9991605B2 (en) 2015-06-16 2018-06-05 The Mitre Corporation Frequency-scaled ultra-wide spectrum element
US10056699B2 (en) 2015-06-16 2018-08-21 The Mitre Cooperation Substrate-loaded frequency-scaled ultra-wide spectrum element
WO2017086855A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-26 Gapwaves Ab A self-grounded surface mountable bowtie antenna arrangement, an antenna petal and a fabrication method
US10778176B2 (en) * 2018-11-29 2020-09-15 Raytheon Company CMOS Guanella balun

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11552670B2 (en) Systems and methods for signal communication with scalable, modular network nodes
US11362432B2 (en) Differential segmented aperture
US9270027B2 (en) Notch-antenna array and method for making same
US11942688B2 (en) Conformal/omni-directional differential segmented aperture
EP0702424A1 (en) Antenna feed and beamforming network
KR20100055384A (en) Improvements in and relating to reconfigurable antenna
WO2009005912A2 (en) Notch antenna having a low profile stripline feed
JPWO2020219837A5 (en)
JPWO2020219794A5 (en)
JPWO2020220055A5 (en)
US11901930B1 (en) Radio frequency aperture with cooling assembly
US11967767B1 (en) Air interface plane for radio frequency aperture
US11936415B2 (en) Modular radio frequency aperture