JPWO2020105015A5 - - Google Patents
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Description
いくつかの実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）複数の第１のピクセルを含む第１の部分であって、複数の第１のピクセルは、第１のピクセル密度で配置されている、第１の部分と、（２）複数の第２のピクセルを含む第２の部分であって、複数の第２のピクセルは、第２のピクセル密度で配置されている、第２の部分と、を含み、第１のピクセル密度は、第２のピクセル密度よりも小さい。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中間領域と、
前記第２の領域に配設された導電性コーティングと、
前記第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を備え、
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの厚さよりも薄く、
前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの表面が、前記導電性コーティングを実質的に含まない、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目２）
前記導電性コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、項目１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の厚さ、および前記第２の領域において第２の厚さを有し、前記第２の厚さが、前記第１の厚さよりも厚い、項目２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４）
前記第１の厚さが、前記第２の厚さの約１０％以下である、項目３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５）
前記第２の厚さが、約５ｎｍ～約４０ｎｍである、項目３または４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目６）
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの前記厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの前記厚さの約２０％未満である、項目１～５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目７）
前記第２の領域が、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、項目１～６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記第１の領域が、光透過領域を含む、項目１～７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目９）
前記光透過領域における光透過率が、約５０％を超える、項目８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１０）
前記第２の領域が、放射領域を含む、項目１～９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１１）
前記中間領域が、前記第２の領域の周囲から前記第１の領域に向かって横方向に延在するように配置されている、項目１～１０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１２）
前記中間領域が、前記周囲から約１００ｎｍ～約４μｍ横方向に延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１３）
前記中間領域が、前記周囲から約３００ｎｍおよび約３μｍ延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１４）
前記中間領域が、前記第２の領域における前記導電性コーティングの前記厚さの約１０倍～約２５０倍の距離を前記周囲から横方向に延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１５）
前記中間領域における前記導電性コーティングの表面被覆率が、前記第２の領域における前記導電性コーティングの表面被覆率よりも小さい、項目１～１４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１６）
前記中間領域における前記導電性コーティングの前記表面被覆率が、約５％～約９５％である、項目１５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１７）
前記中間領域における前記導電性コーティングが、切り離されたクラスタを含む、項目１～１６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１８）
前記中間領域における前記導電性コーティングの平均粒子サイズが、前記第２の領域における前記導電性コーティングの平均粒子サイズよりも小さい、項目１～１７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１９）
前記中間領域における前記導電性コーティングの前記平均粒子サイズが、約１０ｎｍ～約５０ｎｍである、項目１８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２０）
前記第２の領域における前記導電性コーティングの前記平均粒子サイズが、約３０ｎｍよりも大きい、項目１８または１９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２１）
前記第２の領域における前記導電性コーティングの下に配設され、かつ前記導電性コーティングと直接接触する界面コーティングをさらに備える、項目１～２０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２２）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングの下に配置されるように横方向に延在する、項目２１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２３）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングと直接接触している、項目２２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２４）
前記界面コーティングが、核生成促進材料を含む、項目２１～２３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２５）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記核生成抑制コーティングの下に配置されている、項目２１～２４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２６）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の光透過率、および前記第２の領域において第２の光透過率を有し、前記第１の光透過率が、前記第２の光透過率よりも大きい、項目１～２５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２７）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の光反射率、および前記第２の領域において第２の光反射率を有し、前記第２の光反射率が、前記第１の光反射率よりも大きい、項目１～２６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２８）
前記導電性コーティングが、前記エレクトロルミネセントデバイスの電極の少なくとも一部分を形成する、項目１～２７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２９）
前記電極が、カソードである、項目２８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３０）
前記導電性コーティングが、マグネシウムを含む、項目１～２９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３１）
前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングの下に配設されるように横方向に延在する、項目１～３０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３２）
前記核生成抑制コーティングが、前記導電性コーティングの材料に対して約０．３以下の初期付着確率を有するように特徴付けられる、項目１～３１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３３）
補助電極をさらに備え、前記補助電極が、前記導電性コーティングに電気的に接続されている、項目１～３２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３４）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
複数の電極と、
前記複数の電極の上に配設されたバンクであって、前記バンクが、複数の第１のウェル領域および複数の第２のウェル領域を画定し、前記複数の第２のウェル領域が、前記バンクを通して前記複数の電極の表面を露出させる、バンクと、
前記複数の第２のウェル領域に配設された半導体層であって、前記半導体層が、前記複数の電極の前記表面を被覆する、半導体層と、
前記複数の第１のウェル領域に配設された核生成抑制コーティングと、
前記複数の第２のウェル領域において前記半導体層の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングの表面が、前記導電性コーティングを実質的に含まない、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目３５）
前記複数の第２のウェル領域が、放射領域に対応し、前記複数の第１のウェル領域が、前記エレクトロルミネセントデバイスの非放射領域に対応する、項目３４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３６）
前記複数の第１のウェル領域が、前記バンクを通って延在する開口を備える、項目３４または３５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３７）
前記エレクトロルミネセントデバイスを通る光透過率が、前記複数の第２のウェル領域におけるよりも前記複数の第１のウェル領域において大きい、項目３４～３６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３８）
前記複数の第１のウェル領域および前記複数の第２のウェル領域の各々が、複数のウェルを備える、項目３４～３７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３９）
各第２のウェル領域が、近隣の第１のウェル領域に隣接して配置されている、項目３４～３８のいずれかに記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４０）
前記複数の電極が、前記複数の第１のウェル領域において省かれている、項目３４～３９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４１）
前記半導体層が、前記複数の第１のウェル領域において配設されており、前記核生成抑制コーティングが、前記複数の第１のウェル領域において前記半導体層の上に配設されている、項目３４～４０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４２）
前記複数の第２のウェル領域において、前記導電性コーティングと前記半導体層との間に配設された界面コーティングをさらに備える、項目３４～４１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４３）
前記界面コーティングが、前記複数の第１のウェル領域において前記核生成抑制コーティングと前記半導体層との間に配設されている、項目４２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４４）
前記界面コーティングが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素、希土類元素のフッ化物、希土類元素の酸化物、フラーレン、および前述の２つ以上の混合物からなる群から選択された材料を含む、項目４２～４３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４５）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
複数の第１のピクセルを含む第１の部分であって、前記複数の第１のピクセルが、第１のピクセル密度で配置されている、第１の部分と、
複数の第２のピクセルを含む第２の部分であって、前記複数の第２のピクセルが、第２のピクセル密度で配置されている、第２の部分と、を備え、
前記第１のピクセル密度が、前記第２のピクセル密度よりも小さい、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目４６）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの光透過率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの光透過率よりも大きい、項目４５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４７）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率よりも小さい、項目４５または４６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４８）
各第１のピクセルが、複数の第１のサブピクセルをさらに含み、各第２のピクセルが、複数の第２のサブピクセルをさらに含む、項目４５～４７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４９）
前記第１の部分が、前記エレクトロルミネセントデバイスにおいて前記第２の部分に隣接して配置されている、項目４５～４８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５０）
前記第１の部分が、前記エレクトロルミネセントデバイスのエッジの近位に配置されている、項目４９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５１）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率と実質的に同じである、項目４５または項目４６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５２）
前記複数の第１のピクセルの第１のピクセルのサイズが、前記複数の第２のピクセルの第２のピクセルのサイズよりも大きい、項目５１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
According to some embodiments, an electroluminescent device includes: (1) a first portion including a plurality of first pixels, the plurality of first pixels arranged at a first pixel density; and (2) a second portion including a plurality of second pixels, the plurality of second pixels arranged at a second pixel density. and, wherein the first pixel density is less than the second pixel density.
The present invention provides, for example, the following.
(Item 1)
An electroluminescent device,
a first region, a second region, and an intermediate region disposed between the first region and the second region;
a conductive coating disposed on the second region;
a nucleation inhibiting coating disposed on the first region, the nucleation inhibiting coating extending to cover at least a portion of the intermediate region;
the thickness of the anti-nucleation coating in the intermediate region is less than the thickness of the anti-nucleation coating in the first region;
An electroluminescent device, wherein a surface of said nucleation suppression coating in said first region is substantially free of said conductive coating.
(Item 2)
2. The electroluminescent device of item 1, wherein the electrically conductive coating extends to cover at least a portion of the intermediate region.
(Item 3)
wherein said conductive coating has a first thickness in said intermediate region and a second thickness in said second region, said second thickness being greater than said first thickness; 2. An electroluminescent device according to claim 2.
(Item 4)
4. The electroluminescent device of item 3, wherein said first thickness is about 10% or less of said second thickness.
(Item 5)
5. An electroluminescent device according to item 3 or 4, wherein said second thickness is from about 5 nm to about 40 nm.
(Item 6)
6. The method of any one of clauses 1-5, wherein the thickness of the anti-nucleation coating in the intermediate region is less than about 20% of the thickness of the anti-nucleation coating in the first region. electroluminescent device.
(Item 7)
7. The optoelectronic device of any one of items 1-6, wherein the second region is substantially free of the nucleation suppression coating.
(Item 8)
8. The electroluminescent device of any one of items 1-7, wherein the first region comprises a light transmissive region.
(Item 9)
9. An electroluminescent device according to item 8, wherein the light transmission in said light transmissive regions is greater than about 50%.
(Item 10)
10. An electroluminescent device according to any one of items 1-9, wherein said second region comprises an emissive region.
(Item 11)
11. An electroluminescent device according to any preceding item, wherein the intermediate region is arranged to extend laterally from the perimeter of the second region towards the first region. .
(Item 12)
12. The electroluminescent device of item 11, wherein said intermediate region extends laterally from about 100 nm to about 4 μm from said perimeter.
(Item 13)
12. The electroluminescent device of item 11, wherein said intermediate region extends about 300 nm and about 3 [mu]m from said perimeter.
(Item 14)
12. The electroluminescent device of item 11, wherein said intermediate region laterally extends from said periphery a distance from about 10 to about 250 times said thickness of said conductive coating in said second region.
(Item 15)
15. An electroluminescent device according to any one of items 1 to 14, wherein the surface coverage of the electrically conductive coating in the intermediate region is less than the surface coverage of the electrically conductive coating in the second region.
(Item 16)
16. The electroluminescent device of item 15, wherein the surface coverage of the conductive coating in the intermediate region is from about 5% to about 95%.
(Item 17)
17. An electroluminescent device according to any one of items 1 to 16, wherein the conductive coating in the intermediate region comprises detached clusters.
(Item 18)
18. An electroluminescent device according to any preceding item, wherein the average particle size of the electrically conductive coating in the intermediate region is smaller than the average particle size of the electrically conductive coating in the second region.
(Item 19)
19. The electroluminescent device of item 18, wherein said average particle size of said conductive coating in said intermediate region is from about 10 nm to about 50 nm.
(Item 20)
20. The electroluminescent device of items 18 or 19, wherein the average particle size of the conductive coating in the second region is greater than about 30 nm.
(Item 21)
21. An electroluminescent device according to any one of the preceding items, further comprising an interfacial coating disposed under and in direct contact with the electrically conductive coating in the second region.
(Item 22)
22. An electroluminescent device according to item 21, wherein the interfacial coating extends laterally so as to be located under the conductive coating in the intermediate region.
(Item 23)
23. The electroluminescent device of item 22, wherein the interfacial coating is in direct contact with the conductive coating in the intermediate region.
(Item 24)
24. An electroluminescent device according to any one of items 21-23, wherein the interfacial coating comprises a nucleation promoting material.
(Item 25)
25. An electroluminescent device according to any one of items 21 to 24, wherein the interfacial coating is arranged below the nucleation suppression coating in the intermediate region.
(Item 26)
The conductive coating has a first light transmittance in the intermediate region and a second light transmittance in the second region, wherein the first light transmittance is equal to the second light transmittance. 26. An electroluminescent device according to any one of items 1 to 25, which is greater than.
(Item 27)
The conductive coating has a first light reflectance at the intermediate region and a second light reflectance at the second region, wherein the second light reflectance is equal to the first light reflectance. 27. An electroluminescent device according to any one of items 1 to 26, which is greater than.
(Item 28)
28. An electroluminescent device according to any one of the preceding items, wherein said electrically conductive coating forms at least part of an electrode of said electroluminescent device.
(Item 29)
29. Electroluminescent device according to item 28, wherein said electrode is a cathode.
(Item 30)
30. An electroluminescent device according to any one of items 1-29, wherein the electrically conductive coating comprises magnesium.
(Item 31)
31. An electroluminescent device according to any one of the preceding items, wherein the nucleation inhibiting coating extends laterally so as to be disposed below the conductive coating in the intermediate region.
(Item 32)
32. An electroluminescent device according to any one of the preceding items, wherein said nucleation inhibiting coating is characterized as having an initial sticking probability of about 0.3 or less with respect to the material of said conductive coating.
(Item 33)
33. An electroluminescent device according to any one of the preceding items, further comprising an auxiliary electrode, said auxiliary electrode being electrically connected to said conductive coating.
(Item 34)
An electroluminescent device,
a plurality of electrodes;
A bank disposed over the plurality of electrodes, the bank defining a plurality of first well regions and a plurality of second well regions, the plurality of second well regions comprising the a bank exposing a surface of the plurality of electrodes through the bank;
a semiconductor layer disposed in the plurality of second well regions, the semiconductor layer covering the surfaces of the plurality of electrodes;
a nucleation inhibiting coating disposed on the plurality of first well regions;
a conductive coating disposed over the semiconductor layer in the plurality of second well regions;
An electroluminescent device, wherein a surface of said nucleation inhibiting coating is substantially free of said conductive coating.
(Item 35)
35. The electroluminescent device of item 34, wherein the plurality of second well regions correspond to emissive regions and the plurality of first well regions correspond to non-emissive regions of the electroluminescent device.
(Item 36)
36. The electroluminescent device of item 34 or 35, wherein said plurality of first well regions comprises openings extending through said banks.
(Item 37)
37. The electroluminescent device of any one of items 34-36, wherein the light transmission through the electroluminescent device is greater in the plurality of first well regions than in the plurality of second well regions. .
(Item 38)
38. The electroluminescent device of any one of items 34-37, wherein each of said plurality of first well regions and said plurality of second well regions comprises a plurality of wells.
(Item 39)
39. An electroluminescent device according to any of items 34-38, wherein each second well region is arranged adjacent to a neighboring first well region.
(Item 40)
40. The electroluminescent device of any one of items 34-39, wherein the plurality of electrodes are omitted in the plurality of first well regions.
(Item 41)
Item 34, wherein the semiconductor layer is disposed in the plurality of first well regions, and the nucleation inhibiting coating is disposed on the semiconductor layer in the plurality of first well regions. 40. An electroluminescent device according to any one of claims 1-40.
(Item 42)
42. The electroluminescent device of any one of items 34-41, further comprising an interfacial coating disposed between the conductive coating and the semiconductor layer in the plurality of second well regions.
(Item 43)
43. The electroluminescent device of item 42, wherein the interfacial coating is disposed between the nucleation suppression coating and the semiconductor layer in the plurality of first well regions.
(Item 44)
wherein the interfacial coating comprises an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal fluoride, an alkaline earth metal fluoride, an alkaline earth metal oxide, a rare earth element, a rare earth fluoride, a rare earth oxide; 44. An electroluminescent device according to any one of items 42-43, comprising a material selected from the group consisting of fullerenes and mixtures of two or more of the foregoing.
(Item 45)
An electroluminescent device,
a first portion including a plurality of first pixels, the plurality of first pixels arranged at a first pixel density;
a second portion comprising a plurality of second pixels, the plurality of second pixels arranged at a second pixel density;
An electroluminescent device, wherein the first pixel density is less than the second pixel density.
(Item 46)
46. Electroluminescent device according to item 45, wherein the light transmittance of the electroluminescent device in the first portion is greater than the light transmittance of the electroluminescent device in the second portion.
(Item 47)
47. Electroluminescent device according to item 45 or 46, wherein the aperture ratio of the electroluminescent device in the first portion is smaller than the aperture ratio of the electroluminescent device in the second portion.
(Item 48)
48. The electroluminescent device of any one of items 45-47, wherein each first pixel further comprises a plurality of first sub-pixels and each second pixel further comprises a plurality of second sub-pixels. cent device.
(Item 49)
49. Electroluminescent device according to any one of items 45 to 48, wherein said first portion is arranged adjacent to said second portion in said electroluminescent device.
(Item 50)
50. The electroluminescent device of item 49, wherein said first portion is located proximal to an edge of said electroluminescent device.
(Item 51)
47. The electroluminescent device of item 45 or item 46, wherein the aperture ratio of the electroluminescent device in the first portion is substantially the same as the aperture ratio of the electroluminescent device in the second portion. .
(Item 52)
52. The electroluminescent device of item 51, wherein a size of a first pixel of said plurality of first pixels is larger than a size of a second pixel of said plurality of second pixels.
Claims (33)
第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中間領域と、
前記第２の領域に配設された導電性コーティングと、
前記第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を備え、
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの厚さよりも薄く、
前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの表面が、前記導電性コーティングを実質的に含まない、エレクトロルミネセントデバイス。 An electroluminescent device,
a first region, a second region, and an intermediate region disposed between the first region and the second region;
a conductive coating disposed on the second region;
a nucleation inhibiting coating disposed on the first region, the nucleation inhibiting coating extending to cover at least a portion of the intermediate region;
the thickness of the anti-nucleation coating in the intermediate region is less than the thickness of the anti-nucleation coating in the first region;
An electroluminescent device, wherein a surface of said nucleation suppression coating in said first region is substantially free of said conductive coating.
33. An electroluminescent device as claimed in any preceding claim, further comprising an auxiliary electrode, said auxiliary electrode being electrically connected to said conductive coating.
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