JPWO2020054005A1 - 高周波電源装置および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図5は、応用例1に係る複数の高周波電源装置を有する基板処理装置の概略構成を示す図である。応用例では、反応炉であるチャンバー10内に複数のアンテナANT1〜ANTnが設けられ、また、複数の高周波電源装置RFGD0〜RFGDnが設けられる。
図10A、図10Bは、応用例2に係る複数のアンテナを設けた反応炉の上面図である。図10A、図10Bは、基板処理装置1のチャンバー(反応炉)10の内部に、例示的に、16本のアンテナを配置した構成である。16本のアンテナは、チャンバー(反応炉)10に配置された基板の上側に位置するように、チャンバー(反応炉)10の天井側の壁部分に設けられている。基板は、たとえば、表示パネルの製造に利用されるガラス基板である。
10:チャンバー(反応炉)
MT1,MT2:整合器
ANT1,ANT2:アンテナ
RFGD:高周波電源装置
RFG1、RFG2:高周波電源部
RFCN1,RFCN2:高周波制御部
CNT:制御部
FFT1、FFT2:高速フーリエ変換部
DF1、DF2:デジタルフィルタ部
MTC1、MTC2:整合演算部
FCH1、FCH2:周波数可動部
COM1、COM2、CMM1、CMM2:通信部
CMM3:外部通信部
Claims (12)
- チャンバー内に設けた複数のアンテナのそれぞれに異なる周波数の高周波電力を供給する高周波電源装置であって、
前記高周波電源装置は、
前記複数のアンテナのそれぞれに異なる周波数の高周波電力を供給する複数の高周波電力部と、
前記複数の高周波電力部のそれぞれを制御する複数の高周波制御部と、を含み、
前記複数の高周波制御部の各々は、
高速フーリエ変換部と、フィルタ部と、を含み、
前記高速フーリエ変換部は、反射波として取り込まれた信号を高速フーリエ変換して周波数成分に分解し、
前記フィルタ部は、自身の高周波電力部から出力していない周波数成分の波を除去する、
高周波電源装置。 - 請求項1において、
前記複数のアンテナのそれぞれに供給される高周波電力の周波数の差分周波数は、前記フィルタ部によって除去可能な範囲である、高周波電源装置。 - 請求項1において、
前記複数のアンテナと前記複数の高周波電力部との間に設けられた複数の整合器を含む、高周波電源装置。 - チャンバー内に設けた第1アンテナおよび第2アンテナに接続された第1高周波電源装置を有し、
前記第1高周波電源装置は、
前記第1アンテナに第1周波数の高周波電力を供給する第1高周波電力部と、
前記第2アンテナに第2周波数の高周波電力を供給する第2高周波電力部と、
前記第1高周波電力部を制御する第1高周波制御部と、
前記第2高周波電力部を制御する第2高周波制御部と、
を含み、
前記第1高周波制御部および前記第2高周波制御部の各々は、
高速フーリエ変換部と、フィルタ部と、を含み、
前記高速フーリエ変換部は、反射波として取り込まれた信号を高速フーリエ変換して周波数成分に分解し、
前記フィルタ部は、自身の高周波電力部から出力していない周波数成分の波を除去する、
高周波電源装置。 - 請求項4において、
前記第2高周波制御部は、前記第1周波数と所定の整合アルゴリズムから算出した周波数との比較を行い、インピーダンス整合に使用する前記第2周波数を決定する、高周波電源装置。 - 請求項5において、
前記前記第1周波数と前記第2周波数の差分周波数は、前記フィルタ部によって除去可能な範囲である、高周波電源装置。 - 請求項6において、
前記差分周波数は、10kMHzである、高周波電源装置。 - 請求項5において、さらに、
前記チャンバー内に設けた第3アンテナおよび第4アンテナに接続された第2高周波電源装置を有し、
前記第2高周波電源装置は、
前記第3アンテナに第3周波数の高周波電力を供給する第3高周波電力部と、
前記第4アンテナに第4周波数の高周波電力を供給する第4高周波電力部と、
前記第3高周波電力部を制御する第3高周波制御部と、
前記第4高周波電力部を制御する第4高周波制御部と、
を含み、
前記第3高周波制御部および前記第4高周波制御部の各々は、
高速フーリエ変換部と、フィルタ部と、を含み、
前記高速フーリエ変換部は、反射波として取り込まれた信号を高速フーリエ変換して周波数成分に分解し、
前記フィルタ部は、自身の高周波電力部から出力していない周波数成分の波を除去する、
高周波電源装置。 - 請求項8において、
前記第3高周波制御部は、前記第1周波数および前記第2周波数と、所定の整合アルゴリズムから算出した周波数との比較を行い、インピーダンス整合に使用する前記第3周波数を決定し、
前記第4高周波制御部は、前記第3周波数と所定の整合アルゴリズムから算出した周波数との比較を行い、インピーダンス整合に使用する前記第4周波数を決定する、高周波電源装置。 - 請求項9において、
前記第3周波数および前記第4周波数の差分周波数は、前記フィルタ部によって除去可能な範囲である、高周波電源装置。 - 反応炉と、
前記反応炉内に行列状に配置された複数のアンテナと、
異なる周波数の高周波電力を供給する複数の高周波電力部と、を有し、
前記複数のアンテナは、複数のグループに分類され、
1つのグループに分離されたアンテナの各々は1つの高周波電力部から前記高周波電力を供給されるように、前記複数のアンテナは前記複数の高周波電力部に接続され、
1つのグループに分離されたアンテナの隣には、他のグループに分類されたアンテナが配置される、
基板処理装置。 - 請求項11において、
前記複数のグループの数は、前記複数のアンテナの数より少なく、
前記複数のグループの数は、前記複数の高周波電力部の数と同じである、基板処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024093697A1 (zh) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电容耦合等离子处理器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273731A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09120898A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-05-06 | Applied Materials Inc | 電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源 |
JP2004152606A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電源装置 |
JP2015211093A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
WO2017014210A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5401350A (en) * | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
US5571366A (en) * | 1993-10-20 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5907221A (en) * | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
US6707255B2 (en) | 2002-07-10 | 2004-03-16 | Eni Technology, Inc. | Multirate processing for metrology of plasma RF source |
JP2004228354A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Japan Science & Technology Agency | プラズマ生成装置 |
TW201041455A (en) | 2002-12-16 | 2010-11-16 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method, and substrate manufacturing method |
KR100783983B1 (ko) | 2003-01-16 | 2007-12-11 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 고주파 전력 공급장치 및 플라즈마 발생장치 |
WO2005010917A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Nanyang Technological University | An apparatus and method for generating uniform plasmas |
US7674394B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma process for inductively coupling power through a gas distribution plate while adjusting plasma distribution |
KR101151414B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2012-06-04 | 주식회사 플라즈마트 | 임피던스 정합 장치 |
US9336995B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-05-10 | Mks Instruments, Inc. | Multiple radio frequency power supply control of frequency and phase |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62273731A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09120898A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-05-06 | Applied Materials Inc | 電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源 |
JP2004152606A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電源装置 |
JP2015211093A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
WO2017014210A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024093697A1 (zh) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电容耦合等离子处理器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220115210A1 (en) | 2022-04-14 |
KR102541816B1 (ko) | 2023-06-13 |
KR20210024172A (ko) | 2021-03-04 |
US11901159B2 (en) | 2024-02-13 |
WO2020054005A1 (ja) | 2020-03-19 |
JP7058748B2 (ja) | 2022-04-22 |
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