JPWO2019081162A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019081162A5 JPWO2019081162A5 JP2020514189A JP2020514189A JPWO2019081162A5 JP WO2019081162 A5 JPWO2019081162 A5 JP WO2019081162A5 JP 2020514189 A JP2020514189 A JP 2020514189A JP 2020514189 A JP2020514189 A JP 2020514189A JP WO2019081162 A5 JPWO2019081162 A5 JP WO2019081162A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- polarized state
- electron beam
- polarized
- response signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
[0011] 本発明の一実施形態によれば、基板用の検査方法であって、
－半導体基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
－半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
－第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む検査方法が提供される。
[0011] According to one embodiment of the present invention, it is an inspection method for a substrate.
-Providing an electron beam with a first polarization state for a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the first response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the first polarization state with the sample.
-Providing an electron beam with a second polarization state for a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the second response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the second polarized state with the sample.
-Determining the geometric or material characteristics of the sample based on the first and second response signals,
Inspection methods including are provided.
[0012] 本発明の一実施形態によれば、
－第一偏極状態を有するｅビーム、及び第二偏極状態を有するｅビームを生成するように構成されたｅビーム源と、
－第一偏極状態を有する電子ビーム、及び第二偏極状態を有するｅビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
－第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号、及び第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
－第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む検査ツールが提供される。
[0012] According to one embodiment of the invention.
-With an e-beam source configured to generate an e-beam with a first polarization state and an e-beam with a second polarization state,
-A beam manipulator configured to guide an electron beam with a first polarization state and an e-beam with a second polarization state onto a sample.
-The first response signal of the sample caused by the interaction of the electron beam with the first polarized state with the sample, and the second response of the sample caused by the interaction with the sample of the electron beam having the second polarized state. With a detector configured to detect the signal,
-With a processing unit configured to determine the geometric or material characteristics of the sample based on the first and second response signals.
Inspection tools including are provided.
[0013] 本発明の一実施形態によれば、
－電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
－金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む電子ビーム源が提供される。
[0013] According to one embodiment of the invention.
-A tip-shaped Schottky emitter configured to emit an electron beam, for which the tip-shaped Schottky emitter contains a metal coating, and a tip-shaped Schottky emitter.
-With a magnetic field generator configured to magnetize the metal coating and thereby spin- polarize the electron beam during use,
An electron beam source including is provided.
[0048] 本発明の一実施形態によれば、半導体サンプルの検査のために、スピン偏極電子ビームを付与することが提案される。電子の固有磁気モーメントを使用することによって、電子ビームをスピン偏極させ、サンプルを検査するために、かかるｅビームを付与することが提案される。以下により詳細に説明するように、このような手法は、高分解能ＳＥＭなどの公知のＳＥＭベースの検査ツールの幾つかの向上をもたらし得ると考えられる。具体的には、以下の向上が実現され得ると期待される。
－より高い空間分解能の提供、
－オペレータが望むような幾何学的フィーチャに対する感度の調整及び増強、
－信号対雑音比の向上によるＳＥＭのスループットの増加。
[0048] According to one embodiment of the present invention, it is proposed to impart a spin- polarized electron beam for inspection of a semiconductor sample. It is proposed to spin- polarize the electron beam by using the intrinsic magnetic moment of the electron and apply such an e-beam to inspect the sample. As described in more detail below, it is believed that such techniques may result in some improvements in known SEM-based inspection tools such as high resolution SEMs. Specifically, it is expected that the following improvements can be realized.
-Providing higher spatial resolution,
-Adjusting and increasing sensitivity to geometric features as the operator desires,
-Increased SEM throughput due to improved signal-to-noise ratio.
[0049] 公知の高分解能ＳＥＭメトロロジでは、電子を使用して表面をスキャンする一方で、表面の像を再構築するために、その結果得られた放出二次電子及び／又は後方散乱電子が記録される。入射電子のスピンはランダムに配向され、典型的には、ＳＥＭの像形成に影響を与える要因として論じられない。しかし、関心のあるサンプルとの高分解能ＳＥＭ相互作用を表すシミュレーションに基づいて、異なる電子スピンを有する電子が、ｅビームを受けるサンプルにおいて、関心のあるサンプルとのスピン軌道相互作用（これは、材料依存特徴である）により、空間的／角度的に異なって散乱することを導出することができる。これは、図４に概略的に示される。図４は、表面４１２に激突した際に非偏極ｅビーム４１０によって生成されるような相互作用体積４１４を概略的に示す。図４に概略的に示すように、相互作用体積４１４は、σ-と表示される、負のスピン偏極を有する電子で主に占有される第一相互作用体積４１４．１と、σ+と表示される、正のスピン偏極を有する電子で主に占有される第二相互作用体積４１４．２との結果と見なすことができる。スピンに応じて異なって表現されるように、ｅビーム４００の電子は、異なる位置を占有し、又は異なる位置へと散乱する。 In known high resolution SEM metrology, electrons are used to scan the surface while the resulting emitted secondary and / or backscattered electrons are recorded to reconstruct the surface image. Will be done. The spins of incident electrons are randomly oriented and are typically not discussed as factors affecting SEM image formation. However, based on simulations representing high-resolution SEM interactions with the sample of interest, electrons with different electron spins undergo spin-orbit interaction with the sample of interest in the sample receiving the e-beam (this is the material). (It is a dependent feature), it is possible to derive that the scattering is spatially / angularly different. This is schematically shown in FIG. FIG. 4 schematically shows an interaction volume 414 as produced by the non- polarized e-beam 410 when hitting the surface 412. As schematically shown in FIG. 4, the interaction volume 414 is represented by σ - with the first interaction volume 414.1, which is mainly occupied by electrons with negative spin polarization , and σ + . It can be seen as a result of the second interaction volume 414.2, which is displayed and is predominantly occupied by electrons with positive spin polarization . The electrons in the e-beam 400 occupy different positions or scatter to different positions, as expressed differently depending on the spin.
[0050] 従って、スピン偏極電子のこの特徴を使用する際に、これらの電子が材料と相互作用する体積を再整形することが可能であるべきである。具体的には、ＳＥＭにおいて、スピン偏極ビームが走査電子ビームとして付与される場合には、相互作用体積、すなわち、ＳＥＭによって測定された信号を決定する体積が、電子ビームに対してもはや対称的ではない相互作用体積に再整形されると考えられる。 [0050] Therefore, when using this feature of spin- polarized electrons, it should be possible to reshape the volume in which these electrons interact with the material. Specifically, in the SEM, when the spin polarized beam is applied as a scanning electron beam, the interaction volume, that is, the volume that determines the signal measured by the SEM, is no longer symmetrical with respect to the electron beam. It is thought that it will be reformulated into an interaction volume that is not.
[0051] これは、図５に概略的に示される。図の左側の図５（ａ）は、電子ビーム５１０（－）（負のスピン偏極σ-を有する電子ビーム）が表面４１２に激突した際の表面４１２の下の相互作用体積５１４（－）を示し、図の右側の図５（ｂ）は、電子ビーム５１０（＋）（正のスピン偏極σ+を有する電子ビーム）が表面４１２に激突した際の表面４１２の下の相互作用体積５１４（＋）を示している。理解されるように、入射電子のスピン偏極を制御することによって、それらの相互作用体積を制御することができる。本発明者らは、スピン軌道結合が、相互作用体積に非対称性を導入するスピン選択性散乱をもたらすと考える。この非対称相互作用体積は、以下のように空間分解能の増加を可能にし得る。
－総相互作用体積は、僅かに狭くなり、従って電子の拡散を減少させ得る。
－以下により詳細に論じるように、エッジ付近で、信号のコントラストが改変され、場合によっては向上され得る。このコントラストの向上は、信号におけるエッジの位置決定を向上し得る。
[0051] This is schematically shown in FIG. FIG. 5 (a) on the left side of the figure shows the interaction volume 514 (-) under the surface 412 when the electron beam 510 ( - ) (electron beam having a negative spin polarization σ-) collides with the surface 412. 5 (b) on the right side of the figure shows the interaction volume 514 under the surface 412 when the electron beam 510 (+) (electron beam having a positive spin polarization σ + ) collides with the surface 412. (+) Is shown. As will be understood, by controlling the spin polarization of incident electrons, their interaction volume can be controlled. We believe that spin-orbit coupling results in spin-selective scattering, which introduces asymmetry into the interaction volume. This asymmetric interaction volume can allow for increased spatial resolution as follows.
-The total interaction volume will be slightly narrower, thus reducing the diffusion of electrons.
-As discussed in more detail below, the contrast of the signal can be modified and, in some cases improved, near the edges. This improvement in contrast can improve edge positioning in the signal.
[0052] 本発明の一実施形態では、この特徴を使用することにより、調べているサンプルの幾何学的又は材料特性がより正確に決定される。具体的には、本発明の一実施形態では、基板用の検査方法が提案され、この検査方法は、以下のステップ：
－基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
－応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む。
[0052] In one embodiment of the invention, this feature is used to more accurately determine the geometric or material properties of the sample being investigated. Specifically, in one embodiment of the present invention, an inspection method for a substrate is proposed, and the inspection method is described in the following steps:
-Providing an electron beam with a polarized state with respect to the sample on the substrate,
-To detect the response signal of a sample generated by the interaction of an electron beam with a polarized state with the sample,
-Determining the geometric characteristics of the sample based on the response signal,
including.
[0053] かかる実施形態では、電子ビームの偏極状態は、特定の程度にスピン偏極された電子ビームを指す。ｅビームのスピン偏極の程度ｐは、例えば、
ｎ+＝正のスピン偏極電子の数、
ｎ-＝負のスピン偏極電子の数、
ｎ＝電子の総数＝ｎ+＋ｎ-
[0053] In such an embodiment, the polarization state of the electron beam refers to an electron beam that is spin- polarized to a certain degree. The degree p of the spin polarization of the e-beam is, for example,
n + = number of positive spin- polarized electrons,
n-= number of negative spin - polarized electrons,
n = total number of electrons = n + + n-
[0054] 本発明の一実施形態では、サンプルを検査するために付与される電子ビームは、少なくとも１０％のスピン偏極の程度ｐを有する。好適な実施形態では、付与される電子ビームのスピン偏極の程度は、３０～５０％である。上記で示したように、偏極状態を有する電子ビームを使用した場合、相互作用体積のサイズが減少する。具体的には、図４の非偏極ビーム４１４の相互作用体積４１４を相互作用体積４１４．１又は４１４．２と比較すると、スピン偏極ビームの相互作用体積の幅、すなわち、Ｘ方向の相互作用体積のサイズは、非偏極ビームの相互作用体積の幅よりも小さいことを観察できる。その結果、スピン偏極ｅビームを用いてサンプルが検査される場合、付与されるより小さな相互作用体積により、向上した空間分解能でそれを検査することができる。 [0054] In one embodiment of the invention, the electron beam applied to inspect the sample has a degree of spin polarization p of at least 10%. In a preferred embodiment, the degree of spin polarization of the applied electron beam is 30-50%. As shown above, the size of the interaction volume is reduced when an electron beam with a polarized state is used. Specifically, when the interaction volume 414 of the non- polarized beam 414 in FIG. 4 is compared with the interaction volume 414.1 or 414.2, the width of the interaction volume of the spin- polarized beam, that is, the mutual in the X direction. It can be observed that the size of the working volume is smaller than the width of the interacting volume of the non- polarized beam. As a result, when a sample is inspected using a spin- polarized e-beam, it can be inspected with improved spatial resolution due to the smaller interaction volume imparted.
[0057] 本発明の更に別の実施形態では、少なくとも２つの連続した電子ビームを検査すべきサンプルに付与し、それによって、２つの電子ビームが異なる偏極状態を有する検査方法が提供される。かかる検査方法は、例えば、以下のステップ：
－例えば基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
－半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
－第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含み得る。
[0057] In yet another embodiment of the invention, an examination method is provided in which at least two consecutive electron beams are applied to a sample to be inspected, whereby the two electron beams have different polarization states. Such an inspection method may be described, for example, in the following steps:
-For example, to provide an electron beam having a first polarization state with respect to a sample of a substrate,
-To detect the first response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the first polarization state with the sample.
-Providing an electron beam with a second polarization state for a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the second response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the second polarized state with the sample.
-Determining the geometric or material characteristics of the sample based on the first and second response signals,
May include.
[0058] かかる検査方法を使用して、サンプルのより詳細な幾何学的又は材料特徴を調査することができる。これを図６に概略的に示す。図６は、３つの異なる幾何学的構造の電子ビームによるスキャンを概略的に示し、これにより、これらの構造は、σ-と表示される、負のスピン偏極を有する電子ビーム、σ+と表示される、正のスピン偏極を有する電子ビーム、及び「非偏極」と表示される、非偏極状態の電子ビームによってスキャンされる。グラフ（ａ）～（ｉ）は、異なる幾何学的構造が、３つの異なる電子ビームを用いてスキャンされた際に取得され得る検出器信号を示す。 [0058] Such inspection methods can be used to investigate more detailed geometric or material characteristics of the sample. This is schematically shown in FIG. FIG. 6 schematically shows scans with electron beams of three different geometric structures, whereby these structures are represented as σ - with an electron beam with negative spin polarization , σ + . Scanned by an electron beam with a positive spin polarization displayed, and an electron beam in a non- polarized state labeled "non-polarized". Graphs (a)-(i) show detector signals that can be obtained when different geometries are scanned using three different electron beams.
[0060] 実質的に水平な面６１２のスキャンに関して、３つの異なる電子ビーム、すなわち、σ-、σ+、及び「非偏極」を用いて取得された検出器信号が、実質的に同様の検出器信号になることが分かる。なお、検出器信号は、例えば、付与された電子ビームの強度の差を考慮に入れるために規格化されてもよい。 [0060] For a scan of a substantially horizontal surface 612, the detector signals obtained using three different electron beams, namely σ- , σ + , and "non - polarized", are substantially similar. It turns out that it becomes a detector signal. The detector signal may be standardized, for example, to take into account the difference in intensity of the applied electron beam.
[0061] 斜めの面６１４のスキャンに関して、３つの異なる電子ビーム、すなわち、σ-、σ+、及び「非偏極」を用いて取得された検出器信号が、異なる検出器信号になることが分かる。これは、３つの異なる電子ビームが、図４及び図５に示すように、異なる相互作用体積で表面をスキャンするという事実に起因し得る。そのため、付与された３つの異なる電子ビームからの任意の２つの信号を比較することによって、スキャンされた面６１４が傾きを有するという判定を行うことができる。図示したような配置では、面６１４は、負の傾きを有すると見なすことができる。かかる負の傾きは、σ-と表示される、負のスピン偏極を有する電子ビームを用いて面がスキャンされる場合に、比較的小さな検出器信号をもたらす。これは、負のスピン偏極を有する電子ビームの相互作用体積（例えば、図５に示すような体積５１４（－））において生成される後方散乱電子及び二次電子が、正のスピン偏極を有する電子ビームの相互作用体積（例えば、図５に示すような体積５１４（＋））において生成される後方散乱電子及び二次電子よりも、面６１４からより離れていることを考慮すれば、説明することができる。或いは、入射電子のスピン偏極に応じて、電子は、平均で、傾いた面により近くなる、或いは傾いた面からより遠く離れ得る。その結果、負のスピン偏極電子ビームによって取得された検出器信号は、正のスピン偏極電子ビームによって、又は非偏極電子ビームによって取得された検出器信号よりも低くなる。そのため、図６のグラフ（ｄ）～（ｆ）に示されるような信号の２つの任意の組み合わせに基づいて、スキャンされる面が斜めであると決定することができる。斜めの面の傾きが急であるほど、３つの異なる電子ビーム、すなわち、σ-、σ+、及び「非偏極」によって生成される検出器信号間の差が大きくなることも言える。そのため、従来の高分解能ＳＥＭでは、検出器の利得設定により、理想の平坦面と斜めの又は傾いた面を区別することは難しい、或いは恐らく不可能でさえあるが、本発明は、異なる偏極状態を有する少なくとも２つの電子ビームを用いて面を検査することによって、かかる区別をつけることを可能にする。本発明の一実施形態を用いて、傾きの方向及び大きさの両方を識別することができる。 [0061] With respect to the scan of the beveled surface 614, the detector signals obtained using three different electron beams, ie σ − , σ + , and “ non-polarized ”, may be different detector signals. I understand. This may be due to the fact that three different electron beams scan the surface with different interaction volumes, as shown in FIGS. 4 and 5. Therefore, it can be determined that the scanned surface 614 has an inclination by comparing any two signals from the three different electron beams imparted. In the arrangement as shown, the surface 614 can be considered to have a negative tilt. Such a negative slope results in a relatively small detector signal when the surface is scanned using an electron beam with a negative spin polarization , labeled σ-. This is because the backscattered electrons and secondary electrons generated in the interacting volume of the electron beam having a negative spin polarization (eg, volume 514 (-) as shown in FIG. 5) have a positive spin polarization . Considering that they are farther from the surface 614 than the backscattered and secondary electrons generated in the interacting volume of the electron beam having (eg, volume 514 (+) as shown in FIG. 5), the explanation is given. can do. Alternatively, depending on the spin polarization of the incident electrons, the electrons may, on average, be closer to or farther away from the tilted surface. As a result, the detector signal acquired by the negative spin- polarized electron beam is lower than the detector signal acquired by the positive spin- polarized electron beam or by the non- polarized electron beam. Therefore, it can be determined that the plane to be scanned is slanted based on any combination of the two signals as shown in graphs (d)-(f) of FIG. It can also be said that the steeper the slope of the beveled surface, the greater the difference between the detector signals produced by the three different electron beams, namely σ − , σ + , and “ non-polarized ”. Therefore, in conventional high resolution SEMs, it is difficult, or perhaps even impossible, to distinguish between an ideal flat surface and an oblique or tilted surface by the gain setting of the detector, but the present invention has different polarizations . It is possible to make such a distinction by inspecting the surface with at least two electron beams having a state. One embodiment of the invention can be used to identify both the direction and magnitude of tilt.
[0062] グラフ（ｇ）～（ｉ）は、高さの段差を有する面６１６がスキャンされた場合に取得され得る検出器信号を示す。見て分かるように、かかる高さの段差は、３つの異なる電子ビーム、すなわち、σ-、σ+、及び「非偏極」の検出器信号にも異なるように影響を与える。負の高さの段差が電子ビームによってスキャンされる場合、高さの段差近くをスキャンする際に、検出器信号において短い増加又はピーク６６０が観察され得るが、ｅビームが負の高さの段差を通過すると、短い減少又はディップ６５０が生じ得る。スピン偏極電子ビームを用いることによって、かかる状況において生じ得る非対称相互作用体積により、ピーク６６０及びディップ６５０の両方が影響を受け得る。グラフ（ｇ）及び（ｈ）から観察することができるように、電子ビームが高さの段差に近づく際に生じる短いディップ６６０は、負のスピン偏極電子ビームが付与される場合により小さくなり、正のスピン偏極電子ビームが付与される場合により大きくなる。そのため、本発明によれば、スピン偏極電子ビームの使用は、スピン偏極に応じて相互作用体積の形状を制御することを可能にする。これは、例えば高分解能ＳＥＭによって、どのようにジオメトリが測定されるかを修正することを許容する。高分解能ＳＥＭが典型的に用いられる主要ジオメトリは、構造のエッジ、すなわち高さの段差を観察することである（図６に提示される第三ジオメトリを参照）。図６のグラフ（ｇ）～（ｉ）及び図３に示すように、検出器信号は、エッジの一方の側で信号の増加を示し、信号の低下は、エッジの他方の側で認識され得る。この効果は、エッジ付近の電子が、最上面からだけでなく、エッジの側からも逃げることができる事実によってもたらされる（エッジブルーミングとも呼ばれる）。（スピン偏極電子ビームを用いて）相互作用体積をそれがエッジと限定的に（図６におけるσ-）相互作用するように制御又は再整形することによって、信号において、あまり顕著ではないピーク及びより顕著なディップ。反対のスピン偏極（図６におけるσ+）を使用した場合は、その反対が成り立つ。そのため、スピン偏極の付与の程度を調整することによって、エッジの感度を調整することができ、ＣＤ（クリティカルディメンジョン）測定の感度を上げることが可能になる。また、例えば図３又は図６に示されるように、エッジ構造に対して反対のスピン偏極を使用することによって取得された検出器信号間の差を考慮することによって、信号に対する平坦面による寄与を除去することができる。図６を参照して、例えば、グラフ（ｇ）とグラフ（ｈ）との間の差を決定し、この信号を処理して、高さの段差又はエッジの位置を決定することが可能である。平坦面に由来するかかる寄与は、典型的には、背景オフセット又は雑音と見なされる。そのため、上述の方法を用いることによって、高分解能ＳＥＭの信号対雑音比を増加させることができる。分解能又はエッジ感度を上げることの代わりに、これは、エリア当たりの測定時間の減少を可能にする。つまり、これは、技術のスループットの増加を可能にする。 [0062] Graphs (g)-(i) show detector signals that can be obtained when a surface 616 with a height step is scanned. As can be seen, the steps at such heights also affect three different electron beams, ie, σ- , σ + , and "non - polarized" detector signals differently. If a negative height step is scanned by the electron beam, a short increase or peak 660 may be observed in the detector signal when scanning near the height step, but the e-beam is a negative height step. After passing through, a short reduction or dip 650 may occur. By using a spin- polarized electron beam, both peak 660 and dip 650 can be affected by the asymmetric interaction volume that can occur in such situations. As can be observed from the graphs (g) and (h), the short dip 660 generated as the electron beam approaches the height step becomes smaller when a negative spin- polarized electron beam is applied. It becomes larger when a positive spin- polarized electron beam is applied. Therefore, according to the present invention, the use of a spin- polarized electron beam makes it possible to control the shape of the interaction volume according to the spin- polarized pole . This allows to modify how the geometry is measured, for example by a high resolution SEM. The main geometry for which high resolution SEMs are typically used is to observe the edges of the structure, i.e. the steps in height (see the third geometry presented in FIG. 6). As shown in graphs (g)-(i) and FIG. 3 of FIG. 6, the detector signal shows an increase in the signal on one side of the edge and a decrease in the signal can be perceived on the other side of the edge. .. This effect is brought about by the fact that electrons near the edge can escape not only from the top surface but also from the side of the edge (also called edge blooming). By controlling or reshaping the interaction volume (using a spin - polarized electron beam) so that it interacts specifically with the edge (σ- in FIG. 6), the peaks and less pronounced peaks in the signal and More prominent dip. When the opposite spin polarization (σ + in FIG. 6) is used, the opposite holds. Therefore, by adjusting the degree of spin polarization , the edge sensitivity can be adjusted, and the sensitivity of CD (critical dimension) measurement can be increased. Also, as shown in FIG. 3 or FIG. 6, the flat surface contribution to the signal by taking into account the differences between the detector signals obtained by using the opposite spin polarization for the edge structure. Can be removed. With reference to FIG. 6, for example, it is possible to determine the difference between graph (g) and graph (h) and process this signal to determine the position of the height step or edge. .. Such contributions from flat surfaces are typically considered as background offsets or noise. Therefore, by using the above method, the signal-to-noise ratio of the high-resolution SEM can be increased. Instead of increasing resolution or edge sensitivity, this allows for a reduction in measurement time per area. That is, this allows for an increase in technology throughput.
[0063] 上記で論じたように、本発明は、偏極状態を有する電子ビームを用いてサンプルを検査する検査方法を提供する。 [0063] As discussed above, the present invention provides an inspection method for inspecting a sample using an electron beam having a polarized state.
[0065] 一実施形態では、本発明による検査ツールは、以下のコンポーネント：
－スピン偏極ｅビームを生成するように構成されたｅビーム源と、
－電子ビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
－偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出するように構成された検出器と、
－応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含み得る。
[0065] In one embodiment, the inspection tool according to the invention has the following components:
-With an e-beam source configured to generate a spin- polarized e-beam,
-A beam manipulator configured to direct an electron beam onto the sample,
-A detector configured to detect the response signal of a sample generated by the interaction of an electron beam with a polarized state with the sample.
-With a processing unit configured to determine the geometric or material characteristics of the sample based on the response signal.
May include.
[0066] 一実施形態では、適用されたｅビーム源は、第一偏極状態を有するｅビーム、及び第二偏極状態を有するｅビームを生成するように構成され得る。図６を参照すると、第一偏極状態及び第二偏極状態は、例えば、説明したような３つの偏極状態であるσ-、σ+、及び「非偏極」の任意の組み合わせでよい。 [0066] In one embodiment, the applied e-beam source may be configured to generate an e-beam having a first polarized state and an e-beam having a second polarized state. Referring to FIG. 6, the first and second polarized states may be, for example, any combination of the three polarized states σ − , σ + , and “ non-polarized ” as described. ..
[0067] スピン偏極電子ビームの付与に関して、スピン偏極電子ビームは、例えば、円偏極赤外線レーザを用いてＧａＡｓカソードの照明を行うことによって生成され得ることが指摘され得る。そのため、本発明による検査ツールの一実施形態では、検査ツールは、ＧａＡｓカソードを含むスピン偏極電子ビーム源と、カソード上に円偏極レーザビームを発するように構成されたＩＲレーザとを含む。 With respect to the application of the spin- polarized electron beam, it can be pointed out that the spin- polarized electron beam can be generated, for example, by illuminating the GaAs cathode with a circularly polarized infrared laser. Therefore, in one embodiment of the inspection tool according to the present invention, the inspection tool includes a spin- polarized electron beam source including a GaAs cathode and an IR laser configured to emit a circularly polarized laser beam on the cathode.
[0070] 本発明の一態様によれば、改良ショットキーエミッタが提案され、改良ショットキーエミッタは、スピン偏極電子ビームの生成を可能にする。 [0070] According to one aspect of the invention, an improved shotkey emitter is proposed, which allows the generation of a spin- polarized electron beam.
[0071] ショットキーエミッタがスピン偏極電子を生成することを可能にするために、磁性金属コーティング又は層をエミッタに加えることが提案される。このようにすることで、放出された電子ビームをスピン偏極させることができる。しかしながら、また一方で、１８００Ｋで依然として強磁性の金属が存在しないことが注目され得る。最高キュリー（転移温度）は、Ｃｏの場合、１３８８Ｋであり、別の候補は、１０４３Ｋのキュリー温度を有するＦｅである。ショットキーエミッタの動作温度の低下（ひいては、出力輝度及び電流の減少）を回避するために、代わりに、材料の常磁性に依存することが提案される。エミッタに塗布される金属コーティング又は層を磁化するために、外部磁場が用いられ得る。かかる外部磁場は、金属層を磁化することができ、その結果として、電子ビームを偏極させる電子に対してスピンバリアを生成することができる。好適な実施形態では、金属層に関して、Ｆｅが、その高磁化率のために使用される。 It is proposed to add a magnetic metal coating or layer to the emitter to allow the Schottky emitter to generate spin- polarized electrons. By doing so, the emitted electron beam can be spin- polarized . However, on the other hand, it can be noted that there is still no ferromagnetic metal at 1800K. The highest Curie (transition temperature) is 1388K for Co and another candidate is Fe with a Curie temperature of 1043K. In order to avoid a decrease in the operating temperature of the Schottky emitter (and thus a decrease in output brightness and current), it is proposed to instead rely on the paramagnetism of the material. An external magnetic field can be used to magnetize the metal coating or layer applied to the emitter. Such an external magnetic field can magnetize the metal layer and, as a result, create a spin barrier for the electrons that polarize the electron beam. In a preferred embodiment, Fe is used for the metal layer due to its high magnetic susceptibility.
[0072] 図７は、検査ツールで使用され得る改良ショットキーエミッタの一実施形態を概略的に示す。図７の左側には、従来のショットキーエミッタ７１０が概略的に示され、エミッタ７１０は、ＺｒＯ２コーティング７３０を備えた先端形状Ｗコア７２０を有する。動作中、ショットキーエミッタ７１０は、電子ビーム７４０を生成することができ、それによって、矢印７５０で示されるビームの電子の偏極は、好ましい方向を持たない。そのため、生成された電子ビーム７４０は、非偏極である、又は非偏極状態にあると見なされ得る。 [0072] FIG. 7 schematically illustrates an embodiment of an improved shotkey emitter that can be used in an inspection tool. On the left side of FIG. 7, a conventional shotkey emitter 710 is schematically shown, which has a tip-shaped W core 720 with a ZrO2 coating 730. During operation, the shotkey emitter 710 can generate an electron beam 740, whereby the electron polarization of the beam indicated by arrow 750 does not have a preferred direction. Therefore, the generated electron beam 740 can be considered to be non- polarized or non- polarized .
[0073] 図７の右側には、本発明の一実施形態による改良ショットキーエミッタ８００が概略的に示されている。改良ショットキーエミッタ８００は、ＺｒＯ2コーティング８３０を備えた先端形状Ｗコア８２０を有する。エミッタ８００は、金属コーティング８４０、例えば、鉄又は第一鉄コーティングを更に含む。使用中に、ショットキーエミッタ８００が、矢印８５０で示される外部磁場で動作すると、電子ビーム８６０を生成することができ、この電子は、矢印８７０によって概略的に示される好ましい偏極を有する。 [0073] On the right side of FIG. 7, an improved shotkey emitter 800 according to an embodiment of the present invention is schematically shown. The improved shotkey emitter 800 has a tip-shaped W core 820 with a ZrO 2 coating 830. The emitter 800 further comprises a metal coating 840, for example an iron or iron coating. During use, the shotkey emitter 800 can generate an electron beam 860 when operated in the external magnetic field indicated by arrow 850, the electrons having the preferred polarization generally indicated by arrow 870.
[0074] 外部磁場８５０を生成するために、様々な選択肢がある。一実施形態では、外部磁場は、１つ又は複数の通電コイルによって生成され得る。かかるコイルは、例えば、エミッタ８００の近くに配置され、金属層８４０の磁化を可能にし得る。一実施形態では、１つ又は複数のコイルは、磁束をエミッタ８００にガイドするために強磁性ヨークなどの磁性ヨークに取り付けられてもよい。外部磁場を生成するための１つ又は複数のコイルの使用は、磁場の強さが簡単に調節されるという利点をもたらした。例えば、１つ又は複数のコイルへの電流を逆にすることによって、外部磁場を逆にすることができ、その結果として、電子ビーム８６０のスピン偏極を逆にすることができる。 [0074] There are various options for generating an external magnetic field 850. In one embodiment, the external magnetic field can be generated by one or more energizing coils. Such a coil may be placed near the emitter 800, for example, to allow magnetization of the metal layer 840. In one embodiment, one or more coils may be attached to a magnetic yoke, such as a ferromagnetic yoke, to guide the magnetic flux to the emitter 800. The use of one or more coils to generate an external magnetic field has provided the advantage that the strength of the magnetic field is easily adjusted. For example, by reversing the currents to one or more coils, the external magnetic field can be reversed, and as a result, the spin polarization of the electron beam 860 can be reversed.
[0080] 実施形態は、以下の条項を使用して更に記述することができる。
１．基板用の検査方法であって、
－半導体基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
－半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
－第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む、方法。
２．幾何学的特徴が、サンプルの傾きである、条項１に記載の検査方法。
３．幾何学的特徴が、サンプルのトポグラフィ特徴である、条項１に記載の検査方法。
４．第一偏極状態が、非偏極状態であり、及び第二偏極状態が、偏極状態である、条項１に記載の検査方法。
５．第一偏極状態が、偏極状態であり、及び第二偏極状態が、偏極状態である、条項１に記載の検査方法。
６．第一偏極状態が、負の偏極状態であり、及び第二偏極状態が、正の偏極状態である、条項５に記載の検査方法。
７．偏極状態の偏極の程度が、少なくとも１０％である、条項４、５、又は６に記載の検査方法。
８．基板用の検査方法であって、
－基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
－応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む、検査方法。
９．幾何学的特徴が、サンプルの傾きである、条項８に記載の検査方法。
１０．幾何学的特徴が、サンプルのトポグラフィ特徴である、条項８に記載の検査方法。１１．偏極状態の偏極の程度が、少なくとも１０％である、条項８、９、又は１０に記載の検査方法。
１２．半導体基板用の検査方法であって、
－半導体基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
－偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
－応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む、検査方法。
１３．偏極状態の偏極の程度が、少なくとも１０％である、条項１２に記載の検査方法。１４．先行する条項の何れか一項に記載の検査方法を行うように構成された検査ツール。
１５．検査ツールであって、
－第一偏極状態を有するｅビーム、及び第二偏極状態を有するｅビームを生成するように構成されたｅビーム源と、
－第一偏極状態を有する電子ビーム、及び第二偏極状態を有するｅビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
－第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号、及び第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
－第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む、検査ツール。
１６．ｅビーム源が、
－電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
－金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、条項１５に記載の検査ツール。
１７．金属コーティングが鉄を含む、条項１６に記載の検査ツール。
１８．電子ビーム源であって、
－電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
－金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、電子ビーム源。
１９．ショットキーエミッタが、ＺｒＯ2コーティングを備えたタングステンコアを含む、条項１８に記載の電子ビーム源。
２０．放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスが、パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることが可能である、サポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を含むリソグラフィ装置であって、
装置が、条項１４～１７の何れか一項に記載の検査ツールを更に含む、リソグラフィ装置。
[0080] The embodiments can be further described using the following provisions.
1. 1. It is an inspection method for boards,
-Providing an electron beam with a first polarization state for a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the first response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the first polarization state with the sample.
-Providing an electron beam with a second polarization state for a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the second response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam with the second polarized state with the sample.
-Determining the geometric or material characteristics of the sample based on the first and second response signals,
Including, how.
2. 2. The inspection method according to Clause 1, wherein the geometric feature is the tilt of the sample.
3. 3. The inspection method according to clause 1, wherein the geometric feature is a topographic feature of the sample.
4. The inspection method according to Article 1, wherein the first polarized state is a non- polarized state, and the second polarized state is a polarized state.
5. The inspection method according to Article 1, wherein the first polarized state is a polarized state, and the second polarized state is a polarized state.
6. The inspection method according to Article 5, wherein the first polarized state is a negative polarized state, and the second polarized state is a positive polarized state.
7. The inspection method according to Article 4, 5, or 6, wherein the degree of polarization in the polarized state is at least 10%.
8. It is an inspection method for boards,
-Providing an electron beam with a polarized state with respect to the sample on the substrate,
-To detect the response signal of a sample generated by the interaction of an electron beam with a polarized state with the sample,
-Determining the geometric characteristics of the sample based on the response signal,
Inspection methods, including.
9. The inspection method according to clause 8, wherein the geometric feature is the tilt of the sample.
10. The inspection method according to clause 8, wherein the geometric feature is a topographic feature of the sample. 11. The inspection method according to Article 8, 9, or 10, wherein the degree of polarization in the polarized state is at least 10%.
12. This is an inspection method for semiconductor substrates.
-Providing an electron beam with a polarized state with respect to a sample of a semiconductor substrate,
-To detect the response signal of a sample generated by the interaction of an electron beam with a polarized state with the sample,
-Determining the geometric or material characteristics of the sample based on the response signal,
Inspection methods, including.
13. The inspection method according to Article 12, wherein the degree of polarization in the polarized state is at least 10%. 14. An inspection tool configured to perform the inspection method described in any one of the preceding clauses.
15. It ’s an inspection tool,
-With an e-beam source configured to generate an e-beam with a first polarization state and an e-beam with a second polarization state,
-A beam manipulator configured to guide an electron beam with a first polarization state and an e-beam with a second polarization state onto a sample.
-The first response signal of the sample caused by the interaction of the electron beam with the first polarized state with the sample, and the second response of the sample caused by the interaction with the sample of the electron beam having the second polarized state. With a detector configured to detect the signal,
-With a processing unit configured to determine the geometric or material characteristics of the sample based on the first and second response signals.
Including inspection tools.
16. The e-beam source is
-A tip-shaped Schottky emitter configured to emit an electron beam, for which the tip-shaped Schottky emitter contains a metal coating, and a tip-shaped Schottky emitter.
-With a magnetic field generator configured to magnetize the metal coating and thereby spin- polarize the electron beam during use,
The inspection tool described in Clause 15, including.
17. The inspection tool according to clause 16, wherein the metal coating contains iron.
18. It is an electron beam source
-A tip-shaped Schottky emitter configured to emit an electron beam, for which the tip-shaped Schottky emitter contains a metal coating, and a tip-shaped Schottky emitter.
-With a magnetic field generator configured to magnetize the metal coating and thereby spin- polarize the electron beam during use,
Including electron beam source.
19. 28. The electron beam source according to clause 18, wherein the shotkey emitter comprises a tungsten core with a ZrO 2 coating.
20. A lighting system configured to regulate the radiant beam,
A support constructed to support a patterning device, wherein the patterning device can give a pattern to the cross section of the radiated beam in order to form a patterned radiated beam.
With a board table built to hold the board,
A projection system configured to project a patterned radiant beam onto the target portion of the substrate,
Is a lithography equipment including
A lithography apparatus, wherein the apparatus further comprises the inspection tool according to any one of clauses 14-17.
Claims (13)
前記基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
前記第一偏極状態を有する前記電子ビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第一応答信号を検出することと、
前記基板の前記サンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
前記第二偏極状態を有する前記電子ビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第二応答信号を検出することと、
前記第一応答信号及び前記第二応答信号を比較することによって、前記サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む、検査方法。 It is an inspection method for boards,
To provide an electron beam having a first polarization state with respect to the sample of the substrate ,
To detect the first response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam having the first polarization state with the sample.
To provide an electron beam having a second polarization state with respect to the sample of the substrate .
To detect the second response signal of the sample generated by the interaction of the electron beam having the second polarization state with the sample.
Determining the geometric characteristics of the sample by comparing the first response signal and the second response signal.
Inspection methods, including.
前記第一偏極状態を有する前記ｅビーム、及び前記第二偏極状態を有する前記ｅビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
前記第一偏極状態を有する前記ｅビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第一応答信号、及び前記第二偏極状態を有する前記ｅビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
前記第一応答信号及び前記第二応答信号を比較することによって、前記サンプルの幾何学的特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む、検査ツール。 An e-beam source configured to generate an e-beam having a first polarized state and an e-beam having a second polarized state,
A beam manipulator configured to guide the e-beam having the first polarized state and the e -beam having the second polarized state onto a sample.
The first response signal of the sample generated by the interaction of the e -beam having the first polarized state with the sample, and the interaction of the e -beam having the second polarized state with the sample. A detector configured to detect the second response signal of the sample,
A processing unit configured to determine the geometric characteristics of the sample by comparing the first response signal and the second response signal.
Including inspection tools.
電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、前記先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
前記金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に前記電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、請求項８に記載の検査ツール。 The e-beam source is
A tip-shaped Schottky emitter configured to emit an electron beam, wherein the tip-shaped Schottky emitter comprises a metal coating.
A magnetic field generator configured to magnetize the metal coating and thereby spin- polarize the electron beam during use.
8. The inspection tool according to claim 8.
前記金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に前記電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、請求項８～１０に記載の検査ツール用の電子ビーム源。 A tip-shaped Schottky emitter configured to emit an electron beam, wherein the tip-shaped Schottky emitter comprises a metal coating.
A magnetic field generator configured to magnetize the metal coating and thereby spin- polarize the electron beam during use.
The electron beam source for the inspection tool according to claim 8-10.
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、前記パターニングデバイスが、パターン形成された放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることが可能である、サポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を含む、リソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が、請求項８～１０の何れか一項に記載の検査ツールを更に含む、リソグラフィ装置。 A lighting system configured to regulate the radiant beam,
A support constructed to support a patterning device, wherein the patterning device can impart a pattern to the cross section of the radiated beam in order to form a patterned radiated beam.
With a board table built to hold the board,
A projection system configured to project the patterned radiant beam onto the target portion of the substrate.
Is a lithographic device, including
A lithographic device, wherein the lithographic device further includes the inspection tool according to any one of claims 8 to 10.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP17198202.8 | 2017-10-25 | ||
| EP17198202.8A EP3477390A1 (en) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | Inspection tool, lithographic apparatus, electron beam source and an inspection method |
| PCT/EP2018/076639 WO2019081162A1 (en) | 2017-10-25 | 2018-10-01 | Inspection tool, lithographic apparatus, electron beam source and an inspection method |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021500590A JP2021500590A (en) | 2021-01-07 |
| JPWO2019081162A5 true JPWO2019081162A5 (en) | 2022-04-19 |
| JP7134226B2 JP7134226B2 (en) | 2022-09-09 |
Family
ID=60182442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020514189A Active JP7134226B2 (en) | 2017-10-25 | 2018-10-01 | Inspection tool, lithographic apparatus, electron beam source, and inspection method |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11243179B2 (en) |
| EP (1) | EP3477390A1 (en) |
| JP (1) | JP7134226B2 (en) |
| IL (1) | IL274051B2 (en) |
| TW (1) | TWI708936B (en) |
| WO (1) | WO2019081162A1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4118672A1 (en) * | 2020-03-11 | 2023-01-18 | ASML Netherlands B.V. | Systems and methods for signal electron detection |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1922821A1 (en) * | 1969-05-05 | 1970-11-12 | Siemens Ag | Cathode to produce spin polarized electron - beams |
| JP2760508B2 (en) * | 1988-06-23 | 1998-06-04 | 工業技術院長 | Scanning tunnel microscope |
| US5612535A (en) | 1996-06-07 | 1997-03-18 | Wang; Youqi | Spin-split scanning electron microscope |
| EP1068630B1 (en) * | 1998-03-10 | 2005-07-20 | Erik Essers | Scanning electron microscope |
| US6566655B1 (en) | 2000-10-24 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multi-beam SEM for sidewall imaging |
| US7601953B2 (en) * | 2006-03-20 | 2009-10-13 | Alis Corporation | Systems and methods for a gas field ion microscope |
| JP4413767B2 (en) * | 2004-12-17 | 2010-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Pattern inspection device |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| CN101075015B (en) | 2006-05-19 | 2010-08-25 | 清华大学 | Polarized electronic emitting source and self-rotating polarized scanning tunnel microscope |
| US9257257B2 (en) * | 2006-06-30 | 2016-02-09 | Shimadzu Corporation | Electron beam control method, electron beam generating apparatus, apparatus using the same, and emitter |
| US8508015B2 (en) * | 2007-05-17 | 2013-08-13 | Canterprise Limited | Schottky-like contact and method of fabrication |
| US8289527B2 (en) * | 2010-04-01 | 2012-10-16 | Tokyo Electron Limited | Optimization of ray tracing and beam propagation parameters |
| US8536773B2 (en) * | 2011-03-30 | 2013-09-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Electron beam source and method of manufacturing the same |
| JP2014127224A (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Hitachi Ltd | Analyzer |
| WO2014198516A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining critical-dimension-related properties, inspection apparatus and device manufacturing method |
| CN106458577A (en) * | 2014-03-17 | 2017-02-22 | 马渊真人 | Elementary element |
| JP6516327B2 (en) * | 2015-06-11 | 2019-05-22 | 国立大学法人名古屋大学 | Scanning electron microscope to detect backscattered electrons |
| JP6578436B2 (en) * | 2015-10-08 | 2019-09-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Topography measurement system |
-
2017
- 2017-10-25 EP EP17198202.8A patent/EP3477390A1/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-10-01 JP JP2020514189A patent/JP7134226B2/en active Active
- 2018-10-01 WO PCT/EP2018/076639 patent/WO2019081162A1/en active Application Filing
- 2018-10-01 US US16/652,231 patent/US11243179B2/en active Active
- 2018-10-17 TW TW107136447A patent/TWI708936B/en active
-
2020
- 2020-04-19 IL IL274051A patent/IL274051B2/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7368713B2 (en) | Method and apparatus for inspecting semiconductor device | |
| US20090039258A1 (en) | Scanning Electron Microscope And Method For Detecting An Image Using The Same | |
| US6218671B1 (en) | On-line dynamic corrections adjustment method | |
| US9437395B2 (en) | Method and compound system for inspecting and reviewing defects | |
| Postek et al. | Review of current progress in nanometrology with the helium ion microscope | |
| WO2002075772A2 (en) | Simultaneous flooding and inspection for charge control in an electron beam inspection machine | |
| JP2001074437A (en) | Device and method for inspecting circuit pattern | |
| US9006654B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US7705298B2 (en) | System and method to determine focus parameters during an electron beam inspection | |
| JPH02230649A (en) | Sample testing method for particle beam apparatus | |
| WO2006103937A1 (en) | Scanning probe microscope system | |
| JP5308624B2 (en) | System and method for determining cross-sectional characteristics of a structural element using a reference structural element | |
| US8478021B2 (en) | Charged beam device | |
| JP2016189335A (en) | Specimen observation method and device | |
| JPWO2019081162A5 (en) | ||
| US20040000638A1 (en) | Undercut measurement using sem | |
| JP2000286310A (en) | Method and apparatus for inspecting pattern defects | |
| US8008629B2 (en) | Charged particle beam device and method for inspecting specimen | |
| JP2004227879A (en) | Pattern inspection method and pattern inspection device | |
| JP7134226B2 (en) | Inspection tool, lithographic apparatus, electron beam source, and inspection method | |
| JP2008052935A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP2007003539A (en) | Circuit pattern inspection device | |
| JP2007234263A (en) | Beam intensity distribution measurement method of charged particle beam, and charged particle beam device | |
| JP2000077019A (en) | Electron microscope | |
| KR101377938B1 (en) | Medium Energy Ion Scattering spectrometer |