JPWO2018020555A1 - Scintillator sensor substrate and method for manufacturing scintillator sensor substrate - Google Patents
Scintillator sensor substrate and method for manufacturing scintillator sensor substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018020555A1 JPWO2018020555A1 JP2018530216A JP2018530216A JPWO2018020555A1 JP WO2018020555 A1 JPWO2018020555 A1 JP WO2018020555A1 JP 2018530216 A JP2018530216 A JP 2018530216A JP 2018530216 A JP2018530216 A JP 2018530216A JP WO2018020555 A1 JPWO2018020555 A1 JP WO2018020555A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- sensor substrate
- blocks
- block
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
シンチレータセンサ基板は、基板に複数のフォトディテクタを有するフォトディテクタアレイが形成されたシンチレータセンサ基板であり、フォトディテクタ毎に設けられ、互いに独立して形成された複数のシンチレータブロックを備えているので、容易に製造可能で、鮮鋭度を維持でき曲げなどに対しても適応できる。The scintillator sensor substrate is a scintillator sensor substrate in which a photodetector array having a plurality of photodetectors is formed on the substrate. Since the scintillator sensor substrate includes a plurality of scintillator blocks that are provided for each photodetector and are formed independently of each other, they are easily manufactured. It is possible to maintain sharpness and adapt to bending.
Description
本発明は、シンチレータセンサ基板及びシンチレータセンサ基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a scintillator sensor substrate and a method for manufacturing the scintillator sensor substrate.
近年、医療、工業用のX線撮影では、感光フィルムが用いられてきたが、リアルタイム性や維持管理費の観点から放射線イメージセンサを備えた放射線イメージングシステムが普及してきている。 In recent years, photosensitive films have been used in medical and industrial X-ray photography, but radiation imaging systems equipped with a radiation image sensor have become widespread from the viewpoint of real-time performance and maintenance costs.
このような放射線イメージングシステムに適用可能な放射線イメージセンサとしては、様々考えられるが、一例として、フラットパネルディテクタが挙げられる(例えば、特許文献1参照)。
従来、フラットパネルディテクタとしては、シンチレータを用いた間接変換方式が知られている。Various radiation image sensors applicable to such a radiation imaging system are conceivable, but a flat panel detector is an example (see, for example, Patent Document 1).
Conventionally, as a flat panel detector, an indirect conversion method using a scintillator is known.
間接変換方式のフラットパネルディテクタは、入射したX線をシンチレータにより可視光の蛍光に変換し、光電変換素子(例えば、フォトダイオード)をアレイ状に配置した光電変換素子アレイにより入射した光の強弱を電荷量の大小に変換する。
そして、光電変換素子アレイの電荷は、各光電変換素子と一対になったTFTトランジスタにより電流信号に変換され、さらに電流量に応じたディジタル信号に変換されて出力される。An indirect conversion type flat panel detector converts incident X-rays into visible light fluorescence by a scintillator, and determines the intensity of incident light by a photoelectric conversion element array in which photoelectric conversion elements (for example, photodiodes) are arranged in an array. Convert to the amount of charge.
Then, the electric charge of the photoelectric conversion element array is converted into a current signal by a TFT transistor paired with each photoelectric conversion element, and further converted into a digital signal corresponding to the amount of current and output.
ところで、従来の2次元画像取得用のシンチレータセンサ基板では、TFT/PDセンサ基板上の全面に、シンチレータ、例えばCsI(Tl)、が真空蒸着されている。蒸着された、例えばCsI(Tl)、は柱状結晶に成長し、該結晶構造がその内部で発生したシンチレーション光を効率よくPDまで導く導光管の役目を果たす為、一定以上の輝度、画像鮮鋭度を実現している。
シンチレータ膜厚数百μmの真空蒸着には、高精度の蒸着レートコントロール、坩堝の温度コントロール等が必要とされる。
また、曲げ可能なフレキシブルセンサ基板に対しては、曲げた時の曲げ応力によるシンチレータのセンサ基板からの剥がれ、割れ等が懸念されていた。By the way, in the conventional scintillator sensor substrate for acquiring a two-dimensional image, a scintillator, for example, CsI (Tl) is vacuum-deposited on the entire surface of the TFT / PD sensor substrate. The deposited CsI (Tl), for example, grows into a columnar crystal, and the crystal structure serves as a light guide tube that efficiently guides the scintillation light generated therein to the PD. The degree is realized.
High-precision deposition rate control, crucible temperature control, and the like are required for vacuum deposition with a scintillator film thickness of several hundred μm.
In addition, the flexible sensor substrate that can be bent has been worried that the scintillator may be peeled off from the sensor substrate due to bending stress when it is bent, or cracked.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、容易に製造可能で、鮮鋭度を維持でき曲げなどに対しても適応可能なシンチレータセンサ基板及びシンチレータセンサ基板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above, and provides a scintillator sensor substrate that can be easily manufactured, can maintain sharpness, and can be adapted to bending, and a method for manufacturing the scintillator sensor substrate. is there.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、シンチレータセンサ基板は、基板に複数のフォトディテクタを有するフォトディテクタアレイが形成されたシンチレータセンサ基板である。
そして、シンチレータセンサ基板は、フォトディテクタ毎に設けられた複数のシンチレータブロックを備えている。In order to solve the above-described problems and achieve the object, the scintillator sensor substrate is a scintillator sensor substrate in which a photodetector array having a plurality of photodetectors is formed on the substrate.
The scintillator sensor substrate includes a plurality of scintillator blocks provided for each photodetector.
この場合において、シンチレータブロックは、互いに独立して配置されているようにしてもよい。 In this case, the scintillator blocks may be arranged independently of each other.
また、独立して配置とは、シンチレータブロック同士が所定の離間距離を介して配置され、あるいは、シンチレータブロックの底面部で接した状態で配置されていることであるようにしてもよい。 Further, the independent arrangement may mean that the scintillator blocks are arranged with a predetermined separation distance or arranged in contact with each other at the bottom surface of the scintillator block.
さらにまた、シンチレータブロックの形状は、基板に所定の撓みが生じた状態においてシンチレータブロック同士が物理的に干渉しない形状とされているようにしてもよい。 Furthermore, the shape of the scintillator block may be a shape in which the scintillator blocks do not physically interfere with each other in a state where the substrate is subjected to predetermined bending.
また、シンチレータブロックは、山型形状あるいは円錐台形状とされているようにしてもよい。 Further, the scintillator block may have a mountain shape or a truncated cone shape.
さらに、複数のシンチレータブロックが形成されたシンチレータ層を覆うように反射・防湿層が積層されているようにしてもよい。 Further, a reflection / moisture-proof layer may be laminated so as to cover the scintillator layer on which a plurality of scintillator blocks are formed.
さらにまた、複数のシンチレータブロックが形成されたシンチレータ層を覆うようにアルミフィルムシートが積層され、アルミフィルムシートにPETフィルムシートが積層されているようにしてもよい。 Furthermore, an aluminum film sheet may be laminated so as to cover a scintillator layer on which a plurality of scintillator blocks are formed, and a PET film sheet may be laminated on the aluminum film sheet.
また、シンチレータセンサ基板の製造方法は、基板に複数のフォトディテクタを有するフォトディテクタアレイを形成する過程と、シンチレータ粉末をペースト状にする過程と、ペースト状のシンチレータ粉末を所定形状に塗布あるいは印刷して、乾燥してフォトディテクタ毎にシンチレータブロックを形成して、複数のシンチレータブロックを形成する過程と、を備える。 The scintillator sensor substrate manufacturing method includes a step of forming a photodetector array having a plurality of photodetectors on the substrate, a step of making the scintillator powder into a paste state, and applying or printing the paste-like scintillator powder in a predetermined shape, And drying to form a scintillator block for each photodetector to form a plurality of scintillator blocks.
次に図面を参照して実施形態について詳細に説明する。
以下の説明においては、光電変換素子としてフォトダイオードを例としているが光電変換機能をもつ適切な素子であれば他のものでもよい。Next, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
In the following description, a photodiode is taken as an example of a photoelectric conversion element, but other elements may be used as long as they are appropriate elements having a photoelectric conversion function.
[1]第1実施形態
図1は、第1実施形態のシンチレータセンサ基板の断面図である。
シンチレータセンサ基板10は、大別すると、ガラス基板11と、ガラス基板上に複数のTFT12Aを備えて形成されたTFTアレイ12と、ガラス基板11に絶縁膜層13を介して形成されたフォトダイオードアレイ14と、フォトダイオードアレイ14を構成しているフォトダイオード14Aに対向する位置にそれぞれシンチレータブロック15Aが互いに独立して形成されたシンチレータ層15と、絶縁膜層13あるいはシンチレータ層15を覆う反射・防湿層16と、を備えている。[1] First Embodiment FIG. 1 is a cross-sectional view of a scintillator sensor substrate of a first embodiment.
The
上記構成においてシンチレータブロック15Aは、山型形状あるいは円錐台形状をしている。また、シンチレータブロック15Aの寸法としては、例えば、高さ100〜300μm、底部の直径120μm以上となっている。さらに隣接するシンチレータブロック15A間の離間距離dは、例えば、20μm以下となっている。
In the above configuration, the
図2は、第1実施形態のシンチレータセンサ基板の平面模式図である。
図2において、配置関係の理解の容易のため、シンチレータブロック15Aの一部を透視図としている。FIG. 2 is a schematic plan view of the scintillator sensor substrate of the first embodiment.
In FIG. 2, a part of the
図2に示すように、シンチレータセンサ基板10は、ゲートラインGLと読出ラインROLの交差する位置にフォトダイオード14Aが配置されており、それぞれのフォトダイオード14Aの配置位置のそれぞれに対応してシンチレータブロック15Aが形成されている。
As shown in FIG. 2, in the
図2において、シンチレータブロック15Aを二重円で表現しているのは、シンチレータブロック15Aが山型形状あるいは円錐台形状をしていることを視覚的に表現するためである。
In FIG. 2, the
ここで、シンチレータブロック15Aが山型形状あるいは円錐台形状をしている理由は、ガラス基板11が図1中下方に凸となるように想定範囲内のたわみが生じた場合に、複数のシンチレータブロック15Aの上端同士が互いに干渉(当接)しないようにするためである。
Here, the reason that the
より詳細には、ガラス基板11が撓んで、図1において、下方に凸状態となった場合でもシンチレータブロック15Aが互いに干渉しないように、図1に示す角度θが十分な角度に設定されていれば、複数のシンチレータブロック15Aの上端同士が互いに干渉(当接)しない。
More specifically, the angle θ shown in FIG. 1 is set to a sufficient angle so that the
従って、ガラス基板11にたわみが生じた場合でも、シンチレータブロック15Aが互いに干渉して罅が入ったり、シンチレータブロック15Aが剥がれたりするのを抑制できる。
Therefore, even when the
またシンチレータブロック15Aは、互いに独立しているので発生したシンチレーション光SLが他のシンチレータブロック15Aに対応する他のフォトダイオード14Aに入射するのを抑制して鮮鋭度を向上させることが可能となっている。
Further, since the
また、本実施形態のシンチレータブロック15Aは、従来の蒸着法のように柱状結晶が立ち並んだ状態や、従来のシンチレータ粉末を圧力により固化させた状態のシンチレータと比較して結晶粒界間の空隙部(真空部)が少なくなる、あるいは、無くなる。
Further, the
このため、シンチレータ嵩密度が上がり相対的に発光ポイントが増え、シンチレーション光SLの伝搬に際して、結晶→空隙部→結晶と屈折率が変化する部分が少なくなるので、全体として発生したシンチレーション光SLが多くの結晶粒中を通過する際の実効的な透過率が上がることにより高輝度が維持できる。 For this reason, the scintillator bulk density is increased and the emission points are relatively increased, and when the scintillation light SL is propagated, there are few portions where the refractive index changes from crystal to void portion to crystal, so that the scintillation light SL generated as a whole is large. High luminance can be maintained by increasing the effective transmittance when passing through the crystal grains.
次に第1実施形態のシンチレータセンサ基板10の製造方法の概略を説明する。
図3は、第1実施形態のシンチレータセンサ基板の製造工程説明図である。
まず、ガラス基板11を準備し、ガラス基板11上に通常の半導体製造工程と同様に、TFTアレイ12を形成し、さらに絶縁膜層13を形成し、絶縁膜層13上にフォトダイオードアレイ14を形成する(ステップS11)。Next, the outline of the manufacturing method of the
FIG. 3 is a manufacturing process explanatory diagram of the scintillator sensor substrate of the first embodiment.
First, a
これと並行して、シンチレータ粉末を所定の溶媒を用いて混練し、ペースト状にする(ステップS12)。
この場合において、用いるシンチレータ粉末としては、アルカリハライド系シンチレータ粉末の他、所望の輝度、鮮鋭度が維持できるシンチレータ粉末であれば適用が可能である。In parallel with this, the scintillator powder is kneaded using a predetermined solvent to form a paste (step S12).
In this case, as the scintillator powder to be used, any scintillator powder that can maintain desired luminance and sharpness in addition to the alkali halide scintillator powder is applicable.
具体的には、CsI(Tl)[タリウム活性化ヨウ化セシウム]、CsI(Na)[ナトリウム活性化ヨウ化セシウム]、NaI(Tl)[タリウム活性化ヨウ化ナトリウム]等が挙げられる。 Specific examples include CsI (Tl) [thallium activated cesium iodide], CsI (Na) [sodium activated cesium iodide], NaI (Tl) [thallium activated sodium iodide] and the like.
続いて得られたシンチレータペーストをスクリーンマスクを使ってフォトダイオードアレイ14上に塗布し、あるいは、インクジェット方式で印刷、積層して、図1及び図2に示した様にフォトダイオードアレイ14を構成しているフォトダイオード14Aのそれぞれに対応する位置にそれぞれ独立した状態でシンチレータブロック15Aを形成する(ステップS13)。
この場合において、各シンチレータブロック15Aは、底部で互いに接したり、多少重なり合っても構わない。Subsequently, the obtained scintillator paste is applied onto the
In this case, the scintillator blocks 15A may touch each other at the bottom or may slightly overlap.
次に真空加熱乾燥することによりペースト中の溶媒を除去する(ステップS14)。
これにより、シンチレータブロック15Aが互いに独立して形成されたシンチレータ層15が形成される。
続いて、絶縁膜層13あるいはシンチレータ層15を覆う金属材料製の反射・防湿層16を蒸着などにより形成してシンチレータセンサ基板10とする(ステップS15)。Next, the solvent in the paste is removed by vacuum drying (step S14).
Thereby, the
Subsequently, a reflective / moisture-
このように構成したシンチレータセンサ基板10によれば、発生したシンチレーション光SLは、基本的にシンチレータ層15内に留められ、対応するフォトダイオード14Aに入射することとなる。
According to the
なお、図2において、シンチレータブロック15Aの底面よりフォトダイオード14Aの受光面がはみ出た状態となっているが、シンチレータブロック15Aの底面側より出射されたシンチレーション光SLは、ほぼ全て対応するフォトダイオード14Aに入射することとなっている。
In FIG. 2, the light receiving surface of the
[2]第2実施形態
図4は、第2実施形態のシンチレータセンサ基板の断面図である。
図4において、図1の第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付すものとする。
シンチレータセンサ基板30は、大別すると、ガラス基板11と、ガラス基板11上に形成されたTFTアレイ12と、ガラス基板11に絶縁膜層13を介して形成されたフォトダイオードアレイ14と、フォトダイオードアレイ14を構成しているフォトダイオード14Aに対向する位置にそれぞれシンチレータブロック15Aが互いに独立して形成されたシンチレータ層15と、絶縁膜層13あるいはシンチレータ層15を覆うように真空貼り付けされ、反射層として機能するアルミ(Al)フィルムシート21と、アルミフィルムシート21上に真空貼り付けされ、防湿層として機能するPETフィルムシート22と、を備えている。[2] Second Embodiment FIG. 4 is a cross-sectional view of a scintillator sensor substrate of a second embodiment.
In FIG. 4, the same parts as those in the first embodiment of FIG.
The
次に第2実施形態のシンチレータセンサ基板10の製造方法の概略を説明する。
図5は、第2実施形態のシンチレータセンサ基板の製造工程説明図である。
まず、ガラス基板11を準備し、ガラス基板11上に通常の半導体製造工程と同様に、TFTアレイ12を形成し、さらに絶縁膜層13を形成し、絶縁膜層13上にフォトダイオードアレイ14を形成する(ステップS11)。Next, the outline of the manufacturing method of the
FIG. 5 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the scintillator sensor substrate of the second embodiment.
First, a
これと並行して、シンチレータ粉末を所定の溶媒を用いて混練し、ペースト状にして得られたシンチレータペースト(ステップS12)をスクリーンマスクを使ってフォトダイオードアレイ14上に塗布し、あるいは、インクジェット方式で印刷、積層して、第1実施形態と同様にシンチレータブロック15Aを形成する(ステップS13)。
In parallel with this, the scintillator powder is kneaded using a predetermined solvent, and the scintillator paste (step S12) obtained as a paste is applied onto the
次に真空加熱乾燥することによりペースト中の溶媒を除去すると(ステップS14)、シンチレータブロック15Aが互いに独立して形成されたシンチレータ層15が形成されるので、絶縁膜層13あるいはシンチレータ層15を覆うようにアルミ(Al)フィルムシート21を真空貼り付けして反射層として形成する(ステップS16)。
Next, when the solvent in the paste is removed by vacuum heating and drying (step S14), the
さらにアルミフィルムシート21上にPETフィルムシート22を真空貼り付けして防湿層として形成して、シンチレータセンサ基板30とする(ステップS17)。
Further, a
この場合において、シンチレータブロック15Aの離間距離d(図1及び図4参照)又は各シンチレータブロック15Aの底部(底面部近傍)が隣接するシンチレータブロック15Aの底部との重なり具合を適宜設定すれば、シンチレータブロック15Aの側方から漏れ出るシンチレーション光SLが当該シンチレータブロック15Aが対応するフォトダイオード14A以外の他のフォトダイオード14Aに入射するのを抑制でき、鮮鋭度を高く維持することができる。
In this case, the
[3]実施形態の変形例
以上の各実施形態においては、シンチレータブロック15Aを山型形状あるいは円錐台形状としていたが、ガラス基板11にたわみが発生した場合に、互いに干渉し合わない形状であれば、四角錐台形状等の多角錐台形状あるいは多角錐形状等の形状、若しくは、半球形状等とすることも可能である。
また以上の説明においては、シンチレータブロック15Aが互いに独立して配置されていたが、鮮鋭度を高く維持できる限り、その底面部において接していたり、一部重なり合っていたりしていてもよい。[3] Modification of Embodiment In each of the above embodiments, the
In the above description, the scintillator blocks 15A are arranged independently of each other. However, as long as the sharpness can be maintained high, the scintillator blocks 15A may be in contact with each other or partially overlap each other.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、シンチレータセンサ基板は、基板に複数のフォトディテクタを有するフォトディテクタアレイが形成されたシンチレータセンサ基板である。
そして、シンチレータセンサ基板は、フォトディテクタ毎にフォトディテクタ上に直接設けられ、互いに空間を介して独立して配置され、それぞれがペースト状のシンチレータ粉末の凝集体として形成された複数のシンチレータブロックを備え、隣接して配置されたシンチレータブロック同士は、真空状態とされた空間を介して直接対向している。
In order to solve the above-described problems and achieve the object, the scintillator sensor substrate is a scintillator sensor substrate in which a photodetector array having a plurality of photodetectors is formed on the substrate.
The scintillator sensor substrate is provided directly on the photo detector for each photo detector, and is arranged independently through a space, each having a plurality of scintillator blocks formed as an aggregate of paste-like scintillator powder, adjacent to each other. The scintillator blocks arranged in this manner face each other directly through a vacuum space.
Claims (8)
前記フォトディテクタ毎に設けられた複数のシンチレータブロックを備えたシンチレータセンサ基板。In a scintillator sensor substrate in which a photodetector array having a plurality of photodetectors is formed on a substrate,
A scintillator sensor substrate comprising a plurality of scintillator blocks provided for each photodetector.
請求項1記載のシンチレータセンサ基板。The scintillator blocks are arranged independently of each other,
The scintillator sensor substrate according to claim 1.
請求項2記載のシンチレータセンサ基板。The independently arranged means that the scintillator blocks are arranged with a predetermined separation distance, or arranged in a state where they are in contact with each other at the bottom surface of the scintillator block.
The scintillator sensor substrate according to claim 2.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項記載のシンチレータセンサ基板。The shape of the scintillator block is a shape in which the scintillator blocks do not physically interfere with each other in a state where a predetermined bending occurs in the substrate.
The scintillator sensor substrate according to any one of claims 1 to 3.
請求項4記載のシンチレータセンサ基板。The scintillator block has a mountain shape or a truncated cone shape,
The scintillator sensor substrate according to claim 4.
請求項1乃至請求項5のいずれか一項記載のシンチレータセンサ基板。A reflective / moisture-proof layer is laminated so as to cover the scintillator layer on which the plurality of scintillator blocks are formed.
The scintillator sensor substrate according to any one of claims 1 to 5.
前記アルミフィルムシートにPETフィルムシートが積層されている、
請求項1乃至請求項3のいずれか一項記載のシンチレータセンサ基板。An aluminum film sheet is laminated so as to cover the scintillator layer where the plurality of scintillator blocks are formed,
PET film sheet is laminated on the aluminum film sheet,
The scintillator sensor substrate according to any one of claims 1 to 3.
シンチレータ粉末をペースト状にする過程と、
前記ペースト状のシンチレータ粉末を所定形状に塗布あるいは印刷して、乾燥し前記フォトディテクタ毎にシンチレータブロックを形成して、複数のシンチレータブロックを形成する過程と、
を備えたシンチレータセンサ基板の製造方法。Forming a photodetector array having a plurality of photodetectors on a substrate;
The process of making the scintillator powder into a paste,
Applying or printing the pasty scintillator powder in a predetermined shape, drying and forming a scintillator block for each photodetector, forming a plurality of scintillator blocks;
A method of manufacturing a scintillator sensor substrate comprising:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/071760 WO2018020555A1 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Scintillator sensor substrate and method for producing scintillator sensor substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018020555A1 true JPWO2018020555A1 (en) | 2018-12-06 |
Family
ID=61015846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018530216A Pending JPWO2018020555A1 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Scintillator sensor substrate and method for manufacturing scintillator sensor substrate |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2018020555A1 (en) |
WO (1) | WO2018020555A1 (en) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006267099A (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | General Electric Co <Ge> | Phosphor film, image formation assembly, inspection method therefor, and film forming method |
JP2012002627A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Two-dimensional array scintillator for radiation detection |
WO2013080565A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 株式会社 東芝 | Scintillator array, and x-ray detector and x-ray examination device using scintillator array |
JP2014002115A (en) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Canon Inc | Radiation detection device, manufacturing method of the same, and imaging system |
JP2014029314A (en) * | 2012-06-25 | 2014-02-13 | Sony Corp | Radiation detector, and method for producing the same |
WO2014069284A1 (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 東レ株式会社 | Radiation detection device and manufacturing method therefor |
JP2014185857A (en) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Canon Inc | Radiation detection device and radiation detection system |
WO2014162717A1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | 株式会社 東芝 | Scintillator array, x-ray detector and x-ray inspection apparatus |
JP2015017972A (en) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | Radiation image conversion panel |
WO2015052977A1 (en) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | 株式会社島津製作所 | Radiation detector, and production method for radiation detector |
JP2015121425A (en) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | キヤノン株式会社 | Apparatus and system for radiation detection, and manufacturing method for radiation detection apparatus |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016020874A (en) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | キヤノン株式会社 | Device and system for radiation detection, and manufacturing method for radiation detection device |
-
2016
- 2016-07-25 WO PCT/JP2016/071760 patent/WO2018020555A1/en active Application Filing
- 2016-07-25 JP JP2018530216A patent/JPWO2018020555A1/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006267099A (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | General Electric Co <Ge> | Phosphor film, image formation assembly, inspection method therefor, and film forming method |
JP2012002627A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Two-dimensional array scintillator for radiation detection |
WO2013080565A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 株式会社 東芝 | Scintillator array, and x-ray detector and x-ray examination device using scintillator array |
JP2014002115A (en) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Canon Inc | Radiation detection device, manufacturing method of the same, and imaging system |
JP2014029314A (en) * | 2012-06-25 | 2014-02-13 | Sony Corp | Radiation detector, and method for producing the same |
WO2014069284A1 (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 東レ株式会社 | Radiation detection device and manufacturing method therefor |
JP2014185857A (en) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Canon Inc | Radiation detection device and radiation detection system |
WO2014162717A1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | 株式会社 東芝 | Scintillator array, x-ray detector and x-ray inspection apparatus |
JP2015017972A (en) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | Radiation image conversion panel |
WO2015052977A1 (en) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | 株式会社島津製作所 | Radiation detector, and production method for radiation detector |
JP2015121425A (en) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | キヤノン株式会社 | Apparatus and system for radiation detection, and manufacturing method for radiation detection apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018020555A1 (en) | 2018-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6000680B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and imaging system | |
EP2943808B1 (en) | X-ray scintillator containing a multi-layered coating | |
JP5004848B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
USRE39806E1 (en) | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same | |
KR101885016B1 (en) | Radiation detector and method for manufacturing same | |
JP2013152160A (en) | Radiation imaging device and radiation imaging system | |
US9322932B2 (en) | Scintillator panel and radiation detection device | |
US9310494B2 (en) | Scintillator panel and radiation detector | |
US10401508B2 (en) | Scintillator, scintillator assembly, x-ray detector and x-ray imaging system and a method for manufacturing a scintillator | |
US9971043B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and manufacturing method | |
US10345455B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
JP6018372B2 (en) | Radiation image sensor and photoelectric conversion element array unit | |
US20140319361A1 (en) | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same, and radiation inspection apparatus | |
JP7029217B2 (en) | Radiation detector | |
JPWO2018020555A1 (en) | Scintillator sensor substrate and method for manufacturing scintillator sensor substrate | |
JP2012037454A (en) | Radiation detector and manufacturing method thereof | |
JP2005114518A (en) | Radiation detection device and its manufacturing method | |
US10061036B2 (en) | Radiation detector, method of manufacturing radiation detector, and imaging apparatus | |
US9229117B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
JP2016128764A (en) | Radiation detector module and radiation detector | |
KR102653420B1 (en) | X-ray detector and X-ray image system for using the same | |
WO2017135165A1 (en) | Method for manufacturing radiation detection device | |
JP2017058254A (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
US20230258834A1 (en) | Sensor board, radiation imaging apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing sensor board | |
JP2015148446A (en) | Radiation imaging device and radiation inspection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20180830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180830 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180830 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181211 |