JPWO2016047443A1 - Light emitting element - Google Patents

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黒田 和男
和男 黒田
井上 大輔
大輔 井上
満 棚村
満 棚村
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    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Abstract

本発明は、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面の2か所の全反射による光の閉じ込めをともに少なくするとともに、散乱体がなければ透明基板−空気界面で全反射される光を散乱体で散乱させる一方で、散乱体がない場合透明基板−空気界面で取り出される多くの光を散乱体の存在で散乱させないことを目的とする。本発明は、発光エリアLAは、反射電極1、有機層2、透明電極3、光分離・収束部5及び透明基板4を積層され、非発光エリアNAは、有機層2、透明電極3、光分離・収束部5、透明基板4及び光散乱部6を備えて、反射電極1を備えず、光分離・収束部5は、光分離・収束部5から透明基板4への出射角の上限を設定し、光散乱部6は、光分離・収束部5から透明基板4への出射角が透明基板4及び空気の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱することを特徴とする発光素子Lである。The present invention reduces light confinement due to total reflection at two locations of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface, and scatters light totally reflected at the transparent substrate-air interface if there is no scatterer. While the light is scattered by the body, the object is not to scatter much light extracted at the transparent substrate-air interface in the presence of the scatterer when there is no scatterer. In the present invention, the light emitting area LA is formed by laminating the reflective electrode 1, the organic layer 2, the transparent electrode 3, the light separating / converging portion 5 and the transparent substrate 4, and the non-light emitting area NA is composed of the organic layer 2, the transparent electrode 3, the light. The separation / convergence unit 5, the transparent substrate 4, and the light scattering unit 6 are provided, but the reflective electrode 1 is not provided. The light scattering unit 6 is configured to scatter light having an emission angle from the light separation / convergence unit 5 to the transparent substrate 4 that is equal to or greater than a critical angle at the interface between the transparent substrate 4 and the air, at least in the light extraction direction. The light emitting element L is a feature.

Description

本発明は、光の取り出し効率を向上させることができる有機発光素子に関する。   The present invention relates to an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency.

有機発光素子の光の取り出し効率は、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面の2か所の全反射による光の閉じ込め、使用材料による光の減衰、並びに、反射電極における表面プラズモン損失により、20%〜30%程度しか得られていない。   The light extraction efficiency of the organic light emitting device is due to light confinement due to total reflection at two locations of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface, light attenuation due to the material used, and surface plasmon loss in the reflective electrode. Only about 20% to 30% is obtained.

以下に説明するように、特許文献1−7では、様々な方法を用いて、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面のいずれか1か所の全反射による光の閉じ込めを少なくすることにより、有機発光素子の光の取り出し効率を向上させている。   As described below, in Patent Documents 1 to 7, by using various methods, light confinement due to total reflection at any one of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface is reduced. The light extraction efficiency of the organic light emitting device is improved.

特開2011−248104号公報JP 2011-248104 A 国際公開第2011/132773号International Publication No. 2011/132773 特開2009−054424号公報JP 2009-054424 A 特開2002−260844号公報JP 2002-260844 A 特許第4279971号公報Japanese Patent No. 4279971 特開2004−296437号公報JP 2004-296437 A 特許第3934460号公報Japanese Patent No. 3934460

まずは、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明電極と透明基板の間の屈折率差を少なくすることが考えられる。しかし、これだけでは透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。   First, in order to reduce light confinement due to total reflection between the transparent electrode and the transparent substrate, it is conceivable to reduce the difference in refractive index between the transparent electrode and the transparent substrate. However, this alone cannot reduce light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface.

特許文献1では、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明基板の空気界面の側に、マイクロレンズやランダム凹凸のある光取り出しフィルムを貼っている。しかし、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。そして、光取り出しフィルムは、角度依存性を有しており、空気界面から30°程度以内の角度を有する光を効率よく取り出すことはできない。   In Patent Document 1, in order to reduce light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface, a microlens or a light extraction film with random irregularities is pasted on the air interface side of the transparent substrate. However, light confinement due to total reflection of the transparent electrode-transparent substrate cannot be reduced. And the light extraction film has angle dependence, and cannot extract the light which has an angle within about 30 degrees from an air interface efficiently.

特許文献2、3では、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明電極と透明基板の間に、マイクロレンズやピラミッドや凹凸のある異形化構造や散乱層を配置している。すると、異形化構造や散乱層がなければ透明基板−空気界面で全反射される光は、異形化構造や散乱層で散乱され透明基板−空気界面で取り出されうる。しかし、異形化構造や散乱層がない場合透明基板−空気界面で取り出される光は、異形化構造や散乱層の存在で散乱され透明基板−空気界面で全反射されうる。ここで、透明基板−空気界面で全反射される光は、無限の回数の反射と散乱により、いずれは取り出されるが、実際は発光素子内の減衰により、多くの場合取り出されない。   In Patent Documents 2 and 3, microlenses, pyramids, irregular shaped irregular structures and scattering layers are arranged between the transparent electrode and the transparent substrate in order to reduce light confinement due to the total reflection of the transparent electrode and the transparent substrate. doing. Then, if there is no deformed structure or scattering layer, the light totally reflected at the transparent substrate-air interface can be scattered by the deformed structure or scattering layer and extracted at the transparent substrate-air interface. However, when there is no deformed structure or scattering layer, light extracted at the transparent substrate-air interface can be scattered by the presence of the deformed structure or scattering layer and totally reflected at the transparent substrate-air interface. Here, the light totally reflected at the transparent substrate-air interface is eventually extracted due to the infinite number of reflections and scatterings, but is not actually extracted in many cases due to attenuation in the light emitting element.

特許文献4では、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、有機層の側面に、散乱剤やミラーを配置している。しかし、発光素子の面内方向に進む光は、実際は発光素子内の減衰により、散乱剤やミラーへ導かれず、ほとんど取り出されない。そして、散乱剤やミラーの近傍で生じる光や透明基板−空気界面で全反射される光の一部が、発光素子内の減衰を受けずに、散乱剤やミラーへ導かれて、取り出される。   In Patent Document 4, a scattering agent or a mirror is disposed on the side surface of the organic layer in order to reduce light confinement due to total reflection of the transparent electrode and the transparent substrate. However, the light traveling in the in-plane direction of the light emitting element is actually not led to the scattering agent or the mirror due to attenuation in the light emitting element, and is hardly extracted. A part of the light generated in the vicinity of the scattering agent or the mirror or the light totally reflected at the transparent substrate-air interface is guided to the scattering agent or the mirror without being attenuated in the light emitting element.

特許文献5では、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明電極と透明基板の間に、低屈折率層としてシリカエアロゲルを配置している。すると、ポーラス状のシリカエアロゲルの穴の中に、スパッタされた透明電極の構成物質が入り、透明電極−シリカエアロゲルの界面付近で、屈折率がグラデーション状に変化し、透明電極−シリカエアロゲルの臨界角付近で、透過率が多少は向上する。しかし、透明電極−シリカエアロゲルの全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。さらに、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。   In Patent Document 5, silica airgel is disposed as a low refractive index layer between the transparent electrode and the transparent substrate in order to reduce light confinement due to the total reflection of the transparent electrode and the transparent substrate. Then, the material of the sputtered transparent electrode enters the porous silica airgel hole, and the refractive index changes in a gradation near the transparent electrode-silica airgel interface. In the vicinity of the corner, the transmittance is slightly improved. However, light confinement due to total reflection of the transparent electrode-silica airgel cannot be reduced. Furthermore, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface cannot be reduced.

特許文献6では、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明電極と透明基板の間に、低屈折率層として光散乱粒子含有層を配置している。すると、光散乱粒子含有層にエバネッセント光が浸み出し、光散乱粒子との相互作用でエバネッセント光が散乱され、伝搬光に戻った光が光散乱粒子含有層に拡散される。しかし、透明電極から浸み出しの距離内に、つまり、透明電極から波長程度の距離内に、光散乱粒子を配置しなければならず、作成の条件が非常に厳しい条件となる。さらに、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。   In Patent Document 6, a light scattering particle-containing layer is disposed as a low refractive index layer between the transparent electrode and the transparent substrate in order to reduce light confinement due to total reflection of the transparent electrode and the transparent substrate. Then, the evanescent light oozes into the light scattering particle-containing layer, the evanescent light is scattered by the interaction with the light scattering particle, and the light returned to the propagating light is diffused into the light scattering particle-containing layer. However, the light scattering particles must be disposed within a distance of leaching from the transparent electrode, that is, within a distance of about a wavelength from the transparent electrode, and the conditions for preparation become very severe. Furthermore, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface cannot be reduced.

特許文献7では、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくするために、透明基板の内に、散乱壁を配置している。しかし、散乱壁を作成する方法として、溝構造に散乱剤を入れる方法やレーザーで作成する方法があるが、手間がかかり実用的でない。そして、散乱壁がなければ透明基板−空気界面で全反射される光のみならず、散乱壁がない場合透明基板−空気界面で取り出される光であっても、散乱壁の存在で散乱される。さらに、透明電極−透明基板の全反射による光の閉じ込めを少なくすることはできない。   In Patent Document 7, a scattering wall is arranged in the transparent substrate in order to reduce light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface. However, as a method of creating the scattering wall, there are a method of putting a scattering agent in the groove structure and a method of creating with a laser, but it takes time and is not practical. If there is no scattering wall, not only light totally reflected at the transparent substrate-air interface but also light extracted at the transparent substrate-air interface when there is no scattering wall is scattered due to the presence of the scattering wall. Furthermore, light confinement due to total reflection of the transparent electrode-transparent substrate cannot be reduced.

以上に説明したように、特許文献1−7では、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面の2か所の全反射による光の閉じ込めをともに少なくすることはできない。そして、散乱体がなければ透明基板−空気界面で全反射される光のみならず、散乱体がない場合透明基板−空気界面で取り出される光であっても、散乱体の存在で散乱されてしまう。   As described above, in Patent Documents 1-7, light confinement due to total reflection at two locations of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface cannot be reduced. If there is no scatterer, not only light totally reflected at the transparent substrate-air interface, but also light extracted at the transparent substrate-air interface when there is no scatterer is scattered by the presence of the scatterer. .

そこで、前記課題を解決するために、本発明は、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面の2か所の全反射による光の閉じ込めをともに少なくするとともに、散乱体がなければ透明基板−空気界面で全反射される光を散乱体で散乱させる一方で、散乱体がない場合透明基板−空気界面で取り出される多くの光を散乱体が存在しても散乱させないことを目的とする。   Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention reduces both light confinement due to total reflection at two locations of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface, and if there is no scatterer, the transparent substrate- While the light totally reflected at the air interface is scattered by the scatterer, the object is to not scatter a lot of light extracted at the transparent substrate-air interface even if the scatterer is present when there is no scatterer.

解決課題に掲げた目的を達成するために、発光素子を発光エリア及び非発光エリアに分割する。そして、透明基板−空気界面における入射角が臨界角以上である光を少なくとも光取り出し方向に散乱する光散乱部を、非発光エリアに配置することにより、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくする。さらに、透明基板への出射角の上限を設定する光収束部を、発光エリアに配置することにより、透明基板での光の拡散を少なくして、光散乱部への光を収束させることで、非発光エリアの面積を少なくする。   In order to achieve the object set forth in the solution, the light emitting element is divided into a light emitting area and a non-light emitting area. A light scattering portion that scatters light having an incident angle at the transparent substrate-air interface equal to or greater than a critical angle at least in the light extraction direction is disposed in the non-light-emitting area, so that light reflected by total reflection at the transparent substrate-air interface Reduce confinement. Furthermore, by disposing the light converging part that sets the upper limit of the emission angle to the transparent substrate in the light emitting area, reducing the diffusion of light in the transparent substrate and converging the light to the light scattering part, Reduce the area of the non-light emitting area.

具体的には、本発明は、反射電極、発光層を含む有機層、透明電極及び透明基板を備える発光素子であって、前記発光素子は、面内方向に、発光エリア及び非発光エリアに分割され、前記発光エリアは、発光がなされるエリアであり、前記反射電極、前記発光層を含む前記有機層、前記透明電極、光収束部及び前記透明基板をこの順序で積層され、前記非発光エリアは、発光がなされないエリアであり、前記発光層を含む前記有機層、前記透明基板及び光散乱部を備える一方で、前記反射電極、前記透明電極、並びに、前記反射電極及び前記透明電極への電力供給のうち少なくともいずれか一つを備えず、前記光収束部は、前記光収束部から前記透明基板への出射角の上限を設定し、前記光散乱部は、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱することを特徴とする発光素子である。   Specifically, the present invention is a light emitting device comprising a reflective electrode, an organic layer including a light emitting layer, a transparent electrode and a transparent substrate, wherein the light emitting device is divided into a light emitting area and a non-light emitting area in an in-plane direction. The light emitting area is an area where light is emitted, and the reflective electrode, the organic layer including the light emitting layer, the transparent electrode, the light converging part, and the transparent substrate are stacked in this order, and the non-light emitting area Is an area where no light is emitted, and includes the organic layer including the light emitting layer, the transparent substrate, and a light scattering portion, while the reflective electrode, the transparent electrode, and the reflective electrode and the transparent electrode. At least one of power supply is not provided, the light converging unit sets an upper limit of an emission angle from the light converging unit to the transparent substrate, and the light scattering unit is transparent from the light converging unit to the transparent Output to substrate There the light is more than the critical angle at the interface of the transparent substrate and air, a light-emitting element characterized by scattering the extraction direction at least a light.

この構成によれば、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができる。また、光散乱部がなければ透明基板−空気界面で全反射される光を、光散乱部で散乱させることができる一方で、光散乱部がない場合透明基板−空気界面で取り出される多くの光を、光散乱部が存在しても散乱させないことができる。また、透明基板への入射時に光を収束させることで、透明基板での光の拡散を少なくすることができ、光散乱部への光を収束させているので、非発光エリアの面積を少なくすることができる。また、非発光エリアが反射電極を備えないとき、反射電極における表面プラズモン損失や反射電極と透明電極−透明基板の間の導波モード光を軽減することができる。   According to this configuration, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface can be reduced. In addition, if there is no light scattering part, the light totally reflected at the transparent substrate-air interface can be scattered by the light scattering part, but if there is no light scattering part, much light extracted at the transparent substrate-air interface. Can be prevented from being scattered even in the presence of a light scattering portion. Also, by converging the light when entering the transparent substrate, the diffusion of the light on the transparent substrate can be reduced, and the light to the light scattering portion is converged, so the area of the non-light emitting area is reduced. be able to. Further, when the non-light emitting area does not include the reflective electrode, it is possible to reduce surface plasmon loss in the reflective electrode and guided mode light between the reflective electrode and the transparent electrode-transparent substrate.

また、本発明は、前記光収束部の屈折率は、前記透明基板の屈折率より小さいことを特徴とする発光素子である。   The present invention is the light-emitting element, wherein the light converging portion has a refractive index smaller than that of the transparent substrate.

この構成によれば、透明基板での光の拡散を少なくすることができ、光散乱部への光を収束させているので、非発光エリアの面積を少なくすることができる。   According to this configuration, the diffusion of light on the transparent substrate can be reduced, and the light to the light scattering portion is converged, so that the area of the non-light emitting area can be reduced.

また、本発明は、前記発光エリア及び前記非発光エリアの面内方向のサイズは、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光が、前記光散乱部に導かれることを可能とするサイズであることを特徴とする発光素子である。   In the present invention, the light emitting area and the non-light emitting area may have a size in an in-plane direction such that an emission angle from the light converging portion to the transparent substrate is greater than or equal to a critical angle at an interface between the transparent substrate and air Is a size that allows the light to be guided to the light scattering portion.

この構成によれば、非発光エリアの面積を少なくすることができる。   According to this configuration, the area of the non-light emitting area can be reduced.

また、本発明は、前記光散乱部は、前記非発光エリアの内部に設けられる散乱体であることを特徴とする発光素子である。   Further, the present invention is the light emitting element, wherein the light scattering portion is a scatterer provided inside the non-light emitting area.

この構成によれば、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができ、基板モード光の閉じ込めを少なくすることができる。   According to this configuration, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface can be reduced, and substrate mode light confinement can be reduced.

また、本発明は、前記光散乱部は、前記非発光エリアの空気界面に設けられる凹凸面であることを特徴とする発光素子である。   Further, the present invention is the light emitting element, wherein the light scattering portion is an uneven surface provided at an air interface of the non-light emitting area.

この構成によれば、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができ、基板モード光の閉じ込めを少なくすることができる。   According to this configuration, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface can be reduced, and substrate mode light confinement can be reduced.

また、本発明は、前記光散乱部は、前記非発光エリアの空気界面に設けられる溝構造であり、前記発光エリアの空気界面に対する前記溝構造の傾斜角は、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光が、少なくとも光取り出し方向に屈折されることを可能とする傾斜角であることを特徴とする発光素子である。   In the present invention, the light scattering portion is a groove structure provided at an air interface of the non-light emitting area, and an inclination angle of the groove structure with respect to the air interface of the light emitting area is from the light converging portion to the transparent substrate. The light emitting element is characterized in that the light having an emission angle toward the transparent substrate and an air having an inclination angle that is greater than or equal to a critical angle at the interface between the air and the light is refracted at least in the light extraction direction.

この構成によれば、透明基板−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができ、基板モード光の閉じ込めを少なくすることができる。   According to this configuration, light confinement due to total reflection at the transparent substrate-air interface can be reduced, and substrate mode light confinement can be reduced.

解決課題に掲げた目的を達成するために、発光素子を発光エリア及び非発光エリアに分割する。そして、透明電極−光収束部における入射角が臨界角以上である光を少なくとも光取り出し方向に散乱する導波モード光散乱部を、非発光エリアに配置することにより、透明電極−光収束部の全反射による光の閉じ込めを少なくする。さらに、透明電極から光収束部への入射光の入射角の上限を設定する光分離部(光収束部及び光分離部は、一体でもよい。)を、発光エリアに配置することにより、透明基板での光の拡散をより少なくして、光散乱部への光を収束させることで、非発光エリアの面積をより少なくする。   In order to achieve the object set forth in the solution, the light emitting element is divided into a light emitting area and a non-light emitting area. Then, by arranging a waveguide mode light scattering portion that scatters light having an incident angle at the transparent electrode-light converging portion that is equal to or greater than the critical angle at least in the light extraction direction, the transparent electrode-light converging portion Reduces light confinement due to total internal reflection. Furthermore, by arranging a light separation part (the light convergence part and the light separation part may be integrated) that sets an upper limit of the incident angle of incident light from the transparent electrode to the light convergence part, the transparent substrate The amount of non-light-emitting area is reduced by converging the light to the light-scattering portion by reducing the diffusion of light at.

具体的には、本発明は、前記光収束部は、前記透明電極から前記光収束部への入射光の入射角の上限を設定し、前記非発光エリアは、導波モード光散乱部をさらに備え、前記導波モード光散乱部は、前記透明電極から前記光収束部への入射角が前記透明電極及び前記光収束部の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱することを特徴とする発光素子である。   Specifically, in the present invention, the light converging unit sets an upper limit of an incident angle of incident light from the transparent electrode to the light converging unit, and the non-light emitting area further includes a waveguide mode light scattering unit. The guided mode light scattering unit scatters light having an incident angle from the transparent electrode to the light converging unit that is equal to or greater than a critical angle at an interface between the transparent electrode and the light converging unit at least in a light extraction direction. The light emitting element is characterized in that.

この構成によれば、透明電極−光収束部の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができる。また、導波モード光散乱部がない場合透明基板−空気界面で取り出される多くの光を、導波モード光散乱部が存在しても散乱させないことができる。また、光収束部への入射時に光を収束させることで、透明基板での光の拡散をより少なくすることができ、光散乱部への光を収束させているので、非発光エリアの面積をより少なくすることができる。   According to this configuration, light confinement due to the total reflection of the transparent electrode-light converging portion can be reduced. Further, when there is no waveguide mode light scattering portion, a lot of light extracted at the transparent substrate-air interface can not be scattered even if the waveguide mode light scattering portion exists. In addition, by converging the light when entering the light converging part, it is possible to reduce the diffusion of light on the transparent substrate and to condense the light to the light scattering part. Can be less.

また、本発明は、前記光収束部の屈折率は、前記透明電極の屈折率より小さいことを特徴とする発光素子である。   Further, the present invention is the light emitting device characterized in that a refractive index of the light converging part is smaller than a refractive index of the transparent electrode.

この構成によれば、透明基板での光の拡散をより少なくすることができ、光散乱部への光を収束させているので、非発光エリアの面積をより少なくすることができる。   According to this configuration, the diffusion of light on the transparent substrate can be further reduced, and the light to the light scattering portion is converged. Therefore, the area of the non-light emitting area can be further reduced.

また、本発明は、前記導波モード光散乱部は、前記非発光エリアの内部、かつ、前記透明電極及び前記光収束部の界面と同一のレベルの面内より前記反射電極側に設けられる散乱体であることを特徴とする発光素子である。   According to the present invention, the guided mode light scattering portion is provided in the non-light emitting area and on the reflective electrode side from the same level as the interface between the transparent electrode and the light converging portion. It is a light emitting element characterized by being a body.

この構成によれば、透明電極−光収束部の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができ、導波モード光の閉じ込めを少なくすることができる。   According to this configuration, light confinement due to total reflection of the transparent electrode-light converging portion can be reduced, and waveguide mode light confinement can be reduced.

また、本発明は、前記反射電極及び前記透明電極への電力供給を行なうバスラインは、前記非発光エリアの内部に設けられる一方で、前記発光エリアの内部に設けられないことを特徴とする発光素子である。   The present invention is also characterized in that a bus line for supplying power to the reflective electrode and the transparent electrode is provided inside the non-light emitting area, but is not provided inside the light emitting area. It is an element.

この構成によれば、透明基板−空気界面の非全反射光を、バスラインに影響されることなく、透明基板−空気界面で取り出すことができる。   According to this configuration, non-totally reflected light at the transparent substrate-air interface can be extracted at the transparent substrate-air interface without being affected by the bus line.

また、本発明は、前記発光エリアは、積層方向厚さ調整層をさらに備え、前記積層方向厚さ調整層は、前記透明電極と前記光収束部の間に積層され、前記発光層で励起された双極子の位置と前記光収束部の前記透明電極側の界面の区間の距離を、前記発光層で生成された光の前記区間における波長以上とすることを特徴とする発光素子である。   Further, according to the present invention, the light emitting area further includes a stacking direction thickness adjustment layer, and the stacking direction thickness adjustment layer is stacked between the transparent electrode and the light converging unit and excited by the light emitting layer. The light emitting element is characterized in that the distance between the position of the dipole and the section of the interface on the transparent electrode side of the light converging part is equal to or greater than the wavelength in the section of the light generated in the light emitting layer.

この構成によれば、光収束部側の反射エバネッセント光のエネルギーが、発光層で励起された双極子からのエバネッセント光のエネルギーに加わらない形で、発光層で励起された双極子からのエバネッセント光と反射電極側の反射エバネッセント光との相互作用が生じるので、反射電極における表面プラズモン損失を軽減することができる。また、積層方向厚さ調整層があるときには、積層方向厚さ調整層がないときより、導波モード光の反射位置が発光層から離れるため、導波モード光の反射回数や消衰度合が減少する。   According to this configuration, the energy of the reflected evanescent light on the light converging part side does not add to the energy of the evanescent light from the dipole excited in the light emitting layer, and the evanescent light from the dipole excited in the light emitting layer. And the reflection evanescent light on the reflective electrode side occur, so that surface plasmon loss in the reflective electrode can be reduced. Also, when there is a thickness adjustment layer in the stacking direction, the reflection position of the guided mode light is far from the light emitting layer than when there is no thickness adjustment layer in the stacking direction. To do.

本発明は、透明電極−透明基板及び透明基板−空気界面の2か所の全反射による光の閉じ込めをともに少なくするとともに、散乱体がなければ透明基板−空気界面で全反射される光を散乱体で散乱させる一方で、散乱体がない場合透明基板−空気界面で取り出される多くの光を散乱体が存在しても散乱させないことができる。   The present invention reduces light confinement due to total reflection at two locations of the transparent electrode-transparent substrate and the transparent substrate-air interface, and scatters light totally reflected at the transparent substrate-air interface if there is no scatterer. On the other hand, when there is no scatterer, much light extracted at the transparent substrate-air interface can be scattered even if the scatterer is present.

第1の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 1st Embodiment. 第1の実施形態の非発光エリアのサイズを示す図である。It is a figure which shows the size of the non-light-emitting area of 1st Embodiment. 第1の実施形態の発光エリアのサイズを示す図である。It is a figure which shows the size of the light emission area of 1st Embodiment. 第1の実施形態の反射電極の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the reflective electrode of 1st Embodiment. 第1の実施形態の反射電極の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the reflective electrode of 1st Embodiment. 第1の実施形態の発光素子の原理実験結果を示す図である。It is a figure which shows the principle experiment result of the light emitting element of 1st Embodiment. 第1の比較例の発光素子の原理実験結果を示す図である。It is a figure which shows the principle experiment result of the light emitting element of a 1st comparative example. 第2の比較例の発光素子の原理実験結果を示す図である。It is a figure which shows the principle experiment result of the light emitting element of a 2nd comparative example. 第2の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第3の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第4の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 4th Embodiment. 第5の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 5th Embodiment. 第6の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 6th Embodiment. 第7の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 7th Embodiment. 第8の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 8th Embodiment. 第9の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 9th Embodiment. 第10の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 10th Embodiment. 第11の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 11th Embodiment. 第12の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 12th Embodiment. 第13の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 13th Embodiment. 第14の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 14th Embodiment. 第14の実施形態の発光素子の立体構造を示す図である。It is a figure which shows the three-dimensional structure of the light emitting element of 14th Embodiment. 第14の実施形態の発光素子の立体構造を示す図である。It is a figure which shows the three-dimensional structure of the light emitting element of 14th Embodiment. 第15の実施形態の発光素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light emitting element of 15th Embodiment.

添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は以下の実施形態に制限されるものではない。これらの実施の例は例示に過ぎず、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した形態で実施することができる。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below are examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments. These embodiments are merely examples, and the present invention can be implemented in various modifications and improvements based on the knowledge of those skilled in the art. In the present specification and drawings, the same reference numerals denote the same components.

(第1の実施形態)
第1の実施形態の発光素子の構成を図1に示す。第1の実施形態の発光素子L−1は、面内方向に、発光エリアLA−1−1、LA−1−2及び非発光エリアNA−1に分割される。発光エリアLA−1−1、LA−1−2は、発光がなされるエリアであり、反射電極1−1−1、1−1−2、発光層を含む有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1をこの順序で積層される。非発光エリアNA−1は、発光がなされないエリアであり、発光層を含む有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び光散乱部6−1を備えて、反射電極を備えない。
(First embodiment)
The structure of the light emitting device of the first embodiment is shown in FIG. The light emitting element L-1 of the first embodiment is divided into light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 and a non-light emitting area NA-1 in the in-plane direction. The light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 are areas where light is emitted, the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1 including the light emitting layer, and the transparent electrode 3. -1, the light separation / convergence unit 5-1 and the transparent substrate 4-1 are laminated in this order. The non-light emitting area NA-1 is an area where no light is emitted, and includes an organic layer 2-1, a transparent electrode 3-1, a light separation / convergence unit 5-1, a transparent substrate 4-1, and a light scattering unit including a light emitting layer. 6-1, with no reflective electrode.

光分離・収束部5−1は、光収束部として、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角の上限を設定し、光分離部として、透明電極3−1から光分離・収束部5−1への入射光の入射角の上限を設定する。具体的には、光分離・収束部5−1の屈折率(図1では、1.53)は、透明基板4−1の屈折率(図1では、1.76)より小さく、透明電極3−1の屈折率(図1では、2.04)より小さい。   The light separation / convergence unit 5-1 sets an upper limit of the emission angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1, as the light convergence unit, and from the transparent electrode 3-1 as the light separation unit. The upper limit of the incident angle of the incident light to the light separating / converging unit 5-1 is set. Specifically, the refractive index (1.53 in FIG. 1) of the light separating / converging unit 5-1 is smaller than the refractive index (1.76 in FIG. 1) of the transparent substrate 4-1, and the transparent electrode 3 Less than −1 (2.04 in FIG. 1).

光分離・収束部5−1は、透明な低屈折率の材料、例えば、アンダーコートに用いられる材料であり、透明ポリマーとしては、ポリイミドやフッ素化ポリイミドなどがあげられ、透明酸化物としては、SiOなどがあげられる。The light separating / converging portion 5-1 is a transparent low refractive index material, for example, a material used for an undercoat, and examples of the transparent polymer include polyimide and fluorinated polyimide. Examples thereof include SiO 2 .

光散乱部6−1は、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱し、透明電極3−1から光分離・収束部5−1への入射角が透明電極3−1及び光分離・収束部5−1の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱する。具体的には、光散乱部6−1は、反射電極を備えない部分に設けられる散乱体である。   The light scattering unit 6-1 has at least a light extraction direction in which light having an emission angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is equal to or greater than a critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air. At least light having an incident angle from the transparent electrode 3-1 to the light separation / convergence unit 5-1 greater than or equal to a critical angle at the interface between the transparent electrode 3-1 and the light separation / convergence unit 5-1. Scattered in the light extraction direction. Specifically, the light scattering unit 6-1 is a scatterer provided in a portion that does not include a reflective electrode.

光散乱部6−1は、封止層7−1の接着剤のうち、反射電極を備えない部分に、散乱剤を混ぜることにより、ローコストで作成することができる。   The light-scattering part 6-1 can be produced at low cost by mixing a scattering agent in the part of the adhesive of the sealing layer 7-1 that does not have a reflective electrode.

バスライン8−1は、反射電極1−1−1、1−1−2及び透明電極3−1への電力供給を行なうラインであり、非発光エリアNA−1の内部に設けられる一方で、発光エリアLA−1−1、LA−1−2の内部に設けられない。   The bus line 8-1 is a line for supplying power to the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2 and the transparent electrode 3-1, and is provided inside the non-light emitting area NA-1. It is not provided inside the light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2.

よって、透明基板4−1−空気界面の非全反射光を、バスライン8−1に影響されることなく、透明基板4−1−空気界面で取り出すことができる。   Therefore, the non-total reflection light at the transparent substrate 4-1 air interface can be extracted at the transparent substrate 4-1 air interface without being affected by the bus line 8-1.

第1の実施形態の非発光エリア及び発光エリアのサイズを図2及び図3に示す。発光エリアLA−1−1、LA−1−2及び非発光エリアNA−1の面内方向のサイズは、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光が、光散乱部6−1に導かれることを可能とするサイズである。   The sizes of the non-light emitting area and the light emitting area of the first embodiment are shown in FIGS. The sizes of the light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 and the non-light emitting area NA-1 in the in-plane direction are such that the emission angle from the light separating / converging portion 5-1 to the transparent substrate 4-1 is the transparent substrate 4. -1 and a size that allows light that is greater than or equal to the critical angle at the air interface to be guided to the light scattering unit 6-1.

ここで、有機層2−1の厚さ(図2、3では、0.1μm)、透明電極3−1の厚さ(図2、3では、0.1μm)及び光分離・収束部5−1の厚さ(図2、3では、1μm)は、透明基板4−1の厚さ(図2、3では、300μm)と比べて、無視することができる。よって、有機層2−1における発光点は、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、当該発光点から積層方向へと進む直線と、の交点と同一視してもよい。そして、光散乱部6−1における散乱点は、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、当該散乱点から積層方向へと進む直線と、の交点と同一視してもよい。   Here, the thickness of the organic layer 2-1 (0.1 μm in FIGS. 2 and 3), the thickness of the transparent electrode 3-1 (0.1 μm in FIGS. 2 and 3), and the light separation / convergence unit 5- The thickness of 1 (1 μm in FIGS. 2 and 3) can be ignored compared to the thickness of the transparent substrate 4-1 (300 μm in FIGS. 2 and 3). Therefore, the light emitting point in the organic layer 2-1 can be regarded as the intersection of the interface between the light separating / converging part 5-1 and the transparent substrate 4-1 and the straight line that proceeds from the light emitting point in the stacking direction. Good. And the scattering point in the light-scattering part 6-1 is equated with the intersection of the interface of the light-separation / convergence part 5-1 and the transparent substrate 4-1, and the straight line which progresses from the said scattering point to a lamination direction. Also good.

そして、非発光エリアNA−1の中心から反射電極1−1−1、1−1−2の端部への距離をx、発光エリアLA−1−1、LA−1−2の幅をr、透明基板4−1の厚さをdとする。さらに、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角の上限をθmax、透明基板4−1及び空気の界面での臨界角をθcriとする。ここで、θmax及びθcriは、スネルの法則から導かれる角度と比べて、等しい角度としてもよいが、数度(例えば、5度)小さい角度としてもよい。なぜならば、臨界角において全反射が起こるのはもちろんであるが、臨界角近傍においてすでに透過率が低くなるからである。   The distance from the center of the non-light emitting area NA-1 to the ends of the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2 is x, and the widths of the light emitting areas LA-1-1, LA-1-2 are r. The thickness of the transparent substrate 4-1 is d. Further, the upper limit of the emission angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is θmax, and the critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air is θcri. Here, θmax and θcri may be equal to the angle derived from Snell's law, or may be an angle that is smaller by several degrees (for example, 5 degrees). This is because total reflection occurs at the critical angle, but the transmittance is already low near the critical angle.

まず、非発光エリアNA−1のサイズ(つまり、2x)について、図2を用いて説明する。ここで、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、発光エリアLA−1−1の右端と、の交点を点Aとする。そして、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、発光エリアLA−1−2の左端と、の交点を点Bとする。   First, the size (that is, 2x) of the non-light emitting area NA-1 will be described with reference to FIG. Here, an intersection of the interface between the light separating / converging unit 5-1 and the transparent substrate 4-1 and the right end of the light emitting area LA-1-1 is defined as a point A. The intersection of the interface between the light separating / converging part 5-1 and the transparent substrate 4-1 and the left end of the light emitting area LA-1-2 is defined as a point B.

光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光が、光散乱部6−1に導かれることを可能とするためには、以下の条件を満たせばよい。つまり、点Aから出射角θmaxで空気界面へと進む光が、空気界面から入射角θmaxで点Bより左側へと進めばよい。または、点Bから出射角θmaxで空気界面へと進む光が、空気界面から入射角θmaxで点Aより右側へと進めばよい。よって、x≧d×tan(θmax)であればよい。   Light whose exit angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is greater than or equal to the critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air can be guided to the light scattering unit 6-1. In order to achieve this, the following conditions should be satisfied. That is, the light traveling from the point A to the air interface at the exit angle θmax may travel from the air interface to the left side from the point B at the incident angle θmax. Alternatively, light traveling from the point B to the air interface at the emission angle θmax may be advanced from the air interface to the right side at the incident angle θmax. Therefore, x ≧ d × tan (θmax) may be satisfied.

ここで、発光エリアLA−1−1からの光は、非発光エリアNA−1のうち左側に集中する一方で、発光エリアLA−1−2からの光は、非発光エリアNA−1のうち右側に集中している。よって、x≦d×tan(θmax)としても、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光が、光散乱部6−1に導かれることをほぼ可能とする。そして、x≦d×tan(θmax)とすれば、非発光エリアNA−1の面積を少なくすることができる。   Here, the light from the light emitting area LA-1-1 is concentrated on the left side of the non-light emitting area NA-1, while the light from the light emitting area LA-1-2 is concentrated in the non-light emitting area NA-1. Concentrate on the right side. Therefore, even if x ≦ d × tan (θmax), light having an emission angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is equal to or larger than a critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air. It is almost possible to be guided to the light scattering unit 6-1. If x ≦ d × tan (θmax), the area of the non-light emitting area NA-1 can be reduced.

次に、発光エリアLA−1−1、LA−1−2のサイズ(つまり、r)について、図3を用いて説明する。ここで、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、発光エリアLA−1−1の左端と、の交点を点Cとする。そして、光分離・収束部5−1及び透明基板4−1の界面と、発光エリアLA−1−2の右端と、の交点を点Dとする。   Next, the size (that is, r) of the light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 will be described with reference to FIG. Here, an intersection of the interface between the light separating / converging portion 5-1 and the transparent substrate 4-1 and the left end of the light emitting area LA-1-1 is defined as a point C. A point D is defined as an intersection of the interface between the light separating / converging part 5-1 and the transparent substrate 4-1 and the right end of the light emitting area LA-1-2.

光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光が、光散乱部6−1に導かれることを可能とするためには、以下の条件を満たせばよい。つまり、点Cから出射角θcriで空気界面へと進む光が、空気界面から入射角θcriで点Aより右側へと進めばよい。または、点Dから出射角θcriで空気界面へと進む光が、空気界面から入射角θcriで点Bより左側へと進めばよい。よって、r≦2d×tan(θcri)であればよい。   Light whose exit angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is greater than or equal to the critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air can be guided to the light scattering unit 6-1. In order to achieve this, the following conditions should be satisfied. That is, the light traveling from the point C to the air interface at the emission angle θcri may travel from the air interface to the right side from the point A at the incident angle θcri. Alternatively, the light traveling from the point D to the air interface at the exit angle θcri may travel from the air interface to the left side from the point B at the incident angle θcri. Therefore, r ≦ 2d × tan (θcri) may be satisfied.

ここで、r≧2d×tan(θcri)としても、光分離・収束部5−1から透明基板4−1への出射角が透明基板4−1及び空気の界面での臨界角以上である光が、光散乱部6−1に導かれることをほぼ可能とする。そして、r≧2d×tan(θcri)とすれば、発光エリアLA−1−1、LA−1−2の面積を大きくすることができる。さらに、r≧2d×tan(θcri)に代えて、r≧xとしてもよい。   Here, even when r ≧ 2d × tan (θcri), the light whose exit angle from the light separation / convergence unit 5-1 to the transparent substrate 4-1 is equal to or greater than the critical angle at the interface between the transparent substrate 4-1 and the air. Can be substantially guided to the light scattering unit 6-1. If r ≧ 2d × tan (θcri), the areas of the light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 can be increased. Furthermore, r ≧ x may be used instead of r ≧ 2d × tan (θcri).

第1の実施形態の反射電極の形状を図4及び図5に示す。着色部分は、反射電極1−1を示し、白地部分は、反射電極を備えない部分を示す。   The shape of the reflective electrode of the first embodiment is shown in FIGS. The colored portion indicates the reflective electrode 1-1, and the white background portion indicates a portion that does not include the reflective electrode.

図4に示した反射電極1−1では、紙面上下方向に、反射電極のストライプを配置し、紙面左右方向に、反射電極のストライプ間を接続する。反射電極のストライプの幅rは、図3のrに対応し、反射電極のストライプ間の幅2xは、図2の2xに対応する。   In the reflective electrode 1-1 shown in FIG. 4, stripes of the reflective electrode are arranged in the vertical direction of the paper surface, and the stripes of the reflective electrode are connected in the horizontal direction of the paper surface. The width r of the stripe of the reflective electrode corresponds to r in FIG. 3, and the width 2x between the stripes of the reflective electrode corresponds to 2x in FIG.

図5に示した反射電極1−1では、紙面上下左右方向に、反射電極を備える部分及び反射電極を備えない部分を交互に配置する。そして、反射電極を備える部分同士を接続するために、紙面斜め方向(図5の破線方向)に、着色円で示した接続部分を配置する。さらに、紙面上下左右方向のみならず、紙面斜め方向(図5の破線方向)においても、反射電極を備える部分及び反射電極を備えない部分を交互に配置するために、紙面上下左右方向に配置した反射電極を備える部分に、白地円で示した穴あき部分を配置してもよい。   In the reflective electrode 1-1 shown in FIG. 5, the portion provided with the reflective electrode and the portion not provided with the reflective electrode are alternately arranged in the vertical and horizontal directions on the paper surface. And in order to connect the part provided with a reflective electrode, the connection part shown with the colored circle is arrange | positioned in the paper surface diagonal direction (dashed line direction of FIG. 5). Further, not only in the vertical and horizontal directions on the paper surface but also in the diagonal direction on the paper surface (the broken line direction in FIG. 5), in order to alternately arrange the portions with the reflective electrodes and the portions without the reflective electrodes, they are arranged in the vertical and horizontal directions on the paper surface. You may arrange | position the perforated part shown by the white circle in the part provided with a reflective electrode.

反射電極を備える部分の紙面上下左右方向の幅rは、図3のrに対応し、反射電極を備えない部分の紙面上下左右方向の幅2xは、図2の2xに対応する。反射電極を備える部分の紙面斜め方向の幅rは、図3のrに対応し、反射電極を備えない部分の紙面斜め方向の幅2xは、図2の2xに対応する。図5のr、rをともに考慮した幅(例えば、(r+r)/2)を、図3のrに対応させてもよく、図5の2x、2xをともに考慮した幅(例えば、(2x+2x)/2)を、図2の2xに対応させてもよい。The width r 1 in the up / down / left / right direction of the portion having the reflective electrode corresponds to r in FIG. 3, and the vertical / horizontal width 2x 1 in the portion having no reflective electrode corresponds to 2x in FIG. The width r 2 in the oblique direction of the paper surface of the portion having the reflective electrode corresponds to r in FIG. 3, and the width 2x 2 in the oblique direction of the paper surface of the portion not provided with the reflective electrode corresponds to 2x in FIG. The width (for example, (r 1 + r 2 ) / 2) considering both r 1 and r 2 in FIG. 5 may correspond to r in FIG. 3, and both 2x 1 and 2x 2 in FIG. 5 are considered. The width (eg, (2x 1 + 2x 2 ) / 2) may correspond to 2x in FIG.

第1の実施形態の発光素子の原理実験結果を図6に示す。第1及び第2の比較例の発光素子の原理実験結果を図7及び図8に示す。図6〜8に示した発光素子では、反射電極1−1は紙面左右方向に配置され、透明電極3−1は紙面上下方向に配置され、反射電極1−1及び透明電極3−1が紙面前後方向の隔たりを置いて交差する部分が発光エリアLAである。   FIG. 6 shows the result of the principle experiment of the light emitting device of the first embodiment. FIG. 7 and FIG. 8 show the results of the principle experiment of the light emitting elements of the first and second comparative examples. 6 to 8, the reflective electrode 1-1 is disposed in the left-right direction on the paper surface, the transparent electrode 3-1 is disposed in the vertical direction on the paper surface, and the reflective electrode 1-1 and the transparent electrode 3-1 are disposed on the paper surface. A light emitting area LA is a portion that intersects with a gap in the front-rear direction.

図6に示した第1の実施形態の発光素子L−1では、光分離・収束部5−1及び光散乱部6−1がある。ここで、反射電極1−1及び透明電極3−1の交差部分の近傍に、光が集中していることが分かる。つまり、光分離・収束部5−1により収束された透明基板4−1−空気界面の全反射光が、光散乱部6−1により散乱されている。   The light emitting element L-1 according to the first embodiment shown in FIG. 6 includes a light separation / convergence unit 5-1 and a light scattering unit 6-1. Here, it can be seen that light is concentrated in the vicinity of the intersection of the reflective electrode 1-1 and the transparent electrode 3-1. That is, the total reflected light of the transparent substrate 4-1 air interface converged by the light separation / convergence unit 5-1 is scattered by the light scattering unit 6-1.

図7に示した第1の比較例の発光素子では、光分離・収束部5−1がなく光散乱部6−1がある。ここで、反射電極1−1及び透明電極3−1の交差部分の周囲に、光が拡散していることが分かる。つまり、光分離・収束部5がなく拡散された透明基板4−1−空気界面の全反射光が、光散乱部6−1により散乱されている。   In the light emitting device of the first comparative example shown in FIG. 7, there is no light separation / convergence unit 5-1, and there is a light scattering unit 6-1. Here, it can be seen that light is diffused around the intersection of the reflective electrode 1-1 and the transparent electrode 3-1. That is, the total reflection light of the transparent substrate 4-1 air interface diffused without the light separation / convergence unit 5 is scattered by the light scattering unit 6-1.

図8に示した第2の比較例の発光素子では、光分離・収束部5−1及び光散乱部6−1がない。ここで、反射電極1−1及び透明電極3−1の交差部分の周囲に、光が分布していないことが分かる。つまり、光分離・収束部5がなく拡散された透明基板4−1−空気界面の全反射光が、光散乱部6−1がなくほとんど取り出されない。   The light emitting element of the second comparative example shown in FIG. 8 does not have the light separation / convergence unit 5-1 and the light scattering unit 6-1. Here, it can be seen that light is not distributed around the intersection of the reflective electrode 1-1 and the transparent electrode 3-1. That is, the totally reflected light of the transparent substrate 4-1 air interface diffused without the light separation / convergence unit 5 is hardly extracted without the light scattering unit 6-1.

第1の実施形態では、発光素子L−1を発光エリアLA−1−1、LA−1−2及び非発光エリアNA−1に分割する。そして、透明基板4−1−空気界面の全反射光を少なくとも光取り出し方向に散乱する光散乱部6−1を、非発光エリアNA−1に配置することにより、透明基板4−1−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくする。さらに、透明基板4−1への出射角の上限を設定する光分離・収束部5−1を、発光エリアLA−1−1、LA−1−2に配置することにより、透明基板4−1での光の拡散を少なくして、非発光エリアNA−1の面積を少なくする。   In the first embodiment, the light emitting element L-1 is divided into light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 and a non-light emitting area NA-1. And the transparent substrate 4-1-air interface by disposing the light scattering part 6-1 that scatters the total reflected light of the transparent substrate 4-1-air interface at least in the light extraction direction. Reduces light confinement due to total internal reflection. Further, by arranging the light separating / converging unit 5-1 for setting the upper limit of the emission angle to the transparent substrate 4-1, in the light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2, the transparent substrate 4-1. The diffusion of light is reduced and the area of the non-light emitting area NA-1 is reduced.

よって、透明基板4−1−空気界面の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができる。また、光散乱部6−1がなければ透明基板4−1−空気界面で全反射される光を、光散乱部6−1で散乱させることができる一方で、光散乱部6−1がない場合透明基板4−1−空気界面で取り出される光を、光散乱部6−1の存在で散乱させないことができる。また、透明基板4−1での光の拡散を少なくすることができ、非発光エリアNA−1の面積を少なくすることができる。また、非発光エリアNA−1が反射電極1−1を備えないとき、反射電極1−1における表面プラズモン損失や反射電極1−1と透明電極3−1−透明基板4−1の間の導波モード光を軽減することができる。   Therefore, light confinement due to total reflection at the transparent substrate 4-1 -air interface can be reduced. Further, if there is no light scattering part 6-1, light totally reflected at the transparent substrate 4-1 air interface can be scattered by the light scattering part 6-1, but there is no light scattering part 6-1. In this case, the light extracted at the transparent substrate 4-1 air interface can be prevented from being scattered by the presence of the light scattering portion 6-1. Further, the diffusion of light on the transparent substrate 4-1 can be reduced, and the area of the non-light emitting area NA-1 can be reduced. Further, when the non-light emitting area NA-1 does not include the reflective electrode 1-1, the surface plasmon loss in the reflective electrode 1-1 and the conduction between the reflective electrode 1-1 and the transparent electrode 3-1-transparent substrate 4-1. Wave mode light can be reduced.

第1の実施形態では、発光素子L−1を発光エリアLA−1−1、LA−1−2及び非発光エリアNA−1に分割する。そして、透明電極3−1−光分離・収束部5−1の全反射光を少なくとも光取り出し方向に散乱する光散乱部6−1を、非発光エリアNA−1に配置することにより、透明電極3−1−光分離・収束部5−1の全反射による光の閉じ込めを少なくする。さらに、透明電極3−1から光分離・収束部5−1への入射光の入射角の上限を設定する光分離・収束部5−1を、発光エリアNA−1に配置することにより、透明基板3−1での光の拡散をより少なくして、非発光エリアNA−1の面積をより少なくする。   In the first embodiment, the light emitting element L-1 is divided into light emitting areas LA-1-1 and LA-1-2 and a non-light emitting area NA-1. Then, the transparent electrode 3-1 is arranged in the non-light emitting area NA-1 by disposing the light scattering part 6-1 that scatters the total reflected light of the light separating / converging part 5-1 at least in the light extraction direction. 3-1. Light confinement due to total reflection of the light separation / convergence unit 5-1 is reduced. Further, the light separation / convergence unit 5-1 that sets the upper limit of the incident angle of the incident light from the transparent electrode 3-1 to the light separation / convergence unit 5-1 is arranged in the light emitting area NA-1, thereby making it transparent. The diffusion of light on the substrate 3-1 is further reduced to reduce the area of the non-light emitting area NA-1.

よって、透明電極3−1−光分離・収束部5−1の全反射による光の閉じ込めを少なくすることができる。また、導波モード光を散乱する光散乱部6−1がない場合透明基板4−1−空気界面で取り出される光を、導波モード光を散乱する光散乱部6−1の存在で散乱させないことができる。また、透明基板4−1での光の拡散をより少なくすることができ、非発光エリアNA−1の面積をより少なくすることができる。なお、図1〜3では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   Therefore, the confinement of light due to the total reflection of the transparent electrode 3-1 -light separating / converging portion 5-1 can be reduced. Further, when there is no light scattering portion 6-1 that scatters waveguide mode light, the light extracted at the transparent substrate 4-1 air interface is not scattered by the presence of the light scattering portion 6-1 that scatters waveguide mode light. be able to. Moreover, the diffusion of light on the transparent substrate 4-1 can be further reduced, and the area of the non-light emitting area NA-1 can be further reduced. In FIGS. 1 to 3, for the sake of brevity, only two and one light-emitting area and one non-light-emitting area are shown, but as shown in FIGS. And non-light-emitting areas are alternately arranged.

(第2の実施形態)
第2の実施形態の発光素子の構成を図9に示す。第2の実施形態の発光素子L−2では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−2−1、LA−2−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−2は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−2−1、1−2−2、有機層2−2、透明電極3−2、光分離・収束部5−2、透明基板4−2、封止層7−2及びバスライン8−2は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1及びバスライン8−1と同様であり、光散乱部6−2は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。
(Second Embodiment)
The structure of the light emitting device of the second embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-2 of the second embodiment, the light emitting areas LA-2-1 and LA-2-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-2 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-2-1, 1-2-2, the organic layer 2-2, the transparent electrode 3-2, the light separating / converging portion 5-2, the transparent substrate 4-2, the sealing layer 7-2, and The bus lines 8-2 are respectively reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, an organic layer 2-1, a transparent electrode 3-1, a light separation / convergence unit 5-1, a transparent substrate 4-1, It is the same as the sealing layer 7-1 and the bus line 8-1, and the light scattering part 6-2 is different from the light scattering part 6-1.

光散乱部6−2は、透明電極3−2及び光分離・収束部5−2の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光及び導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−2は、発光エリアLA−2−1、LA−2−2から非発光エリアNA−2へと直接的に入射する基板モード光及び導波モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The light scattering unit 6-2 is a scatterer provided in the vicinity of the interface between the transparent electrode 3-2 and the light separating / converging unit 5-2, and scatters substrate mode light and waveguide mode light at least in the light extraction direction. The light scattering unit 6-2 extracts at least the substrate mode light and the waveguide mode light that are directly incident from the light emitting areas LA-2-1 and LA-2-2 to the non-light emitting area NA-2. Scatter in the direction.

光散乱部6−2は、光分離・収束部5−2のうち、発光エリアLA−2−1、LA−2−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−2の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。   The light scattering unit 6-2 masks the light emitting areas LA-2-1 and LA-2-2 in the light separating / converging unit 5-2, while the non-light emitting area NA-2 is a laser. By baking, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material.

なお、光分離・収束部5−2のうち、非発光エリアNA−2の部分では、表面の凹凸の直上に、透明電極3−2の構成物質をスパッタする。しかし、透明電極3−2のうち、非発光エリアNA−2の部分では、対向する反射電極を備えない。よって、非発光エリアNA−2において、透明電極3−2の平坦性が悪くても、透明電極3−2及び反射電極の間のリークを起こさない。なお、図9では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, in the part of the light separation / convergence unit 5-2, in the portion of the non-light emitting area NA-2, the constituent material of the transparent electrode 3-2 is sputtered immediately above the surface unevenness. However, in the transparent electrode 3-2, the portion of the non-light emitting area NA-2 does not include the opposing reflective electrode. Therefore, even if the flatness of the transparent electrode 3-2 is poor in the non-light emitting area NA-2, no leakage occurs between the transparent electrode 3-2 and the reflective electrode. In FIG. 9, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown for the sake of brevity, but in actuality, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第3の実施形態)
第3の実施形態の発光素子の構成を図10に示す。第3の実施形態の発光素子L−3では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−3−1、LA−3−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−3は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−3−1、1−3−2、有機層2−3、透明電極3−3、光分離・収束部5−3、透明基板4−3、封止層7−3及びバスライン8−3は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1及びバスライン8−1と同様であり、光散乱部6−3は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。
(Third embodiment)
The structure of the light emitting device of the third embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-3 of the third embodiment, the light emitting areas LA-3-1 and LA-3-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-3 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-3-1, 1-3-2, the organic layer 2-3, the transparent electrode 3-3, the light separation / convergence unit 5-3, the transparent substrate 4-3, the sealing layer 7-3, and The bus line 8-3 includes the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1, the transparent electrode 3-1, the light separation / convergence unit 5-1, the transparent substrate 4-1, It is the same as the sealing layer 7-1 and the bus line 8-1, and the light scattering part 6-3 is different from the light scattering part 6-1.

光散乱部6−3は、光分離・収束部5−3及び透明基板4−3の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−3は、発光エリアLA−3−1、LA−3−2から非発光エリアNA−3へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第3の実施形態の発光素子L−3は、第1の実施形態の光散乱部6−1又は第2の実施形態の光散乱部6−2をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-3 is a scatterer provided near the interface between the light separating / converging unit 5-3 and the transparent substrate 4-3, and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. Note that the light scattering unit 6-3 also scatters the substrate mode light that is directly incident on the non-light emitting area NA-3 from the light emitting areas LA-3-1 and LA-3-2, at least in the light extraction direction. Further, the light emitting element L-3 of the third embodiment may further include the light scattering unit 6-1 of the first embodiment or the light scattering unit 6-2 of the second embodiment. The mode light can also be scattered at least in the light extraction direction.

光散乱部6−3は、透明基板4−3のうち、発光エリアLA−3−1、LA−3−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−3の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。なお、図10では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   The light scattering unit 6-3 masks the light emitting areas LA-3-1 and LA-3-2 in the transparent substrate 4-3, and burns the non-light emitting area NA-3 with a laser. Thus, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material. In FIG. 10, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown for the sake of brevity, but actually, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第4の実施形態)
第4の実施形態の発光素子の構成を図11に示す。第4の実施形態の発光素子L−4では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−4−1、LA−4−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−4は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−4−1、1−4−2、有機層2−4、透明電極3−4、光分離・収束部5−4、透明基板4−4、封止層7−4及びバスライン8−4は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1及びバスライン8−1と同様であり、光散乱部6−4は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。
(Fourth embodiment)
FIG. 11 shows the configuration of the light emitting device of the fourth embodiment. In the light emitting element L-4 of the fourth embodiment, the light emitting areas LA-4-1 and LA-4-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-4 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-4-1, 1-4-2, the organic layer 2-4, the transparent electrode 3-4, the light separating / converging portion 5-4, the transparent substrate 4-4, the sealing layer 7-4, and The bus lines 8-4 are respectively reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, an organic layer 2-1, a transparent electrode 3-1, a light separation / convergence unit 5-1, a transparent substrate 4-1, It is the same as the sealing layer 7-1 and the bus line 8-1, and the light scattering part 6-4 is different from the light scattering part 6-1.

光散乱部6−4は、透明基板4−4の内部(図11の場合は、透明基板4−4の紙面下側)に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−4は、発光エリアLA−4−1、LA−4−2から非発光エリアNA−4へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第4の実施形態の発光素子L−4は、第1の実施形態の光散乱部6−1又は第2の実施形態の光散乱部6−2をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-4 is a scatterer provided inside the transparent substrate 4-4 (in the case of FIG. 11, the lower surface of the transparent substrate 4-4), and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. To do. The light scattering unit 6-4 also scatters the substrate mode light that directly enters the non-light emitting area NA-4 from the light emitting areas LA-4-1 and LA-4-2 at least in the light extraction direction. Moreover, the light emitting element L-4 of the fourth embodiment may further include the light scattering unit 6-1 of the first embodiment or the light scattering unit 6-2 of the second embodiment. The mode light can also be scattered at least in the light extraction direction.

光散乱部6−4は、透明基板4−4のうち、発光エリアLA−4−1、LA−4−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−4の部分を内部に焦点を合わせレーザーで焼くことにより、材料の白濁による散乱効果を得ることができる。なお、図11では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   The light scattering portion 6-4 masks the light emitting areas LA-4-1 and LA-4-2 of the transparent substrate 4-4, while focusing the portion of the non-light emitting area NA-4 on the inside. By scattering with a combined laser, a scattering effect due to white turbidity of the material can be obtained. In FIG. 11, for the sake of brevity, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown, but in actuality, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第5の実施形態)
第5の実施形態の発光素子の構成を図12に示す。第5の実施形態の発光素子L−5では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−5−1、LA−5−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−5は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−5、光分離・収束部5−5、透明基板4−5及び封止層7−5は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図12では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Fifth embodiment)
The structure of the light emitting device of the fifth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-5 of the fifth embodiment, the light emitting areas LA-5-1 and LA-5-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-5 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-5, the light separation / convergence unit 5-5, the transparent substrate 4-5, and the sealing layer 7-5 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 12, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、反射電極1−5は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−5−1、LA−5−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−5に備えられる。また、透明電極3−5−1、3−5−2は、透明電極3−1と異なり、発光エリアLA−5−1、LA−5−2に備えられる一方で、非発光エリアNA−5に備えられない。また、光散乱部6−5は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   Further, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the reflective electrode 1-5 is provided in the light emitting areas LA-5-1, LA-5-2, and in the non-light emitting area NA-5. Provided. Further, unlike the transparent electrode 3-1, the transparent electrodes 3-5-1 and 3-5-2 are provided in the light emitting areas LA-5-1 and LA-5-2, while the non-light emitting area NA-5. Not prepared for. Moreover, the light scattering part 6-5 is different from the light scattering part 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−5は、透明電極3−5−1、3−5−2を備えない部分に設けられる散乱体であり、基板モード光及び導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−5は、発光エリアLA−5−1、LA−5−2から非発光エリアNA−5へと直接的に入射する基板モード光及び導波モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The light scattering portion 6-5 is a scatterer provided in a portion not including the transparent electrodes 3-5-1 and 3-5-2, and scatters the substrate mode light and the waveguide mode light at least in the light extraction direction. The light scattering unit 6-5 also extracts at least the substrate mode light and the waveguide mode light that are directly incident on the non-light emitting area NA-5 from the light emitting areas LA-5-1 and LA-5-2. Scatter in the direction.

なお、透明電極3−5−1、3−5−2を配置して、光散乱部6−5を透明電極3−5−1、3−5−2の間に埋め込み、有機層2−5を塗布する。ここで、有機層2−5のうち、非発光エリアNA−5の部分では、対向する透明電極を備えない。よって、光散乱部6−5及び有機層2−5のうち非発光エリアNA−5の部分は、厚さ精度は不要である。なお、図12では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   The transparent electrodes 3-5-1 and 3-5-2 are arranged, and the light scattering portion 6-5 is embedded between the transparent electrodes 3-5-1 and 3-5-2, and the organic layer 2-5 Apply. Here, in the organic layer 2-5, the non-light emitting area NA-5 does not include the opposing transparent electrodes. Therefore, the thickness accuracy is not required for the non-light emitting area NA-5 in the light scattering portion 6-5 and the organic layer 2-5. In FIG. 12, for the sake of brevity, only two and one light emitting areas and one non-light emitting area are shown, respectively. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第6の実施形態)
第6の実施形態の発光素子の構成を図13に示す。第6の実施形態の発光素子L−6では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−6−1、LA−6−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−6は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−6、光分離・収束部5−6、透明基板4−6及び封止層7−6は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図13では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Sixth embodiment)
The structure of the light emitting device of the sixth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-6 of the sixth embodiment, the light emitting areas LA-6-1 and LA-6-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-6 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-6, the light separation / convergence unit 5-6, the transparent substrate 4-6, and the sealing layer 7-6 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 13, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、反射電極1−6は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−6−1、LA−6−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−6に備えられる。また、透明電極3−6−1、3−6−2は、透明電極3−1と異なり、発光エリアLA−6−1、LA−6−2に備えられる一方で、非発光エリアNA−6に備えられない。また、光散乱部6−6は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   Further, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the reflective electrode 1-6 is provided in the light emitting areas LA-6-1, LA-6-2, and in the non-light emitting area NA-6. Provided. Further, unlike the transparent electrode 3-1, the transparent electrodes 3-6-1 and 3-6-2 are provided in the light-emitting areas LA-6-1 and LA-6-2, while the non-light-emitting areas NA-6. Not prepared for. The light scattering unit 6-6 is different from the light scattering unit 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−6は、有機層2−6及び光分離・収束部5−6の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光及び導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−6は、発光エリアLA−6−1、LA−6−2から非発光エリアNA−6へと直接的に入射する基板モード光及び導波モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The light scattering unit 6-6 is a scatterer provided in the vicinity of the interface between the organic layer 2-6 and the light separating / converging unit 5-6, and scatters substrate mode light and waveguide mode light at least in the light extraction direction. The light scattering unit 6-6 also extracts at least the substrate mode light and the waveguide mode light that are directly incident on the non-light emitting area NA-6 from the light emitting areas LA-6-1 and LA-6-2. Scatter in the direction.

光散乱部6−6は、光分離・収束部5−6のうち、発光エリアLA−6−1、LA−6−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−6の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。   The light scattering unit 6-6 masks the light emitting areas LA-6-1 and LA-6-2 in the light separating / converging unit 5-6, while the non-light emitting area NA-6 is a laser. By baking, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material.

なお、透明電極3−6−1、3−6−2を配置して、有機層2−6を塗布する。ここで、有機層2−6のうち、非発光エリアNA−6の部分では、対向する透明電極を備えない。よって、有機層2−6のうち非発光エリアNA−6の部分は、厚さ精度は不要である。なお、図13では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, the transparent electrodes 3-6-1 and 3-6-2 are disposed, and the organic layer 2-6 is applied. Here, in the organic layer 2-6, the non-light emitting area NA-6 does not include the opposing transparent electrodes. Therefore, the thickness accuracy of the portion of the non-light emitting area NA-6 in the organic layer 2-6 is not necessary. In FIG. 13, for the sake of brevity, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown, respectively. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第7の実施形態)
第7の実施形態の発光素子の構成を図14に示す。第7の実施形態の発光素子L−7では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−7−1、LA−7−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−7は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−7、光分離・収束部5−7、透明基板4−7及び封止層7−7は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図14では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Seventh embodiment)
FIG. 14 shows the configuration of the light emitting device of the seventh embodiment. In the light emitting element L-7 of the seventh embodiment, the light emitting areas LA-7-1 and LA-7-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-7 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-7, the light separation / convergence unit 5-7, the transparent substrate 4-7, and the sealing layer 7-7 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 14, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、反射電極1−7は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−7−1、LA−7−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−7に備えられる。また、透明電極3−7−1、3−7−2は、透明電極3−1と異なり、発光エリアLA−7−1、LA−7−2に備えられる一方で、非発光エリアNA−7に備えられない。また、光散乱部6−7は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   Further, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the reflective electrode 1-7 is provided in the light emitting areas LA-7-1, LA-7-2 and in the non-light emitting area NA-7. Provided. Further, unlike the transparent electrode 3-1, the transparent electrodes 3-7-1 and 3-7-2 are provided in the light emitting areas LA-7-1 and LA-7-2, while the non-light emitting areas NA-7. Not prepared for. Further, the light scattering portion 6-7 is different from the light scattering portion 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−7は、光分離・収束部5−7及び透明基板4−7の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−7は、発光エリアLA−7−1、LA−7−2から非発光エリアNA−7へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第7の実施形態の発光素子L−7は、第5の実施形態の光散乱部6−5又は第6の実施形態の光散乱部6−6をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-7 is a scatterer provided in the vicinity of the interface between the light separating / converging unit 5-7 and the transparent substrate 4-7, and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. The light scattering unit 6-7 also scatters the substrate mode light that is directly incident from the light emitting areas LA-7-1 and LA-7-2 to the non-light emitting area NA-7 at least in the light extraction direction. Further, the light emitting element L-7 of the seventh embodiment may further include the light scattering unit 6-5 of the fifth embodiment or the light scattering unit 6-6 of the sixth embodiment. The mode light can also be scattered at least in the light extraction direction.

光散乱部6−7は、透明基板4−7のうち、発光エリアLA−7−1、LA−7−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−7の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。   The light scattering unit 6-7 masks the light emitting areas LA-7-1 and LA-7-2 of the transparent substrate 4-7, and burns the non-light emitting area NA-7 with a laser. Thus, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material.

なお、透明電極3−7−1、3−7−2を配置して、有機層2−7を塗布する。ここで、有機層2−7のうち、非発光エリアNA−7の部分では、対向する透明電極を備えない。よって、有機層2−7のうち非発光エリアNA−7の部分は、厚さ精度は不要である。なお、図14では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, the transparent electrodes 3-7-1 and 3-7-2 are disposed, and the organic layer 2-7 is applied. Here, in the portion of the non-light emitting area NA-7 in the organic layer 2-7, the opposing transparent electrode is not provided. Therefore, the thickness accuracy of the non-light emitting area NA-7 portion of the organic layer 2-7 is not necessary. In FIG. 14, for the sake of brevity, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown, respectively. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第8の実施形態)
第8の実施形態の発光素子の構成を図15に示す。第8の実施形態の発光素子L−8では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−8−1、LA−8−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−8は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−8、光分離・収束部5−8、透明基板4−8及び封止層7−8は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図15では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Eighth embodiment)
The structure of the light emitting device of the eighth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-8 of the eighth embodiment, the light emitting areas LA-8-1 and LA-8-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-8 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-8, the light separation / convergence unit 5-8, the transparent substrate 4-8, and the sealing layer 7-8 are the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate, respectively. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 15, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but for simplicity, the bus lines are omitted.

また、反射電極1−8は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−8−1、LA−8−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−8に備えられる。また、透明電極3−8−1、3−8−2は、透明電極3−1と異なり、発光エリアLA−8−1、LA−8−2に備えられる一方で、非発光エリアNA−8に備えられない。また、光散乱部6−8は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   Further, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the reflective electrode 1-8 is provided in the light emitting areas LA-8-1, LA-8-2 and in the non-light emitting area NA-8. Provided. Further, unlike the transparent electrode 3-1, the transparent electrodes 3-8-1 and 3-8-2 are provided in the light-emitting areas LA-8-1 and LA-8-2, while the non-light-emitting areas NA-8. Not prepared for. The light scattering unit 6-8 is different from the light scattering unit 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−8は、透明基板4−8の内部(図15の場合は、透明基板4−8の紙面下側)に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−8は、発光エリアLA−8−1、LA−8−2から非発光エリアNA−8へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第8の実施形態の発光素子L−8は、第5の実施形態の光散乱部6−5又は第6の実施形態の光散乱部6−6をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-8 is a scatterer provided inside the transparent substrate 4-8 (in the case of FIG. 15, the lower side of the transparent substrate 4-8), and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. To do. The light scattering unit 6-8 also scatters the substrate mode light that is directly incident from the light emitting areas LA-8-1 and LA-8-2 to the non-light emitting area NA-8 at least in the light extraction direction. Further, the light emitting element L-8 of the eighth embodiment may further include the light scattering unit 6-5 of the fifth embodiment or the light scattering unit 6-6 of the sixth embodiment. The mode light can also be scattered at least in the light extraction direction.

光散乱部6−8は、透明基板4−8のうち、発光エリアLA−8−1、LA−8−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−8の部分を内部に焦点を合わせレーザーで焼くことにより、材料の白濁による散乱効果を得ることができる。   The light scattering portion 6-8 masks the light emitting areas LA-8-1 and LA-8-2 of the transparent substrate 4-8, while focusing the portion of the non-light emitting area NA-8 on the inside. By scattering with a combined laser, a scattering effect due to white turbidity of the material can be obtained.

なお、透明電極3−8−1、3−8−2を配置して、有機層2−8を塗布する。ここで、有機層2−8のうち、非発光エリアNA−8の部分では、対向する透明電極を備えない。よって、有機層2−8のうち非発光エリアNA−8の部分は、厚さ精度は不要である。なお、図15では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, the transparent electrodes 3-8-1 and 3-8-2 are disposed, and the organic layer 2-8 is applied. Here, in the organic layer 2-8, the portion of the non-light emitting area NA-8 does not include the opposing transparent electrode. Therefore, the thickness accuracy of the portion of the non-light emitting area NA-8 in the organic layer 2-8 is not necessary. In FIG. 15, for the sake of brevity, only two and one light emitting area and one non-light emitting area are shown, respectively. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第9の実施形態)
第9の実施形態の発光素子の構成を図16に示す。第9の実施形態の発光素子L−9では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−9−1、LA−9−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−9は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−9、光分離・収束部5−9、透明基板4−9及び封止層7−9は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図16では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Ninth embodiment)
The structure of the light emitting device of the ninth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-9 of the ninth embodiment, the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-9 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-9, the light separation / convergence unit 5-9, the transparent substrate 4-9, and the sealing layer 7-9 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 16, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、分割反射電極1−9(隣接電極は非接続)は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−9−1、LA−9−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−9に備えられる。また、分割透明電極3−9(隣接電極は非接続)は、透明電極3−1と同様に、発光エリアLA−9−1、LA−9−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−9に備えられる。また、分割反射電極1−9及び分割透明電極3−9への電力供給は、発光エリアLA−9−1、LA−9−2で行われる一方で、非発光エリアNA−9で行われない。また、光散乱部6−9は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   The divided reflective electrodes 1-9 (adjacent electrodes are not connected) are provided in the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2. , Provided in the non-light emitting area NA-9. Similarly to the transparent electrode 3-1, the divided transparent electrode 3-9 (adjacent electrodes are not connected) is provided in the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2, and the non-light emitting area NA-9. Prepared for. The power supply to the divided reflective electrode 1-9 and the divided transparent electrode 3-9 is performed in the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2, but not in the non-light emitting area NA-9. . The light scattering unit 6-9 is different from the light scattering unit 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−9は、分割透明電極3−9及び光分離・収束部5−9の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光及び導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−9は、発光エリアLA−9−1、LA−9−2から非発光エリアNA−9へと直接的に入射する基板モード光及び導波モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The light scattering unit 6-9 is a scatterer provided in the vicinity of the interface between the divided transparent electrode 3-9 and the light separating / converging unit 5-9, and scatters the substrate mode light and the waveguide mode light at least in the light extraction direction. . The light scattering unit 6-9 also extracts at least the substrate mode light and the waveguide mode light that are directly incident on the non-light emitting area NA-9 from the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2. Scatter in the direction.

光散乱部6−9は、光分離・収束部5−9のうち、発光エリアLA−9−1、LA−9−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−9の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。   The light scattering unit 6-9 masks the light emitting areas LA-9-1 and LA-9-2 in the light separating / converging unit 5-9, while the non-light emitting area NA-9 is laser-processed. By baking, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material.

なお、光分離・収束部5−9のうち、非発光エリアNA−9の部分では、表面の凹凸の直上に、分割透明電極3−9の構成物質をスパッタする。しかし、分割透明電極3−9のうち、非発光エリアNA−9の部分では、電力供給がない。よって、非発光エリアNA−9において、分割透明電極3−9の平坦性が悪くても、分割透明電極3−9及び分割反射電極1−9の間のリークを起こさない。なお、第9の実施形態では、透明電極及び反射電極の両方を分割しているが、透明電極及び反射電極の少なくとも一方を分割してもよい。また、図16では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, in the part of non-light-emitting area NA-9 in the light separating / converging portion 5-9, the constituent material of the divided transparent electrode 3-9 is sputtered immediately above the surface unevenness. However, no power is supplied to the non-light emitting area NA-9 in the divided transparent electrode 3-9. Therefore, in the non-light emitting area NA-9, even if the flatness of the divided transparent electrode 3-9 is poor, no leakage occurs between the divided transparent electrode 3-9 and the divided reflective electrode 1-9. In the ninth embodiment, both the transparent electrode and the reflective electrode are divided, but at least one of the transparent electrode and the reflective electrode may be divided. Further, in FIG. 16, for the sake of brevity, only two and one light emitting areas and one non-light emitting area are shown, but as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第10の実施形態)
第10の実施形態の発光素子の構成を図17に示す。第10の実施形態の発光素子L−10では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−10−1、LA−10−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−10は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−10、光分離・収束部5−10、透明基板4−10及び封止層7−10は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図17では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Tenth embodiment)
The configuration of the light emitting device of the tenth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-10 of the tenth embodiment, the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. The non-light emitting area NA-10 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-10, the light separation / convergence unit 5-10, the transparent substrate 4-10, and the sealing layer 7-10 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 17, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、分割反射電極1−10(隣接電極は非接続)は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−10−1、LA−10−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−10に備えられる。また、分割透明電極3−10(隣接電極は非接続)は、透明電極3−1と同様に、発光エリアLA−10−1、LA−10−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−10に備えられる。また、分割反射電極1−10及び分割透明電極3−10への電力供給は、発光エリアLA−10−1、LA−10−2で行われる一方で、非発光エリアNA−10で行われない。また、光散乱部6−10は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   The divided reflective electrode 1-10 (adjacent electrodes are not connected) is provided in the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2. , Provided in the non-light emitting area NA-10. Similarly to the transparent electrode 3-1, the divided transparent electrode 3-10 (adjacent electrodes are not connected) is provided in the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2, and the non-light emitting area NA-10. Prepared for. The power supply to the divided reflective electrode 1-10 and the divided transparent electrode 3-10 is performed in the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2, but not in the non-light emitting area NA-10. . Further, the light scattering unit 6-10 is different from the light scattering unit 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−10は、光分離・収束部5−10及び透明基板4−10の界面近傍に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−10は、発光エリアLA−10−1、LA−10−2から非発光エリアNA−10へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第10の実施形態の発光素子L−10は、第9の実施形態の光散乱部6−9をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-10 is a scatterer provided near the interface between the light separating / converging unit 5-10 and the transparent substrate 4-10, and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. The light scattering unit 6-10 also scatters the substrate mode light that directly enters the non-light emitting area NA-10 from the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2 at least in the light extraction direction. Further, the light emitting element L-10 of the tenth embodiment may further include the light scattering portion 6-9 of the ninth embodiment, and the waveguide mode light can also be scattered at least in the light extraction direction. .

光散乱部6−10は、透明基板4−10のうち、発光エリアLA−10−1、LA−10−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−10の部分をレーザーで焼くことにより、表面の凹凸や材料の白濁による散乱効果を得ることができる。なお、第10の実施形態では、透明電極及び反射電極の両方を分割しているが、透明電極及び反射電極の少なくとも一方を分割してもよい。また、図17では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   The light scattering unit 6-10 masks the light emitting areas LA-10-1 and LA-10-2 of the transparent substrate 4-10, while burning the non-light emitting area NA-10 with a laser. Thus, it is possible to obtain a scattering effect due to surface irregularities and white turbidity of the material. In the tenth embodiment, both the transparent electrode and the reflective electrode are divided, but at least one of the transparent electrode and the reflective electrode may be divided. Further, in FIG. 17, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown for the sake of brevity, but actually, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第11の実施形態)
第11の実施形態の発光素子の構成を図18に示す。第11の実施形態の発光素子L−11では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−11−1、LA−11−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−11は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、有機層2−11、光分離・収束部5−11、透明基板4−11及び封止層7−11は、それぞれ、有機層2−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1及び封止層7−1と同様である。なお、図18では、透明電極が分割されているため、バスラインが複数必要であるが、簡単のため、バスラインを省略している。
(Eleventh embodiment)
The configuration of the light emitting device of the eleventh embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-11 of the eleventh embodiment, the light emitting areas LA-11-1 and LA-11-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-11 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the organic layer 2-11, the light separation / convergence unit 5-11, the transparent substrate 4-11, and the sealing layer 7-11 are respectively the organic layer 2-1, the light separation / convergence unit 5-1, and the transparent substrate. The same as 4-1 and the sealing layer 7-1. In FIG. 18, since the transparent electrode is divided, a plurality of bus lines are necessary, but the bus lines are omitted for simplicity.

また、分割反射電極1−11(隣接電極は非接続)は、反射電極1−1−1、1−1−2と異なり、発光エリアLA−11−1、LA−11−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−11に備えられる。また、分割透明電極3−11(隣接電極は非接続)は、透明電極3−1と同様に、発光エリアLA−11−1、LA−11−2に備えられるとともに、非発光エリアNA−11に備えられる。また、分割反射電極1−11及び分割透明電極3−11への電力供給は、発光エリアLA−11−1、LA−11−2で行われる一方で、非発光エリアNA−11で行われない。また、光散乱部6−11は、光散乱部6−1と配置場所が異なる。   The divided reflective electrodes 1-11 (adjacent electrodes are not connected) are provided in the light emitting areas LA-11-1, LA-11-2, unlike the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2. , Provided in the non-light emitting area NA-11. Similarly to the transparent electrode 3-1, the divided transparent electrode 3-11 (adjacent electrodes are not connected) is provided in the light emitting areas LA-11-1 and LA-11-2, and the non-light emitting area NA-11. Prepared for. Further, power supply to the divided reflective electrode 1-11 and the divided transparent electrode 3-11 is performed in the light emitting areas LA-11-1 and LA-11-2, but not in the non-light emitting area NA-11. . Further, the light scattering unit 6-11 is different from the light scattering unit 6-1 in the arrangement location.

光散乱部6−11は、透明基板4−11の内部(図18の場合は、透明基板4−11の紙面下側)に設けられる散乱体であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−11は、発光エリアLA−11−1、LA−11−2から非発光エリアNA−11へと直接的に入射する基板モード光も、少なくとも光取り出し方向に散乱する。また、第11の実施形態の発光素子L−11は、第9の実施形態の光散乱部6−9をさらに有してもよく、導波モード光も少なくとも光取り出し方向に散乱することができる。   The light scattering unit 6-11 is a scatterer provided inside the transparent substrate 4-11 (in the case of FIG. 18, on the lower side of the transparent substrate 4-11), and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. To do. The light scattering unit 6-11 also scatters the substrate mode light that directly enters the non-light emitting area NA-11 from the light emitting areas LA-11-1 and LA-11-2 at least in the light extraction direction. The light emitting element L-11 of the eleventh embodiment may further include the light scattering unit 6-9 of the ninth embodiment, and the waveguide mode light can also be scattered at least in the light extraction direction. .

光散乱部6−11は、透明基板4−11のうち、発光エリアLA−11−1、LA−11−2の部分をマスクする一方で、非発光エリアNA−11の部分を内部に焦点を合わせレーザーで焼くことにより、材料の白濁による散乱効果を得ることができる。なお、第11の実施形態では、透明電極及び反射電極の両方を分割しているが、透明電極及び反射電極の少なくとも一方を分割してもよい。また、図18では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   The light scattering unit 6-11 masks the light emitting areas LA-11-1 and LA-11-2 of the transparent substrate 4-11, while focusing the non-light emitting area NA-11 on the inside. By scattering with a combined laser, a scattering effect due to white turbidity of the material can be obtained. In the eleventh embodiment, both the transparent electrode and the reflective electrode are divided, but at least one of the transparent electrode and the reflective electrode may be divided. Further, in FIG. 18, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown for the sake of brevity, but actually, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第12の実施形態)
第12の実施形態の発光素子の構成を図19に示す。第12の実施形態の発光素子L−12では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−12−1、LA−12−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−12は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−12−1、1−12−2、有機層2−12、透明電極3−12、光分離・収束部5−12、透明基板4−12、封止層7−12、バスライン8−12及び導波モード光散乱部9−12は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1、バスライン8−1及び光散乱部6−1と同様であり、光散乱部6−12は、第12の実施形態の発光素子L−12のみが備える。
(Twelfth embodiment)
The configuration of the light emitting device of the twelfth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-12 of the twelfth embodiment, the light emitting areas LA-12-1 and LA-12-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-12 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-12-1, 1-12-2, the organic layer 2-12, the transparent electrode 3-12, the light separating / converging portion 5-12, the transparent substrate 4-12, the sealing layer 7-12, The bus line 8-12 and the waveguide mode light scattering unit 9-12 are respectively the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1, the transparent electrode 3-1, and the light separating / converging unit. 5-1, the transparent substrate 4-1, the sealing layer 7-1, the bus line 8-1, and the light scattering unit 6-1, the light scattering unit 6-12 is the light emitting device of the twelfth embodiment. Only L-12 is provided.

光散乱部6−12は、非発光エリアNA−12の空気界面に設けられる凹凸面であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。なお、光散乱部6−12は、透明基板4−12の空気界面に加工された凹凸面であってもよく、透明基板4−12の空気界面に高精度に位置を合わせて貼られた光取り出しフィルムであってもよい。   The light scattering unit 6-12 is an uneven surface provided at the air interface of the non-light emitting area NA-12 and scatters the substrate mode light at least in the light extraction direction. In addition, the light-scattering part 6-12 may be an uneven surface processed at the air interface of the transparent substrate 4-12, and is a light that is attached to the air interface of the transparent substrate 4-12 with high accuracy. A take-out film may be used.

導波モード光散乱部9−12は、反射電極を備えない部分に設けられる散乱体であり、導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱するとともに、発光エリアLA−12−1、LA−12−2の空気界面で反射された基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The waveguide mode light scattering unit 9-12 is a scatterer provided in a portion not provided with a reflective electrode, and scatters the waveguide mode light at least in the light extraction direction, and the light emitting areas LA-12-1 and LA-12. The substrate mode light reflected by the air interface −2 is scattered at least in the light extraction direction.

ここで、第1の実施形態の発光素子L−1では、非発光エリアNA−1の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−1の空気界面で反射されたうえで、光散乱部6−1で少なくとも光取り出し方向に散乱される。しかし、第12の実施形態の発光素子L−12では、非発光エリアNA−12の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−12の空気界面で反射されることなく、光散乱部6−12で少なくとも光取り出し方向に散乱される。よって、第12の実施形態の発光素子L−12では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、非発光エリアNA−12のサイズxは、約1/2であれば足りる。   Here, in the light emitting element L-1 of the first embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-1 is reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-1, It is scattered at least in the light extraction direction by the light scattering unit 6-1. However, in the light emitting element L-12 according to the twelfth embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-12 is not reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-12. The light is scattered at least in the light extraction direction by the scattering unit 6-12. Therefore, in the light emitting element L-12 according to the twelfth embodiment, the size x of the non-light emitting area NA-12 may be about ½ compared to the light emitting element L-1 according to the first embodiment.

なお、第12の実施形態の発光素子L−12の光散乱部6−12を備えつつ、第2〜11の実施形態の発光素子L−2〜L−11の構成を採用してもよい。また、図19では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, you may employ | adopt the structure of the light emitting elements L-2 to L-11 of 2nd-11th Embodiment, providing the light-scattering part 6-12 of the light emitting element L-12 of 12th Embodiment. In FIG. 19, for the sake of brevity, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown, respectively. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第13の実施形態)
第13の実施形態の発光素子の構成を図20に示す。第13の実施形態の発光素子L−13では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−13−1、LA−13−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−13は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−13−1、1−13−2、有機層2−13、透明電極3−13、光分離・収束部5−13、透明基板4−13、封止層7−13、バスライン8−13及び導波モード光散乱部9−13は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1、バスライン8−1及び光散乱部6−1と同様であり、光散乱部6−13は、第13の実施形態の発光素子L−13のみが備える。
(13th Embodiment)
The configuration of the light emitting device of the thirteenth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-13 of the thirteenth embodiment, the light emitting areas LA-13-1 and LA-13-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-13 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-13-1, 1-13-2, the organic layer 2-13, the transparent electrode 3-13, the light separating / converging portion 5-13, the transparent substrate 4-13, the sealing layer 7-13, The bus line 8-13 and the waveguide mode light scattering unit 9-13 are respectively the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1, the transparent electrode 3-1, and the light separating / converging unit. 5-1, the transparent substrate 4-1, the sealing layer 7-1, the bus line 8-1, and the light scattering unit 6-1, the light scattering unit 6-13 is the light emitting device of the thirteenth embodiment. Only L-13 is provided.

光散乱部6−13は、非発光エリアNA−13の空気界面に設けられる溝構造であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に屈折する。ここで、非発光エリアNA−13の空気界面に対する溝構造の傾斜角は、光分離・収束部5−13から透明基板4−13への出射角が透明基板4−13及び空気の界面での臨界角以上である光が、少なくとも光取り出し方向に屈折されることを可能とする傾斜角である。また、光散乱部6−13の溝構造は、V字型であるため、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に屈折しやすくなる。   The light scattering portion 6-13 has a groove structure provided at the air interface of the non-light emitting area NA-13, and refracts the substrate mode light at least in the light extraction direction. Here, the inclination angle of the groove structure with respect to the air interface of the non-light emitting area NA-13 is such that the emission angle from the light separating / converging portion 5-13 to the transparent substrate 4-13 is at the interface between the transparent substrate 4-13 and the air. It is an inclination angle that allows light that is greater than or equal to the critical angle to be refracted at least in the light extraction direction. Further, since the groove structure of the light scattering portion 6-13 is V-shaped, the substrate mode light is easily refracted at least in the light extraction direction.

導波モード光散乱部9−13は、反射電極を備えない部分に設けられる散乱体であり、導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱するとともに、発光エリアLA−13−1、LA−13−2の空気界面で反射された基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The waveguide mode light scattering portion 9-13 is a scatterer provided in a portion not provided with a reflective electrode, and scatters the waveguide mode light at least in the light extraction direction, and also emits light areas LA-13-1 and LA-13. The substrate mode light reflected by the air interface −2 is scattered at least in the light extraction direction.

ここで、第1の実施形態の発光素子L−1では、非発光エリアNA−1の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−1の空気界面で反射されたうえで、光散乱部6−1で少なくとも光取り出し方向に散乱される。しかし、第13の実施形態の発光素子L−13では、非発光エリアNA−13の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−13の空気界面で反射されることなく、光散乱部6−13で少なくとも光取り出し方向に屈折される。よって、第13の実施形態の発光素子L−13では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、非発光エリアNA−13のサイズxは、約1/2であれば足りる。   Here, in the light emitting element L-1 of the first embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-1 is reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-1, It is scattered at least in the light extraction direction by the light scattering unit 6-1. However, in the light emitting element L-13 of the thirteenth embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-13 is reflected without being reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-13. The light is refracted at least in the light extraction direction by the scattering unit 6-13. Therefore, in the light emitting element L-13 of the thirteenth embodiment, the size x of the non-light emitting area NA-13 may be about ½ compared to the light emitting element L-1 of the first embodiment.

なお、第13の実施形態の発光素子L−13の光散乱部6−13を備えつつ、第2〜11の実施形態の発光素子L−2〜L−11の構成を採用してもよい。また、図20では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, you may employ | adopt the structure of the light emitting elements L-2 to L-11 of 2nd-11th Embodiment, providing the light-scattering part 6-13 of the light emitting element L-13 of 13th Embodiment. In FIG. 20, only two light emitting areas and one non-light emitting area are shown for the sake of brevity, but actually, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(第14の実施形態)
第14の実施形態の発光素子の構成を図21に示す。第14の実施形態の発光素子L−14では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−14−1、LA−14−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と同様であり、非発光エリアNA−14は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−14−1、1−14−2、有機層2−14、透明電極3−14、光分離・収束部5−14、透明基板4−14、封止層7−14、バスライン8−14及び導波モード光散乱部9−14は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1、バスライン8−1及び光散乱部6−1と同様であり、光散乱部6−14は、第14の実施形態の発光素子L−14のみが備える。
(Fourteenth embodiment)
The configuration of the light emitting device of the fourteenth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-14 of the fourteenth embodiment, the light emitting areas LA-14-1 and LA-14-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , LA-1-2, and the non-light emitting area NA-14 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-14-1 and 1-14-2, the organic layer 2-14, the transparent electrode 3-14, the light separating / converging portion 5-14, the transparent substrate 4-14, the sealing layer 7-14, The bus line 8-14 and the waveguide mode light scattering part 9-14 are respectively the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1, the transparent electrode 3-1, and the light separating / converging part. 5-1, the transparent substrate 4-1, the sealing layer 7-1, the bus line 8-1, and the light scattering unit 6-1, and the light scattering unit 6-14 is the light emitting device of the fourteenth embodiment. Only L-14 is provided.

光散乱部6−14は、非発光エリアNA−14の空気界面に設けられる溝構造であり、基板モード光を少なくとも光取り出し方向に屈折する。ここで、非発光エリアNA−14の空気界面に対する溝構造の傾斜角は、光分離・収束部5−14から透明基板4−14への出射角が透明基板4−14及び空気の界面での臨界角以上である光が、少なくとも光取り出し方向に屈折されることを可能とする傾斜角である。また、光散乱部6−14の溝構造は、両端が傾斜を有する一方で中央が平坦であるため、発光素子L−14の強度を向上させる。   The light scattering portion 6-14 has a groove structure provided at the air interface of the non-light emitting area NA-14, and refracts the substrate mode light at least in the light extraction direction. Here, the inclination angle of the groove structure with respect to the air interface of the non-light emitting area NA-14 is such that the emission angle from the light separating / converging portion 5-14 to the transparent substrate 4-14 is at the interface between the transparent substrate 4-14 and the air. It is an inclination angle that allows light that is greater than or equal to the critical angle to be refracted at least in the light extraction direction. In addition, the groove structure of the light scattering portion 6-14 improves the strength of the light emitting element L-14 because both ends are inclined while the center is flat.

導波モード光散乱部9−14は、反射電極を備えない部分に設けられる散乱体であり、導波モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱するとともに、発光エリアLA−14−1、LA−14−2の空気界面で反射された基板モード光を少なくとも光取り出し方向に散乱する。   The waveguide mode light scatterer 9-14 is a scatterer provided in a portion that does not include the reflective electrode, and scatters the waveguide mode light at least in the light extraction direction, and also emits light areas LA-14-1 and LA-14. The substrate mode light reflected by the air interface −2 is scattered at least in the light extraction direction.

ここで、第1の実施形態の発光素子L−1では、非発光エリアNA−1の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−1の空気界面で反射されたうえで、光散乱部6−1で少なくとも光取り出し方向に散乱される。しかし、第14の実施形態の発光素子L−14では、非発光エリアNA−14の空気界面に入射される基板モード光は、非発光エリアNA−14の空気界面で反射されることなく、光散乱部6−14で少なくとも光取り出し方向に屈折される。よって、第14の実施形態の発光素子L−14では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、非発光エリアNA−14のサイズxは、約1/2であれば足りる。   Here, in the light emitting element L-1 of the first embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-1 is reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-1, It is scattered at least in the light extraction direction by the light scattering unit 6-1. However, in the light emitting element L-14 of the fourteenth embodiment, the substrate mode light incident on the air interface of the non-light emitting area NA-14 is reflected without being reflected by the air interface of the non-light emitting area NA-14. The light is refracted at least in the light extraction direction by the scattering unit 6-14. Therefore, in the light emitting element L-14 according to the fourteenth embodiment, the size x of the non-light emitting area NA-14 may be about ½ as compared with the light emitting element L-1 according to the first embodiment.

なお、第14の実施形態の発光素子L−14の光散乱部6−14を備えつつ、第2〜11の実施形態の発光素子L−2〜L−11の構成を採用してもよい。また、図21では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, you may employ | adopt the structure of the light emitting elements L-2 to L-11 of 2nd-11th Embodiment, providing the light-scattering part 6-14 of the light emitting element L-14 of 14th Embodiment. In FIG. 21, for the sake of brevity, only two and one light emitting areas and one non-light emitting area are shown. However, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

第14の実施形態の発光素子の立体構造を図22、23に示す。図22では、ストライプ形状を有する発光エリア及び非発光エリアが、左右方向に交互に配置され、反射電極パターンが、図4に示したパターンと同様となる。図23では、四角形状を有する発光エリア及び非発光エリアが、前後左右方向に交互に配置され、反射電極パターンが、白地円で示した穴あき部分を除いて、図5に示したパターンと同様となる。   The three-dimensional structure of the light emitting device of the fourteenth embodiment is shown in FIGS. In FIG. 22, light-emitting areas and non-light-emitting areas having a stripe shape are alternately arranged in the left-right direction, and the reflective electrode pattern is the same as the pattern shown in FIG. In FIG. 23, light-emitting areas and non-light-emitting areas having a square shape are alternately arranged in the front-rear and left-right directions, and the reflective electrode pattern is the same as the pattern shown in FIG. 5 except for the perforated portions shown by white circles. It becomes.

(第15の実施形態)
第15の実施形態の発光素子の構成を図24に示す。第15の実施形態の発光素子L−15では、第1の実施形態の発光素子L−1と比べて、発光エリアLA−15−1、LA−15−2は、発光エリアLA−1−1、LA−1−2と若干異なり、非発光エリアNA−15は、非発光エリアNA−1と若干異なる。つまり、反射電極1−15−1、1−15−2、有機層2−15、透明電極3−15、光分離・収束部5−15、透明基板4−15、封止層7−15、バスライン8−15及び光散乱部6−15は、それぞれ、反射電極1−1−1、1−1−2、有機層2−1、透明電極3−1、光分離・収束部5−1、透明基板4−1、封止層7−1、バスライン8−1及び光散乱部6−1と同様であり、プラズモン損失軽減層10−15は、第15の実施形態の発光素子L−15のみが備える。
(Fifteenth embodiment)
The configuration of the light emitting device of the fifteenth embodiment is shown in FIG. In the light emitting element L-15 of the fifteenth embodiment, the light emitting areas LA-15-1 and LA-15-2 are light emitting areas LA-1-1 as compared with the light emitting element L-1 of the first embodiment. , Slightly different from LA-1-2, the non-light emitting area NA-15 is slightly different from the non-light emitting area NA-1. That is, the reflective electrodes 1-15-1, 1-15-2, the organic layer 2-15, the transparent electrode 3-15, the light separating / converging portion 5-15, the transparent substrate 4-15, the sealing layer 7-15, The bus line 8-15 and the light scattering unit 6-15 are respectively the reflective electrodes 1-1-1, 1-1-2, the organic layer 2-1, the transparent electrode 3-1, and the light separating / converging unit 5-1. The transparent substrate 4-1, the sealing layer 7-1, the bus line 8-1, and the light scattering portion 6-1 are the same, and the plasmon loss reducing layer 10-15 is the light emitting element L- of the fifteenth embodiment. Only 15 is provided.

プラズモン損失軽減層10−15は、積層方向厚さ調整層として、透明電極3−15と光分離・収束部5−15の間に積層される。そして、プラズモン損失軽減層10−15は、発光層で励起された双極子の位置と光分離・収束部5−15の透明電極3−15側の界面の区間の距離を、発光層で生成された光の当該区間における波長以上、つまり、発光層で励起された双極子からのエバネッセント光の影響範囲外、とする。   The plasmon loss reducing layer 10-15 is laminated between the transparent electrode 3-15 and the light separating / converging unit 5-15 as a thickness adjusting layer in the laminating direction. The plasmon loss reducing layer 10-15 is generated in the light emitting layer by the distance between the position of the dipole excited in the light emitting layer and the interval of the interface on the transparent electrode 3-15 side of the light separating / converging unit 5-15. More than the wavelength in the corresponding section of the light, that is, outside the influence range of the evanescent light from the dipole excited in the light emitting layer.

ここで、プラズモン損失軽減層10−15は、有機物の材料からなる。好ましくは、プラズモン損失軽減層10−15は、有機層の材料からなる。具体的には、プラズモン損失軽減層10−15は、後述で具体例を挙げる、ホール輸送層、電子輸送層、ドープを行う前のホール注入層又はドープを行う前の電子注入層の材料からなる。図24の場合は、プラズモン損失軽減層10−15は、屈折率が1.8であり、厚さが0.1μmである。   Here, the plasmon loss reducing layer 10-15 is made of an organic material. Preferably, the plasmon loss reducing layer 10-15 is made of an organic layer material. Specifically, the plasmon loss reducing layer 10-15 is made of a material of a hole transport layer, an electron transport layer, a hole injection layer before doping, or an electron injection layer before doping, which will be described below in specific examples. . In the case of FIG. 24, the plasmon loss reducing layer 10-15 has a refractive index of 1.8 and a thickness of 0.1 μm.

第15の実施形態では、光分離・収束部5−15側の反射エバネッセント光と反射電極1−15−1、1−15−2側の反射エバネッセント光の間の、発光層で励起された双極子からのエバネッセント光を介した相互作用による、反射電極1−15−1、1−15−2における表面プラズモン損失を軽減することができる。また、プラズモン損失軽減層10−15があるときには、プラズモン損失軽減層10−15がないときより、導波モード光の反射位置が発光層から離れるため、導波モード光の反射回数や消衰度合が減少する。   In the fifteenth embodiment, a dipole excited in the light emitting layer between the reflected evanescent light on the light separating / converging unit 5-15 side and the reflected evanescent light on the reflective electrodes 1-15-1 and 1-15-2 side. The surface plasmon loss in the reflective electrodes 1-15-1 and 1-15-2 due to the interaction via the evanescent light from the child can be reduced. In addition, when the plasmon loss reducing layer 10-15 is present, the reflection position of the guided mode light is further away from the light emitting layer than when the plasmon loss reducing layer 10-15 is not provided. Decrease.

なお、第15の実施形態の発光素子L−15のプラズモン損失軽減層10−15を備えつつ、第2〜14の実施形態の発光素子L−2〜L−14の構成を採用してもよい。また、図24では、簡潔のため、発光エリア及び非発光エリアをそれぞれ2つ及び1つだけ示したが、図4、5に示したように、実際には、複数の多くの発光エリア及び非発光エリアが交互に配置される。   In addition, you may employ | adopt the structure of the light emitting elements L-2 to L-14 of 2nd-14th embodiment, providing the plasmon loss reduction layer 10-15 of the light emitting element L-15 of 15th Embodiment. . In FIG. 24, only two light-emitting areas and one non-light-emitting area are shown for the sake of brevity, but actually, as shown in FIGS. The light emitting areas are alternately arranged.

(発光素子の構成物質)
以下では、第1〜15の実施形態の有機層2−1〜2−15及び第15の実施形態のプラズモン損失軽減層10−15の構成物質について説明する。
(Constituent substances of light emitting elements)
Hereinafter, constituent materials of the organic layers 2-1 to 2-15 of the first to fifteenth embodiments and the plasmon loss reducing layer 10-15 of the fifteenth embodiment will be described.

電子注入輸送層は、化学式1に示すBAIq(厚さ10nm)及び化学式2に示すArq3(厚さ30nm)からなる。発光層は、化学式3に示すホストとしてのCBP及び化学式4に示すドーパントとしてのIr(ppy)3(合わせて厚さ30nm)からなる。ホール注入輸送層は、化学式5に示すHAT−CN(厚さ60nm)及び化学式6に示すα−NPD(厚さ20nm)からなる。緑の光の波長(真空中で520nm)に対する有機層中の平均屈折率は1.8である。

Figure 2016047443
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The electron injecting and transporting layer is composed of BAIq (thickness 10 nm) shown in Chemical Formula 1 and Arq3 (thickness 30 nm) shown in Chemical Formula 2. The light emitting layer is made of CBP as a host shown in Chemical Formula 3 and Ir (ppy) 3 (a total thickness of 30 nm) as a dopant shown in Chemical Formula 4. The hole injecting and transporting layer is made of HAT-CN (thickness 60 nm) represented by Chemical Formula 5 and α-NPD (thickness 20 nm) represented by Chemical Formula 6. The average refractive index in the organic layer for the wavelength of green light (520 nm in vacuum) is 1.8.
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ホール輸送層の材料としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報)、4,4’−ビス [N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ] ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン(特開平5−234681号公報)、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン(米国特許第4,923,774号)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン(米国特許第4,764,625号)、α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報)、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報)、ビレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報)、エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン(特開平4−264189号公報)、スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報)、チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結したもの(特開平4−304466号公報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公報)、ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報)、フルオレン基で3級アミンを連結したもの(特開平5−25473号公報)、トリアミン化合物(特開平5−239455号公報)、ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報)、N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報)、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報)、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報)、ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報)、シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報)、シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報)、ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報)、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、また、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。   As a material for the hole transport layer, for example, an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393). Gazette), 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] including two or more tertiary amines represented by biphenyl, and two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms Aromatic amine (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), an aromatic triamine having a starburst structure with a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774), N, N′-diphenyl-N, N Aromatic diamines such as '-bis (3-methylphenyl) biphenyl-4,4'-diamine (US Pat. No. 4,764,625), α, α, α', α'-tetramethyl -Α, α'-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -p-xylene (Japanese Patent Laid-Open No. 3-269084), a sterically asymmetric triphenylamine derivative as a whole molecule (Japanese Patent Laid-Open No. 4-129271) No. 1), a compound in which a biphenyl group is substituted with a plurality of aromatic diamino groups (Japanese Patent Laid-Open No. 4-175395), and an aromatic diamine in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264189) ), Aromatic diamines having a styryl structure (Japanese Patent Laid-Open No. 4-290851), those obtained by linking aromatic tertiary amine units with a thiophene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-304466), starburst aromatic triamines (special Kaihei 4-308688), benzylphenyl compounds (JP-A-4-364153), tertiary amines with fluorene groups Conjugated compounds (JP-A-5-25473), triamine compounds (JP-A-5-239455), bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634), N, N, N-triphenylamine derivatives ( JP-A-6-1972), aromatic diamine having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562), diaminophenylphenanthridine derivative (JP-A-7-252474), hydrazone compound (JP-A-2-2-1) 315991), silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950), silanamine derivatives (JP-A-6-49079), phosphamine derivatives (JP-A-6-25659), quinacridone compounds and the like. . These compounds may be used alone or in combination of two or more as required.

なお、上記の化合物以外に、ホール輸送層の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,59巻、2760頁,1991年)、ポリフォスファゼン(特開平5−310949号公報)、ポリアミド(特開平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、トリフェニルアミン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公報)、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子(Synthetic Metals,55−57巻,4163頁,1993年)、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート(J.Polym.Sci.,Polym.Chem.Ed.,21巻,969頁,1983年)等の高分子材料を用いることができる。   In addition to the above compounds, as a material for the hole transport layer, polyvinyl carbazole and polysilane (Appl. Phys. Lett., 59, 2760, 1991), polyphosphazene (Japanese Patent Laid-Open No. 5-3109949), Polyamide (JP-A-5-310949), polyvinyltriphenylamine (JP-A-7-53953), a polymer having a triphenylamine skeleton (JP-A-4-133055), and a triphenylamine unit as a methylene group Polymers (Synthetic Metals, 55-57, 4163, 1993) and polymethacrylates containing aromatic amines (J. Polym. Sci., Polym. Chem. Ed., 21, 969) , 1983) and other polymer materials can be used. That.

電子輸送層の材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭57−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−289676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、同2−222484号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890号公報、同3−791号公報)、クマリン化合物(特開平2−191694号公報、同3−792号公報)、希土類錯体(特開平1−256584号公報)、ジスチリルピラジン誘導体(特開平2−252793号公報)、p−フェニレン化合物(特開平3−33183号公報)、チアジアゾロピリジン誘導体(特開平3−37292号公報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37293号公報)、ナフチリジン誘導体(特開平3−203982号公報)などが挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、また、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。   Materials for the electron transport layer include aromatic compounds such as tetraphenylbutadiene (Japanese Patent Laid-Open No. 57-51781), metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), cyclohexane. Pentadiene derivatives (JP-A-2-289675), perinone derivatives (JP-A-2-289676), oxadiazole derivatives (JP-A-2-216791), bisstyrylbenzene derivatives (JP-A-1-245087) No. 2-222484), perylene derivatives (JP-A-2-189890, JP-A-3-791), coumarin compounds (JP-A-2-191694, JP-A-3-792), rare earth complexes ( JP-A-1-256584), distyrylpyrazine derivatives (JP-A-2-25279) ), P-phenylene compounds (JP-A-3-33183), thiadiazolopyridine derivatives (JP-A-3-37292), pyrrolopyridine derivatives (JP-A-3-37293), naphthyridine derivatives (specialty) Kaihei 3-203982) and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more as required.

本発明の発光素子は、有機EL照明や有機ELパネル等において、基板モード光及び導波モード光の閉じ込めを少なくして、光の取り出し効率を向上させることができる。   The light-emitting element of the present invention can improve light extraction efficiency by reducing confinement of substrate mode light and waveguide mode light in organic EL lighting, organic EL panels, and the like.

L−1、L−2、L−3、L−4、L−5、L−6、L−7、L−8、L−9、L−10、L−11、L−12、L−13、L−14、L−15:発光素子
LA−1−1、LA−1−2、LA−2−1、LA−2−2、LA−3−1、LA−3−2、LA−4−1、LA−4−2、LA−5−1、LA−5−2、LA−6−1、LA−6−2、LA−7−1、LA−7−2、LA−8−1、LA−8−2、LA−9−1、LA−9−2、LA−10−1、LA−10−2、LA−11−1、LA−11−2、LA−12−1、LA−12−2、LA−13−1、LA−13−2、LA−14−1、LA−14−2、LA−15−1、LA−15−2:発光エリア
NA−1、NA−2、NA−3、NA−4、NA−5、NA−6、NA−7、NA−8、NA−9、NA−10、NA−11、NA−12、NA−13、NA−14、NA−15:非発光エリア
1−1、1−1−1、1−1−2、1−2−1、1−2−2、1−3−1、1−3−2、1−4−1、1−4−2、1−5、1−6、1−7、1−8、1−12−1、1−12−2、1−13−1、1−13−2、1−14−1、1−14−2、1−15−1、1−15−2:反射電極
1−9、1−10、1−11:分割反射電極
2−1、2−2、2−3、2−4、2−5、2−6、2−7、2−8、2−9、2−10、2−11、2−12、2−13、2−14、2−15:有機層
3−1、3−2、3−3、3−4、3−5−1、3−5−2、3−6−1、3−6−2、3−7−1、3−7−2、3−8−1、3−8−2、3−12、3−13、3−14、3−15:透明電極
3−9、3−10、3−11:分割透明電極
4−1、4−2、4−3、4−4、4−5、4−6、4−7、4−8、4−9、4−10、4−11、4−12、4−13、4−14、4−15:透明基板
5−1、5−2、5−3、5−4、5−5、5−6、5−7、5−8、5−9、5−10、5−11、5−12、5−13、5−14、5−15:光分離・収束部
6−1、6−2、6−3、6−4、6−5、6−6、6−7、6−8、6−9、6−10、6−11、6−12、6−13、6−14、6−15:光散乱部
7−1、7−2、7−3、7−4、7−5、7−6、7−7、7−8、7−9、7−10、7−11、7−12、7−13、7−14、7−15:封止層
8−1、8−2、8−3、8−4、8−12、8−13、8−14、8−15:バスライン
9−12、9−13、9−14:導波モード光散乱部
10−15:プラズモン損失軽減層
L-1, L-2, L-3, L-4, L-5, L-6, L-7, L-8, L-9, L-10, L-11, L-12, L- 13, L-14, L-15: Light emitting elements LA-1-1, LA-1-2, LA-2-1, LA-2-2, LA-3-1, LA-3-2, LA- 4-1, LA-4-2, LA-5-1, LA-5-2, LA-6-1, LA-6-2, LA-7-1, LA-7-2, LA-8- 1, LA-8-2, LA-9-1, LA-9-2, LA-10-1, LA-10-2, LA-11-1, LA-11-2, LA-12-1, LA-12-2, LA-13-1, LA-13-2, LA-14-1, LA-14-2, LA-15-1, LA-15-2: light emitting area NA-1, NA- 2, NA-3, NA-4, NA-5, NA-6, NA-7, N -8, NA-9, NA-10, NA-11, NA-12, NA-13, NA-14, NA-15: non-light emitting area 1-1, 1-1-1, 1-1-2, 1-2-1, 1-2-2, 1-3-1, 1-3-2, 1-4-1, 1-4-2, 1-5, 1-6, 1-7, 1- 8, 1-12-1, 1-12-2, 1-13-1, 1-13-2, 1-14-1, 1-14-2, 1-15-1, 1-15-2: Reflective electrodes 1-9, 1-10, 1-11: split reflective electrodes 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5, 2-6, 2-7, 2-8, 2 -9, 2-10, 2-11, 2-12, 2-13, 2-14, 2-15: organic layer 3-1, 3-2, 3-3, 3-4, 3-5-1 3-5-2, 3-6-1, 3-6-2, 3-7-1, 3-7-2, 3-8-1, 3-8-2, 3 12, 3-13, 3-14, 3-15: transparent electrodes 3-9, 3-10, 3-11: divided transparent electrodes 4-1, 4-2, 4-3, 4-4, 4-5 4-6, 4-7, 4-8, 4-9, 4-10, 4-11, 4-12, 4-13, 4-14, 4-15: Transparent substrates 5-1, 5-2 5-3, 5-4, 5-5, 5-6, 5-7, 5-8, 5-9, 5-10, 5-11, 5-12, 5-13, 5-14, 5 -15: Light separating / converging units 6-1, 6-2, 6-3, 6-4, 6-5, 6-6, 6-7, 6-8, 6-9, 6-10, 6 11, 6-12, 6-13, 6-14, 6-15: Light scattering portions 7-1, 7-2, 7-3, 7-4, 7-5, 7-6, 7-7, 7 -8, 7-9, 7-10, 7-11, 7-12, 7-13, 7-14, 7-15: sealing layers 8-1, 8-2, 8 -3, 8-4, 8-12, 8-13, 8-14, 8-15: Bus lines 9-12, 9-13, 9-14: Waveguide mode light scattering unit 10-15: Reduction of plasmon loss layer

Claims (11)

反射電極、発光層を含む有機層、透明電極及び透明基板を備える発光素子であって、
前記発光素子は、面内方向に、発光エリア及び非発光エリアに分割され、
前記発光エリアは、発光がなされるエリアであり、前記反射電極、前記発光層を含む前記有機層、前記透明電極、光収束部及び前記透明基板をこの順序で積層され、
前記非発光エリアは、発光がなされないエリアであり、前記発光層を含む前記有機層、前記透明基板及び光散乱部を備える一方で、前記反射電極、前記透明電極、並びに、前記反射電極及び前記透明電極への電力供給のうち少なくともいずれか一つを備えず、
前記光収束部は、前記光収束部から前記透明基板への出射角の上限を設定し、
前記光散乱部は、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱する
ことを特徴とする発光素子。
A light emitting device comprising a reflective electrode, an organic layer including a light emitting layer, a transparent electrode and a transparent substrate,
The light emitting element is divided into a light emitting area and a non-light emitting area in an in-plane direction,
The light emitting area is an area where light is emitted, and the reflective electrode, the organic layer including the light emitting layer, the transparent electrode, the light converging portion, and the transparent substrate are laminated in this order,
The non-light emitting area is an area where no light is emitted, and includes the organic layer including the light emitting layer, the transparent substrate, and a light scattering portion, while the reflective electrode, the transparent electrode, and the reflective electrode and the It does not have at least one of the power supply to the transparent electrode,
The light converging unit sets an upper limit of an emission angle from the light converging unit to the transparent substrate,
The light scattering unit scatters light having an emission angle from the light converging unit to the transparent substrate that is greater than or equal to a critical angle at an interface between the transparent substrate and air in at least a light extraction direction. .
前記光収束部の屈折率は、前記透明基板の屈折率より小さい
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
The light emitting element according to claim 1, wherein a refractive index of the light converging portion is smaller than a refractive index of the transparent substrate.
前記発光エリア及び前記非発光エリアの面内方向のサイズは、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光が、前記光散乱部に導かれることを可能とするサイズである
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
The light-emitting area and the non-light-emitting area have a size in an in-plane direction in which light having an emission angle from the light converging part to the transparent substrate is greater than or equal to a critical angle at the interface between the transparent substrate and air is the light scattering part. The light-emitting element according to claim 1, wherein the light-emitting element has a size that allows the light-emitting element to be guided to.
前記光散乱部は、前記非発光エリアの内部に設けられる散乱体である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光素子。
The light-emitting element according to any one of claims 1 to 3, wherein the light scattering portion is a scatterer provided inside the non-light-emitting area.
前記光散乱部は、前記非発光エリアの空気界面に設けられる凹凸面である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光素子。
The light-emitting element according to any one of claims 1 to 3, wherein the light scattering portion is an uneven surface provided at an air interface of the non-light-emitting area.
前記光散乱部は、前記非発光エリアの空気界面に設けられる溝構造であり、
前記発光エリアの空気界面に対する前記溝構造の傾斜角は、前記光収束部から前記透明基板への出射角が前記透明基板及び空気の界面での臨界角以上である光が、少なくとも光取り出し方向に屈折されることを可能とする傾斜角である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光素子。
The light scattering portion is a groove structure provided at the air interface of the non-light emitting area,
The inclination angle of the groove structure with respect to the air interface of the light emitting area is such that light whose exit angle from the light converging part to the transparent substrate is equal to or greater than a critical angle at the interface between the transparent substrate and air is at least in the light extraction direction. The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the light emitting device has an inclination angle that allows the light to be refracted.
前記光収束部は、前記透明電極から前記光収束部への入射光の入射角の上限を設定し、
前記非発光エリアは、導波モード光散乱部をさらに備え、
前記導波モード光散乱部は、前記透明電極から前記光収束部への入射角が前記透明電極及び前記光収束部の界面での臨界角以上である光を、少なくとも光取り出し方向に散乱する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の発光素子。
The light converging part sets an upper limit of an incident angle of incident light from the transparent electrode to the light converging part,
The non-light emitting area further includes a waveguide mode light scattering portion,
The guided mode light scattering unit scatters light having an incident angle from the transparent electrode to the light converging unit that is equal to or greater than a critical angle at an interface between the transparent electrode and the light converging unit at least in a light extraction direction. The light emitting device according to claim 1, wherein:
前記光収束部の屈折率は、前記透明電極の屈折率より小さい
ことを特徴とする請求項7に記載の発光素子。
The light emitting element according to claim 7, wherein a refractive index of the light converging portion is smaller than a refractive index of the transparent electrode.
前記導波モード光散乱部は、前記非発光エリアの内部、かつ、前記透明電極及び前記光収束部の界面と同一のレベルの面内より前記反射電極側に設けられる散乱体である
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の発光素子。
The waveguide mode light scattering portion is a scatterer provided on the reflective electrode side from the same level as the inside of the non-light emitting area and the interface of the transparent electrode and the light converging portion. The light emitting device according to claim 7 or 8.
前記反射電極及び前記透明電極への電力供給を行なうバスラインは、前記非発光エリアの内部に設けられる一方で、前記発光エリアの内部に設けられない
ことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の発光素子。
The bus line for supplying power to the reflective electrode and the transparent electrode is provided inside the non-light-emitting area, but is not provided inside the light-emitting area. A light emitting device according to any one of the above.
前記発光エリアは、積層方向厚さ調整層をさらに備え、
前記積層方向厚さ調整層は、前記透明電極と前記光収束部の間に積層され、前記発光層で励起された双極子の位置と前記光収束部の前記透明電極側の界面の区間の距離を、前記発光層で生成された光の前記区間における波長以上とする
ことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の発光素子。
The light emitting area further comprises a stacking direction thickness adjustment layer,
The stacking direction thickness adjusting layer is stacked between the transparent electrode and the light converging part, and a distance between a position of a dipole excited by the light emitting layer and an interface section of the light converging part on the transparent electrode side. The light emitting element according to any one of claims 1 to 10, wherein the light emitting element has a wavelength equal to or greater than a wavelength in the section of the light generated in the light emitting layer.
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