JPWO2016009691A1 - マイクロ波加熱照射装置 - Google Patents

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Abstract

マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料(50)を反応させる反応炉(1)と、反応炉(1)に設けられ、1つの穴(21)を有する蓋(2)と、反応炉(1)の外側に配置され、マイクロ波を照射する1つのマイクロ波放射源(3)と、反応炉(1)の上方に配置され、マイクロ波放射源(3)により照射されたマイクロ波を、蓋(2)の穴(21)を介して反応炉(1)に反射する回転二次曲面鏡(4)とを備えた。

Description

この発明は、試料にマイクロ波を照射して加熱するマイクロ波加熱照射装置に関するものである。
マイクロ波伝送技術の分野においては、例えば太陽発電衛星(SPS:Solar Power Satellite)の実現に向けて、高効率伝送技術やアクティブフェーズドアレーアンテナ(APAA:Active Phased Array Antenna)によるビーム制御技術などに関する様々な研究開発が行われている。
また、これらのマイクロ波伝送技術を工業用のアプリケーションに応用する動向もみられる。例えば特許文献1,2には、原料にマイクロ波を照射して加熱することで溶融銑鉄を製造する製鉄システムが開示されている。また、非特許文献1,2には、マイクロ波を用いた製鉄システムにおいて、マイクロ波放射源をフェーズドアレーアンテナで構成する技術について開示されている。さらに、最近では、マイクロ波を化学反応に応用することで化学反応時間を短縮する技術も注目されている。
現状、マイクロ波伝送技術は小規模な装置に適用される例が多い。しかしながら、例えば製鉄システムのように、大規模かつ大電力の装置の開発も求められている。
国際公開第2010/087464号「竪型マイクロ波製鉄炉」 特開2013−11384号公報「マイクロ波加熱炉」
佐藤、永田、篠原、三谷、樫村、「フェーズドアレーアンテナを使った工業用マイクロ波アプリケーターの概念設計」、第5回日本電磁波エネルギー応用学会シンポジウム,講演要旨集2B07(2011) 瀧川、本間、佐々木、稲沢、小西、「マイクロ波製鉄システムへのマイクロ波伝送技術の応用に関する一検討」、2013年電子情報通信学会総合大会、講演要旨集B-1-13 (2013)
特許文献1,2及び非特許文献1,2に開示された従来のマイクロ波加熱システムは、反応炉の周囲にマイクロ波放射源を円周状に配列している。このため、特定のマイクロ波放射源(以下「第1マイクロ波放射源」という)が放射したマイクロ波のうち、加熱対象の試料で吸収されなかったマイクロ波は、この試料で反射されて、反応炉を介して第1マイクロ波放射源と対峙したマイクロ波放射源(以下「第2マイクロ波放射源」という)に照射される。これにより、第2マイクロ波放射源の故障が発生する課題があった。また、投入する試料の状態は、固体、液体、気体、粉末状と、生成物によってことなるため、反応炉に蓋がない状態では、試料が反応炉から漏れ出てしまう課題があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、マイクロ波と試料を反応炉内に閉じ込めることができるマイクロ波加熱照射装置を提供することを目的としている。
この発明に係るマイクロ波加熱照射装置は、マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、反応炉に設けられ、1つの穴を有する蓋と、反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する1つのマイクロ波照射源と、反応炉の上方に配置され、マイクロ波照射源により照射されたマイクロ波を、蓋の穴を介して反応炉に反射する回転二次曲面鏡とを備えたものである。
この発明によれば、上記のように構成したので、マイクロ波と試料を反応炉内に閉じ込めることができる。
この発明の実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図であり、(a)上面図であり、(b)側断面図である。 この発明の実施の形態1における蓋の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態2に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図であり、(a)上面図であり、(b)側断面図である。 この発明の実施の形態3に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図であり、(a)上面図であり、(b)側断面図である。 この発明の実施の形態3における蓋の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態4に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態5に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態6に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態7に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態7における蓋の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態8に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態9に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す側断面図である。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
マイクロ波加熱照射装置は、図1に示すように、反応炉1、蓋2、マイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4から構成される。
反応炉1は、マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料50を反応させて加熱させるものであり、上方(回転二次曲面鏡4側)に開口を有する筐体である。なお、反応炉1の形状については、反応させる試料50の形態、特性によって適宜選択してよい。また図1に示す例では、反応炉1の形状を矩形としているが、これに限定されるものではなく、例えば円形など任意の形状でよい。
蓋2は、反応炉1に設けられ、穴21を有するものである。実施の形態1では、図1,2に示すように、蓋2に1つの穴21をあけた場合を示している。図1では、幾何光学的にマイクロ波の放射の経路を示しているが、実際のマイクロ波は波動的効果を有するため、焦点近傍でも波動的にはビームウェストと呼ばれる波の広がりを有することになる。よって、蓋2に設けられる穴21の形状、大きさについては、回転二次曲面鏡4の形状、配置に応じてビームウェストが異なるため、適宜選択してよい。また図1に示す例では、穴21の形状を円形としているが、これに限定されるものではなく、例えば矩形など任意の形状でよい。
マイクロ波放射源3は、反応炉1の外側に配置され、試料50を反応させるためのマイクロ波を照射するものである。図1に示す実施の形態1では、マイクロ波照射源を1つ備えた場合を示している。なお、マイクロ波放射源3の種類、照射するマイクロ波の周波数等は、適宜選択してよい。また、マイクロ波放射源3の放射方向は、回転二次曲面鏡4の方向である。
回転二次曲面鏡4は、反応炉1の上方に配置され、マイクロ波放射源3により照射されたマイクロ波を、蓋2の穴21を介して反応炉1に反射するものである。ここで、マイクロ波放射源3(第1の焦点101)から放射されたマイクロ波は、入射波102のように回転二次曲面鏡4に入射される。その後、回転二次曲面鏡4で反射されたマイクロ波は、入射波103のように蓋2の穴21(第2の焦点104)で集束される。すなわち、回転二次曲面鏡4は、マイクロ波放射源3と蓋2の穴21の位置にそれぞれ第1,2の焦点101,104を有するものである。なお図1では回転楕円鏡として図示している。
なお、反応炉1、蓋2及び回転二次曲面鏡4の構成材料は適宜選択してよい。
次に、上記のように構成されたマイクロ波加熱照射装置の動作について説明する。
マイクロ波放射源3からマイクロ波が照射されると、このマイクロ波は、回転二次曲面鏡4を介して蓋2の穴21の位置に一旦集束され、反応炉1内の試料50に向けて発散しながら照射される。そして、試料50に照射されたマイクロ波のうちの一部は、試料50での反応により熱となって吸収される。一方、吸収されなかったマイクロ波は、反射波105となって、試料50への入射方向とは逆方向に反射する。
ここで、本発明では、反応炉1の上方に蓋2が配置されているため、この蓋2によってマイクロ波が反射されて、再び、試料50に照射される。これにより、効率的に試料50を加熱することができる。なお、蓋2の穴21から漏れ出ていくマイクロ波は非常に少なく、また仮に漏れ出たとしても、装置内の伝搬損失から考えれば小さいものであり、マイクロ波放射源3を壊すことはない。さらに、反応炉1に蓋2を設けることで、試料50が反応炉1から外に出ていく心配もなくなる。
以上のように、この実施の形態1によれば、回転二次曲面鏡4を用い、穴21をあけた蓋2を反応炉1に設けたので、マイクロ波と試料50を反応炉1内に閉じ込めることができる。その結果、マイクロ波放射源3の故障を防止し且つ試料50の漏えいを防止することができる。さらに、反応炉1内にマイクロ波を閉じ込めることができるため、試料50から反射されたマイクロ波を反応炉1内で有効活用して、再び試料50へ照射することができ、エネルギーの効率化の効果が得られる。
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。 図3に示す実施の形態2に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置のマイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を2系統設け、各系統の第2の焦点104を蓋2の1つの穴21の位置に設定したものである。なお図では、各系統を区別するため、各構成の符号に接尾記号(a,b)を付して示している。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
ここで、第1の焦点101は各系統のマイクロ波放射源3の位置とし、第2の焦点104は、蓋2の1つの穴21の位置に設定するようにマイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を配置する。図3に示す例では、マイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を2系統設けた場合を示しているが、3系統以上設けてもよく、その数を限定するものではない。
以上のように、この実施の形態2によれば、マイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を複数系統設け、各系統の第2の焦点104を蓋2の1つの穴21の位置に設定するように構成しても、実施の形態1と同様の効果が得られる。
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図であり、図5は蓋10の構成を示す上面図である。図4,5に示す実施の形態3に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置のマイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を4系統設け、蓋2に4つの穴21を設けて、各系統の第2の焦点104を互いに異なる穴21の位置に設定したものである。なお図では、各系統を区別するため、各構成の符号に接尾記号(a〜d)を付して示している。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
ここで、第1の焦点101は各系統のマイクロ波放射源3の位置とし、第2の焦点104は、蓋2の異なる穴21の位置に設定するようにマイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を配置する。図4に示す例では、マイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を4系統設け、蓋2に4つの穴21を設けた場合を示しているが、少なくとも2系統以上設け、蓋2に対応する数の穴21を設ければよく、その数を限定するものではない。
以上のように、この実施の形態3によれば、マイクロ波放射源3及び回転二次曲面鏡4を複数系統設け、蓋2に対応する数の穴21を設け、各系統の第2の焦点104を蓋2の互いに異なる穴21の位置に設定するように構成しても、実施の形態1,2と同様の効果が得られる。
実施の形態4.
図6はこの発明の実施の形態4に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
図6に示す実施の形態4に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の蓋2の裏面(反応炉1の内側と対向する面)に凹凸部22を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
凹凸部22は、蓋2の裏面に設けられ、反応炉1内で反射したマイクロ波を乱反射させるものである。この凹凸部22の材料、形状、種類は、適宜選択してよい。この凹凸部22を設けることで、図1に示す実施の形態1の構成に対して、試料50からのマイクロ波の反射波105がより複雑に反応炉1内で多重反射し、蓋2の穴21から漏れ出ていくマイクロ波を軽減させる効果が得られる。
以上のように、この実施の形態4によれば、蓋2の裏面に凹凸部22を設けることで、実施の形態1の効果に対し、試料50へのより効率的な加熱効果と、マイクロ波の穴21からの漏えいをより軽減する効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成に対して凹凸部22を適用した場合を示したが、図3〜5に示す実施の形態2,3の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
実施の形態5.
図7はこの発明の実施の形態5に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
図7に示す実施の形態5に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の反応炉1の内側の側壁に凹凸部11を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
凹凸部11は、反応炉1の内側の側壁に設けられ、反応炉1内で反射したマイクロ波を乱反射させるものである。この凹凸部11の材料、形状、種類は、適宜選択してよい。この凹凸部11を設けることで、図1に示す実施の形態1の構成に対して、試料50からのマイクロ波の反射波105がより複雑に反応炉1内で多重反射し、蓋2の穴21から漏れ出ていくマイクロ波を軽減させる効果が得られる。
以上のように、この実施の形態5によれば、反応炉1の内側の側壁に凹凸部11を設けることで、実施の形態1の効果に対し、試料50へのより効率的な加熱効果と、マイクロ波の穴21からの漏えいをより軽減する効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成に対して凹凸部11を適用した場合を示したが、図3〜5に示す実施の形態2,3の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
実施の形態6.
図8はこの発明の実施の形態6に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
図8に示す実施の形態6に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の蓋2の裏面(反応炉1の内側と対向する面)に凹凸部22を設け、反応炉1の内側の側壁に凹凸部11を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
凹凸部22は、蓋2の裏面に設けられ、反応炉1内で反射したマイクロ波を乱反射させるものである。また、凹凸部11は、反応炉1の内側の側壁に設けられ、反応炉1内で反射したマイクロ波を乱反射させるものである。この凹凸部11,22の材料、形状、種類は、適宜選択してよい。この凹凸部11,22を設けることで、図1に示す実施の形態1の構成に対して、試料50からのマイクロ波の反射波105がより複雑に反応炉1内で多重反射し、蓋2の穴21から漏れ出ていくマイクロ波を軽減させる効果が得られる。
以上のように、この実施の形態6によれば、蓋2の裏面に凹凸部22を設け、反応炉1の内側の側壁に凹凸部11を設けることで、実施の形態1の効果に対し、試料50へのより効率的な加熱効果と、マイクロ波の穴21からの漏えいをより軽減する効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成に対して凹凸部11,22を適用した場合を示したが、図3〜5に示す実施の形態2,3の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態4〜6において、凹凸部11,22は、例えば三角柱を並べたような面の形状でもよいし、三角錐、四角錐、半球を並べたような面の形状でもよい(すなわち、拡散反射の効果が得られる形状であればよい)。
実施の形態7.
図9はこの発明の実施の形態7に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図であり、図10は蓋10の構成を示す上面図である。図9,10に示す実施の形態7に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置の蓋2の穴21にカバー5を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
カバー5は、蓋2の穴21に設けられ、マイクロ波を通過させるものである。このカバー5は、マイクロ波を通過させることができれば、その材料の種類は、適宜選択してよい。このように、蓋2の穴21をカバー5で塞ぐことにより、反応炉1内に試料50を閉じ込めることが可能となる。
以上のように、この実施の形態7によれば、蓋2の穴21の部分にカバー5を設けることで、実施の形態1における効果に加え、試料50の穴21から漏えいをより軽減する効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成に対してカバー5を適用した場合を示したが、図3〜8に示す実施の形態2〜6の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
実施の形態8.
図11はこの発明の実施の形態8に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
図11に示す実施の形態8に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置に加熱部6を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
加熱部6は、反応炉1の外部に設けられ、当該反応炉1を加熱するものである。この加熱部6の方法や装置の種類は、適宜選択してよい。このように、試料50をマイクロ波で加熱することに加えて、加熱部6により反応炉1自体を加熱することで、反応炉1内の温度が上昇し、試料50の反応速度を高めることができる。
以上のように、この実施の形態8によれば、反応炉1に熱を加える加熱部6を設けることで、実施の形態1の効果に対し、試料50へのより効率的な加熱効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成に対して加熱部6を適用した場合を示したが、図3〜9に示す実施の形態2〜7の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
実施の形態9.
図12はこの発明の実施の形態9に係るマイクロ波加熱照射装置の構成を示す図である。
図12に示す実施の形態9に係るマイクロ波加熱照射装置は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロ波加熱照射装置のマイクロ波放射源3をアクティブフェーズドアレーアンテナ7としたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
アクティブフェーズドアレーアンテナ7は、アンテナ素子毎、もしくは複数のアンテナ素子で構成するサブアレーアンテナ毎に増幅器及び位相器を備えたものである。そして、各々の増幅量及び位相量を最適化することで、試料50に照射されるマイクロ波の照射分布をフレキシブルに制御することができる。なお、目的とする照射分布を達成するため、増幅量と位相量の調整は適宜選択してよい。
以上のように、この実施の形態9によれば、マイクロ波放射源3として、放射するマイクロ波の振幅及び位相を調整自在なアクティブフェーズドアレーアンテナ7を用いたので、実施の形態1の効果に対し、試料50への照射分布をフレキシブルに制御できる効果が得られる。
なお上記では、図1に示す実施の形態1の構成にアクティブフェーズドアレーアンテナ7を適用した場合を示したが、図3〜11に示す実施の形態2〜8の構成に対しても同様に適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
また実施の形態1〜9において、第2の焦点104の位置を、蓋2の穴21の位置に厳密に合わせなくてもよい。すなわち、第2の焦点104の位置が、蓋2の穴21の上又は下の位置となったとしても、加熱効果は大きく変わらない。しかしながら、第2の焦点104を蓋2の穴21の位置に合わせた方が、(ビームウェストを考慮しても、)穴21の径(サイズ)を小さくできて試料50の漏えい抑止に効率的である(試料50の量にもよるが試料50の表面に焦点が合った場合の方がより大きな加熱効果が期待できる)。
また実施の形態1〜9では、蓋2を平面として示したが、これに限るものではなく、例えば曲面でもよい。
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明に係るマイクロ波加熱照射装置は、マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、反応炉に設けられ、1つの穴を有する蓋と、反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する1つのマイクロ波照射源と、反応炉の上方に配置され、マイクロ波照射源により照射されたマイクロ波を、蓋の穴を介して反応炉に反射する回転二次曲面鏡とを備えることで、マイクロ波と試料を反応炉内に閉じ込めることができ、試料の加熱に好適である。
1 反応炉、2 蓋、3,3a〜3d マイクロ波放射源、4,4a〜4d 回転二次曲面鏡、5 カバー、6 加熱部、7 アクティブフェーズドアレーアンテナ、11 凹凸部、21,21a〜21d 穴、22 凹凸部、50 試料、101,101a,101b 第1の焦点、102,102a,102b 入射波、103,103a,103b 入射波、104,104a,104b 第2の焦点、105 反射波。
この発明に係るマイクロ波加熱照射装置は、マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、反応炉に設けられ、1つの穴を有する蓋と、反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する1つのマイクロ波照射源と、反応炉の上方に配置され、マイクロ波照射源により照射されたマイクロ波を、蓋の穴を介して反応炉に反射する回転二次曲面鏡と、蓋の反応炉の内側に対向する面の穴以外の箇所に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部とを備えたものである。

Claims (18)

  1. マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、
    前記反応炉に設けられ、1つの穴を有する蓋と、
    前記反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する1つのマイクロ波放射源と、
    前記反応炉の上方に配置され、前記マイクロ波放射源により照射されたマイクロ波を、前記蓋の穴を介して前記反応炉に反射する回転二次曲面鏡と
    を備えたマイクロ波加熱照射装置。
  2. マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、
    前記反応炉に設けられ、1つの穴を有する蓋と、
    前記反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する複数のマイクロ波放射源と、
    前記複数のマイクロ波放射源に対応して前記反応炉の上方に複数配置され、対応する当該マイクロ波放射源により照射されたマイクロ波を、前記蓋の穴を介して前記反応炉に反射する回転二次曲面鏡と
    を備えたマイクロ波加熱照射装置。
  3. マイクロ波が照射されることで、内部に収められた試料を加熱させる反応炉と、
    前記反応炉に設けられ、複数の穴を有する蓋と、
    前記反応炉の外側に配置され、マイクロ波を照射する複数のマイクロ波放射源と、
    前記複数のマイクロ波放射源に対応して前記反応炉の上方に複数配置され、対応する当該マイクロ波放射源により照射されたマイクロ波を、互いに異なる前記蓋の穴を介して前記反応炉に反射する複数の回転二次曲面鏡と
    を備えたマイクロ波加熱照射装置。
  4. 前記蓋の前記反応炉の内側に対向する面に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱照射装置。
  5. 前記蓋の前記反応炉の内側に対向する面に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱照射装置。
  6. 前記蓋の前記反応炉の内側に対向する面に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項3記載のマイクロ波加熱照射装置。
  7. 前記反応炉の内側の側壁に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱照射装置。
  8. 前記反応炉の内側の側壁に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱照射装置。
  9. 前記反応炉の内側の側壁に設けられ、マイクロ波を乱反射させる凹凸部を備えた
    ことを特徴とする請求項3記載のマイクロ波加熱照射装置。
  10. 前記蓋の穴に設けられ、マイクロ波を通過させるカバーを備えた
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱照射装置。
  11. 前記蓋の穴に設けられ、マイクロ波を通過させるカバーを備えた
    ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱照射装置。
  12. 前記蓋の穴に設けられ、マイクロ波を通過させるカバーを備えた
    ことを特徴とする請求項3記載のマイクロ波加熱照射装置。
  13. 前記反応炉の外部に設けられ、当該反応炉を加熱する加熱部を備えた
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱照射装置。
  14. 前記反応炉の外部に設けられ、当該反応炉を加熱する加熱部を備えた
    ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱照射装置。
  15. 前記反応炉の外部に設けられ、当該反応炉を加熱する加熱部を備えた
    ことを特徴とする請求項3記載のマイクロ波加熱照射装置。
  16. 前記マイクロ波放射源は、放射するマイクロ波の振幅及び位相を調整自在なアクティブフェーズドアレーアンテナである
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱照射装置。
  17. 前記マイクロ波放射源は、放射するマイクロ波の振幅及び位相を調整自在なアクティブフェーズドアレーアンテナである
    ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱照射装置。
  18. 前記マイクロ波放射源は、放射するマイクロ波の振幅及び位相を調整自在なアクティブフェーズドアレーアンテナである
    ことを特徴とする請求項3記載のマイクロ波加熱照射装置。
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