JPWO2014103573A1 - Transparent electrode for touch panel, touch panel, display device, and method for manufacturing transparent electrode for touch panel - Google Patents

Transparent electrode for touch panel, touch panel, display device, and method for manufacturing transparent electrode for touch panel Download PDF

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Abstract

タッチパネル用透明電極は、窒素含有層と、これに隣接して設けられた電極層とを備えている。電極層は、窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に隣接して成膜された層である共に、シート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成されている。The transparent electrode for a touch panel includes a nitrogen-containing layer and an electrode layer provided adjacent to the nitrogen-containing layer. The electrode layer is a layer formed adjacently between the start of film formation of the nitrogen-containing layer and 2 minutes after the film formation, and has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring the sheet resistance. , Silver or an alloy containing silver as a main component.

Description

本発明は、タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法に関し、特には薄型化に適するタッチパネル用透明電極と、これを備えたタッチパネルおよび表示装置、さらにはこのタッチパネル用透明電極の製造方法に関する。   The present invention relates to a transparent electrode for a touch panel, a touch panel, a display device, and a method for manufacturing the transparent electrode for a touch panel, and in particular, a transparent electrode for a touch panel suitable for thinning, a touch panel and a display device including the same, and further for this touch panel The present invention relates to a method for producing a transparent electrode.

表示パネルの表示面側に配置されるタッチパネルには、抵抗膜式、表面型静電容量式、投影型静電容量式、光学式、超音波式などの様々な方式があるが、投影型静電容量式は多点入力できるという特徴を有しており、スマートフォンなどでの実用化が進んでいる。   There are various types of touch panels arranged on the display surface side of the display panel, such as a resistive film type, a surface type capacitive type, a projected type capacitive type, an optical type, and an ultrasonic type. Capacitance type has the feature that multi-point input is possible, and practical use is progressing in smartphones.

ところで、投影型静電容量方式のように、パネル面の全面にわたって電極が配置される構成のタッチパネルにおいては、透明導電性材料を用いて電極を構成することにより、タッチパネルを介して配置される表示画像の視認性を確保している。このようなタッチパネル用の電極(すなわち透明電極)としては、主としてインジウムスズ酸化物(ITO)のような金属酸化物が用いられてきた。しかしながら、ITO等の金属酸化物は、光透過性には優れるものの導電性が十分ではなく、パネルの中央付近で電圧降下が起こりやく、タッチパネルの大型化が阻害される。また、抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の膜厚が必要とされるため、投影型静電容量方式のように電極がパターンを有する場合、このパターンが視認され易くなり、結果として下地となる表示画像の視認性が低下する。   By the way, in the touch panel in which the electrodes are arranged over the entire surface of the panel surface as in the projected capacitive method, the display is arranged via the touch panel by configuring the electrodes using a transparent conductive material. The visibility of the image is secured. As such an electrode for a touch panel (that is, a transparent electrode), a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) has been mainly used. However, although metal oxides such as ITO are excellent in light transmittance, the conductivity is not sufficient, voltage drop is likely to occur near the center of the panel, and an increase in the size of the touch panel is hindered. In addition, when the resistance value is to be kept low, a certain amount of film thickness is required. Therefore, when the electrode has a pattern as in the projected capacitance method, this pattern is easily visible, and as a result, the ground The visibility of the displayed image becomes lower.

そこで近年においては、タッチパネル用の透明電極として、ITOよりも導電性が高い金属ナノワイヤーを用いた構成が提案されている(例えば下記特許文献1参照)。   Therefore, in recent years, a configuration using metal nanowires having higher conductivity than ITO has been proposed as a transparent electrode for a touch panel (see, for example, Patent Document 1 below).

特開2012−33466号公報JP 2012-33466 A

ところが、金属ナノワイヤーを用いた透明電極は、抵抗を下げるために金属ナノワイヤーの添加量を増加させると、金属ナノワイヤーにおいての光散乱により下地となる表示画像の視認性が低下する課題を有していた。   However, a transparent electrode using metal nanowires has a problem that when the amount of metal nanowires added is increased in order to reduce resistance, the visibility of a display image as a base is reduced due to light scattering in the metal nanowires. Was.

そこで本発明は、薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を提供することと、さらにはこれを用いることにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供すること、ならびにこのタッチパネル用透明電極の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a transparent electrode for a touch panel that is a thin film but has sufficient light transmittance and sufficient conductivity, and further improves the visibility of a display image as a base by using this transparent electrode. An object of the present invention is to provide a touch panel and a display device, and to provide a method for producing the transparent electrode for a touch panel.

このような目的を達成するための本発明のタッチパネル用透明電極は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層と、この窒素含有層に隣接して設けられた電極層とを備えている。特に、電極層は、シート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成され、窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に成膜が開始された層であることを特徴としている。   In order to achieve such an object, the transparent electrode for a touch panel of the present invention comprises a nitrogen-containing layer configured using a compound containing a nitrogen atom, and an electrode layer provided adjacent to the nitrogen-containing layer. I have. In particular, the electrode layer has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring the sheet resistance, and is configured using silver or an alloy containing silver as a main component. It is characterized in that it is a layer in which film formation is started within 2 minutes.

また本発明はこのような構成のタッチパネル用透明電極を用いたタッチパネル、およびこのタッチパネルとタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた表示装置でもある。   Moreover, this invention is also a display apparatus provided with the touchscreen using the transparent electrode for touchscreens of such a structure, and the display panel arrange | positioned on this touchscreen and the touchscreen.

さらに本発明は、このような構成のタッチパネルの製造方法でもあり、窒素原子を含んだ化合物を用いて窒素含有層を成膜する工程と、窒素含有層に隣接させて電極層を成膜する工程とを含む。特に電極層を成膜する工程では、窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に当該電極層の成膜を開始すると共に、銀または銀を主成分とした合金を用いてシート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚で電極層を成膜する。   Furthermore, the present invention is also a method of manufacturing a touch panel having such a configuration, a step of forming a nitrogen-containing layer using a compound containing nitrogen atoms, and a step of forming an electrode layer adjacent to the nitrogen-containing layer. Including. Particularly in the step of forming the electrode layer, the electrode layer starts to be formed between the start of the formation of the nitrogen-containing layer and 2 minutes after the end of the film formation, and silver or an alloy containing silver as a main component is added. The electrode layer is formed with a film thickness of 12 nm or less that allows the sheet resistance to be measured.

以上のような構成の本発明のタッチパネル用透明電極は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層に隣接して、銀または銀を主成分とする合金からなる電極層を設けた構成である。これにより、窒素含有層に隣接して電極層を成膜する際には、電極層を構成する銀原子が窒素含有層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀が凝集することなく、連続膜として構成され易いことによって導電性が確保されたものとなっている。また電極層は、12nm以下であることにより、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなっている。そして特に、電極層が、窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に成膜が開始された層であることにより、以降の実施例で説明するように、窒素含有層に隣接する電極層を、より連続性が高い膜とすることが可能となり、これによっても電極層の導電性および光透過性の向上が図られている。   The transparent electrode for a touch panel of the present invention configured as described above is provided with an electrode layer made of silver or a silver-based alloy adjacent to a nitrogen-containing layer formed using a compound containing nitrogen atoms. It is a configuration. As a result, when the electrode layer is formed adjacent to the nitrogen-containing layer, the silver atoms constituting the electrode layer interact with the compound containing the nitrogen atoms constituting the nitrogen-containing layer, so that silver aggregates. In addition, conductivity is ensured by being easily configured as a continuous film. The electrode layer has a thickness of 12 nm or less, so that the light absorption component or the reflection component is suppressed to a low level while ensuring the practicality as a film for an electrode. In particular, the electrode layer is a layer in which film formation is started between the start of film formation of the nitrogen-containing layer and 2 minutes after the film formation is completed, and as described in the following examples, It is possible to make the electrode layer adjacent to the layer a film having higher continuity, which also improves the conductivity and light transmittance of the electrode layer.

以上説明したように本発明によれば、実質的に電極としての機能を果たす電極層が、十分な光透過性を有しつつも導電性に優れたタッチパネル用透明電極を提供することが可能であり、またこのタッチパネル用透明電極を用いたことにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供することが可能である。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a transparent electrode for a touch panel in which an electrode layer that substantially functions as an electrode has sufficient light transmittance and excellent conductivity. In addition, it is possible to provide a touch panel and a display device in which the visibility of a display image as a base is improved by using the transparent electrode for a touch panel.

本発明の第1実施形態に係るタッチパネル用透明電極(2層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (2 layer structure) which concerns on 1st Embodiment of this invention. 窒素原子の結合様式を説明するためのTBACとIr(ppy)の構造式を示す図である。It is a figure which shows the structural formula of TBAC and Ir (ppy) 3 for demonstrating the coupling | bonding mode of a nitrogen atom. ピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of a pyridine ring. ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of a pyrrole ring. イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of an imidazole ring. δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of (delta) -carboline ring. 本発明の第1実施形態に係るタッチパネル用透明電極の製造方法を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows the manufacturing method of the transparent electrode for touchscreens which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るタッチパネル用透明電極(3層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (3 layer structure) which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係るタッチパネル用透明電極(4層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (4 layer structure) which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの電極構成を示す2枚の透明電極の平面図である。It is a top view of two transparent electrodes which show the electrode structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the planar arrangement | positioning of the electrode part of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図12に示すA−A断面に相当する図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention, and is a figure equivalent to the AA cross section shown in FIG. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの変形例1の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the modification 1 of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの変形例2の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the modification 2 of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the planar arrangement | positioning of the electrode part of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態に係るタッチパネルの電極部分の拡大図である。It is an enlarged view of the electrode part of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図18に示すB−B断面に相当する図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention, and is a figure equivalent to the BB cross section shown in FIG. 本発明の第8実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the display apparatus which concerns on 8th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態に係るタッチパネル用透明電極を作製するための製造装置の構成図である。It is a block diagram of the manufacturing apparatus for producing the transparent electrode for touchscreens concerning 9th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態に係る製造装置の変形例1の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the modification 1 of the manufacturing apparatus which concerns on 9th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態に係る製造装置の変形例2の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the modification 2 of the manufacturing apparatus which concerns on 9th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態に係る製造装置の変形例3の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the modification 3 of the manufacturing apparatus which concerns on 9th Embodiment of this invention. 実施例1で作製した試料5の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode of Sample 5 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料6の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 6 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料7の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 7 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料8の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 8 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料9の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 9 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料10の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 10 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料11の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 11 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料12の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode of Sample 12 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料13の透明電極のSEM画像である。3 is a SEM image of a transparent electrode of Sample 13 produced in Example 1. 透明電極を構成する窒素含有層の有効非共有電子対含有率[n/M]とシート抵抗との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the effective unshared electron pair content [n / M] of a nitrogen containing layer which comprises a transparent electrode, and sheet resistance.

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
1.第1実施形態:2層構造のタッチパネル用透明電極
2.第2実施形態:3層構造のタッチパネル用透明電極
3.第3実施形態:4層構造のタッチパネル用透明電極
4.第4実施形態:タッチパネル(1枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成)
4-1.タッチパネルの変形例1
4-2.タッチパネルの変形例2
4-3.タッチパネルの変形例3
5.第5実施形態:タッチパネル(2枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成)
6.第6実施形態:タッチパネル(1枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成)
7.第7実施形態:タッチパネル(透明基板上に2パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成)
8.第8実施形態:表示装置(タッチパネルを用いた構成)
9.第9実施形態:製造装置(タッチパネル用透明電極を作製するための装置)
9-1.製造装置の変形例1
9-2.製造装置の変形例2
9-3.製造装置の変形例3
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings.
1. 1. First embodiment: Transparent electrode for touch panel having a two-layer structure 2. Second embodiment: Transparent electrode for touch panel having a three-layer structure 3. Third embodiment: 4-layer structure transparent electrode for touch panel Fourth embodiment: Touch panel (configuration in which two transparent electrodes are provided on one transparent substrate)
4-1. Modification 1 of touch panel
4-2. Modification 2 of touch panel
4-3. Modification 3 of touch panel
5. Fifth embodiment: Touch panel (configuration in which a transparent electrode is provided on each of two transparent substrates)
6). Sixth embodiment: Touch panel (configuration in which transparent electrodes are provided on both sides of a single transparent substrate)
7). Seventh embodiment: Touch panel (configuration in which connection electrodes are provided together with two patterns of transparent electrodes on a transparent substrate)
8). Eighth embodiment: Display device (configuration using a touch panel)
9. Ninth embodiment: Manufacturing apparatus (apparatus for producing a transparent electrode for a touch panel)
9-1. Modification 1 of manufacturing apparatus
9-2. Modification 2 of manufacturing apparatus
9-3. Modification 3 of manufacturing apparatus

≪1.第1実施形態:2層構造のタッチパネル用透明電極≫
図1は、本発明の第1実施形態に係るタッチパネル用透明電極(以下、透明電極と称する)の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極1は、窒素含有層3と電極層5とを積層した2層構造であり、例えば透明基板11の上部に、窒素含有層3、電極層5の順に設けられている。このうち、窒素含有層3は、電極層5を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子(N)を含有する化合物を用いて構成されていることを特徴としている。また、透明電極1における実質的な電極部分を構成する電極層5は、銀または銀(Ag)を主成分として構成された層であり、ここでは窒素含有層3に隣接した状態で積層されている。そして、この電極層5は、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、成膜が開始された層であることを特徴としている。
<< 1. First Embodiment: Transparent Electrode for Touch Panel with Two-Layer Structure >>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a first embodiment of the present invention. The transparent electrode 1 shown in this figure has a two-layer structure in which a nitrogen-containing layer 3 and an electrode layer 5 are laminated. For example, the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are provided in this order on the transparent substrate 11. Among these, the nitrogen-containing layer 3 is characterized by being composed of a compound containing a nitrogen atom (N) that is stably bonded to silver which is the main material constituting the electrode layer 5. The electrode layer 5 constituting a substantial electrode portion in the transparent electrode 1 is a layer mainly composed of silver or silver (Ag), and is laminated in a state adjacent to the nitrogen-containing layer 3 here. Yes. The electrode layer 5 is characterized in that the film formation is started between the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 and 2 minutes after the film formation is completed.

以下に、このような積層構造の透明電極1が設けられる透明基板11、透明電極1を構成する窒素含有層3、および電極層5の順に、詳細な構成を説明する。尚、本発明の透明電極1の透明とは波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。   Below, a detailed structure is demonstrated in order of the transparent substrate 11 with which the transparent electrode 1 of such a laminated structure is provided, the nitrogen-containing layer 3 which comprises the transparent electrode 1, and the electrode layer 5. In FIG. In addition, the transparency of the transparent electrode 1 of the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.

<透明基板11>
本発明の透明電極1が形成される透明基板11は、例えば表示パネルの前面板を兼ねるものであっても良い。このような透明基板11としては、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルムである。
<Transparent substrate 11>
The transparent substrate 11 on which the transparent electrode 1 of the present invention is formed may also serve as a front plate of a display panel, for example. Examples of such a transparent substrate 11 include glass, quartz, and a transparent resin film.

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、窒素含有層3との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。特に好ましい透明基板11は、透明電極1およびこれを用いて構成されるタッチパネルや表示装置などの電子デバイスにフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。   Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. From the viewpoints of adhesion, durability, and smoothness with the nitrogen-containing layer 3 on the surface of these glass materials, if necessary, physical treatment such as polishing is performed, a film made of an inorganic material or an organic material, A hybrid film combining these films is formed. The particularly preferable transparent substrate 11 is a resin film that can give flexibility to the transparent electrode 1 and electronic devices such as a touch panel and a display device configured using the transparent electrode 1.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m2・24時間)以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。またさらには、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10-3ml/(m2・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が10-5g/(m2・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。On the surface of the resin film, a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / (measured by a method according to JIS-K-7129-1992. m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m 2 · 24 hours) or less high barrier film is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   The material for forming the barrier film as described above may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. be able to. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

<窒素含有層3>
窒素含有層3は、窒素原子(N)を含んだ化合物を用いて構成された層であり、透明基板11上において電極層5に隣接して設けられている。
<Nitrogen-containing layer 3>
The nitrogen-containing layer 3 is a layer configured using a compound containing nitrogen atoms (N), and is provided adjacent to the electrode layer 5 on the transparent substrate 11.

窒素含有層3を構成する窒素原子(N)を含んだ化合物は、特に次のような化合物であることが好ましい。すなわち、窒素含有層3を構成する窒素原子(N)を含んだ化合物は、化合物に含有される窒素原子のうち、特に電極層5を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を[有効非共有電子対]とし、この[有効非共有電子対]の含有率が所定範囲であることを特徴としている。   The compound containing a nitrogen atom (N) constituting the nitrogen-containing layer 3 is particularly preferably the following compound. That is, the compound containing the nitrogen atom (N) constituting the nitrogen-containing layer 3 is a nitrogen atom that stably bonds to silver, which is the main material constituting the electrode layer 5, among nitrogen atoms contained in the compound. The non-shared electron pair is [effective unshared electron pair], and the content ratio of the [effective unshared electron pair] is within a predetermined range.

ここで[有効非共有電子対]とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対である。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「4n+2」(n=0、または自然数)個であることを条件としている。   Here, the “effective unshared electron pair” is an unshared electron pair that does not participate in aromaticity and is not coordinated to the metal among the unshared electron pairs of the nitrogen atom contained in the compound. The aromaticity here refers to an unsaturated cyclic structure in which atoms having π electrons are arranged in a ring, and is aromatic according to the so-called “Hückel's rule”. The condition is that the number is “4n + 2” (n = 0 or a natural number).

以上のような[有効非共有電子対]は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が、芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対、すなわち共役不飽和環構造(芳香環)上の非局在化したπ電子系に芳香族性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は[有効非共有電子対]の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対が芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は[有効非共有電子対]としてカウントされることはない。尚、各化合物において、上述した[有効非共有電子対]の数nは、[有効非共有電子対]を有する窒素原子の数と一致する。   [Effective unshared electron pair] as described above refers to an unshared electron pair possessed by a nitrogen atom regardless of whether or not the nitrogen atom itself provided with the unshared electron pair is a hetero atom constituting an aromatic ring. Is selected depending on whether or not is involved in aromaticity. For example, even if a nitrogen atom is a hetero atom constituting an aromatic ring, the lone pair of the nitrogen atom does not directly participate as an essential element in aromaticity, that is, a conjugated unsaturated ring An unshared electron pair that is not involved in the delocalized π-electron system on the structure (aromatic ring) as an essential element for the expression of aromaticity is [effective unshared electron] It is counted as one of the pair. On the other hand, even if a nitrogen atom is not a heteroatom constituting an aromatic ring, if the lone pair of the nitrogen atom is involved in aromaticity, the lone pair of the nitrogen atom Are not counted as [valid unshared electron pairs]. In each compound, the number n of [effective unshared electron pairs] described above matches the number of nitrogen atoms having [effective unshared electron pairs].

次に、上述した[有効非共有電子対]について、具体例を挙げて詳細に説明する。   Next, the [effective unshared electron pair] described above will be described in detail with a specific example.

窒素原子は、第15族元素であり、最外殻に5個の電子を有する。このうち3個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの2個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は3本である。   The nitrogen atom is a Group 15 element and has 5 electrons in the outermost shell. Of these, three unpaired electrons are used for covalent bonds with other atoms, and the remaining two become a pair of unshared electron pairs. For this reason, the number of bonds of nitrogen atoms is usually three.

例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基(−NR)、アミド基(−C(=O)NR)、ニトロ基(−NO)、シアノ基(−CN)、ジアゾ基(−N)、アジド基(−N)、ウレア結合(−NRC=ONR−)、イソチオシアネート基(−N=C=S)、チオアミド基(−C(=S)NR)などが挙げられる。尚、R,Rは、それぞれ水素原子(H)または置換基である。これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、[有効非共有電子対]に該当する。このうち、ニトロ基(−NO)の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、以降の実施例で示すように良好な効果が得られていることから、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない[有効非共有電子対]として窒素上に存在すると考えられる。For example, as a group having a nitrogen atom, an amino group (—NR 1 R 2 ), an amide group (—C (═O) NR 1 R 2 ), a nitro group (—NO 2 ), a cyano group (—CN), diazo Group (—N 2 ), azide group (—N 3 ), urea bond (—NR 1 C═ONR 2 —), isothiocyanate group (—N═C═S), thioamide group (—C (═S) NR 1 R 2 ) and the like. R 1 and R 2 are each a hydrogen atom (H) or a substituent. The non-shared electron pair of the nitrogen atom constituting these groups does not participate in aromaticity and is not coordinated to the metal, and thus corresponds to [effective unshared electron pair]. Among these, the unshared electron pair possessed by the nitrogen atom of the nitro group (—NO 2 ) is used for the resonance structure with the oxygen atom, but has a good effect as shown in the following examples. Therefore, it is considered that it exists on nitrogen as an [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to a metal.

また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで4本目の結合を作り出すこともできる。この場合の一例を図2を用いて説明する。図2は、テトラブチルアンモニウムクロライド(TBAC)の構造式と、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)[Ir(ppy)]の構造式である。A nitrogen atom can also create a fourth bond by using an unshared electron pair. An example of this case will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows the structural formula of tetrabutylammonium chloride (TBAC) and the structural formula of tris (2-phenylpyridine) iridium (III) [Ir (ppy) 3 ].

このうち、TBACは、四つのブチル基のうちの1つが窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの1つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、TBACの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないと同等になる。したがって、TBACを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない[有効非共有電子対]には該当しない。   Among these, TBAC is a quaternary ammonium salt in which one of four butyl groups is ionically bonded to a nitrogen atom and has a chloride ion as a counter ion. In this case, one of the electrons constituting the unshared electron pair of the nitrogen atom is donated to the ionic bond with the butyl group. For this reason, the nitrogen atom of TBAC is equivalent to the absence of an unshared electron pair in the first place. Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting TBAC does not correspond to the [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to the metal.

また、Ir(ppy)は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このIr(ppy)を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。したがって、Ir(ppy)を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない[有効非共有電子対]には該当しない。Ir (ppy) 3 is a neutral metal complex in which an iridium atom and a nitrogen atom are coordinated. The unshared electron pair of the nitrogen atom constituting this Ir (ppy) 3 is coordinated to the iridium atom, and is utilized for coordination bonding. Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting Ir (ppy) 3 does not correspond to the [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to the metal.

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、たとえば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。   Moreover, a nitrogen atom is general as a hetero atom which can comprise an aromatic ring, and can contribute to the expression of aromaticity. Examples of the “nitrogen-containing aromatic ring” include pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring, tetrazole ring and the like.

図3は、以上に例示した基のうちの一つであるピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。図3に示すとおり、ピリジン環は、6員環状に並んだ共役(共鳴)不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が6個であるため、4n+2(n=0または自然数)のヒュッケル則を満たす。6員環内の窒素原子は、−CH=を置換したものであるため、1個の不対電子を6π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。   FIG. 3 is a diagram showing a structural formula and molecular orbitals of a pyridine ring which is one of the groups exemplified above. As shown in FIG. 3, in the conjugated (resonant) unsaturated ring structure in which the pyridine ring is arranged in a 6-membered ring, the number of delocalized π electrons is 6, so that 4n + 2 (n = 0 or natural number) Satisfy Hückel's law. Since the nitrogen atom in the 6-membered ring is substituted with —CH═, only one unpaired electron is mobilized to the 6π-electron system, and the unshared electron pair is essential for the expression of aromaticity. Not involved as a thing.

したがって、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない[有効非共有電子対]に該当する。   Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting the pyridine ring corresponds to an [effective unshared electron pair] that does not participate in aromaticity and is not coordinated to the metal.

図4は、ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。図4に示すとおり、ピロール環は、5員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は6個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が6π電子系に動員される。   FIG. 4 shows the structural formula and molecular orbitals of the pyrrole ring. As shown in FIG. 4, the pyrrole ring has a structure in which one of the carbon atoms constituting the five-membered ring is substituted with a nitrogen atom, but the number of π electrons is also six and satisfies the Hückel rule. Nitrogen-containing aromatic ring. Since the nitrogen atom of the pyrrole ring is also bonded to a hydrogen atom, an unshared electron pair is mobilized to the 6π electron system.

したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない[有効非共有電子対]には該当しない。   Therefore, although the nitrogen atom of the pyrrole ring has an unshared electron pair, since this unshared electron pair is used as an essential element for the expression of aromaticity, it does not participate in aromaticity and is a metal. It does not fall under [Effective unshared electron pairs] that are not coordinated to.

図5は、イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。図5に示すとおり、イミダゾール環は、二つの窒素原子N,Nが、5員環内の1、3位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が6個の含窒素芳香環である。このうち一つの窒素原子Nは、1個の不対電子のみを6π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子であり、この窒素原子Nの非共有電子対は、[有効非共有電子対]に該当する。これに対して、他方の窒素原子Nは、非共有電子対を6π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、この窒素原子Nの非共有電子対は、[有効非共有電子対]に該当しない。FIG. 5 is a diagram showing the structural formula and molecular orbitals of the imidazole ring. As shown in FIG. 5, the imidazole ring has a structure in which two nitrogen atoms N 1 and N 2 are substituted at the 1- and 3-positions in a 5-membered ring, and the nitrogen-containing π-electron number is also 6 It is an aromatic ring. Of these, one nitrogen atom N 1 is a pyridine ring-type nitrogen atom that mobilizes only one unpaired electron to the 6π-electron system and does not utilize the unshared electron pair for the expression of aromaticity, This unshared electron pair of the nitrogen atom N 1 corresponds to [effective unshared electron pair]. On the other hand, since the other nitrogen atom N 2 is a pyrrole-ring-type nitrogen atom that mobilizes the unshared electron pair to the 6π electron system, the unshared electron pair of this nitrogen atom N 2 is Does not fall under [Unshared electron pair].

したがって、イミダゾール環においては、これを構成する二つの窒素原子N,Nのうちの一つの窒素原子Nの非共有電子対のみが、[有効非共有電子対]に該当する。Therefore, in the imidazole ring, only the unshared electron pair of one nitrogen atom N 1 out of the two nitrogen atoms N 1 and N 2 constituting the ring corresponds to the “effective unshared electron pair”.

以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物の場合も同様に適用される。   The selection of the unshared electron pair at the nitrogen atom of the “nitrogen-containing aromatic ring” as described above is similarly applied to a condensed ring compound having a nitrogen-containing aromatic ring skeleton.

図6は、δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。図6に示すとおり、δ−カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、およびピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子Nは1個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子Nは非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの11個のπ電子とともに、全体のπ電子数が14個の芳香環となっている。FIG. 6 is a diagram showing the structural formula and molecular orbital of the δ-carboline ring. As shown in FIG. 6, the δ-carboline ring is a condensed ring compound having a nitrogen-containing aromatic ring skeleton, and is an azacarbazole compound in which a benzene ring skeleton, a pyrrole ring skeleton, and a pyridine ring skeleton are condensed in this order. Of these, the nitrogen atom N 3 of the pyridine ring mobilizes only one unpaired electron to the π-electron system, and the nitrogen atom N 4 of the pyrrole ring mobilizes an unshared electron pair to the π-electron system. Together with the 11 π electrons from the carbon atoms that are formed, the total number of π electrons is an aromatic ring of 14.

したがって、δ-カルボリン環の二つの窒素原子N,Nのうち、ピリジン環を構成する窒素原子Nの非共有電子対は[有効非共有電子対]に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子Nの非共有電子対は、[有効非共有電子対]に該当しない。Therefore, among the two nitrogen atoms N 3 and N 4 of the δ-carboline ring, the unshared electron pair of the nitrogen atom N 3 constituting the pyridine ring corresponds to [effective unshared electron pair], but constitutes a pyrrole ring. The unshared electron pair of the nitrogen atom N 4 that does not correspond to [Effective unshared electron pair].

このように、縮合環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮合環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環化合物中の結合と同様に、縮合環化合物中の結合に関与する。   In this way, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting the condensed ring compound is involved in the bond in the condensed ring compound as well as the bond in the monocyclic compound such as pyridine ring and pyrrole ring constituting the condensed ring compound. To do.

そして以上説明した[有効非共有電子対]は、電極層5の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。そのような[有効非共有電子対]を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。したがって、窒素含有層3に含有される化合物は、[有効非共有電子対]を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。   The [effective unshared electron pair] described above is important for exhibiting a strong interaction with silver which is the main component of the electrode layer 5. The nitrogen atom having such an [effective unshared electron pair] is preferably a nitrogen atom in the nitrogen-containing aromatic ring from the viewpoint of stability and durability. Therefore, the compound contained in the nitrogen-containing layer 3 preferably has an aromatic heterocycle having a nitrogen atom having [effective unshared electron pair] as a hetero atom.

特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Mに対する[有効非共有電子対]の数nを、例えば有効非共有電子対含有率[n/M]と定義する。そして窒素含有層3は、この[n/M]が、2.0×10-3≦[n/M]となるように選択された化合物を用いて構成されているところが特徴的である。また窒素含有層3は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率[n/M]が、3.9×10-3≦[n/M]の範囲であれば好ましく、6.5×10-3≦[n/M]の範囲であればさらに好ましい。Particularly in the present embodiment, the number n of [effective unshared electron pairs] with respect to the molecular weight M of such a compound is defined as, for example, the effective unshared electron pair content [n / M]. The nitrogen-containing layer 3 is characterized in that this [n / M] is composed of a compound selected so that 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M]. The nitrogen-containing layer 3 preferably has an effective unshared electron pair content [n / M] defined as described above in a range of 3.9 × 10 −3 ≦ [n / M]. More preferably, the range is 5 × 10 −3 ≦ [n / M].

また窒素含有層3は、有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていれば良く、このような化合物のみで構成されていても良く、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていても良い。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくても良く、さらに有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲でなくても良い。   The nitrogen-containing layer 3 only needs to be configured using a compound having an effective unshared electron pair content [n / M] within the predetermined range described above, or may be configured only with such a compound. Further, such a compound and other compounds may be mixed and used. The other compound may or may not contain a nitrogen atom, and the effective unshared electron pair content [n / M] may not be within the predetermined range described above.

窒素含有層3が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Mを求め、この分子量Mに対しての[有効非共有電子対]の合計の数nを、有効非共有電子対含有率[n/M]の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり窒素含有層3自体の有効非共有電子対含有率[n/M]が所定範囲であることが好ましい。   When the nitrogen-containing layer 3 is configured using a plurality of compounds, for example, based on the mixing ratio of the compounds, the molecular weight M of the mixed compound obtained by mixing these compounds is obtained, and [effective non- The total number n of [shared electron pairs] is obtained as an average value of the effective unshared electron pair content [n / M], and this value is preferably within the predetermined range described above. That is, the effective unshared electron pair content [n / M] of the nitrogen-containing layer 3 itself is preferably within a predetermined range.

尚、窒素含有層3が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、膜厚方向に化合物の混合比(含有比)が異なる構成であれば、電極層5と接する側の窒素含有層3の表面層における有効非共有電子対含有率[n/M]が所定範囲であれば良い。   In addition, if the nitrogen-containing layer 3 is composed of a plurality of compounds and the composition ratio (content ratio) of the compounds is different in the film thickness direction, the nitrogen on the side in contact with the electrode layer 5 The effective unshared electron pair content [n / M] in the surface layer of the containing layer 3 may be in a predetermined range.

[化合物I]
以下に、窒素含有層3を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]が2.0×10-3≦[n/M]を満たす化合物の具体例(No.1〜No.48)を示す。各化合物No.1〜No.48には、[有効非共有電子対]を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表1には、これらの化合物No.1〜No.48の分子量M、[有効非共有電子対]の数n、および有効非共有電子対含有率[n/M]を示す。下記化合物33の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が[有効非共有電子対]としてカウントされる。
[Compound I]
Hereinafter, specific examples of the compound constituting the nitrogen-containing layer 3 satisfying the above-described effective unshared electron pair content [n / M] of 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] (No. 1 to No. 48). In each compound No. 1 to No. 48, a nitrogen atom having an [effective unshared electron pair] was marked with a circle. Table 1 below shows the molecular weight M of these compounds No. 1 to No. 48, the number n of [effective unshared electron pairs], and the effective unshared electron pair content [n / M]. In the copper phthalocyanine of the following compound 33, unshared electron pairs that are not coordinated to copper among the unshared electron pairs of the nitrogen atom are counted as [effective unshared electron pairs].

尚、上記表1には、これらの例示化合物が、以降に説明する他の化合物を表す一般式(1)〜(8a)にも属する場合の該当一般式を示した。   In Table 1, the general formulas in the case where these exemplary compounds also belong to the general formulas (1) to (8a) representing other compounds described below are shown.

[化合物II]
また窒素含有層3を構成する化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲である化合物に加え、他の化合物を用いても良い。窒素含有層3に用いられる他の化合物は、有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲で有る無しにかかわらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも[有効非共有電子対]を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また、窒素含有層3に用いられる他の化合物は、この窒素含有層3を備えた透明電極1が適用される電子デバイスごとに必要とされる性質を有する化合物が用いられる。例えば、この透明電極1が、タッチパネル用透明電極として用いられる場合、その成膜性の観点から、窒素含有層3を構成する化合物として、以降に説明する一般式(1)〜(8a)で表される構造を有する化合物が好ましく用いられる。
[Compound II]
Moreover, as a compound which comprises the nitrogen containing layer 3, in addition to the compound whose effective unshared electron pair content rate [n / M] is the predetermined range mentioned above, you may use another compound. As the other compound used for the nitrogen-containing layer 3, a compound containing a nitrogen atom is preferably used regardless of whether the effective unshared electron pair content [n / M] is in the predetermined range described above. Among them, a compound containing a nitrogen atom having [effective unshared electron pair] is particularly preferably used. Moreover, the compound which has a property required for every electronic device to which the transparent electrode 1 provided with this nitrogen-containing layer 3 is applied is used for the other compound used for the nitrogen-containing layer 3. For example, when this transparent electrode 1 is used as a transparent electrode for a touch panel, it is represented by the general formulas (1) to (8a) described below as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 from the viewpoint of film formability. A compound having the structure is preferably used.

これらの一般式(1)〜(8a)で示される構造を有する化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層3を構成する化合物として用いることができる(上記表1参照)。一方、下記一般式(1)〜(8a)で示される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層3を構成する化合物として用いることができる。   Among the compounds having the structures represented by the general formulas (1) to (8a), compounds that fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above are included, and such compounds If so, it can be used alone as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 (see Table 1 above). On the other hand, if the compound having the structure represented by the following general formulas (1) to (8a) is a compound that does not fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above, the effective unshared electron pair It can be used as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 by mixing with a compound having a content ratio [n / M] in the range described above.

上記一般式(1)中におけるX11は、−N(R11)−または−O−を表す。また一般式(1)中におけるE101〜E108は、各々−C(R12)=または−N=を表す。E101〜E108のうち少なくとも1つは−N=である。上記R11およびR12は、それぞれが水素原子(H)または置換基を表す。   X11 in the general formula (1) represents -N (R11)-or -O-. E101 to E108 in the general formula (1) each represent -C (R12) = or -N =. At least one of E101 to E108 is -N =. R11 and R12 each represent a hydrogen atom (H) or a substituent.

この置換基の例としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(上記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ピペリジル基(ピペリジニル基ともいう)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、リン酸エステル基(例えば、ジヘキシルホスホリル基等)、亜リン酸エステル基(例えばジフェニルホスフィニル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。   Examples of this substituent include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group). Etc.), cycloalkyl groups (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl groups (for example, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl groups (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon groups (aromatic Also called group carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group , Pyrenyl group, biphenylyl group), aromatic heterocyclic group (for example, Furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group Any carbon atom constituting the carboline ring is substituted with a nitrogen atom), phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group ( For example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group ( For example, Nonoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group) Etc.), arylthio groups (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl groups (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryl Oxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group) Group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, Acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (For example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenyl group Carbonyloxy group, etc.), amide groups (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonyl) Amino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexyl) Aminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl Bonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido) Group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2 -Pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2 -Ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, amino group, ethylamino group, Dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, piperidyl group (also called piperidinyl group), 2,2,6,6 -Tetramethylpiperidinyl group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluoro) Phenyl group, etc.), cyano group Nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphate ester group (for example, dihexyl phosphoryl group, etc.), phosphorous acid An ester group (for example, diphenylphosphinyl group etc.), a phosphono group etc. are mentioned.

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。これらの置換基は、化合物と銀(Ag)との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、さらには上述した有効非共有電子対を有する窒素原子を有するものが特に好ましく適用される。尚、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式(2)〜(8a)の説明において示される置換基において同様に適用される。   Some of these substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring. As these substituents, those which do not inhibit the interaction between the compound and silver (Ag) are preferably used, and those having a nitrogen atom having an effective unshared electron pair described above are particularly preferably applied. . In addition, the description regarding the above substituent applies similarly to the substituent shown in description of general formula (2)-(8a) demonstrated below.

以上のような一般式(1)で表される構造を有する化合物は、化合物中の窒素原子と、電極層5を構成する銀との間で強力な相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1) as described above is preferable because a strong interaction can be expressed between the nitrogen atom in the compound and the silver constituting the electrode layer 5.

上記一般式(1a)で示される構造を有する化合物は、上記一般式(1)で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式(1)におけるX11を−N(R11)−とした化合物である。このような化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (1), and X11 in the general formula (1) is -N (R11)-. A compound. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more strongly.

上記一般式(1a−1)で示される構造を有する化合物は、上記一般式(1a)で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式(1a)におけるE104を−N=とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a-1) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (1a), and a compound in which E104 in the general formula (1a) is -N = It is. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

上記一般式(1a−2)で示される構造を有する化合物は、上記一般式(1a)で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式(1a)におけるE103およびE106を−N=とした化合物である。このような化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a-2) is another embodiment of the compound having the structure represented by the general formula (1a), and E103 and E106 in the general formula (1a) are represented by —N This is a compound marked with =. Such a compound is preferable because the number of nitrogen atoms is large and the above interaction can be expressed more strongly.

上記一般式(1b)で示される構造を有する化合物は、上記一般式(1)で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式(1)におけるX11を−O−とし、E104を−N=とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1b) is another embodiment of the compound having the structure represented by the general formula (1), and X11 in the general formula (1) is represented by -O-. -N = is a compound. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

さらに、以下の一般式(2)〜(8a)で表される構造を有する化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   Furthermore, a compound having a structure represented by the following general formulas (2) to (8a) is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

上記一般式(2)は、一般式(1)の一形態でもある。上記一般式(2)の式中、Y21は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E201〜E216、E221〜E238は、各々−C(R21)=または−N=を表す。R21は水素原子(H)または置換基を表す。ただし、E221〜E229の少なくとも1つ、およびE230〜E238の少なくとも1つは−N=を表す。k21およびk22は0〜4の整数を表すが、k21+k22は2以上の整数である。   The general formula (2) is also an embodiment of the general formula (1). In the formula of the general formula (2), Y21 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof. E201 to E216 and E221 to E238 each represent -C (R21) = or -N =. R21 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. However, at least one of E221 to E229 and at least one of E230 to E238 represents -N =. k21 and k22 represent an integer of 0 to 4, but k21 + k22 is an integer of 2 or more.

一般式(2)において、Y21で表されるアリーレン基としては、例えば、o−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジイル基、3,3’−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the arylene group represented by Y21 include o-phenylene group, p-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group, naphthylnaphthalenediyl group, and biphenyldiyl. Groups (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terphenyldiyl group, quaterphenyldiyl group And kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group and the like.

また一般式(2)において、Y21で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the heteroarylene group represented by Y21 include a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also referred to as a monoazacarboline ring, and one of carbon atoms constituting the carboline ring is nitrogen. The ring structure is replaced by an atom), a triazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a quinoxaline ring, a thiophene ring, an oxadiazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and an indole ring. And the like.

Y21で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。   As a preferred embodiment of the divalent linking group consisting of an arylene group, heteroarylene group or a combination thereof represented by Y21, among the heteroarylene groups, a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is used. A group derived from a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is preferably included, and a group derived from a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring is preferable. Are preferred.

一般式(2)において、E201〜E208のうちの6つ以上、およびE209〜E216のうちの6つ以上が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい。   In General formula (2), it is preferable that 6 or more of E201 to E208 and 6 or more of E209 to E216 are each represented by -C (R21) =.

一般式(2)において、E225〜E229の少なくとも1つ、およびE234〜E238の少なくとも1つが−N=を表すことが好ましい。   In the general formula (2), it is preferable that at least one of E225 to E229 and at least one of E234 to E238 represent -N =.

さらには、一般式(2)において、E225〜E229のいずれか1つ、およびE234〜E238のいずれか1つが−N=を表すことが好ましい。   Furthermore, in General formula (2), it is preferable that any one of E225-E229 and any one of E234-E238 represent -N =.

また、一般式(2)において、E221〜E224およびE230〜E233が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい態様として挙げられる。   Moreover, in General formula (2), it is mentioned as a preferable aspect that E221-E224 and E230-E233 are each represented by -C (R21) =.

さらに、一般式(2)で表される構造を有する化合物において、E203が−C(R21)=で表され、かつR21が連結部位を表すことが好ましく、さらに、E211も同時に−C(R21)=で表され、かつR21が連結部位を表すことが好ましい。   Further, in the compound having the structure represented by the general formula (2), it is preferable that E203 is represented by -C (R21) = and R21 represents a linking site, and E211 is also -C (R21). And R21 preferably represents a linking moiety.

さらに、E225及びE234が−N=で表されることが好ましく、E221〜E224およびE230〜E233が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい。   Further, E225 and E234 are preferably represented by -N =, and E221 to E224 and E230 to E233 are each preferably represented by -C (R21) =.

上記一般式(3)は、一般式(1a−2)の一形態でもある。上記一般式(3)の式中、E301〜E312は、各々−C(R31)=を表し、R31は水素原子(H)または置換基を表す。また、Y31は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。   The general formula (3) is also an embodiment of the general formula (1a-2). In the general formula (3), E301 to E312 each represent —C (R31) ═, and R31 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Y31 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof.

また一般式(3)において、Y31で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、一般式(2)のY21と同様のものが挙げられる。   Moreover, in General formula (3), as a preferable aspect of the bivalent coupling group which consists of an arylene group represented by Y31, heteroarylene group, or those combinations, the thing similar to Y21 of General formula (2) is mentioned. .

上記一般式(4)は、一般式(1a−1)の一形態でもある。上記一般式(4)の式中、E401〜E414は、各々−C(R41)=を表し、R41は水素原子(H)または置換基を表す。またAr41は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらにk41は3以上の整数を表す。   The general formula (4) is also an embodiment of the general formula (1a-1). In the general formula (4), E401 to E414 each represent -C (R41) =, and R41 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar41 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring. Furthermore, k41 represents an integer of 3 or more.

また一般式(4)において、Ar41が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式(1)のR11,R12として例示した置換基を有しても良い。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic hydrocarbon ring, the aromatic hydrocarbon ring includes benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene Ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen And a ring, a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

また一般式(4)において、Ar41が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式(1)において、R11,R12として例示した置換基を有しても良い。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic heterocycle, the aromatic heterocycle includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, Triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring And azacarbazole ring. The azacarbazole ring refers to one in which at least one carbon atom of the benzene ring constituting the carbazole ring is replaced with a nitrogen atom. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

上記一般式(5)の式中、R51は置換基を表す。E501,E502、E511〜E515、E521〜E525は、各々−C(R52)=または−N=を表す。E503〜E505は、各々−C(R52)=を表す。R52は、水素原子(H)または置換基を表す。E501およびE502のうちの少なくとも1つは−N=であり、E511〜E515のうちの少なくとも1つは−N=であり、E521〜E525のうちの少なくとも1つは−N=である。   In the general formula (5), R51 represents a substituent. E501, E502, E511 to E515, E521 to E525 each represent -C (R52) = or -N =. E503 to E505 each represent -C (R52) =. R52 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. At least one of E501 and E502 is -N =, at least one of E511-E515 is -N =, and at least one of E521-E525 is -N =.

上記一般式(6)の式中、E601〜E612は、各々−C(R61)=または−N=を表し、R61は水素原子(H)または置換基を表す。またAr61は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。   In the general formula (6), E601 to E612 each represent —C (R61) ═ or —N═, and R61 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar61 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring.

また一般式(6)において、Ar61が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式(4)のAr41と同様のものが挙げられる。   In the general formula (6), examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle represented by Ar61 include those similar to Ar41 in the general formula (4).

上記一般式(7)の式中、R71〜R73は、各々水素原子(H)又は置換基を表し、Ar71は、芳香族炭化水素環基あるいは芳香族複素環基を表す。   In the general formula (7), R71 to R73 each represents a hydrogen atom (H) or a substituent, and Ar71 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

また一般式(7)において、Ar71が表す、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式(4)のAr41と同様のものが挙げられる。   In the general formula (7), the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring represented by Ar71 may be the same as Ar41 in the general formula (4).

上記一般式(8)は、一般式(7)の一形態でもある。上記一般式(8)の式中、R81〜R86は、各々水素原子(H)又は置換基を表す。E801〜E803は、各々−C(R87)=または−N=を表し、R87は水素原子(H)または置換基を表す。Ar81は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。   The general formula (8) is also a form of the general formula (7). In the general formula (8), R81 to R86 each represent a hydrogen atom (H) or a substituent. E801 to E803 each represent —C (R87) ═ or —N═, and R87 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar81 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

また一般式(8)において、Ar81が表す、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式(4)のAr41と同様のものが挙げられる。   In the general formula (8), the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring represented by Ar81 may be the same as Ar41 in the general formula (4).

上記一般式(8a)で示される構造を有する化合物は、上記一般式(8)で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式(8)におけるAr81がカルバゾール誘導体である。上記一般式(8)の式中、E804〜E811は、各々−C(R88)=または−N=を表し、R88は水素原子(H)または置換基を表す。E808〜E811のうち少なくとも一つは−N=であり、E804〜E807、E808〜E811は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。   The compound having the structure represented by the general formula (8a) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (8), and Ar81 in the general formula (8) is a carbazole derivative. In the general formula (8), E804 to E811 each represent —C (R88) ═ or —N═, and R88 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. At least one of E808 to E811 is -N =, and E804 to E807 and E808 to E811 may be bonded to each other to form a new ring.

[化合物III]
また窒素含有層3を構成するさらに他の化合物として、以上のような一般式(1)〜(8a)で表される構造を有する化合物の他、下記に具体例を示す化合物1〜166が例示される。これらの化合物は、電極層5を構成する銀と相互作用する窒素原子を含有する化合物であって、成膜性の観点から好ましい材料である。尚、これらの化合物1〜166の中には、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層3を構成する化合物として用いることができる。さらに、これらの化合物1〜166の中には、上述した一般式(1)〜(8a)に当てはまる化合物もある。
[Compound III]
Further, as other compounds constituting the nitrogen-containing layer 3, in addition to the compounds having the structures represented by the general formulas (1) to (8a) as described above, compounds 1 to 166 shown below as specific examples are exemplified. Is done. These compounds are compounds containing nitrogen atoms that interact with silver constituting the electrode layer 5, and are preferable materials from the viewpoint of film formability. In addition, in these compounds 1-166, the compound applicable to the range of the above-mentioned effective unshared electron pair content [n / M] is also included, and if it is such a compound, the nitrogen-containing layer 3 is formed alone. It can be used as a constituent compound. Furthermore, among these compounds 1-166, there are compounds that fall under the general formulas (1)-(8a) described above.

[化合物の合成例]
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物5の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。
[Examples of compound synthesis]
Specific examples of the synthesis of compound 5 are shown below as typical synthesis examples of the compound, but are not limited thereto.

工程1:(中間体1の合成)
窒素雰囲気下、2,8−ジブロモジベンゾフラン(1.0モル)、カルバゾール(2.0モル)、銅粉末(3.0モル)、炭酸カリウム(1.5モル)を、DMAc(ジメチルアセトアミド)300ml中で混合し、130℃で24時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン1Lを加え、蒸留水で3回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(n−ヘプタン:トルエン=4:1〜3:1)にて精製し、中間体1を収率85%で得た。
Step 1: (Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 2,8-dibromodibenzofuran (1.0 mol), carbazole (2.0 mol), copper powder (3.0 mol), potassium carbonate (1.5 mol), DMAc (dimethylacetamide) 300 ml Mixed in and stirred at 130 ° C. for 24 hours. The reaction solution thus obtained was cooled to room temperature, 1 L of toluene was added, washed with distilled water three times, the solvent was distilled off from the washed product under a reduced pressure atmosphere, and the residue was subjected to silica gel flash chromatography (n-heptane: Purification was performed using toluene = 4: 1 to 3: 1), and Intermediate 1 was obtained with a yield of 85%.

工程2:(中間体2の合成)
室温、大気下で中間体1(0.5モル)をDMF(ジメチルホルムアミド)100mlに溶解し、NBS(N−ブロモコハク酸イミド)(2.0モル)を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体2を収率92%で得た。
Step 2: (Synthesis of Intermediate 2)
Intermediate 1 (0.5 mol) was dissolved in 100 ml of DMF (dimethylformamide) at room temperature under air, NBS (N-bromosuccinimide) (2.0 mol) was added, and the mixture was stirred overnight at room temperature. The resulting precipitate was filtered and washed with methanol, yielding intermediate 2 in 92% yield.

工程3:(化合物5の合成)
窒素雰囲気下、中間体2(0.25モル)、2−フェニルピリジン(1.0モル)、ルテニウム錯体[(η−C)RuCl(0.05モル)、トリフェニルホスフィン(0.2モル)、炭酸カリウム(12モル)を、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)3L中で混合し、140℃で一晩撹拌した。
Step 3: (Synthesis of Compound 5)
Under a nitrogen atmosphere, intermediate 2 (0.25 mol), 2-phenylpyridine (1.0 mol), ruthenium complex [(η 6 -C 6 H 6 ) RuCl 2 ] 2 (0.05 mol), triphenyl Phosphine (0.2 mol) and potassium carbonate (12 mol) were mixed in 3 L of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) and stirred at 140 ° C. overnight.

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン5Lを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下(800Pa、80℃)において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(CHCl:EtN=20:1〜10:1)にて精製した。After cooling the reaction solution to room temperature, 5 L of dichloromethane was added, and the reaction solution was filtered. Next, the solvent was distilled off from the filtrate under reduced pressure (800 Pa, 80 ° C.), and the residue was purified by silica gel flash chromatography (CH 2 Cl 2 : Et 3 N = 20: 1 to 10: 1).

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で3回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物5を収率68%で得た。   After distilling off the solvent from the purified product under reduced pressure, the residue was dissolved again in dichloromethane and washed three times with water. The material obtained by washing was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off from the dried material in a reduced-pressure atmosphere to obtain Compound 5 in a yield of 68%.

<電極層5>
電極層5は、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された層であって、図1の断面模式図に示すように、窒素含有層3に隣接して設けられた層である。特にこの電極層5は、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、成膜が開始された層であることが特徴的である。ここで、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間とは、窒素含有層3の成膜が完全に終了した後から2分までの間である必要はない。つまり、電極層5は、窒素含有層3の成膜が開始された後であれば、窒素含有層3の成膜が終了する前に、成膜が開始されたものであっても良い。この場合、窒素含有層3と電極層5とは、その界面付近が混合層として構成されることになる。そして、この場合の電極層5は、混合層と電極材料のみで構成された層とで構成されていることとする。
<Electrode layer 5>
The electrode layer 5 is a layer formed using silver or an alloy containing silver as a main component, and is a layer provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. . In particular, the electrode layer 5 is characterized in that film formation is started between the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 and 2 minutes after the film formation is completed. Here, the period from the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 to 2 minutes after the film formation is not necessarily between 2 minutes after the film formation of the nitrogen-containing layer 3 is completely completed. In other words, the electrode layer 5 may be formed after the nitrogen-containing layer 3 has been formed and before the nitrogen-containing layer 3 has been formed. In this case, the vicinity of the interface between the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 is configured as a mixed layer. And the electrode layer 5 in this case shall be comprised with the layer comprised only by the mixed layer and electrode material.

以上のような電極層5は、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後1分までの間のできるだけ早いタイミングで、成膜が開始された層であることがより好ましい。尚、後の製造方法で説明するように、窒素含有層3および電極層5の成膜方法が限定されることはない。   The electrode layer 5 as described above is more preferably a layer in which film formation is started at the earliest possible timing from the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 to 1 minute after the film formation. As will be described later in the manufacturing method, the method for forming the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 is not limited.

また電極層5は、シート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚を有する。電極層5は、シート抵抗の測定が可能な膜厚とすることにより、電極層5を構成する金属が面内方向においての2次元的な連続性を備えたものとなり、電極用の膜としての実用性が確保されている。また電極層5は、12nm以下の膜厚であることにより、電極層5における吸収成分または反射成分が低く抑えられ、透明電極1の光透過率が確保されている。また、電極層5は、少なくとも厚さが4nm以上あれば、透明電極1の導電性が確保される。   Moreover, the electrode layer 5 has a film thickness of 12 nm or less that allows the sheet resistance to be measured. By setting the electrode layer 5 to a film thickness that allows the sheet resistance to be measured, the metal constituting the electrode layer 5 has two-dimensional continuity in the in-plane direction, and serves as an electrode film. Practicality is ensured. Moreover, the electrode layer 5 has a film thickness of 12 nm or less, so that the absorption component or reflection component in the electrode layer 5 is kept low, and the light transmittance of the transparent electrode 1 is ensured. Moreover, if the electrode layer 5 has a thickness of at least 4 nm, the conductivity of the transparent electrode 1 is ensured.

このような電極層5を構成する金属は、例えば銀(Ag)、または銀を主成分とした合金である。銀(Ag)とは、銀の安定性を確保するために添加されるパラジウム(Pd)、銅(Cu)、金(Au)などを含んでいてもよく、銀の純度が99%以上のものとする。また銀を主成分とした合金とは、銀の含有率が50%以上のものとする。このような合金の一例として、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)、銀金(AgAu)、銀アルミ(AgAl)、銀亜鉛(AgZn)、銀錫(AgSn)、銀白金(AgPt)、銀チタン(AgTi)、銀ビスマス(AgBi)などが挙げられる。   The metal constituting the electrode layer 5 is, for example, silver (Ag) or an alloy containing silver as a main component. Silver (Ag) may contain palladium (Pd), copper (Cu), gold (Au), etc. added to ensure the stability of silver, and the purity of silver is 99% or more. And An alloy containing silver as a main component has a silver content of 50% or more. Examples of such alloys include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), silver indium (AgIn), silver gold (AgAu), silver aluminum (AgAl) Silver zinc (AgZn), silver tin (AgSn), silver platinum (AgPt), silver titanium (AgTi), silver bismuth (AgBi), and the like.

また以上のような電極層5は、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。   Further, the electrode layer 5 as described above may have a configuration in which silver or an alloy layer mainly composed of silver is divided into a plurality of layers as necessary.

また、上述の電極層5は、電極パターンとして形成されていることが好ましい。電極層5の電極パターンとしては、例えば、マトリクス状に複数の電極パターンが形成されていることが好ましい。マトリクス状の電極パターンとしては、複数のx電極パターンまたはy電極パターンを有し、各x電極パターンまたはy電極パターンが、それぞれがx方向又はy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置される。これらの各x電極パターン又はy電極パターンは、例えばx方向に配列されたひし形やその他の形状のパターン部分を、x方向またはy方向に直線状に連結した形状とすることができる。また、各x電極パターンとy電極パターンとは、絶縁膜を介することで絶縁されていることとする。さらにまた、各x電極パターン、y電極パターンの端部に、電極層5からなる配線パターンが接続され、透明基板11上における周縁領域から端縁にこの配線パターンが引き出されていてもよい。   The electrode layer 5 is preferably formed as an electrode pattern. As an electrode pattern of the electrode layer 5, for example, it is preferable that a plurality of electrode patterns are formed in a matrix. The matrix electrode pattern has a plurality of x electrode patterns or y electrode patterns, and each x electrode pattern or y electrode pattern is spaced from each other with each extending in the x direction or y direction. Arranged in parallel. Each of these x electrode patterns or y electrode patterns may have a shape in which rhombuses or other pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction or the y direction. Further, each x electrode pattern and y electrode pattern are insulated by interposing an insulating film. Furthermore, the wiring pattern which consists of the electrode layer 5 may be connected to the edge part of each x electrode pattern and y electrode pattern, and this wiring pattern may be pulled out from the peripheral area on the transparent substrate 11 to an edge.

また、透明電極1は、x電極パターン又はy電極パターンのいずれか一方の電極パターンを有する構成としてもよく、x電極パターンとy電極パターンとの両方の電極パターンを有する構成としてもよい。さらに、電極パターンとしては、上記マトリクス状に限らず、他のパターンとしてもよい。   Further, the transparent electrode 1 may have a configuration having either an x electrode pattern or a y electrode pattern, or may have a configuration having both an x electrode pattern and a y electrode pattern. Furthermore, the electrode pattern is not limited to the matrix shape, and may be other patterns.

<保護層>
尚、以上のような電極層5を有する透明電極1は、電極層5を覆う状態で保護層を備えていてもよい。この場合、透明電極1の光透過性を損なうことのないように、保護層が光透過性を有することが好ましい。
<Protective layer>
The transparent electrode 1 having the electrode layer 5 as described above may be provided with a protective layer so as to cover the electrode layer 5. In this case, it is preferable that the protective layer has light transparency so as not to impair the light transparency of the transparent electrode 1.

保護層は、透明電極1の電極層5を覆う板状又はフィルム状の部材や、電極層5を覆う無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層等から構成される。この保護層は、透明電極1において少なくとも電極層5を覆う状態で設けられている。   The protective layer includes a plate-like or film-like member that covers the electrode layer 5 of the transparent electrode 1, a protective layer that is configured using an inorganic material, an organic material, or a resin material that covers the electrode layer 5. This protective layer is provided so as to cover at least the electrode layer 5 in the transparent electrode 1.

保護層を構成する板状又はフィルム状の部材としては、上述の透明基板11と同様の部材を用いることができる。なかでも、透明電極1を薄型化できることから、薄型の樹脂フィルムを好ましく使用することができる。   As a plate-like or film-like member constituting the protective layer, the same member as the above-described transparent substrate 11 can be used. Especially, since the transparent electrode 1 can be reduced in thickness, a thin resin film can be used preferably.

さらに樹脂フィルムは、透明基板11と同様に、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。被膜は、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m・24h・atm)以下、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m・24h)以下であることが好ましい。Furthermore, as with the transparent substrate 11, the resin film may be formed with a coating made of an inorganic material or an organic material, or a hybrid coating combining these coatings. The film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS-K-7126-1987, and a method according to JIS-K-7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is preferably 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

また、無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層としては、特に、水分や酸素等の電極層5に劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることが好ましい。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。   In addition, the protective layer composed of an inorganic material, an organic material, or a resin material is particularly composed of a material having a function of suppressing entry of a substance that causes deterioration of the electrode layer 5 such as moisture or oxygen. Is preferred. As such a material, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride is used. Further, in order to improve the brittleness of the sealing film, a laminated structure may be formed by using a film made of an organic material together with a film made of these inorganic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

<透明電極1の製造方法>
次に、透明電極1の製造方法を、図7を用いて説明する。
<The manufacturing method of the transparent electrode 1>
Next, the manufacturing method of the transparent electrode 1 is demonstrated using FIG.

先ず図7Aに示すように、透明基板11上に、窒素含有層3を形成する。この窒素含有層3の形成は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用されるが、スパッタ法であっても良い。   First, as shown in FIG. 7A, the nitrogen-containing layer 3 is formed on the transparent substrate 11. The nitrogen-containing layer 3 can be formed by a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, or a dip method, a method using a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a dry process such as a CVD method, or the like. Can be mentioned. Among them, the vapor deposition method is preferably applied from the viewpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated, but a sputtering method may be used.

尚、複数の化合物を用いて窒素含有層3を蒸着法によって成膜する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層3を成膜する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すれば良い。   In the case where the nitrogen-containing layer 3 is formed by a vapor deposition method using a plurality of compounds, co-evaporation for simultaneously supplying a plurality of compounds from a plurality of vapor deposition sources is applied. If a polymer material is used as the compound, a coating method is preferably applied. In this case, a coating solution in which the compound is dissolved in a solvent is used. The solvent in which the compound is dissolved is not limited. Furthermore, if the nitrogen-containing layer 3 is formed using a plurality of compounds, a coating solution may be prepared using a solvent capable of dissolving the plurality of compounds.

次に図7Bに示すように、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、この窒素含有層3に隣接させて、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層5の成膜を開始する。電極層5の成膜は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用されるが、スパッタ法であっても良く、電極層5として用いられる材料によって適する成膜方法が選択される。   Next, as shown in FIG. 7B, between the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 and 2 minutes after the film formation is completed, a silver or an alloy containing silver as a main component is adjacent to the nitrogen-containing layer 3. The film formation of the electrode layer 5 constituted by using is started. The electrode layer 5 is formed using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, or a dip method, or a dry process such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, or a CVD method. The method etc. are mentioned. Among these, the vapor deposition method is preferably applied from the viewpoint that it is easy to obtain a homogeneous film and that pinholes are not easily generated. However, a sputtering method may be used, and a composition suitable for the material used as the electrode layer 5 may be used. A membrane method is selected.

尚、窒素含有層3を、ウェットプロセスを用いて成膜する場合においては、窒素含有層3の成膜終了後2分までの間に電極層5の成膜を開始することが好ましい。ここで、窒素含有層3の成膜終了後2分までの間とは、窒素含有層3の硬化および乾燥が終了した後の2分までの間であることとする。   In the case where the nitrogen-containing layer 3 is formed using a wet process, it is preferable to start forming the electrode layer 5 within 2 minutes after completion of the formation of the nitrogen-containing layer 3. Here, it is assumed that the period up to 2 minutes after the film formation of the nitrogen-containing layer 3 is up to 2 minutes after the completion of the curing and drying of the nitrogen-containing layer 3.

以上により、透明基板11上に所望の透明電極1が得られる。   As described above, a desired transparent electrode 1 is obtained on the transparent substrate 11.

<透明電極1の効果>
以上のような構成の透明電極1は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層3に隣接して、銀または銀を主成分とする合金からなる電極層5を設けた構成である。これにより、窒素含有層3の上部に電極層5を成膜する際には、電極層5を構成する銀原子が窒素含有層3を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層3表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型(Frank−van der Merwe:FM型)の膜成長によって連続膜が成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の電極層5が得られるようになる。
<Effect of transparent electrode 1>
The transparent electrode 1 having the above-described configuration is configured such that an electrode layer 5 made of silver or an alloy containing silver as a main component is provided adjacent to a nitrogen-containing layer 3 formed using a compound containing nitrogen atoms. It is. Thus, when the electrode layer 5 is formed on the nitrogen-containing layer 3, the silver atoms constituting the electrode layer 5 interact with the compound containing nitrogen atoms constituting the nitrogen-containing layer 3, thereby producing silver atoms. The diffusion distance on the surface of the nitrogen-containing layer 3 is reduced, and aggregation of silver is suppressed. Therefore, in general, a silver thin film that is easily isolated in an island shape by film growth of a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type) is a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type). As a result, a continuous film is formed. Accordingly, it is possible to obtain the electrode layer 5 having a uniform film thickness even though the film thickness is small.

また、透明電極1を構成する電極層5は、シート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚を有する。これにより、電極層5は、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなる。さらに、このように薄い膜厚である電極層5は、上述したように窒素含有層3に隣接して設けられることにより、均一な膜厚と連続性を有する。したがって、電極層5は、上述したように12nm以下と言った極薄膜でありながらも、確実にシート抵抗の測定が可能な導電性を有するものとなる。   Moreover, the electrode layer 5 which comprises the transparent electrode 1 has a film thickness of 12 nm or less which can measure sheet resistance. As a result, the electrode layer 5 has a light absorption component or reflection component suppressed to a low level while ensuring practicality as a film for an electrode. Furthermore, the electrode layer 5 having such a thin film thickness has a uniform film thickness and continuity by being provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3 as described above. Therefore, although the electrode layer 5 is an ultrathin film having a thickness of 12 nm or less as described above, the electrode layer 5 has conductivity capable of reliably measuring the sheet resistance.

そして特に、電極層5が、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、好ましくは1分までの間に成膜を開始して得られた層であることにより、この電極層5を、より連続性の高い膜とすることができ、これによっても電極層5を備えた透明電極1の光透過性および導電性の向上が図られている。これは、後の実施例で詳細に説明するように、窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に成膜を開始して得られた電極層5は、この電極層5を有する透明電極1を介して下地の視認性が良好であり、かつ薄膜でありながらもシート抵抗が低いことから確認されている。   In particular, the electrode layer 5 is a layer obtained by starting film formation from the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 to 2 minutes after the film formation is completed, preferably within 1 minute. Thus, the electrode layer 5 can be a film having higher continuity, and the light transmittance and conductivity of the transparent electrode 1 provided with the electrode layer 5 are also improved. As will be described in detail in the following examples, the electrode layer 5 obtained by starting film formation between the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3 and 2 minutes after the film formation is It is confirmed that the visibility of the base is good through the transparent electrode 1 having the electrode layer 5 and the sheet resistance is low even though it is a thin film.

以上のように、透明電極1は、薄膜でありながらも光透過性の向上と共に導電性の向上が図られたものとなり、さらに電極層5の連続性が高く均質であることによって光散乱も抑えられたものとなる。この結果、透明電極1は下地となる表示画像の視認性が良好であり、タッチパネル用の透明電極として良好に適用できる。   As described above, although the transparent electrode 1 is a thin film, it has improved light transmission and improved conductivity, and further suppresses light scattering due to the high continuity and homogeneity of the electrode layer 5. It will be As a result, the transparent electrode 1 has good visibility of the display image serving as a base, and can be suitably applied as a transparent electrode for a touch panel.

しかも、このような透明電極1は、後の実施例で詳細に説明するように、ITOを用いた透明電極と比較して、薄膜でありながらもシート抵抗が低いことが確認された。これにより、パターニングされた電極層5の自体の視認性を抑えつつ、電極層5の電圧降下を抑制できるため、大型化されたタッチパネル用の透明電極としても好適に用いられる。   Moreover, it was confirmed that such a transparent electrode 1 has a low sheet resistance although it is a thin film as compared with a transparent electrode using ITO, as will be described in detail in a later example. Thereby, since the voltage drop of the electrode layer 5 can be suppressed while suppressing the visibility of the patterned electrode layer 5 itself, it is also suitably used as a transparent electrode for an enlarged touch panel.

またこのような透明電極1は、レアメタルであるインジウム(In)を用いていないため低コストであり、またZnOのような化学的に不安定な材料を用いていないため長期信頼性にも優れている。   Further, such a transparent electrode 1 is low in cost because it does not use indium (In), which is a rare metal, and has excellent long-term reliability because it does not use a chemically unstable material such as ZnO. Yes.

≪2.第2実施形態:3層構造のタッチパネル用透明電極≫
図8は、本発明の第2実施形態に係るタッチパネル用透明電極(以下、透明電極と称する)の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極1aが、先の図1を用いて説明した透明電極と異なるところは、高屈折率層Hを設けて3層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪2. Second Embodiment: Three-layer Transparent Electrode for Touch Panel >>
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a second embodiment of the present invention. The transparent electrode 1a shown in this figure is different from the transparent electrode described with reference to FIG. 1 in that a high refractive index layer H is provided to form a three-layer structure, and other configurations are the same. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、3層構造の透明電極1aは、電極層5との間に窒素含有層3を狭持する位置に、窒素含有層3よりも屈折率の高い高屈折率層Hを備えた3層構造であり、透明基板11の上部に、高屈折率層H、窒素含有層3、電極層5の順に設けられている。このうち、高屈折率層Hは、以下のような構成である。   That is, the transparent electrode 1a having a three-layer structure has a three-layer structure in which a high refractive index layer H having a higher refractive index than that of the nitrogen-containing layer 3 is provided at a position where the nitrogen-containing layer 3 is sandwiched between the transparent electrode 1a. The high refractive index layer H, the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are provided in this order on the transparent substrate 11. Among these, the high refractive index layer H has the following configuration.

<高屈折率層H>
高屈折率層Hは、窒素含有層3よりも高い屈折率を有する層である。高屈折率層Hの屈折率は、波長550nmにおける屈折率(n)が、窒素含有層3の屈折率(n=1.7〜1.8)より0.1以上高いと好ましく、0.3以上高いとさらに好ましい。典型的には、波長550nmにおける屈折率(n)が2.0以上の層であることが好ましい。このような高屈折率層Hは、先に説明した高い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成され、例えば、酸化チタン(TiO:n=2.3〜2.4)、酸化ジルコニウム(ZrO:n=2.4)、酸化カドミウム(CdO:n=2.49)、酸化インジウムスズ(ITO:n=2.1〜2.2)、酸化インジウム亜鉛(In+ZnO:n=2.0〜2.4)、酸化亜鉛(ZnO:n=2.0〜2.3)、酸化ハフニウム(HfO:n=1.9〜2.1)、五酸化タンタル(Ta:n=2.16)、酸化ニオブ(Nb:n=2.2〜2.4)、酸化セリウム(CeO:n=2.2)等の高屈折率材料や、光学フィルムに一般的に用いられる材料が挙げられる。
<High refractive index layer H>
The high refractive index layer H is a layer having a higher refractive index than the nitrogen-containing layer 3. The refractive index of the high refractive index layer H is preferably such that the refractive index (n) at a wavelength of 550 nm is 0.1 or more higher than the refractive index of the nitrogen-containing layer 3 (n = 1.7 to 1.8). More preferably, it is higher. Typically, a layer having a refractive index (n) of 2.0 or more at a wavelength of 550 nm is preferable. Such a high refractive index layer H is made of a material having the high refractive index and light transmittance described above, and includes, for example, titanium oxide (TiO 2 : n = 2.3 to 2.4), oxidation Zirconium (ZrO: n = 2.4), cadmium oxide (CdO: n = 2.49), indium tin oxide (ITO: n = 2.1 to 2.2), indium zinc oxide (In 2 O 3 + ZnO: n = 2.0 to 2.4), zinc oxide (ZnO: n = 2.0 to 2.3), hafnium oxide (HfO 2 : n = 1.9 to 2.1), tantalum pentoxide (Ta 2) High refractive index materials such as O 5 : n = 2.16), niobium oxide (Nb 2 O 5 : n = 2.2 to 2.4), cerium oxide (CeO 2 : n = 2.2), and optical The material generally used for a film is mentioned.

尚、高屈折率層Hは、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、電極の主材料として用いられることはないが、導電性を有する材料で構成されている場合であれば電極層5と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。また、電極として必要な膜厚を備えている必要はない。   The high refractive index layer H is not used as the main material of the electrode even if it is made of a conductive material, but it may be made of a conductive material. For example, the electrode layer 5 is patterned so as to be conductive. Moreover, it is not necessary to have the film thickness required as an electrode.

以上のような高屈折率層Hが透明基板11上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)またはスパッタ法が挙げられる。特に、EB蒸着であれば、イオンアシストを用いた方法が好適である。このような高屈折率層Hの成膜方法は、これを構成する材料によって適切な方法が選択されることとする。   When the high refractive index layer H as described above is formed on the transparent substrate 11, examples of the film forming method include vapor deposition (resistance heating, EB method, etc.) or sputtering. In particular, a method using ion assist is suitable for EB deposition. As a method for forming such a high refractive index layer H, an appropriate method is selected depending on the material constituting the layer.

尚、ここでの図示は省略したが、透明電極1aは、高屈折率層Hに接して低屈折率層が設けられていてもよい。図8に示す構成においては、高屈折率層Hと窒素含有層3が接する面とは反対の面、すなわち、高屈折率層Hと透明基板11の間に低屈折率層を有していてもよい。高屈折率層Hに接して低屈折率層を有することで、光学アドミッタンスを調整することができ、透明電極の光透過性がさらに向上する。   Although illustration is omitted here, the transparent electrode 1a may be provided with a low refractive index layer in contact with the high refractive index layer H. In the configuration shown in FIG. 8, a surface opposite to the surface where the high refractive index layer H and the nitrogen-containing layer 3 are in contact, that is, a low refractive index layer is provided between the high refractive index layer H and the transparent substrate 11. Also good. By having the low refractive index layer in contact with the high refractive index layer H, the optical admittance can be adjusted, and the light transmittance of the transparent electrode is further improved.

このような低屈折率層は、高屈折率層Hよりも低い屈折率を有する層である。特に波長550nmにおける屈折率が、高屈折率層Hよりも0.1以上低いことが好ましく、高屈折率層Hよりも0.3以上低いことがさらに好ましい。このような低屈折率層は、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム(MgF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化アルミニウム(AlF)等の低屈折率材料や、光学フィルムに一般的に用いられる材料が挙げられる。Such a low refractive index layer is a layer having a lower refractive index than the high refractive index layer H. In particular, the refractive index at a wavelength of 550 nm is preferably lower than the high refractive index layer H by 0.1 or more, and more preferably lower than the high refractive index layer H by 0.3 or more. Such a low refractive index layer is composed of a material having a low refractive index and light transmittance. For example, low refractive index materials such as magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium fluoride (LiF), calcium fluoride (CaF 2 ), aluminum fluoride (AlF 3 ), and materials generally used for optical films. Can be mentioned.

<透明電極1aの効果>
以上のように構成された透明電極1aでは、先の第1実施形態の透明電極の効果に加え、さらに窒素含有層3に接して高屈折率層Hを設けた3層構造であることにより、銀を主成分とする電極層5で生じる反射が抑制され、これと共にタッチパネル用透明電極1aにおける光散乱がさらに抑制される。この結果、透明電極1aは、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。
<Effect of transparent electrode 1a>
In the transparent electrode 1a configured as described above, in addition to the effect of the transparent electrode of the first embodiment, a three-layer structure in which a high refractive index layer H is provided in contact with the nitrogen-containing layer 3, Reflection generated in the electrode layer 5 containing silver as a main component is suppressed, and light scattering in the transparent electrode for touch panel 1a is further suppressed. As a result, the transparent electrode 1a has a better visibility of the display image serving as a base, and can be more suitably applied as a transparent electrode for a touch panel.

≪3.第3実施形態:4層構造のタッチパネル用透明電極≫
図9は、本発明の第3実施形態に係るタッチパネル用透明電極(以下、透明電極と称する)の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極1bが、先の図1を用いて説明した透明電極と異なるところは、2つの高屈折率層Hを設けて4層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪3. Third Embodiment: Four-layer Transparent Electrode for Touch Panel >>
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a third embodiment of the present invention. The transparent electrode 1b shown in this figure is different from the transparent electrode described with reference to FIG. 1 in that two high refractive index layers H are provided to form a four-layer structure, and other configurations are the same. is there. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、4層構造の透明電極1bは、2つの高屈折率層Hの間に、窒素含有層3と電極層5とを挟んだ4層構造であり、例えば透明基板11の上部に、高屈折率層H、窒素含有層3、電極層5、高屈折率層Hの順に設けられている。このうち、2つの高屈折率層Hは、先の図8に示した3層構造の透明電極に用いた高屈折率層と同様のものであって良い。   That is, the transparent electrode 1b having a four-layer structure has a four-layer structure in which the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are sandwiched between two high-refractive-index layers H. The refractive index layer H, the nitrogen-containing layer 3, the electrode layer 5, and the high refractive index layer H are provided in this order. Among these, the two high refractive index layers H may be the same as the high refractive index layer used in the transparent electrode having the three-layer structure shown in FIG.

これらの2つの高屈折率層Hは、同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。ただし、電極層5がパターニングされている場合であって、2つの高屈折率層Hのうち電極層5に隣接して配置される高屈折率層Hが、先の高屈折率材料として示した材料のうち、導電性を有する材料で構成されている場合には、電極層5と同様にパターニングされている必要があり、導電性を有していない材料で構成されている場合には、パターニングされていてもされていなくても良い。   These two high refractive index layers H may be made of the same material, or may be made of different materials. Moreover, the film thickness may be the same or different. However, when the electrode layer 5 is patterned, the high refractive index layer H disposed adjacent to the electrode layer 5 out of the two high refractive index layers H is shown as the above high refractive index material. Of the materials, if it is made of a material having conductivity, it needs to be patterned in the same manner as the electrode layer 5, and if it is made of a material not having conductivity, patterning is required. It may or may not be done.

また透明電極1bは、ここでの図示を省略した低屈折率層を備えていてもよい。例えば、図9に示す透明電極1bでは、2つの高屈折率層Hをさらに外側から挟む状態で、2つの低屈折率層が設けられていても良い。高屈折率層Hの外側に低屈折率層を有することにより、透明電極の光透過性がさらに向上する。これらの低屈折率層は、第2実施形態で説明した低屈折率層と同様ものが用いられる。   The transparent electrode 1b may include a low refractive index layer that is not shown here. For example, in the transparent electrode 1b shown in FIG. 9, two low refractive index layers may be provided in a state where the two high refractive index layers H are further sandwiched from the outside. By having the low refractive index layer outside the high refractive index layer H, the light transmittance of the transparent electrode is further improved. These low refractive index layers are the same as the low refractive index layers described in the second embodiment.

<透明電極1bの効果>
このような透明電極1bは、窒素含有層3と電極層5とを2つの高屈折率層Hにより挟持した構成であり、高屈折率層H、窒素含有層3、電極層5、および高屈折率層Hがこの順に積層されている。これにより、透明電極1bは、図8に示した3層構造の透明電極と比較して、さらに電極層5で生じる反射が抑制されて光透過率の向上を図ることが可能になり、さらに下地の表示画像の視認性の向上を図ることが可能になる。
<Effect of transparent electrode 1b>
Such a transparent electrode 1b has a configuration in which the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are sandwiched between two high-refractive-index layers H. The high-refractive-index layer H, the nitrogen-containing layer 3, the electrode layer 5, and the high-refractive-index layer H The rate layer H is laminated in this order. Thereby, the transparent electrode 1b can further improve the light transmittance by suppressing the reflection generated in the electrode layer 5 as compared with the transparent electrode having the three-layer structure shown in FIG. It is possible to improve the visibility of the display image.

≪4.第4実施形態:タッチパネル≫
(1枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成)
図10は、本発明の第4実施形態に係るタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。また図11は、このタッチパネルの電極構成を示す2枚の透明電極1-1,1-2の平面図である。
<< 4. Fourth Embodiment: Touch Panel >>
(Configuration with two layers of transparent electrodes on one transparent substrate)
FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of a touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 11 is a plan view of two transparent electrodes 1-1 and 1-2 showing the electrode configuration of the touch panel.

これらの図に示すタッチパネル21は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル21は、1枚の透明基板11の一主面上に、第1の透明電極1-1および第2の透明電極1-2がこの順に配置され、この上部が前面板13で覆われている。第1の透明電極1-1および第2の透明電極1-2は、それぞれが、図1を用いて説明した2層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第1の透明電極1-1は、第1の窒素含有層3-1と第1の電極層5-1とがこの順に積層された構成である。同様に第2の透明電極1-2は、第2の窒素含有層3-2と第2の電極層5-2とがこの順に積層された構成である。   The touch panel 21 shown in these drawings is a projected capacitive touch panel. In the touch panel 21, a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 are arranged in this order on one main surface of one transparent substrate 11, and the upper part is covered with a front plate 13. ing. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. Therefore, the first transparent electrode 1-1 has a configuration in which the first nitrogen-containing layer 3-1 and the first electrode layer 5-1 are laminated in this order. Similarly, the second transparent electrode 1-2 has a configuration in which a second nitrogen-containing layer 3-2 and a second electrode layer 5-2 are laminated in this order.

以下、タッチパネル21を構成する主要各層の詳細を、透明基板11側から順に説明する。尚、ここでは、図10および図11と共に、図12の本実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面模式図および、そのA−A断面に相当する図13の断面模式図を用いて説明を行う。また、先の実施形態で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, details of the main layers constituting the touch panel 21 will be described in order from the transparent substrate 11 side. Here, description will be made with reference to FIG. 10 and FIG. 11 together with the schematic plan view of the electrode portion of the touch panel according to the present embodiment of FIG. 12 and the schematic cross-sectional view of FIG. . Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to having demonstrated in previous embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<透明基板11>
透明基板11は、先のタッチパネル用透明電極で説明した透明基板11である。
<Transparent substrate 11>
The transparent substrate 11 is the transparent substrate 11 described in the previous transparent electrode for touch panel.

<第1の窒素含有層3-1(第1の透明電極1-1)>
第1の窒素含有層3-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、透明基板11の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第1の窒素含有層3-1は、透明基板11の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第1の電極層5-1と同一形状にパターニングされていても良い。
<First Nitrogen-Containing Layer 3-1 (First Transparent Electrode 1-1)>
The first nitrogen-containing layer 3-1 is the nitrogen-containing layer described in the previous transparent electrode for a touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11. Here, as an example, the first nitrogen-containing layer 3-1 is provided so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11. May be patterned in the same shape.

<第1の電極層5-1(第1の透明電極1-1)>
第1の電極層5-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第1の窒素含有層3-1上においてパターニングされた複数のx電極パターン5x1,5x2,…として構成されている。各x電極パターン5x1,5x2,…は、それぞれがx方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各x電極パターン5x1,5x2,…は、例えばx方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてx方向に直線状に連結した形状であることとする。
<First electrode layer 5-1 (first transparent electrode 1-1)>
The first electrode layer 5-1 is the electrode layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is configured as a plurality of x electrode patterns 5x1, 5x2,... Patterned on the first nitrogen-containing layer 3-1. Has been. Each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other in a state of extending in the x direction. Each of these x electrode patterns 5x1, 5x2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

また、各x電極パターン5x1,5x2,…には、それぞれの端部にx配線17xが接続されている。これらのx配線17xは、透明基板11上の周縁領域において配線され、透明基板11の端縁に引き出されている。このような各x配線17xは、x電極パターン5x1,5x2,…と同様に、銀を主成分とする第1の電極層5-1として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。   Moreover, x wiring 17x is connected to each x electrode pattern 5x1, 5x2,. These x wirings 17 x are wired in the peripheral region on the transparent substrate 11 and are drawn out to the edge of the transparent substrate 11. Each of the x wirings 17x may be configured as the first electrode layer 5-1 mainly composed of silver, as in the case of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It may be composed of an electrode layer.

<第2の窒素含有層3-2(第2の透明電極1-2)>
第2の窒素含有層3-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、第1の電極層5-1を覆う状態で、透明基板11の一主面に成膜されている。このような第2の窒素含有層3-2は、第1の電極層5-1を覆いつつ、少なくともx配線17xの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第2の窒素含有層3-2は、x配線17xの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板11の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第2の電極層5-2と同一形状にパターニングされていても良い。
<Second nitrogen-containing layer 3-2 (second transparent electrode 1-2)>
The second nitrogen-containing layer 3-2 is the nitrogen-containing layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the first electrode layer 5-1. ing. The second nitrogen-containing layer 3-2 is provided so as to cover at least the first electrode layer 5-1, and expose at least the terminal portion of the x wiring 17x. Here, as an example, the second nitrogen-containing layer 3-2 is provided in such a manner that the terminal portion of the x wiring 17x is exposed and the other portion covers the entire main surface of the transparent substrate 11. However, it may be patterned in the same shape as a second electrode layer 5-2 described below.

<第2の電極層5-2(第2の透明電極1-2)>
第2の電極層5-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第2の窒素含有層3-2上においてパターニングされた複数のy電極パターン5y1,5y2,…として構成されている。各y電極パターン5y1,5y2,…は、それぞれがx電極パターン5x1,5x2,…と直交するy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各y電極パターン5y1,5y2,…は、例えばy方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてy方向に直線状に連結した形状であることとする。
<Second electrode layer 5-2 (second transparent electrode 1-2)>
The second electrode layer 5-2 is the electrode layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is configured as a plurality of y electrode patterns 5y1, 5y2,... Patterned on the second nitrogen-containing layer 3-2. Has been. Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is arranged in parallel with a distance from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Each of these y electrode patterns 5y1, 5y2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the y direction are linearly connected in the y direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

ここで、図12に示すように、各y電極パターン5y1,5y2,…を構成するひし形のパターン部分は、x電極パターン5x1,5x2,…を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板11の中央部の領域においては、第1の電極層5-1で構成されたx電極パターン5x1,5x2,…、および第2の電極層5-2で構成されたy電極パターン5y1,5y2,…が視認され難い構成となっている。   Here, as shown in FIG. 12, the rhombus pattern portions constituting the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are viewed in plan view with respect to the rhombus pattern portions forming the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It is arranged at a position that does not overlap, and has a shape that occupies as large a range as possible without overlapping. Accordingly, in the central region of the transparent substrate 11, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Constituted by the first electrode layer 5-1, and the y electrode constituted by the second electrode layer 5-2. Patterns 5y1, 5y2,... Are difficult to visually recognize.

各y電極パターン5y1,5y2,…は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各x電極パターン5x1,5x2,…と積層される。これらの積層部分には、第2の窒素含有層3-2が挟持され、これによってx電極パターン5x1,5x2,…とy電極パターン5y1,5y2,…との絶縁性が確保された状態となっている。   Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is stacked with each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. The second nitrogen-containing layer 3-2 is sandwiched between these laminated portions, and thereby the insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. ing.

また、各y電極パターン5y1,5y2,…には、それぞれの端部にy配線17yが接続されている。これらのy配線17yは、透明基板11上の周縁領域において配線され、x配線17xと並ぶように透明基板11の端縁に引き出されている。このような各y配線17yは、y電極パターン5y1,5y2,…と同様に、銀を主成分とする第2の電極層5-2として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。   Further, a y wiring 17y is connected to each end portion of each y electrode pattern 5y1, 5y2,. These y wirings 17y are wired in the peripheral region on the transparent substrate 11, and are drawn out to the edge of the transparent substrate 11 so as to be aligned with the x wirings 17x. Each of such y wirings 17y may be configured as a second electrode layer 5-2 containing silver as a main component, similarly to the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It may be composed of an electrode layer.

尚、透明基板11の端縁に引き出されたx配線17xおよびy配線17yには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。   A flexible printed circuit board or the like is connected to the x wiring 17x and the y wiring 17y drawn to the edge of the transparent substrate 11.

<前面板13>
図10および図13に図示した前面板13は、タッチパネル21において入力位置に対応する部分が押し圧される板材である。このような前面板13は、光透過性を有する板材であって、透明基板11と同様のものが用いられる。またこの前面板13は、必要に応じて光学特性を備えた材料を選択して用いたものであっても良い。このような前面板13は、例えば接着剤15に(図13参照)よって第2の透明電極1-2側に張り合わせられていることとする。この接着剤15は、光透過性および絶縁性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。
<Front plate 13>
The front plate 13 illustrated in FIGS. 10 and 13 is a plate material on which a portion corresponding to the input position on the touch panel 21 is pressed. Such a front plate 13 is a plate material having optical transparency, and the same material as the transparent substrate 11 is used. Further, the front plate 13 may be made by selecting and using a material having optical characteristics as required. Such a front plate 13 is attached to the second transparent electrode 1-2 side by, for example, an adhesive 15 (see FIG. 13). The material of the adhesive 15 is not particularly limited as long as it has optical transparency and insulating properties.

またこの前面板13には、透明基板11の周縁領域を覆う遮光膜が設けられ(図10参照)、x電極パターン5x1,5x2,…から引き出されたx配線17x、およびy電極パターン5y1,5y2,…から引き出されたy配線17yが、前面板13側から視認されることを防止している。   Further, the front plate 13 is provided with a light-shielding film that covers the peripheral region of the transparent substrate 11 (see FIG. 10), the x wiring 17x drawn from the x electrode patterns 5x1, 5x2,..., And the y electrode patterns 5y1, 5y2. ,... Is prevented from being viewed from the front plate 13 side.

<タッチパネルの動作>
以上のようなタッチパネル21を動作させる場合、x配線17xおよびy配線17yに接続させたフレキシブルプリント基板などから、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…に対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板13の表面に指またはタッチペンが触れると、タッチパネル21内に存在する各部の容量が変化し、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…の電圧の変化となって現れる。この変化は、指またはタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指またはタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…でアドレスされた位置が、指またはタッチペンが触れた位置として検出される。
<Touch panel operation>
When operating the touch panel 21 as described above, voltages are applied to the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,... From a flexible printed circuit board connected to the x wiring 17x and the y wiring 17y. Apply it. In this state, when a finger or a touch pen touches the surface of the front plate 13, the capacitance of each part existing in the touch panel 21 changes, and the voltages of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It appears as a change. This change varies depending on the distance from the position touched by the finger or touch pen, and is greatest at the position touched by the finger or touch pen. For this reason, the position addressed by the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,.

<タッチパネルの効果>
以上のようなタッチパネル21は、2層の透明電極1-1,1-2として、先に説明した光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いている。これにより、下地となる表示画像の視認性の向上を図ることが可能である。また、導電性が十分なことにより、タッチパネル用透明電極を大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル21の大型化を図ることも可能となる。
<Effect of touch panel>
The touch panel 21 as described above uses, as the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2, a transparent electrode for a touch panel that has sufficient light conductivity as well as light transmission described above and that suppresses light scattering. ing. As a result, it is possible to improve the visibility of the display image as a base. In addition, since the conductivity is sufficient, a voltage drop when the transparent electrode for the touch panel is enlarged can be suppressed, and the touch panel 21 can be enlarged.

特に、このタッチパネル21は、x電極パターン5x1,5x2,…およびこれに直交して配置されたy電極パターン5y1,5y2,…を有する投影型静電容量式である。このため、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…には、高い導電性が要求される。しかしながら、これらのx電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…は、先に説明したタッチパネル用透明電極の電極層5であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。したがって、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…自体が視認され難くなり、パターニングされた透明電極を有するタッチパネル21であっても、これを介しての下地となる表示画像の視認性を向上させることが可能である。   In particular, the touch panel 21 is a projection capacitive type having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,. Therefore, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. However, since these x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are the electrode layers 5 of the transparent electrode for touch panel described above, they can be made thin while maintaining conductivity. is there. Therefore, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Themselves are difficult to be visually recognized, and even the touch panel 21 having a patterned transparent electrode is a display image serving as a base through the patterned electrodes. It is possible to improve the visibility.

≪4-1.タッチパネルの変形例1≫
図14は、上述した本発明のタッチパネルの変形例1を示す断面模式図であり、図12のA−A断面に相当する図である。図14に示すように、変形例1のタッチパネル21aは、2枚の透明電極1a-1,1a-2として3層構造の透明電極(図8参照)を用いたことのみが、図13に示すタッチパネルとは異なる。このため、図13に示すタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
<< 4-1. Touch panel modification 1 >>
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view illustrating Modification 1 of the touch panel of the present invention described above, and corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 14, the touch panel 21a of Modification 1 is shown in FIG. 13 only using a three-layer transparent electrode (see FIG. 8) as the two transparent electrodes 1a-1 and 1a-2. Different from touch panel. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、図14に示す変形例1のタッチパネル21aは、透明基板11の一主面上に、第1の透明電極1a-1および第2の透明電極1a-2がこの順に配置され、この上部が接着剤15を介して前面板13で覆われている。第1の透明電極1a-1および第2の透明電極1a-2は、それぞれが、図8を用いて説明した3層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第1の透明電極1a-1は、透明基板11側から順に、第1の高屈折率層H-1と、第1の窒素含有層3-1と、第1の電極層5-1とが積層された構成である。同様に第2の透明電極1a-2は、第1の透明電極1a-1側から順に、第2の高屈折率層H-2と、第2の窒素含有層3-2と、第2の電極層5-2とが積層された構成である。   That is, in the touch panel 21a of the first modification shown in FIG. 14, the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2 are arranged in this order on one main surface of the transparent substrate 11, and the upper part is The front plate 13 is covered with an adhesive 15. Each of the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2 is a transparent electrode for a touch panel having a three-layer structure described with reference to FIG. Therefore, the first transparent electrode 1a-1 includes, in order from the transparent substrate 11 side, the first high refractive index layer H-1, the first nitrogen-containing layer 3-1, and the first electrode layer 5-1. Are stacked. Similarly, the second transparent electrode 1a-2 includes, in order from the first transparent electrode 1a-1, the second high refractive index layer H-2, the second nitrogen-containing layer 3-2, The electrode layer 5-2 is laminated.

ここで、第1の高屈折率層H-1および第2の高屈折率層H-2は、次のような構成である。   Here, the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2 have the following configurations.

<第1の高屈折率層H-1(第1の透明電極1a-1)>
第1の高屈折率層H-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、透明基板11の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第1の高屈折率層H-1は、透明基板11の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先に説明した第1の窒素含有層3-1と共に、第1の電極層5-1と同一形状にパターニングされていても良い。尚、第1の高屈折率層H-1は、先の高屈折率材料として示した材料から適宜選択した材料を用いて構成される。
<First High Refractive Index Layer H-1 (First Transparent Electrode 1a-1)>
The first high refractive index layer H-1 is the high refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11. Here, as an example, the first high refractive index layer H-1 is provided so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11, but the first nitrogen-containing layer 3 described above. -1 may be patterned in the same shape as the first electrode layer 5-1. The first high refractive index layer H-1 is configured using a material appropriately selected from the materials shown as the above high refractive index materials.

<第2の高屈折率層H-2(第2の透明電極1a-2)>
第2の高屈折率層H-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第1の電極層5-1を覆う状態で、透明基板11の一主面に成膜されている。このような第2の高屈折率層H-2は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。このような第2の高屈折率層H-2は、第1の電極層5-1を覆いつつ、少なくともx配線17xの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第2の高屈折率層H-2は、x配線17xの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板11の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、第2の窒素含有層3-2と共に第2の電極層5-2と同一形状にパターニングされていても良い。
<Second High Refractive Index Layer H-2 (Second Transparent Electrode 1a-2)>
The second high refractive index layer H-2 is the high refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the first electrode layer 5-1. It is filmed. Such a second high refractive index layer H-2 is made of a material having a good insulating property among the materials shown as the high refractive index material. Such a second high refractive index layer H-2 is provided so as to cover at least the terminal portion of the x wiring 17x while covering the first electrode layer 5-1. Here, as an example, the second high refractive index layer H-2 is provided in such a manner that the terminal portion of the x wiring 17x is exposed and the other portion covers the entire main surface of the transparent substrate 11. However, it may be patterned in the same shape as the second electrode layer 5-2 together with the second nitrogen-containing layer 3-2.

尚、第2の高屈折率層H-2は、絶縁性を有していれば第1の高屈折率層H-1と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また第1の高屈折率層H-1と同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。   The second high-refractive index layer H-2 may be made of the same material as the first high-refractive index layer H-1 as long as it has an insulating property, or may be made of a different material. It may be configured. Further, the film thickness may be the same as or different from the first high refractive index layer H-1.

<変形例1のタッチパネル21aの効果>
このような変形例1のタッチパネル21aは、先に説明した3層構造の透明電極(図8参照)を、第1の透明電極1a-1および第2の透明電極1a-2として用いている。これにより、図13に示した2層構造の透明電極を用いた構成のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第1の電極層5-1および第2の電極層5-2で生じる反射が抑制されたものとなり、さらなる下地となる表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。
<Effect of Touch Panel 21a of Modification 1>
The touch panel 21a of the first modification uses the three-layered transparent electrode (see FIG. 8) described above as the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2. Thus, the reflection generated in the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 mainly composed of silver as compared with the touch panel configured using the transparent electrode having the two-layer structure shown in FIG. 13. Is suppressed, and the visibility of the display image as a further base can be improved.

≪4-2.タッチパネルの変形例2≫
図15は、上述した本発明のタッチパネルの変形例2を示す断面模式図であり、図12のA−A断面に相当する図である。図15に示すように、変形例2のタッチパネル21bは、2枚の透明電極1b-1,1b-2として4層構造の透明電極(図9参照)を用いたことのみが、図13に示すタッチパネルとは異なる。このため、図13に示すタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪4-2. Touch panel modification 2 >>
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing Modification 2 of the touch panel of the present invention described above, and corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 15, the touch panel 21b of Modification 2 is shown in FIG. 13 only using a four-layer transparent electrode (see FIG. 9) as the two transparent electrodes 1b-1 and 1b-2. Different from touch panel. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、図15に示す変形例2のタッチパネル21bは、透明基板11の一主面上に、第1の透明電極1b-1および第2の透明電極1b-2がこの順に配置され、この上部が接着剤15を介して前面板13で覆われている。第1の透明電極1b-1および第2の透明電極1b-2は、それぞれが、図9を用いて説明した4層構造のタッチパネル用透明電極である。ここでは、第1の透明電極1b-1と第2の透明電極1b-2とが、1つの高屈折率層を共有した構成であることする。したがって、第1の透明電極1b-1は、透明基板11側から順に、第1の高屈折率層H-1と、第1の窒素含有層3-1と、第1の電極層5-1と、第2の高屈折率材料H-2が積層された構成である。同様に第2の透明電極1b-2は、透明基板11側から順に、第2の高屈折率層H-2と、第2の窒素含有層3-2と、第2の電極層5-2と、第3の高屈折率層H-3が積層された構成である。   That is, in the touch panel 21b of Modification 2 shown in FIG. 15, the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 are arranged in this order on one main surface of the transparent substrate 11, and this upper part is The front plate 13 is covered with an adhesive 15. Each of the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 is a transparent electrode for a touch panel having a four-layer structure described with reference to FIG. Here, it is assumed that the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 share one high refractive index layer. Therefore, the first transparent electrode 1b-1 includes, in order from the transparent substrate 11 side, the first high refractive index layer H-1, the first nitrogen-containing layer 3-1, and the first electrode layer 5-1. The second high refractive index material H-2 is laminated. Similarly, the second transparent electrode 1b-2 includes, in order from the transparent substrate 11 side, a second high refractive index layer H-2, a second nitrogen-containing layer 3-2, and a second electrode layer 5-2. The third high refractive index layer H-3 is laminated.

ここで、透明基板11から第2の電極層5-2までは、第1の高屈折率層H-1および第2の高屈折率層H-2を含んで、図14を用いて説明したタッチパネルの変形例1と同様のものが適用される。また第3の高屈折率層H-3は、次のような構成である。   Here, the transparent substrate 11 to the second electrode layer 5-2 include the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2, and have been described with reference to FIG. The same touch panel modification 1 is applied. The third high refractive index layer H-3 has the following configuration.

<第3の高屈折率層H-3>
第3の高屈折率層H-3は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第2の電極層5-2を覆う状態で、透明基板11の一主面に成膜されている。このような第3の高屈折率層H-3は、例えば先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。この場合、第3の高屈折率層H-3は、図示したように、第2の電極層5-2を覆いつつ、少なくともy配線17yの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。これに対して第3の高屈折率層H-3が、先の高屈折率材料として示した材料のうち、酸化インジウムスズ(ITO)や酸化インジウム亜鉛(In+ZnO)のような導電性を有する材料を用いて構成されている場合、第3の高屈折率層H-3は、第2の電極層5-2と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。
<Third high refractive index layer H-3>
The third high-refractive index layer H-3 is the high-refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the second electrode layer 5-2. It is filmed. Such a third high refractive index layer H-3 is made of, for example, a material having a good insulating property among the materials shown as the high refractive index material. In this case, as shown in the drawing, the third high refractive index layer H-3 is provided so as to cover at least the second electrode layer 5-2 and expose at least the terminal portion of the y wiring 17y. To do. On the other hand, the third high refractive index layer H-3 is a conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (In 2 O 3 + ZnO) among the materials shown as the high refractive index material. In the case of using a material having a property, the third high refractive index layer H-3 is patterned so as to be conductive in the same manner as the second electrode layer 5-2.

尚、第3の高屈折率層H-3は、上述した構成に保たれていれば、第1の高屈折率層H-1および第2の高屈折率層H-2と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良く、同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。さらに、第3の高屈折率層H-3が接着性を有する材料で構成される場合には、接着剤15を兼ねても良い。   The third high refractive index layer H-3 is made of the same material as the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2 as long as the above configuration is maintained. May be made of different materials, may have the same film thickness, or may have different film thicknesses. Furthermore, when the third high refractive index layer H-3 is made of an adhesive material, it may also serve as the adhesive 15.

<変形例2のタッチパネル21bの効果>
このような変形例2のタッチパネル21bは、先に説明した4層構造の透明電極(図9参照)を、第1の透明電極1b-1および第2の透明電極1b-2として用いている。これにより、図14に示した3層構造の透明電極を用いた構成の変形例1のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第1の電極層5-1および第2の電極層5-2で生じる反射が抑制されたものとなり、さらなる下地となる表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。
<Effect of Touch Panel 21b of Modification 2>
The touch panel 21b of Modification 2 uses the transparent electrode having the four-layer structure described above (see FIG. 9) as the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2. As a result, the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-containing silver as a main component further than the touch panel of the modification example 1 using the transparent electrode having the three-layer structure shown in FIG. The reflection generated in 2 is suppressed, and it becomes possible to further improve the visibility of the display image serving as a base.

≪4-3.タッチパネルの変形例3≫
尚ここでの図示は省略したが、タッチパネルの変形例3として、上記図15に示した変形例2のタッチパネル21bで用いた第2の高屈折率層H-2を省略した構成が例示される。この場合、第1の窒素含有層3-1から第2の電極層5-2までの構成を2つの高屈折率層で挟持した構成となる。
<< 4-3. Touch panel modification 3 >>
Although illustration is omitted here, as a modification 3 of the touch panel, a configuration in which the second high refractive index layer H-2 used in the touch panel 21b of the modification 2 shown in FIG. 15 is omitted is illustrated. . In this case, the configuration from the first nitrogen-containing layer 3-1 to the second electrode layer 5-2 is sandwiched between two high refractive index layers.

このような変形例3の構成であっても、変形例1の構成と比較して銀を主成分とする第1の電極層5-1および第2の電極層5-2で生じる反射がさらに抑制されたものとなり、さらなる下地となる表示画像の視認性の向上を図ることが可能となる。   Even in the configuration of the third modification example, the reflection generated in the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 mainly composed of silver as compared with the configuration of the first modification example is further increased. It becomes suppressed, and it becomes possible to further improve the visibility of the display image serving as a base.

≪5.第5実施形態:タッチパネル≫
(2枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成)
図16は、本発明の第5実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本実施形態のタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図10〜12に示す構成と同様であり、図16は図12のA−A断面に相当する。
≪5. Fifth embodiment: Touch panel >>
(Configuration with transparent electrodes on each of two transparent substrates)
FIG. 16: is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 5th Embodiment of this invention. Also in the touch panel of the present embodiment, the schematic configuration of the touch panel, the electrode configuration of the transparent electrode for the touch panel, and the planar arrangement of the electrode portion of the touch panel are the same as the configurations shown in FIGS. This corresponds to 12 AA cross sections.

図16に示すタッチパネル22は、2枚の透明基板11-1、11-2の一主面上に、第1の透明電極1-1および第2の透明電極1-2を設けた構成であり、それ以外の構成は先の図13に示したタッチパネルの構成と同様である。このため、図13に示したタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。   The touch panel 22 shown in FIG. 16 has a configuration in which a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 are provided on one main surface of two transparent substrates 11-1 and 11-2. The rest of the configuration is the same as the configuration of the touch panel shown in FIG. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち図16に示すタッチパネル22は、第1の透明電極1-1が設けられた第1の透明基板11-1と、第2の透明電極1-2が設けられた第2の透明基板11-2とを有する。これらの透明基板11-1,11-2は、透明電極1-1,1-2の形成面を同一方向に向け、第1の透明基板11-1における第1の透明電極1-1の形成面上に、第2の透明基板11-2が位置するように重ねて配置されている。また第2の透明基板11-2に設けた第2の透明電極1-2の上部が、接着剤15を介して前面板13で覆われた状態となっている。   That is, the touch panel 22 shown in FIG. 16 includes a first transparent substrate 11-1 provided with a first transparent electrode 1-1 and a second transparent substrate 11- provided with a second transparent electrode 1-2. And 2. These transparent substrates 11-1 and 11-2 have the formation surfaces of the transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the same direction, and the formation of the first transparent electrode 1-1 on the first transparent substrate 11-1. On the surface, the second transparent substrate 11-2 is placed so as to be positioned. The upper part of the second transparent electrode 1-2 provided on the second transparent substrate 11-2 is covered with the front plate 13 with the adhesive 15 interposed therebetween.

第1の透明基板11-1および第2の透明基板11-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した構成と同様の透明基板11である。また、第1の透明電極1-1および第2の透明電極1-2は、それぞれが図1を用いて説明した2層構造のタッチパネル用透明電極であり、それぞれが透明基板11-1,11-2上に、窒素含有層3-1,3-2、および電極層5-1,5-2をこの順に積層した構成となっている。   The 1st transparent substrate 11-1 and the 2nd transparent substrate 11-2 are the transparent substrates 11 similar to the structure demonstrated by the transparent electrode for touchscreens above. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. On the -2, nitrogen-containing layers 3-1, 3-2 and electrode layers 5-1, 5-2 are laminated in this order.

また、積層された第1の透明基板11-1と第2の透明基板11-2との間は、ここでの図示を省略した接着剤によって貼り合せられていることとし、この接着剤によっても、第1の電極層5-1と第2の電極層5-2とが絶縁される。   Further, the laminated first transparent substrate 11-1 and second transparent substrate 11-2 are bonded together by an adhesive not shown here, and also by this adhesive. The first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 are insulated.

以上のようなタッチパネル22であっても、先の図13に示したタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 22 as described above can be operated in the same manner as the touch panel shown in FIG.

<タッチパネルの効果>
このような構成のタッチパネル22であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図13を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。
<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 22 having such a configuration, the use of the transparent electrode for a touch panel, which is the thin film described above, has sufficient light conductivity and sufficient conductivity, and light scattering is suppressed. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル22は、先に説明したタッチパネルの変形例1〜3のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 22 having the above-described configuration can be combined with each of the touch panel modifications 1 to 3 described above, and each effect can be obtained by combining the touch panels 22 with each other.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図14に示したタッチパネルの変形例1と組み合わせた場合、図16に示すタッチパネル22における2層構造の透明電極1-1,1-2を、それぞれ図8に示した3層構造の透明電極と置き換える。この場合、第1の透明基板11-1と第1の窒素含有層3-1との間に高屈折率層を設け、さらに第2の透明基板11-2と第2の窒素含有層3-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with the touch panel modification 1 shown in FIG. 14, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 22 shown in FIG. Replace with the transparent electrode of the three-layer structure shown. In this case, a high refractive index layer is provided between the first transparent substrate 11-1 and the first nitrogen-containing layer 3-1, and further, the second transparent substrate 11-2 and the second nitrogen-containing layer 3- 2 is provided with a high refractive index layer.

また本実施形態のタッチパネルを、図15に示したタッチパネルの変形例2と組み合わせた場合、図16に示すタッチパネル22における2層構造の透明電極1-1,1-2を、それぞれ図9に示した4層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する2層の高屈折率層のうち、電極層5-1,5-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層5-1,5-2と同一にパターニングされていることとする。   Further, when the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 22 shown in FIG. It is replaced with a transparent electrode having a four-layer structure. In this case, of the two high refractive index layers constituting each transparent electrode, each high refractive index layer provided adjacent to the electrode layers 5-1 and 5-2 is shown as the above high refractive index material. Of the materials, it is configured using a material having good insulation, or if it is configured of a conductive material, it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layers 5-1, 5-2. And

さらに本実施形態のタッチパネルは、上述したタッチパネルの変形例3を応用し、第1の窒素含有層3-1から第2の電極層5-2までの構成を挟持する位置のみに、2つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。   Furthermore, the touch panel of this embodiment applies the above-described modification 3 of the touch panel, and has two high positions only at a position where the configuration from the first nitrogen-containing layer 3-1 to the second electrode layer 5-2 is sandwiched. It can also be set as the structure which provided the refractive index layer.

≪6.第6実施形態:タッチパネル≫
(1枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成)
図17は、本発明の第6実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本実施形態のタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図10〜12に示す構成と同様であり、図17は図12のA−A断面に相当する。
≪6. Sixth Embodiment: Touch Panel >>
(Configuration with transparent electrodes on both sides of a single transparent substrate)
FIG. 17: is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 6th Embodiment of this invention. Also in the touch panel of the present embodiment, the schematic configuration of the touch panel, the electrode configuration of the transparent electrode for the touch panel, and the planar arrangement of the electrode portion of the touch panel are the same as the configurations shown in FIGS. This corresponds to 12 AA cross sections.

図17に示すタッチパネル23は、一枚の透明基板11の一主面側に第1の透明電極1-1を設け、この透明基板11の他主面側に第2の透明電極1-2を設けた構成であり、各構成要素は先の図13に示したタッチパネルの構成と同様である。このため、図13に示したタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。   A touch panel 23 shown in FIG. 17 is provided with a first transparent electrode 1-1 on one main surface side of one transparent substrate 11, and a second transparent electrode 1-2 on the other main surface side of the transparent substrate 11. Each component is the same as the configuration of the touch panel shown in FIG. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち図17に示すタッチパネル23は、透明基板11の両面に設けられた第1の透明電極1-1と第2の透明電極1-2とを有する。また第2の透明電極1-2の上部が、接着剤15を介して前面板13で覆われた状態となっている。   That is, the touch panel 23 shown in FIG. 17 includes a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 provided on both surfaces of the transparent substrate 11. Further, the upper part of the second transparent electrode 1-2 is covered with the front plate 13 with the adhesive 15 interposed therebetween.

透明基板11は、先のタッチパネル用透明電極で説明したと同様の透明基板11である。また第1の透明電極1-1および第2の透明電極1-2は、それぞれが図1を用いて説明した2層構造のタッチパネル用透明電極である。このうち、第1の透明電極1-1は、透明基板11の一主面側から窒素含有層3-1および電極層5-1がこの順に積層された構成である。一方、第2の透明電極1-2は、透明基板11の他主面側から窒素含有層3-2および電極層5-2がこの順に積層された構成である。   The transparent substrate 11 is the same transparent substrate 11 as described in the previous transparent electrode for a touch panel. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. Among these, the 1st transparent electrode 1-1 is the structure by which the nitrogen containing layer 3-1 and the electrode layer 5-1 were laminated | stacked in this order from the one main surface side of the transparent substrate 11. FIG. On the other hand, the second transparent electrode 1-2 has a configuration in which a nitrogen-containing layer 3-2 and an electrode layer 5-2 are laminated in this order from the other main surface side of the transparent substrate 11.

尚、このような構成のタッチパネル23において、第1の透明電極1-1の一主面側には、ここでの図示を省略した保護層で覆われていて良い。   In the touch panel 23 having such a configuration, one main surface side of the first transparent electrode 1-1 may be covered with a protective layer (not shown).

以上のようなタッチパネル23であっても、図13に示したタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 23 as described above can be operated in the same manner as the touch panel shown in FIG.

<タッチパネルの効果>
このような構成のタッチパネル23であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図13を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。
<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 23 having such a configuration, the use of the transparent electrode for a touch panel, which is the thin film described above, has sufficient conductivity as well as light transmittance, and also suppresses light scattering. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル23は、先に示したタッチパネルの変形例1〜3のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 23 having the above-described configuration can be combined with each of the first to third modifications of the touch panel described above, and each effect can be obtained by combining.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図14に示したタッチパネルの変形例1と組み合わせた場合、図17に示すタッチパネル23における2層構造の透明電極1-1,1-2を、それぞれ図8に示した3層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板11と第1の窒素含有層3-1との間に高屈折率層を設け、さらに透明基板11と第2の窒素含有層3-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with the touch panel modification 1 shown in FIG. 14, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 23 shown in FIG. Replace with the transparent electrode of the three-layer structure shown. In this case, a high refractive index layer is provided between the transparent substrate 11 and the first nitrogen-containing layer 3-1, and a high refractive index layer is further provided between the transparent substrate 11 and the second nitrogen-containing layer 3-2. The configuration is provided.

また本実施形態のタッチパネルを、図15に示したタッチパネルの変形例2と組み合わせた場合、図17に示すタッチパネル23における2層構造の透明電極1-1,1-2を、それぞれ図9に示した4層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する2層の高屈折率層のうち、電極層5-1,5-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層5-1,5-2と同一にパターニングされていることとする。   When the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 23 shown in FIG. 17 are shown in FIG. It is replaced with a transparent electrode having a four-layer structure. In this case, of the two high refractive index layers constituting each transparent electrode, each high refractive index layer provided adjacent to the electrode layers 5-1 and 5-2 is shown as the above high refractive index material. Of the materials, it is configured using a material having good insulation, or if it is configured of a conductive material, it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layers 5-1, 5-2. And

さらに本実施形態のタッチパネルルは、上述したタッチパネルの変形例3を応用し、第1の電極層5-1から第2の電極層5-2までの構成を挟持する位置に、2つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。   Furthermore, the touch panel according to the present embodiment applies the above-described modification 3 of the touch panel, and has two high refractions at a position where the configuration from the first electrode layer 5-1 to the second electrode layer 5-2 is sandwiched. It can also be set as the structure which provided the rate layer.

≪7.第7実施形態:タッチパネル≫
(透明基板上に2パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成)
図18は、本発明の第7実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。図19は、タッチパネルの電極部分の拡大図である。図20は、第7実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図18および図19のB−B断面に相当する図である。尚、以下の説明において、図13に示したタッチパネルと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪7. Seventh Embodiment: Touch Panel >>
(Configuration in which connection electrodes are provided together with two patterns of transparent electrodes on a transparent substrate)
FIG. 18 is a schematic diagram showing a planar arrangement of electrode portions of the touch panel according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 19 is an enlarged view of the electrode portion of the touch panel. FIG. 20 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of the touch panel according to the seventh embodiment, and corresponds to a cross section taken along line BB in FIGS. 18 and 19. In the following description, the same components as those of the touch panel shown in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

これらの図に示すタッチパネル24は、透明基板11の同一平面上にx電極パターン5x1,5x2,…と、y電極パターン5y1,5y2,…とを有する電極層5を有する2層構造の透明電極1を設けた構成であり、さらにこの上部に層間絶縁膜73および接続電極75を設けた構成である。透明電極1、層間絶縁膜73、および接続電極75が設けられた上部が、接着剤15を介して前面板13で覆われた状態となっている。   The touch panel 24 shown in these drawings includes a transparent electrode 1 having a two-layer structure having an electrode layer 5 having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,. Further, an interlayer insulating film 73 and a connection electrode 75 are further provided on the upper portion. The upper portion where the transparent electrode 1, the interlayer insulating film 73, and the connection electrode 75 are provided is covered with the front plate 13 via the adhesive 15.

すなわちタッチパネル24は、透明基板11と、透明基板11の一主面上に設けられた透明電極1と、さらにこの上部に設けられた層間絶縁膜73および接続電極75を備えている。透明電極1は、図1を用いて説明した2層構造のタッチパネル用透明電極であり、透明基板11上に、窒素含有層3および電極層5をこの順に積層した構成となっている。このうち電極層5が、窒素含有層3上に互いに絶縁状態を保って設けられたx電極パターン5x1,5x2,…とy電極パターン5y1,5y2,…とを有するところが特徴的である。   That is, the touch panel 24 includes the transparent substrate 11, the transparent electrode 1 provided on one main surface of the transparent substrate 11, and the interlayer insulating film 73 and the connection electrode 75 provided on the upper portion. The transparent electrode 1 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. 1, and has a configuration in which a nitrogen-containing layer 3 and an electrode layer 5 are laminated in this order on a transparent substrate 11. Among these, the electrode layer 5 is characterized by having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,.

<透明基板11および窒素含有層3>
透明基板11および窒素含有層3は、それぞれ先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものである。また窒素含有層3は、一例として、透明基板11の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先の実施形態と同様に、電極層5と同一形状にパターニングされていても良い。
<Transparent substrate 11 and nitrogen-containing layer 3>
The transparent substrate 11 and the nitrogen-containing layer 3 are the same as those described in the previous transparent electrode for touch panel. The nitrogen-containing layer 3 is provided as an example so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11, but is patterned in the same shape as the electrode layer 5 as in the previous embodiment. May be.

<電極層5>
電極層5は、先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものであり、窒素含有層3上においてパターニングされた複数のx電極パターン5x1,5x2,…と、複数のy電極パターン5y1,5y2,…とを有して構成されている。
<Electrode layer 5>
The electrode layer 5 is the same as that described for the transparent electrode for a touch panel, and a plurality of x electrode patterns 5x1, 5x2,... Patterned on the nitrogen-containing layer 3 and a plurality of y electrode patterns 5y1, 5y2,...

各x電極パターン5x1,5x2,…は、それぞれがx方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各x電極パターン5x1,5x2,…は、例えばx方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてx方向に直線状に連結した形状であることとする。これらの各x電極パターン5x1,5x2,…は、全てが窒素含有層3に隣接して設けられている。   Each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other in a state of extending in the x direction. Each of these x electrode patterns 5x1, 5x2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus. These x electrode patterns 5x1, 5x2,... Are all provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3.

各y電極パターン5y1,5y2,…は、それぞれがx電極パターン5x1,5x2,…と直交するy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。ここで、窒素含有層3に隣接して設けられる各y電極パターン5y1,5y2,…は、y方向に配列された複数のパターンAで構成される。これらのパターンAは、全てが窒素含有層3に隣接して設けられている。   Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is arranged in parallel with a distance from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Here, each y electrode pattern 5y1, 5y2,... Provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3 is composed of a plurality of patterns A arranged in the y direction. All of these patterns A are provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3.

パターンAは、例えばひし形であり、x電極パターン5x1,5x2,…と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、x電極パターン5x1,5x2,…と、y電極パターン5y1,5y2,…を構成するパターンAとは、絶縁性が確保された状態となっている。またパターンAは、x電極パターン5x1,5x2,…と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板11の中央部の領域においては、x電極パターン5x1,5x2,…およびy電極パターン5y1,5y2,…を構成するパターンAが視認され難い構成となっている。   The pattern A is, for example, a rhombus, and is arranged with an interval enough to maintain an insulating state without overlapping with the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Thus, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the pattern A constituting the y electrode patterns 5y1, 5y2,. Further, the pattern A has a shape that occupies as large a range as possible within a range having an interval sufficient to maintain an insulating state with the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Thereby, in the area | region of the center part of the transparent substrate 11, the pattern A which comprises x electrode pattern 5x1, 5x2, ... and y electrode pattern 5y1, 5y2, ... becomes a structure difficult to visually recognize.

また各x電極パターン5x1,5x2,…および各y電極パターン5y1,5y2,…には、先の実施形態と同様に、それぞれの端部にx配線77xまたはy配線77yが接続されている。   .. And x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are connected to x wirings 77x or y wirings 77y at their respective ends as in the previous embodiment.

<層間絶縁膜73>
層間絶縁膜73は、ひし形の頂点付近を連結した形状の各x電極パターン5x1,5x2,…において、少なくともその連結した部分の上方を覆う形状にパターン形成されている。この層間絶縁膜73は、y電極パターン5y1,5y2,…のパターンAを露出させていれば、各x電極パターン5x1,5x2,…のひし形の部分を覆う状態で設けられていても良い。
<Interlayer insulating film 73>
The interlayer insulating film 73 is formed in a pattern so as to cover at least the upper portion of each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. As long as the pattern A of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is exposed, the interlayer insulating film 73 may be provided so as to cover the diamond-shaped portions of the x electrode patterns 5x1, 5x2,.

<接続電極75>
接続電極75は、層間絶縁膜73の上部にパターン形成されたものであり、y方向に配列された複数のパターンAを、そのひし形の頂点付近において接続させる状態で設けられて、複数のパターンAとこれらをy方向に連結する各接続電極75とでy電極パターン5y1,5y2,…が構成されている。
<Connection electrode 75>
The connection electrode 75 is formed in a pattern on the upper part of the interlayer insulating film 73. The connection electrode 75 is provided in a state in which a plurality of patterns A arranged in the y direction are connected in the vicinity of the apex of the rhombus. And the connection electrodes 75 linking these in the y direction form y electrode patterns 5y1, 5y2,.

この接続電極75は、x電極パターン5x1,5x2,…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜73がx電極パターン5x1,5x2,…のひし形のパターンを連結する部分を覆っており、接続電極75はx電極パターン5x1,5x2,…上に層間絶縁膜73を介して積層される。したがって、x電極パターン5x1,5x2,…とy電極パターン5y1,5y2,…との絶縁性が確保された状態となっている。   The connection electrode 75 is disposed at each position where the connection electrode 75 intersects a portion connecting the rhombus patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. In these intersecting portions, the interlayer insulating film 73 covers the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,..., And the connection electrode 75 is disposed on the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It is laminated through. Therefore, the insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,.

尚、接続電極75には、銀等の一般的な電極材料、またはITO等の光透過性を有する電極材料を用いればよく、タッチパネル24を介しての下地の表示画像の視認性の観点から、好ましくは光透過性を有する電極材料を用いる。   The connection electrode 75 may be a general electrode material such as silver, or an electrode material having optical transparency such as ITO. From the viewpoint of the visibility of the underlying display image via the touch panel 24, Preferably, an electrode material having optical transparency is used.

またここでは接続電極75が透明電極1の上層に設けられた例を先に説明したが、接続電極75は透明電極1の下層に設けられてもよい。この場合、接続電極75は、先の例と同様に、x電極パターン5x1,5x2,…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。そして、窒素含有層3に設けた接続孔を介して、接続電極75と、各y電極パターン5y1,5y2,…を構成するパターンAとが接続される。また、接続電極75とx電極パターン5x1,5x2,…のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも窒素含有層3が挟持されている。したがって、接続電極75が透明電極1の下層に設けられた例においても、先の例と同様に、x電極パターン5x1,5x2,…とy電極パターン5y1,5y2,…との絶縁性が確保された状態となっている。   Although the example in which the connection electrode 75 is provided in the upper layer of the transparent electrode 1 has been described here, the connection electrode 75 may be provided in the lower layer of the transparent electrode 1. In this case, as in the previous example, the connection electrode 75 is disposed at each position where the connection electrode 75 intersects the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. And the connection electrode 75 and the pattern A which comprises each y electrode pattern 5y1, 5y2, ... are connected through the connection hole provided in the nitrogen containing layer 3. FIG. Further, at least the nitrogen-containing layer 3 is sandwiched between the connection electrode 75 and the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Therefore, also in the example in which the connection electrode 75 is provided in the lower layer of the transparent electrode 1, insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It is in the state.

<タッチパネルの効果>
このような構成のタッチパネル24であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図13を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。
<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 24 having such a configuration, the transparent electrode for a touch panel, which is a thin film as described above, has sufficient light conductivity and sufficient conductivity, and suppresses light scattering. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル24は、先に説明したタッチパネルの変形例1〜3のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 24 having the above-described configuration can be combined with each of the first to third modifications of the touch panel described above, and the respective effects can be obtained by combining the touch panels.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図14に示したタッチパネルの変形例1と組み合わせた場合、図20に示すタッチパネル24における2層構造の透明電極1を、図8に示した3層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板11と窒素含有層3との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with Modification 1 of the touch panel shown in FIG. 14, the transparent electrode 1 having the two-layer structure in the touch panel 24 shown in FIG. 20 is replaced with the transparent having the three-layer structure shown in FIG. Replace with electrode. In this case, a high refractive index layer is provided between the transparent substrate 11 and the nitrogen-containing layer 3.

また本実施形態のタッチパネルを、図15に示したタッチパネルの変形例2と組み合わせた場合、図20に示すタッチパネル24における2層構造の透明電極1を、図9に示した4層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明電極を構成する2層の高屈折率層のうち、電極層5に隣接して設けられる高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることが好ましい。またこの場合、この高屈折率層は、電極層5とともに層間絶縁膜73および接続電極75を覆うものであってよく、接着剤15を兼ねても良い。さらにこの高屈折率層が導電性材料で構成されている場合であれば、隣接する電極層5と同一にパターニングされていることとする。   Further, when the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layer transparent electrode 1 in the touch panel 24 shown in FIG. 20 is replaced with the four-layer transparent electrode shown in FIG. Replace with In this case, of the two high refractive index layers constituting the transparent electrode, the high refractive index layer provided adjacent to the electrode layer 5 has good insulating properties among the materials shown as the above high refractive index materials. It is preferable to use a simple material. In this case, the high refractive index layer may cover the interlayer insulating film 73 and the connection electrode 75 together with the electrode layer 5, and may also serve as the adhesive 15. Furthermore, if this high refractive index layer is made of a conductive material, it is assumed that it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layer 5.

≪8.第8実施形態:表示装置≫
(タッチパネルを用いた構成)
図21は、本発明の第8実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。この図に示す表示装置31は、表示パネル33における表示面上に、タッチパネルを設けた情報入力機能付きの表示装置であり、タッチパネルとして先に説明した本発明のタッチパネルの何れかを用いたものである。ここでは、例えば図13に示したタッチパネル、すなわちタッチパネル21を用いたこととする。
≪8. Eighth Embodiment: Display Device >>
(Configuration using touch panel)
FIG. 21 is a perspective view showing a configuration of a display device according to the eighth embodiment of the present invention. The display device 31 shown in this figure is a display device with an information input function in which a touch panel is provided on the display surface of the display panel 33, and uses one of the touch panels of the present invention described above as the touch panel. is there. Here, for example, the touch panel shown in FIG. 13, that is, the touch panel 21 is used.

表示パネル33は、特に限定されるものではないが、例えば液晶表示パネルや有機電界発光素子を用いた表示パネルなどの平面型の表示パネルであったり、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイであっても良い。また表示パネル33は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであっても良い。   The display panel 33 is not particularly limited. For example, the display panel 33 may be a flat display panel such as a liquid crystal display panel or a display panel using an organic electroluminescent element, or a CRT (Cathode Ray Tube) display. good. The display panel 33 is not limited to a display panel that displays moving images, and may be a display panel for still images.

このような表示パネル33における画像の表示面上に、表示面を覆う状態でタッチパネル21が重ねて配置されている。またタッチパネル21と表示パネル33とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材35に収容されていても良く、このケース部材35にさらに透明板材からなる前面板が設けられていても良い。   The touch panel 21 is arranged on the image display surface of the display panel 33 so as to cover the display surface. Further, the touch panel 21 and the display panel 33 may be further accommodated in a frame-shaped case member 35 as necessary, and a front plate made of a transparent plate material may be further provided on the case member 35.

これにより、ユーザは、表示パネル33で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル21を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル21に入力することができる。   Thereby, the user can input the position information of the contact portion to the touch panel 21 by bringing a finger or a touch pen into contact with a part of the display image displayed on the display panel 33 via the touch panel 21. .

<表示装置の効果>
このような構成の表示装置31は、上述したタッチパネル21を用いたことにより、表示特性に優れると共に薄型化および大型化が可能である。
<Effect of display device>
By using the touch panel 21 described above, the display device 31 having such a configuration is excellent in display characteristics and can be reduced in thickness and size.

≪9.第9実施形態:製造装置≫
(タッチパネル用透明電極を作製するための装置)
図22は、本発明の第9実施形態に係る製造装置の構成を示す模式図である。この図に示す製造装置40は、先に説明したタッチパネル用透明電極(透明電極)の作製に好適に用いられる製造装置の一構成例である。ここでは一例として、図1を用いて説明した2層構造の透明電極の作製に用いられるものとして製造装置40の構成を説明する。
≪9. Ninth Embodiment: Manufacturing Apparatus >>
(Apparatus for producing transparent electrodes for touch panels)
FIG. 22 is a schematic diagram showing the configuration of the manufacturing apparatus according to the ninth embodiment of the present invention. The manufacturing apparatus 40 shown in this figure is a configuration example of a manufacturing apparatus suitably used for manufacturing the transparent electrode for a touch panel (transparent electrode) described above. Here, as an example, the configuration of the manufacturing apparatus 40 will be described as being used for manufacturing the transparent electrode having the two-layer structure described with reference to FIG.

図22に示す製造装置40は、透明基板11の一主面上に透明電極を作製する際に用いる成膜装置であり、成膜室41、透明基板11の保持部材43、第1供給源45a、および第2供給源45bを備えている。このうち特に、第1供給源45aと第2供給源45bとの配置状態が特徴的である。以下、これらの構成要素の詳細、およびこの製造装置で用いられる材料の詳細を説明する。   A manufacturing apparatus 40 shown in FIG. 22 is a film forming apparatus used when producing a transparent electrode on one main surface of the transparent substrate 11, and includes a film forming chamber 41, a holding member 43 for the transparent substrate 11, and a first supply source 45a. And a second supply source 45b. Of these, the arrangement of the first supply source 45a and the second supply source 45b is particularly characteristic. Hereinafter, details of these components and details of materials used in the manufacturing apparatus will be described.

<成膜室41>
成膜室41は、内部を減圧状態とすることが可能なもので、いわゆる真空槽(真空チャンバー)として構成されている。
<Deposition chamber 41>
The film forming chamber 41 can be in a reduced pressure state, and is configured as a so-called vacuum chamber (vacuum chamber).

<保持部材43>
保持部材43は、透明電極が作製される透明基板11を成膜室41内において一定状態に保持するためのものである。この保持部材43は、保持した透明基板11を、一方向に移動させるための移送手段としても構成されている。透明基板11を移動させる方向(移動方向x)は、透明基板11において透明電極が形成される一主面aの延設方向のうちの何れかの一方向であることとする。
<Holding member 43>
The holding member 43 is for holding the transparent substrate 11 on which the transparent electrode is manufactured in a constant state in the film forming chamber 41. The holding member 43 is also configured as a transfer means for moving the held transparent substrate 11 in one direction. The direction in which the transparent substrate 11 is moved (moving direction x) is any one of the extending directions of one main surface a where the transparent electrode is formed in the transparent substrate 11.

例えば図示したように、透明基板11がフレキシブルに屈曲する長尺状のものであり、2つのロール間で巻き取りおよび巻き出しされるものである場合、保持部材43としては、透明基板11を巻き取りまたは巻き出しする2つのロールが用いられる。また透明基板11が剛性を有していて屈曲しないものである場合、保持部材43としては、この透明基板11を成膜室41内で所定状態に支持しつつ、移動方向xに移送可能なものであることとする。   For example, as shown in the figure, when the transparent substrate 11 is a long one that flexibly bends and is wound and unwound between two rolls, the transparent member 11 is wound as the holding member 43. Two rolls are used that take up or unwind. When the transparent substrate 11 is rigid and does not bend, the holding member 43 can be transferred in the movement direction x while supporting the transparent substrate 11 in a predetermined state in the film forming chamber 41. Suppose that

このような保持部材43による透明基板11の移動方向xへの移送は、速度vで行われることとする。この速度vは、後述する第2供給源45bからの電極材料47bの供給によって、透明基板11の一主面a側に電極層5が膜厚12nm以下で成膜される速度であることとする。このような速度vは、例えば第2供給源45bからの電極材料47bの供給量、および一主面aに対する電極材料47bの供給領域Sbの大きさによって設定される。またこの速度vは、透明基板11と、後述する第1供給源45aおよび第2供給源45bとの相対的な移動速度でもある。   The transfer of the transparent substrate 11 in the moving direction x by the holding member 43 is performed at a speed v. The speed v is a speed at which the electrode layer 5 is formed with a film thickness of 12 nm or less on the one main surface a side of the transparent substrate 11 by supplying an electrode material 47b from a second supply source 45b described later. . Such a speed v is set by, for example, the supply amount of the electrode material 47b from the second supply source 45b and the size of the supply region Sb of the electrode material 47b with respect to the one main surface a. The speed v is also a relative moving speed between the transparent substrate 11 and a first supply source 45a and a second supply source 45b described later.

尚、この製造装置40を用いて、透明基板11上にパターニングされた透明電極1を作製する場合、この保持部材43によって移送される透明基板11の一主面a側にはマスクを対向配置させ、このマスクも透明基板11と同一方向に移送させる構成とする。   In the case where the transparent electrode 1 patterned on the transparent substrate 11 is produced using the manufacturing apparatus 40, a mask is disposed opposite to the main surface a of the transparent substrate 11 transferred by the holding member 43. The mask is also transferred in the same direction as the transparent substrate 11.

<第1供給源45a>
第1供給源45aは、保持部材43によって移送される透明基板11の一主面a側に配置され、透明基板11の一主面aに向かって化合物47aをガス状で供給するものである。この第1供給源45aは、成膜室41内に固定され、移動方向xとは垂直をなす透明基板11の幅方向にわたって設けられている。尚、この第1供給源45aから供給される化合物47aは、先の第1実施形態で説明した窒素含有層を構成する化合物である。
<First supply source 45a>
The first supply source 45 a is arranged on the one main surface a side of the transparent substrate 11 transferred by the holding member 43, and supplies the compound 47 a in a gaseous state toward the one main surface a of the transparent substrate 11. The first supply source 45a is fixed in the film forming chamber 41 and is provided across the width direction of the transparent substrate 11 perpendicular to the moving direction x. The compound 47a supplied from the first supply source 45a is a compound constituting the nitrogen-containing layer described in the first embodiment.

このような第1供給源45aは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した化合物47aを、加熱することによってガス状化して透明基板11の一主面aに向かって噴出させる構成である。このような第1供給源45aは、保持部材43によって移送される透明基板11の一主面a上に窒素含有層を成膜するためのものとして構成されている。
ここでは、第1供給源45aでガス状化した化合物47aが、透明基板11に供給される領域、すなわち透明基板11の一主面a上に付着する領域を供給領域Saとする。そして、移動する透明基板11の所定位置が供給領域Saに到達するときを窒素含有層3の成膜開始時とし、供給領域Saから取り出されるときを窒素含有層3の成膜終了時とする。
Such a first supply source 45a may be, for example, a so-called heating boat for vapor deposition film formation, and the compound 47a housed in the boat is gasified by heating to form one main surface a of the transparent substrate 11. It is the structure which spouts toward. Such a first supply source 45 a is configured to form a nitrogen-containing layer on one main surface “a” of the transparent substrate 11 transferred by the holding member 43.
Here, a region where the compound 47a gasified by the first supply source 45a is supplied to the transparent substrate 11, that is, a region where the compound 47a adheres on one main surface a of the transparent substrate 11 is defined as a supply region Sa. The time when the predetermined position of the moving transparent substrate 11 reaches the supply region Sa is defined as the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3, and the time when it is removed from the supply region Sa is defined as the end of film formation of the nitrogen-containing layer 3.

尚、窒素含有層を構成する化合物が複数である場合は、それぞれの化合物を供給する複数の第1供給源45aを用意し、これらの第1供給源45aを移動方向xに対して垂直な方向に配列し、各第1供給源45aからガス状化して噴出させた複数種類の化合物47aが、透明基板11の一主面a上における同一の供給領域Saに供給されるように、当該各第1供給源45aを配置する。   In addition, when there are a plurality of compounds constituting the nitrogen-containing layer, a plurality of first supply sources 45a for supplying the respective compounds are prepared, and these first supply sources 45a are arranged in a direction perpendicular to the moving direction x. The plurality of types of compounds 47a that are gasified from each first supply source 45a and ejected from each first supply source 45a are supplied to the same supply region Sa on the one main surface a of the transparent substrate 11. 1 supply source 45a is arranged.

<第2供給源45b>
第2供給源45bは、保持部材43によって移送される透明基板11の一主面a側に配置され、透明基板11の一主面aに向かって銀を主成分とする電極材料47bをガス状で供給するものである。この第2供給源45bは、成膜室41内に固定され、移動方向xとは垂直をなす透明基板11の幅方向にわたって設けられている。尚、この第2供給源45bから供給される電極材料47bは、先の第1実施形態で説明した電極層を構成する材料であって、主には銀(Ag)である。
<Second supply source 45b>
The second supply source 45b is disposed on the one main surface a side of the transparent substrate 11 transferred by the holding member 43, and the electrode material 47b mainly composed of silver is gaseous toward the one main surface a of the transparent substrate 11. Is supplied by The second supply source 45b is fixed in the film forming chamber 41 and is provided across the width direction of the transparent substrate 11 perpendicular to the moving direction x. The electrode material 47b supplied from the second supply source 45b is a material constituting the electrode layer described in the first embodiment, and is mainly silver (Ag).

このような第2供給源45bは、例えば蒸着成膜用のいわゆる加熱ボートであって良く、ボート内部に収納した電極材料47bを、加熱することによってガス状化し、透明基板11の一主面aに向かって噴出させる構成である。このような第2供給源45bは、保持部材43によって移送される透明基板11の一主面a上に、銀を主成分とする電極層を成膜するためのものとして構成されている。ここでは、第2供給源45bでガス状化した電極材料47bが、透明基板11に供給される領域、すなわち透明基板11の一主面a上に付着する領域を供給領域Sbとする。そして、移動する透明基板11の所定位置が供給領域Sbに到達するときを窒素含有層3の成膜開始時とする。   Such a second supply source 45b may be, for example, a so-called heating boat for vapor deposition film formation. The electrode material 47b accommodated in the boat is gasified by heating, and the one main surface a of the transparent substrate 11 is a. It is the structure which spouts toward. Such a second supply source 45 b is configured to form an electrode layer containing silver as a main component on one main surface a of the transparent substrate 11 transferred by the holding member 43. Here, a region where the electrode material 47b gasified by the second supply source 45b is supplied to the transparent substrate 11, that is, a region where the electrode material 47b adheres on one main surface a of the transparent substrate 11 is defined as a supply region Sb. The time when the predetermined position of the moving transparent substrate 11 reaches the supply region Sb is set as the start of film formation of the nitrogen-containing layer 3.

以上の第2供給源45bは、第1供給源45aよりも透明基板11の移動方向xの下流側に配置されている。そしてこの第2供給源45bが、第1供給源45aとの間に所定の間隔dで配置されているところが特徴的である。この間隔dは、移動する透明基板11の所定位置に対して、第1供給源45aによる窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間、好ましくは1分までの間に、第2供給源45bによる電極層の成膜が開始される大きさに設定されている。ここでは、窒素含有層の成膜終了後2分までの間(好ましくは1分までの間)に、電極層の成膜が開始されるように、間隔dが設定されていることとする。   The second supply source 45b described above is disposed downstream of the first supply source 45a in the moving direction x of the transparent substrate 11. It is characteristic that the second supply source 45b is arranged at a predetermined distance d between the second supply source 45b and the first supply source 45a. This interval d is between a predetermined position of the moving transparent substrate 11 after the start of film formation of the nitrogen-containing layer by the first supply source 45a and until 2 minutes after the film formation is completed, preferably within 1 minute. The second supply source 45b is set to a size at which film formation of the electrode layer is started. Here, it is assumed that the interval d is set so that the film formation of the electrode layer is started up to 2 minutes (preferably up to 1 minute) after the film formation of the nitrogen-containing layer.

このような間隔dは、次のように表される。すなわち、透明基板11の移動方向xへの移動の速度v、第1供給源45aから透明基板11の一主面aへの化合物47aの供給領域Sa、第2供給源45bから透明基板11の一主面aへの電極材料47bの供給領域Sb、これらの移動方向xの間隔d1とする。この場合、d1≦v×2分(好ましくはd1≦v×1分)となる範囲で、第1供給源45aと第2供給源45bとの移動方向xにおける間隔dが設定される。   Such an interval d is expressed as follows. That is, the speed v of the movement of the transparent substrate 11 in the movement direction x, the supply region Sa of the compound 47a from the first supply source 45a to one main surface a of the transparent substrate 11, and the one of the transparent substrate 11 from the second supply source 45b. A supply region Sb of the electrode material 47b to the main surface a and a distance d1 in the moving direction x are set. In this case, the distance d in the moving direction x between the first supply source 45a and the second supply source 45b is set within a range of d1 ≦ v × 2 minutes (preferably d1 ≦ v × 1 minutes).

尚、電極層を構成する電極材料が、銀(Ag)以外の材料を含む複数である場合は、それぞれの電極材料を供給する複数の第2供給源45bを用意し、これらの第2供給源45bを移動方向xに対して垂直な方向に配列し、各第2供給源45bからガス状化して噴出させた複数種類の電極材料47bが、透明基板11の一主面aにおける同一の供給領域Sbに供給されるように、各第2供給源45bを配置する。   In addition, when the electrode material which comprises an electrode layer is a plurality containing materials other than silver (Ag), the several 2nd supply source 45b which supplies each electrode material is prepared, These 2nd supply sources 45b are arranged in a direction perpendicular to the moving direction x, and a plurality of types of electrode materials 47b which are gasified and ejected from each second supply source 45b are the same supply region on one main surface a of the transparent substrate 11. Each 2nd supply source 45b is arrange | positioned so that it may be supplied to Sb.

以上のような製造装置40を用いることにより、透明基板11の一主面a側に、窒素含有層を成膜し、この窒素含有層に隣接させて、この窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、銀を主成分とした電極層を12nm以下の膜厚で成膜することができる。   By using the manufacturing apparatus 40 as described above, a nitrogen-containing layer is formed on the one main surface a side of the transparent substrate 11, and the nitrogen-containing layer is adjacent to the nitrogen-containing layer, after the start of film formation of the nitrogen-containing layer Within 2 minutes after the film formation is completed, an electrode layer mainly composed of silver can be formed with a film thickness of 12 nm or less.

≪9-1.製造装置の変形例1≫
図23は、上述した本発明の製造装置の変形例1を説明するための模式図である。図23に示すように、この製造装置40aは、成膜室41内に隔壁49を設けた構成であり、他の構成については図22に示した製造装置の構成と同様である。
≪9-1. Modification 1 of manufacturing apparatus >>
FIG. 23 is a schematic diagram for explaining a first modification of the manufacturing apparatus of the present invention described above. As shown in FIG. 23, the manufacturing apparatus 40a has a configuration in which a partition wall 49 is provided in the film forming chamber 41, and the other configuration is the same as the configuration of the manufacturing apparatus shown in FIG.

隔壁49は、第1供給源45aと第2供給源45bとの間において、第1供給源45aからの化合物47aの供給領域Saと、第2供給源45bからの電極材料47bの供給領域Sbとを分離する位置に設けられている。またこの隔壁49は、保持部材43による透明基板11の移送を妨げることのない状態で設けられている。   The partition wall 49 includes a supply region Sa of the compound 47a from the first supply source 45a and a supply region Sb of the electrode material 47b from the second supply source 45b between the first supply source 45a and the second supply source 45b. Is provided at a position for separating. The partition wall 49 is provided in a state that does not hinder the transfer of the transparent substrate 11 by the holding member 43.

このような変形例1の製造装置40aでは、隔壁49を設けたことにより、第1供給源45aからの化合物47aおよび第2供給源45bからの電極材料47bが、成膜室41の内壁各部に相互に付着することが防止され、成膜室41内のクロス・コンタミネーションを防止することができる。この結果、膜質の良好な窒素含有層および電極層を成膜することで、性能が確保された透明電極を作製することが可能になる。   In the manufacturing apparatus 40a of Modification 1 as described above, by providing the partition wall 49, the compound 47a from the first supply source 45a and the electrode material 47b from the second supply source 45b are applied to each part of the inner wall of the film forming chamber 41. Adhesion to each other is prevented, and cross-contamination in the film formation chamber 41 can be prevented. As a result, by forming a nitrogen-containing layer and an electrode layer with good film quality, it becomes possible to produce a transparent electrode with ensured performance.

≪9-2.製造装置の変形例2≫
図24は、上述した本発明の製造装置の変形例2を説明するための模式図である。図24に示すように、この製造装置40bは、化合物47aの供給領域Saと電極材料47bの供給領域Sbとが一部で重なるように、第1供給源45aおよび第2供給源45bを配置した構成である。他の構成については図22に示した製造装置の構成と同様である。
≪9-2. Modification 2 of manufacturing apparatus >>
FIG. 24 is a schematic diagram for explaining a second modification of the manufacturing apparatus of the present invention described above. As shown in FIG. 24, in the manufacturing apparatus 40b, the first supply source 45a and the second supply source 45b are arranged so that the supply region Sa of the compound 47a and the supply region Sb of the electrode material 47b partially overlap each other. It is a configuration. Other configurations are the same as those of the manufacturing apparatus shown in FIG.

この場合、図22に示した製造装置と同様に、第1供給源45aと第2供給源45bの間隔dは、移動する透明基板11の所定位置に対して、第1供給源45aによる窒素含有層3の成膜開始後から成膜終了までの間に、第2供給源45bによる電極層5の成膜が開始されるように設定されている。尚、変形例2における電極層5の成膜開始時は、移動する透明基板11の所定位置において、供給領域Saと供給領域Sbとが重なる領域のうち、電極材料47bが透明基板11の一主面a上に付着するときとする。   In this case, as in the manufacturing apparatus shown in FIG. 22, the distance d between the first supply source 45a and the second supply source 45b is such that the nitrogen content by the first supply source 45a is relative to a predetermined position of the moving transparent substrate 11. It is set so that the film formation of the electrode layer 5 by the second supply source 45b is started after the film formation of the layer 3 is started until the film formation is completed. Note that, when the electrode layer 5 is started to be formed in the modified example 2, the electrode material 47b is a main part of the transparent substrate 11 in a region where the supply region Sa and the supply region Sb overlap at a predetermined position of the moving transparent substrate 11. Suppose that it adheres on the surface a.

しかしながら、透明基板11の移動方向xにおける供給領域Saと供給領域Sbとの間隔d1は、|d1|≦v×2分(好ましくはd1≦v×1分)となる範囲で、かつd1<0となるようにする。ただし、間隔d1の絶対値は、電極材料47bの供給領域Sbを超えることなく、移動方向xにおいて|d1|<Sbであることとする。尚、この場合(d1<0)、移動方向xにおいて|d1|<Saでもある。これにより化合物47aの供給による窒素含有層の成膜が開始された後に、電極材料47bの供給による電極層の成膜が開始される構成となっている。   However, the distance d1 between the supply area Sa and the supply area Sb in the moving direction x of the transparent substrate 11 is in a range where | d1 | ≦ v × 2 minutes (preferably d1 ≦ v × 1 minutes), and d1 <0. To be. However, the absolute value of the interval d1 is | d1 | <Sb in the movement direction x without exceeding the supply region Sb of the electrode material 47b. In this case (d1 <0), | d1 | <Sa is also true in the movement direction x. Thereby, after the film formation of the nitrogen-containing layer by the supply of the compound 47a is started, the film formation of the electrode layer by the supply of the electrode material 47b is started.

ここで、化合物47aの供給領域Saと電極材料47bの供給領域Sbとが一部で重なるようにすることで、化合物47aの供給によって成膜される窒素含有層と、電極材料47bの供給によって成膜される電極層との間に、化合物47aと電極材料47bとの混合領域が成膜されることになる。電極層は、混合領域と電極材料47bのみの領域とで構成された層であることとし、シート抵抗の測定が可能な層である。このため、電極材料47bの供給領域Sbに対する間隔d1の大きさは、電極材料47bのみによって成膜される電極層の膜厚が、12nmよりも小さい範囲で、シート抵抗の測定が可能な膜厚(例えば2nm)以上となるように設定されることとする。   Here, the supply region Sa of the compound 47a and the supply region Sb of the electrode material 47b partially overlap each other, thereby forming a nitrogen-containing layer formed by the supply of the compound 47a and the supply of the electrode material 47b. A mixed region of the compound 47a and the electrode material 47b is formed between the electrode layers to be formed. The electrode layer is a layer composed of a mixed region and a region of only the electrode material 47b, and is a layer capable of measuring sheet resistance. For this reason, the size of the distance d1 with respect to the supply region Sb of the electrode material 47b is such that the film resistance of the electrode layer formed only by the electrode material 47b is less than 12 nm so that the sheet resistance can be measured. It shall be set so that it may become (for example, 2 nm) or more.

このような変形例2の製造装置40bでは、上述したように化合物47aで構成された窒素含有層と、電極材料47bで構成された電極層との間に、化合物47aと電極材料47bとを混合した共蒸着層を成膜することが可能になる。これにより、第9実施形態と同様の効果の他に、窒素含有層と電極層との密着性の良好な透明電極を作製することが可能になる。   In the manufacturing apparatus 40b of Modification 2 as described above, the compound 47a and the electrode material 47b are mixed between the nitrogen-containing layer composed of the compound 47a and the electrode layer composed of the electrode material 47b as described above. It becomes possible to form the co-deposited layer. This makes it possible to produce a transparent electrode with good adhesion between the nitrogen-containing layer and the electrode layer, in addition to the same effects as those of the ninth embodiment.

≪9-3.製造装置の変形例3≫
図25は、上述した本発明の製造装置の変形例3を説明するための模式図である。図25に示すように、この製造装置40cは、透明基板11の保持部材51が円筒形の回転ドラムとして構成され、この外周に沿って第1供給源45aおよび第2供給源45bを配置したところにある。他の構成は図22に示した製造装置の構成と同様である。
≪9-3. Modification 3 of manufacturing apparatus >>
FIG. 25 is a schematic diagram for explaining a third modification of the manufacturing apparatus of the present invention described above. As shown in FIG. 25, in the manufacturing apparatus 40c, the holding member 51 of the transparent substrate 11 is configured as a cylindrical rotating drum, and the first supply source 45a and the second supply source 45b are arranged along the outer periphery. It is in. Other configurations are the same as those of the manufacturing apparatus shown in FIG.

すなわち保持部材51は、円筒形の回転ドラムであって、その側周の一部に透明基板11を巻き付ける状態で保持するものである。この保持部材51に巻き付けられた透明基板11は、保持部材51の回転に伴って円筒形の側周に沿って移動するため、円周方向が移動方向xとなる。このような保持部材51は、例えば、フレキシブルに屈曲する長尺状の透明基板11を巻き出しおよび巻き取りする2つのロール間に配置される。そして、ロールによる透明基板11の巻き取りが駆動源となり、一方のロールから巻き出された透明基板11が、保持部材51の側周に沿って移動し、他方のロールに巻き取られる構成となっている。   That is, the holding member 51 is a cylindrical rotary drum, and holds the transparent substrate 11 in a state of being wound around a part of the side periphery. Since the transparent substrate 11 wound around the holding member 51 moves along the cylindrical side periphery as the holding member 51 rotates, the circumferential direction becomes the moving direction x. Such a holding member 51 is disposed, for example, between two rolls for unwinding and winding the long transparent substrate 11 that is flexibly bent. The winding of the transparent substrate 11 by the roll serves as a driving source, and the transparent substrate 11 unwound from one roll moves along the side periphery of the holding member 51 and is wound around the other roll. ing.

このような透明基板11の移動方向xへの移送が速度vで行われることは、他の実施形態と同様である。またこの速度vは、透明基板11と、第1供給源45aおよび第2供給源45bとの相対的な移動速度でもある。   The transfer of the transparent substrate 11 in the moving direction x is performed at the speed v as in the other embodiments. The speed v is also a relative moving speed between the transparent substrate 11 and the first supply source 45a and the second supply source 45b.

第1供給源45aと第2供給源45bとは、保持部材51の側周に沿った外周部分に、保持部材51と同心円の円周に沿って配置されている。これらの第1供給源45aおよび第2供給源45bは、保持部材51に保持された透明基板11の移動方向xに沿って配置されている。   The first supply source 45 a and the second supply source 45 b are disposed along the circumference concentric with the holding member 51 in the outer peripheral portion along the side circumference of the holding member 51. The first supply source 45 a and the second supply source 45 b are arranged along the moving direction x of the transparent substrate 11 held by the holding member 51.

透明基板11の移動方向xに対する第1供給源45aおよび第2供給源45bの配置状態は、他の実施形態と同様である。すなわち、第1供給源45aと第2供給源45bの間隔dは、移動する透明基板11の所定位置に対して、第1供給源45aからの化合物47aの供給による窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間、好ましくは1分までの間に、第2供給源45bからの電極材料47bの供給による電極層の成膜が開始されるように設定されている。そして、化合物47aの供給領域Saと電極材料47bの供給領域Sbとの間隔d1が、d1≦v×2分(好ましくはd1≦v×1分)となっている。   The arrangement state of the first supply source 45a and the second supply source 45b with respect to the moving direction x of the transparent substrate 11 is the same as in the other embodiments. That is, the distance d between the first supply source 45a and the second supply source 45b is set to a predetermined position on the moving transparent substrate 11 after the start of film formation of the nitrogen-containing layer by supplying the compound 47a from the first supply source 45a. Is set to start film formation of the electrode layer by supplying the electrode material 47b from the second supply source 45b within a period of 2 minutes after the film formation is completed, preferably 1 minute. The distance d1 between the supply region Sa of the compound 47a and the supply region Sb of the electrode material 47b is d1 ≦ v × 2 minutes (preferably d1 ≦ v × 1 minutes).

またここでの図示は省略したが、以上の保持部材51および第1供給源45aおよび第2供給源45bは、真空槽として構成された成膜室内に配置されていることとする。   Although illustration is omitted here, it is assumed that the holding member 51, the first supply source 45a, and the second supply source 45b are arranged in a film forming chamber configured as a vacuum chamber.

このような変形例3の製造装置40cであっても、化合物47aで構成された窒素含有層に隣接させて、この窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、銀を主成分とした電極材料47bで構成された電極層を12nm以下の膜厚で成膜することができる。   Even in the manufacturing apparatus 40c of Modification 3 like this, adjacent to the nitrogen-containing layer composed of the compound 47a, between the start of film formation of this nitrogen-containing layer and 2 minutes after the end of film formation, An electrode layer composed of an electrode material 47b mainly composed of silver can be formed with a film thickness of 12 nm or less.

尚、この変形例3の製造装置40cは、図23又は24に示した変形例1または変形例2と組み合わせた構成とすることができる。これにより各変形例で得られる効果を合わせて得ることが可能なる。   In addition, the manufacturing apparatus 40c of this modification 3 can be set as the structure combined with the modification 1 or the modification 2 shown in FIG. Thereby, it is possible to obtain the effects obtained in the respective modifications together.

尚、以上で説明した第9実施形態および変形例1〜3の製造装置では、保持部材によって透明基板11を所定の移動方向xに移送することにより、透明基板11と各供給源とを相対的に移動させる構成を説明した。しかしながら、透明基板11と各供給源との相対的な移動は、固定された透明基板11に対して、各供給源を移動させる構成であっても良い。このような構成であっても、各供給源に対して相対的に移動する透明基板11に対しての各供給源の配置状態を、上述した各実施形態および変形例と同様にすることで、第9実施形態および変形例1〜3の製造装置と同様に透明電極を形成することができる。   In the manufacturing apparatus according to the ninth embodiment and the first to third modifications described above, the transparent substrate 11 and each supply source are relatively moved by transferring the transparent substrate 11 in the predetermined movement direction x by the holding member. The configuration to be moved to has been described. However, the relative movement between the transparent substrate 11 and each supply source may be a configuration in which each supply source is moved with respect to the fixed transparent substrate 11. Even in such a configuration, the arrangement state of each supply source with respect to the transparent substrate 11 that moves relative to each supply source is the same as in each of the above-described embodiments and modifications. A transparent electrode can be formed similarly to the manufacturing apparatus of 9th Embodiment and the modifications 1-3.

また以上で説明した各構成の製造装置は、図1を用いて説明した第1実施形態の透明電極(2層構造)を製造するために用いる製造装置の一例であるが、他の実施形態で説明した透明電極の製造にも適用できる。例えば図8を用いて説明した第2実施形態の透明電極(3層構造)の製造に、各構成の製造装置を適用する場合であれば、第1供給源45aに対して透明基板11を移動させる方向(移動方向x)とは逆側に、高屈折率層を形成するための材料の供給源を追加すれば良い。また図9を用いて説明した第3実施形態の透明電極(4層構造)の製造に、各構成の製造装置を適用する場合であれば、第1供給源45aと第2供給源45bとを挟む2つの位置に、高屈折率層を形成するための材料の供給源を追加すれば良い。   Moreover, although the manufacturing apparatus of each structure demonstrated above is an example of the manufacturing apparatus used in order to manufacture the transparent electrode (2 layer structure) of 1st Embodiment demonstrated using FIG. 1, in other embodiment, it is. It can also be applied to the production of the transparent electrode described. For example, if the manufacturing apparatus of each configuration is applied to manufacture of the transparent electrode (three-layer structure) of the second embodiment described with reference to FIG. 8, the transparent substrate 11 is moved with respect to the first supply source 45a. What is necessary is just to add the supply source of the material for forming a high refractive index layer on the opposite side to the direction (movement direction x) to make. If the manufacturing apparatus of each configuration is applied to the manufacture of the transparent electrode (four-layer structure) of the third embodiment described with reference to FIG. 9, the first supply source 45a and the second supply source 45b are provided. What is necessary is just to add the supply source of the material for forming a high refractive index layer in two positions to pinch | interpose.

このような図1、8、及び10に示した透明電極を製造する場合であっても、各供給源の間の配置関係には、第9実施形態および変形例1〜3の製造装置を適用することができる。   Even in the case of manufacturing the transparent electrode shown in FIGS. 1, 8, and 10, the manufacturing apparatus according to the ninth embodiment and the first to third modifications is applied to the arrangement relationship between the supply sources. can do.

≪タッチパネル用透明電極の作製≫
ここでは、試料1〜20の各タッチパネル用透明電極(以下、透明電極と称する)を、導電性領域の面積が5cm×5cmとなるように透明基板上に作製した。透明基板としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板を用意した。以降の表2には、試料1〜20の各透明電極における各層の構成を示した。以下に、試料1〜20の各透明電極の作製手順を説明する。
≪Preparation of transparent electrode for touch panel≫
Here, the transparent electrodes for touch panels (hereinafter referred to as transparent electrodes) of Samples 1 to 20 were produced on a transparent substrate so that the area of the conductive region was 5 cm × 5 cm. As the transparent substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate was prepared. Table 2 below shows the configuration of each layer in each transparent electrode of Samples 1-20. Below, the preparation procedure of each transparent electrode of samples 1-20 is demonstrated.

<試料1の透明電極の作製>
透明基板の一主面上に、ITO膜(膜厚100nm)をスパッタ法によって形成した。これにより、ITO膜を電極層とした単層構造の透明電極を作製した。
<Preparation of transparent electrode of sample 1>
An ITO film (film thickness 100 nm) was formed on one main surface of the transparent substrate by sputtering. Thereby, a transparent electrode having a single layer structure using an ITO film as an electrode layer was produced.

<試料2〜4の透明電極の作製>
試料2〜4のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、銀ナノワイヤーを用いた電極層を塗布法によって形成した。これにより銀ナノワイヤーを用いた電極層のみの単層構造の透明電極を作製した。この際、透明基板上に銀ナノワイヤーの分散液を塗布し、その後乾燥処理した後の膜厚が、試料2では50nm、試料3では100nm、試料4では150nmとなるように銀ナノワイヤー分散液の塗布膜厚を調整した。
<Preparation of transparent electrodes of samples 2 to 4>
In each of Samples 2 to 4, an electrode layer using silver nanowires was formed on one main surface of the transparent substrate by a coating method. Thus, a transparent electrode having a single-layer structure using only silver nanowires and having only an electrode layer was produced. At this time, the silver nanowire dispersion liquid is applied so that the film thickness after applying the silver nanowire dispersion liquid on the transparent substrate and then drying is 50 nm for sample 2, 100 nm for sample 3, and 150 nm for sample 4. The coating film thickness of was adjusted.

<試料5〜19の透明電極の作製>
試料5〜19のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、下記表2に示すように、各化合物で構成された窒素含有層と、この上部の銀を用いた電極層との積層構造の透明電極を作製した。
<Preparation of transparent electrodes of samples 5 to 19>
In each of Samples 5 to 19, on one main surface of the transparent substrate, as shown in Table 2 below, a layered structure of a nitrogen-containing layer composed of each compound and an electrode layer using silver on the top is provided. A transparent electrode was produced.

試料5〜7の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物IIIで示した、窒素を含有する下記化合物10を用いた。この化合物10は一般式(2)に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 5 to 7, the following compound 10 containing nitrogen, which was shown as the compound III above, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound 10 is a compound included in the general formula (2).

試料8〜10の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物IIIで示した、窒素を含有する下記化合物94を用いた。この化合物94は一般式(1a)に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 8 to 10, the following compound 94 containing nitrogen, which was shown as the compound III above, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound 94 is a compound included in the general formula (1a).

試料11〜13の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物IIIで示した、窒素を含有する下記化合物99を用いた。   In the production of the transparent electrodes of Samples 11 to 13, the following compound 99 containing nitrogen, which was shown as the compound III above, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer.

試料14〜16の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物Iで示した、窒素を含有する下記化合物No.48を用いた。この化合物No.48は一般式(1a-1)、(7)、(8a)に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 14 to 16, the following compound No. 48 containing nitrogen, which was shown as the above compound I, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound No. 48 is a compound contained in the general formulas (1a-1), (7), and (8a).

試料17〜19の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物Iで示した、窒素を含有する下記化合物No.46を用いた。この化合物No.46は一般式(1a-1)に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 17 to 19, the following compound No. 46 containing nitrogen, which was shown as the above compound I, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound No. 46 is a compound contained in the general formula (1a-1).

これらの試料5〜19の透明電極の作製手順は、次のようである。先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、各透明電極の作製において、上記各化合物をそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽内に取り付けた。さらにタングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽内に取り付けた。   The procedure for producing the transparent electrodes of Samples 5 to 19 is as follows. First, the transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Moreover, in preparation of each transparent electrode, each said compound was put into the resistance heating boat made from a tantalum, respectively. These substrate holders and a heating boat were mounted in the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Furthermore, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber of a vacuum evaporation system.

この状態で、先ず、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、成膜速度0.3nm/秒で、透明基板上に膜厚25nmの各化合物で構成された窒素含有層を設けた。In this state, first, the first vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then heated by energizing a heating boat containing each compound, and deposited on a transparent substrate at a film formation rate of 0.3 nm / second. A nitrogen-containing layer composed of each compound having a film thickness of 25 nm was provided.

その後、窒素含有層上に電極層を形成した。この際、先の窒素含有層の成膜を終了した時点から電極層の成膜を開始する時点までの間隔を成膜間隔とする。
そして、この成膜間隔が下記表2に示した各成膜間隔(1分、2分、または10分)となるように、窒素含有層まで成膜した透明基板を第1真空槽から第2真空槽に移し、電極層の成膜を行った。この第2真空槽は、透明基板を移し入れる前に、あらかじめ槽内を4×10-4Paまで減圧し、さらに銀の入った加熱ボートの加熱を済ませた状態に準備しておいた。第2真空槽内においては、成膜速度0.02nm/秒で、下記表2に示すように各膜厚(8nmまたは12nm)の銀で構成された電極層を成膜した。
Thereafter, an electrode layer was formed on the nitrogen-containing layer. At this time, an interval from the time when the film formation of the previous nitrogen-containing layer is completed to the time when the electrode layer is formed is defined as a film formation interval.
Then, the transparent substrate on which the nitrogen-containing layer is formed is transferred from the first vacuum chamber to the second so that the film formation interval becomes each film formation interval (1 minute, 2 minutes, or 10 minutes) shown in Table 2 below. It moved to the vacuum chamber and formed the electrode layer into a film. This second vacuum tank was prepared in a state where the pressure in the tank was reduced to 4 × 10 −4 Pa in advance and the heating boat containing silver was further heated before the transparent substrate was transferred. In the second vacuum chamber, an electrode layer made of silver with each film thickness (8 nm or 12 nm) was formed at a film formation rate of 0.02 nm / second as shown in Table 2 below.

以上により、窒素含有層とこの上部の電極層との積層構造からなる試料5〜19の各透明電極を得た。   Thus, transparent electrodes of Samples 5 to 19 each having a laminated structure of the nitrogen-containing layer and the upper electrode layer were obtained.

<試料20の透明電極の作製>
試料20の透明電極の作製において、透明基板の一主面上に、下記表2に示すように、2つの高屈折率層を有する4層構造の透明電極を作製した。
<Preparation of Transparent Electrode of Sample 20>
In the production of the transparent electrode of Sample 20, a transparent electrode having a four-layer structure having two high refractive index layers was produced on one main surface of the transparent substrate as shown in Table 2 below.

透明基板の一主面上に、酸化ニオブ(Nb)からなる高屈折率層を膜厚0.1nmで形成し、化合物94を用いた窒素含有層を25nmの膜厚で蒸着法によって形成した。これに続けて銀(Ag)からなる電極層を12nmの膜厚で蒸着法によって形成し、さらに酸化ニオブ(Nb)からなる高屈折率層を膜厚30nmで形成した。これにより、高屈折率層、窒素含有層、電極層、および高屈折率層の4層構造の透明電極を作製した。A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is formed with a film thickness of 0.1 nm on one main surface of the transparent substrate, and a nitrogen-containing layer using the compound 94 is formed with a film thickness of 25 nm by vapor deposition. Formed. Subsequently, an electrode layer made of silver (Ag) was formed to a thickness of 12 nm by a vapor deposition method, and a high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed to a thickness of 30 nm. Thus, a transparent electrode having a four-layer structure including a high refractive index layer, a nitrogen-containing layer, an electrode layer, and a high refractive index layer was produced.

この際、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基板ホルダーに固定し、酸化ニオブ(Nb)を銅製の加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、化合物94をタンタル製の抵抗加熱ボートに入れ、真空蒸着装置の第1真空槽内に取り付けた。さらにタングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽内に取り付けた。At this time, the transparent substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is placed in a copper heating boat, and these substrate holder and the heating boat are connected to a vacuum of the electron beam evaporation apparatus. It attached to the vacuum chamber of the vapor deposition apparatus. Moreover, the compound 94 was put into the resistance heating boat made from tantalum, and was attached in the 1st vacuum chamber of a vacuum evaporation system. Furthermore, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber of a vacuum evaporation system.

次いで、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、酸化ニオブ(Nb)の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明基板上に膜厚30nmの酸化ニオブ(Nb)からなる高屈折率層を設けた。Next, after reducing the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is irradiated with an electron beam and heated, and the deposition rate is 0.1 nm / A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate in seconds.

次いで、高屈折率層まで成膜した透明基板を真空のまま真空蒸着装置の第1真空槽に移し、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、化合物の入った加熱ボートに通電して加熱した。これにより、高屈折率層上に、蒸着速度0.3nm/秒で膜厚25nmの化合物94で構成された窒素含有層を設けた。Next, the transparent substrate formed up to the high refractive index layer is transferred to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus while being vacuumed, and the first vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then placed on a heating boat containing the compound. Heated with electricity. Thus, a nitrogen-containing layer composed of the compound 94 having a film thickness of 25 nm at a deposition rate of 0.3 nm / second was provided on the high refractive index layer.

次に、窒素含有層まで成膜した透明基板11を真空のまま第2真空槽に移し、成膜間隔1分で銀からなる電極層を形成した。この際、この第2真空槽は、透明基板を移し入れる前に、あらかじめ槽内を4×10-4Paまで減圧し、さらに銀の入った加熱ボートの加熱を済ませた状態に準備しておいた。そして、成膜速度0.02nm/秒で、膜厚12nmの銀で構成された電極層を成膜した。Next, the transparent substrate 11 formed up to the nitrogen-containing layer was transferred to the second vacuum chamber while maintaining a vacuum, and an electrode layer made of silver was formed at a deposition interval of 1 minute. At this time, this second vacuum tank is prepared in a state where the pressure in the tank is reduced to 4 × 10 −4 Pa in advance and the heating boat containing silver is further heated before transferring the transparent substrate. It was. Then, an electrode layer made of silver having a film thickness of 12 nm was formed at a film formation rate of 0.02 nm / second.

その後再び、電極層まで成膜した透明基板を真空のまま電子ビーム蒸着装置の真空槽に移し、真空槽内を4×10-4Paまで減圧した後、酸化ニオブ(Nb)の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明基板上に膜厚30nmの酸化ニオブ(Nb)からなる高屈折率層を設けた。これにより、高屈折率層と、窒素含有層と、銀を用いた電極層と、高屈折率層とを、この順に積層した試料20の透明電極を作製した。After that, again, the transparent substrate formed up to the electrode layer was transferred to the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus while being vacuumed, the inside of the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was contained. The heated boat was heated by irradiation with an electron beam, and a high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second. Thereby, the transparent electrode of the sample 20 which laminated | stacked the high refractive index layer, the nitrogen containing layer, the electrode layer using silver, and the high refractive index layer in this order was produced.

<実施例1の各試料の評価>
上記で作製した試料1〜20の各透明電極について、シート抵抗(面抵抗)、および文字の視認性を評価した。シート抵抗の測定は、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、4端子4探針法定電流印加方式で行った。文字の視認性は、文字を表した画像の上部に透明電極が形成された透明基板を重ね合わせ、これらを介しての文字の見えやすさを5段階評価した。5段階評価は、透明電極の電極面に対する法線方向を0°とし0°と45°の2つの角度から行い、これを平均した。これらの評価結果を下記表2に合わせて示す。
<Evaluation of each sample of Example 1>
About each transparent electrode of the samples 1-20 produced above, sheet resistance (surface resistance) and the visibility of a character were evaluated. The sheet resistance was measured using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) by a four-terminal four-probe method constant current application method. Visibility of characters was evaluated by evaluating the visibility of the characters through five levels by superimposing a transparent substrate on which a transparent electrode was formed on the image representing the characters. The five-level evaluation was performed from two angles of 0 ° and 45 °, with the normal direction to the electrode surface of the transparent electrode being 0 °, and this was averaged. These evaluation results are shown in Table 2 below.

<実施例1の評価結果>
表2において、窒素含有層を構成する材料が異なる試料5〜7、試料8〜10、試料11〜13、試料14〜16、及び試料17〜19をそれぞれ比較した。この結果、窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層と電極層との成膜間隔が短い透明電極ほど、シート抵抗が低く、文字の視認性も高かった。特に、成膜間隔が2分以内である試料5,6,8,9,11,12,14,15,17,18の各透明電極、すなわち窒素含有層の成膜終了後2分までの間に成膜を開始した電極層を有する透明電極では、電極層の膜厚が12nm以下でありながらも、シート抵抗が10Ω/sq.未満と低く抑えられており、文字の視認性も4.0以上が確保されており、タッチパネル用の透明電極として好適に用いられることが確認された。
<Evaluation result of Example 1>
In Table 2, Samples 5 to 7, Samples 8 to 10, Samples 11 to 13, Samples 14 to 16, and Samples 17 to 19 having different materials constituting the nitrogen-containing layer were respectively compared. As a result, if the materials constituting the nitrogen-containing layer are the same, the transparent electrode having a shorter film formation interval between the nitrogen-containing layer and the electrode layer has a lower sheet resistance and higher character visibility. In particular, the transparent electrodes of Samples 5, 6, 8, 9, 11, 12, 14, 15, 17, and 18 having a film formation interval of 2 minutes or less, that is, up to 2 minutes after the film formation of the nitrogen-containing layer is completed. In the transparent electrode having the electrode layer that started film formation, the sheet resistance was 10 Ω / sq. The visibility of the characters is secured to 4.0 or more, and it was confirmed that the characters were suitably used as a transparent electrode for a touch panel.

また、図26〜28は試料5〜7の各透明電極のSEM画像(倍率:10万倍)を示している。これらを比較すると、次に説明するとおり、成膜間隔によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なることが明らかであった。すなわち図26に示す試料5(成膜間隔1分)の透明電極では、電極層を構成する銀の連続性が高く、銀で被覆されていない部分はほとんど見られなかった。また、図27に示す試料6(成膜間隔2分)の透明電極は、試料5(成膜間隔1分)よりも劣るものの、電極層の連続性は確保されていた。一方、図28に示す試料7(成膜間隔10)の透明電極は、電極層の連続性が低く、電極層で被覆されていない部分(図中の黒表示部)が目立って確認された。   26 to 28 show SEM images (magnification: 100,000 times) of the transparent electrodes of Samples 5 to 7, respectively. When these were compared, it was clear that the film formation state of silver constituting the electrode layer was different depending on the film formation interval as described below. That is, in the transparent electrode of Sample 5 (film formation interval 1 minute) shown in FIG. 26, the continuity of silver constituting the electrode layer was high, and almost no portion not covered with silver was seen. Moreover, although the transparent electrode of Sample 6 (film formation interval 2 minutes) shown in FIG. 27 is inferior to Sample 5 (film formation interval 1 minute), the continuity of the electrode layer was ensured. On the other hand, in the transparent electrode of Sample 7 (deposition interval 10) shown in FIG. 28, the continuity of the electrode layer was low, and the portion not covered with the electrode layer (black display portion in the figure) was conspicuously confirmed.

さらに、図29〜31は試料8〜10の各透明電極のSEM画像(倍率:10万倍)を示している。これらを比較すると、上述した図26〜28と同様の傾向で、成膜間隔によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。   29 to 31 show SEM images (magnification: 100,000 times) of the transparent electrodes of Samples 8 to 10. When these were compared, the film formation state of silver constituting the electrode layer was different depending on the film formation interval in the same tendency as in FIGS.

これと同様に、図32〜34は試料11〜13の各透明電極のSEM画像(倍率:10万倍)を示している。これらを比較しても、上述した図26〜28と同様の傾向で、成膜間隔によって電極層を構成する銀の成膜状態が異なっていた。   Similarly, FIGS. 32 to 34 show SEM images (magnification: 100,000 times) of the transparent electrodes of Samples 11 to 13, respectively. Even when these were compared, the film formation state of the silver constituting the electrode layer was different depending on the film formation interval in the same tendency as in FIGS.

これにより、窒素含有層と電極層との成膜間隔が2分以内、すなわち窒素含有層の成膜終了後2分までの間に成膜を開始した電極層を有する本発明構成の透明電極では、核成長型(Volumer−Weber:VW型)ではなく、単層成長型(Frank−van der Merwe:FM型)により近い膜成長によって、窒素含有層に隣接する電極層が形成されたことが確認された。   Thus, in the transparent electrode of the present invention having an electrode layer in which the film formation interval between the nitrogen-containing layer and the electrode layer is started within 2 minutes, that is, up to 2 minutes after the film formation of the nitrogen-containing layer is completed. Confirmed that the electrode layer adjacent to the nitrogen-containing layer was formed by film growth closer to the single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type) than the nuclear growth type (Volume-Weber: VW type) It was done.

また、電極層に隣接して設けられた窒素含有層を構成する材料が同じであれば、窒素含有層の成膜間隔が短いほど、電極層を構成する銀(図中の白表示部)がより繋がっており、その連続性が高いことが確認された。   Moreover, if the material which comprises the nitrogen containing layer provided adjacent to the electrode layer is the same, the silver (white display part in a figure) which comprises an electrode layer is so short that the film-forming interval of a nitrogen containing layer is short. It was confirmed that it was more connected and its continuity was high.

また上記表2に示したように、試料20の透明電極、すなわち高屈折率層を用いた透明電極は、文字の視認性が良好であり、高屈折率層を設けた透明電極においての光透過性の向上および光散乱性の低下の効果が確認された。   Further, as shown in Table 2 above, the transparent electrode of the sample 20, that is, the transparent electrode using the high refractive index layer, has good character visibility, and light transmission through the transparent electrode provided with the high refractive index layer. The effect of improving the property and reducing the light scattering property was confirmed.

これに対して、試料1のITOを用いた単層構造の透明電極は、100nmの厚膜でありながらも、試料5〜20の透明電極よりも高いシート抵抗しか得られなかった。また、試料2〜4の銀ナノワイヤーを用いた単層構造の透明電極では、膜厚に対するシート抵抗の値が試料5〜20の透明電極よりも高く、さらに最もシート抵抗が低い試料4では、光散乱のために文字の視認性が1.5ときわめて低かった。   In contrast, the transparent electrode having a single layer structure using ITO of Sample 1 was only 100 nm thick, but only a higher sheet resistance than that of Samples 5 to 20 was obtained. Moreover, in the transparent electrode of the single layer structure using the silver nanowires of samples 2 to 4, the value of the sheet resistance with respect to the film thickness is higher than that of the transparent electrodes of samples 5 to 20, and in sample 4 having the lowest sheet resistance, Character visibility was very low at 1.5 due to light scattering.

尚、図35には、有効非共有電子対含有率[n/M]が、2.0×10-3≦[n/M]≦1.9×10-2である化合物No.1〜No.20を用いた窒素含有層の上部に、膜厚6nmの電極層を設けた透明電極について、窒素含有層を構成する化合物の有効非共有電子対含有率[n/M]と、各透明電極について測定されたシート抵抗の値をプロットしたグラフを示す。In FIG. 35, compounds No. 1 to No in which the effective unshared electron pair content [n / M] is 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] ≦ 1.9 × 10 −2 .20 for a transparent electrode in which an electrode layer having a film thickness of 6 nm is provided on the upper part of the nitrogen-containing layer, the effective unshared electron pair content [n / M] of the compound constituting the nitrogen-containing layer, and each transparent electrode The graph which plotted the value of the sheet resistance measured about was shown.

図35のグラフから、有効非共有電子対含有率[n/M]が2.0×10-3≦[n/M]≦1.9×10-2の範囲では、有効非共有電子対含有率[n/M]の値が大きいほど、透明電極のシート抵抗が低くなる傾向が見られた。そして有効非共有電子対含有率[n/M]=3.9×10-3を境にして、3.9×10-3≦[n/M]の範囲であれば、飛躍的にシート抵抗を低下させる効果が得られることが確認された。From the graph of FIG. 35, when the effective unshared electron pair content [n / M] is in the range of 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] ≦ 1.9 × 10 −2 , the effective unshared electron pair content is included. As the value of the rate [n / M] is larger, the sheet resistance of the transparent electrode tends to be lower. If the effective unshared electron pair content [n / M] = 3.9 × 10 −3 is a boundary and the range is 3.9 × 10 −3 ≦ [n / M], the sheet resistance is dramatically increased. It was confirmed that the effect of lowering was obtained.

また以上の結果は、塗布成膜によって窒素含有層を形成した場合でも同様であった。   The above results were the same even when the nitrogen-containing layer was formed by coating.

以上より、有効非共有電子対含有率[n/M]を指標として、電極層に隣接して設けた窒素含有層を構成する化合物を選択して用いることにより、光透過性を得るために薄膜でありながらも低抵抗な電極層(すなわち透明電極)が得られることが確認された。   From the above, a thin film is obtained in order to obtain light transmissivity by selecting and using a compound constituting the nitrogen-containing layer provided adjacent to the electrode layer using the effective unshared electron pair content [n / M] as an index. However, it was confirmed that an electrode layer having low resistance (that is, a transparent electrode) was obtained.

≪タッチパネルの作製≫
実施例1で作製した本発明構成の各透明電極(試料5,6,8,9,11,12,14,15,17,18,20)を、それぞれ2枚重ねて簡易式の各タッチパネルを作製した。
≪Production of touch panel≫
Each of the transparent electrodes (samples 5, 6, 8, 9, 11, 12, 14, 15, 17, 18, and 20) manufactured in Example 1 is overlapped with each other to provide a simple touch panel. Produced.

<実施例2の各試料の評価および評価結果>
作製した各タッチパネルについて、実施例1と同様の方法で文字の視認性を評価した。この結果、試料5,6,8,9,11,12,14,15,17,18,20の各透明電極と同程度に、良好な文字の視認性が得られることが確認された。
<Evaluation and Evaluation Result of Each Sample of Example 2>
About each produced touch panel, the visibility of the character was evaluated by the method similar to Example 1. FIG. As a result, it was confirmed that good character visibility was obtained to the same extent as the transparent electrodes of Samples 5, 6, 8, 9, 11, 12, 14, 15, 17, 18, and 20.

1,1a,1b…タッチパネル用透明電極(透明電極)
1-1,1a-1,1b-1…第1の透明電極
1-2,1a-2,1b-2…第2の透明電極
3…窒素含有層
3-1…第1の窒素含有層
3-2…第2の窒素含有層
5…電極層
5-1…第1の電極層
5-2…第2の電極層
5x1,5x2,5x3,…x電極パターン(第1の電極層)
5y1,5y2,5y3,…y電極パターン(第2の電極層)
21,22,23,24…タッチパネル
31…表示装置
33…表示パネル
H…高屈折率層
H-1…第1の高屈折率層
H-2…第2の高屈折率層
H-3…第3の高屈折率層
1, 1a, 1b ... Transparent electrode for touch panel (transparent electrode)
1-1, 1a-1, 1b-1 ... 1st transparent electrode 1-2, 1a-2, 1b-2 ... 2nd transparent electrode 3 ... Nitrogen-containing layer 3-1 ... 1st nitrogen-containing layer 3 -2 ... second nitrogen-containing layer 5 ... electrode layer 5-1 ... first electrode layer 5-2 ... second electrode layer 5x1, 5x2, 5x3, ... x electrode pattern (first electrode layer)
5y1, 5y2, 5y3,... Y electrode pattern (second electrode layer)
21, 22, 23, 24 ... touch panel 31 ... display device 33 ... display panel H ... high refractive index layer H-1 ... first high refractive index layer H-2 ... second high refractive index layer H-3 ... first 3 high refractive index layer

Claims (7)

窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された窒素含有層と、
前記窒素含有層に隣接して設けられた電極層とを備え、
前記電極層は、シート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成され、前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に成膜が開始された層である
タッチパネル用透明電極。
A nitrogen-containing layer composed of a compound containing nitrogen atoms;
An electrode layer provided adjacent to the nitrogen-containing layer,
The electrode layer has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance, and is composed of silver or an alloy containing silver as a main component, and after the film formation of the nitrogen-containing layer is started and after the film formation is completed A transparent electrode for a touch panel, which is a layer in which film formation has started within 2 minutes.
前記電極層は、前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後1分までの間に成膜が開始された層である
請求項1に記載のタッチパネル用透明電極。
The transparent electrode for a touch panel according to claim 1, wherein the electrode layer is a layer in which film formation is started from the start of film formation of the nitrogen-containing layer to 1 minute after the film formation is completed.
前記電極層との間に前記窒素含有層を狭持する位置に、前記窒素含有層よりも屈折率の高い高屈折率層を備えた
請求項1または2に記載のタッチパネル用透明電極。
The transparent electrode for touchscreens of Claim 1 or 2 provided with the high refractive index layer whose refractive index is higher than the said nitrogen containing layer in the position which pinches | interposes the said nitrogen containing layer between the said electrode layers.
前記電極層と前記窒素含有層とが、前記窒素含有層よりも屈折率の高い高屈折率層により挟持されている
請求項1〜3の何れかに記載のタッチパネル用透明電極。
The transparent electrode for a touch panel according to claim 1, wherein the electrode layer and the nitrogen-containing layer are sandwiched by a high refractive index layer having a higher refractive index than the nitrogen-containing layer.
請求項1〜4の何れかに記載のタッチパネル用透明電極を備えた
タッチパネル。
A touch panel comprising the transparent electrode for a touch panel according to claim 1.
請求項5に記載のタッチパネルと、
前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた
表示装置。
A touch panel according to claim 5;
And a display panel disposed on the touch panel.
窒素原子を含んだ化合物を用いて窒素含有層を成膜する工程と、
前記窒素含有層に隣接させて電極層を成膜する工程とを含み、
前記電極層を成膜する工程では、前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に当該電極層の成膜を開始すると共に、銀または銀を主成分とした合金を用いてシート抵抗の測定が可能な12nm以下の膜厚で電極層を成膜する
タッチパネル用透明電極の製造方法。
Forming a nitrogen-containing layer using a compound containing a nitrogen atom;
Forming an electrode layer adjacent to the nitrogen-containing layer,
In the step of forming the electrode layer, the electrode layer starts to be formed between the start of film formation of the nitrogen-containing layer and 2 minutes after the end of film formation, and silver or an alloy containing silver as a main component The manufacturing method of the transparent electrode for touchscreens which forms an electrode layer with the film thickness of 12 nm or less which can measure sheet resistance using.
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