JPWO2012108075A1 - Sputtering target assembly - Google Patents

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Abstract

幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割すると共に、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの接合体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の組立体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体。ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲットアッセンブリ、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することを課題とする。【選択図】図1As a rectangular target plate having a width of 100 mm or more and a length of 1000 mm or more, the target plate A is divided into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction. A sputtering target-backing plate assembly B is laminated to form a sputtering target assembly B, and three or more of the assemblies B are aligned in the width direction, and each assembly B is used as a sputtering target assembly. A sputtering target assembly characterized in that, when arranging, a dividing line between three target pieces existing in the joined body B is installed so as not to be in the same position as a dividing line between adjacent divided target pieces. It is an object of the present invention to provide a sputtering target assembly, in particular, a sputtering target assembly for FPD, which can reduce defects due to generation of particles caused by piece bonding portions. [Selection] Figure 1

Description

本発明は、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減するためのスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体に関する。   The present invention relates to a sputtering target assembly, particularly a sputtering target assembly for FPD, for reducing defects due to generation of particles caused by piece bonding portions.

透明導電膜形成用ITO、ZnO系、In−ZnO系、MgO系等の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ELディスプレイ等を中心とする表示デバイスの透明電極として広く用いられている。多くの場合ITO等の透明導電膜形成用酸化物薄膜はスパッタリングによって形成される。Thin films such as ITO, ZnO-based, In 2 O 3 —ZnO-based, and MgO-based thin films for forming a transparent conductive film are widely used as transparent electrodes for display devices such as liquid crystal displays, touch panels, and EL displays. In many cases, an oxide thin film for forming a transparent conductive film such as ITO is formed by sputtering.

近年、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用の透明導電膜形成にはインライン方式のスパッタリング装置が使用されており、第8世代以降では幅150〜300mm、長さ1500mm以上のターゲット板を数枚から十数枚並べて、そのターゲットの前を大型のガラス基板が移動して成膜される。
この様な大きなターゲットを一枚物のターゲット板として作製することは困難であるため、通常、長さ方向に数分割したターゲットピースをバッキングプレート上で張り合わせて単一のターゲット−バッキングプレート接合体とし、これをさらに複数個、幅方向に整列させて大型化するのが一般的である。
In recent years, an in-line type sputtering apparatus has been used for forming a transparent conductive film for a large FPD (flat panel display). From the eighth generation onward, several to ten target plates having a width of 150 to 300 mm and a length of 1500 mm or more are used. Several sheets are arranged and a large glass substrate moves in front of the target to form a film.
Since it is difficult to produce such a large target as a single target plate, usually, a single target-backing plate assembly is obtained by laminating target pieces that are divided into several lengths on the backing plate. Generally, a plurality of these are arranged in the width direction to increase the size.

しかし、このターゲット−バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化することができるが、前記長さ方向に数分割したターゲットピースは、隣接するターゲット−バッキングプレート接合体のターゲットピース間の分割線が整列することになる。この分割線にはターゲットピース同士の隙間があり、各ターゲットピースの高さは、わずかながらも違いがある故に分割線を境とした段差も生じるので、この分割線からスパッタリング中にノジュールが発生し易く、膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの多く付着した部分が筋状に発生する原因となり歩留まりが低下する。   However, it is possible to increase the size by arranging the target-backing plate assembly in the width direction, but the target piece divided into several in the length direction is between the target pieces of the adjacent target-backing plate assembly. The dividing lines will be aligned. There is a gap between the target pieces in this dividing line, and the height of each target piece is slightly different, so there is a step at the dividing line, so nodules are generated during sputtering from this dividing line. It is easy to cause a portion where a large amount of dust called particles are adhered on the film to form a streak, and the yield is lowered.

通常、製造のし易さから、同一寸法のターゲットピースを製造し、これをバッキングプレート上で張り合わせるのであるが、この場合、ターゲットピースはきれいに整列していて、一見すると見栄えは良いものの、ピースとピースの間の分割線が全て整列するために、整列したターゲットピース部分にノジュールが集中し、結果として膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの付着が特定位置に集中し、歩留まりが低下する問題がある。
従来は、ターゲット自体の生産性向上に注力していたことと、大型FPDの生産量が未だ少なかったために、このような問題は、顕在化することなく長い間見落とされていたが、近年、大型FPDの生産量が増大するにつれ、このような成膜不良が多く生じるようになり、実際に生産性の低下につながる事例が発生するようになっていた。
Usually, for ease of manufacturing, target pieces of the same dimensions are manufactured and bonded together on a backing plate. In this case, the target pieces are neatly aligned and look good at first glance, Since all the dividing lines between the two pieces are aligned, nodules are concentrated on the aligned target piece portions. As a result, the adhesion of dust called particles on the film is concentrated on a specific position, resulting in a decrease in yield. .
Conventionally, such problems have been overlooked for a long time without becoming obvious because the focus was on improving the productivity of the target itself and the production volume of large FPDs was still small. As the production amount of FPD increases, such film formation defects frequently occur, and there have been cases where the productivity actually decreases.

従来技術を見ると、下記特許文献1には、長方形の大きなターゲット板を多数のタイルから構成されるターゲット組立体からなり、各タイルは3つ以下のタイルの間隙で合流するように構成され、熱サイクル中のタイルの不整列を防止することが記載されている。この場合、長方形、正方形、六角形、扇形でも良いとされている。
この文献1では、多数のタイルを密に配置し、それらが位置ずれしないようにすることが目的であり、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを防止するための対策は採られていない。この文献1のターゲット組立体の具体例を示す図6、図7、図8、図9、図10のいずれを見ても、タイルは少なくとも一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このようなターゲット組立体は、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる。
Looking at the prior art, in Patent Document 1 below, a large rectangular target plate is composed of a target assembly composed of a large number of tiles, and each tile is configured to merge with a gap of three or less tiles, Preventing tile misalignment during thermal cycling is described. In this case, it may be rectangular, square, hexagonal or fan-shaped.
This document 1 aims to arrange a large number of tiles closely so that they do not shift, and no measures are taken to prevent generation of nodules during sputtering and particles on the film. 6, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, and FIG. 10 showing specific examples of the target assembly of this document 1, at least every other tile, and the tile joints are aligned. . Such a target assembly results in nodule generation during sputtering and an increase in particles on the film.

下記特許文献2には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に4個の扇形(中心部が欠如した)の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に段差を設けて接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
また、文献2の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
The following Patent Document 2 describes a disk-shaped divided target, which is composed of a circular divided piece at the center and four fan-shaped divided pieces (having a lack of the central portion) in the periphery. Proposals have been made in which a step is provided at the joint portion of each of the divided pieces for joining. Such a disk-shaped split target is not suitable for manufacturing a target assembly for a large FPD (flat panel display).
In addition, every other split target of Document 2 has tile joints aligned. As a result, the target having such a structure has problems that cause nodules during sputtering and increase the number of particles on the film.

下記特許文献3には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に2個の扇形(中心部が欠如した)の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に切り込みを入れて斜めに接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、前記文献2と同様に、大型FPD(フラットパネルディスプレー)用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
また、文献3の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
The following Patent Document 3 describes a disk-shaped divided target, which is composed of a circular divided piece at the center and two fan-shaped divided pieces (having a lack of the central portion) at the periphery. Proposals have been made to cut the joints of the divided pieces and join them obliquely. Such a disc-shaped split target is not suitable for manufacturing a target assembly for a large FPD (flat panel display), as in the case of the above-mentioned document 2.
In addition, every other split target of Document 3 has tile joints aligned. As a result, the target having such a structure has problems that cause nodules during sputtering and increase the number of particles on the film.

上記いずれの文献も、一枚のバッキングプレートに配列したもので、分割ターゲットであることは共通しているが、ターゲット−バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化した場合の問題解決には至っておらず、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因を減少させる対策は採られていないという問題を有している。   All of the above documents are arranged on a single backing plate and are common to split targets, but the problem is solved when the size is increased by arranging the target-backing plate assembly in the width direction. However, no measures have been taken to reduce the generation of nodules during sputtering and the cause of increasing particles on the film.

特開2006−22404号公報JP 2006-22404 A 特開平5−263234号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-263234 特開平5−17867号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-17867

本発明は、ターゲットピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができる大型化したスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide an enlarged sputtering target-backing plate assembly, particularly an FPD sputtering target assembly, which can reduce defects due to particle generation caused by a target piece bonding portion.

上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することができるとの知見を得た。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive research.As a result, the sputtering target is composed of a plurality of rectangular pieces, which are attached to a backing plate, and the shape and arrangement of the plurality of pieces are determined. A sputtering target assembly composed of a sputtering target-backing plate assembly, particularly an FPD, which can devise a device to produce a large sputtering target-backing plate assembly and reduce defects caused by particle generation caused by the piece bonding part. The present inventors have obtained knowledge that a sputtering target assembly can be provided.

このような知見に基づき、本発明は、
1)幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割されており、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの接合体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
Based on such knowledge, the present invention
1) As a rectangular target plate having a width of 100 mm or more and a length of 1000 mm or more, it is divided into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction. A sputtering target-backing plate assembly B is formed by laminating on a backing plate, and a sputtering target assembly in which three or more of the assemblies B are aligned in the width direction. Sputtering target characterized in that when arranged as an assembly, the dividing line between the three target pieces existing in the joined body B is not located at the same position as the dividing line between the adjacent divided target pieces. An assembly.

2)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が50mm以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
2) The present invention also provides:
In one sputtering target-backing plate assembly B, there is provided a sputtering target assembly as described in 1) above, wherein the difference in length of each divided target piece A is 50 mm or more.

3)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が100mm以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
3) The present invention also provides:
In one sputtering target-backing plate assembly B, there is provided a sputtering target assembly as described in 1) above, wherein the difference in length of each divided target piece A is 100 mm or more.

4)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が50mm以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
4) The present invention also provides:
The dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel distance between the adjacent dividing lines is The sputtering target assembly according to any one of 1) to 3) above, wherein the sputtering target assembly is 50 mm or more.

5)また、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が100mm以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
5) The present invention also provides:
The dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel interval between the adjacent dividing lines is 100 mm. The sputtering target assembly according to any one of 1) to 3) above is provided.

6)さらに、本発明は、
一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bに使用される3個以上の矩形のターゲットピースAが、他のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bの3個以上の矩形のターゲットピースAと同一寸法のターゲットピースAからなることを特徴とする上記1)〜5)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
6) Furthermore, the present invention provides:
Three or more rectangular target pieces A used for one sputtering target-backing plate assembly B have the same dimensions as three or more rectangular target pieces A of the other sputtering target-backing plate assembly B The sputtering target assembly according to any one of 1) to 5) above, comprising the piece A.

このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にFPD用スパッタリングターゲット組立体を提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。   The sputtering target of the present invention adjusted in this way is composed of a plurality of rectangular pieces, affixed to a backing plate, and devised the shape and arrangement of these pieces to provide a large sputtering target. A sputtering target capable of producing a backing plate assembly and reducing defects caused by the generation of particles caused by piece bonding portions; and providing a sputtering target assembly comprising a backing plate assembly, particularly an FPD sputtering target assembly. This has the great advantage of improving the yield of film formation and improving the quality of the product.

実施例1のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用して成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。It is a figure which shows the generation | occurrence | production state of the particle | grains at the time of forming into a film using the sputtering target assembly which consists of a sputtering target-backing plate assembly of Example 1. FIG. 比較例1のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用した成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。It is a figure which shows the generation | occurrence | production state of the particle at the time of forming into a film using the sputtering target assembly which consists of a sputtering target-backing plate assembly of the comparative example 1. 幅が同一であり、長さが相違する3個ターゲットピースをバッキングプレートに接合した例を示す図である。It is a figure which shows the example which joined three target pieces with the same width | variety and different length to the backing plate.

本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一枚のターゲットが幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲットを、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割すると共に、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの組立体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であり、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように(整列しないように)設置するスパッタリングターゲット組立体であり、ターゲット(ターゲットピース)の配列構造に特徴を有するターゲットアッセンブリと言うこともできる。
これはFPD用スパッタリングターゲットとして好適であり、パーティクルの発生が少なく、歩留まりを向上させることができる大型のスパッタリングターゲットアッセンブリの主たる要件を満たすものである。
The sputtering target assembly of the present invention divides a rectangular target whose one target is 100 mm or more in width and 1000 mm or more in length into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction, A sputtering target assembly in which the divided target pieces A are laminated on a backing plate in the length direction to form a sputtering target-backing plate assembly B, and three or more of the assemblies B are aligned in the width direction. When arranging each joined body B as a sputtering target assembly, the dividing line between the three target pieces existing in the joined body B is not located at the same position as the dividing line between the adjacent divided target pieces. Sputtering target assembly to be installed (so as not to align) It can also be referred to as a target assembly characterized by a sequence structure of target (target piece).
This is suitable as a sputtering target for FPD and satisfies the main requirements of a large-sized sputtering target assembly that can reduce the generation of particles and improve the yield.

図3に、幅が同一であり、長さが相違する3個ターゲットピースA1,A2,A3を、バッキングプレート上に取り付けた代表例を示す。それぞれのターゲットピースA1,A2,A3の間には分割線が存在する。この分割線は、ターゲットピースが、それぞれ別個に作製されるためにできる隙間である。
このように、本発明ではターゲットピースの長さを変え、ターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線がずれるように組み合わせたターゲット−バッキングプレート接合体で、ずれるように組み合わせることで、分割線の部分に起因するパーティクルを分散させ歩留まりを向上することが可能となる。
FIG. 3 shows a representative example in which three target pieces A1, A2, and A3 having the same width and different lengths are mounted on a backing plate. A dividing line exists between the target pieces A1, A2, and A3. This dividing line is a gap that can be created because the target pieces are produced separately.
Thus, in the present invention, the target-backing plate assembly in which the length of the target pieces is changed and the dividing lines between the target pieces when the targets are arranged is combined so as to be shifted, and the dividing lines are combined so as to be shifted. It is possible to improve the yield by dispersing particles resulting from the portion.

また、本発明のスパッタリング装置は、一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違を50mm以上に、さらには100mm以上とすることができる。本発明のスパッタリングターゲット組立体は、これを達成することができる。これは、できるだけターゲットピースの接合位置がずれるように組み合わせるためである。   In the sputtering apparatus of the present invention, in one sputtering target-backing plate assembly B, the difference in length of each divided target piece A can be set to 50 mm or more, and further to 100 mm or more. The sputtering target assembly of the present invention can accomplish this. This is for combining the target pieces so that the joining positions of the target pieces are shifted as much as possible.

また、本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する接合位置の平行間隔を50mm以上に、さらには100mm以上とすることが望ましい。これもできるだけターゲットピースの接合位置が整列せずに、ずれるように組み合わせるためである。   In the sputtering target assembly of the present invention, the dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel. It is desirable that the parallel interval between the adjacent joining positions be 50 mm or more, and more preferably 100 mm or more. This is also because the joining positions of the target pieces are combined as much as possible without being aligned.

さらに、本発明は、3枚以上の矩形のターゲットピースAに使用される分割ターゲットが、同一寸法の3種以上の分割ターゲットから構成することができる。
ターゲットの生産性から見ると、同形状のターゲットピースAであることが望ましいと言える。異形状のターゲットピースの製造は、製造コストを増加させる原因となるからである。本願発明は、上記の通り3種類以上とすることを提案するが、これらは、いずれも矩形であり、上記特許文献に示すような、煩雑さと製造コストの増加を招くことがないという利点を有する。
Furthermore, according to the present invention, the divided target used for three or more rectangular target pieces A can be composed of three or more types of divided targets having the same dimensions.
From the viewpoint of target productivity, it can be said that the target piece A having the same shape is desirable. This is because the production of the irregularly shaped target piece causes the production cost to increase. The present invention proposes that there are three or more types as described above, but these are all rectangular and have the advantage of not causing complexity and an increase in manufacturing cost as shown in the above-mentioned patent document. .

また、本発明の場合、同形状のターゲットピースAは3種類で済む利点を有する。後述する実施例に示すように、矩形のターゲットピースAを、異なる寸法の矩形のターゲットピースA1、A2、A3の3種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースA1、A2、A3という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースA3、A1、A2という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースA2、A3、A1という配列が可能である。   Moreover, in the case of this invention, the target piece A of the same shape has the advantage which only needs 3 types. As shown in the examples to be described later, three types of rectangular target pieces A, rectangular target pieces A1, A2, and A3 having different dimensions are prepared, and these are arranged on a backing plate and joined together. As an example, an array of target pieces A1, A2, and A3, an array of combinations thereof, an array of target pieces A3, A1, and A2, and an array of combinations of the target pieces A2, A3, and A1 are possible.

これらの組み合わせは、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体との位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。これは、本発明の場合、同形状のターゲットピースAは、最低で3種類で済むということを意味し、製造コストを低減できるものである。
また、矩形のターゲットピースAを、異なる寸法の矩形のターゲットピースA1、A2、A3、A4の4種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースA1、A2、A3、A4という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースA2、A3、A4、A1という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースA3、A4、A1、A2という配列、その組み合わせの四として、ターゲットピースA4、A1、A2、A3という配列が可能である。
In these combinations, the dividing lines between the target pieces are not aligned due to the positional relationship with the adjacent sputtering target-backing plate assembly. This means that, in the case of the present invention, the target piece A having the same shape requires at least three kinds, and the manufacturing cost can be reduced.
Further, when four types of rectangular target pieces A1, A2, A3, and A4 having different dimensions are prepared and bonded to a backing plate, the target pieces are combined as one of the combinations. As an array of A1, A2, A3, and A4 and combinations thereof, as an array of target pieces A2, A3, A4, and A1, and as a combination of three of them, an array of target pieces A3, A4, A1, and A2, and four combinations thereof As an example, an arrangement of target pieces A4, A1, A2, A3 is possible.

この場合、同形状のターゲットピースAは4種類であり、4種類のターゲット接合体の全ての組み合わせにおいて、それらの位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。さらに、この4種類のターゲットピースを使用して、3種類までのターゲットにおいて各ターゲットピース間の分割線が整列することがないように配列する場合には、ターゲットの配列の組み合わせを飛躍的に増加させることができる。   In this case, there are four types of target pieces A having the same shape, and in all combinations of the four types of target joined bodies, the dividing lines between the target pieces are not aligned due to their positional relationship. Furthermore, when these four types of target pieces are used so that the dividing lines between the target pieces are not aligned in up to three types of targets, the number of combinations of target arrangements is dramatically increased. Can be made.

以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。   Hereinafter, description will be made based on Examples and Comparative Examples. In addition, a present Example is an example to the last, and is not restrict | limited at all by this example. In other words, the present invention is limited only by the scope of the claims, and includes various modifications other than the examples included in the present invention.

(実施例1)
200mm×1500mmのターゲット板を長さ300mm、500mm、700mmの長さのピースの張り合わせにより、図1に示すようにバッキングプレート上に接合して、3種のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を作製し、そしてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体の組み合わせにより、図1の左側の図に示すように、これらを3セット並べた時、ターゲットピース間の分割線がずれるようにX、Y、Zにセットしてスパッタリングターゲット組立体とした。必要に応じて、このX、Y、Zセットを繰り返すことができる。
Example 1
A 200 mm × 1500 mm target plate is bonded to a backing plate as shown in FIG. 1 by bonding pieces of 300 mm, 500 mm, and 700 mm in length to produce three types of sputtering target-backing plate assemblies. As shown in the figure on the left side of FIG. 1, the combination of the sputtering target and backing plate assembly is set to X, Y, and Z so that the dividing line between the target pieces is shifted when three sets are arranged. Thus, a sputtering target assembly was obtained. This X, Y, Z set can be repeated as needed.

このスパッタリングターゲット組立体を用いて、1300mm×1500mmのガラス基板に成膜を行い、パーティクル数を測定した。ガラス基板を均等な5つの領域に分けてパーティクル数を測定した。その結果、図1の右側に示すように、11〜19ヶの範囲に収まり、製品として十分に使用可能であった。   Using this sputtering target assembly, a film was formed on a 1300 mm × 1500 mm glass substrate, and the number of particles was measured. The glass substrate was divided into five equal areas and the number of particles was measured. As a result, as shown on the right side of FIG. 1, it was within the range of 11 to 19 pieces and was sufficiently usable as a product.

インラインスパッタ装置では、長尺のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を数本並べて1セットとして成膜を行うが、通常各ターゲットを同じ寸法のピースを張り合わせることにより作製されるため、これらを数本並べた場合、同じ位置にターゲットピース間の分割線が並んで(整列して)しまい、成膜するとパーティクルがその位置付近に集中し、製品歩留まりが低下する。   In an in-line sputtering apparatus, several long sputtering target-backing plate assemblies are arranged side by side to form a set. However, each target is usually produced by bonding pieces of the same size, so several of these targets are produced. When arranged, the dividing lines between the target pieces are arranged (aligned) at the same position, and when the film is formed, the particles are concentrated in the vicinity of the position and the product yield is lowered.

本発明は、この問題を解決することができ、前記の通りターゲットピースAの長さを変え、スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体を並べた時の、ターゲットピース間の分割線が各ターゲットでずれるように組み合わせることで、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクルを分散させ、歩留まりを向上することができる。   The present invention can solve this problem. As described above, when the length of the target piece A is changed and the sputtering target-backing plate assembly is lined up, the dividing line between the target pieces is shifted at each target. In combination, particles resulting from the dividing line between the target pieces can be dispersed and the yield can be improved.

(比較例1)
200mm×1500mmのスパッタリングターゲット板を、同一長さ500mmのピースA43個で、各バッキングプレート上に接合して作製し、これを3枚/セットとしてスパッタリングターゲット組立体とし、これをスパッタリング装置に装着した。そして、このターゲットを用いて1300mm×1500mmのガラス基板に成膜した。そして実施例と同様のパーティクル比較を行った。
図2に、バッキングプレートに、同寸法のターゲットピースを配列したターゲット−バッキングプレート接合体とパーティクルの発生状況を示す。図2の右側に示すように、ターゲットピース間の分割線に相当する領域におけるパーティクル数が28ヶ、29ヶと高く、この領域は製品として使用できなかった。
(Comparative Example 1)
A sputtering target plate of 200 mm × 1500 mm was manufactured by joining each backing plate with 43 pieces A having the same length of 500 mm, and this was made into a sputtering target assembly as three pieces / set, and this was attached to the sputtering apparatus. . And it formed into a film on the glass substrate of 1300 mm x 1500 mm using this target. And the particle comparison similar to the Example was performed.
FIG. 2 shows a target-backing plate assembly in which target pieces of the same size are arranged on the backing plate and the state of generation of particles. As shown on the right side of FIG. 2, the number of particles in the region corresponding to the dividing line between the target pieces was as high as 28 and 29, and this region could not be used as a product.

上記の実施例、比較例から明らかなように、矩形のスパッタリングターゲットを構成する各ピースの長さを変え、各バッキングプレート上にターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線を、各ターゲットでずれるように組み合わせることで、張り合わせ部分に起因するパーティクルを分散させることは、極めて重要であり、製品の歩留まりを向上させることができる大きなメリットを有する。   As is clear from the above Examples and Comparative Examples, the length of each piece constituting the rectangular sputtering target is changed, and the dividing line between the target pieces when the targets are arranged on each backing plate is changed with each target. It is extremely important to disperse particles caused by the bonded portions by combining them so as to be shifted, and it has a great merit that the yield of products can be improved.

本発明の大型のスパッタリングターゲット−バッキングプレートからなるスパッタリングターゲット組立体は、各バッキングプレート上に、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースAを張り付けて接合体Bを構成し、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクル発生による不良率を低減することができるという優れた効果を有するので、特に大型FPDを製造する為のインライン方式スパッタリング装置用スパッタリングターゲットアッセンブリとして有用である。   A sputtering target assembly comprising a large sputtering target-backing plate according to the present invention comprises a bonded body B formed by pasting a plurality of rectangular pieces A on each backing plate to form a joined body B. By devising the arrangement, it has an excellent effect that the defect rate due to the generation of particles caused by the dividing lines between the target pieces can be reduced, so that the sputtering target for in-line type sputtering apparatus especially for manufacturing large FPDs. Useful as an assembly.

Claims (6)

幅100mm以上、長さ1000mm以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように3個以上のターゲットピースAに分割されており、この分割ターゲットピースAを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bを構成し、さらにこの接合体Bを幅方向に3個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Bをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Bに存在する3個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体。   A rectangular target plate having a width of 100 mm or more and a length of 1000 mm or more is divided into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction, and this divided target piece A is backed in the length direction. A sputtering target-backing plate assembly B is laminated on a plate to form a sputtering target assembly in which three or more of the assemblies B are aligned in the width direction. The sputtering target assembly is characterized in that the dividing line between the three target pieces existing in the joined body B is arranged so as not to be in the same position as the dividing line between the adjacent divided target pieces. . 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が50mm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット組立体。   The sputtering target assembly according to claim 1, wherein in one sputtering target-backing plate assembly B, the difference in length of each divided target piece A is 50 mm or more. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bにおいて、各分割ターゲットピースAの長さの相違が100mm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット組立体。   2. The sputtering target assembly according to claim 1, wherein in one sputtering target-backing plate assembly B, a difference in length of each divided target piece A is 100 mm or more. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が50mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。   The dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel distance between the adjacent dividing lines is It is 50 mm or more, The sputtering target assembly as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が100mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。   The dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel interval between the adjacent dividing lines is 100 mm. It is the above, The sputtering target assembly as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 一つのスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bに使用される3個以上の矩形のターゲットピースAが、他のスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体Bの3個以上の矩形のターゲットピースAと同一寸法のターゲットピースAからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。   Three or more rectangular target pieces A used for one sputtering target-backing plate assembly B have the same dimensions as three or more rectangular target pieces A of the other sputtering target-backing plate assembly B It consists of piece A, The sputtering target assembly as described in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned.
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