JPWO2011108138A1 - 光学素子、光源装置及び投射型表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図3に、本実施形態の光源装置の模式的な構成の斜視図を示す。図4に、本発明に係る光源装置における光の振る舞いを説明するための断面図を示す。なお、光源装置において、実際の個々の層の厚さが非常に薄く、またそれぞれ層の厚さの違いが大きいので、各層を正確なスケール、比率で図を描くことが困難である。このため、図面では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層を模式的に示している。
波数ベクトル変換層18としては、フォトニック結晶が用いられる代わりに、マイクロレンズアレイが配置される構成や、粗い表面が形成された層が用いられる構成であってもよい。図7に、第2の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の模式的な斜視図を示す。
図9に、第3の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図9に示すように、第3の実施形態における指向性制御層33は、導光体12の上に、キャリア生成層16、プラズモン励起層17、誘電率層19、波数ベクトル変換層18の順に積層されて構成されている。
図10に、第4の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図10に示すように、第4の実施形態における指向性制御層43は、導光体12の上に、キャリア生成層16、誘電率層20、プラズモン励起層17、フォトニック結晶からなる波数ベクトル変換層18の順に積層されて構成されている。
図11に、第5の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図11に示すように、指向性制御層53は、プラズモン励起層17と波数ベクトル変換層18との間に挟まれて設けられた低誘電率層19と、キャリア生成層16とプラズモン励起層17との間に挟まれて設けられ、低誘電率層19よりも誘電率が高い高誘電率層20と、を備えている。
図12に、第6の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図12に示すように、第6の実施形態における指向性制御層63は、第5の実施形態における指向性制御層53と同様の構成であり、第5の実施形態における低誘電率層19及び高誘電率層20が、複数の誘電体層をそれぞれ積層して構成されている点が異なっている。
図13に、第7の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図13に示すように、第7の実施形態における指向性制御層73では、第1の実施形態における指向性制御層13と同様の構成であり、プラズモン励起層群37が、積層された複数の金属層37a,37bによって構成されている点が異なっている。
図14に、第8の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図14に示すように、第8の実施形態における指向性制御層83では、第1の実施形態におけるプラズモン励起層17に加えて、別のプラズモン励起層としてのプラズモン励起層27が更に配置されている。
図15に、第9の実施形態の光源装置が備える指向性制御層の斜視図を示す。図15に示すように、第9の実施形態における指向性制御層93は、第1の実施形態における指向性制御層13と同様の構成であり、キャリア生成層16と導光体12との間に、上述した実施形態における低誘電率層19と異なる作用を奏する低誘電率層39を設ける点が異なっている。
図16に、第10の実施形態の光源ユニットの斜視図を示す。図16に示すように、第10の実施形態の光源ユニットでは、光学素子1から入射する軸対称偏光を所定の偏光状態に揃える偏光変換素子として、光学素子1からの入射光を直線偏光する軸対称偏光用1/2波長板100を備えている。光源装置2からの出射光を軸対称偏光用1/2波長板100によって直線偏光することで、出射光の偏光状態が揃えられた光源ユニットを実現できる。なお、偏光変換素子によって軸対称偏光を所定の偏光状態に揃えることには、直線偏光することに限定するものではなく、円偏光することも含まれる。また、本実施形態における光源装置が有する指向性制御層としては、上述した第1〜第9の実施形態における指向性制御層のいずれが適用されてもよいことは勿論である。
図21に、第1の実施形態の光源装置2の出射光における角度分布を示す。図21において、横軸が出射光の出射角を示し、縦軸が出射光の強度を示している。
図22に、第5の実施形態の光源装置の出射光における角度分布を示す。図22において、横軸が出射光の出射角を示し、縦軸が出射光の強度を示している。
Claims (17)
- 発光素子からの光が入射する導光体と、
前記導光体の上に設けられ、前記導光体からの光によってキャリアが生成されるキャリア生成層と、
前記キャリア生成層の上に積層され、前記キャリア生成層を前記発光素子の光で励起したときに発生する光の周波数よりも高いプラズマ周波数を有するプラズモン励起層と、
前記プラズモン励起層の上に積層され、前記プラズモン励起層によって生じる表面プラズモンを所定の出射角の光に変換して出射する出射層と、を備え、
前記プラズモン励起層は、誘電性を有する2つの層の間に挟まれ、
前記プラズモン励起層の前記導光体側に積層された構造全体を含む入射側部分の実効誘電率が、前記プラズモン励起層の前記出射層側に積層された構造全体と、前記出射層に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも高い、光学素子。 - 前記実効誘電率は、複素実効誘電率εeffであって、該複素実効誘電率εeffが、
前記プラズモン励起層の界面に平行な方向をx軸、y軸、前記プラズモン励起層の界面に垂直な方向をz軸、前記キャリア生成層から出射する光の角周波数をω、前記入射側部分または前記出射側部分の誘電体の誘電率分布をε(ω,x,y,z)、積分範囲Dを前記入射側部分または前記出射側部分の三次元座標の範囲、表面プラズモンの波数のz成分をkspp,z、虚数単位をjとすれば、
を満たし、
かつ、表面プラズモンの波数のz成分kspp,z、表面プラズモンの波数のx、y成分ksppが、
前記プラズモン励起層の誘電率の実部をεmetal、真空中での光の波数をk0とすれば、
を満たしている、請求項1に記載の光学素子。 - 前記プラズモン励起層の前記出射層側、及び前記プラズモン励起層の前記導光体側の少なくとも一方の側に隣接して設けられた誘電率層を備える、請求項1または2に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層は、一対の前記誘電率層の間に挟まれ、
前記プラズモン励起層の前記導光体側に隣接する前記誘電率層は、前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接する前記誘電率層よりも誘電率が高い、請求項3に記載の光学素子。 - 前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接して設けられた前記誘電率層は、誘電率が異なる複数の誘電体層が積層されて構成され、前記複数の誘電体層が、前記プラズモン励起層側から前記出射層側に向かう順に誘電率が低くなるように配置されている、請求項3または4に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層の前記導光体側に隣接して設けられた前記誘電率層は、誘電率が異なる複数の誘電体層が積層されて構成され、前記複数の誘電体層が、前記キャリア生成層側から前記プラズモン励起層側に向かう順に誘電率が高くなるように配置されている、請求項3または4に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接して設けられた前記誘電率層は、誘電率が前記プラズモン励起層側から前記出射層側に向かって次第に低くなる分布を有している、請求項3または4に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層の前記導光体側に隣接して設けられた前記誘電率層は、誘電率が前記キャリア生成層側から前記プラズモン励起層側に向かって次第に高くなる分布を有する、請求項3または4に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接して設けられた前記誘電率層は、多孔質層である、請求項3ないし5、7のいずれか1項に記載の光学素子。
- 前記導光体と前記キャリア生成層との間に設けられ、前記発光素子の周波数よりも高いプラズマ周波数を有する別のプラズモン励起層を更に備える、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の光学素子。
- 前記導光体の前記キャリア生成層側に隣接して設けられ、前記導光体よりも誘電率が低い低誘電率層を備え、
前記キャリア生成層は、前記導光体からの光が前記キャリア生成層との界面で全反射したときに生じるエヴァネッセント波によってキャリアを生成する、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の光学素子。 - 前記プラズモン励起層は、異なる金属材料からなる複数の金属層が積層されて構成されている、請求項1ないし9、11のいずれか1項に記載の光学素子。
- 前記出射層は、表面周期構造を有している、請求項1ないし12のいずれか1項に記載の光学素子。
- 前記プラズモン励起層は、Ag、Au、Cu、Pt、Alのうちのいずれか1つ、またはこれらのうちの少なくとも1つを含む合金からなる、請求項1ないし13のいずれか1項に記載の光学素子。
- 請求項1ないし14のいずれか1項に記載の光学素子と、
前記導光体の外周部に配置された発光素子と、を備える光源装置。 - 前記光学素子から入射する軸対称偏光を所定の偏光状態に揃える偏光変換素子を備える、請求項15に記載の光源装置。
- 請求項15または16に記載の光源装置と、
前記光源装置からの出射光を変調する表示素子と、
前記表示素子の出射光によって投射映像を投射する投射光学系と、を備える投射型表示装置。
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