JPWO2011027866A1 - Substrate manufacturing method and composition used therefor - Google Patents

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Abstract

反りやねじりの発生をより有効に回避でき、低コストで簡便な基板の製造方法およびその製造方法に用いられる組成物を提供する。 (a) 支持体に、複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を塗布及び乾燥し、塗膜を形成する工程と、(b) 前記塗膜を複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜複素環含有重合体のガラス転移温度より20℃高い温度で加熱し、複素環含有重合体の前駆体を環化する環化工程と、(c)前記環化工程により得られた膜上に素子を形成する工程と、(d) 前記素子が形成された膜を支持体から剥離する工程とを含み、前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種のガラス転移温度が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする基板の製造方法。Disclosed is a method for producing a substrate at low cost and a composition used for the production method, which can more effectively avoid the occurrence of warping and twisting. (A) coating and drying a film-forming composition containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent on a support and forming a coating film; and (b) containing the coating film with a heterocyclic ring. A cyclization step of cyclizing the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer by heating at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the polymer to 20 ° C. higher than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer; A step of forming an element on the film obtained by the cyclization step; and (d) a step of peeling the film on which the element is formed from a support. A method for producing a substrate, which is a polymer having at least one glass transition temperature selected from the group consisting of benzoxazole, polybenzothiazole and polybenzimidazole in a range of 230 to 420 ° C.

Description

本発明は、基板の製造方法およびそれに用いられる組成物に関する。  The present invention relates to a method for producing a substrate and a composition used therefor.

一般に、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンから得られる全芳香族ポリイミドは、分子の剛直性や、分子が共鳴安定化していること、強い化学結合を有すること等に起因して、優れた耐熱性、機械的特性、電気特性、耐酸化・加水分解性を有しており、電気、電池、自動車および航空宇宙産業などの分野において、フィルム、コーティング剤、成型部品、絶縁材料として幅広く使用されている。  In general, wholly aromatic polyimide obtained from aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine is due to the rigidity of the molecule, the fact that the molecule is resonance-stabilized, the strong chemical bond, etc. Excellent heat resistance, mechanical properties, electrical properties, oxidation resistance and hydrolysis resistance. Widely used as film, coating agent, molded part, insulation material in fields such as electricity, battery, automobile and aerospace industry. It is used.

例えば、ピロメリット酸二無水物と4,4’−オキシジアニリンを重縮合させることで得られるポリイミドは、耐熱性及び電気絶縁性に優れ、寸法安定性が高く、フレキシブルプリント基板などに利用される。具体的には、ポリイミドフィルムはピロメリット酸二無水物と4,4’−オキシジアニリンを反応させて得られるポリアミック酸溶液から脱溶媒、熱イミド化工程を経ることで作製される。通常、ポリイミドフィルムは、ステンレスベルト等の比較的剛直な基材上で成膜されることが一般的である。  For example, polyimide obtained by polycondensation of pyromellitic dianhydride and 4,4'-oxydianiline is excellent in heat resistance and electrical insulation, has high dimensional stability, and is used for flexible printed circuit boards. The Specifically, a polyimide film is produced by removing a solvent from a polyamic acid solution obtained by reacting pyromellitic dianhydride and 4,4'-oxydianiline and performing a thermal imidization step. Usually, the polyimide film is generally formed on a relatively rigid substrate such as a stainless steel belt.

また、ピロメリット酸二無水物、4、4"−オキシジアニリン及びp−フェニレンジアミンから合成されたポリイミドは熱的寸法安定性に優れることが開示されている(特許文献1および特許文献2)。  Further, it is disclosed that polyimide synthesized from pyromellitic dianhydride, 4,4 "-oxydianiline and p-phenylenediamine is excellent in thermal dimensional stability (Patent Document 1 and Patent Document 2). .

さらに、寸法安定性を向上させたポリイミドフィルムとして、4、4"−オキシジフタル酸二無水物とピロメリット酸二無水物を必須成分とするテトラカルボン酸二無水物と、p−フェニレンジアミンと4、4"−オキシジアニリンとを含む芳香族ジアミンから得られたポリイミドフィルムが知られている(特許文献3)。  Furthermore, as a polyimide film having improved dimensional stability, tetracarboxylic dianhydride containing 4,4 "-oxydiphthalic dianhydride and pyromellitic dianhydride as essential components, p-phenylenediamine and 4, A polyimide film obtained from an aromatic diamine containing 4 "-oxydianiline is known (Patent Document 3).

特開平1−131241号公報JP-A-1-131241 特開平1−131242号公報JP-A-1-131242 特開2009−518500号公報JP 2009-518500 A

しかしながら、上記従来のポリイミド形成組成物を用いて得られたフィルムは、支持体上で成膜を行うと、成膜時の収縮変形に伴い、基板もしくはフィルム自身に反りが生じる問題が指摘されている。  However, it has been pointed out that the film obtained using the above conventional polyimide-forming composition has a problem that when the film is formed on a support, the substrate or the film itself is warped due to shrinkage deformation at the time of film formation. Yes.

本発明の目的は、反りやねじりの発生をより有効に回避でき、低コストで簡便な基板の製造方法およびその製造方法に用いられる組成物を提供するところにある。  An object of the present invention is to provide a low-cost and simple method for producing a substrate and a composition used for the production method that can more effectively avoid the occurrence of warping and twisting.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、特定の複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を支持体上に塗布して乾燥することにより塗膜を形成する工程と、該支持体上で特定の温度で前記重合体の前駆体を環化する環化工程と、前記環化工程により得られた膜上に素子を形成する工程と、前記素子が形成された膜を支持体から剥離する工程と、を含む基板の製造方法によれば、反りやねじりの発生が低減された基板を得ることができることを見出し、さらに支持体との密着性と剥離性とを両立可能な組成物および製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。  The present invention has been made in view of the above problems, and a coating film is formed by applying a film-forming composition containing a precursor of a specific heterocyclic-containing polymer and an organic solvent on a support and drying it. A step of forming, a cyclization step of cyclizing the precursor of the polymer at a specific temperature on the support, a step of forming an element on the film obtained by the cyclization step, and the element And a step of peeling the formed film from the support, the method for producing a substrate includes finding that a substrate with reduced warpage and twisting can be obtained, and further, adhesion to the support and peeling. As a result, the inventors have found a composition and a production method that are compatible with the properties, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、以下の[1]〜[8]を提供するものである。  That is, the present invention provides the following [1] to [8].

[1] (a) 支持体に、複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を塗布及び乾燥し、塗膜を形成する工程と、
(b) 前記塗膜を複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜複素環含有重合体のガラス転移温度より20℃高い温度で加熱し、複素環含有重合体の前駆体を環化する環化工程と、
(c) 前記環化工程により得られた膜上に素子を形成する工程と、
(d) 前記素子が形成された膜を支持体から剥離する工程と、
を含み、
前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする基板の製造方法。
[1] (a) Applying and drying a film-forming composition containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent on a support to form a coating film;
(B) The coating film is heated at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to 20 ° C. higher than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer. A cyclization step,
(C) forming a device on the film obtained by the cyclization step;
(D) peeling the film on which the element is formed from the support;
Including
Glass transition temperature (DSC, temperature increase rate 20 ° C./min) of at least one differential scanning calorimetry (DSC selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole and polybenzimidazole). Tg) is a polymer in the range of 230 to 420 ° C.

[2]
前記環化工程(b)を、前記複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜前記複素環含有重合体のガラス転移温度で行う、[1]に記載の基板の製造方法。
[2]
The method for producing a substrate according to [1], wherein the cyclization step (b) is performed at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer.

[3] 前記環化工程(b)を、160℃〜420℃で行う、[1]または[2]に記載の基板の製造方法。  [3] The method for producing a substrate according to [1] or [2], wherein the cyclization step (b) is performed at 160 ° C to 420 ° C.

[4] 前記支持体が、シリコンウエハもしくは無アルカリガラスである、[1]〜[3]のいずれかに記載の基板の製造方法。  [4] The method for manufacturing a substrate according to any one of [1] to [3], wherein the support is a silicon wafer or non-alkali glass.

[5] 前記複素環含有重合体がポリイミドである、[1]〜[4]のいずれかに記載の基板の製造方法。  [5] The method for producing a substrate according to any one of [1] to [4], wherein the heterocyclic ring-containing polymer is polyimide.

[6] 前記有機溶媒が、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドの中から選ばれる少なくとも1種の溶媒を含む、[1]〜[5]のいずれかに記載のフレキシブル基板の製造方法。  [6] The organic solvent includes at least one solvent selected from N, N′-dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylacetamide. The manufacturing method of the flexible substrate in any one of [1]-[5].

[7] 前記膜形成用組成物の粘度(E型粘度計、25℃測定)が5,000〜50,000cPである、[1]〜[6]のいずれかに記載の基板の製造方法。  [7] The method for producing a substrate according to any one of [1] to [6], wherein the film-forming composition has a viscosity (E-type viscometer, measured at 25 ° C.) of 5,000 to 50,000 cP.

[8] [1]〜[7]のいずれかに記載の基板の製造方法に用いられる膜形成用組成物であって、
複素環含有重合体の前駆体および有機溶媒を含有し、
前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする膜形成用組成物。
[8] A film-forming composition used in the method for producing a substrate according to any one of [1] to [7],
Containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent,
Glass transition temperature (DSC, temperature increase rate 20 ° C./min) of glass transition temperature (DSC, at least one selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, polybenzimidazole) A film-forming composition, which is a polymer having a Tg) in the range of 230 to 420 ° C.

本発明の基板の製造方法によれば、反りやねじりの発生が少ない基板を容易に製造することができる。  According to the substrate manufacturing method of the present invention, it is possible to easily manufacture a substrate with less warping and twisting.

また、本発明の膜形成用組成物は、特定のガラス転移温度(Tg)を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾイミダゾール等の重合体の前駆体と有機溶媒とを含む組成物からなるため、基板を製造する際に反りやねじりの発生をより有効に回避することができる。  The film-forming composition of the present invention is a composition comprising a precursor of a polymer such as polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, polybenzimidazole and the like having a specific glass transition temperature (Tg) and an organic solvent. Therefore, it is possible to more effectively avoid the occurrence of warping and twisting when manufacturing the substrate.

本発明によれば支持体との密着性と剥離性を両立可能な基板(膜)を容易に製造することができる。  According to the present invention, it is possible to easily manufacture a substrate (film) that can achieve both adhesion to the support and peelability.

なお、本発明において、「密着性」とは、例えば、工程(b)や工程(c)において、支持体上に形成される膜および基板と支持体とが剥離しにくい性質をいう。  In the present invention, “adhesiveness” refers to a property in which, for example, in the step (b) or step (c), the film formed on the support and the substrate and the support are difficult to peel off.

本発明において、「剥離性」とは、例えば、工程(d)において剥離痕が少なく支持体上から基板を剥離できる性質をいう。  In the present invention, “peelability” means, for example, a property that the substrate can be peeled from the support with few peeling marks in the step (d).

本発明の基板の製造方法は、(a)支持体に、複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を塗布及び乾燥し、塗膜を形成する工程と、
(b)前記塗膜を複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜複素環含有重合体のガラス転移温度より20℃高い温度で加熱し、複素環含有重合体の前駆体を環化する環化工程と、
(c)前記環化工程により得られた膜上に素子を形成する工程と、
(d)前記素子が形成された膜を支持体から剥離する工程と、
を含み、
前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする。
The method for producing a substrate of the present invention includes (a) applying a film forming composition containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent to a support and drying to form a coating film;
(B) The coating film is heated at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to 20 ° C. higher than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer. A cyclization step,
(C) forming a device on the film obtained by the cyclization step;
(D) peeling the film on which the element is formed from the support;
Including
Glass transition temperature (DSC, temperature increase rate 20 ° C./min) of at least one differential scanning calorimetry (DSC selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole and polybenzimidazole). Tg) is a polymer in the range of 230-420 ° C.

[工程(a)]
まず、支持体上に、複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を塗布及び乾燥し、塗膜を形成する工程について説明する。
[Step (a)]
First, the process of apply | coating and drying the composition for film formation containing the precursor of a heterocyclic containing polymer and an organic solvent on a support body, and forming a coating film is demonstrated.

まず、本工程に用いられる膜形成用組成物は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾイミダゾールから選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体となりうる前駆体と有機溶媒とを含むものである。該前駆体および有機溶媒はそれぞれ1種単独であってもよく、2種以上であってもよい。  First, the film-forming composition used in this step is glass by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) selected from polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, and polybenzimidazole. It contains a precursor that can be a polymer having a transition temperature (Tg) in the range of 230 to 420 ° C. and an organic solvent. Each of the precursor and the organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

なお、前記膜形成用組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、酸化防止剤、紫外線吸収剤、界面活性剤などの添加剤を配合してもよい。  In addition, you may mix | blend additives, such as antioxidant, a ultraviolet absorber, and surfactant, with the said film formation composition in the range which does not impair the objective of this invention.

まず、複素環含有重合体および複素環含有重合体の前駆体について説明する。  First, the heterocyclic ring-containing polymer and the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer will be described.

前記複素環含有重合体の前駆体は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が好ましくは25,000〜500,000であり、より好ましくは50,000〜400,000である。複素環含有重合体の前駆体の重量平均分子量が前記範囲にあると、有機溶媒との相溶性に優れ、塗工性に優れる膜形成用組成物を得ることができる。  The precursor of the heterocyclic ring-containing polymer preferably has a polystyrene-reduced weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC) of 25,000 to 500,000, more preferably 50,000 to 400,000. is there. When the weight average molecular weight of the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is in the above range, a film-forming composition having excellent compatibility with an organic solvent and excellent coating properties can be obtained.

前記複素環含有重合体としては、好ましくは、カルボキシル基、酸クロリド基、エステル基、アミノ基、イソシアネート基、ヒドロキシ基、メルカプト基等の官能基を4つ有する化合物を含む成分(A)と、これらの官能基を2つ有する化合物を含む成分(B)と、を反応させることで得られる複素環含有重合体を挙げることができる。なお、前記(A)成分は、酸無水物基を2つ有する化合物を含む。  The heterocycle-containing polymer preferably includes a component (A) containing a compound having four functional groups such as a carboxyl group, an acid chloride group, an ester group, an amino group, an isocyanate group, a hydroxy group, and a mercapto group; The heterocyclic ring-containing polymer obtained by making the component (B) containing the compound which has these two functional groups react can be mentioned. The component (A) includes a compound having two acid anhydride groups.

<ポリイミド>
前記複素環含有重合体がポリイミドである場合、該ポリイミドの示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)は230〜420℃であり、好ましくは240〜400℃であり、より好ましくは250〜380℃である。
<Polyimide>
When the heterocyclic ring-containing polymer is a polyimide, the glass transition temperature (Tg) of the polyimide by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) is 230 to 420 ° C., preferably 240 to 400. ° C, more preferably 250-380 ° C.

示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃であるポリイミドを形成し得る前駆体としては、例えば、前記成分(A)として、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドなどと、前記(B)成分として、ジアミン、ジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンなどと、を反応させて得られたポリアミック酸を挙げることができる。  As a precursor capable of forming a polyimide having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 420 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min), for example, tetracarboxylic Examples thereof include polyamic acid obtained by reacting acid, tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid diester dichloride, and the like and diamine, diisocyanate compound, trimethylsilylated diamine and the like as the component (B).

ポリイミド前駆体として、具体的には、前記成分(A)として、(A1)(A−1)4,4’−オキシジフタル酸二無水物およびこれらの反応性誘導体より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物(以下「化合物(A−1)」ともいう。)、および(A−2)ピロメリット酸二無水物およびこれらの反応性誘導体より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物(以下「化合物(A−2)」ともいう。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む成分と、前記成分(B)として、下記一般式(1)で表わされる芳香族イミノ形成化合物を含む成分(B1)と、を反応させて得られたポリアミック酸を挙げることができる。  As the polyimide precursor, specifically, as the component (A), at least one acyl compound selected from (A1) (A-1) 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and reactive derivatives thereof. (Hereinafter also referred to as “compound (A-1)”), and (A-2) at least one acyl compound selected from pyromellitic dianhydride and a reactive derivative thereof (hereinafter referred to as “compound (A-2)”. And a component (B1) containing an aromatic imino-forming compound represented by the following general formula (1) as the component (B), and a component containing at least one compound selected from the group consisting of: And polyamic acid obtained by reacting.

[(A1)成分]
前記(A1)成分は、4,4’−オキシジフタル酸二無水物およびこれらの反応性誘導体より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物(A−1)、ピロメリット酸二無水物およびこれらの反応性誘導体より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物(A−2)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む成分である。
[(A1) component]
The component (A1) includes at least one acyl compound (A-1) selected from 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and reactive derivatives thereof, pyromellitic dianhydride and reactive derivatives thereof. It is a component comprising at least one compound selected from the group consisting of at least one acyl compound (A-2) selected from the above.

このような酸二無水物を用いることにより、密着性と剥離性のバランス、および反りのない平滑性に優れたフレキシブル基板を得ることができる。  By using such an acid dianhydride, a flexible substrate excellent in the balance between adhesion and peelability and smoothness without warping can be obtained.

特に、(A1)成分が前記化合物(A−1)および(A−2)を含むと、該(A1)成分と前記(B1)成分とを反応させることで、ガラス転移温度が、環化温度(約250℃)に近い重合体(ポリイミド)を容易に得ることができるため、支持体、特にシリコンウエハや無アルカリガラス等の支持体との密着性および剥離性に優れ、反りやねじりの発生の少ない膜および基板を製造することができる。  In particular, when the component (A1) contains the compounds (A-1) and (A-2), the glass transition temperature is changed to the cyclization temperature by reacting the component (A1) with the component (B1). Since a polymer (polyimide) close to (approximately 250 ° C.) can be easily obtained, it has excellent adhesion and releasability to a support, particularly a support such as a silicon wafer or non-alkali glass, and warpage or twisting occurs. A film and a substrate with a small amount can be manufactured.

(A1)成分が前記化合物(A−1)および(A−2)を含む場合、化合物(A−1)と化合物(A−2)の配合量比(化合物(A−1):化合物(A−2)、(モル比))は、好ましくは10:90〜90:10であり、さらに好ましくは20:80〜50:50である(但し両者の合計は、100モルである)。  When the component (A1) contains the compounds (A-1) and (A-2), the compounding ratio of the compound (A-1) and the compound (A-2) (compound (A-1): compound (A -2), (molar ratio)) is preferably 10:90 to 90:10, more preferably 20:80 to 50:50 (however, the sum of both is 100 mol).

化合物(A−1)と化合物(A−2)の配合量比が前記範囲にあることで、より容易に支持体との密着性および剥離性に優れ、反りやねじりの発生の少ない膜および基板を製造することができる。  A compound and a substrate with a compounding ratio of the compound (A-1) and the compound (A-2) in the above-mentioned range, which are more easily excellent in adhesion and peelability to the support and are less likely to be warped or twisted. Can be manufactured.

上記4,4’−オキシジフタル酸二無水物の反応性誘導体としては、4,4’−オキシジフタル酸アルキルエステルなどを挙げることができ、具体的には、4,4’−オキシジフタル酸モノメチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸ジメチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸トリメチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸テトラメチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸モノエチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸ジエチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸トリエチルエステル、4,4’−オキシジフタル酸テトラエチルエステル等が挙げられる。  Examples of the reactive derivative of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride include 4,4′-oxydiphthalic acid alkyl ester. Specifically, 4,4′-oxydiphthalic acid monomethyl ester, 4 , 4'-oxydiphthalic acid dimethyl ester, 4,4'-oxydiphthalic acid trimethyl ester, 4,4'-oxydiphthalic acid tetramethyl ester, 4,4'-oxydiphthalic acid monoethyl ester, 4,4'-oxydiphthalic acid diethyl ester 4,4′-oxydiphthalic acid triethyl ester, 4,4′-oxydiphthalic acid tetraethyl ester, and the like.

上記ピロメリット酸二無水物の反応性誘導体としては、ピロメリット酸アルキルエステルなどを挙げることができ、具体的には、ピロメリット酸モノメチルエステル、ピロメリット酸ジメチルエステル、ピロメリット酸トリメチルエステル、ピロメリット酸テトラメチルエステル、ピロメリット酸モノエチルエステル、ピロメリット酸ジエチルエステル、ピロメリット酸トリエチルエステル、ピロメリット酸テトラエチルエステル等が挙げられる。  Examples of the reactive derivative of pyromellitic dianhydride include pyromellitic acid alkyl ester. Specifically, pyromellitic acid monomethyl ester, pyromellitic acid dimethyl ester, pyromellitic acid trimethyl ester, pyromellitic acid Examples include meritic acid tetramethyl ester, pyromellitic acid monoethyl ester, pyromellitic acid diethyl ester, pyromellitic acid triethyl ester, and pyromellitic acid tetraethyl ester.

また4,4’−オキシジフタル酸やピロメリット酸の無置換フェニルエステルもしくはパラ置換フェニルエステルなども挙げられる。  Further, 4,4'-oxydiphthalic acid and pyromellitic acid unsubstituted phenyl ester or para-substituted phenyl ester are also included.

その他の反応性誘導体としては、4,4’−オキシジフタル酸テトラクロライド、4,4’−オキシジフタル酸ジクロライドジエステル、ピロメリット酸テトラクロライド、ピロメリット酸ジクロライドジエステル(該エステルとしては上記と同様のアルキルエステル、無置換フェニルエステルもしくはパラ置換フェニルエステル等が挙げられる)などの酸クロライドが挙げられる。  Other reactive derivatives include 4,4′-oxydiphthalic acid tetrachloride, 4,4′-oxydiphthalic acid dichloride diester, pyromellitic acid tetrachloride, pyromellitic acid dichloride diester (this ester is the same alkyl ester as above) And non-substituted phenyl ester or para-substituted phenyl ester).

(A1)成分としては、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物が好ましく用いられる。無水物である4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物を(A1)成分として用いると、無水物ではない化合物を用いる場合に比して、低温でポリアミック酸を合成することができる。  As the component (A1), 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferably used. When 4,4'-oxydiphthalic dianhydride or pyromellitic dianhydride, which is an anhydride, is used as the component (A1), a polyamic acid is synthesized at a lower temperature than when a non-anhydride compound is used. be able to.

なお、これら(A1)成分は、1種単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。  In addition, these (A1) components can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

4,4’−オキシジフタル酸二無水物およびその反応性誘導体から選ばれる少なくとも1種のアシル化化合物(A−1)の使用量は、反りのない平滑性に優れる基板を得る観点からアシル化合物の全量((A1)成分全量)に対して10〜50モル%であることが好ましく、15〜45モル%であることがより好ましい。  The amount of at least one acylated compound (A-1) selected from 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and its reactive derivative is selected from the viewpoint of obtaining a substrate excellent in smoothness without warping. It is preferable that it is 10-50 mol% with respect to the whole quantity ((A1) component whole quantity), and it is more preferable that it is 15-45 mol%.

また、ピロメリット酸二無水物およびその反応性誘導体から選ばれる少なくとも1種のアシル化化合物(A−2)の使用量は、耐熱性、剥離性の観点からアシル化合物の全量に対して50〜90モル%であることが好ましく、55〜85モル%であることがより好ましい。  Moreover, the usage-amount of the at least 1 sort (s) of acylated compound (A-2) chosen from a pyromellitic dianhydride and its reactive derivative is 50- with respect to the whole quantity of an acyl compound from a heat resistant and peelable viewpoint. It is preferably 90 mol%, more preferably 55 to 85 mol%.

また、アシル化合物としては、上記4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、およびこれらの反応性誘導体以外にその他のアシル化合物をさらに用いることもできる。その他のアシル化合物としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物(但し、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、およびこれらの反応性誘導体を除く)、脂肪族テトラカルボン酸二無水物、脂環族テトラカルボン酸二無水物、およびこれらの反応性誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。  In addition to the 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, pyromellitic dianhydride, and reactive derivatives thereof, other acyl compounds may be further used as the acyl compound. Other acyl compounds include aromatic tetracarboxylic dianhydrides (except 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, pyromellitic dianhydride, and reactive derivatives thereof), aliphatic tetracarboxylic Examples thereof include at least one selected from the group consisting of acid dianhydrides, alicyclic tetracarboxylic dianhydrides, and reactive derivatives thereof.

具体例としては、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、3,5,6−トリカルボキシノルボルナン−2−酢酸二無水物、2,3,4,5−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]−フラン−1,3−ジオン、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]−オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物あるいは脂環族テトラカルボン酸二無水物、及びこれらの反応性誘導体;
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5−フランテトラカルボン酸二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルプロパン二無水物、3,3’,4,4’−パーフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフィンオキサイド二無水物、p−フェニレン−ビス(トリフェニルフタル酸)二無水物、m−フェニレン−ビス(トリフェニルフタル酸)二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)−4,4’−ジフェニルエーテル二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)−4,4’−ジフェニルメタン二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物、及びこれらの反応性誘導体を挙げることができる。
Specific examples include butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 2,3, 5-tricarboxycyclopentylacetic acid dianhydride, 3,5,6-tricarboxynorbornane-2-acetic acid dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a, 4 , 5,9b-Hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,2-c] -furan-1,3-dione, 5- (2,5-dioxotetrahydrofura L) -3-Methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,2] -oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride Such as Aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride or an alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride, and reactive derivatives thereof;
3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-dimethyldiphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-tetra Phenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-furantetracarboxylic dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide dianhydride, 4,4 ′ -Bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylsulfone dianhydride, 4,4'-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylpropane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-perfluoro Isopropyl Redene diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (phthalic acid) phenylphosphine oxide dianhydride, p-phenylene-bis (triphenylphthalic acid) dianhydride , M-phenylene-bis (triphenylphthalic acid) dianhydride, bis (triphenylphthalic acid) -4,4′-diphenyl ether dianhydride, bis (triphenylphthalic acid) -4,4′-diphenylmethane dianhydride Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as products, and reactive derivatives thereof.

これらのうち、優れた透明性、有機溶媒への良好な溶解性の観点からは、脂肪族テトラカルボン酸二無水物あるいは脂環族テトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。また、低線膨張係数(寸法安定性)、低吸水性の観点からは、芳香族テトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。  Of these, aliphatic tetracarboxylic dianhydride or alicyclic tetracarboxylic dianhydride is preferably used from the viewpoint of excellent transparency and good solubility in an organic solvent. In addition, aromatic tetracarboxylic dianhydrides are preferably used from the viewpoint of low linear expansion coefficient (dimensional stability) and low water absorption.

[(B1)成分]
(B1)成分は、下記式(1)で表される芳香族イミノ形成化合物である。
[(B1) component]
The component (B1) is an aromatic imino forming compound represented by the following formula (1).

Figure 2011027866
Figure 2011027866

(式(1)中、Xはそれぞれ独立して−NH2または−N=C=O、−NHSi(R25)(R26)(R27)であり、Yはそれぞれ独立して直接結合(単結合)、−CH2−、−O−、−S−、−C(CH32−から選ばれる1つの基であり、Zは直接結合、−CH2−、−O−、−S−、−C(CH32−、>C=O、−SO2−から選ばれる1つの基であり、R1〜R16は、各々独立して、水素、炭素数1〜12の炭化水素基、ハロゲンから選ばれる基であり、R25〜R27は、各々独立して、炭素数1〜15のアルキル基である。)
炭素数1〜12の1価の炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素(アルキル)基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の芳香族炭化水素(アリール)基等が挙げられる。
(In the formula (1), X is independently —NH 2 or —N═C═O, —NHSi (R 25 ) (R 26 ) (R 27 ), and Y is independently a direct bond ( single bond), - CH 2 -, - O -, - S -, - C (CH 3) 2 - from a single group selected, Z is a direct bond, -CH 2 -, - O - , - S —, —C (CH 3 ) 2 —,> C═O, —SO 2 —, wherein R 1 to R 16 are each independently hydrogen, carbon atoms of 1 to 12 carbon atoms. (It is a group selected from a hydrogen group and halogen, and R 25 to R 27 are each independently an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.)
Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched hydrocarbon (alkyl) group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and 6 carbon atoms. -12 aromatic hydrocarbon (aryl) groups and the like.

前記炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数1〜8の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数1〜5の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。  The linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is preferably a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and the linear or branched carbon group having 1 to 5 carbon atoms. A hydrogen group is more preferable.

前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基およびn−ヘプチル基等が挙げられる。  Preferable specific examples of the linear or branched hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and n-pentyl. Group, n-hexyl group, n-heptyl group and the like.

前記炭素数3〜12の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜8の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数3または4の脂環式炭化水素基がより好ましい。  As said C3-C12 alicyclic hydrocarbon group, a C3-C8 alicyclic hydrocarbon group is preferable, and a C3-C4 alicyclic hydrocarbon group is more preferable.

炭素数3〜12の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基;シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。  Preferable specific examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, and cyclohexyl group; cyclobutenyl group, cyclopentenyl group, and cyclohexenyl group. And the like. The bonding site of the alicyclic hydrocarbon group may be any carbon on the alicyclic ring.

前記炭素数6〜12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。  Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group. The bonding site of the aromatic hydrocarbon group may be any carbon on the aromatic ring.

25〜R27で表わされる炭素数1〜15のアルキル基としては、炭素数1〜15の直鎖または分岐鎖のアルキル基が挙げられ、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8の直鎖または分岐鎖のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖または分岐鎖のアルキル基がさらに好ましい。Examples of the alkyl group having 1 to 15 carbon atoms represented by R 25 to R 27 include a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Group, a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is more preferable, and a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable.

前記直鎖または分岐鎖のアルキル基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基およびn−ヘプチル基等が挙げられる。  Preferred examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, and an n-pentyl group. , N-hexyl group, n-heptyl group and the like.

このような特定の式で表される、芳香族イミノ形成化合物を用いることにより、反りの少ない膜(フィルム)を得ることができる。ここで、「イミノ形成化合物」とは、(A)成分と反応してイミノ(基)を形成するための化合物をいう。  By using the aromatic imino forming compound represented by such a specific formula, a film (film) with less warpage can be obtained. Here, the “imino forming compound” refers to a compound for reacting with the component (A) to form an imino (group).

上記芳香族イミノ形成化合物としては、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、4,4"−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4"−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル等が挙げられる。これらのうち、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,4"−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンが好ましく用いられる。  Examples of the aromatic imino-forming compound include bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, and bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone. Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, 4,4 "-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4" -bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3- Aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, etc. Can be mentioned. Of these, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4 "-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4 ' -Bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane are preferably used.

なお、成分(B1)としては、上記式(1)において、X、Y、及びZで表される結合基がそれぞれベンゼン環のパラ位で結合してなる芳香族イミノ形成化合物、すなわち、下記式(2)で表される芳香族イミノ形成化合物が好適である。このような化合物を用いることにより、より耐熱性に優れ、反りの少ない膜(フィルム)を得ることができる。上述の芳香族イミノ形成化合物のうち、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンがより好ましく用いられる。  In addition, as the component (B1), an aromatic imino-forming compound in which the bonding groups represented by X, Y, and Z are bonded to each other at the para position of the benzene ring in the above formula (1), that is, the following formula The aromatic imino forming compound represented by (2) is preferred. By using such a compound, a film (film) having more excellent heat resistance and less warpage can be obtained. Among the above-mentioned aromatic imino forming compounds, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis [4- (4-amino) Phenoxy) phenyl] propane is more preferably used.

Figure 2011027866
Figure 2011027866

(式(2)中、R1〜R16、X、Y、及びZは、上記式(1)中と同様である。)
なお、これらイミノ形成化合物(B1)は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
(In the formula (2), R 1 to R 16 , X, Y, and Z are the same as those in the above formula (1).)
In addition, these imino forming compounds (B1) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

なお、ポリイミド前駆体は、−CO−NH−、及び、−CO−OHを含む構造を有する化合物、または、その誘導体(具体的には、例えば、−CO−NH−、及び、−CO−OR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造を有するもの)等であり、加熱等によって、−CO−NH−のHと、−CO−OHのOHとが脱水して、環状の化学構造(−CO−N−CO−(以下、イミド環構造ともいう。))を有するポリイミドとなる(以下、−CO−NH−、及び、−CO−OHを含む構造または−CO−NH−、及び、−CO−OR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造等をアミック酸構造ともいう。)。  The polyimide precursor is a compound having a structure containing —CO—NH— and —CO—OH or a derivative thereof (specifically, for example, —CO—NH— and —CO—OR). (Wherein R is an alkyl group or the like)), etc., and by heating, etc., H of —CO—NH— and OH of —CO—OH are dehydrated to form a cyclic A polyimide having a chemical structure (—CO—N—CO— (hereinafter also referred to as an imide ring structure)) (hereinafter, a structure containing —CO—NH— and —CO—OH or —CO—NH—). And a structure containing —CO—OR (where R is an alkyl group or the like) is also referred to as an amic acid structure).

<ポリベンゾオキサゾール>
前記複素環含有重合体がポリベンゾオキサゾールである場合、該ポリベンゾオキサゾールの示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)は230〜420℃であり、好ましくは240〜400℃であり、より好ましくは250〜380℃である。
<Polybenzoxazole>
When the heterocycle-containing polymer is polybenzoxazole, the glass transition temperature (Tg) of the polybenzoxazole by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) is 230 to 420 ° C., preferably Is 240-400 degreeC, More preferably, it is 250-380 degreeC.

示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃であるポリベンゾオキサゾールを形成し得る前駆体は、例えば、前記成分(A)としてビスアミノヒドロキシ化合物(A2)と、前記成分(B)として、ジカルボン酸、ジカルボン酸クロリド、ジカルボン酸エステルなどからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む成分(B2)と、を反応させて得ることができる。一般にはビスアミノヒドロキシ化合物とジカルボン酸とを反応さることでポリベンゾオキサゾール前駆体の1つであるポリヒドロキシアミドを得ることができ、これを加熱等により脱水環化することでポリベンゾオキサゾールを得ることができる。  A precursor capable of forming polybenzoxazole having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 420 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate of 20 ° C./min) is, for example, bisamino as the component (A). Obtained by reacting the hydroxy compound (A2) with the component (B2) containing at least one compound selected from the group consisting of dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, dicarboxylic acid ester and the like as the component (B). Can do. In general, a polyhydroxyamide, which is one of the polybenzoxazole precursors, can be obtained by reacting a bisaminohydroxy compound with a dicarboxylic acid, and polybenzoxazole can be obtained by dehydrating and cyclizing this by heating or the like. be able to.

[(A2)成分]
ビスアミノヒドロキシ化合物(A2)としては、具体的には、2,2’-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,4−ジアミノレゾルシノール、4,6−ジアミノレゾルシノール、2,2’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−2,2’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−2,2’−トリフルオロメチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジヒドロキシ−5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジヒドロキシ−5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジヒドロキシ−6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジヒドロキシ−6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、1,4−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、1,4−ジアミノ−2,3−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、1,2−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,4−ジアミノ−3,5−ジヒドロキシベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,4−ジアミノ−3,5−ジヒドロキシフルオロベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシフルオロベンゼン、1,4−ビス(トリフルオロメチル)−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシベンゼン、1−ペンタフルオロエチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシベンゼン、1−パーフルオロシクロヘキシル−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシベンゼン、2,7−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、2,6−ジアミノ−3,7−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、1,6−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、2,7−ジアミノ−1,8−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、1−トリフルオロメチル−3,6−ジアミノ−2,7−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,7−ジアミノ−2,6−ジヒドロキシナフタレン、1−ペンタフルオロエチル−3,6−ジアミノ−2,7−ジヒドロキシナフタレンン、1−パーフルオロシクロヘキシル−3,6−ジアミノ−2,7−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,7−ジアミノ−2,6−ジヒドロキシジフルオロナフタレン、1,4,5,8−テトラ(トリフルオロメチル)−2,5−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)テトラフルオロベンゼン、2,4−ジアミノ−1,5−ベンゼンジオール、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)スルホン、ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ジフルオロメタン等の芳香族ビスアミノヒドロキシ化合物が挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上で用いることができる。
[(A2) component]
As the bisaminohydroxy compound (A2), specifically, 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxy-) 5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,4-diaminoresorcinol, 4,6-diaminoresorcinol, 2,2′-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2′- Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2′-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4 '-Diamino-3,3'-dihydroxydiphenylsulfone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-dia -3,3'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4 '-Dihydroxy-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'- Dihydroxy-5,5′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy-5,5′-trifluoromethylbiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxy- 6,6′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy-6,6′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-di Droxy-5,5′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy-5,5′-pentafluoroethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy- 6,6′-pentafluoroethylbiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxy-5,5′-pentafluoroethylbiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxy-6 6'-pentafluoroethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-5,5'-trifluoromethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-5,5 ' -Pentafluoroethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6'-trifluoromethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dihydroxy-6,6 ' Pentafluoroethylbiphenyl, 1,3-diamino-4,6-dihydroxydifluorobenzene, 1,4-diamino-3,6-dihydroxydifluorobenzene, 1,4-diamino-2,3-dihydroxydifluorobenzene, 1,2 -Diamino-3,6-dihydroxydifluorobenzene, 1-trifluoromethyl-2,4-diamino-3,5-dihydroxybenzene, 1-trifluoromethyl-2,5-diamino-3,6-dihydroxybenzene, 1 -Trifluoromethyl-2,4-diamino-3,5-dihydroxyfluorobenzene, 1-trifluoromethyl-2,5-diamino-3,6-dihydroxyfluorobenzene, 1,4-bis (trifluoromethyl)- 2,5-diamino-3,6-dihydroxybenzene, 1-pentaph Oroethyl-2,5-diamino-3,6-dihydroxybenzene, 1-perfluorocyclohexyl-2,5-diamino-3,6-dihydroxybenzene, 2,7-diamino-3,6-dihydroxytetrafluoronaphthalene, 2, , 6-Diamino-3,7-dihydroxytetrafluoronaphthalene, 1,6-diamino-2,5-dihydroxytetrafluoronaphthalene, 2,7-diamino-1,8-dihydroxytetrafluoronaphthalene, 1-trifluoromethyl- 3,6-diamino-2,7-dihydroxynaphthalene, 1,5-bis (trifluoromethyl) -3,7-diamino-2,6-dihydroxynaphthalene, 1-pentafluoroethyl-3,6-diamino-2 , 7-Dihydroxynaphthalene, 1-perfluorocyclohexyl- 3,6-diamino-2,7-dihydroxynaphthalene, 1,5-bis (trifluoromethyl) -3,7-diamino-2,6-dihydroxydifluoronaphthalene, 1,4,5,8-tetra (trifluoro Methyl) -2,5-diamino-3,6-dihydroxynaphthalene, 1,4-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) tetrafluorobenzene, 2,4-diamino-1,5-benzenediol, bis ( 3-amino-4-hydroxyphenyl) ketone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfide, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) sulfone, Bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) methane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) diflu Aromatic bis-amino hydroxy compounds such Rometan like. These can be used alone or in combination of two or more.

[(B2)成分]
前記(B2)成分としては、o−フタル酸、テレフタル酸、4,4′−ジカルボキシジフェニルエーテル、ベンゾフェノン−4,4′−ジカルボン酸、4,4′−ビフェニルジカルボン酸、2,2′−ビフェニルジカルボン酸、4,4′−ジカルボキシジフェニルスルフォン、2,2′−ビス(4−カルボキシフェニル)プロパン、2,2′−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,6−ナフタレンジカルボン酸、1,5−ナフタレンジカルボン酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、ビス(4−カルボキシフェニル)メタン、5,5′−ジチオビス(2−ニトロ安息香酸)、1,10−ビス(4−カルボキシフェノキシ)デカン、エチレングリコールビス(4−カルボキシフェニル)エーテル、およびこれらの化合物のクロロ化物、エステル化物などが挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上で用いることができる。
[(B2) component]
As the component (B2), o-phthalic acid, terephthalic acid, 4,4′-dicarboxydiphenyl ether, benzophenone-4,4′-dicarboxylic acid, 4,4′-biphenyldicarboxylic acid, 2,2′-biphenyl Dicarboxylic acid, 4,4'-dicarboxydiphenyl sulfone, 2,2'-bis (4-carboxyphenyl) propane, 2,2'-bis (4-carboxyphenyl) hexafluoropropane, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, bis (4-carboxyphenyl) methane, 5,5'-dithiobis (2-nitrobenzoic acid), 1,10-bis (4-carboxyphenoxy) ) Decane, ethylene glycol bis (4-carboxyphenyl) ether, and combinations thereof Chloro compound of or ester thereof. These can be used alone or in combination of two or more.

なお、ポリベンゾオキサゾール前駆体は、−CO−NH−、及び、−OHを含む構造を有する化合物、または、その誘導体(具体的には、例えば、−CO−NH−、及び、−OR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造を有するもの)等であり、加熱等によって、脱水して、環状の化学構造(−O−C=N−(以下、オキサゾール環構造ともいう。))を有するポリベンゾオキサゾールとなる(以下、−CO−NH−、及び、−OHを含む構造または−CO−NH−、及び、−OR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造等をヒドロキシアミド構造ともいう。)。  The polybenzoxazole precursor is a compound having a structure containing —CO—NH— and —OH or a derivative thereof (specifically, for example, —CO—NH— and —OR (however, , R is an alkyl group or the like), and is dehydrated by heating or the like to form a cyclic chemical structure (—O—C═N— (hereinafter also referred to as an oxazole ring structure). )) (Hereinafter, a structure containing —CO—NH— and —OH or —CO—NH— and —OR (where R is an alkyl group or the like). The structure is also called a hydroxyamide structure.)

<ポリベンゾチアゾール>
前記複素環含有重合体がポリベンゾチアゾールである場合、該ポリベンゾチアゾールの示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)は230〜420℃であり、好ましくは240〜400℃であり、より好ましくは250〜380℃である。
<Polybenzothiazole>
When the heterocyclic ring-containing polymer is polybenzothiazole, the glass transition temperature (Tg) of the polybenzothiazole by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) is 230 to 420 ° C., preferably Is 240-400 degreeC, More preferably, it is 250-380 degreeC.

示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃であるポリベンゾチアゾールを形成し得る前駆体は、例えば、前記成分(A)としてビスメルカプトアミノ化合物(A3)と、前記成分(B)として、ジカルボン酸、ジカルボン酸クロリド、ジカルボン酸活性エステルなどからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む成分(B3)と、を反応させて得ることができる。一般にはビスメルカプトアミノ化合物とジカルボン酸とを反応さることでポリベンゾチアゾール前駆体の1つであるポリメルカプトアミドを得ることができ、これを加熱等により脱水環化することでポリベンゾチアゾールを得ることができる。  A precursor capable of forming a polybenzothiazole having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 420 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) is, for example, bismercapto as the component (A). Obtained by reacting the amino compound (A3) with the component (B3) containing at least one compound selected from the group consisting of dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, dicarboxylic acid active ester and the like as the component (B). be able to. In general, polymercaptoamide, which is one of polybenzothiazole precursors, can be obtained by reacting a bismercaptoamino compound with a dicarboxylic acid, and polybenzothiazole is obtained by dehydrating cyclization by heating or the like. be able to.

[(A3)成分]
ビスメルカプトアミノ化合物(A3)としては、具体的には、2,2’-ビス(3-アミノ-4-メルカプトフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’-ビス(3-アミノ-4-メルカプト5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(4−アミノ−3−メルカプトフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)プロパン、2,2’−ビス(4−アミノ−3−メルカプトフェニル)プロパン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプトジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプトジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプトビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプトビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプトジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプトジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプト2,2’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト2,2’−トリフルオロメチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプト5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプト6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメルカプト6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプト5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジメルカプト6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジメルカプト5,5’−トリフルオロメチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジメルカプト5,5’−ペンタフルオロエチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジメルカプト6,6’−トリフルオロメチルビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジメルカプト6,6’−ペンタフルオロエチルビフェニル、1,3−ジアミノ−4,6−ジメルカプトジフルオロベンゼン、1,4−ジアミノ−3,6−ジメルカプトジフルオロベンゼン、1,4−ジアミノ−2,3−ジメルカプトジフルオロベンゼン、1,2−ジアミノ−3,6−ジメルカプトジフルオロベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,4−ジアミノ−3,5−ジメルカプトベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,4−ジアミノ−3,5−ジメルカプトフルオロベンゼン、1−トリフルオロメチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトフルオロベンゼン、1,4−ビス(トリフルオロメチル)−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトベンゼン、1−ペンタフルオロエチル−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトベンゼン、1−パーフルオロシクロヘキシル−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトベンゼン、2,7−ジアミノ−3,6−ジメルカプトテトラフルオロナフタレン、2,6−ジアミノ−3,7−ジメルカプトテトラフルオロナフタレン、1,6−ジアミノ−2,5−ジメルカプトテトラフルオロナフタレン、2,7−ジアミノ−1,8−ジメルカプトテトラフルオロナフタレン、1−トリフルオロメチル−3,6−ジアミノ−2,7−ジメルカプトナフタレン、1,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,7−ジアミノ−2,6−ジメルカプトナフタレン、1−ペンタフルオロエチル−3,6−ジアミノ−2,7−ジメルカプトナフタレンン、1−パーフルオロシクロヘキシル−3,6−ジアミノ−2,7−ジメルカプトナフタレン、1,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,7−ジアミノ−2,6−ジメルカプトジフルオロナフタレン、1,4,5,8−テトラ(トリフルオロメチル)−2,5−ジアミノ−3,6−ジメルカプトナフタレン、1,4−ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)テトラフルオロベンゼン、2,4−ジアミノ−1,5−ベンゼンジオール、ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)ケトン、ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)スルフィド、ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)エーテル、ビス(3−メルカプト4−アミノフェニル)スルホン、ビス(3−メルカプト4−アミノフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)ジフルオロメタン等の芳香族ビスアミノメルカプト化合物が挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上で用いることができる。
[(A3) component]
Specific examples of the bismercaptoamino compound (A3) include 2,2′-bis (3-amino-4-mercaptophenyl) hexafluoropropane, 2,2′-bis (3-amino-4-mercapto5). -Trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (4-amino-3-mercaptophenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-mercaptophenyl) propane, 2, 2′-bis (4-amino-3-mercaptophenyl) propane, 3,3′-diamino-4,4′-dimercaptodiphenyl sulfone, 4,4′-diamino-3,3′-dimercaptodiphenyl sulfone, 3,3′-diamino-4,4′-dimercaptobiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dimercaptobiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′- Mercaptodiphenyl ether, 4,4′-diamino-3,3′-dimercaptodiphenyl ether, 3,3′-diamino-4,4′-dimercapto 2,2′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3 , 3'-dimercapto 2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dimercapto 5,5'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'- Dimercapto 5,5′-trifluoromethylbiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dimercapto 6,6′-trifluoromethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dimercapto 6,6 '-Trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dimercapto 5,5'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-di Lucapto 5,5′-pentafluoroethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dimercapto 6,6′-pentafluoroethylbiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dimercapto 5,5 '-Pentafluoroethylbiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dimercapto 6,6'-pentafluoroethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dimercapto 5,5'-trifluoro Methyl biphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dimercapto 5,5'-pentafluoroethylbiphenyl, 3,4'-diamino-4,3'-dimercapto 6,6'-trifluoromethylbiphenyl, 3, , 4′-diamino-4,3′-dimercapto 6,6′-pentafluoroethylbiphenyl, 1,3-diamino-4,6-dimercaptodifluorobenzene, 1, -Diamino-3,6-dimercaptodifluorobenzene, 1,4-diamino-2,3-dimercaptodifluorobenzene, 1,2-diamino-3,6-dimercaptodifluorobenzene, 1-trifluoromethyl-2, 4-diamino-3,5-dimercaptobenzene, 1-trifluoromethyl-2,5-diamino-3,6-dimercaptobenzene, 1-trifluoromethyl-2,4-diamino-3,5-dimercapto Fluorobenzene, 1-trifluoromethyl-2,5-diamino-3,6-dimercaptofluorobenzene, 1,4-bis (trifluoromethyl) -2,5-diamino-3,6-dimercaptobenzene, 1 -Pentafluoroethyl-2,5-diamino-3,6-dimercaptobenzene, 1-perfluorocyclohexyl-2 5-diamino-3,6-dimercaptobenzene, 2,7-diamino-3,6-dimercaptotetrafluoronaphthalene, 2,6-diamino-3,7-dimercaptotetrafluoronaphthalene, 1,6-diamino- 2,5-dimercaptotetrafluoronaphthalene, 2,7-diamino-1,8-dimercaptotetrafluoronaphthalene, 1-trifluoromethyl-3,6-diamino-2,7-dimercaptonaphthalene, 1,5- Bis (trifluoromethyl) -3,7-diamino-2,6-dimercaptonaphthalene, 1-pentafluoroethyl-3,6-diamino-2,7-dimercaptonaphthalene, 1-perfluorocyclohexyl-3, 6-Diamino-2,7-dimercaptonaphthalene, 1,5-bis (trifluoromethyl) -3,7-di Amino-2,6-dimercaptodifluoronaphthalene, 1,4,5,8-tetra (trifluoromethyl) -2,5-diamino-3,6-dimercaptonaphthalene, 1,4-bis (3-amino- 4-mercaptophenyl) tetrafluorobenzene, 2,4-diamino-1,5-benzenediol, bis (3-amino-4-mercaptophenyl) ketone, bis (3-amino-4-mercaptophenyl) sulfide, bis ( Such as 3-amino-4-mercaptophenyl) ether, bis (3-mercapto-4-aminophenyl) sulfone, bis (3-mercapto-4-aminophenyl) methane, bis (3-amino-4-mercaptophenyl) difluoromethane, etc. Aromatic bisaminomercapto compounds are mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

[(B3)成分]
前記(B3)成分としては、前記(B2)で挙げた化合物と同様の化合物を挙げることができる。なお、これら(B3)成分は、1種単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。
[(B3) component]
As said (B3) component, the compound similar to the compound quoted by said (B2) can be mentioned. In addition, these (B3) components can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

なお、ポリベンゾチアゾール前駆体は、−CO−NH−、及び、−SHを含む構造を有する化合物、または、その誘導体(具体的には、例えば、−CO−NH−、及び、−SR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造を有するもの)等であり、加熱等によって、脱水して、環状の化学構造(−S−C=N−(以下、チアゾール環構造ともいう。))を有するポリベンゾチアゾールとなる(以下、−CO−NH−、及び、−SHを含む構造または−CO−NH−、及び、−SR(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造等をメルカプトアミド構造ともいう。)。  The polybenzothiazole precursor is a compound having a structure containing —CO—NH— and —SH, or a derivative thereof (specifically, for example, —CO—NH— and —SR (however, , R is an alkyl group or the like), and is dehydrated by heating or the like to form a cyclic chemical structure (—S—C═N— (hereinafter also referred to as a thiazole ring structure). )) (Hereinafter, a structure containing -CO-NH- and -SH or -CO-NH- and -SR (where R is an alkyl group or the like)). The structure is also referred to as a mercaptoamide structure.)

<ポリベンゾイミダゾール>
重合体がポリベンゾイミダゾールである場合、該ポリベンゾイミダゾールの示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)は230〜420℃であり、好ましくは240〜400℃であり、より好ましくは250〜380℃である。
<Polybenzimidazole>
When the polymer is polybenzimidazole, the glass transition temperature (Tg) by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) of the polybenzimidazole is 230 to 420 ° C., preferably 240 to 400. ° C, more preferably 250-380 ° C.

示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃であるポリベンゾイミダゾールとなりうる前駆体は、例えば、前記成分(A)として、テトラアミン(A4)と、前記成分(B)として、ジカルボン酸、ジカルボン酸クロリド、ジカルボン酸エステルなどからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む成分(B4)とを反応させて得ることができる。一般には芳香族テトラアミン化合物とジカルボン酸とを反応させることでポリベンゾイミダゾール前駆体の1つであるポリアミノアミドを得ることができ、これを加熱等により脱水環化することでポリベンゾイミダゾールを得ることができる。  A precursor that can be a polybenzimidazole having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 420 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min) is, for example, tetraamine (A4) as the component (A). And the component (B) can be obtained by reacting the component (B4) containing at least one compound selected from the group consisting of dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, dicarboxylic acid ester and the like. In general, polyaminoamide, which is one of the polybenzimidazole precursors, can be obtained by reacting an aromatic tetraamine compound with dicarboxylic acid, and polybenzimidazole can be obtained by dehydrating cyclization by heating or the like. Can do.

[(A4)成分]
テトラアミン(A4)としては、具体的には、1,2,4,5−テトラアミノベンゼン、1,2,5,6−テトラアミノナフタレン、2,3,6,7−テトラアミノナフタレン、3,3′,4,4′−テトラアミノジフエニルメタン、3,3′,4,4′−テトラアミノジフエニルエタン、3,3′,4,4′−テトラアミノジフエニ−ル、3,3′,4,4′−テトラアミノジフエニルチオエーテル及び3,3′,4,4′−テトラアミノジフエニルスルフオン等の芳香族テトラアミンを挙げることができる。なお、これら(A4)成分は、1種単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。
[(A4) component]
Specific examples of the tetraamine (A4) include 1,2,4,5-tetraaminobenzene, 1,2,5,6-tetraaminonaphthalene, 2,3,6,7-tetraaminonaphthalene, 3, 3 ', 4,4'-tetraaminodiphenylmethane, 3,3', 4,4'-tetraaminodiphenylethane, 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl, 3,3 Mention may be made of aromatic tetraamines such as ', 4,4'-tetraaminodiphenylthioether and 3,3', 4,4'-tetraaminodiphenylsulfone. In addition, these (A4) components can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

[(B4)成分]
前記(B4)としては、前記(B2)で挙げた化合物と同様の化合物を挙げることができる。なお、これら(B4)成分は、1種単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。
[(B4) component]
Examples of (B4) include the same compounds as those mentioned in (B2) above. In addition, these (B4) components can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

なお、ポリベンゾイミダゾール前駆体は、−CO−NH−、及び、−NH2を含む構造を有する化合物、または、その誘導体(具体的には、例えば、−CO−NH−、及び、−NR2(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造を有するもの)等であり、加熱等によって、脱水して、環状の化学構造(−NH−C=N−(以下、イミダゾール環構造ともいう。))を有するポリベンゾイミダゾールとなる(以下、−CO−NH−、及び、−NH2を含む構造または−CO−NH−、及び、−NR2(ただし、Rはアルキル基等である。)を含む構造等をアミノアミド構造ともいう。)。The polybenzimidazole precursor is a compound having a structure containing —CO—NH— and —NH 2 or a derivative thereof (specifically, for example, —CO—NH— and —NR 2). (Where R is an alkyl group or the like) and the like, and is dehydrated by heating or the like to form a cyclic chemical structure (—NH—C═N— (hereinafter also referred to as an imidazole ring structure). (Hereinafter, a structure containing —CO—NH— and —NH 2 , or —CO—NH— and —NR 2 (where R is an alkyl group or the like)). A structure including.) Is also referred to as an aminoamide structure.

[膜形成用組成物]
前記複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物は、それぞれ(A)成分((A1)〜(A4)成分)と(B)成分((B1)〜(B4)成分)とを有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。(A)成分と(B)成分とを反応させる際の具体的な方法としては、少なくとも1種の(B)成分を有機溶媒に溶解した後、得られた溶液に、少なくとも1種の(A)成分を添加し、0〜100℃の温度で、1〜60時間撹拌する方法等が挙げられる。
[Composition for film formation]
The film-forming composition containing the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer and the organic solvent has components (A) (components (A1) to (A4)) and components (B) ((B1) to (B4), respectively. It can be obtained by reacting the component) in an organic solvent. As a specific method for reacting the component (A) and the component (B), at least one component (B) is dissolved in an organic solvent, and then the resulting solution is mixed with at least one component (A). And the like, and a method of stirring at a temperature of 0 to 100 ° C. for 1 to 60 hours.

上記有機溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素等の非プロトン系極性溶媒;クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール等のフェノール系溶媒;等が挙げられる。中でも、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。また、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドから選ばれる少なくとも一種の有機溶媒を、用いる有機溶媒全量(100重量%)に対して50重量%以上、好ましくは70〜100重量%含むことが好ましい。  Examples of the organic solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, N, N′-dimethylimidazolidinone, and tetramethyl. Aprotic polar solvents such as urea; phenolic solvents such as cresol, xylenol, and halogenated phenol; Among these, N, N′-dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylacetamide are preferable. Further, at least one organic solvent selected from N, N′-dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylacetamide is used as the total amount of organic solvent (100% by weight). On the other hand, it is preferable to contain 50% by weight or more, preferably 70 to 100% by weight.

これらの溶媒は一種単独で、あるいは2種以上混合して使用することができる。  These solvents can be used alone or in combination of two or more.

なお、反応液中の(A)成分と(B)成分との合計量は、反応液全量の5〜30質量%であることが好ましい。  In addition, it is preferable that the total amount of (A) component and (B) component in a reaction liquid is 5-30 mass% of reaction liquid whole quantity.

(A)成分と(B)成分とは、(A)成分と(B)成分とのモル比((A)成分/(B)成分)が0.8〜1.2となるように反応させることが好ましく、0.95〜1.0となるように反応させることがより好ましい。(A)成分と(B)成分とのモル比が、0.8当量未満、若しくは1.2当量を超えると、分子量が低くなり膜(フィルム)を形成することが困難なことがある。  (A) component and (B) component are made to react so that molar ratio ((A) component / (B) component) of (A) component and (B) component may be 0.8-1.2. It is preferable to make it react so that it may become 0.95-1.0. When the molar ratio of the component (A) to the component (B) is less than 0.8 equivalent or more than 1.2 equivalent, the molecular weight may be low and it may be difficult to form a film (film).

また、得られた複素環含有前駆体と有機溶媒とを含む組成物は、そのまま前記膜形成用組成物として使用することもできるが、前記膜形成用組成物は、得られた複素環含有前駆体を固体分として単離した後、有機溶媒に再溶解することで得ることもできる。なお、再溶解する有機溶媒としては、上記有機溶媒と同様の化合物が挙げられる。複素環含有重合体の前駆体等を単離する方法としては、複素環含有重合体の前駆体および有機溶媒等を含む溶液を、メタノールやイソプロパノール等の、複素環含有重合体の前駆体に対する貧溶媒に投じて重合体前駆体等を沈殿させ、濾過・洗浄・乾燥等により各重合体前駆体を固体分として分離する方法等が挙げられる。  Further, the composition containing the obtained heterocyclic-containing precursor and the organic solvent can be used as it is as the film-forming composition, but the film-forming composition is obtained from the obtained heterocyclic-containing precursor. It can also be obtained by isolating the body as a solid and then re-dissolving it in an organic solvent. In addition, as an organic solvent which redissolves, the compound similar to the said organic solvent is mentioned. As a method for isolating a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer, a solution containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent is used as a poor solution for a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer such as methanol or isopropanol. Examples thereof include a method in which a polymer precursor is precipitated by being poured into a solvent, and each polymer precursor is separated as a solid component by filtration, washing, drying, or the like.

前記膜形成用組成物の粘度(E型粘度計、25℃測定)は、5,000〜50,000cPであることが好ましく、7,500〜30,000cPであることがより好ましい。前記膜形成用組成物の粘度が前記範囲にあると、塗工性に優れる組成物を得ることができる。  The film-forming composition preferably has a viscosity (E-type viscometer, measured at 25 ° C.) of 5,000 to 50,000 cP, more preferably 7,500 to 30,000 cP. When the viscosity of the film-forming composition is in the above range, a composition having excellent coating properties can be obtained.

なお、工程(a)において塗膜を形成した後、工程(b)の前に用いる前駆体を部分的にイミド化等の部分環化することも可能である。  In addition, after forming a coating film in a process (a), it is also possible to partially cyclize the precursor used before a process (b), such as imidation.

工程(b)の前に部分環化を行うことで、より耐熱性に優れる基板を得ることができる。  By performing partial cyclization before the step (b), a substrate having more excellent heat resistance can be obtained.

この方法としては、脱水剤を用いる方法(化学イミド化などの化学的部分環化)等が挙げられ、より低温での加熱によって部分環化を行うことができることなどから、化学イミド化などの化学的部分環化が好ましい。  Examples of this method include a method using a dehydrating agent (chemical partial cyclization such as chemical imidation) and the like. Since partial cyclization can be performed by heating at a lower temperature, chemical imidization and other chemicals are possible. Partial cyclization is preferred.

化学イミド化などの化学的部分環化に用いることができる脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、もしくはこれらの化合物に対応する酸クロライド類、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等が挙げられる。なお、化学的部分環化の際には、部分的に環化する程度の温度、具体的には60〜120℃の温度で加熱することが好ましい。  Examples of dehydrating agents that can be used for chemical partial cyclization such as chemical imidization include acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and benzoic anhydride, or acid chlorides corresponding to these compounds, dicyclohexylcarbodiimide, etc. And carbodiimide compounds. In the case of chemical partial cyclization, it is preferable to heat at a temperature at which partial cyclization occurs, specifically at a temperature of 60 to 120 ° C.

また、部分イミド化などの部分環化の際には、必要に応じて、ピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、N,N−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール等の塩基触媒を用いることができる。上記脱水剤又は塩基触媒は、(A)成分1モルに対し、それぞれ0.1〜8モルの範囲で用いることが好ましい。  In the partial cyclization such as partial imidization, a base catalyst such as pyridine, isoquinoline, trimethylamine, triethylamine, N, N-dimethylaminopyridine, or imidazole can be used as necessary. The dehydrating agent or the base catalyst is preferably used in an amount of 0.1 to 8 moles per 1 mole of component (A).

なお、部分イミド化などの部分環化を行う場合には、前記複素環含有重合体の前駆体中のアミック酸構造、ヒドロキシアミド構造、メルカプトアミド構造、およびアミノアミド構造等の前駆体構造100モル%の少なくとも一部、好ましくは5〜70モル%、より好ましくは10〜60モル%、特に好ましくは20〜50モル%を部分イミド化などの部分環化するように行われる。  When partial cyclization such as partial imidization is performed, 100 mol% of a precursor structure such as an amic acid structure, a hydroxyamide structure, a mercaptoamide structure, and an aminoamide structure in the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer. At least a part, preferably 5 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, and particularly preferably 20 to 50 mol% of the compound is partially cyclized by partial imidization.

また、膜形成用組成物を塗布する対象である支持体しては、シリコンウエハ、無アルカリガラスなどが挙げられる。無アルカリガラスとは、カリウムやナトリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスのことである。  Examples of the support to which the film forming composition is applied include a silicon wafer and non-alkali glass. The alkali-free glass is a glass that does not contain an alkaline component such as potassium or sodium.

このような支持体は、加熱条件下で高寸法安定性を有するため、工程(a)や工程(b)において、熱が印加されても、寸法変化が少ない。このため、該支持体上に設けられる膜(フィルム)も寸法変化が少なくなり、素子を所望の位置に容易に形成することができる。  Since such a support has high dimensional stability under heating conditions, there is little dimensional change even when heat is applied in the step (a) or the step (b). For this reason, the film (film) provided on the support also has less dimensional change, and the element can be easily formed at a desired position.

また、このような支持体を用いることで、該支持体を取り除いた後の基板の反りやねじりを防ぐことができる。このため、このような支持体上で膜を形成し、さらに素子を形成することが好ましい。  Further, by using such a support, it is possible to prevent warping or twisting of the substrate after the support is removed. For this reason, it is preferable to form a film on such a support and further form an element.

膜形成用組成物を支持体上に塗布する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、ドクターブレードを用いる方法等を使用することができる。  As a method for applying the film-forming composition onto the support, a roll coating method, a gravure coating method, a spin coating method, a method using a doctor blade, or the like can be used.

また、上記塗布物を乾燥する工程は、具体的には上記塗布物を加熱することにより行うことができる。塗膜を加熱することにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去することができる。上記加熱の条件は、有機溶媒が蒸発すればよく特に限定されないが、例えば60〜250℃で1〜5時間である。なお、加熱は二段階で行ってもよい。例えば、100℃で30分加熱した後、150℃で1時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下、もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。  Moreover, the process of drying the said coating material can be specifically performed by heating the said coating material. By heating the coating film, the organic solvent in the coating film can be evaporated and removed. The heating condition is not particularly limited as long as the organic solvent evaporates. For example, the heating condition is 60 to 250 ° C. for 1 to 5 hours. Heating may be performed in two stages. For example, after heating at 100 ° C. for 30 minutes, heating at 150 ° C. for 1 hour. Further, if necessary, drying may be performed under a nitrogen atmosphere or under reduced pressure.

塗膜の厚さは、特に限定されないが、例えば1〜250μmであり、好ましくは2〜150μmであり、より好ましくは5〜125μmである。  Although the thickness of a coating film is not specifically limited, For example, it is 1-250 micrometers, Preferably it is 2-150 micrometers, More preferably, it is 5-125 micrometers.

[工程(b)]
次いで、工程(a)で得られた塗膜を前記複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜前記複素環含有重合体のガラス転移温度のより20℃高い温度、好ましくはガラス転移温度より60℃低い温度〜前記複素環含有重合体のガラス転移温度、好ましくは160〜420℃で加熱し、前記複素環含有重合体を環化する。なお、工程(b)における加熱は、前記工程(a)における乾燥(有機溶媒を蒸発させる)を加熱により行う際の温度よりも高い温度であることが望ましい。
[Step (b)]
Next, the coating film obtained in step (a) is at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to 20 ° C. higher than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer, preferably the glass transition temperature. The heterocyclic ring-containing polymer is cyclized by heating at a temperature 60 ° C. lower than the temperature to the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer, preferably 160 to 420 ° C. The heating in the step (b) is desirably a temperature higher than the temperature at which the drying (evaporating the organic solvent) in the step (a) is performed by heating.

さらに、環化工程(b)を前記複素環含有重合体のガラス転移温度(Tg)付近(±10℃)で行うことが、得られる膜や基板は、支持体との密着性および剥離性の点で好ましい。  Furthermore, when the cyclization step (b) is carried out near the glass transition temperature (Tg) (± 10 ° C.) of the heterocyclic ring-containing polymer, the resulting film or substrate has good adhesion to the support and peelability. This is preferable.

本発明において、前記複素環含有重合体の前駆体として、2種以上の前駆体を用いる場合には、工程(b)における加熱温度は、それらの前駆体から得られる重合体のガラス転移温度の中で最も低い温度を基準として決める。  In the present invention, when two or more kinds of precursors are used as the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer, the heating temperature in the step (b) is the glass transition temperature of the polymer obtained from those precursors. Decide on the basis of the lowest temperature.

なお、前記複素環含有重合体の前駆体がポリイミド前駆体の場合にはポリイミド系膜、前記複素環含有重合体の前駆体がポリベンゾオキサゾール前駆体の場合には、ポリベンゾオキサゾール系膜、前記複素環含有重合体の前駆体がポリベンゾチアゾール前駆体の場合にはポリベンゾチアゾール系膜、前記複素環含有重合体の前駆体がポリベンゾイミダゾール前駆体の場合にはポリベンゾイミダゾール系膜を得る。  In addition, when the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polyimide precursor, a polyimide film, and when the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polybenzoxazole precursor, a polybenzoxazole film, A polybenzothiazole film is obtained when the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polybenzothiazole precursor, and a polybenzimidazole film is obtained when the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polybenzimidazole precursor. .

また、前記複素環含有重合体の前駆体がポリアミック酸の場合には、具体的には、得られた塗膜を、例えば160℃〜420℃で熱処理することにより脱水環化(イミド化)する(熱イミド化)。熱イミド化の温度としては、剥離性の観点から160〜350℃であることが好ましく、200〜350℃であることが好ましく、230〜270℃であることが好ましく、240〜250℃であることがより好ましい。さらに、熱イミド化の温度としては、剥離性の観点から、用いる前駆体のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。  When the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polyamic acid, specifically, the obtained coating film is subjected to dehydration cyclization (imidization) by heat treatment at, for example, 160 ° C. to 420 ° C. (Thermal imidization). The temperature of thermal imidization is preferably 160 to 350 ° C from the viewpoint of peelability, preferably 200 to 350 ° C, preferably 230 to 270 ° C, and 240 to 250 ° C. Is more preferable. Further, the thermal imidization temperature is particularly preferably not higher than the glass transition temperature of the precursor used from the viewpoint of peelability.

なお、イミド化は、アミック酸構造およびイミド環構造の合計100モル%中、イミド環構造の割合(以下、閉環率ともいう。)が好ましくは75モル%以上、さらに好ましくは85モル%以上、特に好ましくは90モル%以上となるように行われる。イミド環構造の割合が75モル%未満であると、得られるポリイミド系膜や基板の吸水率が高くなることや、耐久性が低下することがある。  In the imidization, the ratio of the imide ring structure (hereinafter also referred to as the cyclization rate) is preferably 75 mol% or more, more preferably 85 mol% or more, in a total of 100 mol% of the amic acid structure and the imide ring structure. Particularly preferably, it is carried out so as to be 90 mol% or more. When the ratio of the imide ring structure is less than 75 mol%, the water absorption rate of the obtained polyimide film or substrate may be increased, or the durability may be lowered.

また、ポリイミドのイミド基濃度は、イミド化率が100モル%であると仮定した場合に、2.5〜3.7mmol/gであることが好ましく、3.0〜3.7mmol/gであることがより好ましく、3.0〜3.5mmol/gであることがさらに好ましい。  The imide group concentration of the polyimide is preferably 2.5 to 3.7 mmol / g, and preferably 3.0 to 3.7 mmol / g, assuming that the imidization rate is 100 mol%. More preferably, it is 3.0-3.5 mmol / g.

また、複素環含有重合体の前駆体がポリベンゾオキサゾール前駆体の場合には、具体的には、得られた塗膜を、例えば160℃〜420℃で熱処理することにより脱水環化する。環化の温度としては、剥離性の観点から160℃〜350℃であることが好ましく、200℃〜340℃であることが好ましく、230℃〜330℃であることがより好ましい。さらに、環化の温度としては、剥離性の観点から、用いるポリベンゾオキサゾール前駆体のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。  When the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is a polybenzoxazole precursor, specifically, the obtained coating film is subjected to dehydration cyclization by heat treatment at, for example, 160 ° C. to 420 ° C. The cyclization temperature is preferably 160 ° C. to 350 ° C., preferably 200 ° C. to 340 ° C., and more preferably 230 ° C. to 330 ° C. from the viewpoint of peelability. Furthermore, the cyclization temperature is particularly preferably not higher than the glass transition temperature of the polybenzoxazole precursor used from the viewpoint of peelability.

ポリベンゾオキサゾール前駆体の環化は、ヒドロキシアミド構造およびオキサゾール環構造の合計100モル%中、オキサゾール環構造の割合(以下、閉環率ともいう。)が好ましくは75モル%以上、さらに好ましくは85モル%以上、特に好ましくは90モル%以上となるように行われる。オキサゾール環構造の割合が75モル%未満であると、得られるポリベンゾオキサゾール系膜や基板の吸水率が高くなることや、耐久性が低下することがある。  In the cyclization of the polybenzoxazole precursor, the ratio of the oxazole ring structure (hereinafter also referred to as ring closure rate) is preferably 75 mol% or more, more preferably 85, out of the total 100 mol% of the hydroxyamide structure and the oxazole ring structure. It is carried out so as to be at least mol%, particularly preferably at least 90 mol%. When the proportion of the oxazole ring structure is less than 75 mol%, the water absorption rate of the obtained polybenzoxazole-based film or substrate may be increased or the durability may be decreased.

また、重合体の前駆体がポリベンゾチアゾール前駆体の場合には、具体的には、得られた塗膜を、例えば160℃〜420℃で熱処理することにより脱水環化する。環化の温度としては、剥離性の観点から160℃〜350℃であることが好ましく、200℃〜340℃であることが好ましく、230℃〜330℃であることがより好ましい。さらに、環化の温度としては、剥離性の観点から、ポリベンゾチアゾール前駆体のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。  When the polymer precursor is a polybenzothiazole precursor, specifically, the obtained coating film is subjected to dehydration cyclization by heat treatment at, for example, 160 ° C. to 420 ° C. The cyclization temperature is preferably 160 ° C. to 350 ° C., preferably 200 ° C. to 340 ° C., and more preferably 230 ° C. to 330 ° C. from the viewpoint of peelability. Furthermore, the cyclization temperature is particularly preferably not higher than the glass transition temperature of the polybenzothiazole precursor from the viewpoint of peelability.

ポリベンゾチアゾール前駆体の環化は、メルカプトアミド構造およびチアゾール環構造の合計100モル%中、チアゾール環構造の割合(以下、閉環率ともいう。)が100モル%中、チアゾール環構造の割合が、好ましくは75モル%以上、さらに好ましくは85モル%以上、特に好ましくは90モル%以上となるように行われる。チアゾール環構造の割合が75モル%未満であると、得られるポリベンゾチアゾール系膜や基板の吸水率が高くなることや、耐久性が低下することがある。  The cyclization of the polybenzothiazole precursor is carried out in such a manner that the ratio of the thiazole ring structure (hereinafter also referred to as the ring closure ratio) is 100 mol% in the total 100 mol% of the mercaptoamide structure and the thiazole ring structure. Preferably, it is carried out so as to be 75 mol% or more, more preferably 85 mol% or more, particularly preferably 90 mol% or more. When the ratio of the thiazole ring structure is less than 75 mol%, the water absorption rate of the obtained polybenzothiazole-based film or substrate may be increased or the durability may be decreased.

また、重合体の前駆体がポリベンゾイミダゾール前駆体の場合には、具体的には、得られた塗膜を、例えば160℃〜420℃で熱処理することにより脱水環化する。環化の温度としては、剥離性の観点から160℃〜350℃であることが好ましく、200℃〜340℃であることが好ましく、230℃〜330℃であることがより好ましい。さらに、環化の温度としては、剥離性の観点から、ポリベンゾイミダゾール前駆体のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。  When the polymer precursor is a polybenzimidazole precursor, specifically, the obtained coating film is subjected to dehydration cyclization by heat treatment at, for example, 160 ° C. to 420 ° C. The cyclization temperature is preferably 160 ° C. to 350 ° C., preferably 200 ° C. to 340 ° C., and more preferably 230 ° C. to 330 ° C. from the viewpoint of peelability. Furthermore, the cyclization temperature is particularly preferably not higher than the glass transition temperature of the polybenzimidazole precursor from the viewpoint of peelability.

ポリベンゾイミダゾール前駆体の環化は、アミノアミド構造およびイミダゾール環構造の合計100モル%中、イミダゾール環構造の割合(以下、閉環率ともいう。)が、イミダゾール環構造の割合が、好ましくは75モル%以上、さらに好ましくは85モル%以上、特に好ましくは90モル%以上となるように行われる。イミダゾール環構造の割合が75モル%未満であると、得られるポリベンゾイミダゾール系膜や基板の吸水率が高くなることや、耐久性が低下することがある。  In the cyclization of the polybenzimidazole precursor, the ratio of the imidazole ring structure (hereinafter also referred to as the ring closure rate) in the total 100 mol% of the aminoamide structure and the imidazole ring structure is preferably 75 mol. % Or more, more preferably 85 mol% or more, particularly preferably 90 mol% or more. When the proportion of the imidazole ring structure is less than 75 mol%, the water absorption rate of the obtained polybenzimidazole film or substrate may be increased, or the durability may be lowered.

また、本発明においては、ポリイミド系膜等の膜(フィルム)の厚みが好ましくは1〜250μm、より好ましくは2〜150μm、特に好ましくは10〜125μmである。  In the present invention, the thickness of a film (film) such as a polyimide film is preferably 1 to 250 μm, more preferably 2 to 150 μm, and particularly preferably 10 to 125 μm.

[工程(c)]
続いて、前記工程(b)により得られた膜(フィルム)上に、素子を形成することで基板を製造する。形成する素子としては、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、薄膜トランジスタ(TFT)素子等の発光素子、金属配線、半導体集積回路等のモジュール挙げられる。
[Step (c)]
Then, a board | substrate is manufactured by forming an element on the film | membrane (film) obtained by the said process (b). Examples of the element to be formed include light-emitting elements such as organic electroluminescence (EL) elements and thin film transistor (TFT) elements, modules such as metal wirings and semiconductor integrated circuits.

前記工程(b)により得られた膜(フィルム)上に有機EL素子、TFT素子等の発光素子等を形成した場合には、フレキシブルディスプレイ基板などとして用いることができ、また、金属配線、半導体集積回路等のモジュールを形成した場合には、フレキシブル配線用基板などとして用いることができる。  When a light emitting element such as an organic EL element or a TFT element is formed on the film (film) obtained by the step (b), it can be used as a flexible display substrate or the like. When a module such as a circuit is formed, it can be used as a flexible wiring board.

TFT素子を形成する方法としては、具体的には、前記膜上にスパッタ法等で金属や金属酸化物などの膜を形成した後にエッチングするなどして、ゲート電極を設ける。スパッタ法等で金属や金属酸化物などの膜を形成する際の温度は、用いる前駆体や形成する素子に応じて適宜選択すればよいが、210℃〜400℃であることが好ましく、220〜370℃であうことがより好ましく、230〜350℃であることが好ましい。次に、ゲート電極を設けた膜上にプラズマCVD法等で窒化珪素膜等のゲート絶縁膜を形成する。さらに、ゲート絶縁膜上にプラズマCVD法などにより有機半導体などからなる活性層を形成する。プラズマCVD法等でゲート絶縁膜や有機半導体などの膜を形成する際の温度は、用いる前駆体や形成する素子に応じて適宜選択すればよいが、210℃〜400℃であることが好ましく、220〜370℃であうことがより好ましく、230〜350℃であることが好ましい。次に活性層の上にスパッタ法などで金属や金属酸化物などの膜を形成した後にエッチングするなどして、ソース電極およびドレイン電極を設ける。最後に必要に応じてプラズマCVD法等で窒化珪素膜等を形成し、保護膜とすることにより、薄膜トランジスタ素子を製造することができる。  As a method for forming the TFT element, specifically, a gate electrode is provided by forming a film of metal, metal oxide or the like on the film by sputtering or the like and then etching. What is necessary is just to select suitably the temperature at the time of forming films | membranes, such as a metal and a metal oxide, by the sputtering method etc. according to the precursor to be used or the element to form, It is preferable that it is 210 to 400 degreeC, 220 to More preferably, it is 370 degreeC, and it is preferable that it is 230-350 degreeC. Next, a gate insulating film such as a silicon nitride film is formed on the film provided with the gate electrode by a plasma CVD method or the like. Further, an active layer made of an organic semiconductor or the like is formed on the gate insulating film by a plasma CVD method or the like. The temperature at which a film such as a gate insulating film or an organic semiconductor is formed by plasma CVD or the like may be appropriately selected according to the precursor to be used and the element to be formed, but is preferably 210 ° C to 400 ° C. It is more preferable that it is 220-370 degreeC, and it is preferable that it is 230-350 degreeC. Next, a source electrode and a drain electrode are provided by forming a film of metal, metal oxide, or the like on the active layer by sputtering or the like and then etching. Finally, a thin film transistor element can be manufactured by forming a silicon nitride film or the like by a plasma CVD method or the like as a protective film as necessary.

以上では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ素子を説明したが、本発明の薄膜トランジスタ素子はこの構造に限定されず、トップゲート型であってもよい。  Although the bottom gate type thin film transistor element has been described above, the thin film transistor element of the present invention is not limited to this structure, and may be a top gate type.

ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極は、導電性材料で形成されれば特に制限されないが、金属や金属酸化物などを挙げることができる。  The gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are not particularly limited as long as they are formed of a conductive material, and examples thereof include metals and metal oxides.

金属の例としては、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびこれらの合金が挙げられ、金属酸化物の例としては、ITO、IZO、ZnOおよびIn23が挙げられる。このほかにも、膜との接着性を考慮して、前記導電性材料として、導電性ポリマーを用いてもよい。Examples of metals include platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, aluminum, zinc, magnesium, and alloys thereof, and examples of metal oxides , ITO, IZO, ZnO and In 2 O 3 . In addition, a conductive polymer may be used as the conductive material in consideration of adhesiveness with the film.

これらの中でも金属酸化物を用いると、透明電極を形成することができるため、好ましい。  Among these, it is preferable to use a metal oxide because a transparent electrode can be formed.

また、有機EL素子を形成する方法としては、例えば、前記膜上に、膜面側から順に、絶縁層、第1の電極、有機半導体層、第2の電極および保護層を形成する方法が挙げられる。  Moreover, as a method of forming the organic EL element, for example, a method of forming an insulating layer, a first electrode, an organic semiconductor layer, a second electrode, and a protective layer on the film in order from the film surface side. It is done.

さらに、金属配線を形成する方法としては、例えば、ラミネート法、メタライジング法等により膜上に銅層を設け、該銅層を公知の方法で処理することで金属配線を設けることができる。ラミネート法の場合には、たとえば、前記フィルム上に銅箔等の金属箔を、ロールプレス機等を用いて熱プレスすることで、銅層を設けることができる。メタライジング法の場合には、例えば、蒸着法またはスパッタリング法によって、前記膜と結合するNi系の金属からなるシード層を形成する。そして、湿式めっき法により所定の膜厚の銅層を設けることができる。なお、メタライジング法を用いる場合には、金属との親和性を発現させるために予め前記膜の表面改質を行っておくことも可能である。  Furthermore, as a method of forming the metal wiring, for example, a copper layer is provided on the film by a lamination method, a metalizing method, or the like, and the metal wiring can be provided by processing the copper layer by a known method. In the case of the laminating method, a copper layer can be provided by, for example, hot pressing a metal foil such as a copper foil on the film using a roll press machine or the like. In the case of the metalizing method, for example, a seed layer made of a Ni-based metal bonded to the film is formed by a vapor deposition method or a sputtering method. Then, a copper layer having a predetermined thickness can be provided by a wet plating method. In the case of using the metalizing method, it is possible to modify the surface of the film in advance in order to develop an affinity with the metal.

前記膜(フィルム)は、耐熱性に優れ、支持体との密着性に優れるため、膜(フィルム)上に素子を形成する際の印加可能温度範囲が広く、性能に優れる基板を得ることができる。  Since the film (film) is excellent in heat resistance and excellent in adhesion to the support, a temperature range that can be applied when forming an element on the film (film) is wide, and a substrate having excellent performance can be obtained. .

[工程(d)]
次に、前記工程(c)で得られた基板を前記支持体から剥離する。前記工程(c)で得られた基板は剥離性に優れるため、容易に基板を支持体から全面剥離することができる。
[Step (d)]
Next, the substrate obtained in the step (c) is peeled from the support. Since the substrate obtained in the step (c) is excellent in releasability, the entire substrate can be easily peeled from the support.

剥離の方法としては、基板の端部に予めマスキングテープを貼り付け、上記工程(a)から(c)を実施した後、マスキングテープをはがすことを起点として基板を剥離する方法や、支持体の端部に切り込みを入れて起点を作り剥離する方法、水やアルコールなどの溶剤に浸漬して剥離する方法、等が挙げられる。剥離する際の温度は、通常0〜100℃であり、好ましくは10〜70℃であり、より好ましくは20〜50℃である。  As a peeling method, a masking tape is previously applied to the edge of the substrate, the steps (a) to (c) are performed, and then the substrate is peeled off by peeling off the masking tape. Examples thereof include a method of making an incision at the end to make a starting point and peeling off, a method of peeling by immersing in a solvent such as water and alcohol, and the like. The temperature at the time of peeling is usually 0 to 100 ° C, preferably 10 to 70 ° C, more preferably 20 to 50 ° C.

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
(1)ガラス転移温度(Tg)
下記実施例または比較例で得られたフィルムを用いて各複素環含有重合体のガラス転移温度を、Rigaku社製8230型DSC測定装置を用いて、昇温速度を20℃/minとして測定した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.
(1) Glass transition temperature (Tg)
Using the films obtained in the following examples or comparative examples, the glass transition temperature of each heterocyclic ring-containing polymer was measured using a Rigaku 8230 type DSC measuring apparatus at a heating rate of 20 ° C./min.

(2)粘度
下記実施例または比較例で得られたポリアミック酸溶液(組成物)を東機産業株式会社製RE−100型粘度測定装置を用いて、25℃で測定した。
(2) Viscosity The polyamic acid solution (composition) obtained in the following examples or comparative examples was measured at 25 ° C. using a RE-100 type viscosity measuring device manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.

(3)厚膜塗工性
スピンコーターでの塗工時に塗工不良のないものを[○]、面荒れや全面塗工できないものを[×]とした。
(3) Thick film coatability [○] was given when there was no coating failure during coating with a spin coater, and [x] was given when the surface was rough or could not be applied over the entire surface.

(4)剥離性
環化工程(250℃乾燥終了後)に、支持体から全面剥離可能なものを[◎]、全面剥離可能で一部剥離痕が残るものを[○]、一部剥離付加又は全面剥離不可を[×]とした。
(4) Peelability In the cyclization process (after drying at 250 ° C.), [◎] indicates that the entire surface can be peeled from the support, [○] indicates that the entire surface can be peeled and remains partially peeled [○], and partially peeled. Alternatively, [x] indicates that the entire surface cannot be peeled.

(5)自己支持性
環化工程(250℃乾燥終了後)に、フィルムに割れ等がなく自己支持性のあるものを[○]それ以外を[×]とした。
(5) Self-supporting In the cyclization step (after completion of drying at 250 ° C.), a film having no cracks and the like and having a self-supporting property was designated as “◯” and the others were designated as “X”.

(6)フィルム反り
支持体から剥離したフィルムを40×40mmに切り出し、反りが1.0mm未満のものを[◎]、反りが1.0mm以上2.0mm未満のものを[○]、反りが2.0mm以上のものを[×]とした。
(6) Film warp The film peeled off from the support is cut into 40 × 40 mm, the warp is less than 1.0 mm [[], the warp is 1.0 mm or more and less than 2.0 mm [◯], the warp is The thing of 2.0 mm or more was set as [x].

(7)イミド基濃度(イミド化率が100モル%であると仮定した場合の理論値)
イミド化率が100モル%であると仮定すると、得られたポリマー中の繰り返し単位の分子量は、((A)成分の分子量)+((B)成分の分子量)−2×(水の分子量)で求められる。この繰り返し単位1つあたり、2つのイミド基を含むため、下記実施例または比較例で得られた重合体のイミド基濃度(イミド化率が100モル%であると仮定した場合の理論値)は、下記式により求めた。
[イミド基濃度](単位:mmol/g)=2/{((A)成分の分子量)+((B)成分の分子量)−2×(水の分子量)}×1000
(8)重量平均分子量
下記実施例または比較例で得られたポリアミック酸またはポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均分子量は、TOSOH製HLC−8020型GPC装置を使用して測定した。溶媒には、臭化リチウム及び燐酸を添加したN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を用い、測定温度40℃にて、ポリスチレン換算の分子量を求めた。
(7) Imido group concentration (theoretical value assuming that the imidization rate is 100 mol%)
Assuming that the imidization rate is 100 mol%, the molecular weight of the repeating unit in the obtained polymer is (molecular weight of (A) component) + (molecular weight of (B) component) −2 × (molecular weight of water) Is required. Since each of these repeating units contains two imide groups, the imide group concentration (theoretical value assuming that the imidization rate is 100 mol%) of the polymer obtained in the following Examples or Comparative Examples is Was determined by the following formula.
[Imide group concentration] (unit: mmol / g) = 2 / {(molecular weight of component (A)) + (molecular weight of component (B)) − 2 × (molecular weight of water)} × 1000
(8) Weight average molecular weight The weight average molecular weight of the polyamic acid or polybenzoxazole precursor obtained in the following examples or comparative examples was measured using an HLC-8020 GPC apparatus manufactured by TOSOH. As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to which lithium bromide and phosphoric acid were added was used, and the molecular weight in terms of polystyrene was determined at a measurement temperature of 40 ° C.

[実施例1]
温度計、攪拌機、窒素導入管、冷却管を取り付けた300mLの4つ口フラスコに(B)成分として2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下「BAPP」ともいう。)9.48g(23.1mmol)を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、N,N−ジメチルアセトアミド(以下「DMAc」ともいう。)58mlを加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液に(A)成分としてピロメリット酸二無水物(以下「PMDA」ともいう。)3.74g(17.2mmol)と4,4"−オキシジフタル酸二無水物(以下「ODPA」ともいう。)1.77g(5.7mmol)を室温(約25℃)で加え、そのままの温度で24時間攪拌を続けて、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。
[Example 1]
A 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (hereinafter also referred to as “BAPP”) as a component (B) was added to a 300 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen introduction tube, and a cooling tube. .) 9.48 g (23.1 mmol) was added. Next, after the flask was purged with nitrogen, 58 ml of N, N-dimethylacetamide (hereinafter also referred to as “DMAc”) was added and stirred until uniform. In the obtained solution, as component (A), pyromellitic dianhydride (hereinafter also referred to as “PMDA”) 3.74 g (17.2 mmol) and 4,4 ”-oxydiphthalic dianhydride (hereinafter referred to as“ ODPA ”). 1.77 g (5.7 mmol) was added at room temperature (about 25 ° C.), and stirring was continued at that temperature for 24 hours to obtain a polyamic acid solution (composition).

得られた組成物の粘度を測定した。また、得られた組成物の一部を用いて、該組成物からポリアミック酸を単離した。単離したポリアミック酸の重量平均分子量を評価した。なお、重量平均分子量は、イミド化前のポリアミック酸について測定した。結果を表1に示す。  The viscosity of the obtained composition was measured. Moreover, the polyamic acid was isolated from this composition using a part of obtained composition. The weight average molecular weight of the isolated polyamic acid was evaluated. In addition, the weight average molecular weight was measured about the polyamic acid before imidation. The results are shown in Table 1.

次いで、得られたポリアミック酸溶液を、スピンコーターを用いて無アルカリガラス支持体上に任意の回転数および時間(300rpmで5秒、ついで1000rpmで10秒)で塗布し、70℃で30分、ついで120℃で30分乾燥することで塗膜を得た。その後、環化(イミド化)工程として得られた塗膜をさらに250℃で2時間乾燥して、その後、無アルカリガラス支持体から剥離し、膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)をIR(ATR法、FT−IR,6700、NICOLET社製)スペクトルを測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。  Next, the obtained polyamic acid solution was applied on an alkali-free glass support using a spin coater at an arbitrary rotation number and time (5 seconds at 300 rpm, then 10 seconds at 1000 rpm), and 30 minutes at 70 ° C. Subsequently, the coating film was obtained by drying at 120 degreeC for 30 minutes. Then, the coating film obtained as a cyclization (imidation) step was further dried at 250 ° C. for 2 hours, and then peeled off from the alkali-free glass support to obtain a film (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring IR (ATR method, FT-IR, 6700, manufactured by NICOLET) spectrum of the obtained film (film), it was confirmed that the amic acid structure disappeared and imidized.

得られたフィルムの評価結果を表1に示す。  The evaluation results of the obtained film are shown in Table 1.

[実施例2]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.29g(22.5mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA2.93g(13.4mmol)、およびODPA2.78g(9.0mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 2]
As component (B), 9.29 g (22.5 mmol) of BAPP was used instead of 9.48 g of BAPP, and 2.93 g (13.4 mmol) of PMDA instead of 3.74 g of PMDA and 1.77 g of ODPA as component (A), and 2.78 g of ODPA A polyamic acid solution (composition) was obtained in the same manner as in Example 1 except that (9.0 mmol) was used. Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例3]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.33g(22.7mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA2.91g(13.4mmol)およびODPA2.76g(8.9mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 3]
As component (B), 9.33 g (22.7 mmol) of BAPP was used instead of 9.48 g of BAPP, and 2.91 g (13.4 mmol) of PMDA and 2.76 g of ODPA instead of 3.74 g of PMDA and 1.77 g of ODPA as component (A) ( 8.9 mmol) was used in the same manner as in Example 1 to obtain a polyamic acid solution (composition). Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例4]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりに4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル(以下「BAPB」ともいう。)8.81g(23.9mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA2.56g(11.7mmol)、およびODPA3.64g(11.7mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 4]
As component (B), 8.81 g (23.9 mmol) of 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (hereinafter also referred to as “BAPB”) is used instead of BAPP 9.48 g, and PMDA3 is used as component (A). A polyamic acid solution (composition) was obtained in the same manner as in Example 1 except that PMDA 2.56 g (11.7 mmol) and ODPA 3.64 g (11.7 mmol) were used instead of .74 g and ODPA 1.77 g. . Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例5]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.40g(22.9mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA2.73g(13.2mmol)およびODPA1.07g(8.8mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 5]
As component (B), 9.40 g (22.9 mmol) of BAPP was used instead of 9.48 g of BAPP, and 2.73 g (13.2 mmol) of PMDA and 1.07 g of ODPA instead of 3.74 g of PMDA and 1.77 g of ODPA as component (A) ( 8.8 mmol) was used in the same manner as in Example 1 to obtain a polyamic acid solution (composition). Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例6]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPB8.94g(24.3mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA3.11g(14.3mmol)およびODPA2.95g(9.5mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 6]
As component (B), BAPB 8.94 g (24.3 mmol) was used instead of BAPP 9.48 g, and as component (A), PMDA 3.11 g (14.3 mmol) and ODPA 2.95 g instead of PMDA 3.74 g and ODPA 1.77 g ( A polyamic acid solution (composition) was obtained in the same manner as in Example 1 except that 9.5 mmol) was used. Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例7]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.16g(22.3mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA2.41g(11.0mmol)およびODPA3.43g(11.0mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 7]
BPP 9.16 g (22.3 mmol) was used instead of BAPP 9.48 g as component (B), PMDA 2.41 g (11.0 mmol) and ODPA 3.43 g instead of PMDA 3.74 g and ODPA 1.77 g as component (A) ( 11.0 mmol) was used in the same manner as in Example 1 to obtain a polyamic acid solution (composition). Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例8]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.658g(23.5mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA4.27g(19.6mmol)およびODPA1.07g(3.5mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、アミック酸構造が消失し、イミド化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Example 8]
BPP 9.658 g (23.5 mmol) was used instead of BAPP 9.48 g as component (B), PMDA 4.27 g (19.6 mmol) and ODPA 1.07 g (PM) instead of PMDA 3.74 g and ODPA 1.77 g as component (A) A polyamic acid solution (composition) was obtained in the same manner as in Example 1 except that 3.5 mmol) was used. Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the amic acid structure was lost and imidized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例9]
温度計、攪拌機、窒素導入管、を取り付けた300mLの4つ口フラスコに4,4"−ジアミノ−3,3"−ジヒドロキシビフェニル6.41g(29.1mmol)を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、DMAc58mlを加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液にジフェニルエーテル4,4"−ジカルボニルクロライド8.58g(29.7mmol)とトリエチルアミン5.86gを室温(約25℃)で加え、そのままの温度で24時間攪拌を続けて、ポリベンゾオキサゾール前駆体溶液を得た。得られた溶液をろ過し、析出したトリエチルアミン塩酸塩を除去した後、蒸留水1000mlに注ぎ再沈殿を行った。得られた沈殿物を80℃で12時間真空乾燥することで淡黄色固体のポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。
[Example 9]
To a 300 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a nitrogen introduction tube, 6.41 g (29.1 mmol) of 4,4 "-diamino-3,3" -dihydroxybiphenyl was added. Next, the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen, and then 58 ml of DMAc was added and stirred until uniform. To the resulting solution, 8.58 g (29.7 mmol) of diphenyl ether 4,4 "-dicarbonyl chloride and 5.86 g of triethylamine were added at room temperature (about 25 ° C.), and stirring was continued at that temperature for 24 hours. An oxazole precursor solution was obtained, and the resulting solution was filtered to remove the precipitated triethylamine hydrochloride, and then poured into 1000 ml of distilled water for reprecipitation, and the resulting precipitate was vacuum-dried at 80 ° C. for 12 hours. As a result, a light yellow solid polybenzoxazole precursor was obtained.

得られた淡黄色固体をDMAcに溶解させ、20%溶液(組成物)を得た。該組成物を用いて膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に無アルカリガラス支持体上に塗膜を形成した。環化工程として、得られた塗膜を300℃で2時間加熱したとした以外は実施例1と同様の操作で、膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得た。得られた膜(フィルム)のIRスペクトルを実施例1と同様に測定した結果、ヒドロキシアミド構造が消失し、環化されていることを確認した。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。  The obtained pale yellow solid was dissolved in DMAc to obtain a 20% solution (composition). A coating film was formed on a non-alkali glass support in the same manner as in Example 1 except that the composition was used for coating at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a film having a thickness of 0.1 mm. . As a cyclization step, a film (film) having a thickness of 0.1 mm was obtained by the same operation as in Example 1 except that the obtained coating film was heated at 300 ° C. for 2 hours. As a result of measuring the IR spectrum of the obtained film (film) in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the hydroxyamide structure disappeared and was cyclized. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[比較例1]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP9.83g(23.9mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA5.17g(23.7mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って、膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得た。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Comparative Example 1]
BPP 9.83 g (23.9 mmol) was used instead of BAPP 9.48 g as component (B), PMDA 5.17 g (23.7 mmol) was used instead of PMDA 3.74 g and ODPA 1.77 g as component (A) In the same manner as in Example 1, a polyamic acid solution (composition) was obtained. Next, the same procedure as in Example 1 was performed except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a 0.1 mm thick film (film). A membrane was obtained. Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[比較例2]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりにBAPP8.58g(20.9mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにODPA6.42g(20.7mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Comparative Example 2]
(B) 8.58 g (20.9 mmol) of BAPP was used instead of 9.48 g of BAPP as component, and 6.42 g (20.7 mmol) of ODPA was used instead of 3.74 g of PMDA and 1.77 g of ODPA as component (A). In the same manner as in Example 1, a polyamic acid solution (composition) was obtained. Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[比較例3]
(B)成分としてBAPP9.48gの代わりに4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(以下「ODA」ともいう。)7.29g(36.4mmol)を用い、(A)成分としてPMDA3.74gおよびODPA1.77gの代わりにPMDA7.71g(35.3mmol)を用いた以外は実施例1と同様に行い、ポリアミック酸溶液(組成物)を得た。次いで、得られたポリアミック酸溶液を膜厚0.1mmの膜(フィルム)を得るような任意の回転数および時間で塗布した以外は、実施例1と同様に行って膜(フィルム)を得た。得られた組成物、重合体、膜(フィルム)の物性を表1に示す。
[Comparative Example 3]
As component (B), 7.29 g (36.4 mmol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (hereinafter also referred to as “ODA”) was used instead of 9.48 g of BAPP, and 3.74 g of PMDA and 1.77 g of ODPA were used as component (A). A polyamic acid solution (composition) was obtained in the same manner as in Example 1 except that 7.71 g (35.3 mmol) of PMDA was used instead of. Next, a membrane (film) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained polyamic acid solution was applied at an arbitrary rotation speed and time so as to obtain a membrane (film) having a thickness of 0.1 mm. . Table 1 shows the physical properties of the resulting composition, polymer, and membrane (film).

[実施例10]
上記実施例1において調製したポリアミック酸溶液(組成物)を、スピンコーターにて無アルカリガラス支持体上に得られる塗膜の厚みが25μmになるように流延塗布し、70℃で30分、ついで120℃で30分乾燥して塗膜を得た。その後、環化(イミド化)工程として得られた塗膜をさらに250℃で2時間乾燥した。ついで、得られた塗膜と同じ幅の圧延銅箔(膜厚18μm)の粗化面が得られた塗膜に接するように重ね合わせ、ロールプレス機を用いて、5MPaの圧力で250℃20分間加熱圧着することで、素子として銅箔を設けた。その後銅箔が設けられたポリイミド系膜を無アルカリガラス支持体から剥離することで、フレキシブル基板を得た。なお、フレキシブル基板は、支持体から全面剥離可能であり、反りも観察されなかった。
[Example 10]
The polyamic acid solution (composition) prepared in Example 1 was cast and applied by a spin coater so that the thickness of the coating film obtained on the alkali-free glass support was 25 μm, and 30 minutes at 70 ° C. Subsequently, it dried at 120 degreeC for 30 minutes, and obtained the coating film. Then, the coating film obtained as a cyclization (imidation) step was further dried at 250 ° C. for 2 hours. Next, the rolled copper foil (film thickness: 18 μm) having the same width as the obtained coating film is laminated so that the roughened surface is in contact with the obtained coating film, and using a roll press machine at a pressure of 5 MPa, 250 ° C., 20 ° C. A copper foil was provided as an element by thermocompression bonding for a minute. Thereafter, the polyimide film provided with the copper foil was peeled from the alkali-free glass support to obtain a flexible substrate. The flexible substrate could be peeled from the entire surface of the support, and no warping was observed.

Figure 2011027866
Figure 2011027866

Claims (8)

(a) 支持体に、複素環含有重合体の前駆体と有機溶媒とを含む膜形成用組成物を塗布及び乾燥し、塗膜を形成する工程と、
(b) 前記塗膜を複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜複素環含有重合体のガラス転移温度より20℃高い温度で加熱し、前記複素環含有重合体の前駆体を環化する環化工程と、
(c) 前記環化工程により得られた膜上に素子を形成する工程と、
(d) 前記素子が形成された膜を支持体から剥離する工程と、
を含み、
前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする基板の製造方法。
(A) applying to a support a film-forming composition containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent and drying to form a coating film;
(B) The coating film is heated at a temperature 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to 20 ° C. higher than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer, and the precursor of the heterocyclic ring-containing polymer is heated. A cyclization step for cyclization;
(C) forming a device on the film obtained by the cyclization step;
(D) peeling the film on which the element is formed from the support;
Including
Glass transition temperature (DSC, temperature increase rate 20 ° C./min) of at least one differential scanning calorimetry (DSC selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole and polybenzimidazole). Tg) is a polymer in the range of 230 to 420 ° C.
前記環化工程(b)を、前記複素環含有重合体のガラス転移温度より60℃低い温度〜前記複素環含有重合体のガラス転移温度で行う、請求項1に記載の基板の製造方法。  The method for producing a substrate according to claim 1, wherein the cyclization step (b) is performed at a temperature that is 60 ° C. lower than the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer to the glass transition temperature of the heterocyclic ring-containing polymer. 前記環化工程(b)を、160℃〜420℃で行う、請求項1または2に記載の基板の製造方法。  The manufacturing method of the board | substrate of Claim 1 or 2 which performs the said cyclization process (b) at 160 to 420 degreeC. 前記支持体が、シリコンウエハもしくは無アルカリガラスである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板の製造方法。  The manufacturing method of the board | substrate of any one of Claims 1-3 whose said support body is a silicon wafer or an alkali free glass. 前記複素環含有重合体がポリイミドである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板の製造方法。  The manufacturing method of the board | substrate of any one of Claims 1-4 whose said heterocyclic containing polymer is a polyimide. 前記有機溶媒が、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドの中から選ばれる少なくとも1種の溶媒を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のフレキシブル基板の製造方法。  The organic solvent includes at least one solvent selected from N, N′-dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylacetamide. 6. The method for producing a flexible substrate according to any one of 5 above. 前記膜形成用組成物の粘度(E型粘度計、25℃測定)が5,000〜50,000cPである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板の製造方法。  The manufacturing method of the board | substrate of any one of Claims 1-6 whose viscosity (E-type viscosity meter, 25 degreeC measurement) of the said film formation composition is 5,000-50,000 cP. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板の製造方法に用いられる膜形成用組成物であって、
複素環含有重合体の前駆体および有機溶媒を含有し、
前記複素環含有重合体が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜420℃の範囲にある重合体であることを特徴とする膜形成用組成物。
It is the composition for film formation used for the manufacturing method of the board | substrate of any one of Claims 1-7,
Containing a precursor of a heterocyclic ring-containing polymer and an organic solvent,
Glass transition temperature (DSC, temperature increase rate 20 ° C./min) of glass transition temperature (DSC, at least one selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, polybenzimidazole) A film-forming composition, which is a polymer having a Tg) in the range of 230 to 420 ° C.
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