JPWO2008081895A1 - Synthesis method of hyperbranched polymer - Google Patents

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Abstract

光リソグラフィーを中心としたナノファブリケションのためのポリマー素材として利用可能なコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成することを目的として、モノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合を開始させる開始剤モノマーを用いたリビングラジカル重合によって合成された重合物をコア部とし、コア部の末端に酸分解性基および酸基を含むシェル部を形成するようにした。また、モノマーのリビングラジカル重合を経てスターポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とし、アーム部を重合中、あるいは重合後にビニル基を2つ以上有する化合物を添加することにより、アーム部同士をカップリングさせ、コア部を形成するコア部形成工程を含むことを特徴とするようにした。In order to synthesize a core-shell hyperbranched polymer that can be used as a polymer material for nanofabrication centering on optical lithography, when synthesizing a core-shell hyperbranched polymer via living radical polymerization of monomers, A polymer synthesized by living radical polymerization using an initiator monomer for initiating living radical polymerization was used as a core part, and a shell part containing an acid-decomposable group and an acid group was formed at the end of the core part. In addition, when synthesizing a star polymer via living radical polymerization of the monomer, a polymer synthesized by living radical polymerization is used as an arm part, and a compound having two or more vinyl groups is added during or after polymerization of the arm part. By doing so, the arm parts are coupled to each other, and a core part forming step of forming the core part is included.

Description

この発明は、ハイパーブランチポリマーの合成方法に関する。   The present invention relates to a method for synthesizing a hyperbranched polymer.

近年、微細加工技術として有望視されている光リソグラフィーでは、光源の短波長化によりデザインルールの微細化が進み、超LSIの高集積化を実現している。32nm以下のデザインルールでは、EUVリソグラフィーが有望視されている。   In recent years, optical lithography, which is regarded as promising as a microfabrication technology, has advanced design rule miniaturization due to the shortening of the wavelength of the light source, thereby realizing high integration of VLSI. EUV lithography is considered promising for design rules of 32 nm or less.

レジスト組成物には、各光源に対して透明な化学構造を持つベースポリマーの開発が進められている。例えば、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)ではノボラック型ポリフェノールを基本骨格としたポリマー(たとえば、下記特許文献1を参照。)、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)ではポリ(メタ)アクリル酸エステル(たとえば、下記特許文献2を参照。)、又はF2エキシマレーザー光(波長157nm)ではフッ素原子(パーフルオロ構造)を導入したポリマー(たとえば、下記特許文献3を参照。)を含むレジスト組成物がそれぞれ提案されており、これらポリマーは線状構造を基本とするものである。   For the resist composition, development of a base polymer having a chemical structure transparent to each light source is in progress. For example, in a KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm), a polymer having a novolac-type polyphenol as a basic skeleton (see, for example, Patent Document 1 below), and in an ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm), a poly (meth) acrylate ester (for example, , Refer to Patent Document 2 below), or F2 excimer laser light (wavelength 157 nm), each of which proposes a resist composition containing a polymer into which a fluorine atom (perfluoro structure) is introduced (for example, refer to Patent Document 3 below). These polymers are based on a linear structure.

しかしながら、これら線状ポリマーを32nm以細の超微細パターン形成に適用した場合、ラインエッジラフネスを指標とするパターン側壁の凹凸が問題となってきた。Franco Cerrina, Vac.Sci.Tech.B,19,2890(2001)には、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、及びPHS(ポリヒドロキシスチレン)を主とした従来のレジストに対して電子線や極端紫外光(EUV:13.5nm)露光を行って、極微細のパターンを形成するためには、表面平滑性をナノレベルで制御することが課題となることが指摘されている。   However, when these linear polymers are applied to the formation of ultrafine patterns having a thickness of 32 nm or less, the unevenness of the pattern side wall with the line edge roughness as an index has become a problem. Franco Cerrina, Vac. Sci. Tech. In B, 19, 2890 (2001), conventional resists mainly composed of PMMA (polymethyl methacrylate) and PHS (polyhydroxystyrene) are exposed to an electron beam or extreme ultraviolet light (EUV: 13.5 nm). It has been pointed out that controlling the surface smoothness at the nano level is a problem in order to form ultrafine patterns.

Toru Yamaguti, Jpn.J.Appl.Phys., 38,7114(1999)によれば、パターン側壁の凹凸はレジストを構成するポリマーの会合体(クラスター)によるものとされている。クラスターによるラインエッジラフネス低下は、低分子の単分散ポリマーを用いることにより、低減できると言われている(たとえば、下記特許文献4を参照。)が、低分子量ポリマーを用いるとポリマーのTgが低下し、熱によるベークが困難になるため、実用性には欠ける。   Toru Yamaguchi, Jpn. J. et al. Appl. Phys. , 38, 7114 (1999), the unevenness of the pattern side wall is attributed to a polymer aggregate (cluster) constituting the resist. It is said that the decrease in line edge roughness due to clusters can be reduced by using a low molecular weight monodisperse polymer (see, for example, Patent Document 4 below). However, when a low molecular weight polymer is used, the Tg of the polymer decreases. However, since baking with heat becomes difficult, it lacks practicality.

一方、線状分子に比べ、ラインエッジラフネスが向上する例として分岐型ポリマーが知られている(Alexander R. Trimble,Proceedings of SPIE,3999,1198,(2000))。しかしながら、基板に対する密着性や感度の点で、デザインルールの微細化に伴う要求を満足するものは達成されていない。   On the other hand, a branched polymer is known as an example in which line edge roughness is improved as compared with a linear molecule (Alexander R. Trimble, Processeds of SPIE, 3999, 1198, (2000)). However, in terms of adhesion to the substrate and sensitivity, those satisfying the requirements associated with miniaturization of design rules have not been achieved.

このような観点から、近年、ハイパーブランチポリマーをレジスト材料として用いる試みがなされてきている。従来、高度なブランチ(分岐)構造をコア部とし、分子末端に酸基(たとえば、カルボン酸)、および酸分解性基(例えばカルボン酸エステル)を有するハイパーブランチポリマーは、線状ポリマーに見られる分子間での絡まりが小さく、主鎖を架橋する分子構造に比べて溶媒による膨潤も小さく、その結果、パターン側壁に(たとえば、下記特許文献5を参照。)おける表面ラフネスの原因となる大きな分子集合体の形成が抑制されると報告されている。   From such a viewpoint, attempts have been made in recent years to use hyperbranched polymers as resist materials. Conventionally, hyperbranched polymers having a highly branched (branched) structure as a core and having an acid group (for example, carboxylic acid) and an acid-decomposable group (for example, a carboxylic acid ester) at the molecular ends are found in linear polymers. Large molecules that cause surface roughness on the pattern sidewall (see, for example, Patent Document 5 below) as a result of less entanglement between molecules and less swelling by the solvent compared to the molecular structure that crosslinks the main chain. Aggregate formation has been reported to be suppressed.

また、ハイパーブランチポリマーは、通常、球状形態をとるが、球状ポリマー表面に酸分解性基が存在すると、光リソグラフィーにおいて、露光部分では光酸発生剤から発生する酸の作用によって分解反応が起こり親水基が生じる結果、ポリマー分子の外周に多数の親水基が存在する球状ミセル状の構造をとることができることが明らかとなったと報告されている。その結果、該ポリマーはアルカリ水溶液に対し効率よく溶解し、アルカリ溶液と共に除去されるため、微細なパターンを形成することができ、レジスト材料のベース樹脂として好適に利用可能であることが判ったと報告されている。さらに、酸分解性基であるカルボン酸エステル基とカルボン酸基がある特定の比で共存とすることで、露光後のアルカリ溶解性の向上、すなわち感度の向上が達成されることが明らかとなっている。   In addition, the hyperbranched polymer usually takes a spherical form. However, when an acid-decomposable group is present on the spherical polymer surface, in photolithography, a decomposition reaction occurs due to the action of an acid generated from the photoacid generator at the exposed portion, and hydrophilicity occurs. As a result of the formation of groups, it has been reported that a spherical micelle-like structure in which a large number of hydrophilic groups exist on the outer periphery of the polymer molecule can be taken. As a result, it was reported that the polymer was efficiently dissolved in an alkaline aqueous solution and removed together with the alkaline solution, so that a fine pattern could be formed and it could be suitably used as a base resin for a resist material. Has been. Furthermore, it has been clarified that the alkali solubility after exposure, that is, the improvement in sensitivity, can be achieved by coexistence at a certain ratio of the carboxylic acid ester group and the carboxylic acid group which are acid-decomposable groups. ing.

特開2004−231858号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-231858 特開2004−359929号公報JP 2004-359929 A 特開2005−91428号公報JP 2005-91428 A 特開平6−266099号公報JP-A-6-266099 国際公開第2005/061566号パンフレットInternational Publication No. 2005/061566 Pamphlet

ハイパーブランチポリマーの表面に酸分解性基と酸基を含むレジスト用ポリマーの合成例としては、原子移動ラジカル重合を用いる例が知られているが(たとえば、WO2005/061566号公報を参照。)、原子移動ラジカル重合(ATRP法)は、ドーマント種(R−X)から遷移金属触媒への、原子または、基の可逆的移動反応と、それによって重合を開始するラジカルと、酸化状態が一つ進んだ金属ハロゲン化物が生成する反応に基づくため、重合後に反応系中から大量の金属ハロゲン化物を除去しなくてはならないという問題点があった。また、ATRP法において酸分解性基と酸基を同時に導入しようとする場合、触媒である銅に酸基であるカルボン酸基が配位し、触媒の活性を下げてしまうことから、前記公報においては、まず、酸分解性基を導入し、その後にその一部を酸分解により、酸基に変換するという2段階の工程を経て、対応するレジスト用ポリマーを合成しなくてはならなかった。   As an example of synthesizing a resist polymer containing an acid-decomposable group and an acid group on the surface of the hyperbranched polymer, an example using atom transfer radical polymerization is known (see, for example, WO 2005/061566). In atom transfer radical polymerization (ATRP method), a reversible transfer reaction of an atom or group from a dormant species (RX) to a transition metal catalyst, thereby a radical that initiates polymerization, and an oxidation state advance by one. However, since it is based on a reaction in which a metal halide is formed, there has been a problem that a large amount of the metal halide must be removed from the reaction system after polymerization. In the ATRP method, when an acid-decomposable group and an acid group are to be introduced at the same time, a carboxylic acid group as an acid group is coordinated with copper as a catalyst, reducing the activity of the catalyst. First, an acid-decomposable group was introduced, and then a part of the acid-decomposable group was converted into an acid group by acid decomposition, and a corresponding resist polymer had to be synthesized.

高性能なフォトトレジストポリマーにおいては、金属不純物量は、プラズマ処理での汚染や、パターン中に残存した金属不純物による半導体の電気特性への悪影響を避けるため、特に、顕著に低減させておく必要があり、触媒としての積極的な金属の添加は、望ましいものではない。   In high-performance photoresist polymers, the amount of metal impurities must be significantly reduced, especially to avoid contamination during plasma processing and adverse effects on semiconductor electrical properties due to metal impurities remaining in the pattern. Therefore, aggressive metal addition as a catalyst is not desirable.

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、光リソグラフィーを中心としたナノファブリケションのためのポリマー素材として利用可能な、表面平滑性及びアルカリ可溶性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマー、該コアシェル型ハイパーブランチポリマーの製造方法、該コアシェル型ハイパーブランチポリマーを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be used as a polymer material for nanofabrication centered on photolithography, a core-shell hyperbranched polymer with improved surface smoothness and alkali solubility, It is an object of the present invention to provide a method for producing the core-shell hyperbranched polymer and a resist composition containing the core-shell hyperbranched polymer.

上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかるコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法は、モノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成するコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法であって、前記リビングラジカル重合を開始させる開始剤モノマーを用いて前記リビングラジカル重合をおこなう重合工程と、前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をコア部とし、当該コア部の末端に酸分解性基および酸基を含むシェル部を形成するシェル部形成工程と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, a method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer according to the present invention is a method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer by synthesizing a core-shell hyperbranched polymer through living radical polymerization of monomers. A polymerization step in which the living radical polymerization is performed using an initiator monomer for initiating the living radical polymerization, and a polymer synthesized by the living radical polymerization is used as a core portion, and acid decomposition is performed at the end of the core portion. And a shell part forming step of forming a shell part containing a sex group and an acid group.

また、この発明にかかるコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法における前記重合工程は、ニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いるラジカル重合法にしたがって、前記リビングラジカル重合をおこなうことを特徴とする。   Moreover, the said polymerization process in the synthesis | combining method of the core-shell hyperbranched polymer concerning this invention performs the said living radical polymerization according to the radical polymerization method which uses a nitroxyl radical as a key intermediate body.

また、この発明にかかるスターポリマーの合成方法は、モノマーのリビングラジカル重合を経てスターポリマーを合成する方法であって、前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とし、アーム部を重合中、あるいは重合後にビニル基を2つ以上有する化合物を添加することにより、アーム部同士をカップリングさせ、コア部を形成するコア部形成工程を含むことを特徴とする。   The method for synthesizing a star polymer according to the present invention is a method for synthesizing a star polymer through living radical polymerization of a monomer, wherein the polymer synthesized by the living radical polymerization is used as an arm part, and the arm part is being polymerized. Alternatively, the method includes a core part forming step of coupling the arm parts to form a core part by adding a compound having two or more vinyl groups after polymerization.

また、この発明にかかるスターポリマーの合成方法は、ニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いるラジカル重合法にしたがっておこなった前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とすることを特徴とする。   The star polymer synthesis method according to the present invention is characterized in that the arm is a polymer synthesized by the living radical polymerization performed according to the radical polymerization method using a nitroxyl radical as a key intermediate.

この発明によれば、レジスト用コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成をすることができる。また、金属触媒を用いることなくリビングラジカル重合をおこなうことができるので、反応系が均一であり、安定した製造が可能となる。さらに、酸分解性基および酸基を同時にシェル部に導入できるために、工程を簡素化することができる。また、本発明のニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いるラジカル重合法によれば、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの一種であるスターポリマーを合成することもできる。   According to the present invention, the core-shell hyperbranched polymer for resist can be synthesized. Further, since living radical polymerization can be performed without using a metal catalyst, the reaction system is uniform and stable production is possible. Furthermore, since an acid-decomposable group and an acid group can be simultaneously introduced into the shell portion, the process can be simplified. Moreover, according to the radical polymerization method using the nitroxyl radical of the present invention as a key intermediate, a star polymer which is a kind of core-shell hyperbranched polymer can also be synthesized.

また、この発明にかかるコアシェル型ハイパーブランチポリマーは、上記のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法にしたがって合成されたことを特徴とする。   The core-shell hyperbranched polymer according to the present invention is characterized by being synthesized according to the above-described method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer.

この発明によれば、反応系が均一であり、安定したコアシェル型ハイパーブランチポリマーを得ることができる。   According to this invention, the reaction system is uniform and a stable core-shell hyperbranched polymer can be obtained.

また、この発明にかかる半導体集積回路は、上記のレジスト組成物によってパターンを形成されることを特徴とする。   A semiconductor integrated circuit according to the present invention is characterized in that a pattern is formed by the resist composition described above.

この発明によれば、性能が安定し、電子線、遠紫外線(DUV)、および極紫外線(EUV)光源に対応した微細な半導体集積回路を得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a fine semiconductor integrated circuit having stable performance and corresponding to an electron beam, deep ultraviolet (DUV), and extreme ultraviolet (EUV) light source.

また、この発明にかかる半導体集積回路の製造方法は、上記のレジスト組成物を用いてパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a step of forming a pattern using the resist composition.

この発明によれば、性能が安定し、電子線、遠紫外線(DUV)、および極紫外線(EUV)光源に対応した微細な半導体集積回路を製造することができる。   According to the present invention, it is possible to manufacture a fine semiconductor integrated circuit having stable performance and corresponding to an electron beam, deep ultraviolet (DUV), and extreme ultraviolet (EUV) light source.

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーは、いずれも、ニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いる、大別して2種類のラジカル重合法によって合成される2種類のポリマーの総称である。まず、一つ目の方法は、前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をコア部とし、当該コア部の末端に酸分解性基および酸基を含むシェル部を形成して、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する方法である。二つ目は、前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とし、アーム部を重合中、あるいは重合後にビニル基を2つ以上有する化合物を添加することにより、アーム部同士をカップリングさせ、コア部を形成して、スターポリマーを合成する方法である。   The core-shell hyperbranched polymer of the present invention is a general term for two types of polymers synthesized roughly by two types of radical polymerization methods using a nitroxyl radical as a key intermediate. First, a core shell-type hyperbranch is formed by using a polymer synthesized by the living radical polymerization as a core part and forming a shell part containing an acid-decomposable group and an acid group at the end of the core part. A method of synthesizing a polymer. Second, the polymer synthesized by the living radical polymerization is used as an arm part, and the arm part is coupled to each other by adding a compound having two or more vinyl groups during polymerization or after polymerization. This is a method of synthesizing a star polymer by forming a core part.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかるコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。   Exemplary embodiments of a method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

(コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる物質)
はじめに、実施の形態のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる物質について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミン、モノマー、重合開始剤、および溶媒を用いる。
(Substance used for the synthesis of core-shell hyperbranched polymer)
First, materials used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer of the embodiment will be described. In the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, an alkoxyamine having a vinyl group capable of radical polymerization in the molecule, a monomer, a polymerization initiator, and a solvent are used.

(ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミン)
使用されるアルコキシアミンは、特に限定されず、例えば、特開2000−095744号公報に記載の方法で合成が可能な、2−(ベンゾイルオキシ)−1−(2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(n−プロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(2−エチルヘキシルオキシカルボニルオキシ)−1−(2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(4’−t−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)−1−(2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(4’−ベンゾイルオキシ−2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(4’−アセトキシ−2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(ジ−t−ブチルニトロキシル)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)−1−(4’−ヒドロキシ−2’,2’,6’,6’−テトラメチル−1’−ピペリジニルオキシ)−1−(4’−ビニルフェニル)エタン、2−ベンゾイロキシ−1(2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)−1−(4−ビニルフェニル)エタン等を使用することが好ましい。
(Alkoxyamine having a vinyl group capable of radical polymerization in the molecule)
The alkoxyamine used is not particularly limited. For example, 2- (benzoyloxy) -1- (2 ′, 2 ′, 6 ′, which can be synthesized by the method described in JP-A-2000-095744. 6'-tetramethyl-1'-piperidinyloxy) -1- (4'-vinylphenyl) ethane, 2- (isopropyloxycarbonyloxy) -1- (2 ', 2', 6 ', 6'- Tetramethyl-1'-piperidinyloxy) -1- (4'-vinylphenyl) ethane, 2- (n-propyloxycarbonyloxy) -1- (2 ', 2', 6 ', 6'-tetra Methyl-1′-piperidinyloxy) -1- (4′-vinylphenyl) ethane, 2- (2-ethylhexyloxycarbonyloxy) -1- (2 ′, 2 ′, 6 ′, 6′-tetramethyl -1′-piperidinyloxy) -1- (4′-vinylpheny ) Ethane, 2- (4′-t-butylcyclohexyloxycarbonyloxy) -1- (2 ′, 2 ′, 6 ′, 6′-tetramethyl-1′-piperidinyloxy) -1- (4 ′ -Vinylphenyl) ethane, 2- (isopropyloxycarbonyloxy) -1- (4'-benzoyloxy-2 ', 2', 6 ', 6'-tetramethyl-1'-piperidinyloxy) -1- (4′-vinylphenyl) ethane, 2- (isopropyloxycarbonyloxy) -1- (4′-acetoxy-2 ′, 2 ′, 6 ′, 6′-tetramethyl-1′-piperidinyloxy)- 1- (4′-vinylphenyl) ethane, 2- (isopropyloxycarbonyloxy) -1- (di-t-butylnitroxyl) -1- (4′-vinylphenyl) ethane, 2- (isopropyloxycarbonyloxy) ) -1- (4 ' -Hydroxy-2 ', 2', 6 ', 6'-tetramethyl-1'-piperidinyloxy) -1- (4'-vinylphenyl) ethane, 2-benzoyloxy-1 (2,2,6, It is preferable to use 6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) -1- (4-vinylphenyl) ethane or the like.

<コア部を構成するモノマー>
ここで、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマーのうち、コア部を構成するモノマーについて説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部(以下、ハイパーブランチコアポリマーという)は、当該ハイパーブランチポリマー分子の核を構成する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部は上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンに加え、他のモノマーを含むことができる。他のモノマーとしては、ラジカル重合が可能なモノマーであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<Monomer constituting the core>
Here, the monomer which comprises a core part among the monomers used for the synthesis | combination of a core-shell hyperbranched polymer is demonstrated. The core part of the core-shell hyperbranched polymer (hereinafter referred to as hyperbranched core polymer) constitutes the nucleus of the hyperbranched polymer molecule. The core part of the core-shell hyperbranched polymer can contain other monomers in addition to the alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule. The other monomer is not particularly limited as long as it is a monomer capable of radical polymerization, and can be appropriately selected according to the purpose.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとしては、たとえば、(メタ)アクリル酸、および(メタ)アクリル酸エステル類、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸エステル類、スチレン類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類などから選ばれるラジカル重合性の不飽和結合を有する化合物が挙げられる。   Examples of other monomers capable of radical polymerization include (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid esters, vinyl benzoic acid, vinyl benzoic acid esters, styrenes, allyl compounds, vinyl ethers, and vinyl esters. And a compound having a radical polymerizable unsaturated bond selected from the above.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられた(メタ)アクリル酸エステル類としては、具体的には、たとえば、アクリル酸tert−ブチル、アクリル酸2−メチルブチル、アクリル酸2−メチルペンチル、アクリル酸2−エチルブチル、アクリル酸3−メチルペンチル、アクリル酸2−メチルヘキシル、アクリル酸3−メチルヘキシル、アクリル酸トリエチルカルビル、アクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−メチルノルボニル、アクリル酸1−エチルノルボニル、アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸1−メトキシエチル、アクリル酸1−エトキシエチル、アクリル酸1−n−プロポキシエチル、アクリル酸1−イソプロポキシエチル、アクリル酸n−ブトキシエチル、アクリル酸1−イソブトキシエチル、アクリル酸1−sec−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−アミロキシエチル、アクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、アクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、アクリル酸メトキシプロピル、アクリル酸エトキシプロピル、アクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸トリメチルシリル、アクリル酸トリエチルシリル、アクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、アクリル酸クロルエチル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸トリメチロールプロパン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ナフチル、メタクリル酸tert−ブチル、メタクリル酸2−メチルブチル、メタクリル酸2−メチルペンチル、メタクリル酸2−エチルブチル、メタクリル酸3−メチルペンチル、メタクリル酸2−メチルヘキシル、メタクリル酸3−メチルヘキシル、メタクリル酸トリエチルカルビル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−メチルノルボニル、メタクリル酸1−エチルノルボニル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、メタクリル酸テトラヒドロフラニル、メタクリル酸テトラヒドロピラニル、メタクリル酸1−メトキシエチル、メタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−n−プロポキシエチル、メタクリル酸1−イソプロポキシエチル、メタクリル酸n−ブトキシエチル、メタクリル酸1−イソブトキシエチル、メタクリル酸1−sec−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−アミロキシエチル、メタクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、メタクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、メタクリル酸メトキシプロピル、メタクリル酸エトキシプロピル、メタクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸トリメチルシリル、メタクリル酸トリエチルシリル、メタクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、メタクリル酸1−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、メタクリル酸クロルエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸トリメチロールプロパン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ナフチル、などが挙げられる。   Specific examples of (meth) acrylic acid esters mentioned as other monomers capable of radical polymerization include, for example, tert-butyl acrylate, 2-methylbutyl acrylate, 2-methylpentyl acrylate, and acrylic acid. 2-ethylbutyl, 3-methylpentyl acrylate, 2-methylhexyl acrylate, 3-methylhexyl acrylate, triethylcarbyl acrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl acrylate, 1-ethyl-1-cyclopentyl acrylate 1-methyl-1-cyclohexyl acrylate, 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate, 1-methylnorbornyl acrylate, 1-ethylnorbornyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, acrylic acid 2 -Ethyl-2-adamantyl, acrylic acid 3 Hydroxy-1-adamantyl, tetrahydrofuranyl acrylate, tetrahydropyranyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-isopropoxyethyl acrylate, acrylic acid n-butoxyethyl, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-sec-butoxyethyl acrylate, 1-tert-butoxyethyl acrylate, 1-tert-amyloxyethyl acrylate, 1-ethoxy-n-propyl acrylate 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, methoxypropyl acrylate, ethoxypropyl acrylate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl acrylate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl acrylate, trimethylsilyl acrylate, Triethylsilyl phosphate, dimethyl-tert-butylsilyl acrylate, α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl- α- (Acroyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) Oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (Acroyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolacto , Δ- (acroyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (acroyl) oxy-δ-valerolactone, γ -Methyl-γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl -Β- (Acroyl) oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, 1-methyl acrylate Cyclohexyl, adamantyl acrylate, 2- (2-methyl) adamantyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, a 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane acrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, phenyl acrylate, naphthyl acrylate, tert-butyl methacrylate, 2-methylbutyl methacrylate 2-methylpentyl methacrylate, 2-ethylbutyl methacrylate, 3-methylpentyl methacrylate, 2-methylhexyl methacrylate, 3-methylhexyl methacrylate, triethylcarbyl methacrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl methacrylate 1-ethyl-1-cyclopentyl methacrylate, 1-methyl-1-cyclohexyl methacrylate, 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate, 1-methylnorbornyl methacrylate, methacrylic acid -Ethyl norbornyl, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, tetrahydrofuranyl methacrylate, tetrahydropyranyl methacrylate, 1-methacrylic acid 1- Methoxyethyl, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-isopropoxyethyl methacrylate, n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-sec-butoxyethyl methacrylate 1-tert-butoxyethyl methacrylate, 1-tert-amyloxyethyl methacrylate, 1-ethoxy-n-propyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, methoxypropyl methacrylate, Ethoxypropyl tacrylate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl methacrylate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl methacrylate, trimethylsilyl methacrylate, triethylsilyl methacrylate, dimethyl-tert-butylsilyl methacrylate, α- (methacryloyl) ) Oxy-γ-butyrolactone, β- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (Methacroyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (methacloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (methacloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (methacloyl) oxy- γ-butyrolactone, γ-ethyl γ- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- ( Methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (Methacloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (methacloyl) ) Oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- ( Tacroyl) oxy-δ-valerolactone, 1-methylcyclohexyl methacrylate, adamantyl methacrylate, 2- (2-methyl) adamantyl methacrylate, chloroethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2,2-dimethylhydroxy methacrylate Examples include propyl, 5-hydroxypentyl methacrylate, trimethylolpropane methacrylate, glycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl methacrylate, naphthyl methacrylate, and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニル安息香酸エステル類としては、具体的には、たとえば、ビニル安息香酸tert−ブチル、ビニル安息香酸2−メチルブチル、ビニル安息香酸2−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−エチルブチル、ビニル安息香酸3−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−メチルヘキシル、ビニル安息香酸3−メチルヘキシル、ビニル安息香酸トリエチルカルビル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−メチルノルボニル、ビニル安息香酸1−エチルノルボニル、ビニル安息香酸2−メチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸2−エチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、ビニル安息香酸テトラヒドロフラニル、ビニル安息香酸テトラヒドロピラニル、ビニル安息香酸1−メトキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシエチル、ビニル安息香酸1−n−プロポキシエチル、ビニル安息香酸1−イソプロポキシエチル、ビニル安息香酸n−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−イソブトキシエチル、ビニル安息香酸1−sec−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−アミロキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−n−プロピル、ビニル安息香酸1−シクロヘキシロキシエチル、ビニル安息香酸メトキシプロピル、ビニル安息香酸エトキシプロピル、ビニル安息香酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸トリメチルシリル、ビニル安息香酸トリエチルシリル、ビニル安息香酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、ビニル安息香酸1−メチルシクロヘキシル、ビニル安息香酸アダマンチル、ビニル安息香酸2−(2−メチル)アダマンチル、ビニル安息香酸クロルエチル、ビニル安息香酸2−ヒドロキシエチル、ビニル安息香酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、ビニル安息香酸5−ヒドロキシペンチル、ビニル安息香酸トリメチロールプロパン、ビニル安息香酸グリシジル、ビニル安息香酸ベンジル、ビニル安息香酸フェニル、ビニル安息香酸ナフチルなどが挙げられる。   Specific examples of the vinyl benzoate esters mentioned as other monomers capable of radical polymerization include, for example, tert-butyl vinyl benzoate, 2-methylbutyl vinyl benzoate, 2-methylpentyl vinyl benzoate, and vinyl. 2-ethylbutyl benzoate, 3-methylpentyl vinylbenzoate, 2-methylhexyl vinylbenzoate, 3-methylhexyl vinylbenzoate, triethylcarbyl vinylbenzoate, 1-methyl-1-cyclopentyl vinylbenzoate, vinylbenzoate 1-ethyl-1-cyclopentyl acid, 1-methyl-1-cyclohexyl vinyl benzoate, 1-ethyl-1-cyclohexyl vinyl benzoate, 1-methylnorbornyl vinyl benzoate, 1-ethylnorbornyl vinyl benzoate, vinyl 2-methyl-2-adamanche benzoate , 2-ethyl-2-adamantyl vinyl benzoate, 3-hydroxy-1-adamantyl vinyl benzoate, tetrahydrofuranyl vinyl benzoate, tetrahydropyranyl vinyl benzoate, 1-methoxyethyl vinyl benzoate, 1-ethoxy vinyl benzoate Ethyl, 1-n-propoxyethyl vinylbenzoate, 1-isopropoxyethyl vinylbenzoate, n-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-isobutoxyethyl vinylbenzoate, 1-sec-butoxyethyl vinylbenzoate, vinylbenzoate 1-tert-butoxyethyl acid, 1-tert-amyloxyethyl vinylbenzoate, 1-ethoxy-n-propyl vinylbenzoate, 1-cyclohexyloxyethyl vinylbenzoate, methoxypropyl vinylbenzoate, ethoxypropionate vinylbenzoate 1-methoxy-1-methyl-ethyl vinylbenzoate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl vinylbenzoate, trimethylsilyl vinylbenzoate, triethylsilyl vinylbenzoate, dimethyl-tert-butylsilyl vinylbenzoate, α- ( 4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) ) Oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- ( 4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (4-vinyl Nzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy -Δ-valerolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy- δ-valerolactone, β-methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- ( 4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone 1-methylcyclohexyl vinyl benzoate, adamantyl vinyl benzoate, 2- (2-methyl) adamantyl vinyl benzoate, chloroethyl vinyl benzoate, 2-hydroxyethyl vinyl benzoate, 2,2-dimethylhydroxypropyl vinyl benzoate, Examples thereof include 5-hydroxypentyl vinylbenzoate, trimethylolpropane vinylbenzoate, glycidyl vinylbenzoate, benzyl vinylbenzoate, phenyl vinylbenzoate, and naphthyl vinylbenzoate.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたスチレン類としては、具体的には、たとえば、スチレン、ベンジルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレン、ビニルナフタレンなどが挙げられる。   Specific examples of styrenes listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, styrene, benzyl styrene, trifluoromethyl styrene, acetoxy styrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, and tetrachlorostyrene. , Pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, vinylnaphthalene, etc. It is done.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたアリル化合物としては、具体的には、たとえば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、アリルオキシエタノールなどが挙げられる。   Specific examples of allyl compounds listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate. , Allyl acetoacetate, allyl lactate, allyloxyethanol and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニルエーテル類としては、具体的には、たとえば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテルなどが挙げられる。   Specific examples of vinyl ethers listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1- Methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether, vinyl phenyl ether, vinyl Tril ether, vinyl chlorfe Ether, vinyl 2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, and vinyl anthranyl ether.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニルエステル類としては、具体的には、たとえば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレートなどが挙げられる。   Specific examples of vinyl esters listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, Examples include vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinylphenylacetate, vinylacetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate and the like.

ハイパーブランチコアポリマーの合成に用いるモノマーとしては、具体的には、たとえば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、4−ビニル安息香酸、4−ビニル安息香酸tert−ブチル、スチレン、ベンジルスチレン、クロルスチレン、ビニルナフタレンが好ましい。   Specific examples of the monomer used for the synthesis of the hyperbranched core polymer include (meth) acrylic acid, tert-butyl (meth) acrylate, 4-vinylbenzoic acid, tert-butyl 4-vinylbenzoate, and styrene. , Benzylstyrene, chlorostyrene, and vinylnaphthalene are preferred.

ハイパーブランチコアポリマーを構成するモノマーから誘導される繰り返し単位の割合は、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを構成する全繰り返し単位に対して、10〜90モル%の量で含まれていることが好ましく、10〜80モル%がより好ましく、10〜60モル%の量で含まれていることがより一層好ましい。   The ratio of the repeating unit derived from the monomer constituting the hyperbranched core polymer is preferably 10 to 90 mol% with respect to all repeating units constituting the core-shell hyperbranched polymer. -80 mol% is more preferable, and it is still more preferable that it is contained in the amount of 10-60 mol%.

ハイパーブランチコアポリマーを構成するモノマーから誘導される繰り返し単位の量が上記の範囲内となるように調整することで、たとえば、コアシェル型ハイパーブランチポリマーをレジスト組成物に利用する場合に、当該ハイパーブランチポリマーの現像液に対する適度な疎水性を付与することができる。これによって、ハイパーブランチコアポリマーをコア部とするコアシェル型ハイパーブランチポリマーを含むレジスト組成物を用いて、たとえば、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ、プリント配線板などの微細加工をおこなう際に、未露光部分の溶解を抑制することができるので、好ましい。   By adjusting the amount of the repeating unit derived from the monomer constituting the hyperbranched core polymer to be within the above range, for example, when the core-shell hyperbranched polymer is used as a resist composition, Appropriate hydrophobicity can be imparted to the developer of the polymer. As a result, using a resist composition containing a core-shell hyperbranched polymer with a hyperbranched core polymer as a core part, for example, when performing microfabrication of semiconductor integrated circuits, flat panel displays, printed wiring boards, etc., unexposed Since dissolution of a part can be suppressed, it is preferable.

ハイパーブランチコアポリマーは、上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンのみで構成されていてもよいし、上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンとラジカル重合可能なその他のモノマーから構成されていてもよい。   The hyperbranched core polymer may be composed only of an alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule, or may be radically polymerized with an alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule. It may be comprised from the monomer of.

ハイパーブランチコアポリマーが、上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンとその他のモノマーとの共重合物であるとき、ハイパーブランチコアポリマーを構成する全繰り返し単位に対して、上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンの割合は、10〜99モル%であることが好ましく、20〜99モル%であることがより好ましく、30〜99モル%であることがより一層好ましい。ハイパーブランチコアポリマーにおいて、上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンの量が上記の範囲内にあると、ハイパーブランチコアポリマーが球状形態をとるため、分子間の絡まり抑制に有利であるとともに、基板密着性やガラス転移温度の上昇などの機能が付与されるので好ましい。なお、コア部における上記ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンとそれ以外のモノマーとの量は、目的に応じて重合時の仕込み量比により調節することができる。   When the hyperbranched core polymer is a copolymer of an alkoxyamine having other radical polymerizable vinyl groups in the molecule and other monomers, the radical polymerization is performed on all repeating units constituting the hyperbranched core polymer. The proportion of alkoxyamine having a possible vinyl group in the molecule is preferably 10 to 99 mol%, more preferably 20 to 99 mol%, and even more preferably 30 to 99 mol%. . In the hyperbranched core polymer, if the amount of the alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule is within the above range, the hyperbranched core polymer takes a spherical form, which is advantageous for suppressing entanglement between molecules. In addition, it is preferable because functions such as substrate adhesion and increase in glass transition temperature are provided. In addition, the amount of the alkoxyamine having the above-mentioned radically polymerizable vinyl group in the core and the other monomer can be adjusted by the charge amount ratio at the time of polymerization according to the purpose.

<シェル部を構成するモノマー>
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマーのうち、シェル部を構成するモノマーについて説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部は、当該ハイパーブランチポリマー分子の末端を構成する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部は、下記式(II)、(III)であらわされる繰り返し単位の少なくとも一方を備えている。
<Monomer constituting the shell part>
Next, of the monomers used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, the monomer that constitutes the shell portion will be described. The shell part of the core-shell hyperbranched polymer constitutes the end of the hyperbranched polymer molecule. The shell part of the core-shell hyperbranched polymer includes at least one of repeating units represented by the following formulas (II) and (III).

下記式(II)、(III)であらわされる繰り返し単位は、酢酸、マレイン酸、安息香酸などの有機酸あるいは塩酸、硫酸または硝酸などの無機酸の作用により、好ましくは光エネルギーによって酸を発生する光酸発生剤の作用により分解する酸分解性基を含む。シェル部に酸分解性基を同時に導入する場合、シェル部における酸分解性基と酸基の割合は、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを構成する他のモノマーから誘導される繰り返し単位との比率により最適値が異なるが、95/5〜5/95であることが好ましい。酸分解性基は分解して親水基となるのが好ましい。   The repeating unit represented by the following formulas (II) and (III) generates an acid by the action of an organic acid such as acetic acid, maleic acid or benzoic acid or an inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid, preferably by light energy. It contains an acid-decomposable group that decomposes by the action of a photoacid generator. When introducing acid-decomposable groups into the shell at the same time, the ratio of acid-decomposable groups to acid groups in the shell is optimal depending on the ratio of repeating units derived from other monomers that constitute the core-shell hyperbranched polymer. However, it is preferably 95/5 to 5/95. The acid-decomposable group is preferably decomposed into a hydrophilic group.

Figure 2008081895
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Figure 2008081895
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上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRは、水素原子または炭素数1〜3のアルキル基を示している。このうち、上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRとしては、水素原子およびメチル基が好ましい。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRとしては、水素原子がさらに好ましい。R 1 in the above formula (II) and R 4 in the above formula (III) represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Among these, as R 1 in the above formula (II) and R 4 in the above formula (III), a hydrogen atom and a methyl group are preferable. As R 1 in the above formula (II) and R 4 in the above formula (III), a hydrogen atom is more preferable.

上記式(II)中のRは、水素原子、アルキル基、またはアリール基を示している。上記式(II)中のRにおけるアルキル基としては、たとえば、炭素数が1〜30であることが好ましい。上記式(II)中のRにおけるアルキル基のより好ましい炭素数は、1〜20である。上記式(II)中のRにおけるアルキル基のより一層好ましい炭素数は、1〜10である。アルキル基は、直鎖状、分岐状もしくは環状構造を有している。具体的に、上記式(II)中のRにおけるアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、などが挙げられる。R 2 in the above formula (II) represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. The alkyl group for R 2 in the above formula (II) preferably has, for example, 1 to 30 carbon atoms. The more preferable carbon number of the alkyl group in R < 2 > in said formula (II) is 1-20. The more preferable carbon number of the alkyl group in R 2 in the above formula (II) is 1-10. The alkyl group has a linear, branched or cyclic structure. Specifically, examples of the alkyl group for R 2 in the above formula (II) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, and a cyclohexyl group. It is done.

上記式(II)中のRにおけるアリール基としては、たとえば、炭素数6〜30であることが好ましい。上記式(II)中のRにおけるアリール基のより好ましい炭素数は、6〜20である。上記式(II)中のRにおけるアリール基のより一層好ましい炭素数は、6〜10である。具体的に、上記式(II)中のRにおけるアリール基としては、たとえば、フェニル基、4−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。このうち、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基などが挙げられる。上記式(II)中のRとして、もっとも好ましい基の1つとして水素原子が挙げられる。The aryl group for R 2 in the above formula (II) preferably has, for example, 6 to 30 carbon atoms. The more preferable carbon number of the aryl group in R 2 in the above formula (II) is 6-20. The more preferable carbon number of the aryl group in R 2 in the above formula (II) is 6-10. Specifically, examples of the aryl group in R 2 in the above formula (II) include a phenyl group, a 4-methylphenyl group, and a naphthyl group. Among these, a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, etc. are mentioned. As R 2 in the above formula (II), one of the most preferable groups is a hydrogen atom.

上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRは、水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基、オキソアルキル基、または下記式(i)であらわされる基を示している。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおけるアルキル基としては、炭素数1〜40であることが好ましい。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおけるアルキル基のより好ましい炭素数は、1〜30である。R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) represent a hydrogen atom, an alkyl group, a trialkylsilyl group, an oxoalkyl group, or a group represented by the following formula (i). . The alkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) preferably has 1 to 40 carbon atoms. The more preferable carbon number of the alkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) is 1-30.

上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおけるアルキル基のより一層好ましい炭素数は、1〜20である。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐状もしくは環状構造を有している。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRとしては、炭素数1〜20の分岐状アルキル基がより好ましい。The more preferable carbon number of the alkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) is 1-20. The alkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) has a linear, branched or cyclic structure. As R 3 in the formula (II) and R 5 in the formula (III), a branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable.

上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおける各アルキル基の好ましい炭素数は1〜6であり、より好ましい炭素数は1〜4である。上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおけるオキソアルキル基のアルキル基の炭素数は4〜20であり、より好ましい炭素数は4〜10である。The preferable carbon number of each alkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) is 1-6, and more preferable carbon number is 1-4. The carbon number of the alkyl group of the oxoalkyl group in R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III) is 4 to 20, and more preferably 4 to 10.

Figure 2008081895
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上記式(i)中のRは、水素原子またはアルキル基を示している。下記式(i)であらわされる基のRにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状構造を有している。下記式(i)であらわされる基のRにおけるアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましい。下記式(i)であらわされる基のRにおけるアルキル基のより好ましい炭素数は、1〜8であり、より好ましい炭素数は1〜6である。R 6 in the above formula (i) represents a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group in R 6 of the group represented by the following formula (i) has a linear, branched, or cyclic structure. It is preferable that carbon number of the alkyl group in R < 6 > of group represented by following formula (i) is 1-10. The more preferable carbon number of the alkyl group in R < 6 > of group represented by following formula (i) is 1-8, and a more preferable carbon number is 1-6.

上記式(i)中のRおよびRは、水素原子またはアルキル基である。上記式(i)中のRおよびRにおける水素原子またはアルキル基は、互いに独立していてもよいし、一緒になって環を形成しても良い。上記式(i)中のRおよびRにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状構造を有している。上記式(i)中のRおよびRにおけるアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましい。上記式(i)中のRおよびRにおけるアルキル基のより好ましい炭素数は、1〜8である。上記式(i)中のRおよびRにおけるアルキル基のより一層好ましい炭素数は、1〜6である。上記式(i)中のRおよびRとしては、炭素数1〜20の分岐状アルキル基が好ましい。R 7 and R 8 in the above formula (i) are a hydrogen atom or an alkyl group. The hydrogen atom or alkyl group in R 7 and R 8 in the above formula (i) may be independent from each other or may form a ring together. The alkyl group in R 7 and R 8 in the above formula (i) has a linear, branched or cyclic structure. It is preferable that carbon number of the alkyl group in R < 7 > and R < 8 > in the said formula (i) is 1-10. The more preferable carbon number of the alkyl group in R 7 and R 8 in the above formula (i) is 1-8. The more preferable carbon number of the alkyl group in R 7 and R 8 in the above formula (i) is 1-6. R 7 and R 8 in the above formula (i) are preferably a branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

上記式(i)で示される基としては、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−sec−ブトキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、1−tert−アミロキシエチル基、1−エトキシ−n−プロピル基、1−シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチル−エチル基などの直鎖状または分岐状アセタール基;テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの環状アセタール基、などが挙げられる。上記式(i)で示される基としては、前述した各基の中でも、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシプロピル基、テトラヒドロピラニル基が特に好適である。   Examples of the group represented by the above formula (i) include 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-isopropoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-iso Butoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-tert-amyloxyethyl group, 1-ethoxy-n-propyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxy Linear or branched acetal groups such as propyl group, 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl group; cyclic acetal groups such as tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, etc. Is mentioned. As the group represented by the above formula (i), among the above-mentioned groups, an ethoxyethyl group, a butoxyethyl group, an ethoxypropyl group, and a tetrahydropyranyl group are particularly preferable.

上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおいて、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、トリエチルカルビル基、1−エチルノルボニル基、1−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、2−(2−メチル)アダマンチル基、tert−アミル基などが挙げられる。このうち、tert−ブチル基が特に好ましい。In R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III), as the linear, branched or cyclic alkyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, tert-butyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, triethylcarbyl group, 1-ethylnorbornyl group, 1-methylcyclohexyl group, adamantyl group, 2- (2-methyl) adamantyl group, tert-amyl group Etc. Of these, a tert-butyl group is particularly preferred.

上記式(II)中のRおよび上記式(III)中のRにおいて、トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−tert−ブチルシリル基などの、各アルキル基の炭素数が1〜6のものが挙げられる。オキソアルキル基としては、3−オキソシクロヘキシル基などが挙げられる。In R 3 in the above formula (II) and R 5 in the above formula (III), the trialkylsilyl group includes carbon atoms of each alkyl group such as trimethylsilyl group, triethylsilyl group, dimethyl-tert-butylsilyl group, etc. 1-6 are mentioned. Examples of the oxoalkyl group include a 3-oxocyclohexyl group.

上記式(II)であらわされる繰り返し単位を与えるモノマーとしては、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸tert−ブチル、ビニル安息香酸2−メチルブチル、ビニル安息香酸2−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−エチルブチル、ビニル安息香酸3−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−メチルヘキシル、ビニル安息香酸3−メチルヘキシル、ビニル安息香酸トリエチルカルビル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−メチルノルボニル、ビニル安息香酸1−エチルノルボニル、ビニル安息香酸2−メチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸2−エチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、ビニル安息香酸テトラヒドロフラニル、ビニル安息香酸テトラヒドロピラニル、ビニル安息香酸1−メトキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシエチル、ビニル安息香酸1−n−プロポキシエチル、ビニル安息香酸1−イソプロポキシエチル、ビニル安息香酸n−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−イソブトキシエチル、ビニル安息香酸1−sec−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−アミロキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−n−プロピル、ビニル安息香酸1−シクロヘキシロキシエチル、ビニル安息香酸メトキシプロピル、ビニル安息香酸エトキシプロピル、ビニル安息香酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸トリメチルシリル、ビニル安息香酸トリエチルシリル、ビニル安息香酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、ビニル安息香酸1−メチルシクロヘキシル、ビニル安息香酸アダマンチル、ビニル安息香酸2−(2−メチル)アダマンチル、ビニル安息香酸クロルエチル、ビニル安息香酸2−ヒドロキシエチル、ビニル安息香酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、ビニル安息香酸5−ヒドロキシペンチル、ビニル安息香酸トリメチロールプロパン、ビニル安息香酸グリシジル、ビニル安息香酸ベンジル、ビニル安息香酸フェニル、ビニル安息香酸ナフチルなどが挙げられる。このうち、4−ビニル安息香酸と4−ビニル安息香酸tert−ブチルの共重合体が好ましい。   Examples of the monomer that gives the repeating unit represented by the above formula (II) include vinyl benzoic acid, tert-butyl vinyl benzoate, 2-methylbutyl vinyl benzoate, 2-methylpentyl vinyl benzoate, 2-ethylbutyl vinyl benzoate, vinyl 3-methylpentyl benzoate, 2-methylhexyl vinylbenzoate, 3-methylhexyl vinylbenzoate, triethylcarbyl vinylbenzoate, 1-methyl-1-cyclopentyl vinylbenzoate, 1-ethyl-1-vinylbenzoate Cyclopentyl, 1-methyl-1-cyclohexyl vinylbenzoate, 1-ethyl-1-cyclohexyl vinylbenzoate, 1-methylnorbornyl vinylbenzoate, 1-ethylnorbornyl vinylbenzoate, 2-methyl-2 vinylbenzoate -Adamantyl, vinyl benzoate 2- Tyl-2-adamantyl, 3-hydroxy-1-adamantyl vinylbenzoate, tetrahydrofuranyl vinylbenzoate, tetrahydropyranyl vinylbenzoate, 1-methoxyethyl vinylbenzoate, 1-ethoxyethyl vinylbenzoate, vinylbenzoic acid 1 -N-propoxyethyl, 1-isopropoxyethyl vinylbenzoate, n-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-isobutoxyethyl vinylbenzoate, 1-sec-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-tert-butoxy vinylbenzoate Ethyl, 1-tert-amyloxyethyl vinyl benzoate, 1-ethoxy-n-propyl vinyl benzoate, 1-cyclohexyloxyethyl vinyl benzoate, methoxypropyl vinyl benzoate, ethoxypropyl vinyl benzoate, 1-vinyl benzoate 1- Toxi-1-methyl-ethyl, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl vinylbenzoate, trimethylsilyl vinylbenzoate, triethylsilyl vinylbenzoate, dimethyl-tert-butylsilyl vinylbenzoate, α- (4-vinylbenzoyl) oxy -Γ-butyrolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone , Β-methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy -Γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ- Butyrolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β -Methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (4-vinylbenzoyl) oxy -Δ-valerolactone, α-ethyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (4-vinylbenzoy ) Oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, vinylbenzoic acid 1 -Methylcyclohexyl, adamantyl vinyl benzoate, 2- (2-methyl) adamantyl vinyl benzoate, chloroethyl vinyl benzoate, 2-hydroxyethyl vinyl benzoate, 2,2-dimethylhydroxypropyl vinyl benzoate, 5-vinyl benzoate 5- Examples thereof include hydroxypentyl, trimethylolpropane vinylbenzoate, glycidyl vinylbenzoate, benzyl vinylbenzoate, phenyl vinylbenzoate, and naphthyl vinylbenzoate. Of these, a copolymer of 4-vinylbenzoic acid and tert-butyl 4-vinylbenzoate is preferable.

上記式(III)であらわされる繰り返し単位を与えるモノマーとしては、アクリル酸、アクリル酸tert−ブチル、アクリル酸2−メチルブチル、アクリル酸2−メチルペンチル、アクリル酸2−エチルブチル、アクリル酸3−メチルペンチル、アクリル酸2−メチルヘキシル、アクリル酸3−メチルヘキシル、アクリル酸トリエチルカルビル、アクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−メチルノルボニル、アクリル酸1−エチルノルボニル、アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸1−メトキシエチル、アクリル酸1−エトキシエチル、アクリル酸1−n−プロポキシエチル、アクリル酸1−イソプロポキシエチル、アクリル酸n−ブトキシエチル、アクリル酸1−イソブトキシエチル、アクリル酸1−sec−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−アミロキシエチル、アクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、アクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、アクリル酸メトキシプロピル、アクリル酸エトキシプロピル、アクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸トリメチルシリル、アクリル酸トリエチルシリル、アクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、アクリル酸クロルエチル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸トリメチロールプロパン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ナフチル、メタクリル酸、メタクリル酸tert−ブチル、メタクリル酸2−メチルブチル、メタクリル酸2−メチルペンチル、メタクリル酸2−エチルブチル、メタクリル酸3−メチルペンチル、メタクリル酸2−メチルヘキシル、メタクリル酸3−メチルヘキシル、メタクリル酸トリエチルカルビル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−メチルノルボニル、メタクリル酸1−エチルノルボニル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、メタクリル酸テトラヒドロフラニル、メタクリル酸テトラヒドロピラニル、メタクリル酸1−メトキシエチル、メタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−n−プロポキシエチル、メタクリル酸1−イソプロポキシエチル、メタクリル酸n−ブトキシエチル、メタクリル酸1−イソブトキシエチル、メタクリル酸1−sec−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−アミロキシエチル、メタクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、メタクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、メタクリル酸メトキシプロピル、メタクリル酸エトキシプロピル、メタクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸トリメチルシリル、メタクリル酸トリエチルシリル、メタクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、メタクリル酸1−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、メタクリル酸クロルエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸トリメチロールプロパン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ナフチル、などが挙げられる。このうち、アクリル酸とアクリル酸tert−ブチルの共重合体が好ましい。   Monomers that give the repeating unit represented by the above formula (III) include acrylic acid, tert-butyl acrylate, 2-methylbutyl acrylate, 2-methylpentyl acrylate, 2-ethylbutyl acrylate, and 3-methylpentyl acrylate. 2-methylhexyl acrylate, 3-methylhexyl acrylate, triethylcarbyl acrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl acrylate, 1-ethyl-1-cyclopentyl acrylate, 1-methyl-1-cyclohexyl acrylate 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate, 1-methylnorbornyl acrylate, 1-ethylnorbornyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, acrylic acid 3 -Hydroxy-1-adamanche , Tetrahydrofuranyl acrylate, tetrahydropyranyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-isopropoxyethyl acrylate, n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-sec-butoxyethyl acrylate, 1-tert-butoxyethyl acrylate, 1-tert-amyloxyethyl acrylate, 1-ethoxy-n-propyl acrylate, 1-acrylate Cyclohexyloxyethyl, methoxypropyl acrylate, ethoxypropyl acrylate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl acrylate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl acrylate, trimethylsilyl acrylate, triethylsilyl acrylate, acrylic Dimethyl tert-butylsilyl phosphate, α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (acryloyl) Oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone Β-ethyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (acryloyl) oxy- δ-valerolactone, γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (acryloyl) oxy δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (acryloyl) oxy -Δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (acryloyl) oxy-δ -Valerolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, 1-methylcyclohexyl acrylate, adamantyl acrylate, acrylic acid 2 -(2-methyl) adamantyl, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2,2-dimethyl acrylate Roxypropyl, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane acrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, phenyl acrylate, naphthyl acrylate, methacrylic acid, tert-butyl methacrylate, 2-methylbutyl methacrylate, methacrylic acid 2 -Methylpentyl, 2-ethylbutyl methacrylate, 3-methylpentyl methacrylate, 2-methylhexyl methacrylate, 3-methylhexyl methacrylate, triethylcarbyl methacrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl methacrylate, 1 methacrylic acid -Ethyl-1-cyclopentyl, 1-methyl-1-cyclohexyl methacrylate, 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate, 1-methylnorbornyl methacrylate, 1-ethylnor methacrylate Nyl, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, tetrahydrofuranyl methacrylate, tetrahydropyranyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-isopropoxyethyl methacrylate, n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-sec-butoxyethyl methacrylate, methacrylic acid 1-tert-butoxyethyl, 1-tert-amyloxyethyl methacrylate, 1-ethoxy-n-propyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, methoxypropyl methacrylate, ethyl methacrylate Xylpropyl, 1-methoxy-1-methyl-ethyl methacrylate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl methacrylate, trimethylsilyl methacrylate, triethylsilyl methacrylate, dimethyl-tert-butylsilyl methacrylate, α- (methacryloyl) oxy- γ-butyrolactone, β- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (methacryloyl) Oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone , Γ-ethyl-γ- (methac Yl) oxy-γ-butyrolactone, α- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (methacryloyl) oxy -Δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (methacloyl) Oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (methacloyl) oxy- δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (methacloyl) Xyl-δ-valerolactone, 1-methylcyclohexyl methacrylate, adamantyl methacrylate, 2- (2-methyl) adamantyl methacrylate, chloroethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl methacrylate, Examples include 5-hydroxypentyl methacrylate, trimethylolpropane methacrylate, glycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl methacrylate, naphthyl methacrylate, and the like. Of these, a copolymer of acrylic acid and tert-butyl acrylate is preferred.

なお、シェル部を構成するモノマーとしては、4−ビニル安息香酸またはアクリル酸の少なくとも一方と、4−ビニル安息香酸tert−ブチルまたはアクリル酸tert−ブチルの少なくとも一方と、の共重合体も好ましい。シェル部を構成するモノマーとしては、ラジカル重合性の不飽和結合を有する構造であれば、上記式(II)および上記式(III)であらわされる繰り返し単位を与えるモノマー以外のモノマーであってもよい。   In addition, as a monomer which comprises a shell part, the copolymer of at least one of 4-vinyl benzoic acid or acrylic acid and at least one of 4-vinyl benzoate tert-butyl or tert-butyl acrylate is also preferable. The monomer constituting the shell portion may be a monomer other than the monomer that gives the repeating unit represented by the above formula (II) and the above formula (III) as long as it has a structure having a radical polymerizable unsaturated bond. .

使用することができる共重合モノマーとしては、たとえば、上記以外のスチレン類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、クロトン酸エステル類などから選ばれるラジカル重合性の不飽和結合を有する化合物などが挙げられる。   Examples of the copolymerizable monomer that can be used include compounds having a radical polymerizable unsaturated bond selected from styrenes, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, crotonic acid esters and the like other than those described above. It is done.

シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとして挙げられたスチレン類としては、具体例には、たとえば、スチレン、tert−ブトキシスチレン、α−メチル−tert−ブトキシスチレン、4−(1−メトキシエトキ)シスチレン、4−(1−エトキシエトキ)シスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン、アダマンチルオキシスチレン、4−(2−メチル−2−アダマンチルオキシ)スチレン、4−(1−メチルシクロヘキシルオキシ)スチレン、トリメチルシリルオキシスチレン、ジメチル−tert−ブチルシリルオキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン、ベンジルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレン、ビニルナフタレンなどが挙げられる。   Specific examples of the styrenes listed as copolymerizable monomers that can be used as the monomer constituting the shell portion include styrene, tert-butoxystyrene, α-methyl-tert-butoxystyrene, 4- ( 1-methoxyethoxy) styrene, 4- (1-ethoxyethoxy) styrene, tetrahydropyranyloxystyrene, adamantyloxystyrene, 4- (2-methyl-2-adamantyloxy) styrene, 4- (1-methylcyclohexyloxy) styrene , Trimethylsilyloxystyrene, dimethyl-tert-butylsilyloxystyrene, tetrahydropyranyloxystyrene, benzylstyrene, trifluoromethylstyrene, acetoxystyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, trichloro Styrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, And vinyl naphthalene.

シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとして挙げられたアリルエステル類としては、具体例には、たとえば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、アリルオキシエタノール、などが挙げられる。   Specific examples of the allyl esters listed as copolymerizable monomers that can be used as the monomer constituting the shell portion include, for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate , Allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, allyloxyethanol, and the like.

シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとして挙げられたビニルエーテル類としては、具体例には、たとえば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテル、などが挙げられる。   Specific examples of vinyl ethers listed as copolymerizable monomers that can be used as the monomer constituting the shell portion include hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether. , Chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl Vinyl ether, vinyl phenyl ether, vinyl Tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl 2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, and the like.

シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとして挙げられたビニルエステル類としては、具体例には、たとえば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、などが挙げられる。   Specific examples of the vinyl ester that can be used as a monomer constituting the shell portion include, for example, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl Valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinylphenylacetate, vinylacetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate, etc. Can be mentioned.

シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとして挙げられたクロトン酸エステル類としては、具体例には、たとえば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、ジメチルマレレート、ジブチルフマレート、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリルなどが挙げられる。   Specific examples of the crotonic acid esters listed as copolymerizable monomers that can be used as the monomer constituting the shell portion include, for example, butyl crotonate, hexyl crotonate, glycerin monocrotonate, dimethyl itaconate, Examples include diethyl itaconate, dibutyl itaconate, dimethyl maleate, dibutyl fumarate, maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilonitrile and the like.

また、シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーとしては、具体的には、たとえば、下記式(IV)〜式(XIII)なども挙げられる。   Specific examples of the copolymerizable monomer that can be used as the monomer constituting the shell portion include the following formulas (IV) to (XIII).

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シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーは、上記式(IV)〜式(XIII)の中で、スチレン類、クロトン酸エステル類が好ましい。シェル部を構成するモノマーとして使用することができる共重合モノマーは、上記式(IV)〜式(XIII)の中でもスチレン、ベンジルスチレン、クロルスチレン、ビニルナフタレン、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、無水マレイン酸が好ましい。   Among the above-mentioned formulas (IV) to (XIII), styrenes and crotonic acid esters are preferable as the copolymerization monomer that can be used as the monomer constituting the shell portion. Among the above-mentioned formulas (IV) to (XIII), copolymer monomers that can be used as the monomer constituting the shell part are styrene, benzylstyrene, chlorostyrene, vinylnaphthalene, butyl crotonate, hexyl crotonate, and maleic anhydride. Acid is preferred.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおいて、上記式(II)または上記式(III)の少なくとも一方であらわされる繰り返し単位を与えるモノマーは、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマー全体の仕込み量に対して、仕込み時において、10〜90モル%の範囲で含まれていることが好ましい。前述した繰り返し単位を与えるモノマーは、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマー全体の仕込み量に対して、仕込み時において、20〜90モル%の範囲で含まれていることがより好ましい。   In the core-shell hyperbranched polymer, the monomer giving the repeating unit represented by at least one of the above formula (II) or the above formula (III) is charged relative to the total amount of monomers used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer. In some cases, it is preferably contained in the range of 10 to 90 mol%. It is more preferable that the monomer giving the above-mentioned repeating unit is contained in the range of 20 to 90 mol% at the time of charging with respect to the charging amount of the whole monomer used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer.

前述した繰り返し単位を与えるモノマーは、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマー全体の仕込み量に対して、仕込み時において、30〜90モル%の範囲でポリマーに含まれるのがより一層好ましい。特に、シェル部において上記式(II)または上記式(III)であらわされる繰り返し単位が、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマー全体の仕込み量に対して、仕込み時において、50〜100モル%、好ましくは80〜100モル%の範囲で含まれるのが好適である。   It is more preferable that the monomer giving the above-mentioned repeating unit is contained in the polymer in the range of 30 to 90 mol% at the time of charging with respect to the total amount of the monomer used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer. In particular, the repeating unit represented by the above formula (II) or the above formula (III) in the shell portion is 50 to 100 mol% at the time of charging with respect to the total amount of monomers used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer. , Preferably in the range of 80 to 100 mol%.

前述した繰り返し単位を与えるモノマーが、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるモノマー全体での仕込み量に対して、仕込み時において、前述の範囲内にあると、当該コアシェル型ハイパーブランチポリマーを含んだレジスト組成物を用いたリソグラフィーの現像工程において、露光部が効率よくアルカリ溶液に溶解し除去されるので好ましい。   A resist containing the core-shell hyperbranched polymer if the monomer giving the repeating unit is within the aforementioned range at the time of preparation with respect to the total amount of monomers used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer. In the lithography development step using the composition, the exposed portion is preferably dissolved and removed in an alkaline solution, which is preferable.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部が、上記式(II)または上記式(III)であらわされる繰り返し単位を与えるモノマーとその他のモノマーとの共重合物であるとき、シェル部を構成する全繰り返し単位に対して、上記式(II)または上記式(III)の少なくとも一方の割合は、30〜90モル%であるのが好ましく、50〜70モル%であるのがより好ましい。シェル部を形成する全モノマー中における上記式(II)または上記式(III)の少なくとも一方の量が前述の範囲内にあると、露光部の効率的アルカリ溶解性を阻害せずに、エッチング耐性、ぬれ性、ガラス転移温度の上昇などの機能が付与されるので好ましい。   When the shell part of the core-shell hyperbranched polymer is a copolymer of a monomer giving a repeating unit represented by the above formula (II) or the above formula (III) and another monomer, all repeating units constituting the shell part On the other hand, the ratio of at least one of the formula (II) or the formula (III) is preferably 30 to 90 mol%, more preferably 50 to 70 mol%. When the amount of at least one of the above formula (II) or the above formula (III) in all the monomers forming the shell portion is within the above-mentioned range, the etching resistance is not impaired without inhibiting the effective alkali solubility of the exposed portion. It is preferable because functions such as wettability and glass transition temperature are increased.

なお、シェル部における上記式(II)または上記式(III)の少なくとも一方であらわされる繰り返し単位とそれ以外の繰り返し単位との量は、目的に応じてシェル部導入時のモル比の仕込み量比により調節することができる。   The amount of the repeating unit represented by at least one of the above formula (II) or the above formula (III) in the shell part and the other repeating unit is a charge ratio of the molar ratio at the time of introducing the shell part depending on the purpose. Can be adjusted.

(重合開始剤)
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤としては、特に限定されないが、たとえば、アゾ系重合開始剤、パーオキサイド重合開始剤、レドックス重合開始剤、などを挙げることができる。
(Polymerization initiator)
Next, the polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer will be described. Although it does not specifically limit as a polymerization initiator used for the synthesis | combination of a core-shell type hyperbranched polymer, For example, an azo polymerization initiator, a peroxide polymerization initiator, a redox polymerization initiator etc. can be mentioned.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤の中のアゾ系重合開始剤としては、具体的には、たとえば、
(アゾ系重合開始剤)
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるアゾ系重合開始剤について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるアゾ系重合開始剤としては、公知のものを使用する事ができ、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。該アゾ系重合開始剤としては、たとえば、油溶性アゾ系重合開始剤、水溶性アゾ系重合開始剤、高分子アゾ系重合開始剤などが挙げられる。
As the azo polymerization initiator in the polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, specifically, for example,
(Azo polymerization initiator)
Next, an azo polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer will be described. As the azo polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, a known azo polymerization initiator can be used, and is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Examples of the azo polymerization initiator include oil-soluble azo polymerization initiators, water-soluble azo polymerization initiators, and polymer azo polymerization initiators.

前記油溶性アゾ系重合開始剤としては、たとえば、2,2’−アゾビスイソブチロニリトル、2,2′−アゾビス(2,3−ジメチルブチロニトリル)、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2′−アゾビス(2,3,3−トリメチルブチロニトリル)、2,2′−アゾビス(2−イソプロピルブチロニトリル)、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、2,2′−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2′−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2−(カルバモイルアゾ)イソブチロニトリル、4,4′−アゾビス(4−シアノバレリン酸)、ジメチル−2,2′−アゾビスイソブチレート、ジメチル−2,2′−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、2,2′−アゾビス〔N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド〕、2,2′−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2′−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミドなどが挙げられる。   Examples of the oil-soluble azo polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2,3-dimethylbutyronitrile), 2,2′-azobis (2 -Methylbutyronitrile), 2,2'-azobis (2,3,3-trimethylbutyronitrile), 2,2'-azobis (2-isopropylbutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexane- 1-carbonitrile), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2- (carbamoylazo) isobuty Ronitrile, 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), dimethyl-2,2'-azobisisobutyrate, dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) 2,2'-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2'-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis (N- Examples include cyclohexyl-2-methylpropionamide.

前記水溶性アゾ系重合開始剤としては、たとえば、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)塩酸塩、4,4’−アゾビス−4−シアノパレリン酸、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)1,〔(シアノ−1−メチルエチル)アゾ〕ホルムアミド、2,2’−アゾビス〔2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン〕ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス〔2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン〕ジサルフェートジハイドレート、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス〔N−(2−カルボキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン〕ハイドレート、2,2’−アゾビス{2−〔1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル〕プロパン}ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス〔2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン〕、2,2’−アゾビス(1−イミノ−1−ピロリジノ−2−エチルプロパン)ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−〔1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド、2,2’−アゾビス〔2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチルプロピオンアミド)〕、2,2’−アゾビス(N,N−ジメチレンイソ−ブチロアミジン)ハイドロクロライドなどが挙げられる。   Examples of the water-soluble azo polymerization initiator include 2,2′-azobis (2-amidinopropane) hydrochloride, 4,4′-azobis-4-cyanoparellic acid, 2,2′-azobis (4-methoxy). -2,4-dimethylvaleronitrile) 1, [(cyano-1-methylethyl) azo] formamide, 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2 '-Azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] disulfate dihydrate, 2,2'-azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride, 2,2'-azobis [N- (2 -Carboxyethyl) -2-methylpropionamidine] hydrate, 2,2'-azobis {2- [1- (2-hydroxyethyl) -2-imida Rin-2-yl] propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis (1-imino-1-pyrrolidino-2-ethyl Propane) dihydrochloride, 2,2'-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide, 2,2'-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethylpropionamide)], 2,2′-azobis (N, N-dimethyleneiso-butyroamidine) hydrochloride and the like.

前記高分子アゾ系重合開始剤としては、たとえば、ポリジメチルシロキサンユニット含有高分子アゾ系重合開始剤、ポリエチレングリコールユニット含有高分子アゾ系重合開始剤などが挙げられる。該ポリジメチルシロキサンユニット含有高分子アゾ系重合開始剤の具体例としては、たとえば、和光純薬工業製のVPS−0501、VPS−1001などが挙げられる。また、該ポリエチレングリコールユニット含有高分子アゾ系重合開始剤の具体例としては、たとえば、和光純薬工業製のVPE−0201、VPE−0401、VPE−0601などが挙げられる。   Examples of the polymer azo polymerization initiator include polydimethylsiloxane unit-containing polymer azo polymerization initiator, polyethylene glycol unit-containing polymer azo polymerization initiator, and the like. Specific examples of the polydimethylsiloxane unit-containing polymer azo polymerization initiator include VPS-0501 and VPS-1001 manufactured by Wako Pure Chemical Industries. Specific examples of the polyethylene glycol unit-containing polymer azo polymerization initiator include VPE-0201, VPE-0401, and VPE-0601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries.

上述した各種のアゾ系重合開始剤の中でも、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いるアゾ系重合開始剤としては、油溶性アゾ系重合開始剤、水溶性アゾ系重合開始剤が好ましい。このうち、2,2’−アゾビスイソブチロニリトル、2,2′−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル−2,2′−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、2,2’−アゾビス〔2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン〕ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス〔N−(2−カルボキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン〕ハイドレート、2,2’−アゾビス{2−〔1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル〕プロパン}ジヒドロクロライドが特に好ましい。   Among the various azo polymerization initiators described above, as the azo polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, an oil-soluble azo polymerization initiator and a water-soluble azo polymerization initiator are preferable. Of these, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate) ), 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [N- (2-carboxyethyl) -2-methylpropionamidine] hydrate, 2,2′-azobis {2- [1- (2-hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride is particularly preferred.

(パーオキサイド重合開始剤)
コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤の中のパーオキサイド重合開始剤としては、具体的には、たとえば、メチルエチルパーオキサイド、メチルイソブチルパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ビス−3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミイパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルペルオキシヘキサン)、1,3−ビス(t−ブチルペルオキシイソプロピル)ベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5ジ−(t−ブチルペルオキシ)ヘキセン、トリス(t−ブチルペルオキシ)トリアジン、1,1−ジ−t−ブチルペルオキシ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルパーオキサイド、1,1−ジ−t−ペルオキシシクロヘキサン、2,2−ジ(t−)ブチルペルオキシ)ブタン、4,4−ジ−t−ブチルペルオキ吉草酸−n−ブチルエステル、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルペルオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシネオデカノエート、α−クミルペルオキシネオデカノエート、t−ブチルペルオキシネオデカノエート、t−ブチルペルオキシネオペンタノエート、t−ヘキシルペルオキシピバレート、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−アミルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルペルオキシヘキサヒドロテトラフタレート、t−アミルペルオキシ3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシ3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシアセテート、t−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ブチルペルオキシトリメチルアジペート、ジ−3−メトキシブチルペルオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルペルオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)ペルオキシジカーボネート、ジ−イソプロピルペルオキシジカーボネート、t−ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、t−ブチルペルオキシ2−エチルヘキシルカーボネート、1,6−ビス(t−ブチルペルオキシカルボニロイル)ヘキサン、ジエチレングリコール−ビス(t−ブチルペルオキシカーボネート、などが挙げられる。
(Peroxide polymerization initiator)
As the peroxide polymerization initiator in the polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer, specifically, for example, methyl ethyl peroxide, methyl isobutyl peroxide, acetylacetone peroxide, cyclohexanone peroxide, 1, 1,3,3-tetramethylbutyl peroxide, cumene hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, isobutyryl peroxide, bis-3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide , Dicumiperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-di- (t-butylperoxyhexane), 1,3-bis (t-butylperoxyisopropyl) benzene, t-butylcumylperoxy Id, di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 di- (t-butylperoxy) hexene, tris (t-butylperoxy) triazine, 1,1-di-t-butylperoxy-3 , 3,5-trimethylcyclohexyl peroxide, 1,1-di-t-peroxycyclohexane, 2,2-di (t-butylperoxy) butane, 4,4-di-t-butylperoxyvaleric acid-n-butyl Ester, 2,2-bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, α-cumylperoxyneodecanoate, t -Butylperoxyneodecanoate, t-butylperoxyneopenanoate, t-hexylperoxypivalate, t-butylpe Ruoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, t-amylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy Isobutyrate, di-t-butylperoxyhexahydrotetraphthalate, t-amylperoxy 3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxy 3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxyacetate , T-butylperoxybenzoate, di-butylperoxytrimethyladipate, di-3-methoxybutylperoxydicarbonate, di-2-ethylhexylperoxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-isopropyl Examples include ruperoxydicarbonate, t-butylperoxyisopropyl carbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl carbonate, 1,6-bis (t-butylperoxycarbonoyl) hexane, diethylene glycol-bis (t-butylperoxycarbonate, etc. It is done.

上述した各種のパーオキサイド重合開始剤の中でも、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤としてのパーオキサイド重合開始剤としては、ベンゾイルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ブチルパーオキサイドおよびt−ブチルパーオキシベンゾエートが好ましい。   Among the various peroxide polymerization initiators mentioned above, the peroxide polymerization initiator as the polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer includes benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, cumene hydroperoxide, and t-butyl. Peroxide and t-butyl peroxybenzoate are preferred.

上述したパーオキサイド重合開始剤としては、油溶性パーオキサイド重合開始剤および水溶性パーオキサイド重合開始剤などが用いられる。油溶性パーオキサイド重合開始剤としては、以下に示した(1)〜(7)に該当する化合物が挙げられる。   As the peroxide polymerization initiator described above, an oil-soluble peroxide polymerization initiator, a water-soluble peroxide polymerization initiator, and the like are used. Examples of the oil-soluble peroxide polymerization initiator include compounds corresponding to the following (1) to (7).

(1)ケトンパーオキサイド:たとえば、メチルエチルパーオキサイド、メチルイソブチルパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、など。   (1) Ketone peroxide: For example, methyl ethyl peroxide, methyl isobutyl peroxide, acetyl acetone peroxide, cyclohexanone peroxide, and the like.

(2)ハイドロパーオキサイド:たとえば、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド、など。   (2) Hydroperoxide: For example, 1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxide, cumene hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, and the like.

(3)ジアシルパーオキサイド:たとえば、イソブチリルパーオキサイド、ビス−3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、など。   (3) Diacyl peroxide: for example, isobutyryl peroxide, bis-3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, and the like.

(4)ジアルキルパーオキサイド:たとえば、ジクミイパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルペルオキシヘキサン、など)、1,3−ビス(t−ブチルペルオキシイソプロピル)ベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5ジ−(t−ブチルペルオキシ)ヘキセン、トリス(t−ブチルペルオキシ)トリアジン、など。   (4) Dialkyl peroxides: for example, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di- (t-butylperoxyhexane, etc.), 1,3-bis (t-butylperoxyisopropyl) benzene, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 di- (t-butylperoxy) hexene, tris (t-butylperoxy) triazine, and the like.

(5)パーオキシケタール:たとえば、1,1−ジ−t−ブチルペルオキシ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルパーオキサイド、1,1−ジ−t−ペルオキシシクロヘキサン、2,2−ジ(t−)ブチルペルオキシ)ブタン、4,4−ジ−t−ブチルペルオキ吉草酸−n−ブチルエステル、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルペルオキシシクロヘキシル)プロパン、など。   (5) Peroxyketal: for example, 1,1-di-t-butylperoxy-3,3,5-trimethylcyclohexyl peroxide, 1,1-di-t-peroxycyclohexane, 2,2-di (t- ) Butylperoxy) butane, 4,4-di-t-butylperoxyvaleric acid-n-butyl ester, 2,2-bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, and the like.

(6)アルキルパーエステル:たとえば、1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシネオデカノエート、α−クミルペルオキシネオデカノエート、t−ブチルペルオキシネオデカノエート、t−ブチルペルオキシネオペンタノエート、t−ヘキシルペルオキシピバレート、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−アミルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルペルオキシヘキサヒドロテトラフタレート、t−アミルペルオキシ3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシ3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルペルオキシアセテート、t−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ブチルペルオキシトリメチルアジペート、など。   (6) Alkyl perester: For example, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, α-cumylperoxyneodecanoate, t-butylperoxyneodecanoate, t-butylperoxyneo Pentanoate, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, t-amylperoxy-2-ethylhexanoate, t- Butylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxyhexahydrotetraphthalate, t-amylperoxy3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxy3,5 , 5-Trimethylhexanoate, t-Butylperu Shi acetate, t- butyl peroxybenzoate, di - butylperoxy trimethyl adipate, and the like.

(7)パーカーボネート:たとえば、ジ−3−メトキシブチルペルオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルペルオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)ペルオキシジカーボネート、ジ−イソプロピルペルオキシジカーボネート、t−ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、t−ブチルペルオキシ2−エチルヘキシルカーボネート、1,6−ビス(t−ブチルペルオキシカルボニロイル)ヘキサン、ジエチレングリコール−ビス(t−ブチルペルオキシカーボネート、など。   (7) Percarbonate: For example, di-3-methoxybutyl peroxydicarbonate, di-2-ethylhexyl peroxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-isopropyl peroxydicarbonate, t-butyl Peroxyisopropyl carbonate, t-butylperoxy 2-ethylhexyl carbonate, 1,6-bis (t-butylperoxycarbonoyl) hexane, diethylene glycol-bis (t-butylperoxycarbonate, etc.

上述した各種の化合物の中で、(1)ケトンパーオキサイド、(2)ハイドロパーオキサイド、(4)ジアルキルパーオキサイドおよび(6)アルキルパーエステルが、パーオキサイド重合開始剤として好ましい。パーオキサイド重合開始剤としてとして好ましい化合物の中でも、メチルエチルケトンパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ブチルパーオキサイドおよびt−ブチルパーオキシベンゾエートが、パーオキサイド重合開始剤として特に好ましい化合物として挙げられる。   Among the various compounds described above, (1) ketone peroxide, (2) hydroperoxide, (4) dialkyl peroxide and (6) alkyl perester are preferred as the peroxide polymerization initiator. Among the compounds preferable as the peroxide polymerization initiator, methyl ethyl ketone peroxide, cumene hydroperoxide, t-butyl peroxide and t-butyl peroxybenzoate are particularly preferable compounds as the peroxide polymerization initiator.

水溶性パーオキサイド重合開始剤としては、たとえば、過酸化水素、過酢酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムおよび過硫酸ナトリウム、などが挙げられる。水溶性パーオキサイド重合開始剤としては、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、が好ましい。   Examples of the water-soluble peroxide polymerization initiator include hydrogen peroxide, peracetic acid, ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate. As the water-soluble peroxide polymerization initiator, hydrogen peroxide, ammonium persulfate, and sodium persulfate are preferable.

(レドックス重合開始剤)
コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる重合開始剤の中のレドックス重合開始剤としては、具体的には、たとえば、油溶性レドックス重合開始剤および水溶性レドックス重合開始剤、などが用いられる。油溶性レドックス重合開始剤としては、具体的には、たとえば、ヒドロペルオキサイド(tret−ブチルヒドロキシペルオキサイド、クメンヒドロキシペルオキサイド、など)、過酸化ジアルキル(過酸化ラウロイル、など)および過酸化ジアシル(過酸化ベンゾイル、など)の油溶性過酸化物が挙げられる。
(Redox polymerization initiator)
Specific examples of the redox polymerization initiator in the polymerization initiator used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include an oil-soluble redox polymerization initiator and a water-soluble redox polymerization initiator. Specific examples of the oil-soluble redox polymerization initiator include hydroperoxide (tret-butylhydroxyperoxide, cumenehydroxyperoxide, etc.), dialkyl peroxide (eg, lauroyl peroxide, etc.) and diacyl peroxide ( And oil-soluble peroxides such as benzoyl peroxide.

パーオキサイド重合開始剤と組み合わせて使用される還元剤として、第三アミン(トリエチルアミン、トリブチルアミン、など)、ナフテン酸塩、メルカプタン(メルカプトエタノール、ラウリルメルカプタン、など)、有機金属化合物(トリエチルアルミニウム、トリエチルホウ素およびジエチル亜鉛、など)などの油溶性還元剤等が挙げられる。   Reducing agents used in combination with peroxide polymerization initiators include tertiary amines (triethylamine, tributylamine, etc.), naphthenates, mercaptans (mercaptoethanol, lauryl mercaptan, etc.), organometallic compounds (triethylaluminum, triethyl) And an oil-soluble reducing agent such as boron and diethyl zinc.

上述した各種の化合物の中で、パーオキサイド重合開始剤と還元剤との好ましい組み合わせとしては、具体的には、たとえば、クメンヒドロペルオキシド−トリエチルアルミニウム、過酸化ベンゾイル−トリエチルアミン、などの組み合わせが挙げられる。   Among the various compounds described above, preferred examples of the combination of the peroxide polymerization initiator and the reducing agent are specifically combinations of cumene hydroperoxide-triethylaluminum, benzoyl peroxide-triethylamine, and the like. .

パーオキサイド重合開始剤としては、たとえば、過硫酸塩(過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、など)、過酸化水素およびヒドロペルオキサイド(tret−ブチルヒドロキシペルオキサイド、クメンヒドロキシペルオキサイド、など)などの水溶性過酸化物等が挙げられる。   Examples of peroxide polymerization initiators include water-soluble substances such as persulfates (potassium persulfate, ammonium persulfate, etc.), hydrogen peroxide and hydroperoxides (tret-butylhydroxyperoxide, cumenehydroxyperoxide, etc.). A peroxide etc. are mentioned.

上記パーオキサイド重合開始剤と組み合わせて使用される還元剤として、たとえば、2価鉄塩、亜硫酸水素ナトリウム、アルコール、ジメチルアニリン、などが挙げられる。上述した各種の化合物の中で、パーオキサイド重合開始剤と還元剤の好ましい具体的な組み合わせとしては、過酸化水素−2価鉄塩、過硫酸塩−亜硫酸ナトリウム、などが挙げられる。   Examples of the reducing agent used in combination with the peroxide polymerization initiator include divalent iron salt, sodium hydrogen sulfite, alcohol, dimethylaniline, and the like. Among the various compounds described above, preferred specific combinations of the peroxide polymerization initiator and the reducing agent include hydrogen peroxide-2valent iron salt, persulfate-sodium sulfite, and the like.

(溶媒)
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの重合反応は、無溶媒でも可能であるが、以下に示した各種の溶媒中でおこなうことが望ましい。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒の種類としては、特に限定はされないが、たとえば、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒、ニトリル系溶媒、エステル系溶媒、カーボネート系溶媒、アミド系溶媒、などが挙げられる。
(solvent)
Next, the solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer will be described. The polymerization reaction of the core-shell hyperbranched polymer can be carried out without a solvent, but it is preferable to carry out the polymerization in various solvents shown below. The type of solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer is not particularly limited. For example, hydrocarbon solvents, ether solvents, halogenated hydrocarbon solvents, ketone solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, Examples include ester solvents, carbonate solvents, amide solvents, and the like.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒である炭化水素系溶媒としては、具体的には、たとえば、ベンゼン、トルエン、などが挙げられる。ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるエーテル系溶媒としては、具体的には、たとえば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、アニソール、ジメトキシベンゼン、などが挙げられる。   Specific examples of the hydrocarbon solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include benzene and toluene. Specific examples of the ether solvent that is a solvent used in the synthesis of the hyperbranched polymer include diethyl ether, tetrahydrofuran, diphenyl ether, anisole, and dimethoxybenzene.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるハロゲン化炭化水素系溶媒としては、具体的には、たとえば、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、などが挙げられる。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるケトン系溶媒としては、具体的には、たとえば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、などが挙げられる。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるアルコール系溶媒としては、具体的には、たとえば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、などが挙げられる。   Specific examples of the halogenated hydrocarbon solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include methylene chloride, chloroform, chlorobenzene, and the like. Specific examples of the ketone solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Specific examples of the alcohol solvent that is used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include methanol, ethanol, propanol, and isopropanol.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるニトリル系溶媒としては、具体的には、たとえば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、などが挙げられる。ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるエステル系溶媒としては、具体的には、たとえば、酢酸エチル、酢酸ブチル、などが挙げられる。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるカーボネート系溶媒としては、具体的には、たとえば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、などが挙げられる。   Specific examples of the nitrile solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include acetonitrile, propionitrile, benzonitrile, and the like. Specific examples of the ester solvent that is a solvent used in the synthesis of the hyperbranched polymer include ethyl acetate and butyl acetate. Specific examples of the carbonate solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include ethylene carbonate and propylene carbonate.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒であるアミド系溶媒としては、具体的には、たとえば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、などが挙げられる。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に用いる溶媒として前述した各種の溶媒は、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Specific examples of the amide solvent that is a solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer include N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide. The various solvents described above as the solvent used for the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer may be used alone or in combination of two or more.

(コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成工程)
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法について説明する。実施の形態では、以下に示したコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法を反応方法Aとして説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、上述したラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンと必要に応じてその他のモノマー、重合開始剤、溶媒とを混合し、リビングラジカル重合をおこなう。
(Synthesis process of core-shell hyperbranched polymer)
Next, a method for synthesizing the core-shell hyperbranched polymer will be described. In the embodiment, a synthesis method of the core-shell hyperbranched polymer shown below will be described as a reaction method A. In synthesizing the core-shell hyperbranched polymer, living radical polymerization is performed by mixing the above-described alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule with other monomers, a polymerization initiator, and a solvent as necessary.

重合に際しては、たとえば、反応系を撹拌することで、反応系を均一にする。重合に際して具体的な撹拌条件としては、たとえば、単位容積当たりの攪拌所要動力が、0.01kW/m以上とすることが好ましい。
また、重合開始剤は、ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミン1に対して、0.001〜2倍molであることが好ましい。コア重合に際しては、反応系を20〜150℃に保った状態で、0.5〜10時間、リビングラジカル重合をおこなう。
In the polymerization, for example, the reaction system is made uniform by stirring the reaction system. As specific stirring conditions for the polymerization, for example, the required power for stirring per unit volume is preferably 0.01 kW / m 3 or more.
Moreover, it is preferable that a polymerization initiator is 0.001-2 times mol with respect to the alkoxyamine 1 which has the vinyl group in which a radical polymerization is possible in a molecule | numerator. In the core polymerization, living radical polymerization is performed for 0.5 to 10 hours with the reaction system kept at 20 to 150 ° C.

コア重合に際して、ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンの濃度は、反応全量に対して、1〜50質量%であることが好ましい。より好ましい濃度は、反応全量に対して、3〜20質量%である。   In the core polymerization, the concentration of the alkoxyamine having a radical polymerizable vinyl group in the molecule is preferably 1 to 50% by mass with respect to the total amount of the reaction. A more preferable concentration is 3 to 20% by mass with respect to the total amount of reaction.

コア重合に際しては、ラジカル重合可能なビニル基を分子内に有するアルコキシアミンを含むモノマーを、重合反応をおこなう反応容器に後から加えて反応をおこなわせることができる。ここで、反応容器(反応系)に対するモノマーの1回当たりの混合量(添加量)は、当該反応系に混合するモノマーの全量未満とする。   In the core polymerization, a monomer containing an alkoxyamine having a radically polymerizable vinyl group in the molecule can be added later to a reaction vessel for carrying out the polymerization reaction to cause the reaction. Here, the mixing amount (addition amount) of the monomer per time with respect to the reaction vessel (reaction system) is set to be less than the total amount of monomers mixed in the reaction system.

コア重合に際しては、モノマーを、重合反応をおこなう反応容器に後から加えて反応をおこなわせることができる。ここで、反応容器(反応系)に対するモノマーの1回当たりの混合量(添加量)は、当該反応系に混合するモノマーの全量未満とする。   In the core polymerization, the monomer can be added later to the reaction vessel for carrying out the polymerization reaction to cause the reaction. Here, the mixing amount (addition amount) of the monomer per time with respect to the reaction vessel (reaction system) is set to be less than the total amount of monomers mixed in the reaction system.

たとえば、所定時間に亘ってモノマーを滴下することで反応系にモノマーを混合する連続式や、反応系に混合するモノマーの全量を複数回に分割した一定量のモノマーを一定間隔ごとに加えることで反応系にモノマーを混合する分割式などの方式にしたがって反応系にモノマーを混合することで、反応容器(反応系)に対するモノマーの1回当たりの混合量(添加量)を、当該反応系に混合するモノマーの全量未満とする。   For example, by adding a monomer in a reaction system by dropping the monomer over a predetermined time, or by adding a constant amount of monomer that is divided into a plurality of times to the total amount of monomer mixed in the reaction system at regular intervals. Mixing the monomer into the reaction system according to the splitting system that mixes the monomer into the reaction system, etc., mixes the amount of monomer added (added) per reaction vessel (reaction system) to the reaction system. Less than the total amount of monomers to be treated.

また、たとえば、所定時間に亘ってモノマーを連続して滴下することで反応系にモノマーを混合するようにしてもよい。この場合、反応系に対して或る単位時間内に混合されたモノマーの混合量(添加量)は、当該反応系に混合するモノマーの全量未満となる。   Further, for example, the monomer may be mixed into the reaction system by continuously dropping the monomer over a predetermined time. In this case, the mixing amount (addition amount) of the monomer mixed within a certain unit time with respect to the reaction system is less than the total amount of monomers mixed into the reaction system.

連続式を用いて反応系にモノマーを混合する場合、モノマーの滴下時間としては、たとえば、5〜300分が好ましい。連続式を用いて反応系にモノマーを混合する場合のモノマーのより好ましい滴下時間は、15〜240分である。連続式を用いて反応系にモノマーを混合する場合のより一層好ましい滴下時間は、30〜180分である。   When the monomer is mixed into the reaction system using a continuous system, the monomer dropping time is preferably, for example, 5 to 300 minutes. The more preferable dropping time of the monomer when mixing the monomer into the reaction system using a continuous system is 15 to 240 minutes. A more preferable dropping time in the case of mixing the monomer into the reaction system using a continuous system is 30 to 180 minutes.

分割式を用いて反応系にモノマーを混合する場合、1回分のモノマーを混合してから所定のインターバルを開けてつぎの1回分のモノマーを混合する。所定時間としては、たとえば、混合したモノマーが少なくとも1回の重合反応をおこなうために要する時間であってもよいし、混合したモノマーが反応系全体に均一に分散するために要する時間であってもよいし、モノマーを混合することによって変動した反応系の温度が安定するまでに要する時間であってもよい。   When mixing a monomer into a reaction system using a dividing formula, a single monomer is mixed and then a predetermined interval is opened to mix the next monomer. The predetermined time may be, for example, the time required for the mixed monomer to perform at least one polymerization reaction, or may be the time required for the mixed monomer to be uniformly dispersed throughout the reaction system. Alternatively, it may be the time required for the temperature of the reaction system changed by mixing the monomers to become stable.

なお、反応系に対するモノマーの滴下時間が短すぎる場合、分子量の急増を抑制するための十分な効果が発揮されない可能性がある。また、反応系に対するモノマーの滴下時間が長すぎる場合、ハイパーブランチコアポリマーの合成を開始してから終了するまでのトータルでの重合時間が長くなり、ハイパーブランチコアポリマーの合成コストがかかる可能性があるため好ましくない。   In addition, when the dripping time of the monomer with respect to the reaction system is too short, there is a possibility that a sufficient effect for suppressing a rapid increase in molecular weight may not be exhibited. In addition, if the dropping time of the monomer to the reaction system is too long, the total polymerization time from the start to the end of the synthesis of the hyperbranched core polymer becomes longer, which may increase the cost of synthesizing the hyperbranched core polymer. This is not preferable.

コア重合後は、コア重合によって合成されたハイパーブランチコアポリマーに、上述したシェル部を構成するモノマーを混合してシェル重合をおこなう。シェル重合に際してのモノマーの濃度は、ハイパーブランチコアポリマーの反応活性点に対して0.5〜20モル当量であることが好ましい。シェル重合に際してのより好ましいモノマーの濃度は、ハイパーブランチコアポリマーの反応活性点に対して1〜150モル当量である。ハイパーブランチコアポリマーの反応活性点に対するモノマー量を適切にコントロールすることで、コア/シェル比をコントロールすることができる。   After core polymerization, the hyperbranched core polymer synthesized by core polymerization is mixed with the monomer constituting the shell portion described above to perform shell polymerization. The concentration of the monomer in the shell polymerization is preferably 0.5 to 20 molar equivalents relative to the reaction active site of the hyperbranched core polymer. The more preferable monomer concentration in the shell polymerization is 1 to 150 molar equivalents relative to the reactive site of the hyperbranched core polymer. The core / shell ratio can be controlled by appropriately controlling the monomer amount with respect to the reactive site of the hyperbranched core polymer.

シェル重合に際しての重合時間は、重合物の分子量に応じて0.1〜10時間の間でおこなうのが好ましい。シェル重合に際しての反応温度は、20〜150℃の範囲であることが好ましい。シェル重合に際してのより好ましい反応温度は、50〜150℃の範囲である。また、使用溶媒の沸点よりも高い温度で重合させる場合は、たとえば、オートクレープ中で加圧するようにしてもよい。これによってコア重合によって合成された重合体をコア部と、シェル重合によって合成されたシェル部と、を有するコアシェル型ハイパーブランチポリマーが合成される。   The polymerization time for shell polymerization is preferably 0.1 to 10 hours depending on the molecular weight of the polymer. The reaction temperature during shell polymerization is preferably in the range of 20 to 150 ° C. A more preferable reaction temperature in the shell polymerization is in the range of 50 to 150 ° C. Moreover, when superposing | polymerizing at the temperature higher than the boiling point of a use solvent, you may make it pressurize in an autoclave, for example. As a result, a core-shell hyperbranched polymer having the core synthesized by the core polymerization and the shell synthesized by the shell polymerization is synthesized.

その後、合成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを精製する。合成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーの精製に際しては、シェル重合後の未反応モノマーを除去する。なお、シェル重合の前に、コア重合後の未反応モノマーを除去した後にシェル重合をおこなって、シェル重合後の未反応モノマーを除去してもよい。   Thereafter, the synthesized core-shell hyperbranched polymer is purified. In purifying the synthesized core-shell hyperbranched polymer, unreacted monomers after shell polymerization are removed. Before shell polymerization, unreacted monomers after core polymerization may be removed and then shell polymerization may be performed to remove unreacted monomers after shell polymerization.

未反応のモノマーを除去する方法としては、たとえば、以下に示す(S−1)〜(S−2)の方法を、単独あるいは複数組み合わせておこなうことができる。
(S−1)良溶媒に溶解した反応物に貧溶媒を添加することにより、ポリマーを沈殿させる。
(S−2)良溶媒と貧溶媒の混合溶媒でポリマーを洗浄する。
As a method for removing unreacted monomers, for example, the following methods (S-1) to (S-2) can be carried out singly or in combination.
(S-1) The polymer is precipitated by adding a poor solvent to the reactant dissolved in the good solvent.
(S-2) The polymer is washed with a mixed solvent of a good solvent and a poor solvent.

上記の(S−1)〜(S−2)において、良溶媒としては、たとえば、ハロゲン化炭化水素系、ニトロ化合物、ニトリル、エーテル、ケトン、エステル、炭酸エステルまたはこれらを含む混合溶媒が挙げられる。具体的には、たとえば、テトラヒドロフランやクロロベンゼン、クロロホルムなどが挙げられる。貧溶媒としては、たとえば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、水、またはこれらの溶媒を組み合わせた溶媒が挙げられる。なお、未反応のモノマーを除去する方法としては、上述した方法に特に限定されるものではない。   In the above (S-1) to (S-2), examples of the good solvent include halogenated hydrocarbons, nitro compounds, nitriles, ethers, ketones, esters, carbonates, and mixed solvents containing these. . Specific examples include tetrahydrofuran, chlorobenzene, chloroform, and the like. Examples of the poor solvent include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, water, or a solvent obtained by combining these solvents. The method for removing the unreacted monomer is not particularly limited to the method described above.

(分子構造)
つぎに、上述したコアシェル型ハイパーブランチポリマーの分子構造について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の分岐度(Br)は、0.3〜0.5であるのが好ましい。より好ましい分岐度(Br)は、0.4〜0.5である。ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の分岐度(Br)が、上記の範囲にある場合、ポリマー分子間での絡まりが小さく、パターン側壁における表面ラフネスが抑制されるので好ましい。
(Molecular structure)
Next, the molecular structure of the core-shell hyperbranched polymer described above will be described. The branching degree (Br) of the core part in the core-shell hyperbranched polymer is preferably 0.3 to 0.5. A more preferable degree of branching (Br) is 0.4 to 0.5. When the degree of branching (Br) of the core portion in the hyperbranched polymer is in the above range, it is preferable because entanglement between polymer molecules is small and surface roughness on the pattern side wall is suppressed.

ここで、コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の分岐度(Br)は、生成物のH−NMRを測定し、以下のようにして求めることができる。すなわち、4.6ppmに現われる−CHO部位のプロトンの積分比H1°と、4.8ppmに現われる−CHO部位のプロトンの積分比H2°を用いて、下記数式(A)の演算をおこなうことにより算出できる。−CHO部位と−CHO部位との両方で重合が進行し、分岐が高まった場合、分岐度(Br)の値は0.5に近づく。Here, the branching degree (Br) of the core part in the core-shell hyperbranched polymer can be determined as follows by measuring 1 H-NMR of the product. That is, using the integral ratio H1 ° of protons at the —CH 2 O site appearing at 4.6 ppm and the integral ratio H2 ° of protons at the —CHO site appearing at 4.8 ppm, the following mathematical formula (A) is calculated. Can be calculated. When polymerization proceeds at both the —CH 2 O site and the —CHO site and branching increases, the value of the degree of branching (Br) approaches 0.5.

Figure 2008081895
Figure 2008081895

コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の重量平均分子量(Mw)は、300〜10,000であるのが好ましく、500〜10,000であるのもまた好ましく、1,000〜10,000であるのが最も好ましい。コア部の分子量がこのような範囲にあると、コア部は球状形態をとり、また酸分解性基導入反応において、反応溶媒への溶解性を確保できるので好ましい。さらに、成膜性に優れ、上記分子量範囲のコア部に酸分解性基を誘導したハイパーブランチポリマーおいて、未露光部の溶解抑止に有利となるので好ましい。   The weight average molecular weight (Mw) of the core part in the core-shell hyperbranched polymer is preferably 300 to 10,000, more preferably 500 to 10,000, and 1,000 to 10,000. Is most preferred. When the molecular weight of the core part is in such a range, the core part takes a spherical shape and is preferable because solubility in a reaction solvent can be secured in the acid-decomposable group introduction reaction. Further, it is preferable in the hyperbranched polymer having excellent film forming property and having an acid-decomposable group derived in the core part in the above molecular weight range because it is advantageous for inhibiting dissolution of the unexposed part.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の多分散度(Mw/Mn)は1〜5であるのが好ましく、1〜3であるのがさらに好ましい。このような範囲にあると、露光後に不溶化などの悪影響を招く恐れがなく、望ましい。   The polydispersity (Mw / Mn) of the core portion in the core-shell hyperbranched polymer is preferably 1 to 5, and more preferably 1 to 3. If it is in such a range, there is no possibility of causing adverse effects such as insolubilization after exposure, which is desirable.

コアシェル型ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量(M)は、500〜50,000が好ましく、2,000〜50,000がより好ましく、最も好ましくは3,000〜50,000である。ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量(M)がこのような範囲にあると、該ハイパーブランチポリマーを含有するレジストは、成膜性が良好であり、リソグラフィー工程で形成された加工パターンの強度があるため形状を保つことができる。またドライエッチング耐性にも優れ、表面ラフネスも良好である。   The weight average molecular weight (M) of the core-shell hyperbranched polymer is preferably 500 to 50,000, more preferably 2,000 to 50,000, and most preferably 3,000 to 50,000. When the weight average molecular weight (M) of the hyperbranched polymer is in such a range, the resist containing the hyperbranched polymer has good film formability and has the strength of the processing pattern formed in the lithography process. The shape can be kept. It also has excellent dry etching resistance and good surface roughness.

ここで、コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の重量平均分子量(Mw)は、たとえば、0.5質量%のテトラヒドロフラン溶液を調製し、温度40℃でGPC(Gel Permeation Chromatography)測定をおこなって求めることができる。測定に際しては、移動溶媒としてはテトラヒドロフランを用い、標準物質としてはスチレンを使用するとともに、GPC HLC−8020型装置を用いて、カラムをTSKgel HXL−M(東ソー株式会社製)2本を連結する。   Here, the weight average molecular weight (Mw) of the core part in the core-shell hyperbranched polymer is obtained, for example, by preparing a 0.5 mass% tetrahydrofuran solution and performing GPC (Gel Permeation Chromatography) measurement at a temperature of 40 ° C. Can do. In measurement, tetrahydrofuran is used as a mobile solvent, styrene is used as a standard substance, and two TSKgel HXL-M (manufactured by Tosoh Corporation) are connected to a column using a GPC HLC-8020 type apparatus.

上述したハイパーブランチポリマーの重量平均分子量(M)は、酸分解性基が導入されたポリマーの各繰り返し単位の導入比率(構成比)をH−NMRにより求め、コアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部分の重量平均分子量(Mw)をもとにして、各構成単位の導入比率および、各構成単位の分子量を使って計算により求めることができる。なお、合成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーの形状は、NMRによる1級と2級との水素から球状であると判断できる。For the weight average molecular weight (M) of the hyperbranched polymer described above, the introduction ratio (configuration ratio) of each repeating unit of the polymer having an acid-decomposable group introduced is determined by 1 H-NMR, and the core portion of the core-shell hyperbranched polymer Based on the weight average molecular weight (Mw), the introduction ratio of each structural unit and the molecular weight of each structural unit can be used for calculation. The shape of the synthesized core-shell hyperbranched polymer can be judged to be spherical from the primary and secondary hydrogens by NMR.

(スターポリマーの合成に用いる物質)
つぎに、実施の形態のスターポリマーの合成に用いる物質について説明する。スターポリマーは、3種類の方法により合成することができる。それぞれの方法で使用される物質は以下の通りである。
(Substances used for star polymer synthesis)
Next, substances used for the synthesis of the star polymer of the embodiment will be described. The star polymer can be synthesized by three kinds of methods. The substances used in each method are as follows.

(1)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+重合開始剤+ニトロキシド+溶媒
(2)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+アルコキシアミン+溶媒
(3)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+アルコキシアミン+ニトロキシド+溶媒
(1) Monomer constituting the arm part + monomer constituting the core part + polymerization initiator + nitroxide + solvent (2) Monomer constituting the arm part + monomer constituting the core part + alkoxyamine + solvent (3) Arm part Monomer constituting the monomer + monomer constituting the core portion + alkoxyamine + nitroxide + solvent

重合開始剤と溶媒については、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する際と同様のものを使用することができる。   About a polymerization initiator and a solvent, the same thing as the time of synthesize | combining a core-shell type hyperbranched polymer can be used.

<アーム部を構成するモノマー>
アーム部を構成するモノマーは、コアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部を構成するモノマーに記載にものを使用することができる。
<Monomer composing arm part>
As the monomer constituting the arm portion, those described in the monomer constituting the shell portion of the core-shell hyperbranched polymer can be used.

<コア部を構成するモノマー>
以下に、スターポリマーのコア部の形成に使用可能なモノマーについて説明する。スターポリマーのコア部は、下記(1)〜(12)に該当するモノマーを用いて形成することができる。なお、該モノマーは、その分子構造内に重合反応に携る官能基を2個以上有する。
<Monomer constituting the core>
Below, the monomer which can be used for formation of the core part of a star polymer is demonstrated. The core portion of the star polymer can be formed using monomers corresponding to the following (1) to (12). The monomer has two or more functional groups involved in the polymerization reaction in its molecular structure.

(1)芳香族ビニル系炭化水素
(2)ビニル系炭化水素
(3)エステル基含有ビニル系単量体
(4)スルホン基含有ビニル系単量体、ビニル系硫酸モノエステル化物およびこれらの塩
(5)燐酸基含有ビニル系単量体
(6)ヒドロキシル基含有ビニル系単量体
(7)含窒素ビニル系単量体
(8)ハロゲン元素含有ビニル系単量体
(9)カルボキシル基含有ビニル系単量体およびその塩
(10)珪素含有ビニル系単量体
(11)既出特許に含まれるモノマー
(12)ビニル系単量体構造に開始剤部位を導入したビニル系単量体
(1) Aromatic vinyl hydrocarbons (2) Vinyl hydrocarbons (3) Ester group-containing vinyl monomers (4) Sulfone group-containing vinyl monomers, vinyl sulfate monoesters and their salts ( 5) Phosphoric group-containing vinyl monomers (6) Hydroxyl group-containing vinyl monomers (7) Nitrogen-containing vinyl monomers (8) Halogen element-containing vinyl monomers (9) Carboxyl group-containing vinyl monomers Monomer and its salt (10) Silicon-containing vinyl monomer (11) Monomer included in the existing patents (12) Vinyl monomer in which an initiator site is introduced into the vinyl monomer structure

上述した(1)における芳香族ビニル系炭化水素としては、具体的には、たとえば、o−ジビニルベンゼン、m−ジビニルベンゼン、p−ジビニルベンゼン、ジビニルトルエン、1,4−ジイソプロペニルベンゼン、トリビニルベンゼン、などが挙げられる。上述した(2)におけるビニル系炭化水素としては、イソプレン、ブタジエン、3−メチル−1,2−ブタジエン、2,3−ジメチル1,3−ブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン、オクタジエン、1,3,5−ヘキサトリエン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、トリビニルシクロヘキサンなどが挙げられる。   Specific examples of the aromatic vinyl hydrocarbon in the above (1) include, for example, o-divinylbenzene, m-divinylbenzene, p-divinylbenzene, divinyltoluene, 1,4-diisopropenylbenzene, tri And vinyl benzene. Examples of the vinyl hydrocarbon in the above (2) include isoprene, butadiene, 3-methyl-1,2-butadiene, 2,3-dimethyl 1,3-butadiene, pentadiene, hexadiene, octadiene, 1,3,5- Examples include hexatriene, cyclopentadiene, cyclohexadiene, and trivinylcyclohexane.

上述した(3)におけるエステル基含有ビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、マレイン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジビニル、アジピン酸ジアリル、フマル酸ジビニル、マレイン酸ジビニル、イタコン酸ジビニル、ビニルシンナメート、クロトン酸ビニル、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、1,2−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ビニル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(分子量300)ジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(分子量500)ジアクリレートなどが挙げられる。   Specific examples of the ester group-containing vinyl monomer in (3) above include, for example, diallyl maleate, diallyl phthalate, divinyl adipate, diallyl adipate, divinyl fumarate, divinyl maleate, and itaconic acid. Divinyl, vinyl cinnamate, vinyl crotonic acid, ethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meta ) Acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, 1,2-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediol di (meth) acrylate Rate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (molecular weight 300) di (meth) acrylate, polypropylene glycol (molecular weight 500), such as diacrylate.

上述した(4)におけるスルホン基含有ビニル系単量体、ビニル系硫酸モノエステル化物およびこれらの塩としては、具体的には、たとえば、ジビニルサルファイド、ジビニルスルホン、ジビニルスルフォキサイド、ジアリルジサルファイド、などが挙げられる。上述した(5)における燐酸基含有ビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、トリアリル燐酸エステル、トリ(4−ビニルフェニル)燐酸エステル、トリ(4−ビニルベンジル)燐酸エステル、ジアリルメチル燐酸エステル、ジ(4−ビニルフェニル)メチル燐酸エステル、ジ(4−ビニルベンジル)メチル燐酸エステル、ジアリルフェニルホスフェイトなどが挙げられる。   Specific examples of the sulfone group-containing vinyl monomers, vinyl sulfate monoesters and salts thereof in (4) above include, for example, divinyl sulfide, divinyl sulfone, divinyl sulfoxide, diallyl disulfide. , Etc. Specific examples of the phosphate group-containing vinyl monomer in (5) above include, for example, triallyl phosphate, tri (4-vinylphenyl) phosphate, tri (4-vinylbenzyl) phosphate, diallylmethyl. Examples include phosphoric acid ester, di (4-vinylphenyl) methyl phosphoric acid ester, di (4-vinylbenzyl) methyl phosphoric acid ester, and diallylphenyl phosphate.

上述した(6)におけるヒドロキシル基含有ビニル系単量体としては、ジビニルグリコール(1,5−ヘキサジエン−3,4−ジオール)、1,2−ジビニルオキシ−3−プロパノール、1,3−ジビニルオキシ−2−プロパノールなどが挙げられる。上述した(7)における含窒素ビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、ジアリルアミン、トリアリルアミン、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルシアヌレート、1−シアノブタジエン、メチレンビスアクリルアミド、ビスマレイミド、などが挙げられる。   Examples of the hydroxyl group-containing vinyl monomer in the above (6) include divinyl glycol (1,5-hexadiene-3,4-diol), 1,2-divinyloxy-3-propanol, 1,3-divinyloxy. -2-propanol. Specific examples of the nitrogen-containing vinyl monomer in (7) described above include diallylamine, triallylamine, diallyl isocyanurate, diallyl cyanurate, 1-cyanobutadiene, methylenebisacrylamide, bismaleimide, and the like. Can be mentioned.

上述した(8)におけるハロゲン元素含有ビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、1,4−ジビニルパーフルオロブタン、クロロプレン、ジアリルアミンハイドロクロライド、などが挙げられる。上述した(9)におけるカルボキシル基含有ビニル系単量体およびその塩としては、具体的には、たとえば、マレイン酸モノアリル、フタル酸モノアリル、フマル酸モノビニル、マレイン酸モノビニル、イタコン酸モノビニル、等のカルボキシル基含有ビニル系単量体、並びにこれらのアルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩などが挙げられる。アルカリ金属塩としては、たとえば、ナトリウム塩、カリウム塩などが挙げられる。アルカリ土類金属塩としては、たとえば、カルシウム塩、マグネシウム塩などが挙げられる。   Specific examples of the halogen element-containing vinyl monomer in (8) described above include 1,4-divinylperfluorobutane, chloroprene, diallylamine hydrochloride, and the like. Specific examples of the carboxyl group-containing vinyl monomer and salt thereof in (9) above include, for example, carboxyls such as monoallyl maleate, monoallyl phthalate, monovinyl fumarate, monovinyl maleate, monovinyl itaconate, and the like. Examples thereof include group-containing vinyl monomers, and alkali metal salts and alkaline earth metal salts thereof. Examples of the alkali metal salt include sodium salt and potassium salt. Examples of alkaline earth metal salts include calcium salts and magnesium salts.

上述した(10)における珪素含有ビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、ジビニルジメチルシラン、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジビニルジシロキサン、などが挙げられる。   Specific examples of the silicon-containing vinyl monomer in (10) described above include, for example, divinyldimethylsilane, 1,3-divinyltetramethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1, 3-divinyldisiloxane, and the like.

上述した(11)における既出特許に含まれるモノマーとしては、具体的には、たとえば、いずれも出願番号で、2005−327710、2006−026581、2006−029687、2006−055047、2006−066513、PCT/JP2006/308634、WO 2005/061566 A1などに記載されたモノマーが挙げられる。   Specific examples of the monomer included in the above-mentioned patent in (11) above include, for example, application numbers 2005-327710, 2006-026581, 2006-029687, 2006-055047, 2006-066513, PCT / JP2006 / 308634, WO 2005/061566 A1, and the like.

上述した(12)におけるビニル系単量体構造に開始剤部位を導入したビニル系単量体としては、具体的には、たとえば、2−(2−ブロモプロピオニルオキシ)エチルアクリレート、2−(2−ブロモプロピオニルオキシ)エチルアクリレート、2−(2−ブロモプロピオニルオキシ)ブチルアクリレート、2−(2−ブロモプロピオニルオキシ)エチルメタアクリレート、2−(2−ブロモプロピオニルオキシ)エチルメタアクリレート、m−(1−クロロエチル)スチレン、下記式(I)であらわされるモノマーなどが挙げられる。   Specific examples of the vinyl monomer obtained by introducing an initiator site into the vinyl monomer structure in (12) described above include 2- (2-bromopropionyloxy) ethyl acrylate, 2- (2 -Bromopropionyloxy) ethyl acrylate, 2- (2-bromopropionyloxy) butyl acrylate, 2- (2-bromopropionyloxy) ethyl methacrylate, 2- (2-bromopropionyloxy) ethyl methacrylate, m- (1 -Chloroethyl) styrene, monomers represented by the following formula (I), and the like.

Figure 2008081895
Figure 2008081895

上記式(I)中のYは、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基をあらわしている。Yにおける炭素数は、1〜8であることが好ましい。Yにおけるより好ましい炭素数は、1〜6である。上記の式(I)中のYは、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を含んでいてもよい。   Y in the above formula (I) represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. The number of carbon atoms in Y is preferably 1-8. The more preferable carbon number in Y is 1-6. Y in the above formula (I) may contain a hydroxyl group or a carboxyl group.

上記式(I)中のYとしては、具体的には、たとえば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、アミレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられる。また、上記式(I)中のYとしては、上記の各基が結合した基、あるいは、上述した各基に「−O−」、「−CO−」、「−COO−」が介在した基が挙げられる。   Specific examples of Y in the formula (I) include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, an isobutylene group, an amylene group, a hexylene group, and a cyclohexylene group. . Y in the formula (I) is a group in which the above groups are bonded, or a group in which “—O—”, “—CO—”, or “—COO—” is interposed in each of the above groups. Is mentioned.

上述した各基の中で、式(I)中のYとしては、炭素数1〜8のアルキレン基が好ましい。炭素数1〜8のアルキレン基の中で、上記式(I)中のYとしては、炭素数1〜8の直鎖アルキレン基がより好ましい。より好ましいアルキレン基としては、たとえば、メチレン基、エチレン基、−OCH−基、−OCHCH−基が挙げられる。上記式(I)相当するモノマーは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子(ハロゲン基)をあらわしている。上記式(I)相当するモノマーとして、具体的には、たとえば、上述したハロゲン原子の中で、塩素原子、臭素原子が好ましい。Among the groups described above, Y in the formula (I) is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. Among the alkylene groups having 1 to 8 carbon atoms, Y in the formula (I) is more preferably a linear alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. More preferable alkylene groups include, for example, a methylene group, an ethylene group, an —OCH 2 — group, and an —OCH 2 CH 2 — group. The monomer corresponding to the above formula (I) represents a halogen atom (halogen group) such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. Specifically, as the monomer corresponding to the above formula (I), for example, among the halogen atoms described above, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

上述した(12)におけるビニル系単量体構造に開始剤部位を導入したビニル系単量体の中で、上記式(I)であらわされるモノマーとしては、具体的には、たとえば、クロロメチルスチレン、ブロモメチルスチレン、p−(1−クロロエチル)スチレン、ブロモ(4−ビニルフェニル)フェニルメタン、1−ブロモ−1−(4−ビニルフェニル)プロパン−2−オン、3−ブロモ−3−(4−ビニルフェニル)プロパノール、などが挙げられる。   Among the vinyl monomers in which an initiator site is introduced into the vinyl monomer structure in (12) described above, as the monomer represented by the above formula (I), specifically, for example, chloromethylstyrene , Bromomethylstyrene, p- (1-chloroethyl) styrene, bromo (4-vinylphenyl) phenylmethane, 1-bromo-1- (4-vinylphenyl) propan-2-one, 3-bromo-3- (4 -Vinylphenyl) propanol, etc.

スターポリマーのコア部を構成するモノマーとしては、上記(1)〜(12)に該当するモノマーに加え、他のモノマーを含むことができる。他のモノマーとしては、ラジカル重合が可能なモノマーであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。ラジカル重合が可能な他のモノマーとしては、たとえば、(メタ)アクリル酸、および(メタ)アクリル酸エステル類、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸エステル類、スチレン類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類などから選ばれるラジカル重合性の不飽和結合を有する化合物などが挙げられる。   As a monomer which comprises the core part of a star polymer, in addition to the monomer applicable to said (1)-(12), another monomer can be included. The other monomer is not particularly limited as long as it is a monomer capable of radical polymerization, and can be appropriately selected according to the purpose. Examples of other monomers capable of radical polymerization include (meth) acrylic acid and (meth) acrylic acid esters, vinyl benzoic acid, vinyl benzoic acid esters, styrenes, allyl compounds, vinyl ethers, and vinyl esters. And compounds having a radical polymerizable unsaturated bond selected from the above.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられた(メタ)アクリル酸エステル類としては、具体的には、たとえば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸tert−ブチル、アクリル酸2−メチルブチル、アクリル酸2−メチルペンチル、アクリル酸2−エチルブチル、アクリル酸3−メチルペンチル、アクリル酸2−メチルヘキシル、アクリル酸3−メチルヘキシル、アクリル酸トリエチルカルビル、アクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、アクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、アクリル酸1−メチルノルボニル、アクリル酸1−エチルノルボニル、アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸1−メトキシエチル、アクリル酸1−エトキシエチル、アクリル酸1−n−プロポキシエチル、アクリル酸1−イソプロポキシエチル、アクリル酸n−ブトキシエチル、アクリル酸1−イソブトキシエチル、アクリル酸1−sec−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−ブトキシエチル、アクリル酸1−tert−アミロキシエチル、アクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、アクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、アクリル酸メトキシプロピル、アクリル酸エトキシプロピル、アクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、アクリル酸トリメチルシリル、アクリル酸トリエチルシリル、アクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(アクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、アクリル酸クロルエチル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ナフチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸tert−ブチル、メタクリル酸2−メチルブチル、メタクリル酸2−メチルペンチル、メタクリル酸2−エチルブチル、メタクリル酸3−メチルペンチル、メタクリル酸2−メチルヘキシル、メタクリル酸3−メチルヘキシル、メタクリル酸トリエチルカルビル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロペンチル、メタクリル酸1−メチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、メタクリル酸1−メチルノルボニル、メタクリル酸1−エチルノルボニル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、メタクリル酸テトラヒドロフラニル、メタクリル酸テトラヒドロピラニル、メタクリル酸1−メトキシエチル、メタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−n−プロポキシエチル、メタクリル酸1−イソプロポキシエチル、メタクリル酸n−ブトキシエチル、メタクリル酸1−イソブトキシエチル、メタクリル酸1−sec−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−ブトキシエチル、メタクリル酸1−tert−アミロキシエチル、メタクリル酸1−エトキシ−n−プロピル、メタクリル酸1−シクロヘキシロキシエチル、メタクリル酸メトキシプロピル、メタクリル酸エトキシプロピル、メタクリル酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、メタクリル酸トリメチルシリル、メタクリル酸トリエチルシリル、メタクリル酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(メタクロイル)オキシ−δ−バレロラクトン、メタクリル酸1−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸2−(2−メチル)アダマンチル、メタクリル酸クロルエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸トリメチロールプロパン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ナフチル、などが挙げられる。   Specific examples of the (meth) acrylic acid esters mentioned as other monomers capable of radical polymerization include, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, n-butyl acrylate, and tert-acrylate. -Butyl, 2-methylbutyl acrylate, 2-methylpentyl acrylate, 2-ethylbutyl acrylate, 3-methylpentyl acrylate, 2-methylhexyl acrylate, 3-methylhexyl acrylate, triethylcarbyl acrylate, acrylic 1-methyl-1-cyclopentyl acrylate, 1-ethyl-1-cyclopentyl acrylate, 1-methyl-1-cyclohexyl acrylate, 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate, 1-methylnorbornyl acrylate, 1 acrylic acid -Ethylnorbornyl, acrylic acid 2- Tyl-2-adamantyl, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, tetrahydrofuranyl acrylate, tetrahydropyranyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-ethoxyethyl acrylate 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-isopropoxyethyl acrylate, n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-sec-butoxyethyl acrylate, 1-tert-butoxyethyl acrylate 1-tert-amyloxyethyl acrylate, 1-ethoxy-n-propyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, methoxypropyl acrylate, ethoxypropyl acrylate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl acrylate 1-ethoxy-1-methyl-ethyl acrylate, trimethylsilyl acrylate, triethylsilyl acrylate, dimethyl-tert-butylsilyl acrylate, α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone , Γ- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (acroyl) ) Oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (acryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-γ- Butyrolactone, α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (a Cloyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valero Lactone, β-methyl-β- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- Ethyl-δ- (acryloyl) oxy-δ-valerolactone, 1-methylcyclohexyl acrylate, adamantyl acrylate, 2- (2-methyl acrylate) Chill) adamantyl, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, phenyl acrylate, naphthyl acrylate, methacrylic acid Methyl, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, n-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, 2-methylbutyl methacrylate, 2-methylpentyl methacrylate, 2-ethylbutyl methacrylate, 3-methylpentyl methacrylate, methacrylic acid 2-methylhexyl, 3-methylhexyl methacrylate, triethylcarbyl methacrylate, 1-methyl-1-cyclopentyl methacrylate, 1-ethyl-1-cyclopentyl methacrylate, meta 1-methyl-1-cyclohexyl laurate, 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate, 1-methylnorbornyl methacrylate, 1-ethylnorbornyl methacrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-methacrylic acid 2- Ethyl-2-adamantyl, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, tetrahydrofuranyl methacrylate, tetrahydropyranyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-isopropoxyethyl methacrylate, n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-sec-butoxyethyl methacrylate, 1-tert-butoxyethyl methacrylate, 1-tert-methacrylate Miroxyethyl, 1-ethoxy-n-propyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, methoxypropyl methacrylate, ethoxypropyl methacrylate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl methacrylate, 1-ethoxy-1-methacrylate Methyl-ethyl, trimethylsilyl methacrylate, triethylsilyl methacrylate, dimethyl-tert-butylsilyl methacrylate, α- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (methacryloyl) oxy- γ-butyrolactone, α-methyl-α- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- (methacryloyl) oxy-γ-butyrolacto , Α-ethyl-α- (methacloyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (methacroyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (methacloyl) oxy-γ-butyrolactone, α- ( Methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α -(4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-methyl-γ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl- δ- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, α-ethyl-α- (methacryloyl) oxy-δ-valerolactone, β- Til-β- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (methacloyl) oxy-δ-valerolactone, methacrylic acid 1- Methyl cyclohexyl, adamantyl methacrylate, 2- (2-methyl) adamantyl methacrylate, chloroethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, trimethylol methacrylate Examples include propane, glycidyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl methacrylate, naphthyl methacrylate, and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニル安息香酸エステル類としては、具体的には、たとえば、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、ビニル安息香酸プロピル、ビニル安息香酸n−ブチル、ビニル安息香酸tert−ブチル、ビニル安息香酸2−メチルブチル、ビニル安息香酸2−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−エチルブチル、ビニル安息香酸3−メチルペンチル、ビニル安息香酸2−メチルヘキシル、ビニル安息香酸3−メチルヘキシル、ビニル安息香酸トリエチルカルビル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロペンチル、ビニル安息香酸1−メチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−エチル−1−シクロヘキシル、ビニル安息香酸1−メチルノルボニル、ビニル安息香酸1−エチルノルボニル、ビニル安息香酸2−メチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸2−エチル−2−アダマンチル、ビニル安息香酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、ビニル安息香酸テトラヒドロフラニル、ビニル安息香酸テトラヒドロピラニル、ビニル安息香酸1−メトキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシエチル、ビニル安息香酸1−n−プロポキシエチル、ビニル安息香酸1−イソプロポキシエチル、ビニル安息香酸n−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−イソブトキシエチル、ビニル安息香酸1−sec−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−ブトキシエチル、ビニル安息香酸1−tert−アミロキシエチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−n−プロピル、ビニル安息香酸1−シクロヘキシロキシエチル、ビニル安息香酸メトキシプロピル、ビニル安息香酸エトキシプロピル、ビニル安息香酸1−メトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸1−エトキシ−1−メチル−エチル、ビニル安息香酸トリメチルシリル、ビニル安息香酸トリエチルシリル、ビニル安息香酸ジメチル−tert−ブチルシリル、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−γ−ブチロラクトン、α−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−メチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−メチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−(4−ビニルベンゾイル)オキシ−δ−バレロラクトン、ビニル安息香酸1−メチルシクロヘキシル、ビニル安息香酸アダマンチル、ビニル安息香酸2−(2−メチル)アダマンチル、ビニル安息香酸クロルエチル、ビニル安息香酸2−ヒドロキシエチル、ビニル安息香酸2,2−ジメチルヒドロキシプロピル、ビニル安息香酸5−ヒドロキシペンチル、ビニル安息香酸トリメチロールプロパン、ビニル安息香酸グリシジル、ビニル安息香酸ベンジル、ビニル安息香酸フェニル、ビニル安息香酸ナフチル、などが挙げられる。   Specific examples of the vinyl benzoate listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, methyl vinyl benzoate, ethyl vinyl benzoate, propyl vinyl benzoate, n-butyl vinyl benzoate, and vinyl. Tert-butyl benzoate, 2-methylbutyl vinylbenzoate, 2-methylpentyl vinylbenzoate, 2-ethylbutyl vinylbenzoate, 3-methylpentyl vinylbenzoate, 2-methylhexyl vinylbenzoate, 3-methylvinylbenzoate Hexyl, triethylcarbyl vinylbenzoate, 1-methyl-1-cyclopentyl vinylbenzoate, 1-ethyl-1-cyclopentyl vinylbenzoate, 1-methyl-1-cyclohexyl vinylbenzoate, 1-ethyl-1 vinylbenzoate -Cyclohexyl, vinylbenzoic acid 1- Tilnorbornyl, 1-ethylnorbornyl vinylbenzoate, 2-methyl-2-adamantyl vinylbenzoate, 2-ethyl-2-adamantyl vinylbenzoate, 3-hydroxy-1-adamantyl vinylbenzoate, tetrahydrofuranyl vinylbenzoate, Tetrahydropyranyl vinylbenzoate, 1-methoxyethyl vinylbenzoate, 1-ethoxyethyl vinylbenzoate, 1-n-propoxyethyl vinylbenzoate, 1-isopropoxyethyl vinylbenzoate, n-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-isobutoxyethyl vinylbenzoate, 1-sec-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-tert-butoxyethyl vinylbenzoate, 1-tert-amyloxyethyl vinylbenzoate, 1-ethoxy-n-propyl vinylbenzoate Vinyl repose 1-cyclohexyloxyethyl acid, methoxypropyl vinylbenzoate, ethoxypropyl vinylbenzoate, 1-methoxy-1-methyl-ethyl vinylbenzoate, 1-ethoxy-1-methyl-ethyl vinylbenzoate, trimethylsilyl vinylbenzoate, Triethylsilyl vinylbenzoate, dimethyl-tert-butylsilyl vinylbenzoate, α- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) ) Oxy-γ-butyrolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, β-methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-methyl-γ- ( 4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, β-ethyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-γ-butyrolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy- γ-butyrolactone, α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ -(4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, α-methyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-methyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valero Lactone, γ-methyl-γ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-methyl-δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-ba Lerolactone, α-ethyl-α- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, β-ethyl-β- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, γ-ethyl-γ- (4-vinyl Benzoyl) oxy-δ-valerolactone, δ-ethyl-δ- (4-vinylbenzoyl) oxy-δ-valerolactone, 1-methylcyclohexyl vinylbenzoate, adamantyl vinylbenzoate, 2- (2-methylvinylbenzoate) ) Adamantyl, chloroethyl vinylbenzoate, 2-hydroxyethyl vinylbenzoate, 2,2-dimethylhydroxypropyl vinylbenzoate, 5-hydroxypentyl vinylbenzoate, trimethylolpropane vinylbenzoate, glycidyl vinylbenzoate, vinylbenzoic acid Benzyl, phenyl vinyl benzoate, vinyl benzo Acid naphthyl, and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたスチレン類としては、具体的には、たとえば、スチレン、ベンジルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレン、ビニルナフタレン、などが挙げられる。   Specific examples of styrenes listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, styrene, benzyl styrene, trifluoromethyl styrene, acetoxy styrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, and tetrachlorostyrene. , Pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, vinylnaphthalene, etc. Can be mentioned.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたアリル化合物としては、具体的には、たとえば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、アリルオキシエタノール、などが挙げられる。   Specific examples of allyl compounds listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate. , Allyl acetoacetate, allyl lactate, allyloxyethanol, and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニルエーテル類としては、具体的には、たとえば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテル、などが挙げられる。   Specific examples of vinyl ethers listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1- Methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether, vinyl phenyl ether, vinyl Tril ether, vinyl chlorfe Ether, vinyl 2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, and the like.

ラジカル重合が可能な他のモノマーとして挙げられたビニルエステル類としては、具体的には、たとえば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、などが挙げられる。   Specific examples of vinyl esters listed as other monomers capable of radical polymerization include, for example, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl barate, vinyl caproate, Examples include vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinylphenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexyl carboxylate, and the like.

前述した(1)〜(11)に該当するモノマーの中で、スターポリマーのコア部を構成するモノマーとしては、芳香族ビニル系炭化水素、ビニル系炭化水素、エステル基含有ビニル系単量体、ヒドロキシル基含有ビニル系単量体、カルボキシル基含有ビニル系単量体およびその塩、ビニル系単量体構造に開始剤部位を導入したビニル系単量体などが好ましい。前述したラジカル重合が可能な他のモノマーの中で、スターブランチポリマーのコア部を構成するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸、および(メタ)アクリル酸エステル類、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸エステル類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類などが好ましい。   Among the monomers corresponding to the above (1) to (11), as monomers constituting the core of the star polymer, aromatic vinyl hydrocarbons, vinyl hydrocarbons, ester group-containing vinyl monomers, Hydroxyl group-containing vinyl monomers, carboxyl group-containing vinyl monomers and salts thereof, vinyl monomers in which an initiator site is introduced into the vinyl monomer structure, and the like are preferable. Among the other monomers capable of radical polymerization described above, monomers constituting the core of the star branch polymer include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic esters, vinyl benzoic acid, and vinyl benzoic acid ester. , Vinyl ethers, vinyl esters and the like are preferable.

スターポリマーにおいて上記(1)〜(12)であらわされるモノマーから誘導される繰り返し単位の割合は、スターポリマーのコア部を構成する全繰り返し単位に対して、5〜100モル%であることが好ましく、20〜100モル%であることがより好ましく、50〜100モル%であることがより一層好ましい。前述した範囲にあると、スターポリマーのコア部は、スターポリマーのコア部を構成する分子間における絡まり抑制に有利な球状形態をとるため好ましい。   In the star polymer, the ratio of the repeating units derived from the monomers represented by the above (1) to (12) is preferably 5 to 100 mol% with respect to all the repeating units constituting the core of the star polymer. It is more preferable that it is 20-100 mol%, and it is still more preferable that it is 50-100 mol%. If it exists in the range mentioned above, since the core part of a star polymer takes a spherical form advantageous to the entanglement suppression between the molecules which comprise the core part of a star polymer, it is preferable.

コア部に相当するモノマーは、スターポリマーを構成する全繰り返し単位に対して、10〜99mol%の量で含まれていることが好ましい。   The monomer corresponding to the core part is preferably contained in an amount of 10 to 99 mol% with respect to all repeating units constituting the star polymer.

(ニトロキシド)
ニトロキシドとしては、たとえば、2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ、4−オキソ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ、4,4−ジメチル3−オキサゾリニルオキシ、フェニル−t−ブチルニトロキシド、2,2,5,5−テトラメチル−1−ピロリジニルオキシ、2,2,2−ジ(4−t−オクチルフェニル)−1−ピクリルヒドラジル、などが挙げられる。
(Nitroxide)
Examples of the nitroxide include 2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy, 4-amino-2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy, 4-hydroxy- 2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy, 4-oxo-2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy, 4,4-dimethyl-3-oxazolinyl Oxy, phenyl-t-butyl nitroxide, 2,2,5,5-tetramethyl-1-pyrrolidinyloxy, 2,2,2-di (4-t-octylphenyl) -1-picrylhydrazyl, Etc.

(アルコキシアミン)
アルコキシアミンとしては、たとえば、下記式(XIV)であらわされる化合物が挙げられる。
(Alkoxyamine)
Examples of the alkoxyamine include a compound represented by the following formula (XIV).

Figure 2008081895
Figure 2008081895

上記式(XIV)中のZは、炭素数1以上の有機基を示している。上記式(XIV)中のR〜Rは、水素、炭素数1〜20までの直鎖もしくは分岐の有機基の中から選ばれる化合物を示している。上記式(XIV)中のR〜Rは、互いに同じであっても、異なっていてもよい。上記式(XIV)中のNは、0または、1以上の整数を示している。Z in the above formula (XIV) represents an organic group having 1 or more carbon atoms. R 1 to R 8 in the above formula (XIV) represent a compound selected from hydrogen and a linear or branched organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 1 to R 8 in the above formula (XIV) may be the same as or different from each other. N in the formula (XIV) represents 0 or an integer of 1 or more.

アルコキシアミンとしては、具体例には、たとえば、1−フェニル−1(−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)エタン、1−フェニル−1−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)エタノール、2,2,6,6−テトラメチル−1−(1−フェニルエトキシ)−4−ピペリジノール、1−フェニル−1−(2,6−ジエチル−2,3,6−トリメチル−4−アセトキシピペリジニルオキシ)エタン、などが挙げられる。   Specific examples of alkoxyamine include 1-phenyl-1 (-2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) ethane and 1-phenyl-1-2,2,6. , 6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) ethanol, 2,2,6,6-tetramethyl-1- (1-phenylethoxy) -4-piperidinol, 1-phenyl-1- (2,6- Diethyl-2,3,6-trimethyl-4-acetoxypiperidinyloxy) ethane, and the like.

上述したアルコキシアミンは、合成方法は特に限定されないが、たとえば、ニトロキシド、ジ−t−ブチルパーオキサイドを用いて合成することができる。上述したアルコキシアミンは、たとえば、エチルベンゼンなどを用いることでより容易に合成することができる。アルコキシアミンの合成方法としては、たとえば、「Macromolecules,1998,31,4659−4661」にしたがった合成方法などが、参考例として挙げられる。2,2,6,6−テトラメチル−1−(1−フェニルエトキシ)−4−ピペリジノールは、アルドリッチから市販されているものを用いることもできる。   The method for synthesizing the alkoxyamine described above is not particularly limited, but can be synthesized using, for example, nitroxide or di-t-butyl peroxide. The above-mentioned alkoxyamine can be synthesized more easily by using, for example, ethylbenzene. As a synthesis method of alkoxyamine, for example, a synthesis method according to “Macromolecules, 1998, 31, 4659-4661” and the like can be cited as a reference example. As 2,2,6,6-tetramethyl-1- (1-phenylethoxy) -4-piperidinol, those commercially available from Aldrich can also be used.

(スターポリマーの合成工程)
つぎに、スターポリマーの合成方法について説明する。実施の形態では、以下に示したスターポリマーの合成方法を反応方法Bとして説明する。反応方法Bにおいては、上述した反応方法Aと同一部分については説明を省略する。スターポリマーは、以下の3種類の方法により合成することができる。
(Star polymer synthesis process)
Next, a method for synthesizing a star polymer will be described. In the embodiment, a method for synthesizing a star polymer shown below will be described as a reaction method B. In the reaction method B, the description of the same part as the reaction method A described above is omitted. The star polymer can be synthesized by the following three methods.

(1)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+重合開始剤+ニトロキシド+溶媒
(2)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+アルコキシアミン+溶媒
(3)アーム部を構成するモノマー+コア部を構成するモノマー+アルコキシアミン+ニトロキシド+溶媒
(1) Monomer constituting the arm part + monomer constituting the core part + polymerization initiator + nitroxide + solvent (2) Monomer constituting the arm part + monomer constituting the core part + alkoxyamine + solvent (3) Arm part Monomer constituting the monomer + monomer constituting the core portion + alkoxyamine + nitroxide + solvent

スターポリマーの合成は、上述したようにモノマー、溶媒と、重合開始剤、ニトロキシド、アルコキシアミンとを適宜組み合わせて、リビングラジカル重合をおこなう。リビングラジカル重合は、反応系を20〜150℃に保った状態で、0.5〜10時間おこなう。アーム部を構成するモノマーの濃度は、反応全量に対して1〜99質量%であることが望ましく、より好ましくは、1〜50質量%である。   As described above, the star polymer is synthesized by appropriately combining a monomer, a solvent, a polymerization initiator, a nitroxide, and an alkoxyamine with living radical polymerization. Living radical polymerization is carried out for 0.5 to 10 hours with the reaction system kept at 20 to 150 ° C. The concentration of the monomer constituting the arm part is desirably 1 to 99% by mass, and more preferably 1 to 50% by mass with respect to the total amount of the reaction.

方法(1)において、ニトロキシドは、アーム部を構成するモノマーに対して、0.001〜10質量%、重合開始剤は、ニトロキシドに対して、50〜200mol%であることが好ましい。   In the method (1), the nitroxide is preferably 0.001 to 10% by mass with respect to the monomer constituting the arm part, and the polymerization initiator is preferably 50 to 200 mol% with respect to the nitroxide.

方法(2)において、アルコキシアミンは、アーム部を構成するモノマーに対して、0.001〜10質量%であることが好ましい。   In the method (2), the amount of alkoxyamine is preferably 0.001 to 10% by mass with respect to the monomer constituting the arm portion.

方法(3)において、アルコキシアミンは、アーム部を構成するモノマーに対して、0.001〜10質量%、ニトロキシドは、アルコキシアミンに対して、0.1〜100mol%であることが好ましい。   In the method (3), the alkoxyamine is preferably 0.001 to 10% by mass with respect to the monomer constituting the arm portion, and the nitroxide is preferably 0.1 to 100 mol% with respect to the alkoxyamine.

続いて、リビングラジカル重合がおこなわれている反応系に上述したコア部を構成するモノマーを添加して、スターポリマーを合成する。これにより、リビングラジカル重合によってアーム部となる重合物の合成中に、アーム部同士をカップリングさせてコア部を形成することができる。上述したコア部を構成するモノマーを添加した後は、直ちにあるいは所定時間をおいてリビングラジカル重合を停止させる。   Then, the monomer which comprises the core part mentioned above is added to the reaction system in which living radical polymerization is performed, and a star polymer is synthesize | combined. Thereby, during the synthesis | combination of the polymer used as an arm part by living radical polymerization, arm parts can be coupled and a core part can be formed. After the monomer constituting the core part is added, the living radical polymerization is stopped immediately or after a predetermined time.

アーム部を構成するモノマーとコア部を構成するモノマーとの比率は、目的や用途に応じて、適宜調製することができるが、コア部を構成するモノマーに対し、アーム部構成するモノマーが、1〜100倍molであることが望ましい。   The ratio of the monomer that constitutes the arm part to the monomer that constitutes the core part can be appropriately adjusted depending on the purpose and application, but the monomer constituting the arm part is 1 It is desirable that it is -100 times mol.

上記(1)〜(12)であらわされるモノマーを添加してからは、所定時間内にリビングラジカル重合を停止させる。ここで、所定時間とは、目的とする分子量レベルとなるまでスターポリマーの合成が進行するまでに要する時間であり、目的とするスターポリマーの分子量に応じて適宜設定することができる時間である。リビングラジカル重合の停止方法は、特に限定されるものではないが、たとえば、リビングラジカル重合中の反応系を冷却するなどの方法を用いることができる。   After adding the monomers represented by the above (1) to (12), the living radical polymerization is stopped within a predetermined time. Here, the predetermined time is a time required until the synthesis of the star polymer proceeds until the target molecular weight level is reached, and is a time that can be appropriately set according to the molecular weight of the target star polymer. The method for terminating the living radical polymerization is not particularly limited, and for example, a method such as cooling the reaction system during the living radical polymerization can be used.

(分子構造)
つぎに、上述したスターポリマーの分子構造について説明する。スターポリマーの形状は、上述したGPC(1/4)測定の値および多角度光散乱検出器(以下、MALLSという)の値を用いて、GPC測定の値とMALLSの値との差異に応じて、スターポリマーであるか否かを判断する。GPC測定の値とMALLSの値とが大きく異なる場合、球状のスターポリマーであると判断することができる。
(Molecular structure)
Next, the molecular structure of the above-described star polymer will be described. The shape of the star polymer depends on the difference between the GPC measurement value and the MALLS value using the GPC (1/4) measurement value and the multi-angle light scattering detector (hereinafter referred to as MALLS) value. It is determined whether or not it is a star polymer. When the value of GPC measurement and the value of MALLS differ greatly, it can be determined that the star polymer is spherical.

スターポリマーの重量平均分子量(M)は、GPC測定に際しての標準物質としてポリポリスチレンを用いた。また、同条件において、MALLS(He−Neレーザ、Wyatt Technology社製 DAWN DSP−F)により、絶対分子量を測定した。   For the weight average molecular weight (M) of the star polymer, polypolystyrene was used as a standard substance for GPC measurement. Under the same conditions, the absolute molecular weight was measured by MALLS (He-Ne laser, DAWN DSP-F manufactured by Wyatt Technology).

スターポリマーにおける多分散度(Mw/Mn)は1〜5であるのが好ましく、1〜3であるのがさらに好ましい。このような範囲にあると、露光後に不溶化などの悪影響を招く恐れがなく、望ましい。   The polydispersity (Mw / Mn) in the star polymer is preferably 1 to 5, and more preferably 1 to 3. If it is in such a range, there is no possibility of causing adverse effects such as insolubilization after exposure, which is desirable.

上述したスターポリマーの重量平均分子量(M)は、500〜50,000が好ましく、2,000〜50,000がより好ましく、最も好ましくは3,000〜50,000である。スターポリマーの重量平均分子量(M)がこのような範囲にあると、該スターポリマーを含有するレジストは、成膜性が良好であり、リソグラフィー工程で形成された加工パターンの強度があるため形状を保つことができる。またドライエッチング耐性にも優れ、表面ラフネスも良好である。   The above-mentioned star polymer has a weight average molecular weight (M) of preferably 500 to 50,000, more preferably 2,000 to 50,000, and most preferably 3,000 to 50,000. When the weight average molecular weight (M) of the star polymer is in such a range, the resist containing the star polymer has good film formability and has a shape of a processing pattern formed in the lithography process, and thus has a shape. Can keep. It also has excellent dry etching resistance and good surface roughness.

(ハイパーブランチポリマーおよびスターポリマーの用途)
上述した反応方法Aにしたがって合成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマー、および反応方法Bにしたがって合成されたスターポリマーの用途としては、たとえば、フォトレジストが挙げられる。また、上述したコアシェル型ハイパーブランチポリマーおよびスターポリマーの別の用途としては、たとえば、印刷製版、ハードコート剤、反射防止フィルム、歯科材料、接着・粘着剤、塗料などを製造する際の紫外線硬化樹脂が挙げられる。
(Use of hyperbranched polymers and star polymers)
Examples of the use of the core-shell hyperbranched polymer synthesized according to the reaction method A and the star polymer synthesized according to the reaction method B include a photoresist. Moreover, as another use of the above-mentioned core-shell hyperbranched polymer and star polymer, for example, ultraviolet curable resin for producing printing plate making, hard coat agent, antireflection film, dental material, adhesive / adhesive agent, paint, etc. Is mentioned.

また、上述したコアシェル型ハイパーブランチポリマーおよびスターポリマーの別の用途としては、たとえば、顔料、金属微粒子、有機EL、色素レーザーカラーフィルター用レジストなどの分散、安定化剤としての用途や、光ファイバー、光導波路などの光学材料としての用途、などが挙げられる。   Other uses of the above-described core-shell hyperbranched polymer and star polymer include, for example, dispersion of pigments, fine metal particles, organic EL, dye laser color filter resists, use as stabilizers, optical fibers, optical fibers, and the like. Use as an optical material such as a waveguide.

(レジスト組成物)
つぎに、コアシェル型ハイパーブランチポリマーまたはスターポリマーを用いたレジスト組成物について説明する。コアシェル型ハイパーブランチポリマーまたはスターポリマーを用いたレジスト組成物(以下、単に「レジスト組成物」という。)における、コアシェル型ハイパーブランチポリマーまたはスターポリマーの配合量は、レジスト組成物の全量に対し、4〜40質量%が好ましく、4〜20質量%がより好ましい。
(Resist composition)
Next, a resist composition using a core-shell hyperbranched polymer or a star polymer will be described. The amount of the core-shell hyperbranched polymer or star polymer in the resist composition using the core-shell hyperbranched polymer or star polymer (hereinafter simply referred to as “resist composition”) is 4 with respect to the total amount of the resist composition. -40 mass% is preferable and 4-20 mass% is more preferable.

レジスト組成物は、上述したコアシェル型ハイパーブランチポリマーと、光酸発生剤と、を含んでいる。レジスト組成物は、さらに、必要に応じて、酸拡散抑制剤(酸捕捉剤)、界面活性剤、その他の成分、および溶剤などを含んでいてもよい。   The resist composition includes the core-shell hyperbranched polymer described above and a photoacid generator. The resist composition may further contain an acid diffusion inhibitor (acid scavenger), a surfactant, other components, a solvent, and the like, if necessary.

レジスト組成物に含まれる光酸発生剤としては、たとえば、紫外線、X線、電子線などが照射された場合に酸を発生するものであれば特に制限はなく、公知の各種光酸発生剤の中から目的に応じて適宜選択することができる。具体的に、光酸発生剤としては、たとえば、オニウム塩、スルホニウム塩、ハロゲン含有トリアジン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物、芳香族スルホネート化合物、N−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物、などが挙げられる。   The photoacid generator contained in the resist composition is not particularly limited as long as it generates an acid when irradiated with ultraviolet rays, X-rays, electron beams, and the like, and various known photoacid generators can be used. It can be suitably selected from the inside according to the purpose. Specifically, examples of the photoacid generator include onium salts, sulfonium salts, halogen-containing triazine compounds, sulfone compounds, sulfonate compounds, aromatic sulfonate compounds, and sulfonate compounds of N-hydroxyimide.

上述した光酸発生剤に含まれるオニウム塩としては、たとえば、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールセレノニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、などが挙げられる。前記ジアリールヨードニウム塩としては、たとえば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、などが挙げられる。   Examples of the onium salt contained in the above-mentioned photoacid generator include diaryl iodonium salts, triaryl selenonium salts, triaryl sulfonium salts, and the like. Examples of the diaryliodonium salt include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluoroantimonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, Examples thereof include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, and the like.

上述したオニウム塩に含まれるトリアリールセレノニウム塩としては、具体的には、たとえば、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルセレノニウムホウフツ化塩、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロアンチモネート塩、などが挙げられる。上述したオニウム塩に含まれるトリアリールスルホニウム塩としては、たとえば、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−4一チオフエノキシフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−4−チオフエノキシフェニルスルホニウムペンタフロロヒドロキシアンチモネート塩、などが挙げられる。   Specific examples of the triarylselenonium salt contained in the onium salt described above include, for example, triphenylselenonium hexafluorophosphonium salt, triphenylselenonium borofluoride salt, triphenylselenonium hexafluoroantimonate salt, and the like. Is mentioned. Examples of the triarylsulfonium salt contained in the above onium salt include, for example, triphenylsulfonium hexafluorophosphonium salt, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate salt, diphenyl-4 monothiophenoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate salt, diphenyl -4-thiophenoxyphenylsulfonium pentafluorohydroxyantimonate salt, and the like.

上述した光酸発生剤に含まれるスルホニウム塩としては、たとえば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウムヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウムトリフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、などが挙げられる。   Examples of the sulfonium salt contained in the photoacid generator include triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4 -Methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, p-tolyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2,4,6-trimethylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-tert-butylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyl Sulfonium hexafluorophosph 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 1- (2-naphthoylmethyl) thiolanium hexafluoroantimonate, 1- (2-naphthoylmethyl) thiolanium trifluoroantimonate, 4-hydroxy Examples include -1-naphthyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate and 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate.

上述した光酸発生剤に含まれるハロゲン含有トリアジン化合物としては、具体的には、たとえば、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチルト1,3,5−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチルト1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(ベンゾ[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−メトキシスチリル)4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ブトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ベンチルオキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、などが挙げられる。   Specific examples of the halogen-containing triazine compound contained in the above-described photoacid generator include, for example, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2,4,6 -Tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethylto-1,3,5-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6-bis ( Trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethylto-1,3,5-triazine, 2- (4-methoxy-1-naphthyl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (benzo [d] [1,3] dioxolan-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3 , 5-Triazi 2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (3,4,5-trimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) ) -1,3,5-triazine, 2- (3,4-dimethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,4-dimethoxystyryl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2-methoxystyryl) 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-butoxy Styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-benzyloxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, Etc.

上述した光酸発生剤に含まれるスルホン化合物としては、具体的には、たとえば、ジフェニルジスルホン、ジ−p−トリルジスルホン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロへキシルスルホニル)ジアゾメタン、(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニルアセトフェノン、などが挙げられる。   Specific examples of the sulfone compound contained in the above-described photoacid generator include diphenyldisulfone, di-p-tolyldisulfone, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (4-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, and bis (p -Tolylsulfonyl) diazomethane, bis (4-tert-butylphenylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, (benzoyl) (phenylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl And acetophenone.

上述した光酸発生剤に含まれる芳香族スルホネート化合物としては、具体的には、たとえば、α−ベンゾイルベンジルp−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレート)、β−ベンゾイル−β−ヒドロキシフェネチルp−トルエンスルホネート(通称α−メチロールベンゾイントシレート)、1,2,3−ベンゼントリイルトリスメタンスルホネート、2,6−ジニトロベンジルp−トルエンスルホネート、2−ニトロベンジルp−トルエンスルホネート、4−ニトロベンジルp−トルエンスルホネート、などが挙げられる。   Specific examples of the aromatic sulfonate compound contained in the photoacid generator include α-benzoylbenzyl p-toluenesulfonate (commonly known as benzoin tosylate), β-benzoyl-β-hydroxyphenethyl p-toluenesulfonate. (Commonly known as α-methylol benzoin tosylate), 1,2,3-benzenetriyl trismethanesulfonate, 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate, 2-nitrobenzyl p-toluenesulfonate, 4-nitrobenzyl p-toluene And sulfonates.

上述した光酸発生剤に含まれるN−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物としては、具体的には、たとえば、N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(p−クロロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(シクロへキシルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(1−ナフテルスルホニルオキシ)スクシンイミド、n−(ベンジルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−5−ノルポルネン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフタルイミド、などが挙げられる。   Specific examples of the sulfonate compound of N-hydroxyimide contained in the above-mentioned photoacid generator include N- (phenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (p -Chlorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (cyclohexylsulfonyloxy) succinimide, N- (1-naphthylsulfonyloxy) succinimide, n- (benzylsulfonyloxy) succinimide, N- (10-camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -5-norbornene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphth Ruimido, N-(10- camphorsulfonic sulfonyloxy) naphthalimide, and the like.

上述した各種の光酸発生剤のうち、スルホニウム塩が好ましい。特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート;スルホン化合物、特に、ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンが好ましい。   Of the various photoacid generators described above, sulfonium salts are preferred. In particular, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate; sulfone compounds, particularly bis (4-tert-butylphenylsulfonyl) diazomethane and bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane are preferred.

上述した光酸発生剤は、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。光酸発生剤の配合率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、この発明のハイパーブランチポリマー100質量部に対し0.1〜30質量部が好ましい。より好ましい光酸発生剤の配合率は、0.1〜10質量部である。   The above-mentioned photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. There is no restriction | limiting in particular as a compounding ratio of a photo-acid generator, Although it can select suitably according to the objective, 0.1-30 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of hyperbranched polymers of this invention. A more preferable blending ratio of the photoacid generator is 0.1 to 10 parts by mass.

レジスト組成物に含まれる酸拡散抑制剤としては、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分であれば特に制限はない。レジスト組成物に含まれる酸拡散抑制剤は、公知のも各種の酸拡散抑制剤の中から、目的に応じて適宜選択することができる。   The acid diffusion inhibitor contained in the resist composition is a component that controls the diffusion phenomenon of the acid generated from the acid generator upon exposure in the resist film and suppresses an undesirable chemical reaction in the non-exposed region. There is no particular limitation. The acid diffusion inhibitor contained in the resist composition can be appropriately selected from known acid diffusion inhibitors according to the purpose.

レジスト組成物に含まれる酸拡散抑制剤としては、たとえば、同一分子内に窒素原子を1個有する含窒素化合物、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物、同一分子内に窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物、などが挙げられる。   Examples of the acid diffusion inhibitor contained in the resist composition include a nitrogen-containing compound having one nitrogen atom in the same molecule, a compound having two nitrogen atoms in the same molecule, and three nitrogen atoms in the same molecule. Examples thereof include polyamino compounds and polymers, amide group-containing compounds, urea compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられた、同一分子内に窒素原子を1個有する含垂素化合物としては、たとえば、モノ(シクロ)アルキルアミン、ジ(シクロ)アルキルアミン、トリ(シクロ)アルキルアミン、芳香族アミン、などが挙げられる。モノ(シクロ)アルキルアミンとしては、具体的には、たとえば、n−ヘキシルアミン、n−へブチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、シクロへキシルアミン、などが挙げられる。   Examples of the arsenic-containing compound having one nitrogen atom in the same molecule mentioned as the acid diffusion inhibitor include mono (cyclo) alkylamine, di (cyclo) alkylamine, and tri (cyclo) alkylamine. , Aromatic amines, and the like. Specific examples of the mono (cyclo) alkylamine include n-hexylamine, n-hexylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine, cyclohexylamine, and the like.

同一分子内に窒素原子を1個有する含垂素化合物に含まれるジ(シクロ)アルキルアミンとしては、たとえば、ジ−n−ブチルアミン、ジ−n−ベンチルアミン、ジ−n−ヘキシルアミン、ジ−n−ヘブチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジ−n−ノニルアミン、ジ−n−デシルアミン、シクロへキシルメチルアミン、などが挙げられる。   Examples of the di (cyclo) alkylamine contained in the nitrous acid compound having one nitrogen atom in the same molecule include di-n-butylamine, di-n-benzylamine, di-n-hexylamine, di- Examples include n-hebutylamine, di-n-octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine, cyclohexylmethylamine, and the like.

同一分子内に窒素原子を1個有する含垂素化合物に含まれるトリ(シクロ)アルキルアミンとしては、たとえば、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ベンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−へブチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、などが挙げられる。   Examples of the tri (cyclo) alkylamine contained in the nitrous acid compound having one nitrogen atom in the same molecule include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-benzylamine, Examples include tri-n-hexylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, cyclohexyldimethylamine, methyldicyclohexylamine, and tricyclohexylamine.

同一分子内に窒素原子を1個有する含垂素化合物に含まれる芳香族アミンとしては、たとえば、アニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、などが挙げられる。   Examples of the aromatic amine contained in the arsenic compound having one nitrogen atom in the same molecule include aniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4 -Methylaniline, 4-nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine, naphthylamine, and the like.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられた、同一分子内に窒素原子を2個有する含窒素化合物としては、たとえば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4−ビス〔1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル〕ベンゼン、ビス(2−ジメチルアミノエチル)エーテル、ビス(2−ジエチルアミノエチル)エーテル、などが挙げられる。   Examples of the nitrogen-containing compound having two nitrogen atoms in the same molecule mentioned as the acid diffusion inhibitor include ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexa Methylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4- Hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene Zen, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether, and the like.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられた、同一分子内に窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体としては、たとえば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、N−(2−ジメチルアミノエチル)アクリルアミドの重合体、などが挙げられる。   Examples of the polyamino compound or polymer having 3 or more nitrogen atoms in the same molecule mentioned as the acid diffusion inhibitor include polyethyleneimine, polyallylamine, and N- (2-dimethylaminoethyl) acrylamide. Coalescence, etc.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられた、アミド基含有化合物としては、たとえば、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−オクチルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−ノニルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−デシルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジシクロへキシルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−4,4,−ジアミノジフェニルメタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’−テトラ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミンN,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,7−ジアミノへブタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,8−ジアミノオクタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,9−ジアミノノナン、N,N,−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,10−ジアミノデカン、N,N,−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,12−ジアミノドデカン、N,N,−ジ−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−t−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−メチルベンズイミダソール、N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、などが挙げられる。   Examples of the amide group-containing compound mentioned as the acid diffusion inhibitor include Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, and Nt-butoxy. Carbonyl di-n-decylamine, Nt-butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, N, N- Di-t-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-4,4, -diaminodiphenylmethane, N, N '-Di-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine, N, N, N'N'-tetra t-butoxycarbonylhexamethylenediamine N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,7-diaminohexane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N ′ -Di-t-butoxycarbonyl-1,9-diaminononane, N, N, -di-t-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N, -di-t-butoxycarbonyl-1,12-diamino Dodecane, N, N, -di-t-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, Nt-butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, Nt- Butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformua De, acetamide, N- methylacetamide, N, N- dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N- methylpyrrolidone, and the like.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられたウレア化合物としては、具体的には、たとえば、尿素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、トリ−n−ブチルチオウレア、などが挙げられる。   Specific examples of the urea compound mentioned as the acid diffusion inhibitor include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethyl. Examples include urea, 1,3-diphenylurea, tri-n-butylthiourea, and the like.

上記の酸拡散抑制剤として挙げられた含窒素複素環化合物としては、具体的には、たとえば、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミグゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−メチル−4−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4−ヒドロキシキノリン、8−オキシキノリン、アクリジン、ピベラジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピベラジン、ピラジン、ピラソール、ビリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピベリジン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,4−ジメチピベラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、などが挙げられる。   Specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound mentioned as the acid diffusion inhibitor include, for example, imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimigzole, benzimidazole, 2-phenylbenze. Imidazole, pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid Amide, quinoline, 4-hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline, acridine, piverazine, 1- (2-hydroxyethyl) piverazine, pyrazine, pyrazole, viridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, 3-piperidino-1,2- Propanediol, morpholy , 4-methylmorpholine, 1,4 Jimechipiberajin, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.

上記の酸拡散抑制剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。上記の酸拡散抑制剤の配合量としては、光酸発生剤100質量部に対して0.1〜1000質量部が好ましい。上記の酸拡散抑制剤のより好ましい配合量は、光酸発生剤100質量部に対して0.5〜10質量部である。なお、上記の酸拡散抑制剤の配合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   Said acid diffusion inhibitor can be used individually or in mixture of 2 or more types. As a compounding quantity of said acid diffusion inhibitor, 0.1-1000 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of photo-acid generators. A more preferable blending amount of the acid diffusion inhibitor is 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photoacid generator. In addition, there is no restriction | limiting in particular as a compounding quantity of said acid diffusion inhibitor, According to the objective, it can select suitably.

レジスト組成物に含まれる界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、などが挙げられる。なお、レジスト組成物に含まれる界面活性剤としては、塗布性、ストリエーション、現像性などを改良する作用を示す成分であれば特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができる。   As the surfactant contained in the resist composition, for example, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl allyl ether, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester nonionic surfactant, fluorine-based surfactant, Examples thereof include silicon-based surfactants. The surfactant contained in the resist composition is not particularly limited as long as it has a function of improving coatability, striation, developability, etc., and is appropriately selected from known ones according to the purpose. be able to.

レジスト組成物に含まれる界面活性剤として挙げられたポリオキシエチレンアルキルエーテルとしては、具体的には、たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、などが挙げられる。レジスト組成物に含まれる界面活性剤挙げられたポリオキシエチレンアルキルアリルエーテルとしては、たとえば、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル、などが挙げられる。   Specific examples of the polyoxyethylene alkyl ether listed as the surfactant contained in the resist composition include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl. Ether, etc. Examples of the polyoxyethylene alkylallyl ether listed as the surfactant contained in the resist composition include polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether, and the like.

レジスト組成物に含まれる界面活性剤として挙げられたソルビタン脂肪酸エステルとしては、具体的には、たとえば、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルヒ゛タンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート、などが挙げられる。レジスト組成物に含まれる界面活性剤として挙げられたポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤としては、具体的には、たとえば、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、などが挙げられる。   Specific examples of the sorbitan fatty acid ester exemplified as the surfactant contained in the resist composition include sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, And sorbitan tristearate. Nonionic surfactants of polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters mentioned as surfactants included in the resist composition include, for example, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate , Polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, and the like.

レジスト組成物に含まれる界面活性剤として挙げられたフッ素系界面活性剤としては、具体的には、たとえば、エフトップEF301、EF303、EF352(新秋田化成(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC101、SX102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製)、などが挙げられる。   Specific examples of the fluorosurfactant listed as the surfactant contained in the resist composition include F-top EF301, EF303, and EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), MegaFuck F171 and F173. , F176, F189, R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Florard FC430, FC431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SX102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).

レジスト組成物に含まれる界面活性剤として挙げられたシリコン系界面活性剤としては、たとえば、オルガノシロキサンボリマーKP341(信越化学工業(株)製)、などが挙げられる。上述した各種の界面活性剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。上述した各種の界面活性剤の配合量としては、たとえば、この発明にかかる製造方法を用いて生成されたハイパーブランチポリマー100質量部に対して0.0001〜5質量部が好ましい。上述した各種の界面活性剤の、より好ましい配合量は、この発明にかかる製造方法を用いて生成されたハイパーブランチポリマー100質量部に対して0.0002〜2質量部である。なお、上述した各種の界面活性剤の配合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   Examples of the silicon-based surfactant listed as the surfactant contained in the resist composition include organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). The various surfactants described above can be used alone or in admixture of two or more. As a compounding quantity of the various surfactant mentioned above, 0.0001-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of hyperbranched polymers produced | generated using the manufacturing method concerning this invention, for example. The more preferable compounding amount of the various surfactants described above is 0.0002 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the hyperbranched polymer produced using the production method according to the present invention. In addition, there is no restriction | limiting in particular as compounding quantity of various surfactant mentioned above, According to the objective, it can select suitably.

レジスト組成物に含まれるその他の成分としては、たとえば、増感剤、溶解制御剤、酸解離性基を有する添加剤、アルカリ可溶性樹脂、染料、顔料、接着助剤、消泡剤、安定剤、ハレーション防止剤、などが挙げられる。レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた増感剤としては、具体的には、たとえば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ビレン類、アントラセン類、フェノチアジン類、などが挙げられる。上記の増感剤としては、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを光酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示し、レジスト組成物のみかけの感度を向上させる効果を有するものであれば特に制限はない。上記の増感剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   Other components included in the resist composition include, for example, a sensitizer, a dissolution controller, an additive having an acid dissociable group, an alkali-soluble resin, a dye, a pigment, an adhesion aid, an antifoaming agent, a stabilizer, And antihalation agents. Specific examples of sensitizers listed as other components contained in the resist composition include, for example, acetophenones, benzophenones, naphthalenes, biacetyl, eosin, rose bengal, bilenes, anthracenes, and phenothiazines. , Etc. As the above sensitizer, it absorbs radiation energy and transmits the energy to the photoacid generator, thereby increasing the amount of acid generated and improving the apparent sensitivity of the resist composition. If it has an effect, there will be no restriction | limiting in particular. Said sensitizer can be used individually or in mixture of 2 or more types.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶解制御剤としては、具体的には、たとえば、ポリケトン、ポリスピロケタール、などが挙げられる。レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶解制御剤は、レジストとしたときの溶解コントラストおよび溶解速度をより適切に制御するものであれば特に制限はない。レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶解制御剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   Specific examples of the dissolution control agent exemplified as the other component contained in the resist composition include polyketones and polyspiroketals. There are no particular limitations on the dissolution control agent listed as the other component contained in the resist composition as long as it can more appropriately control the dissolution contrast and dissolution rate when used as a resist. The dissolution control agents listed as other components contained in the resist composition can be used alone or in admixture of two or more.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた酸解離性基を有する添加剤としては、具体的には、たとえば、1−アダマンタンカルボン酸t−ブチル、1−アダマンタンカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブトキシカルボニルメチル、1,3−アダマンタンジ酢酸ジ−t−ブチル、デオキシコール酸t−ブチル、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2−フェトキシエチル、デオキシコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル、リトコール酸t−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2−エトキシエチル、リトコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル、などが挙げられる。上記各種の酸解離性基を有する添加剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。なお、上記各種の酸解離性基を有する添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性などをさらに改善するものであれば特に制限はない。   Specific examples of the additive having an acid-dissociable group listed as other components included in the resist composition include, for example, t-butyl 1-adamantanecarboxylate, t-butoxycarbonylmethyl 1-adamantanecarboxylate. 1,3-adamantane dicarboxylic acid di-t-butyl, 1-adamantane acetate t-butyl, 1-adamantane acetate t-butoxycarbonylmethyl, 1,3-adamantane diacetate di-t-butyl, deoxycholic acid t- Butyl, deoxycholic acid t-butoxycarbonylmethyl, deoxycholic acid 2-fetoxyethyl, deoxycholic acid 2-cyclohexyloxyethyl, deoxycholic acid 3-oxocyclohexyl, deoxycholic acid tetrahydropyranyl, deoxycholic acid mevalonolactone Esters, lithocols tert-butyl, lithocholic acid t-butoxycarbonylmethyl, lithocholic acid 2-ethoxyethyl, lithocholic acid 2-cyclohexyloxyethyl, lithocholic acid 3-oxocyclohexyl, lithocholic acid tetrahydropyranyl, lithocholic acid mevalonolactone ester, etc. It is done. The above additives having various acid dissociable groups can be used alone or in admixture of two or more. The additive having various acid dissociable groups is not particularly limited as long as it further improves dry etching resistance, pattern shape, adhesion to the substrate, and the like.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられたアルカリ可溶性樹脂としては、具体的には、たとえば、ポリ(4−ヒドロキシスチレン)、部分水素添加ポリ(4−ヒドロキシスチレン)、ポリ(3−ヒドロキシスチレン)、ポリ(3−ヒドロキシスチレン)、4−ヒドロキシスチレン/3−ヒドロキシスチレン共重合体、4−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、ノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸などが挙げられる。   Specific examples of the alkali-soluble resin listed as the other component contained in the resist composition include poly (4-hydroxystyrene), partially hydrogenated poly (4-hydroxystyrene), and poly (3-hydroxy). Styrene), poly (3-hydroxystyrene), 4-hydroxystyrene / 3-hydroxystyrene copolymer, 4-hydroxystyrene / styrene copolymer, novolac resin, polyvinyl alcohol, polyacrylic acid and the like.

アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは2,000〜100,000である。上記のアルカリ可溶性樹脂は、単独または2種以上を混合して使用することができる。なお、レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられたアルカリ可溶性樹脂としては、この発明のレジスト組成物のアルカリ可溶性を向上させるものであれば特に制限はない。   The weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 2,000 to 100,000. Said alkali-soluble resin can be used individually or in mixture of 2 or more types. The alkali-soluble resin mentioned as the other component contained in the resist composition is not particularly limited as long as it improves the alkali solubility of the resist composition of the present invention.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた染料あるいは顔料は、露光部の潜像を可視化させる。露光部の潜像を可視化させることによって、露光時のハレーションの影響を緩和することができる。また、レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた接着助剤は、レジスト組成物と基板との接着性を改善することができる。   The dyes or pigments listed as other components contained in the resist composition make the latent image in the exposed area visible. By visualizing the latent image of the exposed portion, the influence of halation during exposure can be mitigated. Moreover, the adhesion assistant mentioned as another component contained in a resist composition can improve the adhesiveness of a resist composition and a board | substrate.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤としては、具体的には、たとえば、ケトン、環状ケトン、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル、3−アルコキシプロピオン酸アルキル、その他の溶剤などが挙げられる。レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤は、たとえば、レジスト組成物に含まれるその他の成分などを溶解することができる限り特に制限はなく、レジスト組成物に安全に使用可能なものの中から適宜選択することができる。   Specific examples of the solvent listed as the other component contained in the resist composition include ketones, cyclic ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkyl 2-hydroxypropionates, alkyl 3-alkoxypropions, Other solvents are mentioned. Solvents listed as other components contained in the resist composition are not particularly limited as long as the other components contained in the resist composition can be dissolved, for example, although those that can be used safely in the resist composition. It can be suitably selected from the inside.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれるケトンとしては、具体的には、たとえば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、2−ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−へブタノン、2−オクタノン、などが挙げられる。   Specific examples of ketones contained in the solvents listed as other components contained in the resist composition include methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, 2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, Examples include 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-hebutanone, and 2-octanone.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれる環状ケトンとしては、具体的には、たとえば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン、などが挙げられる。   Specific examples of the cyclic ketone contained in the solvent mentioned as the other component contained in the resist composition include cyclohexanone, cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2-methylcyclohexanone, and 2,6. -Dimethylcyclohexanone, isophorone, etc. are mentioned.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれるプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、具体的には、たとえば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−SeC−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテルアセテート、などが挙げられる。   Specific examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate contained in the solvent mentioned as the other component contained in the resist composition include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono- n-propyl ether acetate, propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol mono-i-butyl ether acetate, propylene glycol mono-SeC-butyl ether acetate, propylene glycol mono-t-butyl ether And acetate.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれる2−ヒドロキシプロピオン酸アルキルとしては、具体的には、たとえば、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブチル、2−ヒドロキシアロビオン酸sec−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル、などが挙げられる。   Specific examples of the alkyl 2-hydroxypropionate contained in the solvent listed as the other component contained in the resist composition include, for example, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, 2-hydroxy N-propyl propionate, i-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, sec-butyl 2-hydroxyarobionate, t-hydroxy-2-hydroxypropionate Butyl, etc.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれる3−アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、たとえば、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、などが挙げられる   Examples of the alkyl 3-alkoxypropionate contained in the solvent mentioned as the other component contained in the resist composition include methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3 -Ethyl ethoxypropionate, etc.

レジスト組成物に含まれるその他の成分として挙げられた溶剤に含まれるその他の溶剤としては、たとえば、n−プロピルアルコール、i−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルプチレート、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルピン酸エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、γ−プチロラクトン、トルエン、キシレン、カブロン酸、カプリル酸、オクタン、デカン、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゆう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなどを挙げることができる。上記の溶剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   Examples of the other solvent included in the solvent listed as the other component included in the resist composition include n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, and ethylene glycol. Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol Monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n- Propyl ether acetate, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-hydroxy- Methyl 3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, 3-methyl-3-methoxybutyl propylate, ethyl acetate, n-acetate -Propyl, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Diethyl ether, di-n-hexyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, γ-ptyrolactone, toluene, xylene, caproic acid, caprylic acid, octane, decane, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, Examples include benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate, and the like. Said solvent can be used individually or in mixture of 2 or more types.

上述したように、実施の形態のコアシェル型ハイパーブランチポリマーまたはスターポリマーの合成方法によれば、光リソグラフィーを中心としたナノファブリケションのためのポリマー素材として利用可能な、表面平滑性及びアルカリ可溶性を向上させたハイパーブランチポリマーおよびスターポリマーを合成することができる。このようなコアシェル型ハイパーブランチポリマーまたはスターポリマーを含むレジスト組成物によれば、フォトレジストにおいて、パターン状に露光された後、現像をおこなってパタニング処理することができる。   As described above, according to the method for synthesizing the core-shell hyperbranched polymer or star polymer according to the embodiment, surface smoothness and alkali solubility that can be used as a polymer material for nanofabrication centered on optical lithography. It is possible to synthesize a hyperbranched polymer and a star polymer with improved s. According to such a resist composition containing a core-shell hyperbranched polymer or a star polymer, the photoresist can be subjected to patterning by developing after being exposed in a pattern.

当該レジスト組成物は、表面平滑性がナノオーダーで求められる電子線、遠紫外線(DUV)、および極紫外線(EUV)光源に対応し得、半導体集積回路製造用の微細パターンを形成することができる。これによって、この発明にかかる製造方法を用いて生成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを含むレジスト組成物は、波長の短い光を照射する光源を用いて製造される半導体集積回路を用いる各種分野において好適に用いることができる。   The resist composition can correspond to electron beams, deep ultraviolet (DUV), and extreme ultraviolet (EUV) light sources whose surface smoothness is required on the nano order, and can form fine patterns for manufacturing semiconductor integrated circuits. . Thus, the resist composition containing the core-shell hyperbranched polymer produced using the production method according to the present invention is suitable in various fields using a semiconductor integrated circuit produced using a light source that emits light having a short wavelength. Can be used.

また、実施の形態のハイパーブランチポリマーを含むレジスト組成物を用いて製造される半導体集積回路においては、製造に際して露光および加熱し、アルカリ現像液に溶解させた後、水洗などによって洗浄した場合に、露光面に溶け残りが殆ど無く、ほぼ垂直なエッジを得ることができる。これによって、性能が安定し、電子線、遠紫外線(DUV)、および極紫外線(EUV)光源に対応した微細な半導体集積回路を得ることができる。   Further, in the semiconductor integrated circuit manufactured using the resist composition containing the hyperbranched polymer of the embodiment, when it is exposed and heated during manufacturing, dissolved in an alkali developer, and then washed by washing, There is almost no unmelted residue on the exposed surface, and a substantially vertical edge can be obtained. As a result, the performance is stabilized, and a fine semiconductor integrated circuit corresponding to an electron beam, a deep ultraviolet (DUV), and an extreme ultraviolet (EUV) light source can be obtained.

以下に、この発明にかかる上述した実施の形態について、以下に示す実施例を用いて具体的に明らかにする。なお、この発明は、以下に示す実施例によって、何等限定的に解釈されるものではない。   Hereinafter, the above-described embodiment according to the present invention will be specifically clarified by using the following examples. In addition, this invention is not limited at all by the Example shown below.

実施例1のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例1のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、米国特許6919481号にしたがって、2−ベンゾイロキシ−1(2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)−1−(4−ビニルフェニル)エタンを合成した。   The synthesis of the core-shell hyperbranched polymer of Example 1 will be described. In the synthesis of the core-shell hyperbranched polymer of Example 1, 2-benzoyloxy-1 (2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) -1- (4 was prepared according to US Pat. No. 6,194,481. -Vinylphenyl) ethane was synthesized.

(合成例1)
攪拌機、環流冷却器および窒素導入管を取り付けた200mLのフラスコに、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシ1.56g、1,4−ジビニルベンゼン15g、過酸化ベンゾイル1.86gを入れ、攪拌しながら窒素導入管より窒素ガスを導入した。窒素ガスを導入した後、フラスコ内を95℃で3.5時間攪拌した。
(Synthesis Example 1)
In a 200 mL flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube, 1.56 g of 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxy, 15 g of 1,4-divinylbenzene, 1.86 g of benzoyl peroxide The nitrogen gas was introduced from the nitrogen introduction tube while stirring. After introducing nitrogen gas, the inside of the flask was stirred at 95 ° C. for 3.5 hours.

攪拌した後、攪拌した後の溶液から溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。シリカゲルクロマトグラフィーにおける展開溶媒としては、塩化メチレン/へキサン=1/1の混合溶液を用いた。その結果、2−ベンゾイロキシ−1(2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)−1−(4−ビニルフェニル)エタンを得た。収率は40%であった。   After stirring, the solvent was distilled off from the stirred solution, and the residue was purified by silica gel chromatography. As a developing solvent in silica gel chromatography, a mixed solution of methylene chloride / hexane = 1/1 was used. As a result, 2-benzoyloxy-1 (2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) -1- (4-vinylphenyl) ethane was obtained. The yield was 40%.

(実施例1)
攪拌機、環流冷却器および窒素導入管を取り付けた200mLのフラスコに、トルエン67g、2,2’−アゾビスイソブチロニリトル0.82gを入れて、攪拌しながら窒素導入管より窒素ガスを導入した。2−ベンゾイロキシ−1(2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ)−1−(4−ビニルフェニル)エタン10gを1時間かけて滴下し、滴下終了後、120℃で180分間攪拌した。攪拌した後、トルエン267g、アクリル酸1.06g、アクリル酸t−ブチル10.71gを加えて、120℃で300分攪拌した。攪拌した後、攪拌した後の反応混合物に超純水3000gを加えて固形分を再沈させた。再沈によって得られた固形分を実施例1のコアシェル型ハイパーブランチポリマーとして得た。実施例1のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの収量は、8.7g(収率は40%)であり、重量平均分子量は6,000であった。また、分岐度(Br)は、0.32であった。
Example 1
To a 200 mL flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen introduction tube, 67 g of toluene and 0.82 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile were introduced, and nitrogen gas was introduced from the nitrogen introduction tube while stirring. . 2-Benzoyloxy-1 (2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) -1- (4-vinylphenyl) ethane (10 g) was added dropwise over 1 hour. Stir for 180 minutes. After stirring, 267 g of toluene, 1.06 g of acrylic acid and 10.71 g of t-butyl acrylate were added and stirred at 120 ° C. for 300 minutes. After stirring, 3000 g of ultrapure water was added to the stirred reaction mixture to reprecipitate the solid content. The solid content obtained by reprecipitation was obtained as the core-shell hyperbranched polymer of Example 1. The yield of the core-shell hyperbranched polymer of Example 1 was 8.7 g (yield 40%), and the weight average molecular weight was 6,000. The degree of branching (Br) was 0.32.

(実施例2)
アクリル酸1.32g、アクリル酸t−ブチル5.00gを使用する以外は、実施例1と同様にして重合を行ったところ、実施例2のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの収量は、6.5g(収率は40%)であり、重量平均分子量は6,000であった。また、分岐度(Br)は、0.31であった。
(Example 2)
Polymerization was conducted in the same manner as in Example 1 except that 1.32 g of acrylic acid and 5.00 g of t-butyl acrylate were used. The yield of the core-shell hyperbranched polymer of Example 2 was 6.5 g ( The yield was 40%) and the weight average molecular weight was 6,000. The degree of branching (Br) was 0.31.

(実施例3)
アクリル酸1.1g、アクリル酸t−ブチル2.74gを使用する以外は、実施例1と同様にして重合を行ったところ、実施例3のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの収量は、5.5g(収率は40%)であり、重量平均分子量は6,000であった。また、分岐度(Br)は、0.35であった。
(Example 3)
Polymerization was performed in the same manner as in Example 1 except that 1.1 g of acrylic acid and 2.74 g of t-butyl acrylate were used. The yield of the core-shell hyperbranched polymer of Example 3 was 5.5 g ( The yield was 40%) and the weight average molecular weight was 6,000. The degree of branching (Br) was 0.35.

(実施例4)
ビニル安息香酸7.27g、ビニル安息香酸t−ブチル10.04gを使用する以外は、実施例1と同様にして重合を行ったところ、実施例4のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの収量は、12.3g(収率は45%)であり、重量平均分子量は7,000であった。また、分岐度(Br)は、0.34であった。
Example 4
Polymerization was conducted in the same manner as in Example 1 except that 7.27 g of vinyl benzoic acid and 10.04 g of t-butyl vinyl benzoate were used. The yield of the core-shell hyperbranched polymer of Example 4 was 12. It was 3 g (yield 45%), and the weight average molecular weight was 7,000. The degree of branching (Br) was 0.34.

(実施例5)
続いて、実施例5のスターポリマーの合成について説明する。実施例5のスターポリマーの合成に際しては、攪拌機、環流冷却器および窒素導入管を取り付けた200mLのフラスコに、トルエン84g、アクリル酸0.78g、アクリル酸t−ブチル7.9g、2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ0.47g、2,2’−アゾビスイソブチロニリトル0.17gを入れ、攪拌しながら窒素導入管より窒素ガスを導入した。窒素ガスを導入した後、フラスコ内を120℃で120分間攪拌した。
(Example 5)
Subsequently, the synthesis of the star polymer of Example 5 will be described. In the synthesis of the star polymer of Example 5, 84 g of toluene, 0.78 g of acrylic acid, 7.9 g of t-butyl acrylate, 2, 2, and 2, were added to a 200 mL flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen introduction tube. 0.47 g of 6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy and 0.17 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile were introduced, and nitrogen gas was introduced from a nitrogen introduction tube while stirring. After introducing nitrogen gas, the inside of the flask was stirred at 120 ° C. for 120 minutes.

攪拌した後、攪拌した後の溶液に、ジビニルベンゼン1.3g、エチルスチレン1.07gを加えて、120℃で60分攪拌した。攪拌した後、攪拌した後の反応混合物にメタノール150gを加えて固形分を再沈させた。再沈によって得られた固形分を、実施例5のスターポリマーとして得た。実施例5のスターブランチポリマーの収量は、3.9g(収率は35%)であった。GPCによる重量平均分子量は、10,000、MALLSによる絶対分子量は、40,000であった。   After stirring, 1.3 g of divinylbenzene and 1.07 g of ethylstyrene were added to the stirred solution, and the mixture was stirred at 120 ° C. for 60 minutes. After stirring, 150 g of methanol was added to the stirred reaction mixture to reprecipitate the solid content. The solid content obtained by reprecipitation was obtained as the star polymer of Example 5. The yield of the star branch polymer of Example 5 was 3.9 g (35% yield). The weight average molecular weight by GPC was 10,000, and the absolute molecular weight by MALLS was 40,000.

(実施例6)
つぎに、実施例6のスターポリマーの合成について説明する。実施例6のスターポリマーの合成に際しては、攪拌機、環流冷却器および窒素導入管を取り付けた200mLのフラスコに、トルエン86g、アクリル酸0.97g、アクリル酸t−ブチル3.69g、2,2,6,6−テトラメチル−1−(1−フェニルエトキシ)−4−ピペリジノール0.83gを入れ、攪拌しながら窒素導入管より窒素ガスを導入した。窒素ガスを導入した後、フラスコ内を120℃で60分間攪拌した。
(Example 6)
Next, the synthesis of the star polymer of Example 6 will be described. In the synthesis of the star polymer of Example 6, in a 200 mL flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen introduction tube, 86 g of toluene, 0.97 g of acrylic acid, 3.69 g of tert-butyl acrylate, 2,2, 0.83 g of 6,6-tetramethyl-1- (1-phenylethoxy) -4-piperidinol was added, and nitrogen gas was introduced from a nitrogen introduction tube while stirring. After introducing nitrogen gas, the inside of the flask was stirred at 120 ° C. for 60 minutes.

攪拌した後、攪拌した後の溶液に、ジビニルベンゼン1.3g、エチルスチレン1.07gを加えて、120℃で60分攪拌した。攪拌した後、攪拌した後の反応混合物にメタノール150gを加えて固形分を再沈させた。再沈によって得られた固形分を、実施例6のスターポリマーとして得た。実施例6のスターポリマーの収量は、2.4g(収率は34%)であった。GPCによる重量平均分子量は、10,000、MALLSによる絶対分子量は、40,000であった。   After stirring, 1.3 g of divinylbenzene and 1.07 g of ethylstyrene were added to the stirred solution, and the mixture was stirred at 120 ° C. for 60 minutes. After stirring, 150 g of methanol was added to the stirred reaction mixture to reprecipitate the solid content. The solid content obtained by reprecipitation was obtained as the star polymer of Example 6. The yield of the star polymer of Example 6 was 2.4 g (yield: 34%). The weight average molecular weight by GPC was 10,000, and the absolute molecular weight by MALLS was 40,000.

(実施例7)
つぎに、実施例7のスターポリマーの合成について説明する。実施例7のスターポリマーの合成に際しては、攪拌機、環流冷却器および窒素導入管を取り付けた200mLのフラスコに、トルエン86g、ビニル安息香酸5.37g、ビニル安息香酸t−ブチル4.65g、2,2,6,6−テトラメチル−1−(1−フェニルエトキシ)−4−ピペリジノール0.58g、2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペリジニルオキシ3.3mgを入れ、攪拌しながら窒素導入管より窒素ガスを導入した。窒素ガスを導入した後、フラスコ内を120℃で60分間攪拌した。
(Example 7)
Next, the synthesis of the star polymer of Example 7 will be described. In the synthesis of the star polymer of Example 7, in a 200 mL flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen introduction tube, 86 g of toluene, 5.37 g of vinyl benzoic acid, 4.65 g of t-butyl vinyl benzoate, 2, Add 0.58 g of 2,6,6-tetramethyl-1- (1-phenylethoxy) -4-piperidinol and 3.3 mg of 2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy and stir. However, nitrogen gas was introduced from the nitrogen introduction tube. After introducing nitrogen gas, the inside of the flask was stirred at 120 ° C. for 60 minutes.

攪拌した後、攪拌した後の溶液に、ジビニルベンゼン1.3g、エチルスチレン1.07gを加えて、120℃で60分攪拌した。攪拌した後、攪拌した後の反応混合物にメタノール150gを加えて固形分を再沈させた。再沈によって得られた固形分を、実施例7のスターポリマーとして得た。実施例5のスターポリマーの収量は、4.9g(収率は40%)であった。GPCによる重量平均分子量は、12,000、MALLSによる絶対分子量は、45,000であった。   After stirring, 1.3 g of divinylbenzene and 1.07 g of ethylstyrene were added to the stirred solution, and the mixture was stirred at 120 ° C. for 60 minutes. After stirring, 150 g of methanol was added to the stirred reaction mixture to reprecipitate the solid content. The solid content obtained by reprecipitation was obtained as the star polymer of Example 7. The yield of the star polymer of Example 5 was 4.9 g (yield 40%). The weight average molecular weight by GPC was 12,000, and the absolute molecular weight by MALLS was 45,000.

(レジスト組成物の調製)
上述した実施例1〜7において得られたハイパーブランチポリマー、あるいはスターポリマーを用いたレジスト組成物の調製について説明する。まず、上述した実施例1〜7において得られたハイパーブランチポリマーあるいはスターポリマーを、以下の方法で、ポリマー中の微量金属を除去する。
(Preparation of resist composition)
The preparation of the resist composition using the hyperbranched polymer or the star polymer obtained in Examples 1 to 7 will be described. First, trace metals in the polymer are removed from the hyperbranched polymer or star polymer obtained in Examples 1 to 7 by the following method.

(金属洗浄)
金属洗浄に際しては、上述したコアシェル型ハイパーブランチポリマー、あるいはスターポリマー6gを100gのメチルイソブチルケトンに溶解した溶液と、3質量%シュウ酸水溶液50gおよび1質量%塩酸水溶液50gとを合わせ、30分間激しく攪拌した。攪拌後、攪拌後の溶液から有機層を取り出した後、取り出した有機層に再び3質量%シュウ酸水溶液50g、1質量%塩酸水溶液50gを合わせ、30分間激しく攪拌した。この操作を計5回繰り返した後、有機層と超純水100gとを合わせて、30分激しく攪拌する操作を3回繰り返した。最終的に得られた有機層から溶媒を留去し、原子吸光により含有金属量を計測した。その結果、いずれのポリマーにおける銅、ナトリウム、鉄、アルミニウムの含有量も10ppb以下であった。
(Metal cleaning)
When washing the metal, a solution obtained by dissolving 6 g of the above-described core-shell hyperbranched polymer or star polymer in 100 g of methyl isobutyl ketone is combined with 50 g of a 3% by mass oxalic acid aqueous solution and 50 g of a 1% by mass hydrochloric acid aqueous solution, and vigorously for 30 minutes. Stir. After stirring, the organic layer was taken out from the stirred solution, and 50 g of a 3% by mass oxalic acid aqueous solution and 50 g of a 1% by mass hydrochloric acid aqueous solution were again combined with the taken out organic layer and stirred vigorously for 30 minutes. After repeating this operation 5 times in total, the operation of combining the organic layer and 100 g of ultrapure water and stirring vigorously for 30 minutes was repeated 3 times. The solvent was distilled off from the finally obtained organic layer, and the amount of contained metal was measured by atomic absorption. As a result, the content of copper, sodium, iron, and aluminum in any polymer was 10 ppb or less.

(レジスト組成物の調製)
上述した実施例1〜7において得られたハイパーブランチポリマーあるいはスターポリマーを用いたレジスト組成物は、微量金属が除去されたハイパーブランチポリマーあるいはスターポリマーを4.0質量%、光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを0.16質量%含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート(PEGMEA)溶液を、細孔径0.45μmのフィルターで濾過することによって調製した。
(Preparation of resist composition)
The resist composition using the hyperbranched polymer or star polymer obtained in the above-described Examples 1 to 7 is 4.0% by mass of the hyperbranched polymer or star polymer from which trace metals have been removed, as a photoacid generator. A propylene glycol monomethyl acetate (PEGMEA) solution containing 0.16% by mass of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate was prepared by filtering with a filter having a pore diameter of 0.45 μm.

調整されたレジスト組成物をシリコンウエハ上にスピンコートし、調整されたレジスト組成物が塗布されたシリコンウエハを90℃にて1分間熱処理して、調整されたレジスト組成物に含まれる溶媒を蒸発させて、溶媒蒸発後のシリコンウエハ上に、厚さ100nmの薄膜を成膜した。   The adjusted resist composition is spin-coated on a silicon wafer, and the silicon wafer coated with the adjusted resist composition is heat-treated at 90 ° C. for 1 minute to evaporate the solvent contained in the adjusted resist composition. Then, a thin film having a thickness of 100 nm was formed on the silicon wafer after evaporation of the solvent.

(紫外線照射感度)
つぎに、シリコンウエハ上に成膜された薄膜の紫外線照射感度について説明する。シリコンウエハ上に作成された薄膜の紫外線照射感度は、以下の方法によって測定した。紫外線照射感度の測定に際しては、光源として、放電管式紫外線照射装置(アトー株式会社製、DF−245型ドナフィックス)を用いた。
(UV irradiation sensitivity)
Next, the ultraviolet irradiation sensitivity of the thin film formed on the silicon wafer will be described. The ultraviolet irradiation sensitivity of the thin film formed on the silicon wafer was measured by the following method. When measuring the ultraviolet irradiation sensitivity, a discharge tube type ultraviolet irradiation device (manufactured by Ato Co., Ltd., DF-245 type DonaFix) was used as a light source.

紫外線照射感度の測定に際しては、シリコンウエハ上に成膜した厚さ約100nmの試料薄膜に対して、波長245nmの紫外線を照射した。紫外線は、シリコンウエハ上に成膜された薄膜のうち、縦10mm×横3mmの長方形の部分に照射した。紫外線の照射に際しては、照射された紫外線のエネルギー量を0mJ/cmから50mJ/cmの範囲内で変化させた。In measuring the ultraviolet irradiation sensitivity, a sample thin film having a thickness of about 100 nm formed on a silicon wafer was irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 245 nm. The ultraviolet rays were applied to a rectangular portion of 10 mm long × 3 mm wide of the thin film formed on the silicon wafer. At the time of irradiation of ultraviolet rays, changing the amount of energy of ultraviolet light irradiated in the range from 0 mJ / cm 2 of 50 mJ / cm 2.

紫外線照射後のシリコンウエハに対して、100℃にて4分間の熱処理をおこない、熱処理後のシリコンウエハをテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド(TMAH)2.4質量%水溶液中に25℃にて2分間浸漬させて現像した。現像後、シリコンウエハを水洗し、乾燥させた。乾燥後の膜厚を、Filmetrics株式会社製薄膜測定装置F20で測定し、現像後の膜厚がゼロになる照射エネルギー値(感度)を測った。結果を表1に示す。   The silicon wafer after ultraviolet irradiation was heat-treated at 100 ° C. for 4 minutes, and the silicon wafer after heat treatment was immersed in a 2.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) at 25 ° C. for 2 minutes. And developed. After development, the silicon wafer was washed with water and dried. The film thickness after drying was measured with a thin film measuring apparatus F20 manufactured by Filmetics Co., Ltd., and the irradiation energy value (sensitivity) at which the film thickness after development was zero was measured. The results are shown in Table 1.

Figure 2008081895
Figure 2008081895

以上に示すように、本発明により得られたコアシェル型ハイパーブランチポリマー、およびスターポリマーは、良好な感度を示すことがわかる。   As shown above, it can be seen that the core-shell hyperbranched polymer and the star polymer obtained by the present invention exhibit good sensitivity.

Claims (8)

モノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成するコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法であって、
前記リビングラジカル重合を開始させる開始剤モノマーを用いて前記リビングラジカル重合をおこなう重合工程と、
前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をコア部とし、当該コア部の末端に酸分解性基および酸基を含むシェル部を形成するシェル部形成工程と、
を含むことを特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法。
A core-shell hyperbranched polymer synthesis method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer via a living radical polymerization of monomers,
A polymerization step of performing the living radical polymerization using an initiator monomer for initiating the living radical polymerization;
A shell part forming step of forming a polymer part synthesized by the living radical polymerization as a core part and forming a shell part containing an acid-decomposable group and an acid group at the end of the core part;
A method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer, comprising:
前記重合工程は、
ニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いるラジカル重合法にしたがって、前記リビングラジカル重合をおこなうことを特徴とする請求項1に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法。
The polymerization step includes
The method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer according to claim 1, wherein the living radical polymerization is performed according to a radical polymerization method using a nitroxyl radical as a key intermediate.
モノマーのリビングラジカル重合を経てスターポリマーを合成する方法であって、
前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とし、アーム部を重合中、あるいは重合後にビニル基を2つ以上有する化合物を添加することにより、アーム部同士をカップリングさせ、コア部を形成するコア部形成工程を含むことを特徴とするスターポリマーの合成方法。
A method of synthesizing a star polymer through living radical polymerization of monomers,
The polymer synthesized by the above living radical polymerization is used as the arm part, and the arm part is coupled to each other by adding a compound having two or more vinyl groups during or after the polymerization to form the core part. A method for synthesizing a star polymer comprising a core part forming step.
ニトロキシルラジカルを鍵中間体として用いるラジカル重合法にしたがっておこなった前記リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とすることを特徴とする請求項3に記載のスターポリマーの合成方法。   4. The method for synthesizing a star polymer according to claim 3, wherein a polymer synthesized by the living radical polymerization performed according to a radical polymerization method using a nitroxyl radical as a key intermediate is used as an arm portion. 請求項1〜4のいずれか一つに記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法にしたがって合成されたことを特徴とするハイパーブランチポリマー。   A hyperbranched polymer synthesized according to the method for synthesizing a core-shell hyperbranched polymer according to any one of claims 1 to 4. 請求項5に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを包含することを特徴とするレジスト組成物。   A resist composition comprising the core-shell hyperbranched polymer according to claim 5. 請求項6に記載のレジスト組成物によってパターンを形成されることを特徴とする半導体集積回路。   A pattern is formed with the resist composition according to claim 6. 請求項6に記載のレジスト組成物を用いてパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。   A method for producing a semiconductor integrated circuit, comprising a step of forming a pattern using the resist composition according to claim 6.
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