JPS6412187B2 - - Google Patents

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JPS6412187B2
JPS6412187B2 JP53075750A JP7575078A JPS6412187B2 JP S6412187 B2 JPS6412187 B2 JP S6412187B2 JP 53075750 A JP53075750 A JP 53075750A JP 7575078 A JP7575078 A JP 7575078A JP S6412187 B2 JPS6412187 B2 JP S6412187B2
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JP
Japan
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thyristor
main
reactor
main thyristor
auxiliary
Prior art date
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Application number
JP53075750A
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Japanese (ja)
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JPS552352A (en
Inventor
Toshiaki Matsura
Eizo Kashino
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS552352A publication Critical patent/JPS552352A/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はサイリスタインバータ装置に関し、特
に帰還ダイオードを具えた自励サイリスタインバ
ータ装置において、その主サイリスタ及び帰還ダ
イオードに流される電流の立上り及び立下り時の
電流変化率di/dtを抑制することによりこれらの
素子の保護をしようとするものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thyristor inverter device, and particularly in a self-excited thyristor inverter device equipped with a feedback diode, the current change rate di/at the rise and fall of the current flowing through the main thyristor and the feedback diode. The aim is to protect these elements by suppressing dt.

この種のサイリスタインバータ装置として第1
図に示す如き構成のものがある。第1図におい
て、主サイリスタMpが点弧されると、直流電源
E1−主サイリスタMp−リアクトルL3−負荷Z−
直流電源E1のループを通つて直流電源E1から負
荷Zに図示の極性の電圧e0が印加される。この主
サイリスタMpの通電中に同時に補助サイリスタ
ANを点弧しておき、直流電源E2−E1主サイリス
タMp−リアクトルL3−コンデンサC−リアクト
ルL2−補助サイリスタAN−直流電源E2のループ
を経て転流コンデンサCを図示の極性にVc=E1
+E2の値だけ充電しておく。なおこの主サイリ
スタMpと補助サイリスタANとにより転流コンデ
ンサCが充電されるのは起動時の第1回目の半サ
イクルだけである。
The first thyristor inverter device of its kind.
There is a configuration as shown in the figure. In Figure 1, when the main thyristor M p is fired, the DC power supply
E 1 - Main thyristor M p - Reactor L 3 - Load Z -
A voltage e 0 of the illustrated polarity is applied from the DC power source E 1 to the load Z through the loop of the DC power source E 1 . While this main thyristor M p is energized, the auxiliary thyristor
A N is turned on, and the commutating capacitor C is connected through the loop of DC power supply E 2 - E 1 main thyristor M p - reactor L 3 - capacitor C - reactor L 2 - auxiliary thyristor A N - DC power supply E 2 . V c = E 1 with the polarity shown
Charge only the value of +E 2 . Note that the commutating capacitor C is charged by the main thyristor M p and the auxiliary thyristor A N only during the first half cycle at startup.

次に主サイリスタMpを消弧するには補助サイ
リスタApを点弧する。これにより転流コンデン
サCの充電電圧Vcのために主サイリスタMpの電
流が減少し、補助サイリスタAPの電流が増加し
て負荷電流が補助サイリスタAp側に転流してい
き、ついに主サイリスタMpは消弧する。
Next, to turn off the main thyristor M p , the auxiliary thyristor A p is turned on. As a result, the current in the main thyristor M p decreases due to the charging voltage V c of the commutation capacitor C, the current in the auxiliary thyristor A P increases, the load current commutates to the auxiliary thyristor A p side, and finally the main Thyristor M p is turned off.

今ここでリアクトルL1とリアクトルL3とを磁
気的に結合させ、かつそれぞれの巻数を等しく選
んでおくと、転流は補助サイリスタApの点弧に
より瞬間的に行われる。
If the reactors L 1 and L 3 are now magnetically coupled and the number of turns of each is chosen to be equal, commutation is instantaneously effected by firing of the auxiliary thyristor A p .

以後直流電源E1−補助サイリスタAp−リアク
トルL1−転流コンデンサC−負荷Z−直流電源
E1のループを介して転流コンデンサCが放電す
ると共に、誘導性負荷又は軽負荷であれば補助サ
イリスタAp−リアクトルL1−転流コンデンサC
−リアクトルL4−帰還ダイオードDp−補助サイ
リスタApのループによつて、リアクトルL1,L4
にコンデンサCの蓄積エネルギーの一部が移行す
る。やがてコンデンサCの電圧が零になると、移
行蓄積されたリアクトルL1,L4の蓄積エネルギ
ーによつて補助サイリスタAp−リアクトルL1
コンデンサC−リアクトルL4−帰還ダイオード
Dp−補助サイリスタApのループを通つて転流コ
ンデンサCが逆充電されるか、又は補助サイリス
タAp−リアクトルL1−転流コンデンサC−負荷
Z−直流電源E1−補助サイリスタApのループを
通つてコンデンサCが充電される。このときコン
デンサCはVc=E1+E2まで第1図に示す極性と
は逆極性に充電される。
Hereafter, DC power supply E 1 - Auxiliary thyristor A p - Reactor L 1 - Commutation capacitor C - Load Z - DC power supply
The commutating capacitor C is discharged through the loop of E 1 , and if the load is inductive or light, the auxiliary thyristor A p - reactor L 1 - commutating capacitor C
−Reactor L 4 −Feedback diode D p −Reactor L 1 , L 4 by the loop of auxiliary thyristor A p
A part of the energy stored in capacitor C is transferred to . When the voltage of the capacitor C eventually becomes zero, the energy stored in the reactors L 1 and L 4 is transferred to the auxiliary thyristor A p -reactor L 1 -
Capacitor C - Reactor L 4 - Feedback diode
Through the loop of D p - auxiliary thyristor A p the commutating capacitor C is reverse charged, or auxiliary thyristor A p - reactor L 1 - commutating capacitor C - load Z - DC power source E 1 - auxiliary thyristor A p Capacitor C is charged through the loop. At this time, the capacitor C is charged to V c =E 1 +E 2 with a polarity opposite to that shown in FIG.

その後誘導性負荷の遅れ電流は帰還ダイオード
DN−リアクトルL3−負荷Z−直流電源E2−帰還
ダイオードDNのループを流れて電力の帰還が行
なわれる。
The lagging current of the inductive load is then fed back to the feedback diode.
Power is fed back through a loop of D N - reactor L 3 - load Z - DC power supply E 2 - feedback diode D N.

その後第2の主サイリスタMNを点弧すれば負
荷に逆極性電力を供給し、以後同様の動作をくり
返すものである。
Thereafter, when the second main thyristor M N is fired, reverse polarity power is supplied to the load, and the same operation is repeated thereafter.

ところで上述の各転流時における各素子の電流
波形を検討すれば、各素子は電流変化率di/dtと
して次に述べるような責務がかかることが分る。
By the way, if we examine the current waveform of each element during each commutation mentioned above, it will be seen that each element has the following responsibility as the current change rate di/dt.

第2図及び第3図は遅れ負荷の場合の波形を示
すもので、負荷電圧e0(第2図A)は負荷電流i0
(第2図B)が主サイリスタ素子Mp又はMNから
帰還ダイオードDN又はDpへ転流したとき極性を
転換する。しかるに第2図Bの負荷電流i0の転流
状態の変遷をさらに拡大して詳細に見れば第3図
Aに示す如く、主サイリスタMpの導通状態から
一旦補助サイリスタApへ転流し、続いて補助サ
イリスタApから帰還ダイオードDNへ転流する。
すなわち時点t1で補助サイリスタApを点弧する
と、主サイリスタMpに流れていた電流が補助サ
イリスタApへ転流する。転流に要する時間T1
第1図のリアクトルL1及びL3のカツプリングの
もれリアクタンスにより決まり、転流コンデンサ
Cの充電電圧をE、リアクトルL1及びL3のカツ
プリングのもれリアクタンスにより決まり、転流
コンデンサCの充電電圧をE、リアクトルL1
びL3のカツプリングのもれリアクタンスをLl、主
回路電流ピーク値(転流電流)をIpとすると、E
=Lldi/dtよりT1≒IpLl/Eとなる。以上の様に遅れ負 荷では主サイリスタMpにはdi/dt=Ip/T1の立下りの 責務がかかり、また補助サイリスタApにはdi/dt= Ip/T1の立上り及びdi/dt=Ip/T2の立下りの責務がか
か り、さらにダイオードDNにはdi/dt=Ip/T2の立上り の責務がかかることになる。
Figures 2 and 3 show waveforms for lagging loads, where the load voltage e 0 (A in Figure 2) is equal to the load current i 0
(FIG. 2B) changes polarity when commutated from the main thyristor element M p or M N to the feedback diode D N or D p . However, if we further expand and look in detail at the changes in the commutation state of the load current i 0 in FIG. 2B, as shown in FIG . Subsequently, the current is commutated from the auxiliary thyristor A p to the feedback diode D N.
That is, when the auxiliary thyristor A p is fired at time t 1 , the current flowing through the main thyristor M p is commutated to the auxiliary thyristor A p . The time T 1 required for commutation is determined by the leakage reactance of the coupling of reactors L 1 and L 3 in Figure 1, and the charging voltage of commutation capacitor C is determined by E and the leakage reactance of the coupling of reactors L 1 and L 3 . Assuming that the charging voltage of commutating capacitor C is E, the coupling leakage reactance of reactors L1 and L3 is Ll , and the main circuit current peak value (commutating current) is Ip , then E
= L l di/dt, T 1 ≒ I p L l /E. As described above, in the delayed load, the main thyristor M p is responsible for the falling of di/dt = I p /T 1 , and the auxiliary thyristor A p is responsible for the rising of di/dt = I p /T 1 and di /dt=I p /T 2 is responsible for the falling edge, and the diode D N is also responsible for the rising edge of di/dt=I p /T 2 .

また進み負荷の場合の負荷電圧e0及び負荷電流
i0は第2図A及びBに対応させて第4図A及びB
に示す如く、負荷電流i0が帰還ダイオードDp又は
DNから主サイリスタMN又はMpへ転流する際に、
負荷電圧e0は極性を転換するが、この進み負荷電
の場合は第3図Aに対応させて第5図に示す如く
ダイオードDNから主サイリスタMpへ補助サイリ
スタを介せずに直接転流が行なわれる。この時の
転流時間T3は、第1図の直流電源E1−主サイリ
スタMp−帰還ダイオードDN−直流電源E2−E1
ループに含まれるリアクタンス値できまる。しか
るにこのループには配線によるリアクタンスしか
ないので主回路電流変化率di/dtは非常に大きな値 になる。
Also, load voltage e 0 and load current in case of leading load
i 0 corresponds to A and B in Fig. 4, A and B in Fig. 4.
As shown in , the load current i 0 is connected to the feedback diode D p or
When commutating from D N to main thyristor M N or M p ,
The load voltage e 0 changes polarity, but in the case of this leading load voltage, it is directly transferred from the diode D N to the main thyristor M p without going through the auxiliary thyristor, as shown in FIG. The flow is carried out. The commutation time T 3 at this time is determined by the reactance value included in the loop of DC power source E 1 -main thyristor M p -feedback diode D N -DC power source E 2 -E 1 in FIG. However, since this loop only has reactance due to the wiring, the main circuit current change rate di/dt has a very large value.

結局進み負荷の場合には、ダイオードDNには
di/dt=Ip/T3の立下りの責務がかかり、主サイリス タMpにはdi/dt=Ip/T3の立上りの責務がかかること になる。
After all, in the case of a leading load, the diode D N has
The main thyristor M p is responsible for the falling of di/dt=I p /T 3 , and the main thyristor M p is responsible for the rising of di/dt=I p /T 3 .

さらに無負荷の場合の負荷電圧e0を第2図Aに
対応させて第6図に示すと共に無負荷電流の転流
状態の変化を第3図Aに対応させて第7図に示
す。
Furthermore, the load voltage e 0 in the case of no load is shown in FIG. 6, corresponding to FIG. 2A, and the change in the commutation state of the no-load current is shown in FIG. 7, corresponding to FIG. 3A.

すなわち時点t7で補助サイリスタApを点弧すれ
ば、転流コンデンサCの蓄積電荷は第1図の転流
コンデンサC−リアクトルL4−帰還ダイオード
Dp−主サイリスタAp−リアクトルL1のループを
流れ、転流コンデンサCのキヤパシタンスと、リ
アクトルL1及びL4のリアクタンスの和とでなる
共振回路で振動する。
That is, if the auxiliary thyristor A p is turned on at time t 7 , the accumulated charge in the commutating capacitor C is reduced to the commutating capacitor C - reactor L 4 - feedback diode in Fig. 1.
It flows through the loop of D p -main thyristor A p -reactor L 1 and vibrates in a resonant circuit consisting of the capacitance of commutating capacitor C and the sum of the reactances of reactors L 1 and L 4 .

その後時点t8でサイリスタMNを点弧すると転
流コンデンサC−リアクトルL4−ダイオードDp
−補助サイリスタAp−リアクトルL1のループを
通つて流れていた電流は、コンデンサC−リアク
トルL4−主サイリスタMN−直流電源E2−E1−補
助サイリスタAp−リアクトルL1のループへと転
流する。この時の転流時間T4は第1図の直流電
源E1−ダイオードDp−主サイリスタMN−直流電
源E2−E1のループに含まれるリアクタンス値で
決まるが、このループには配線によるリアクタン
スしかないので、主回路電流変化率di/dtは大きな 値になる。従つて無負荷の場合には、ダイオード
Dpにはdi/dt=IM′/T4の立下りの責務がかかり、主サ イリスタMNはdi/dt=IM′/T4の立上りの責務がかかる ことになる。
Then, at time t 8 , when the thyristor M N is ignited, the commutating capacitor C - reactor L 4 - diode D p
- Auxiliary thyristor A p - The current flowing through the loop of reactor L 1 is the capacitor C - Reactor L 4 - Main thyristor M N - DC power supply E 2 - E 1 - Auxiliary thyristor A p - Loop of reactor L 1 transfer to. The commutation time T 4 at this time is determined by the reactance value included in the loop of DC power supply E 1 - diode D p - main thyristor M N - DC power supply E 2 - E 1 in Figure 1. Since there is only reactance due to Therefore, in the case of no load, the diode
D p is responsible for the fall of di/dt=I M ′/T 4 , and the main thyristor M N is responsible for the rise of di/dt=I M ′/T 4 .

このように第1図の構成のサイリスタインバー
タ装置においては、主サイリスタ、補助サイリス
タ、帰還ダイオードの半導体素子に電流の急峻な
立上り、立下りの責務がかかることになる。しか
るに半導体素子は点弧時に急峻な立上り電流変化
率があると、ゲートが十分に拡がつていないため
素子が破壊する。また電流を切る時に急峻な立下
り電流変化率があると第8図Bに示すように立上
り、立下りが緩やかな場合(第8図A)に較べて
逆回復電荷Qrが大きくなり、従つて第9図のよ
うに素子を直列接続して使う場合には電圧不平衡
が大きくなる。そして逆回路電荷Qrが大きくな
るとこれを吸収するために第9図のコンデンサ
CAとしては容量の大きなものを選定する必要が
ある。
In this way, in the thyristor inverter device having the configuration shown in FIG. 1, the semiconductor elements of the main thyristor, auxiliary thyristor, and feedback diode are responsible for the steep rise and fall of the current. However, if a semiconductor device has a steep rising current rate of change during ignition, the device will be destroyed because the gate will not expand sufficiently. Furthermore, if there is a steep falling current change rate when the current is turned off, the reverse recovery charge Q r will rise as shown in Figure 8B, and the reverse recovery charge Q r will be larger than when the fall is gentle (Figure 8A). Therefore, when devices are connected in series as shown in FIG. 9, voltage unbalance becomes large. When the reverse circuit charge Q r increases, the capacitor shown in Figure 9 is used to absorb it.
It is necessary to select a CA with large capacity.

かかる問題を解決するため従来は第10図に示
す如く、主サイリスタMp及びリアクトルL3間に
可飽和磁気鉄心、例えばフエライトコア上にコイ
ルを巻き付けてなり、コイルの電流が電流IPより
小さいある値以上で磁気的に飽和する可飽和リア
クトル(以下フエライトコアという)Fpを挿入
し、同様に主サイリスタMN及びリアクトルL4
にフエライトコアFNを挿入したものが用いられ
ている。かかる構成によれば、遅れ負荷の場合第
3図Aに対応させて第11図Aに示す如く主サイ
リスタMpの立下り波形及び補助サイリスタAp
立上り波形についてフエライトコアFpによる補
償ができる。また進み負荷の場合は第5図に対応
させて第11図Bに示す如く主サイリスタMp
立上り波形及びダイオードDNの立下り波形につ
いてフエライトコアFpによる補償ができる。さ
らに無負荷の場合は第7図に対応させて第11図
Cに示す如く主サイリスタMNの立上り波形及び
ダイオードDpの立下り波形についてフエライト
コアFNによる補償ができる。
In order to solve this problem, conventionally, as shown in Fig. 10, a coil is wound around a saturable magnetic core, such as a ferrite core, between the main thyristor Mp and the reactor L3 , and the current in the coil is smaller than the current IP . A saturable reactor (hereinafter referred to as a ferrite core) Fp that is magnetically saturated above a certain value is inserted, and a ferrite core FN is similarly inserted between the main thyristor MN and the reactor L4 . According to this configuration, in the case of a lagging load, the falling waveform of the main thyristor M p and the rising waveform of the auxiliary thyristor A p can be compensated by the ferrite core F p as shown in FIG. 11A in correspondence with FIG. 3A. . In the case of a leading load, the rising waveform of the main thyristor M p and the falling waveform of the diode D N can be compensated by the ferrite core F p as shown in FIG. 11B corresponding to FIG. 5. Furthermore, in the case of no load, the rising waveform of the main thyristor M N and the falling waveform of the diode D p can be compensated by the ferrite core F N as shown in FIG. 11C corresponding to FIG.

ところで第10図の構成によるフエライトコア
Fp及びFNによる波形の補償は、主サイリスタに
ついては電流変化率を大幅に低減できるので効果
があるが、帰還ダイオードについては未だ不十分
なものにとどまつている。
By the way, the ferrite core with the configuration shown in Figure 10
Waveform compensation by F p and F N is effective for the main thyristor because it can significantly reduce the rate of change in current, but it remains insufficient for the feedback diode.

以上の点を考慮して本発明においては、フエラ
イトコアの数としては第10図の従来の場合と同
様であるが、主サイリスタ電流のみならず帰還ダ
イオード電流についても効果的な電流変化率の補
償をなし得るようにしようとするものである。
In consideration of the above points, in the present invention, the number of ferrite cores is the same as the conventional case shown in FIG. The aim is to make it possible to achieve the following.

以下図面について本発明の一例を詳述するに、
本発明に依るサイリスタインバータ装置は第10
図との対応部分に同一符号を附して第12図に示
す如く、第10図において主サイリスタMp及び
MNのアームに介挿されたフエライトコアFp及び
FNを省略してこれに代え、主サイリスタMp及び
帰還ダイオードDpの接続点と、補助サイリスタ
Ap及び直流電源E1の接点との間にフエライトコ
アFpを介挿し、同様に主サイリスタMN及び帰還
ダイオードDNの接続点と、補助サイリスタAN
び直流電源E2の接続点との間にフエライトコア
FNを介挿したと同様の構成を有する。
An example of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
The thyristor inverter device according to the present invention is the tenth
As shown in FIG. 12 with the same reference numerals assigned to corresponding parts, in FIG. 10 the main thyristor M p and
Ferrite core F p inserted in the arm of M N and
Omit F N and replace it with the connection point of the main thyristor M p and feedback diode D p , and the auxiliary thyristor
A ferrite core F p is inserted between the contact point of A p and the DC power source E 1 , and similarly the connection point of the main thyristor M N and feedback diode D N and the connection point of the auxiliary thyristor A N and the DC power source E 2 . ferrite core between
It has the same configuration as FN inserted.

第12図の構成において、遅れ負荷の場合第1
1図Aに対応させて第13図Aに示す如く、時点
t1において補助サイリスタApを点弧すると、主サ
イリスタMpから補助サイリスタApへの転流が始
まり、主サイリスタ電流が0に近くなるとフエラ
イトコアFpがリセツトされ、主サイリスタMp
電流の立下りのdi/dtは小さくなる。また補助サイ リスタApからダイオードDNへ転流するときはフ
エライトコアFNが同様にして作用し、ダイオー
ドDNの電流立上りのdi/dtも小さくなる。
In the configuration shown in Fig. 12, in the case of lagging load, the first
As shown in Figure 13A corresponding to Figure 1A, the time point
When the auxiliary thyristor A p is fired at t 1 , commutation from the main thyristor M p to the auxiliary thyristor A p starts, and when the main thyristor current approaches 0, the ferrite core F p is reset, and the current of the main thyristor M p The falling di/dt of becomes small. Furthermore, when commutating from the auxiliary thyristor A p to the diode D N , the ferrite core F N acts in the same way, and the di/dt of the current rise in the diode D N becomes small.

これに対して進み負荷の場合は第11図Bに対
応させて第13図Bに示し、また無負荷の場合は
第11図Cに対応させて第13図Cに示す如く、
主サイリスタ電流のみならず、帰還ダイオード電
流の立下り波形についてdi/dtを小さくすることが できる。
On the other hand, in the case of a leading load, as shown in FIG. 13B corresponding to FIG. 11B, and in the case of no load, as shown in FIG. 13C corresponding to FIG. 11C,
It is possible to reduce di/dt not only for the main thyristor current but also for the falling waveform of the feedback diode current.

上述の如く本発明に依れば従来と同じフエライ
トコアの数で主サイリスタと帰還ダイオードの電
流の立上り及び立下りを共に抑制することがで
き、従つて半導体素子を破壊することなく、イン
バータ装置を運転することができ、かくするにつ
きサージアブゾーバのコンデンサも小さな値で済
むようにできる。
As described above, according to the present invention, it is possible to suppress both the rise and fall of the current in the main thyristor and the feedback diode with the same number of ferrite cores as in the past, and therefore the inverter device can be controlled without destroying the semiconductor elements. Therefore, the value of the surge absorber capacitor can be reduced.

なお第12図の実施例の場合は単相のサイリス
タインバータ装置に本発明を適用したが、これを
単位として第14図に示す如く三相サイリスタイ
ンバータ装置に本発明を適用しても第12図の場
合と同様の効果を得ることができる。尚、本発明
の実施例に於て、主サイリスタMP及びMNはそれ
ぞれ第1の主サイリスタ及び第2の主サイリスタ
に、補助サイリスタAPおよびANはそれぞれ第1
の補助サイリスタ及び第2の補助サイリスタに、
リアクトルL3及びL4はそれぞれ第1のリアクト
ル及び第2のリアクトルに、リアクトルL1及び
L2はそれぞれ第3のリアクトル及び第4のリア
クトルに、帰還ダイオードDP及びDNはそれぞれ
第1の帰還ダイオード及び第2の帰還ダイオード
にそれぞれ該当するものである。
In the case of the embodiment shown in FIG. 12, the present invention is applied to a single-phase thyristor inverter device, but even if the present invention is applied to a three-phase thyristor inverter device as shown in FIG. The same effect can be obtained as in the case of . In the embodiment of the present invention, the main thyristors M P and M N are the first main thyristor and the second main thyristor, respectively, and the auxiliary thyristors A P and A N are the first main thyristor, respectively.
an auxiliary thyristor and a second auxiliary thyristor,
Reactors L 3 and L 4 are connected to the first reactor and second reactor, respectively, and reactors L 1 and L 4 are connected to the first reactor and second reactor, respectively.
L 2 corresponds to a third reactor and a fourth reactor, respectively, and feedback diodes D P and D N correspond to a first feedback diode and a second feedback diode, respectively.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を適用し得る帰還ダイオードを
具えた自励サイリスタインバータ装置を示す接続
図、第2図ないし第9図はその動作の説明に供す
る信号波形図、曲線図及び部分的回路図、第10
図は従来のサイリスタインバータ装置を示す接続
図、第11図はその動作の説明に供する信号波形
図、第12図は本発明に依るサイリスタインバー
タ装置の一例を示す接続図、第13図はその動作
の説明に供する信号波形図、第14図は第12図
のサイリスタインバータ装置の応用例を示す接続
図である。 E1,E2,E:直流電源、Mp,MN:主サイリス
タ、Ap,AN:補助サイリスタ、Dp,DN:帰還ダ
イオード、L1,L4:リアクトル、Z:負荷、Fp
FN:可飽和磁気鉄心(フエライトコア)。
Fig. 1 is a connection diagram showing a self-excited thyristor inverter device equipped with a feedback diode to which the present invention can be applied, and Figs. 2 to 9 are signal waveform diagrams, curve diagrams, and partial circuit diagrams to explain its operation. , 10th
The figure is a connection diagram showing a conventional thyristor inverter device, FIG. 11 is a signal waveform diagram for explaining its operation, FIG. 12 is a connection diagram showing an example of a thyristor inverter device according to the present invention, and FIG. 13 is its operation. FIG. 14 is a connection diagram showing an application example of the thyristor inverter device of FIG. 12. E 1 , E 2 , E: DC power supply, M p , M N : main thyristor, A p , A N : auxiliary thyristor, D p , D N : feedback diode, L 1 , L 4 : reactor, Z: load, Fp ,
F N : Saturable magnetic core (ferrite core).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 直流電源、この直流電源の両端間に接続さ
れ、かつ互いに直列接続された第1及び第2の主
サイリスタ、これらの主サイリスタに対してそれ
ぞれ並列接続された第1及び第2の補助サイリス
タ、上記第1及び第2の主サイリスタの接続点と
上記第1及び第2の補助サイリスタの接続点との
間に挿入された転流コンデンサ、上記第1の主サ
イリスタ及び第1の補助サイリスタにそれぞれ直
列接続されかつ互いに磁気的に結合された第1及
び第2のリアクトル、上記第2の主サイリスタ及
び第2の補助サイリスタにそれぞれ直列接続され
かつ互いに磁気的に結合された第3及び第4のリ
アクトル、一端が上記第1の主サイリスタの一端
に接続され他端が上記第2の主サイリスタと第3
のリアクトルとの接続点に接続された第1の帰還
ダイオード、一端が上記第2の主サイリスタの一
端に接続され他端が上記第1の主サイリスタと第
1のリアクトルとの接続点に接続された第2の帰
還ダイオード、上記第1の主サイリスタと第1の
帰還ダイオードとの接続点と上記直流電源の一端
との間に設けられた第1の可飽和磁気鉄心、上記
第2の主サイリスタと第2の帰還ダイオードとの
接続点と上記直流電源の他端との間に設けられた
第2の可飽和磁気鉄心を備え、上記第1及び第2
の主サイリスタを交互に導通させる事によりこれ
らの主サイリスタの直列接続部から交流出力を取
り出すようにしたサイリスタインバータ装置。
1 DC power supply, first and second main thyristors connected across both ends of this DC power supply and connected in series to each other, first and second auxiliary thyristors respectively connected in parallel to these main thyristors, A commutating capacitor inserted between the connection point of the first and second main thyristors and the connection point of the first and second auxiliary thyristors, respectively first and second reactors connected in series and magnetically coupled to each other; third and fourth reactors connected in series to the second main thyristor and second auxiliary thyristor and magnetically coupled to each other, respectively; A reactor, one end connected to one end of the first main thyristor and the other end connected to the second main thyristor and the third main thyristor.
a first feedback diode connected to a connection point with the reactor, one end of which is connected to one end of the second main thyristor, and the other end connected to a connection point of the first main thyristor and the first reactor; a second feedback diode, a first saturable magnetic core provided between a connection point between the first main thyristor and the first feedback diode and one end of the DC power supply, and a second main thyristor. and a second saturable magnetic iron core provided between a connection point between the first and second feedback diodes and the other end of the DC power supply;
A thyristor inverter device in which alternating current output is taken out from a series connection of these main thyristors by alternately conducting the main thyristors.
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