JPS639827A - Photodetecting element chip carrier - Google Patents
Photodetecting element chip carrierInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 産呈上皇且里光互 本発明は光学フィルタを備えた測光装置に関する。[Detailed description of the invention] Retired Emperor Katsuri Mitsutaka The present invention relates to a photometric device equipped with an optical filter.
ｍυＬ逝
本願出願人は、先に真空蒸着膜の膜厚を監視し制御する
為の装置を、特開昭５９−２０８０４号公報において提
案した。この装置においては、真空蒸着中の光学薄膜か
らの反射光もしくは透過光を受光し、可視波長域の多数
の波長に対してそれぞれ光量を検出する為の光センサが
用いられていた。そして、この先センサは、第１θ図図
示のように、セラミックパッケージ（２０）に固着され
、多数のシリコンフォトダイオードが一列に配列された
アレイセンサ（２２）と、その前に配置されアレイセン
サ（２２）の配列方向に順次透過波長が変化する干渉フ
ィルタからなる分光フィルタ（２４）と、更にその前に
配置されアレイセンサ（２２）への入射光束を規制する
スリット（２６ａ）を有するスリット板（２６）とを有
している。The applicant previously proposed an apparatus for monitoring and controlling the thickness of a vacuum-deposited film in Japanese Patent Laid-Open No. 59-20804. In this device, an optical sensor was used to receive reflected light or transmitted light from an optical thin film being vacuum-deposited, and to detect the amount of light for each of a number of wavelengths in the visible wavelength range. As shown in the first θ diagram, the sensors are fixed to a ceramic package (20) and include an array sensor (22) in which a large number of silicon photodiodes are arranged in a row, and an array sensor (22) placed in front of the array sensor (22). ) and a slit plate (26) having a spectral filter (24) consisting of an interference filter whose transmission wavelength changes sequentially in the array direction of the filters (24), and a slit (26a) placed in front of the spectral filter (24) to regulate the incident light flux to the array sensor (22). ).
が”しようと る。 占
最近ではパフケージの小型化を図るために第１０図の如
きチップキャリアが一般化している。シリコンチップは
、チップキャリアに搭載され黒色有機樹脂製封止材でポ
ツティング等の手法で封止しチップを保護しているのが
一般的である。Recently, chip carriers like the one shown in Figure 10 have become commonplace in order to downsize puff cages.Silicon chips are mounted on chip carriers and sealed with a black organic resin encapsulant. Generally, the chip is protected by sealing it using a method.
しかし、特に半導体チップが光を計測する光センサであ
ってその先センサが複数個の受光部を有し、さらにその
複数個の受光部が各々異なる波長の光を測るように各受
光部に一対一で対応して光学フィルターが設置される場
合、従来のチップキャリアでは光センサの受光部と光学
フィルターとの相対位置関係を精度良く保持するように
することはむずかしい。However, in particular, if a semiconductor chip is an optical sensor that measures light, the sensor has multiple light receiving sections, and each light receiving section has a pair of light receiving sections, each of which measures light of a different wavelength. In the case where an optical filter is installed correspondingly in one chip carrier, it is difficult to accurately maintain the relative positional relationship between the light receiving part of the optical sensor and the optical filter using a conventional chip carrier.
本発明は上述の光センサの改良に関し、組立が簡単でか
つ所望の光を正確に検出できる測光装置を得ることを目
的とする。The present invention relates to improvements to the above-mentioned optical sensor, and an object of the present invention is to provide a photometric device that is easy to assemble and can accurately detect desired light.
上記目的を達成するために、本発明に係る受光素子チッ
プキャリアは、光学フィルタを所定位置に位置規制する
フィルタ保持部と、受光素子チップを所定位置に位置規
制するチップ保持部とが、一体的に形成されていること
を特徴としている。In order to achieve the above object, the light receiving element chip carrier according to the present invention has a filter holding part for positionally regulating the optical filter in a predetermined position, and a chip holding part for positionally regulating the light receiving element chip in a predetermined position. It is characterized by being formed.
旦
本発明によれば、受光素子チップおよび光学フィルタを
それぞれ、受光素子チップキャリアの各保持部に取付け
るだけで、受光素子チップと光学フィルタの相対位置を
、規制することができる。According to the present invention, the relative positions of the light-receiving element chip and the optical filter can be regulated by simply attaching the light-receiving element chip and the optical filter to the respective holding parts of the light-receiving element chip carrier.
大立五
第１図は本発明実施例の分光測光装置の分解斜視図を示
す。本分光測光装置は４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視波
長域を検出波長域とするものである。同図において、（
２）はチップキャリアを構成するパッケージ、（４）は
該パフケージ（２）に位置決め後固定されるアレイセン
サである。アレイセンサ（４）は、図のＸ方向に配列さ
れた多数のシリコンフォトダイオード（以下ＳＰＤと略
す）を有するチップである。（６）はＸ方向に透過波長
が順に変化するように構成された干渉フィルタからなる
分光フィルタ、（８）はその前に配されたスリット（８
ａ）を有するスリット板である０分光フイルタ（６）は
スリット板（８）に固着され、その後にパンケージ（２
）に位置決めして固定される。FIG. 1 shows an exploded perspective view of a spectrophotometer according to an embodiment of the present invention. This spectrophotometer detects a visible wavelength range of 400 nm to 700 nm. In the same figure, (
2) is a package constituting a chip carrier, and (4) is an array sensor that is positioned and fixed to the puff cage (2). The array sensor (4) is a chip having a large number of silicon photodiodes (hereinafter abbreviated as SPD) arranged in the X direction in the figure. (6) is a spectral filter consisting of an interference filter configured so that the transmitted wavelength changes sequentially in the X direction, and (8) is a spectral filter arranged in front of it (8
The 0-spectral filter (6), which is a slit plate with a), is fixed to the slit plate (8), and then the pan cage (2
) and fixed.
第２図は、第１図のパッケージ（２）にアレイセンサ（
４）が固定された状態を示す正面図である。同図におい
て、（４ａ）はＸ方向に一列に配列されたＳＰＤを示し
、各ＳＰＤ （４ａ）はワイヤ（ｌＯ）にて各出力端子
（１２）にそれぞれ電気的接続されている。そしてこの
パッケージ（２）は第３図の断面図に示すように、４つ
の段部（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）（２ｄ）を有し、段部
（２ａ）はラインセンサ（４）のＸおよびＹ方向の位置
規制用に用いられ、段部（２ｂ）は分光フィルタ（６）
が固着されたスリット板（８）のＸおよびＹ方向の位置
規制用に用いられる。さらに、段部（２ｃ）（２ｄ）は
、ラインセンサ（４）および分光フィルタ（６）が固着
されたスリット板（８）の２方向の位置規制用に、それ
ぞれ用いられる。Figure 2 shows the array sensor (
4) is a front view showing a fixed state. In the figure, (4a) shows SPDs arranged in a row in the X direction, and each SPD (4a) is electrically connected to each output terminal (12) by a wire (10). As shown in the cross-sectional view of Fig. 3, this package (2) has four steps (2a), (2b), (2c), and (2d), and the step (2a) is for the line sensor (4). It is used for position regulation in the X and Y directions, and the step part (2b) is a spectral filter (6).
is used to regulate the position of the slit plate (8) to which is fixed in the X and Y directions. Furthermore, the step portions (2c) and (2d) are used to regulate the position in two directions of the slit plate (8) to which the line sensor (4) and the spectral filter (6) are fixed.
すなわち、段部（２ａ） （２ｃ）はチップ保持部（
２ｅ）を構成し、段部（２ｂ） （２ｄ）はフィルタ
保持部（２ｆ）を構成している。従って、組立てられた
状態では第４図のようになる。パッケージ（２）は、第
３図および第４図に示すように、ラインセンサ（４）に
接続される端子を有する基板（３）と、封止枠（５）と
が固着されることにより、形成されている。That is, the stepped portions (2a) (2c) are the chip holding portions (
2e), and the stepped portions (2b) and (2d) constitute a filter holding portion (2f). Therefore, the assembled state is as shown in FIG. 4. As shown in FIGS. 3 and 4, the package (2) has a substrate (3) having a terminal connected to the line sensor (4) and a sealing frame (5) fixed to each other. It is formed.
第５図は分光フィルタ（６）の拡大断面図を示す、同図
において、（１４）はガラス基板で、その上には銀層（
八ｇ）、二酸化シリコン層（ＳｉＯ□）及び銀層（Ａｇ
）が順に真空蒸着されている。そして中間の二酸化シリ
コン層（Ｓｔ（ｈ）の膜厚がＸ方向に順次ステップ状に
変化させられている。従って、このような構成からなる
分光フィルタ（６）はＸ方向について順次、透過波長が
変化せしめられ、４００ｎｍ〜７００ｎｍの検出波長域
を分光して透過する。FIG. 5 shows an enlarged cross-sectional view of the spectral filter (6). In the same figure, (14) is a glass substrate, on which is a silver layer (
8g), silicon dioxide layer (SiO□) and silver layer (Ag
) are vacuum-deposited in sequence. The film thickness of the intermediate silicon dioxide layer (St(h) is changed stepwise in the X direction. Therefore, in the spectral filter (6) having such a configuration, the transmission wavelength is changed sequentially in the X direction. The detection wavelength range of 400 nm to 700 nm is spectrally transmitted.
ここで、分光フィルタ（６）には製造誤差があるので、
そのＸ方向位置と透過波長とはフィルタごとに異なり一
義的に定めることはできない。更に、分光フィルタ【６
）のスリット板（８）に対する取付誤差（例えば±０．
０５龍以内）、スリット板（８）のパフケージ（２）に
対する取付は誤差（例えば±０．０５ｍｍ以内）、及び
アレイセンサ（４）のパフケージ（２）に対する取付は
誤差（例えば±０．０５ｍｍ以内）もあるので、アレイ
センサ（４）の各ＳＰＤ （例えば０．１鉗ピツチで形
成されている。）がどの波長を検出するかを一義的に定
めることはできない。そこで、本実施例においては、第
６図図示のように、分光フィルタ（６）のフィルタ部（
６ａ）のＸ方向長さを７．２鰭、そのうちの４００ｎ■
〜７００ｎｓ＋の検出波長域に対応するＸ方向長さを４
．６鶴、スリット板（８）のスリット（８ａ）のＸ方向
長さを５．６ｍｍ、アレイセンサ（４）のＸ方向長さを
５．４ｍとする。すなわち、アレイセンサ（４）のＸ方
向長さよりも分光フィルタ（６）の検出波長域（４００
ｎｓ＋〜７００ｒｖ）の可視波長域）に対応するＸ方向
長さの方が短く、かつ、スリット（８ａ）のＸ方向長さ
はアレイセンサ（４）のＸ方向長さよりも短く、分光フ
ィルタ（６）の検出波長域に対応するＸ方向長さよりも
長い。Here, since there is a manufacturing error in the spectral filter (6),
The position in the X direction and the transmitted wavelength differ from filter to filter and cannot be determined uniquely. Furthermore, a spectral filter [6
) with respect to the slit plate (8) (for example, ±0.
05 dragon), the installation of the slit plate (8) to the puff cage (2) has an error (for example, within ±0.05 mm), and the installation of the array sensor (4) to the puff cage (2) has an error (for example, within ±0.05 mm). ), it is not possible to unambiguously determine which wavelength each SPD (for example, formed with 0.1 pitch) of the array sensor (4) detects. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG.
The length in the X direction of 6a) is 7.2 fins, of which 400n■
The length in the X direction corresponding to the detection wavelength range of ~700ns+ is 4.
．． 6. The length of the slit (8a) of the slit plate (8) in the X direction is 5.6 mm, and the length of the array sensor (4) in the X direction is 5.4 m. That is, the detection wavelength range (400 nm) of the spectral filter (6) is longer than the length of the array sensor (4) in the
The length in the X direction corresponding to the visible wavelength range (ns+~700rv) is shorter, and the length in the X direction of the slit (8a) is shorter than the length in the X direction of the array sensor (4), and the length in the X direction corresponding to the spectral filter (6 ) is longer than the length in the X direction corresponding to the detection wavelength range.
従って、分光フィルタ（６）とスリット板（８）との間
に取付誤差があったとしても、検出波長域は必ずスリッ
ト（８ａ）の間に位置し、スリット板（８）によって該
検出波長域に入射する光が遮られることはない、更に、
アレイセンサ（４）のＸ方向長さは最も長いので、種々
の取付は誤差が生じても分光フィルタ（６）の検出波長
域に対応する位置の光を全て必ず受光することができる
。Therefore, even if there is a mounting error between the spectral filter (6) and the slit plate (8), the detection wavelength range is always located between the slits (8a), and the slit plate (8) The light incident on is not blocked, and furthermore,
Since the array sensor (4) has the longest length in the X direction, it is possible to receive all the light at a position corresponding to the detection wavelength range of the spectral filter (6) without fail, even if errors occur in various installations.
そして、スリーｚト（８ａ）のＸ方向長さはアレイセン
サ（４）のそれよりも短いのでアレイセンサ（４）に入
射しうる有害光を有効に遮ることができる。Further, since the length of the slit (8a) in the X direction is shorter than that of the array sensor (4), harmful light that may enter the array sensor (4) can be effectively blocked.
このような構成によって、パッケージ（２）によって、
ラインセンサ（４）および分光フィルタ（６）が位置規
制されるから、アレイセンサ（４）の多数のＳＰＤには
４００ｎｍ〜７００ｎａ＋の検出波長域の光が必ず入射
している。しかし、どのＳＰＤがどの波長に対応してい
るかは不明である。そこで、本実施例においては、第７
図の原理図に示すように、各ＳＰＤの出力を全て用いて
、予め分光特性のわかっている試料の分光反射率もしく
は分光透過率を測定して、４００ｎ−もしくは７００ｎ
ｍに対応する出力を出すＳＰＤを見つければ、どのＳＰ
Ｄがどの波長に対応しているかを求めることができる。With this configuration, package (2)
Since the positions of the line sensor (4) and the spectral filter (6) are regulated, light in the detection wavelength range of 400 nm to 700 na+ is always incident on the many SPDs of the array sensor (4). However, it is unclear which SPD corresponds to which wavelength. Therefore, in this embodiment, the seventh
As shown in the principle diagram in the figure, all outputs of each SPD are used to measure the spectral reflectance or spectral transmittance of a sample whose spectral characteristics are known in advance.
If you find an SPD that outputs an output corresponding to m, which SP
It is possible to determine which wavelength D corresponds to.
この作業は、スリット板（８）、分光フィルタ（６）、
アレイセンサ（４）及びパッケージ（２）の相対位置を
簡単に、微小誤差範囲内に規制できる。そして、これは
、それぞれを全く誤差な（組立てる（位置調節しつつ組
立てる）ことに比べて、著しく簡単であり、能率は著し
く向上する。This work consists of a slit plate (8), a spectral filter (6),
The relative positions of the array sensor (4) and the package (2) can be easily controlled within a minute error range. This is significantly simpler than assembling each component without any errors (assembling while adjusting the position), and the efficiency is significantly improved.
第８図および第９図は、本発明の第２の実施例を示して
いる。この実施例においては、受光素子チップ（３４）
が３つの受光面（３４ｂ ） （３４ｇ ）（３４ｒ
）を備える一方、各受光面の前にフィルタガラス（３
６）に設けられたフィルタ（３６Ｂ） （３６Ｇ）（
３６Ｒ）が配設されている。このフィルタ（３６Ｂ）（
３６Ｇ）（３６Ｒ）は、青色波長域、緑色波長域、赤色
波長域の光をそれぞれ透過するよう構成されている。8 and 9 show a second embodiment of the invention. In this embodiment, the light receiving element chip (34)
are three light-receiving surfaces (34b) (34g) (34r
), while a filter glass (3
6) Filters (36B) (36G) (
36R) is installed. This filter (36B) (
36G) (36R) are configured to transmit light in the blue wavelength range, green wavelength range, and red wavelength range, respectively.
受光素子キャリア（３２）は、受光素子チップ（３４）
がワイヤボンディングされる基板（４２）と、基板（４
２）に固着される封止枠（４０）とを備えている。基板
（４２）は、受光素子チップ（３４）が嵌込まれるよう
形成された凹みからなるチップ保持部（４２ａ）を有し
ており、それの段部（４２ｂ ）で第８図中前後左右方
向のチップ（３４）の位置を規制し、段部（４２Ｃ）で
上下方向の位置を規制する。The light receiving element carrier (32) is a light receiving element chip (34)
is wire-bonded to the substrate (42), and the substrate (4
2). The substrate (42) has a chip holding part (42a) consisting of a recess formed so that the light-receiving element chip (34) is fitted into it, and the step part (42b) of the chip holding part (42a) extends in the front, back, left and right directions in FIG. The position of the chip (34) is regulated, and the vertical position is regulated by the stepped portion (42C).
封止枠（４０）は、フィルタガラス（３６）が嵌込まれ
るよう形成された凹みからなるフィルタ保持部（３６ａ
）を有しており、それの段部（４０ｂ ）で前後左右方
向のフィルタガラスの位置を規制し、段部（４０Ｃ）で
上下方向の位置を規制する。The sealing frame (40) has a filter holding portion (36a) which is a recess formed to fit the filter glass (36).
), and its stepped portion (40b) regulates the position of the filter glass in the front, rear, left, and right directions, and its stepped portion (40C) regulates its position in the vertical direction.
このため、受光素子チップ（３４）およびフィルタガラ
ス（３６）を、各保持部（４２ａ）（４０ａ）に嵌込む
だけで、受光素子チップとフィルタガラスの相対位置が
規制でき、これによって、各フィルタ（３６Ｂ）（３６
Ｇ）（３６Ｒ）を透過した光が、各受光面（３６ｂ ）
（３６ｇ ） （３６ｒ ）に正しく入射する。Therefore, by simply fitting the light receiving element chip (34) and the filter glass (36) into the respective holding parts (42a) (40a), the relative positions of the light receiving element chip and the filter glass can be regulated, and thereby each filter (36B) (36
G) The light transmitted through (36R) is transmitted to each light receiving surface (36b).
(36g) Correctly enters (36r).
また、受光素子チップ（３４）とフィルタガラス（３６
）の上下方向の相対位置を規制することにより、フィル
タを受光面に近付け、且つフィルタガラス（３６）が受
光素子チップ（３４）と基板（４２）を接続するワイヤ
に当接しない位置に、フィルタガラスを容易に組込むこ
とができる。この実施例の場合、受光面（３６ｂ ）
（３６ｇ ） （３６ｒ ）の太きさが例えば、１
．２ｇｍＸ１．５■１１フイルタ（３６Ｂ）（３６Ｇ）
（３６Ｒ）の大きさが例えば１．６鶴×１．９鶴にそれ
ぞれ形成されているため、チップキャリア（３２）によ
って相対位置を規制するだけで、他の調整作業を必要と
しない。In addition, a photodetector chip (34) and a filter glass (36) are also included.
), the filter can be moved closer to the light-receiving surface, and the filter can be placed in a position where the filter glass (36) does not come into contact with the wire connecting the light-receiving element chip (34) and the substrate (42). Glass can be easily incorporated. In this embodiment, the light receiving surface (36b)
For example, the thickness of (36g) (36r) is 1
．． 2gmX1.5■11 filter (36B) (36G)
(36R) are each formed to have a size of, for example, 1.6 cranes x 1.9 cranes, so that only the relative position is regulated by the chip carrier (32) and no other adjustment work is required.
第１図乃至第７図の実施例におけるチップキャリア（３
２）および第８図および第９図におけるチップキャリア
（２）は、以下のように製造される。The chip carrier (3
2) and the chip carrier (2) in FIGS. 8 and 9 are manufactured as follows.
すなわち、チップ保持部（２ｅ）（３２ｅ）が形成され
る前の基板（３） （４２）と、フィルタ保持部（２
ｆ）（３２ｆ）が形成される前の封止枠（５）（４０）
が、互いに接着された後、工作機械により、チップ保持
部（２ｅ）（３２ｅ）とフィルタ保持部（２ｆ）（３２
ｆ）を形成する機械加工が行なわれる。この際、チップ
キャリア（２） （３２）を工作機械に固定したまま
で、チップ保持部およびフィルタ保持部の両方を一度に
形成することにより、両保持部の相対位置の間には工作
機械の加工精度上の誤差が介在するのみで、位置誤差を
極めて小さくできる。この場合、基板（３） （４２
）は例えばガラスエポキシ樹脂で、封止枠（５） （
４０）は例えばエポキシ樹脂で形成すればよい。That is, the substrate (3) (42) before the chip holding parts (2e) (32e) are formed, and the filter holding part (2)
f) Sealing frame (5) (40) before (32f) is formed
are glued together, then the chip holding parts (2e) (32e) and the filter holding parts (2f) (32
machining to form f) is carried out. At this time, by forming both the chip holding part and the filter holding part at the same time while the chip carrier (2) (32) is fixed to the machine tool, there is no space between the relative positions of the two holding parts on the machine tool. Positional errors can be made extremely small by only introducing errors in processing accuracy. In this case, the substrate (3) (42
) is made of glass epoxy resin, for example, and the sealing frame (5) (
40) may be formed of, for example, epoxy resin.
本発明は、単一の受光面を有する受光素子チップと、単
一のフィルタを支持する場合でも有効に作用するが、特
に、複数の受光面を有する受光素子チップと、各受光面
の前方に配置される複数のフィルタを、精度良（位置決
めする場合に、極めて有効に作用する。The present invention works effectively even when supporting a light receiving element chip having a single light receiving surface and a single filter, but is particularly effective when supporting a light receiving element chip having a plurality of light receiving surfaces and supporting a single filter. It works extremely effectively when positioning multiple filters with high precision.
１果
本発明の受光素子チップキャリアは、受光素子と光学フ
ィルタの相対位置を、簡単に且つ精度良く規制すること
ができるから、所望の光を正確に検出する測光、測色装
置を容易に提供することができる。1) Since the light-receiving element chip carrier of the present invention can easily and precisely regulate the relative position of the light-receiving element and the optical filter, it can easily provide a photometry and colorimeter device that accurately detects desired light. can do.
第１図乃至、第７図は本発明の実施例を示しており、第
１図は本発明の実施例の分光測光装置の分解斜視図、第
２図はアレイセンサを固定したパフケージの正面図、第
３図は本実施例の分解断面図、第４図は組立後の断面図
、第５図は分光フィルタの拡大断面図、第６図はその分
解断面図、第７図はＳＰＤと波長との関係を求める為の
原理図である。
第８図及び第９図は本発明の別実施例を示しており、第
８図は分解斜視図、第９図は断面図である。第１０図は
従来例を示す断面図である。
（２） （３２） ；受光素子チップキャリア
（２ｆ）（３２ｆ）ｉフィルタ保持部
（２ｇ）（３２ｅ）ｉチップ保持部
（４） （３４） 、受光素子チップ（６）
（３６） ；フィルタ以上
出願人 ミノルタカメラ株式会社
第２図
第５図
第６図
工
第９図
軍１０図
第（７図
第８図1 to 7 show embodiments of the present invention, FIG. 1 is an exploded perspective view of a spectrophotometer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front view of a puff cage to which an array sensor is fixed. , Fig. 3 is an exploded sectional view of this embodiment, Fig. 4 is a sectional view after assembly, Fig. 5 is an enlarged sectional view of the spectral filter, Fig. 6 is an exploded sectional view thereof, and Fig. 7 is an SPD and wavelength. It is a principle diagram for determining the relationship between 8 and 9 show another embodiment of the present invention, with FIG. 8 being an exploded perspective view and FIG. 9 being a sectional view. FIG. 10 is a sectional view showing a conventional example. (2) (32); Light receiving element chip carrier (2f) (32f) i filter holding part (2g) (32e) i chip holding part (4) (34), light receiving element chip (6)
(36); Applicant for filters and above Minolta Camera Co., Ltd. Figure 2 Figure 5 Figure 6 Figure 9 Military Figure 10 (Figure 7 Figure 8
Claims (1)
持部と、上記光学フィルタを透過した光を受光する受光
素子チップを上記光学フィルタに対して所定位置に位置
規制するチップ保持部とが一体的に形成された受光素子
チップキャリア。 ２、フィルタ保持部を有する封止枠と、チップ保持部を
有するとともに受光素子を電気接続すべき配線パターン
を有する基板とを備えるとともに、上記フィルタ保持部
およびチップ保持部が、互いに一体結合された上記封止
枠および基板を、機械加工することにより形成された特
許請求の範囲第１項記載の受光素子チップキャリア。[Claims] 1. A filter holder for positionally regulating an optical filter in a predetermined position, and a chip holder for positionally regulating a light receiving element chip that receives light transmitted through the optical filter in a predetermined position with respect to the optical filter. A photodetector chip carrier with integrally formed parts. 2. A sealing frame having a filter holding part and a substrate having a chip holding part and a wiring pattern for electrically connecting the light receiving element, and the filter holding part and the chip holding part are integrally connected to each other. The light receiving element chip carrier according to claim 1, which is formed by machining the sealing frame and the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15326286A JPS639827A (en) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Photodetecting element chip carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15326286A JPS639827A (en) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Photodetecting element chip carrier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639827A true JPS639827A (en) | 1988-01-16 |
Family
ID=15558608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15326286A Pending JPS639827A (en) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Photodetecting element chip carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639827A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715371A (en) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | Superheterodyne system transmission/reception method and transmitter/receiver |
| WO2009001612A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical filter |
| JP2015111130A (en) * | 2015-01-05 | 2015-06-18 | キヤノン株式会社 | Spectral colorimetric device and image forming apparatus including the same |
| JP2015161511A (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | Optical module and electronic equipment |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15326286A patent/JPS639827A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715371A (en) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | Superheterodyne system transmission/reception method and transmitter/receiver |
| WO2009001612A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical filter |
| EP2166383A1 (en) * | 2007-06-22 | 2010-03-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical filter |
| EP2166383A4 (en) * | 2007-06-22 | 2012-03-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Optical filter |
| US8288708B2 (en) | 2007-06-22 | 2012-10-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical filter |
| JP2015161511A (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | Optical module and electronic equipment |
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