JPS639162A - 超格子を含む半導体デバイス及びその制御法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １揉公災 本発明は、一般に秩序だった合金を用いた゛　半導体デ
バイスおよびそのような合金における秩序−無秩序状態
の制御方法に係る。

発明の背景 今日最も商業的に用いられている半導体はシリコンであ
るが、Ｇ　ａ　Ａ　ｓおよびＩｎＰのような他の半導体
もあり、それらは現在商業的にも技術的にも関心がもた
れている。伝導形を決めるために典型的な場合存在する
夕景の元素と好ましくない不純物を除いて、シリコンは
元素半導体であるが、これらの他の半導体はしばしば合
金である。すなわち、少量のドーパントと不純物ととも
に、それらは２またはそれ以上の原子成分をもつ、先に
述べたＧａＡｓとＩｎＰに加え、現在商業的な関心がも
たれる他の合金はＧｅＳｉ、ＡｌＧａＡｓ。

ＡｌＩｎＡｓおよびＩ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ　であ
る。簡単にするため、精密な組成を示すために典型的に
用いられる添字は省略しである。

半導体合金は、同じまたは異なる組成をもつ基板または
他のエピタキシャル層上に、典型的な場合エピタキシャ
ル成長させる６たとえば、ＡｌＧａＡｓおよびＧｅＳｉ
は、それぞれＧａＡｓおよびＳｉ上に成長させてもよい
、もし、組成が異なるなら、格子定数はほとんどの場合
具なり、エピタキシャル層中に歪が存在する。

これらの半導体合金において１等電予成分原子は格子中
の無秩序な位置を占める０等電子というのは、同じ価電
子をもつ原子成分を意味する。そのような構造は、特定
の等電子要素の位置間に長距離的な相関がなく、無秩序
とみてもよい。しかし、秩序だった合金は知られており
、秩序だった半導体合金がａ測されている。たとえばデ
ィンゲル（Ｄｉｎｇｌｅ）　＋ゴザート（Ｇｏｓｓａｒ
ｄ）ｙペトロフ（Ｐｅｔｒｏｆｆ）およびヴイーグマン
（Ｗｉｅｇｎ＋ａｎｎ）　（ゴザードら）に１９８０年
５月２７日に承認された米国特許第４，２０５，３２９
号は、（ＧａＡｓ）ｎ（ＡＩＡｓ）ｍの周期的構造から
成る超格子について述べている。ここでｎおよびｍはそ
れぞれＧ　ａ　Ａ　ｓおよびＡｌＡｓの単原子層の隣接
した層の数である。

無秩序構造および秩序構造間の転移は、金属合金では、
比較的一般的で、よく研究されている。そのような系は
、臨界温度以下の温度の適当なアニールで、特定の格子
位置を占める異なる原子構成になり、それにより得られ
た構造中に、長距離秩序が生じる。転移は２つの型の１
つである。第１に、同一構造型で、格子の型は転移でも
変えない、第２は。

新構造型で、格子型は転移により変る。転移は電子陰性
度、価電子数または秩序原子間の大きさの差といった各
種の物理的機構により起こされる。転移の熱力学につい
ては、たとえば、　Ｋ　（７）　Ｐ　ｊＪ　主、（Ｔ　
ｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｓ　ｏｆＳｏｌｉｄｓ）　、
　リチャード・エイ・スワリン（Ｒｉ−ｃｈａｒｄ　Ａ
、　Ｓｗａｌｉｎ）、　　ジョーンウイリー・アンド・
サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｖｉｌｌｙ　ａ、ｎｄ　５ｏｎｓ）
、　　１５３−１５９に述べられている。スワリンによ
り議論されている具体的な秩序−無秩序転移にはＣｕ　
−Ａ　ｕ合金に存在する転移が含まれる。

しかし、そのような秩序−無秩序転移は半導体では知ら
れていない、たとえば、バルクＧｅＳｉはモデル的な無
秩序合金である。各種の温度におけるバルクＧｅＳｉに
対する長時間アニーリングの実験にもかかわらず、その
ようなアニーリングでは異なる原子種が特定の格子位置
を占め、合金が理想溶液理論に従うようにすることは出
来ない、たとえば１、二元遣］Ｉυ又分、（Ｃｏｎｓｔ
ｉｔｕｔｉｏｎ　ｏｆ　ＢｉｎａｒｙＡｌｌｏｙｓ）　
ｔマグロ−ヒル社、１９５８．７７４−７７５頁を参照
のこと。そのような転移はゴザート（Ｇｏｓｓａｒｄ）
　らによっても述べられていない。

２明の要約 本発明の発明者は、歪超格子半導体系に存在する歪は、
Ｇ　ｅ　Ｓ　ｉ／　Ｓ　ｉを含む半導体合金中の秩序−
無秩序相転移を駆動するために使えることを見出した。

合金は少なくとも二種の等電子原子をもつことが望まし
い。秩序−無秩序相転移は可逆性の新構造で、転移温度
付近ではあるがそれ以下の温度からのゆっくりした冷却
により生じ、無秩序は転移温度以上の温度からのクエン
チングにより生じる。

ＧｅＸＳｉ＋−Ｘの転移温度は約４５０°Ｃで、約２度
／分の冷却速度でＸが約０．５　の値の高度の長距離秩
序を生じる。秩序構造は一般的ではなく、５ｉＳｉＧｅ
ＧｅＳｉＳｉＧｅＧｅ・・・・の順序［１１１１原子層
から成る。秩序というのは、異なる構成原子が格子の特
定の位置を占め、得られた構造に長距離秩序が存在する
ことを意味する。無秩序というのは、これらの効果が存
在しないことを意味する。無秩序配置を示す歪５ｉＧｅ
超格子を含むデバイスについても考えられ、議論されて
いる。

叉亙五五■匪 第１図は秩序−無秩序転移を起こしうる本発明に従うデ
バイスの例の側面図である。基板（１）、第１層（３）
、型格子（５）および第２層（７）が描かれている。第
１店は典型的な場合、超格子の成長のために、高品質の
エピタキシャル層が生じるよう存在する。

歪超格子は（５１，５３，５５，５７）と示された複数
の半導体層から成る。典型的な場合、それ以上の層が存
在するであろうが、明確にするため省略する。大多数は
、それぞれ第１および第２の組成をもつ相互にはさまれ
た半導体層を含む。これらの層の少なくとも一つは、半
導体合金を含み１層の少なくとも一つは基板または他の
層と格子定数の異なる格子定数を有する。合金は少なく
とも二種類の等電子原子をもつことが望ましい。不整は
ミスフィツト転移より、歪により調整される。

ミスフィツト転移の数は少なくすべきで、典型的な場合
１０’／Ｑｌ”である、また、それぞれ基板（１）およ
び第２の層（７）への電極（９）および（１１）が描か
れている。矢印は光線を表わす。

一実施例において、基板は第１および第２の層と同様Ｓ
ｉから成り、歪超格子はＳｉとＧａＳｉの交互の層から
成る。基板は［１００ＦＳｉであった。ＧｅＳｉ層の組
成は広い範囲で変えてもよい。即ち、もし組成をＧ　ａ
ｘＳ　ｉ、−〇と表わすならば、Ｘ＝Ｏ，０以上１．０
以下の任意の値をもってよい。理想的に秩序だった配列
が、第２図に描かれている。この図はＸ＝０．５の値に
対する理想的なＧｅｘＳｉ、−。

単位胞を示す。図かられかるように、中空の円で示され
るＳｉ原子の二つの平面があり。

中をぬった円で示されたＧｅ原子の二つの面がそれに続
くといった具合である。もしＸが０．５　より大きいな
らば、通常能の種類の物質で占められた他の平面上に、
過剰の物質、すなわちＧｅの秩序だった置換が存在する
。

もしＸが０．５　　より小さいならば、秩序は不完全で
ある。

層の具体的な数とそれらの厚さは、歪が超格子中に保た
れるという条件により決まる。

以下の議論で明らかなように、二つの半導体の格子定数
の著しい違いにより、薄い層で秩序状態を作ることが容
易になる。格子定数差が小さいと、厚さが必要になる。

他の実施例も考えられることもＶｌ威すべきである。た
とえば、基板はＳｉでなくＧｅでもよい。加えて、他の
合金半導体を用いてもよい、たとえば、超格子はＧ　ａ
　Ａ　ｓ基板上に成長させたＡ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　
／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓでよい。

この系はＧ　ｅ　Ｓ　ｉ　／　Ｓ　ｉ系よりは好ましく
ない。なぜならば、ＧａＡｓとＡＥｔＧａＡｓの格子定
数差が小さいため、薄い層中に大きな歪エネルギーを作
ることが難しくなるからである。しかし、大きな格子不
整が得られる多くの半導体合金系があることは、当業者
には容易に認識されよう。

描かれたＧ　ｅ　Ｓ　ｉ　／　Ｓ　ｉ歪超格子は１文献
に詳細に述べられ、かつ現在では当業者には周知のよう
に、［１００１シリコン上に１分子線エピタキシーによ
り成長させた。たとえば、ジャーナル・１ｌｒ−ｆ・バ
キアム・サイエン丞１アンド０テクノロジー（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）　Ａ　２　ｔ　　４３　Ｇ　　
−４４０頁、１９８４を参照のこと。分子線二ピタキシ
ーは、現在ではＧ　ｅ　Ｓ　ｉ　／　Ｓ　ｉ歪超格子の
好ましい成長技術のようにみえる。なぜならば、最小の
ミスフィツト転移を最小の層間拡散で、歪超格子が成長
できる可能性があるためである。そのように成長させた
構造は、欠陥の拡大が避けられ、望まれるようにつりあ
いのとれたＧ　ｅ　Ｓ　ｉ　／　Ｓ　ｉ界面をもつ。

しかし、他の成長技術も可能である。

秩序−無秩序転移に対して厳密さを要するパラメータを
決定するに至る具体的な結果について、５５０℃で成長
させ、各周期が７５ｎｍのＧ　ｅ　、４Ｓ　ｉ　、、の
層とＳｉの２２．５ｎｍの層から成る２０周期ＧｅＳｉ
超格子に関して述べる。超格子中の歪はほとんど合金層
、すなわちＧｅＳｉ層中の全体にあり、単位胞の五角形
へのゆがみを起こす。構造は３５０−５５０’Ｃの範囲
内のいくつかの温度で、アルゴン雰囲気内において、ア
ニールし、異なる速度で冷却するか、あるいは拡散ポン
プオイル中で急冷した。［０１１１および［００１Ｆ断
面試料を研磨し、イオンビームで削り、最終的には２　
ｋａＶのアルゴンイオンを照射することにより生じた損
傷を除去した。この処理により、バルク試料を試験した
ところ、残留表面損傷とは最小の干渉であったため、望
ましいと考えられる。

電子線回折パターンによると、いくつかの予期しない特
徴が明らかになった。具体的に、非回折ビームを含むス
ポットを貫く本質的なトリークがあり、いくつかの位置
で余分な反射が起こる。反射の強度は試料に対して行な
った精密なアニール処理に依存した。従って。

適切なアニール処理でこれらの反射の有無が決まること
が明らかになった。すなわち、それは強度の著しい変化
を生む。反射は試料。

すなわちｘ＝０．４　　が約４５０℃でアニールされ、
毎分約２℃で冷却された時、最も強く生じた。それらは
試料をその後、４５０℃以上の温度でアニール、続いて
急冷すると消滅した。しかし、４５０’Ｃで更にアニー
ルし。

続いてゆっくり冷却すると、それらは再び現われた。

［１００］成長方向に平行なストリークはすべての試料
に存在し、ストリークの長さは回折ベクトルとともには
増加せず、非回折ビームもストリークを示したから、歪
は原因から除かれる。従って、ストリークは試料中のシ
ート状の不均一によるに違いない、上の結果から推論さ
れた観測された構造は、擬ダイアモンド構造を有するド
メインの超位置と記述してもよい゛。その場合、単一の
＜１１１＞方向の積み重ねは第２図に示されるように。

５ｉＳｉＧｅＧｅＳｉＳｉ”の順序の全体が１原子から
成る（１１１）面から成る。秩序だっと単位胞がわずか
に三角状の歪を生じると予想されるが、この歪は電子線
回折では測定されない。成長面および秩序面が第３図に
描かれている。第３図は秩序構造の＜１１０＞投影であ
る。この構造は非常にめずらしく、面心立方格子をもつ
ＣｕＰｔの秩序型に関連させることができる。たとえば
、アナレン・デア・フィジク　（Ａｎｎａｌｓｎ　ｄｅ
ｒ　Ｐｈｙｓｉｋ　）　　ｖ　　３０　＊１５１−１６
４頁、１９３７を参照のこと。

構造はＧｅの二つの単原子層を成長させ。

続いてＳｉの二つの単原子層を成長させることにより、
秩序状態に製作してもよい。しかし、ＧｅとＳｉは全体
が混和し、単原子層は相互に混合し、構造は不安定であ
ると予想される。秩序−無秩序転移は秩序構造が生じ安
定であることを示す、それは秩序状態に成長でき、秩序
は適当なアニール工程で破壊できるが、質は低くない。

秩序は長いアニールの後減少し、電子・透明構造の最も
薄い領域では観察されない。長いアニール、すなわち４
５０℃における３０時間以上のアニールで１合金層がら
のＧｅの外方拡散により応力が減少し、そのため秩序の
程度が減少することがＲ察された。応力は薄い層中でも
緩和でき、秩序だった薄い層は薄くする工程中、加熱さ
れそれにより入射イオンビームから入るエネルギーによ
り、無秩序化する。このように、長距離秩序は破壊され
る。従って、秩序転移は歪により促進かつ安定化され、
Ａ　Ｑ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓのような
他の半導体合金系でも起こると信じられる。

臨界温度は組成の関数で、Ｇｅの量が増すにつれ増加す
ることは容易に認識されよう。

より一般的には、臨界温度は超格子中の歪が増すにつれ
増加する。転移が起こるためには。

臨界温度は十分高く、秩序が起こるための十分な熱エネ
ルギーは存在するが、格子を均一化するほど高くてはな
らない。歪が増すにつれ、秩序化した部分の大きさは、
より大きくなる。なぜならば、歪は秩序状態がより効率
的に伴うからである。もし臨界温度が増すならば、得ら
れる熱エネルギーは秩序化によるエネルギーの減少を打
消すのに十分で、秩序構造は破壊される。言いかえると
、秩序化により得られるエネルギーの利得がｋＴより大
きくないならば、秩序構造は安定でない。

アニール時間は秩序化または無秩序化するのに十分長く
なくてはならないが、より動きやすい物質が合金層に残
るほど長くてはならない。急冷は秩序化が起こらないほ
ど十分急速にすべきである。

歪は基本、的にはＧｅ層に付随し、Ｓｉ層には歪はない
。より具体的には、ＧｅＳｉ結合角は歪をもつよう変化
し、各物質の二つの層は構造を秩序化するのに最も効率
的である。超格子は＜１１１＞を含む任意の基板方向上
に成長させてよいが、構造は常に［１１１Ｆ方向にある
。

上で示した構造について多くの興味あるデバイス応用が
、当業者には容易に考えられる。

この構造の単位胞はダイヤモンド構造の通常の単位胞の
［１１１１周期の２倍で１周期は元素ＧｅおよびＳｉの
それらとは異なることが、容易に理解されよう。この結
果はプリルアンゾーンを［１１１１方向に折り曲げるこ
とになり、Ｇｅ濃度の高い合金、すなわち０．７より大
きなＸをもつ合金の場合、直接禁制帯を生じる。単位胞
それ自身はもはや中心対称ではなく、第２高調波の発生
といったある種の光現象、光電子効果およびピエゾ電気
効果が構造的に許されるようになる６第１図の構造はこ
れらの用途に有用である。

ＧｅＳｉ系に直接禁制帯材料が生じることにより、ダイ
オードおよびレーザのような光源とともに、光検出器の
ようなＧｅＳｉを用いた光デバイスの製作ができるよう
になる。この材料系、１ミクロンまたはそれ以上の禁制
帯は、そのようなデバイスを現在考えている通信系に対
し理想的なものとする。やはり第１図の構造は有用で、
第１および第２の層は相対する伝導形をもつことが、当
業者には容易に認識されよう。

先導波路、変調器および光スィッチを含む電子−光応用
に、秩序ＧｅＳｉは有用である。

後者の二つの型のデバイスは、ピエゾ電気効果を用いて
もよい。入射光ビームは第１図の矢印で示されている。

これらの用途は集積電子および光プロセス、信号および
データ通信とともに組合わせることに関心がもたれる。

光部品はシリコン基板上で電子部品と、集積化させても
よい。後者の部品は光部品に電気的に接続される。

秩序合金はまた減少した荷電キャリヤ散乱を示し、電界
効果トランジスタ中のチャネルとして有用である。第４
図の構造はこれらの用途に有用である。第１図中のもの
と同じ数字は同一の要素を表わす。しかし、ソース、ゲ
ートおよびドレイン電極が加すっている。

それは、それぞれＳ、ＧおよびＤと示されている。容易
に認識されるように、周知の技術が、これら電極の形成
に用いられる。

秩序−無秩序転移は、消去可能な光データ蓄積媒体の製
作に使用してもよい。材料はアニールとゆっくりとした
冷却により秩序化してもよく、レーザビームのような焦
点のあった光ビームにより、臨界温度以上の温度に加熱
し、ビームのスイッチを切ったとき材料を急冷すること
によって、局部的に合金を無秩序化することができる。

適当な構造が第５図に描かれている。描かれているのは
、たとえばシリコンのような材料層（５００）で、その
上に秩序−無秩序転移を起こす複数の蓄積セル（５０１
）がある。たとえば、レーザ（５１０）のような光源も
示されている。異なる蓄積セルに光を走査するために、
周知の手段が使われる。反射光の強度を測定するために
、光検出器（５２０）が用いられる。無秩序材料はその
異なるバンド構造と単位胞の対称性のため、異なる反射
率をもつ。蓄積されたデータは、光ビームが表面を走査
するにつれ、光検出器（５２０）を用いて単に反射率の
変化を検出することにより、読んでもよい。蓄積された
材料は臨界温度以上に加熱し、ゆっくり冷却することに
より消してもよい。

存在するシリコンの量は　ｘ＝０．１ないしＸ＝０．９
　　の範囲で変えてもよいことが、容易に認識されよう
。０．１　以上の値は秩序が非常に小さく、有用ではな
いため望ましくない。より大きな値も同じ理由により望
ましくない。容易に認識されるように、選択される正確
な値は、考えられるデバイスの用途に依存するであろう
。

上で述べた指針により、熟練した技術者には秩序、無秩
序いずれの状態の超格子を製作・することも可能である
ことが、容易に認識されるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図。 第２図は秩序だったＧｅＳｉ単位胞を表わす図。 第３図は５ｉＧｅ合金の成長および秩序面を表わす図。 第４図は本発明に従うトランジスタを示す図、 第５図は本発明に従う光記録デバイスを示す図である。 ［主要部分の符号の説明］ 超格子・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・５半導体層・・・・・・・・・
・・・・・・・・・５１．５３．５５．５７クラツド半
導体層・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３，
７図面の浄８（内容に変更な− ＦＩＧ、　２ Ｓｉ ・Ｃｒｅ ＦＩＧ、　３ 手　綾角１ｊ　　ＴＴＥ　　ｔ！ｊ　Ｃ方式）昭和６１
年　９月　２日 特許崖長官　　黒　ロ１　明　雄　　殿１、事件の表示 昭和６１年特許願第１４９８２２号 ２．５１明の名称 超格子を含む半導体デバイス及びその制御法３、補ｉＥ
をする者 ４￥件との関係　　特許出願人 ４、代理人 氏　名　　　（８４川弁理士　　　岡　　　部　　　正
　　　英　−。 １、・二・ ６、補正の対象　　　　「図　　　　　而」７、補正の
内容　　　　　　別紙の通り別紙の通り適正な図面を１
通提出致します。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１および第２の交互にはさまれた 半導体層の超格子を含み、前記交互にはさまれた層は第
   １および第２の組成をもち、超格子の特性を制御するた
   めの手段が含まれる半導体デバイスにおいて、 第１の組成は秩序だったＧｅ＿ｘＳｉ＿１＿−＿ｘから
   成ることを特徴とする超格子を含む半導体デバイス。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された デバイスにおいて、 ｘは０．１以上０．９以下であることを特徴とする超格
   子を含む半導体デバイス。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項 に記載されたデバイスにおいて、 前記超格子の相対する表面上の第１および 第２のクラッド半導体層が更に含まれることを特徴とす
   る超格子を含む半導体デバイス。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された デバイスにおいて、 前記制御手段は前記第１および第２のクラ ッド層への電極を含むことを特徴とする超格子を含む半
   導体デバイス。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項また は第３項に記載されたデバイスにおいて、 前記制御手段は前記相互にはさまれた層へ のソース及びドレイン電極を含むことを特徴とする超格
   子を含む半導体デバイス。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された デバイスにおいて、 ゲート電極が更に含まれることを特徴とす る超格子を含む半導体デバイス。 ７、特許請求の範囲第１−６項のいずれ かに記載されたデバイスにおいて、 前記第１及び第２の相互にはさまれた層は 相対する伝導形を有することを特徴とする超格子を含む
   半導体デバイス。 ８、特許請求の範囲第１−４項のいずれ かに記載されたデバイスにおいて、 前記制御手段は更に光源を含み、前記光源 は前記超格子を照射することを特徴とする超格子を含む
   半導体デバイス。 ９、特許請求の範囲第８項に記載された デバイスにおいて、 前記光源からのビームは前記相互にはさま れた層に平行であるか、前記相互にはさまれた層に垂直
   であることを特徴とする超格子を含む半導体デバイス。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された デバイスにおいて、 前記超格子上で前記光ビームを走査する手 段を特徴とする超格子を含む半導体デバイス。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載され たデバイスにおいて、 前記超格子から反射された光を検出する手 段を特徴とする超格子を含む半導体デバイス１２、特許
   請求の範囲第１−１１項のいず れかに記載されたデバイスにおいて、 基板が含まれ、前記超格子及び前記第１及 び第２のクラッド層は、前記基板上に配置されることを
   特徴とする超格子を含む半導体デバイス。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載され たデバイスにおいて、 前記基板上に、前記超格子に電気的に接続 された電子デバイスを含むことを特徴とする超格子を含
   む半導体デバイス。 １４、少なくとも１つの歪半導体合金層の 秩序−無秩序状態を制御する方法において、前記合金層
   を所望の状態を生じる温度まで 加熱し、前記状態を保つ速度で冷却する工程が含まれ、
   前記状態は前記温度が臨界温度以下のとき秩序だった状
   態で、前記温度が臨界温度以下のとき、無秩序状態であ
   ることを特徴とする歪半導体合金層の秩序−無秩序状態
   を制御する方法。 １５、特許請求の範囲第１４項に記載され た方法において、 前記加熱は、光源によることを特徴とする 歪半導体合金層の秩序−無秩序状態を制御する方法。 １６、特許請求の範囲第１５項に記載され た方法において、 前記光源を走査することを特徴とする歪半 導体合金層の秩序−無秩序状態を制御する方法。 １７、特許請求の範囲第１６項に記載され た方法において、 前記合金からの反射光を検出することを特 徴とする歪半導体合金層の秩序−無秩序状態を制御する
   方法。 １８、特許請求の範囲第１４−１７項に記 載された方法において、 前記合金はＧｅ＿ｘＳｉ＿１＿−＿ｘから成るることを
   特徴とする歪半導体合金層の秩序−無秩序状態を制御す
   る方法。 １９、特許請求の範囲第１８項に記載され た方法において、 ｘは０．１より大きく、０．９より小さいことを特徴と
   する歪半導体合金層の秩序−無秩序状態を制御する方法
   。