JPS6381364A - Manufacture of electrophotographic sensitive body - Google Patents

Manufacture of electrophotographic sensitive body

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JPS6381364A
JPS6381364A JP22731386A JP22731386A JPS6381364A JP S6381364 A JPS6381364 A JP S6381364A JP 22731386 A JP22731386 A JP 22731386A JP 22731386 A JP22731386 A JP 22731386A JP S6381364 A JPS6381364 A JP S6381364A
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JP
Japan
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electrophotographic photoreceptor
carbon
film
layer
charge transport
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JP22731386A
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Japanese (ja)
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Masao Sugata
菅田 正夫
Toru Den
透 田
Susumu Ito
進 伊藤
Keiji Hirabayashi
敬二 平林
Keiko Ikoma
生駒 圭子
Noriko Kurihara
栗原 紀子
Kuniji Osabe
長部 国志
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Original Assignee
Canon Inc
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    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract

PURPOSE:To obtain an electrophotographic sensitive body having high acceptance potential and capable of forming an image with a small electrically charging current and a small amount of exposure light energy by forming as a charge transfer layer a film composed essentially of carbon by using a combination of a carbon compound containing halogen and a reducing agent as a main material. CONSTITUTION:A photosensitive layer is obtained by laminating on a substrate 14 a charge generating layer 12 and the charge transfer layer 13 of a film composed essentially of carbon made from a combination of the carbon compound containing halogen and the reducing agent as the main material. It is preferred for said film to contain at least one of H, N, and O, thus permitting the obtained electrophotographic sensitive body to have high acceptance potential and to form an image with a small charging current and a small amount of exposure light energy.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は電子写真装置に用いられる電子写真感光体に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor used in an electrophotographic apparatus.

(従来の技術) 従来、電子写真感光体の光導電層は、A−5e (非晶
質セレ:/) 、 CdS、  ZnO,A−5i(非
晶質シリコン)等の無機光導電材料で構成したり、ポリ
−N−ビニルカルバゾール(PVK)とトリニトロフル
オレノン(TNF)の電荷移動鎖体、トリフェニルメタ
ン誘導体とチアピリリウム塩をポリカーボネート中に含
む系、ジスアゾ顔料やフタロシアニン顔料などの有機顔
料系の材料等を含む電荷発生層とヒドラゾン誘導体やト
リフェニルアミン話導体などの電子供与性分子を有機ポ
リマー中に含む電荷輸送層との積層構造としたりするの
が一般的である。
(Prior Art) Conventionally, the photoconductive layer of an electrophotographic photoreceptor is composed of an inorganic photoconductive material such as A-5e (amorphous Cele), CdS, ZnO, and A-5i (amorphous silicon). or charge transfer chains of poly-N-vinylcarbazole (PVK) and trinitrofluorenone (TNF), systems containing triphenylmethane derivatives and thiapyrylium salts in polycarbonate, and organic pigments such as disazo pigments and phthalocyanine pigments. It is common to have a laminated structure of a charge generation layer containing a material, etc., and a charge transport layer containing an electron donating molecule such as a hydrazone derivative or a triphenylamine conductor in an organic polymer.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、これらの光導電材料を使用する電子写真
感光体においては、未だ種々の解決されるべき点がある
However, there are still various problems to be solved in electrophotographic photoreceptors using these photoconductive materials.

例えばA−5eを光導電層形成材料とする電子写真感光
体は、Se単独、ではその分光感度領域が可視域の短波
長側に偏っているので応用範囲が限られてしまう。そこ
でTeやAsを添加して分光感度領域を拡げることが試
みられている。しかしこの様なTeやAsを含むSe系
の光導電層を有する電子写真感光体は、その分光感度領
域は改良され・るものの、光疲労の増大、高温環境での
帯電性低下、あるいは低温環境での残留電位上昇などが
あり、画質の低下や繰り返し使用時の安定性が失なわれ
てしまう等の問題点があった。しかもSe%As%Te
、特にAsやTeは人体に対し極めて有害な物質である
ので製造時に於て人体への接触がない様な製造装置を使
用する工夫が必要であった。また、光導電層の硬度が低
くクリーニングの確実性と装置の小型化に優れたブレー
ドクリーニングを適用すると光導電層表面が露出してい
ると、光導電層表面がじかに摺擦されることによって、
その一部が削り取られて現像剤中に混入したり、あるい
は複写機内に飛散したり、複写画像中に混入したりして
人体に接触する原因を与える結果を生じる。また、Se
は結晶化温度が低いので、少しの加熱や光照射などで容
易に結晶化を起こし、これが原因で帯電性の低下を引き
起こすことがあった。
For example, in an electrophotographic photoreceptor using A-5e as a material for forming a photoconductive layer, if Se is used alone, its spectral sensitivity range is biased towards the short wavelength side of the visible range, so the range of application is limited. Therefore, attempts have been made to widen the spectral sensitivity range by adding Te or As. However, although the electrophotographic photoreceptor having such a Se-based photoconductive layer containing Te or As improves its spectral sensitivity range, it suffers from increased optical fatigue, decreased chargeability in high-temperature environments, or problems in low-temperature environments. There were problems such as an increase in the residual potential in the wafer, resulting in a decrease in image quality and a loss of stability during repeated use. Moreover, Se%As%Te
In particular, since As and Te are extremely harmful substances to the human body, it was necessary to devise ways to use manufacturing equipment that would not come into contact with the human body during manufacturing. In addition, when blade cleaning is applied because the photoconductive layer has low hardness and is superior in cleaning reliability and miniaturization of the device, if the surface of the photoconductive layer is exposed, the surface of the photoconductive layer is directly rubbed, resulting in
A portion of the particles may be scraped off and mixed into the developer, or may be scattered into the copying machine or mixed into the copied image, resulting in contact with the human body. Also, Se
has a low crystallization temperature, so it easily crystallizes with a little heating or light irradiation, which can cause a decrease in chargeability.

一方、ZnO,CdS等を光導電層構成材料として使用
する電子写真感光体は、一般的にはその光導電層がZn
OやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着材中に
均一に分散して形成されている。
On the other hand, in electrophotographic photoreceptors that use ZnO, CdS, etc. as photoconductive layer constituent materials, the photoconductive layer is generally made of Zn.
It is formed by uniformly dispersing photoconductive material particles such as O or CdS in a suitable resin binder.

しかしながら、ZnOを使用する場合には可視光に感度
を持たせるために有機顔料を添加するなどの分光増感が
必要になる、あるいは繰り返し使用により感度が低下し
ていくという欠点があるため余り多数回の繰り返し使用
はできなかった。又、CdSはZnOと違って人体に影
響がある為に、CdSを使用する場合には製造時及び使
用時に於て人体に接触したり或いは周囲環境に飛散した
りすることのない様にする必要があった。更に、バイン
ダー系光導電層は、光導電材料粒子が樹脂結着材中に均
一に分散されなければならないという特殊性の為に、光
導電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を
決定するパラメータが多く、かかるパラメータを厳密に
調整しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良
く形成する事が出来ず、そのため歩留りの低下を招き量
産性に欠けるという欠点があった。加えて又、バインダ
ー系光導電層は分散系という特殊性故に層全体がポーラ
スになっており、湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で
使用すると電気的特性の劣化を来たし高品質の複写画像
を得られなくなる場合が少なくないなどの問題もあった
However, when using ZnO, it requires spectral sensitization such as adding an organic pigment to make it sensitive to visible light, or the sensitivity decreases with repeated use, so it is not used in large numbers. It could not be used repeatedly. Also, unlike ZnO, CdS has an effect on the human body, so when using CdS, it is necessary to prevent it from coming into contact with the human body or scattering into the surrounding environment during manufacturing and use. was there. Furthermore, binder-based photoconductive layers are difficult to use due to the specificity that the photoconductive material particles must be uniformly dispersed in the resin binder, as well as the electrical and photoconductive properties of the photoconductive layer and the physical and chemical properties of the photoconductive layer. There are many parameters that determine the characteristics, and unless these parameters are precisely adjusted, it is not possible to form a photoconductive layer with desired characteristics with good reproducibility, resulting in a decrease in yield and a lack of mass productivity. Ta. In addition, due to the unique nature of the binder-based photoconductive layer being a dispersed system, the entire layer is porous and has a significant humidity dependence, resulting in deterioration of electrical properties when used in a humid atmosphere, making it difficult to obtain high-quality copied images. There were also problems, such as in many cases not being obtained.

又、これとは別にpvに/TN F電荷移動鎖体、有機
顔料、電子供与性分子あるいは有機ポリマー等の有機材
料を用いる電子写真感光体は、耐コロナイオン性が低い
ため使用中に特性が劣化する、トナーと同様に有機ポリ
マーを使うためクリーニング性に問題が生じ易い、機械
強度が弱いため表面が傷つき易い等の問題があり、長期
間にわたって高画質を維持しながら使用するのが困難な
ことが多かった。また、比較的自由な分子設計が可能で
あるといワても、実際には例えば電荷輸送層の場合、電
子供与性分子とバインダーポリマーとの相溶性不良など
のために使用出来るバインダーポリマーにかなり制約が
出るなどの問題があった。また、これら有機光導電材料
の中でも広く利用されている電子吸引性分子や電子供与
性分子などには人体に害を及ぼすものも多く、発癌性を
有するものも多々あるので、これらの面からの制約も実
際の材料選択の際に大きな障害となることが多かった。
In addition, electrophotographic photoreceptors that use organic materials such as PV/TNF charge transfer chains, organic pigments, electron-donating molecules, or organic polymers have low corona ion resistance, so their characteristics may change during use. It is difficult to use while maintaining high image quality over a long period of time due to problems such as deterioration, cleaning problems due to the use of organic polymers like toner, and easy scratching of the surface due to low mechanical strength. There were many things. Furthermore, although it is possible to design molecules relatively freely, in reality, for example, in the case of a charge transport layer, there are considerable restrictions on the binder polymers that can be used due to poor compatibility between electron donating molecules and binder polymers. There were problems such as. Furthermore, many of the electron-withdrawing molecules and electron-donating molecules that are widely used among these organic photoconductive materials are harmful to the human body, and many of them are carcinogenic. Constraints were also often a major obstacle in actual material selection.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明者等は上記従来例の電子写真感光体の様々な欠点
を除去した電子写真感光体を得る為に鋭意研究の結果、
炭素を主体とする膜で機能分離型の電子写真感光体の電
荷移動層を形成することにより電子写真感光体としての
優れた特性が得られることを見い出し本発明を完成した
As a result of intensive research, the present inventors have conducted extensive research in order to obtain an electrophotographic photoreceptor that eliminates the various drawbacks of the conventional electrophotographic photoreceptor described above.
The present invention was completed based on the discovery that excellent characteristics as an electrophotographic photoreceptor can be obtained by forming the charge transfer layer of a functionally separated electrophotographic photoreceptor with a film mainly composed of carbon.

すなわち、本発明の目的は高い帯電能を持ち、少ない帯
電電流と少ない露光エネルギー量で画像形成可能な電子
写真感光体を提供する事にある。
That is, an object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor that has high charging ability and can form images with a small charging current and a small amount of exposure energy.

また、本発明の他の目的は、高速画像形成が可能な電子
写真感光体を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor capable of high-speed image formation.

本発明のさらに他の目的は濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質な画像を得る事が
容易に出来る電子写真感光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor that can easily produce high-quality images with high density, clear halftones, and high resolution.

本発明のさらに他の目的は温度、湿度等の使用環境の変
動に対して安定な画像を維持する事が可能な電子写真感
光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor that can maintain stable images against changes in the usage environment such as temperature and humidity.

本発明のさらに他の目的は繰り返し使用の際のコロナ放
電生成物や紙粉などの付着の影響が少なく、また表面に
傷がつかず長期間継続的に安定な画像を維持しながら使
用可能な電子写真感光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to reduce the influence of corona discharge products and paper dust during repeated use, and to enable continuous use while maintaining stable images for a long period of time without damaging the surface. Our purpose is to provide electrophotographic photoreceptors.

本発明のさらに他の目的は、感光層の化学変化や劣化あ
るいは結晶化等の変質がおこらず、長期°間の悪環境下
での保管に耐えて保管前と変わらない良好な画質を再現
する事が可能な電子写真感光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to prevent chemical changes, deterioration, crystallization, and other changes in the photosensitive layer, withstand long-term storage in adverse environments, and reproduce the same good image quality as before storage. The purpose of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor that can perform various functions.

本発明のさらに他の目的は、製造工程の途中やオフィス
等での取扱いの際に人体に触れても全く害がなく、また
現像剤中に感光層の一部が削れて混入し、それがコピー
上のトナー画像に含まれて人体に接触したりしても全く
安全で、必要ならば使用終了後に一部ゴミと一緒に廃棄
する事も安全上全く問題なく、一般家庭で使用する際に
も特別の注意なしに安全に使用可能で、火災などの非常
時に他のものと一緒に燃えてしまっても有毒な気体を放
出しない、従ってあらゆる点で全く安全な電子写真感光
体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is that there is no harm to the human body even if it comes into contact with the human body during the manufacturing process or when handling it in an office, etc., and that there is no risk of a part of the photosensitive layer being scraped and mixed into the developer. It is completely safe even if it is included in the toner image on the copy and comes into contact with the human body, and if necessary, it can be disposed of with some garbage after use, and there is no safety problem at all. To provide an electrophotographic photoreceptor that can be used safely without special precautions, does not emit toxic gas even if burned together with other materials in an emergency such as a fire, and is therefore completely safe in all respects. It is in.

本発明のさらに他の目的は、製造時に有害な原料を使用
せず、又は従来に較べて必要な有害原料の使用量が極端
に少なくても製造可能で、このため製造設備に取り付け
る必要のある有害物除害装置やその他の製造上の安全対
策に要するコストを著しく削減出来る電子写真感光体を
提供する事にある。
Still another object of the present invention is that it can be manufactured without using harmful raw materials or with an extremely small amount of harmful raw materials compared to conventional methods, and for this reason, it is possible to manufacture the It is an object of the present invention to provide an electrophotographic photoreceptor that can significantly reduce the cost required for a harmful substance removal device and other manufacturing safety measures.

本発明のさらに他の目的は製造用の原料とじて入手し易
く、安価な原料を使用する事の出来る低コストな電子写
真感光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to provide a low-cost electrophotographic photoreceptor that can use readily available and inexpensive raw materials for manufacturing.

本発明のさらに他の目的は不均一材料の混合や分散ある
いは粒度分布制御などといった複雑な工程を取る事なく
、また塗布液の調液や塗布中の粘度制御あるいは多層構
造の際に起きる層間汚染や溶剤排気の処理などを必要と
しない簡略化された工程で製造でき、またメンテナンス
の容易な製造装置を用いて製造出来る電子写真感光体を
提供する事にある。
Still another object of the present invention is to eliminate the need for complex processes such as mixing and dispersing non-uniform materials or controlling particle size distribution, and to prevent interlayer contamination that occurs during preparation of coating liquids, viscosity control during coating, and multilayer structures. It is an object of the present invention to provide an electrophotographic photoreceptor that can be manufactured by a simplified process that does not require processing of solvents or solvent exhaust, and can be manufactured using manufacturing equipment that is easy to maintain.

本発明のさらに他の目的は製造時の微粉未形成や製造容
器内に付着した膜のはがれによる微粒子の発生がなく、
長時間安定して欠陥のない均一な感光層を得る事の出来
る電子写真感光体を提供する事にある。
Still another object of the present invention is to eliminate the generation of fine particles due to non-formation of fine powder during manufacturing or peeling off of a film adhering to the inside of the manufacturing container.
It is an object of the present invention to provide an electrophotographic photoreceptor that can stably obtain a defect-free and uniform photosensitive layer for a long period of time.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の上記目的は、支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層した感光層を有する電子写真感光体の製造方
法であって、前記電荷輸送層をハロゲン原子を含む炭素
化合物と還元剤との組合せを主原料とし炭素を主体とす
る膜として形成する工程を有する事を特徴とする電子写
真感光体により達成される。
The above object of the present invention is to provide a method for producing an electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated on a support, the charge transport layer being reduced with a carbon compound containing a halogen atom. This is achieved by an electrophotographic photoreceptor characterized by having a step of forming a film mainly composed of carbon using a combination of a carbonaceous agent as a main raw material and a carbon-based film.

本発明における炭素を主体とする膜とは、例えばポリエ
チレンの様な炭化水素系の高絶縁性直鎖有機ポリマーや
、炭素原子からなる黒鉛の真空蒸着膜の様な低抵抗のグ
ラファイト多結晶膜の如きものとは、その特性が大きく
異なるものである。
In the present invention, the carbon-based film is, for example, a hydrocarbon-based highly insulating linear organic polymer such as polyethylene, or a low-resistance graphite polycrystalline film such as a vacuum-deposited graphite film made of carbon atoms. It has very different characteristics.

本発明の目的は、この様な従来の炭素膜では達成されな
い。その理由は、水素を多量に含む上記ポリエチレンの
様な有機ポリマーを電荷輸送層に使用した場合には、帯
電能を向上することはできたとしても、可視域や近赤外
域の光に対する感度がほとんど得られないためである。
The object of the present invention is not achieved with such conventional carbon membranes. The reason for this is that when an organic polymer containing a large amount of hydrogen, such as the above-mentioned polyethylene, is used in the charge transport layer, although it may be possible to improve the charging ability, the sensitivity to light in the visible and near-infrared regions decreases. This is because there is little to be gained.

また、上記グラファイト多結晶膜のようなものでは、帯
電能が低下して実用的な電子写真感光体が得られないた
めである。
Further, if the graphite polycrystalline film is used, the charging ability is lowered and a practical electrophotographic photoreceptor cannot be obtained.

本発明における炭素を主体とする膜は単結晶、多結晶、
非晶質あるいはこれらの相の混合した相のいずれの形態
をとっても良いが、好ましくは少なくともその電気伝導
度σ。が1O−IIΩ−1cm−1以下であって、しか
も膜中に含まれる水素濃度が40原子%以下、さらにそ
の光学的バンドギャップEgopfが1.5eV以上の
ものであることが望ましい。
The film mainly composed of carbon in the present invention is single crystal, polycrystal,
It may take any form of an amorphous phase or a mixed phase of these phases, but preferably at least its electrical conductivity σ. It is desirable that the film has a hydrogen concentration of 40 at % or less, and an optical band gap Egopf of 1.5 eV or more.

本発明は上記のような物性範囲の炭素を主体とする膜が
、高絶縁性でありながらその層中に電荷が注入されると
注入された電荷が電場により輸送されるという現象を見
い出したことに基づいており、かかる炭素を主体とする
膜は、従来の製造条件では製造できない。一般に、電子
写真感光体における電荷の伝導形態は成膜条件にかなり
大きく依存し、きれいなバンド伝導を起こせる成膜条件
は必ずしも広くなく、分散型の性格の強い過渡電流波形
が得られる場合も多く、このことは本発明においても同
様であるが、本発明における炭素を主体とする膜は、こ
のような状態にあっても電子写真感光体として充分に使
用可能なものである。
The present invention is based on the discovery of a phenomenon in which a film mainly composed of carbon having the above-mentioned physical properties is highly insulating, but when charges are injected into the layer, the injected charges are transported by an electric field. , and such carbon-based films cannot be manufactured using conventional manufacturing conditions. In general, the conduction form of charge in an electrophotographic photoreceptor is quite dependent on the film formation conditions, and the film formation conditions that can produce clean band conduction are not necessarily wide, and in many cases, a transient current waveform with a strong dispersion type character is obtained. This also applies to the present invention, but the carbon-based film of the present invention can be fully used as an electrophotographic photoreceptor even in such a state.

ところで、過去においてa−Siやa−Geを主体とし
てこれに炭素を加えた層を電子写真感光体の構成層の1
つとして利用した例としては、特開昭54−55439
、特開昭55−4040、特開昭55−49304、特
開昭56−121041.特開昭60−26345、特
開昭61−94048、特開昭61−94049、特開
昭61−105551などがある。しかしこれらはa−
5i又はa−Geから得られる機能を維持させつつ、炭
素の添加によりその膜特性を改良したのものであり、炭
素を主体とすることによって得られる機能を利用したも
のではない。すなわち、第1に本発明の炭素を主体とす
る膜(以下、「炭素質膜」と表記する)には、上記Si
やGeは含ませないか、もしくは含ませたとしてもなる
べく少なくする。さらに上記の諸提案で成膜に使われて
いる成膜条件はa−5iやa−Ge層の形成の際に適用
されているものであって、その様な条件では本発明の目
的を達成する膜は出来ない。
By the way, in the past, a layer mainly composed of a-Si or a-Ge with carbon added thereto was used as one of the constituent layers of an electrophotographic photoreceptor.
An example of using it as one is JP-A-54-55439.
, JP 55-4040, JP 55-49304, JP 56-121041. Examples include JP-A No. 60-26345, JP-A No. 61-94048, JP-A No. 61-94049, and JP-A No. 61-105551. But these are a-
The film properties are improved by adding carbon while maintaining the functions obtained from 5i or a-Ge, and do not utilize the functions obtained by making carbon the main component. That is, firstly, the carbon-based film of the present invention (hereinafter referred to as "carbonaceous film") contains the above-mentioned Si.
or Ge should not be included, or even if included, should be kept as small as possible. Furthermore, the film formation conditions used in the above proposals are those applied when forming the a-5i and a-Ge layers, and the purpose of the present invention cannot be achieved under such conditions. It is not possible to create a film that does this.

本発明における炭素質膜は、例えば炭素化合物と水素分
子とを原料とする気相成膜法により、先に述べたような
特定の性状や特性を有する炭素曾膜を形成できるような
条件、具体的には後述の実施例に記載されたような成膜
条件を設定して形成する。この条件の設定は、本発明者
によって初めてなされたものである。成膜のメカニズム
については必ずしも定かではないが、原料ガスの放電や
原料ガスの加熱などによって原料気体分子にエネルギー
を与えたり、成膜中の基板を加速電子でたたいたり、成
膜途中で生じるイオンを電場で加速したり、プラズマ生
成領域に磁場印加したりする事が本発明に言うところの
炭素質膜を得る上で有効である。
The carbonaceous film in the present invention is produced under conditions and specific conditions that allow the formation of a carbonaceous film having the specific properties and characteristics described above, for example, by a vapor phase film-forming method using a carbon compound and hydrogen molecules as raw materials. Specifically, the film formation conditions are set as described in Examples described later. The setting of this condition was made for the first time by the present inventor. The mechanism of film formation is not necessarily clear, but it occurs during film formation by giving energy to the raw material gas molecules by discharging the raw material gas or heating the raw material gas, or by hitting the substrate being deposited with accelerated electrons. Accelerating ions with an electric field or applying a magnetic field to the plasma generation region are effective in obtaining the carbonaceous film as referred to in the present invention.

本発明における炭素を主体とする膜は、炭素−ハロゲン
原子結合を含む炭素化合物と炭素−ハロゲン原子結合を
切断する能力をもつ化合物、即ち還元剤との組合せを主
原料とする気相成膜により作成する。気相成膜法として
は種々のものが使用可能である。
The carbon-based film of the present invention is produced by vapor phase film formation using a combination of a carbon compound containing a carbon-halogen atom bond and a compound capable of breaking the carbon-halogen atom bond, that is, a reducing agent, as the main raw materials. create. Various vapor phase film forming methods can be used.

原料気体の放電により生成するプラズマ、原料気体の熱
分解及び原料気体への光照射等により原料気体中の分子
にエネルギーを付与すると基板上に膜形成することがで
きる。
A film can be formed on a substrate by imparting energy to molecules in the raw material gas through plasma generated by discharge of the raw material gas, thermal decomposition of the raw material gas, light irradiation of the raw material gas, and the like.

今のところ成膜のメカニズムについては余り詳しくは分
らないが、現象としては炭素−ハロゲン原子結合を含む
炭素化合物と炭素−ハロゲン原子を切断する能力をもつ
還元剤との組合せを主原料とすると、得られる炭素膜中
に含まれる炭素−炭素結合の種類が限定される傾向を示
した。
At present, we do not know much about the mechanism of film formation, but the phenomenon is that when the main raw material is a combination of a carbon compound containing a carbon-halogen atom bond and a reducing agent capable of cutting the carbon-halogen atom, The types of carbon-carbon bonds contained in the obtained carbon film tended to be limited.

炭素−ハロゲン原子結合を含む炭素化合物を(:F、 
、i元剤をH2とする組合せを主原料とし、同一装置で
種々の励起法を検討した結果、反応の詳細は不明である
が、得られた炭素膜中に含まれる炭素−炭素結合は、C
I+4を主原料とした場合に比べてC−C二重結合が減
少する傾向が見られ、 Fが膜に残る場合も見られた。
A carbon compound containing a carbon-halogen atom bond (:F,
As a result of examining various excitation methods using the same device using a combination of H2 as the i-based agent as the main raw material, the details of the reaction are unknown, but the carbon-carbon bonds contained in the obtained carbon film are C
There was a tendency for the number of C-C double bonds to decrease compared to when I+4 was used as the main raw material, and there were also cases where F remained in the film.

また、膜中に取り込まれたF原子数のC原子数に対する
比(F/C)はガス流量比を変えることにより変化し、
それに伴なって膜の密度も大きく変化する傾向が見られ
た。
In addition, the ratio of the number of F atoms incorporated into the film to the number of C atoms (F/C) changes by changing the gas flow rate ratio,
Along with this, there was a tendency for the density of the film to change significantly.

尚、膜中に取り込まれたF原子数のC原子数に対する比
はES(:A (Electron 5pectros
copy forChemical Analysis
)を用いて求めた。
The ratio of the number of F atoms incorporated into the film to the number of C atoms is ES(:A (Electron 5pectros
copy for Chemical Analysis
).

第1図及び第2図に本発明による電子写真感光体の最も
代表的な構成例を示す。これら図において、符号13及
び23で示すものが本発明に言う炭素質膜で構成された
電荷輸送層である。12及び22は電荷発生層、14及
び24は支持体、11は表面層、21は電荷注入阻止層
である。
FIGS. 1 and 2 show the most typical structural example of an electrophotographic photoreceptor according to the present invention. In these figures, those indicated by numerals 13 and 23 are charge transport layers made of carbonaceous films according to the present invention. 12 and 22 are charge generation layers, 14 and 24 are supports, 11 is a surface layer, and 21 is a charge injection blocking layer.

電荷輸送層13及び23は、水素原子を多量に含むこと
は好ましくなく、水素原子の含有量としては40原子%
以下、望ましくは30原子%以下であることが好ましい
。多すぎる水素原子量は光感度低下、残留電位上昇ある
いは表面の傷のつき易さの原因になるからである。しか
し水素原子の膜中への含有は、帯電性の向上や残留電位
の低減に効果があるので、好ましくはそめ下限を0.O
11原子とするのが望ましい。。
It is not preferable for the charge transport layers 13 and 23 to contain a large amount of hydrogen atoms, and the content of hydrogen atoms is 40 atomic %.
Hereinafter, it is preferably 30 atomic % or less. This is because too large an amount of hydrogen atoms causes a decrease in photosensitivity, an increase in residual potential, or a tendency to scratch the surface. However, since the inclusion of hydrogen atoms in the film is effective in improving chargeability and reducing residual potential, it is preferable to set the lower limit to 0. O
It is desirable that the number of atoms be 11. .

また、上記水素原子のみならず、電荷輸送層を構成する
炭素質膜は、フッ素や塩素などのハロゲン原子(X)や
窒素原子も含有してよく、これら原子の場合も上記水素
原子と同様の効果がある。更に、酸素原子の含有も帯電
性の向上に効果的である。また、電荷輸送層13及び2
3はその電気伝導度が大きすぎると、帯電性の低下や画
像のぼけを生ずる場合があるので、1O−IfΩ−1c
c1以下であることが好ましい。さらに電荷輸送層13
及び23の光学的バンドギャップEg−は 1.5eV
以上、望ましくは2、OeV以上であることが好ましい
。特に第2図の構成の場合には光学的バンドギャップは
2.5eV以上ある事が望ましい。
In addition to the above hydrogen atoms, the carbonaceous film constituting the charge transport layer may also contain halogen atoms (X) such as fluorine and chlorine, and nitrogen atoms, and these atoms also have the same properties as the above hydrogen atoms. effective. Furthermore, the inclusion of oxygen atoms is also effective in improving charging properties. In addition, charge transport layers 13 and 2
3 is 1O-IfΩ-1c because if its electrical conductivity is too high, it may cause a decrease in chargeability or a blurred image.
It is preferable that it is less than c1. Furthermore, charge transport layer 13
and the optical band gap Eg- of 23 is 1.5 eV
The above value is preferably 2.0 OeV or more. Particularly in the case of the configuration shown in FIG. 2, it is desirable that the optical bandgap be 2.5 eV or more.

電荷輸送層13及び23を構成する炭素質膜は非晶質で
あっても良いし、結晶相を含むものであっても良い。殊
にラマンスペクトルの1333cm’を含む領域のスト
ークス線で特徴づけられる構造を少なくとも部分的に含
む事が望ましい。電荷輸送層を構成する炭素質膜が完全
なダイヤモンド構造を多量に含むダイヤモンド多結晶に
近い膜であれば、電子写真感光体の帯電性及び感度、表
面硬度、耐性によってはが着色することがあるが、得ら
れる  膜が非晶質もしくは結晶性のいかんにかかわら
ず、例えば成膜時の水素又はハロゲンの流量比を高める
事により着色を減じる事が出来る。
The carbonaceous films constituting the charge transport layers 13 and 23 may be amorphous or may contain a crystalline phase. In particular, it is desirable to at least partially include a structure characterized by Stokes lines in a region including 1333 cm' of the Raman spectrum. If the carbonaceous film constituting the charge transport layer is close to polycrystalline diamond containing a large amount of perfect diamond structure, it may become colored depending on the electrophotographic photoreceptor's chargeability, sensitivity, surface hardness, and resistance. However, irrespective of whether the resulting film is amorphous or crystalline, coloring can be reduced, for example, by increasing the flow rate ratio of hydrogen or halogen during film formation.

電荷輸送層13及び23を構成する炭素質膜半導体的不
純物として、周期律表I、第m族又は第V族に属する原
子によるドービン夛を行ない、その特性を改善する事が
出来る。このような第m族又は第V族によるドーピング
は、本発明の電子写真感光体を正帯電又は負帯電で使用
する際の帯電性を高め、感度を向上させ、残留電位を下
げる効果がある。これは、これら原子のドーピングによ
り電荷輸送層13及び23の電荷キャリアの濃度が変化
するか、又は電荷キャリアーの輸送性が変化するためと
考えられる。この変化は比較的おだやかであるので、そ
の制御は容易である。これら原子の添加量は好ましく5
ppm以上5原子%以下の範囲、より有効な範囲として
は50ppm以上1原子%以下であるのが望ましい。こ
れらのより詳しい条件は実施例中で述べる。第m族に属
する原子としてはB、 AI、 Ga、 In、 TI
等が挙げられる。第V族の原子としてはN、  P、 
As、 Sb、 Bi等が挙げられる。
As the carbonaceous film semiconductor impurity constituting the charge transport layers 13 and 23, the characteristics can be improved by performing dobin enrichment with atoms belonging to group I or group V of the periodic table. Such doping with Group M or Group V has the effect of increasing charging properties, improving sensitivity, and lowering residual potential when the electrophotographic photoreceptor of the present invention is used with positive or negative charging. This is considered to be because the concentration of charge carriers in the charge transport layers 13 and 23 changes due to doping with these atoms, or the transportability of charge carriers changes. Since this change is relatively gradual, it is easy to control. The amount of these atoms added is preferably 5
It is desirable that the content be in the range of ppm or more and 5 atomic % or less, and more preferably 50 ppm or more and 1 atomic % or less. These conditions will be described in more detail in the Examples. Atoms belonging to group m include B, AI, Ga, In, TI
etc. Group V atoms include N, P,
Examples include As, Sb, Bi, etc.

製造安定性、コスト、効果の大きさなどからはN、  
P、  B、 AIなどが特に望ましい。
N from the viewpoint of manufacturing stability, cost, size of effect, etc.
Particularly desirable are P, B, AI, etc.

電荷輸送層13及び23の膜厚は使用条件等により適宜
選択することがきでるが、好ましくは1p以上100J
Aj以下の間にあることが望ましい。これは、1μ以下
では通常の現像方法では満足出来る目視濃度が得られな
い場合があり、他方100p以上では残留電位が大きす
ぎる場合があったり、成膜に要する時間がかかり過ぎた
り、支持体との密着性等に問題を生じる場合があるため
である。前記層厚のより好ましい範囲は、5p以上50
間以下である。この範囲では使用条件がゆるやかになっ
て使い易いばかりか、従来の感光体に比して膜厚が薄く
ても画像濃度が高くなる傾向があるので、製造コスト低
減にとって有利である。
The thickness of the charge transport layers 13 and 23 can be appropriately selected depending on the conditions of use, etc., but is preferably 1p or more and 100J.
It is desirable that it be between Aj and below. If it is less than 1μ, it may not be possible to obtain a satisfactory visual density using normal development methods, while if it is more than 100p, the residual potential may be too large, the time required for film formation may be too long, or the film may not be compatible with the support. This is because it may cause problems with the adhesion of the film. A more preferable range of the layer thickness is 5p or more and 50
less than In this range, the usage conditions are not only easy to use, but also the image density tends to be higher even if the film thickness is thinner than that of conventional photoreceptors, which is advantageous for reducing manufacturing costs.

本発明による電子写真感光体における電荷発生層12及
び22は、光導電性を有するものであれば従来公知のい
かなる構成のものでもよい。例えばプラズマCvDによ
り成膜したA−5i:IIを主体とする0、5〜20Q
程度の膜厚のものや、これに更にGeやC等を含有させ
たものを挙げることができる。本発明ではこのような電
荷発生層からの電荷輸送層への電荷注入を良好に行なう
事が出来る。
The charge generation layers 12 and 22 in the electrophotographic photoreceptor according to the present invention may have any conventionally known structure as long as it has photoconductivity. For example, 0, 5 to 20Q mainly composed of A-5i:II deposited by plasma CVD.
Examples include those having a film thickness of about 100 yen, and those further containing Ge, C, etc. In the present invention, such charge injection from the charge generation layer to the charge transport layer can be performed satisfactorily.

本発明による電子写真感光体では、電荷輸送層として下
記実施例に記載された条件で作成された電荷輸送能力に
優れ、且つ電気抵抗(電気伝導度の逆数)の高い炭素を
主体とする膜を用いているため、電荷発生層12.22
を従来の電子写真感光体におけるよりも低抵抗のものと
することができる。具体的には例えば、lO→0Ωcm
程度以下であってもよい。従って、光導電性が大きくて
も低抵抗であるために利用困難であった材料でも使用す
る事が可能になり、極めて高い感度が得られるものであ
る。
In the electrophotographic photoreceptor according to the present invention, a carbon-based film having excellent charge transport ability and high electrical resistance (reciprocal of electrical conductivity) prepared under the conditions described in the following examples is used as the charge transport layer. Since the charge generation layer 12.22
can be made to have a lower resistance than that of conventional electrophotographic photoreceptors. Specifically, for example, lO→0Ωcm
It may be less than that. Therefore, it becomes possible to use materials that have been difficult to use due to their high photoconductivity but low resistance, and extremely high sensitivity can be obtained.

本発明による電子写真感光体の支持体14及び24は支
持体としての機械的強度が満されれば絶縁体であっても
導電体であっても良いが、くり返し使用する場合には少
なくとも支持体14及び24の感光層と接する側が導電
性処理されていることが望ましい。導電性支持体として
はAI、 Fe、 Ni、ステンレス、Sn、 Zn、
 Cr、 Mo、 Ti、 Ta、 W、 Au、 A
g、 Pt等の金属やSi、 Ge、グラファイトなど
が使用可能である。感光層の接着性等の改良その他の目
的で導電性支持体の表面に支持体金属とは別の導電性の
物質をコーティングしても良い。絶縁性支持体としては
ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリアミド、PE等の有機ポリマーの他、ガ
ラス、セラミックスなどの無機材料も使用出来る。支持
体の大きさ及び形状は本発明の電子写真感光体の使用用
途により自由に選択する事が出来、手の平に乗る様な小
さなカード状のものや円筒型あるいはベルト状のものな
どどれも使用可能である。
The supports 14 and 24 of the electrophotographic photoreceptor according to the present invention may be made of an insulator or a conductor as long as the mechanical strength as a support is satisfied, but when used repeatedly, at least It is desirable that the sides 14 and 24 in contact with the photosensitive layer are treated to be conductive. Conductive supports include AI, Fe, Ni, stainless steel, Sn, Zn,
Cr, Mo, Ti, Ta, W, Au, A
Metals such as G, Pt, Si, Ge, graphite, etc. can be used. The surface of the conductive support may be coated with a conductive substance other than the support metal for the purpose of improving the adhesion of the photosensitive layer or for other purposes. As the insulating support, in addition to organic polymers such as polyester, polyurethane, polycarbonate, polystyrene, polyamide, and PE, inorganic materials such as glass and ceramics can also be used. The size and shape of the support can be freely selected depending on the intended use of the electrophotographic photoreceptor of the present invention, and any support can be used, including a small card-like support that can be held in the palm of the hand, a cylindrical support, or a belt-like support. It is.

第1図の電子写真感光体の場合には、通常、表面層11
を設ける事が望ましい。特に電荷発生層11を^−5i
:Hとした場合には、高湿環境下での画像劣化防止の向
上やコロナ放電生成物の影響による画質低下防止の向上
をはかるなめに表面層11を設けることが好ましい。表
面層11は可視光領域におい   □である程度透明で
電気伝導度が低ければ色々な材料が使用可能である。例
えばプラズマCvDなどで形成されたA−5iC()l
、X)、A−SiN(H,X)などの膜でも良い。また
電荷輸送層13や23に使用出来る炭素を主体とする層
であっても良いが、その場合は光学的バンドギャップは
、望ましくは2.OeV又はそれ以上であることが望ま
しい。電気伝導度や水素の含有量は表面層に要求される
特性を満足するのであれば特に限定されない。また、表
面層11にはCやSiの他にフッ素や塩素等のハロゲン
原子や水素を含んでいても良い。このハロゲン原子は表
面層の自由表面近くにのみ含有されるか、又はその表面
から内部方向に向かって濃度勾配を持っていても良い。
In the case of the electrophotographic photoreceptor shown in FIG.
It is desirable to provide In particular, the charge generation layer 11 is
:H, it is preferable to provide the surface layer 11 in order to improve prevention of image deterioration in a high humidity environment and prevention of image quality deterioration due to the influence of corona discharge products. Various materials can be used for the surface layer 11 as long as it is transparent to some extent in the visible light region and has low electrical conductivity. For example, A-5iC()l formed by plasma CvD etc.
, X), or A-SiN(H,X). Further, a layer mainly composed of carbon that can be used for the charge transport layers 13 and 23 may be used, but in that case, the optical band gap is preferably 2. It is desirable that it be OeV or higher. The electrical conductivity and hydrogen content are not particularly limited as long as they satisfy the characteristics required for the surface layer. Furthermore, the surface layer 11 may contain halogen atoms such as fluorine and chlorine, and hydrogen in addition to C and Si. The halogen atoms may be contained only near the free surface of the surface layer, or may have a concentration gradient from the surface toward the interior.

第2図の電子写真感光体の場合には電荷注入阻止層21
を、電荷発生層22と支持体24との間に設ける事が望
ましい。これにより帯電能の一層の向上や画質の欠陥の
発生防止をより一層はかることが出来る。電荷注入阻止
層21としてはプラズマCvDなどで成膜された不純物
でドーピングされたA−5i(It、X)などが使用可
能である。感光体を正帯電で使用する場合には電荷注入
阻止層21はp型、負帯電で使用する場合にはn型にド
ーピングしておくことが好ましい。p型にする場合には
B、 Alのような第■族原子が、n型にする場合には
N。
In the case of the electrophotographic photoreceptor shown in FIG. 2, the charge injection blocking layer 21
is preferably provided between the charge generation layer 22 and the support 24. This makes it possible to further improve charging performance and further prevent defects in image quality. As the charge injection blocking layer 21, A-5i (It, X) doped with impurities formed by plasma CVD or the like can be used. It is preferable that the charge injection blocking layer 21 be doped with p-type when the photoreceptor is used with positive charge, and with n-type when used with negative charge. Group Ⅰ atoms such as B and Al are used to make the p-type, and N is used to make the n-type.

P、八Sのような第V族原子がドーピング材として適当
である。
Group V atoms such as P, 8S are suitable as dopants.

本発明による電子写真感光体の電荷輸送層13及び23
は、後述するような気相成膜法を用い、具体的には実施
例に示した条件で炭素化合物を含む気体を放電エネルギ
ーや熱エネルギーあるいは光エネルギーを利用しての励
起、イオン化あるいは分解する等により得る。この成膜
の際、基体を加速電子でたたいたり、途中で生じるイオ
ンを電場で加速したり、プラズマ生成領域に磁場を印加
したりすることにより本発明の炭素質膜を得ることがで
きる。もちろん、炭素化合物の気体を全く用いず、炭素
又は炭素化合物を主体とする固体をターゲットとするス
パッタリングを利用する事もある特定の成膜条件下では
可能である。
Charge transport layers 13 and 23 of the electrophotographic photoreceptor according to the present invention
uses a vapor phase film-forming method as described below, specifically, excitation, ionization, or decomposition of a gas containing a carbon compound using discharge energy, thermal energy, or light energy under the conditions shown in the examples. etc. During this film formation, the carbonaceous film of the present invention can be obtained by hitting the substrate with accelerated electrons, accelerating ions generated along the way with an electric field, or applying a magnetic field to the plasma generation region. Of course, under certain film forming conditions, it is possible to use sputtering using a solid mainly composed of carbon or a carbon compound as a target without using any carbon compound gas.

成膜のメカニズムの詳細は定かではないが、炭素イオン
又は炭素化合物のイオンあるいは炭素化合物のラジカル
生成と、水素を用いる場合には水素の供給量が本発明に
適用される良質の炭素質膜を得る上で重要である。水素
を用いる場合には成膜前の励起過程で少なくとも部分的
にラジカル化又はイオン化させておくとよい。さらに、
基体にバイアス電圧をかけて成膜面をイオン衝撃するか
、又は基体方向へ電子を加速して成膜面付近で炭素化合
物を電子で励起するのも有効である。この場合の電子の
供給は、プラズマによる他、加熱したフィラメントを利
用しても良い。また、基体に直接外部電源によりバイア
ス電圧を印加しない場合であっても、例えばRFプラズ
マcvDを実施する場合におけるように基体を接地させ
ず、この基体側に高周波印加する事によって生じる自己
バイアスを利用することが望ましい。基体温度も重要な
パラメータであって、 450℃以上に設定する事が好
ましい。
Although the details of the film formation mechanism are not clear, the production of carbon ions or carbon compound ions or carbon compound radicals, and when hydrogen is used, the amount of hydrogen supplied is sufficient to produce a high-quality carbon film applicable to the present invention. It is important to obtain When hydrogen is used, it is preferable to at least partially radicalize or ionize it in an excitation process before film formation. moreover,
It is also effective to apply a bias voltage to the substrate to bombard the film-forming surface with ions, or to accelerate electrons toward the substrate to excite the carbon compound near the film-forming surface with electrons. In this case, electrons may be supplied by using a heated filament in addition to plasma. Furthermore, even when a bias voltage is not directly applied to the substrate from an external power source, the self-bias generated by applying high frequency to the substrate side can be used instead of grounding the substrate, as in the case of performing RF plasma CVD, for example. It is desirable to do so. The substrate temperature is also an important parameter, and is preferably set at 450°C or higher.

第3図に本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の一例を示す、この第3図において、符号28.27
.28.29.3G、 31.32.33.34.62
゜63、66、67で示すものは、成膜に使用するガス
のコントロールに用いるバルブである。39.40゜4
1、42.60は原料ガス、エツチングガス、キャリア
ーガスあるいはドーピング用ガス等の所望のガスを保持
するガスボンベ、61は液体材料を気化させる装置で必
要に応じ水素ガスやアルゴンガスな一緒に流す事が出来
る様になっている。35.36゜37、38.64.6
5はマスフローコントローラーである。52は真空槽で
主バルブ25を介して真空排気ポンプへ通じている。真
空Nl52は全体を水冷出来る様にしである。45及び
46は電極で、直流又は交流の電圧を印加できるように
なっている。電極46の表面には必要に応じてスパッタ
リング用ターゲットを置くことができる。54.68は
ガード電極で、真空J152と同様にアースされており
、不要な場合は取り外せるようになっている。53は基
体で、この表面に感光層を成膜する。44は基体加熱ヒ
ーターで、高さを調節することが出来、タングステ  
′ン、タンタル等のワイヤー、うず巻線又はメツシュ等
の種々の形状のものを必要に応じて使用し、加熱の際に
は通常は50Hzの交流電力を印加する。43は真空槽
52のまわりに巻いたコイルで、必要に応じて直流を流
して磁場を発生させる。47は13.56MHzの高周
波電源で負荷インピーダンスに応じてマツチングを取れ
る様にしである。48は直流電源、50および51はキ
ャパシター、49はインダクタンスコイルである。69
.70は電極45および46の高周波印加側を上下に入
れ換えるための切り換え回路である。
FIG. 3 shows an example of a film forming apparatus suitable for manufacturing the electrophotographic photoreceptor of the present invention.
.. 28.29.3G, 31.32.33.34.62
Valves shown at 63, 66, and 67 are used to control the gas used for film formation. 39.40°4
1, 42.60 is a gas cylinder that holds desired gas such as raw material gas, etching gas, carrier gas, or doping gas, and 61 is a device for vaporizing liquid materials, which can be flowed together with hydrogen gas or argon gas as necessary. It is now possible to do this. 35.36°37, 38.64.6
5 is a mass flow controller. Reference numeral 52 denotes a vacuum chamber, which communicates with the vacuum pump via the main valve 25. The vacuum Nl 52 is provided so that the whole can be water cooled. Reference numerals 45 and 46 are electrodes to which direct current or alternating current voltage can be applied. A sputtering target can be placed on the surface of the electrode 46 if necessary. 54.68 is a guard electrode, which is grounded like the vacuum J152, and can be removed if unnecessary. Reference numeral 53 denotes a substrate, on the surface of which a photosensitive layer is formed. 44 is a base heating heater whose height can be adjusted.
Various shapes such as tantalum, tantalum wire, spiral wound wire, or mesh are used as necessary, and AC power of 50 Hz is usually applied during heating. 43 is a coil wound around the vacuum chamber 52, and a magnetic field is generated by passing a direct current as necessary. Reference numeral 47 is a 13.56 MHz high frequency power supply that can be matched according to the load impedance. 48 is a DC power supply, 50 and 51 are capacitors, and 49 is an inductance coil. 69
.. 70 is a switching circuit for switching the high frequency application sides of the electrodes 45 and 46 up and down.

第4図は本発明の電子写真感光体の製造に好適な成膜装
置の他の一例である。この第4図において、符号79.
8G、 81.82.83.84.85.8B、 87
゜88、89.90,91.92で示すものは、成膜に
使用するガスのコントロールに用いるバルブである。バ
ルブ86と85を使いわける事によりガス導入場所を選
択出来るようになっている。72.73.74.75゜
76は原料ガス、エッチグガス、キャリアーガス、ある
いはドーピング用ガス等の所望のガスを保持するガスボ
ンベ、78は液体材料を気化させる装置で必要に応じ水
素ガスやアルゴンガスな一緒に流す事が出来る様になっ
ている。93.94.95.96゜97、98はマスフ
ローコントローラーである。71は真空槽で主バルブ1
04を介して真空排気ポンプへ通じている。 107は
マイクロ波電源、lθ9はマイクロ波の導波管である。
FIG. 4 shows another example of a film forming apparatus suitable for manufacturing the electrophotographic photoreceptor of the present invention. In this FIG. 4, reference numeral 79.
8G, 81.82.83.84.85.8B, 87
The valves indicated by 88, 89.90, and 91.92 are used to control the gas used for film formation. By selectively using valves 86 and 85, the gas introduction location can be selected. 72, 73, 74, 75° 76 is a gas cylinder that holds desired gas such as source gas, etching gas, carrier gas, or doping gas, and 78 is a device for vaporizing liquid materials, such as hydrogen gas or argon gas as necessary. It is now possible to stream them together. 93.94.95.96°97 and 98 are mass flow controllers. 71 is the vacuum chamber and main valve 1
04 to the vacuum evacuation pump. 107 is a microwave power source, and lθ9 is a microwave waveguide.

 108はインピーダンスのマツチングを取るためのチ
ューナーである。 110はマイクロ波投入口の窓ガラ
スで、石英板もしくはその他のマイクロ波を吸収しにく
い材料で出来ている。99は仕切り板で、その設置位置
を変化させる事が出来るようになっており、この仕切板
99の位置を調整することにより真空槽71内へ入射し
たマイクロ波を反射して、その位置により共振を起こさ
せ、効率よくマイクロ波が原料ガス等へ吸収される様に
する事が出来るようになっている。
108 is a tuner for matching impedances. 110 is a window glass for the microwave input port, which is made of a quartz plate or other material that does not easily absorb microwaves. Reference numeral 99 denotes a partition plate whose installation position can be changed.By adjusting the position of this partition plate 99, the microwaves incident into the vacuum chamber 71 are reflected, and resonance occurs depending on the position. This makes it possible to cause microwaves to be efficiently absorbed into raw material gas, etc.

106は電磁コイルで直流印加により静磁場を発生させ
る事が出来る。 100は基体ホルダーで基体103を
支えている。基体103は基体ヒーター101及び10
2により基体を加熱する事が出来るようになっている。
106 is an electromagnetic coil that can generate a static magnetic field by applying direct current. Reference numeral 100 is a substrate holder that supports the substrate 103. The base 103 has base heaters 101 and 10.
2 makes it possible to heat the base.

基体ホルダー100はアースから絶縁されており、直流
電源105で電圧印加する事が出来る。108はガード
電極である。
The substrate holder 100 is insulated from the ground, and a voltage can be applied by a DC power supply 105. 108 is a guard electrode.

本発明にあける炭素を主体とする膜の製造原料として用
いることのできるハロゲン原子を含む炭素化合物として
は、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン系
炭化水素のハロゲン系誘導体(例えばcH3ci、 C
D3Fすど)、マタエチレン、プロピレン、ブチレン、
アミジノ等のアルカン系炭化水素のハロゲン系誘導体、
またアセチレン、ペンチン、ブチン、ヘキシン等のアル
キン系炭化水素のハロゲン系誘導体が挙げられる。さら
にはベンゼン、ナフタリン、アントラセン、トルエン、
キシレン、あるいはとリジン、ピコリン、キノリン、イ
ンドール、アクリジン、フェノール、クレゾール等の芳
香族炭化水素のハロゲン系誘導体、メタノール、エタノ
ール、プロパツール、ブタノール等のアルコール、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソプ
ロピルケトン、ジイソブチルケトン、ジアセチル等のケ
トン類のハロゲン系誘導体、アセトアルデヒド、プロピ
オンアルデヒド、ブチルアルデヒド等のアルデヒドのハ
ロゲン系誘導体、メチルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン等のアミ
ンのハロゲン系誘導体、ジメチルエーテル、メチルエチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルnブチル
エーテル等のエーテル又はその誘導体、酢酸メチル、酢
酸エチル等の酢酸誘導体のハロゲン化物なども使用可能
である。これらのうち常温で液体又は固体のものは、水
素、アルゴン等のキャリアーガスを用いて、バブリング
その他により反応室内へ運ぶか、又は加熱により気化さ
せて用いることが好ましい。上記の様な炭素化合物とと
もに、水素、アンモニアなどを反応室内へ送り込んでも
良い。
Carbon compounds containing halogen atoms that can be used as raw materials for producing carbon-based membranes according to the present invention include halogen derivatives of alkane hydrocarbons such as methane, ethane, propane, and butane (e.g., cH3ci, C
D3F sudo), mataethylene, propylene, butylene,
Halogen derivatives of alkane hydrocarbons such as amidino,
Further examples include halogen derivatives of alkyne hydrocarbons such as acetylene, pentyne, butyne, and hexyne. Furthermore, benzene, naphthalene, anthracene, toluene,
Xylene or halogen derivatives of aromatic hydrocarbons such as lysine, picoline, quinoline, indole, acridine, phenol, and cresol, alcohols such as methanol, ethanol, propatool, butanol, acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, diisopropyl ketone, Halogenated derivatives of ketones such as diisobutylketone and diacetyl, halogenated derivatives of aldehydes such as acetaldehyde, propionaldehyde, and butyraldehyde, halogenated derivatives of amines such as methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, and propylamine, dimethyl ether, Ethers such as methyl ethyl ether, diisopropyl ether, and methyl n-butyl ether or derivatives thereof, and halides of acetic acid derivatives such as methyl acetate and ethyl acetate can also be used. Among these, those that are liquid or solid at room temperature are preferably transported into the reaction chamber by bubbling or other means using a carrier gas such as hydrogen or argon, or are vaporized by heating. Hydrogen, ammonia, etc. may be sent into the reaction chamber together with the above carbon compounds.

ン、置換ボラン等のホウ素化合物、−酸化炭素等が使用
可能である。
Boron compounds such as carbon, substituted borane, -carbon oxide, etc. can be used.

これらのうち使用温度で液体または固体のもの   ′
は水素、アルゴン、その他のキャリヤーガスを用いて、
バブリングその他により反応室へ運ぶか、または加熱に
より気化させることができる。
Among these, those that are liquid or solid at the operating temperature ′
using hydrogen, argon, or other carrier gas.
It can be transported to the reaction chamber by bubbling or otherwise, or it can be vaporized by heating.

また、周期律表第■族又は第V族の原子をドーピングす
る場合には、 BH3,B2H6,PH3,AsH3,
NH3の様な水素化物などやAl(CH3)3、Ga(
CHa)3などの気体を同時に送り込んで成膜を行なう
と良い。
In addition, when doping atoms of group Ⅰ or group V of the periodic table, BH3, B2H6, PH3, AsH3,
Hydride such as NH3, Al(CH3)3, Ga(
It is preferable to simultaneously feed a gas such as CHa)3 to form a film.

(実施例〕 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。(Example〕 Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

実施例1 第3図の装置を用い、第1図に例示の電子写真感光体を
以下のようにして作成した。
Example 1 Using the apparatus shown in FIG. 3, the electrophotographic photoreceptor shown in FIG. 1 was produced in the following manner.

まず、電気伝導度が約10−2Ω−1cm−1の円板型
のn型シリコンウェハーを基体53として用い、フッ酸
の希釈水溶液で基体表面の酸化膜を除去した後、この基
体を上部電極45に固定した。次に真空槽52を密閉し
、真空排気系により約2X 1O−7Torrまで減圧
した。次に基体の円形形状に合せてうす巻き状にまいた
タングステンワイアー44に50Hzの交流電力を印加
して、このワイヤー44を約2500℃まで加熱して得
られる輻射熱により、上記シリコン基板を加熱した。シ
リコン基体の裏側が450℃になるまで待った後に、ワ
イヤー44を約2000℃まで下げて基体温度を約45
0℃に安定させた。
First, a disc-shaped n-type silicon wafer with an electrical conductivity of about 10-2 Ω-1 cm-1 is used as the base 53, and after removing an oxide film on the surface of the base with a dilute aqueous solution of hydrofluoric acid, this base is used as the upper electrode. It was fixed at 45. Next, the vacuum chamber 52 was sealed, and the pressure was reduced to approximately 2×1O−7 Torr using an evacuation system. Next, 50 Hz alternating current power was applied to the tungsten wire 44 wound thinly to match the circular shape of the base, and the wire 44 was heated to approximately 2500° C. The resulting radiant heat heated the silicon substrate. . After waiting until the back side of the silicon substrate reaches 450°C, lower the wire 44 to about 2000°C to lower the substrate temperature to about 45°C.
It was stabilized at 0°C.

次に電磁コイル43に直流電力を流して真空[52の上
部容器表面での磁場が800Gaussになる様に電流
の大きさを制御した。さらに切り換え回路69、70を
Aの位置にセットし、直流電源48を基体側が一300
Vになる様に合せた。そしてマスフローコントローラー
37.38を最もしぼった状態でCHF3のボンベ41
のバルブ28及び33、H2のボンベ42のバルブ29
及び34を開いた。そして、各々のガスの流量が5SC
CM及び1oss(:CMとなる様にマスフローコント
ローラ37及び38をセットした。このときの圧力は0
.002 Torrであった。
Next, DC power was applied to the electromagnetic coil 43, and the magnitude of the current was controlled so that the magnetic field at the surface of the upper container of the vacuum [52] became 800 Gauss. Furthermore, set the switching circuits 69 and 70 to the A position, and connect the DC power supply 48 to the base side.
I adjusted it to make a V. Then, with the mass flow controller 37.38 squeezed to the maximum, CHF3 cylinder 41
valves 28 and 33, valve 29 of H2 cylinder 42
and 34 were opened. And the flow rate of each gas is 5SC
The mass flow controllers 37 and 38 were set so that CM and 1oss (:CM).At this time, the pressure was 0.
.. 002 Torr.

次に電源47をONにして放電を始め、投入パワーを3
50Wに合せた。全体が安定状態に達してから48時間
後に放電電源47と48をOFFにし、バルブ28.2
9を閉じて放電を停止した。こうして炭素を主体とする
約8μの電荷輸送層を得た。
Next, turn on the power supply 47 to start discharging, and increase the input power to 3.
Adjusted to 50W. 48 hours after the whole reaches a stable state, the discharge power supplies 47 and 48 are turned off, and the valve 28.2 is turned off.
9 was closed to stop the discharge. In this way, a charge transport layer with a thickness of about 8 μm mainly composed of carbon was obtained.

次に、基体加熱フィラメント44の電流を弱くしてその
まま放置し、基体温度が測定値で250’Cまで下がる
のを待ってから極性切換スイッチ69と7゜をBの状態
にした。次にSiH4のボンベ60のバルブ62と66
及びH2のボンベ42のバルブ29及び34を開き、S
iH4がl05G(:M 、 H2が90SCCMとな
る様にマスフローコントローラー64と38を調節した
。そして高周波電源47をONにし、約1μの厚さのA
−5i:Hからなる前記の電荷発生層を電荷輸送層上に
積層した。
Next, the current of the substrate heating filament 44 was weakened and left as it was, and after waiting for the substrate temperature to drop to a measured value of 250'C, the polarity changeover switch 69 and 7° were set to the B state. Next, the valves 62 and 66 of the SiH4 cylinder 60
Open the valves 29 and 34 of the H2 cylinder 42, and
The mass flow controllers 64 and 38 were adjusted so that iH4 was 105G (:M) and H2 was 90SCCM. Then, the high frequency power supply 47 was turned on, and a
The above charge generation layer consisting of -5i:H was laminated on the charge transport layer.

これに続いて、C,H,のボンベ40のバルブ27及び
32を開き、マスフローメータ36を使ってアセチレン
をSiH4とH2に加えて行き、A−5i;Hからなる
電荷発生層上に約100OAのA−5i(::Hからな
る表面層を積層した。
Following this, the valves 27 and 32 of the C, H, cylinder 40 are opened, and acetylene is added to SiH4 and H2 using the mass flow meter 36, and approximately 10OA A surface layer consisting of A-5i (::H) was laminated.

すべての成膜が終った後、バルブ27.28.29゜3
2、33.34.30を閉じ、加熱フィラメント44の
電流を切って基体が充分に冷却した後、真空を破って前
述の各層を形成した基板を真空槽52から取り出した。
After all film formation is completed, the valve 27.28.29°3
2, 33, 34, and 30 were closed and the current to the heating filament 44 was cut off to allow the substrate to cool sufficiently, the vacuum was broken and the substrate on which the above-described layers were formed was taken out from the vacuum chamber 52.

こうして第1図の構造の電子写真感光体が得られた。In this way, an electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 was obtained.

こうして得られた電子写真感光体を実験用の電子写真複
写装置にセットして、電子写真特性を測定したところ、
良好な帯電性と光感度を示した。
The electrophotographic photoreceptor thus obtained was set in an experimental electrophotographic copying machine and its electrophotographic properties were measured.
It showed good chargeability and photosensitivity.

続いて負帯電し像露光して、トナー現像したところ高品
質な画像が得られた。
Subsequently, it was negatively charged, imagewise exposed, and developed with toner, resulting in a high quality image.

実施例2 電荷輸送層の作成条件を以下のように変更する以外は、
実施例1と同様にして電子写真感光体を作成した。
Example 2 Except for changing the preparation conditions of the charge transport layer as follows,
An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1.

基体バイアスは一100Vで、基体温度を450℃とし
た。原料ガスとしてCH3FとH2を用い、CH3Pを
IO5GcM 、 H2を11005CCで真空槽52
の中へ送り込んだ。フィラメント温度は2400℃とし
、RFパワーは300Wとした。コイル43に電流を流
し、磁場600ガウスで成膜を行なった。成膜時の圧力
は0.02Torrとした。
The substrate bias was -100V, and the substrate temperature was 450°C. Using CH3F and H2 as raw material gases, CH3P at IO5GcM and H2 at 11005 CC in a vacuum chamber 52.
I sent it inside. The filament temperature was 2400°C and the RF power was 300W. A current was passed through the coil 43, and film formation was performed in a magnetic field of 600 Gauss. The pressure during film formation was 0.02 Torr.

このようにして得られた電子写真感光体を実施例1の場
合と同様に電子写真特性を測定したとこ  ゛ろ、高い
帯電能と感度を示し、負帯電してトナー像露光し、現像
したところ良好な画像が得られた。
When the electrophotographic properties of the electrophotographic photoreceptor thus obtained were measured in the same manner as in Example 1, it showed high charging ability and sensitivity, and when negatively charged, toner images were exposed, and developed. A good image was obtained.

上記と全く同様の条件で電荷輸送層だけをSi木の含有
が確認された。
Under the same conditions as above, it was confirmed that only the charge transport layer contained Si wood.

実施例3 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例1と同様にして電子写真感光体を作成した。
Example 3 An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜はCH3Fと水素とアンモニアの混合
ガスを用い、流量はCH3FをIO5CCM 、水素を
875CCM、アンモニアを35CCMとした。圧力は
0.002Torr %RFパワー350W 1基板バ
イアス−230V、基板温度550℃で磁場は800G
aussとした。
The charge transport layer was formed using a mixed gas of CH3F, hydrogen, and ammonia, and the flow rates were IO5CCM for CH3F, 875CCM for hydrogen, and 35CCM for ammonia. Pressure is 0.002 Torr %RF power 350W 1 substrate bias -230V, substrate temperature 550℃, magnetic field 800G
It was called auss.

他方、得られた電子写真感光体を実施例1と同様に実験
用複写装置にセットして電子写真特性を測定したところ
、良好な帯電性と感度を示した。
On the other hand, when the obtained electrophotographic photoreceptor was set in an experimental copying machine in the same manner as in Example 1 and its electrophotographic properties were measured, it showed good charging properties and sensitivity.

又、別に正帯電で像露光してトナー現像したところ明瞭
な画像が得られた。
Separately, a clear image was obtained by imagewise exposure with positive charging and toner development.

実施例4 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例1と同様にして電子写真感光体を作成した。
Example 4 An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜にはC)I3(:lと水素とフッ化水
素の混合ガスを用いた。流量はC)13+1;lを20
SC(:M、水素を77SCCM、フッ化水素10 m
o1%の水素による希釈ガスを3SCCM、 RFパワ
ー 450W、基体バイアスOv、基体温度250℃、
圧力0 、0ITorrとして行なった。
A mixed gas of C)I3(:l, hydrogen, and hydrogen fluoride was used to form the charge transport layer.The flow rate was C)13+1;l=20
SC (:M, 77 SCCM of hydrogen, 10 m of hydrogen fluoride
3SCCM dilution gas with o1% hydrogen, RF power 450W, substrate bias Ov, substrate temperature 250℃,
The test was carried out at a pressure of 0 and 0 ITorr.

この様にして得られた電子写真感光体は実施例の場合と
同様に良好な帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナ
ー画像が得られた。
The electrophotographic photoreceptor thus obtained exhibited good charging properties as in the examples, and a positive charging toner image of good quality was obtained.

実施例5 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例1と同様にして電子写真感光体を作成した。
Example 5 An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜はCH3Fと水素の混合ガスを用いて
行ない、流量はCH3Fを 55C(:M 、水素を9
5S(:CMとした。そして、これに水素で1 mo1
%まで希釈したジボランを0.55CCMの割合で流し
込んだ。圧力は0.06Torr、基板温度350”C
3RFバヮ−250W、基板バイアス−100Vで成膜
を行なった。
The charge transport layer was formed using a mixed gas of CH3F and hydrogen, with a flow rate of CH3F of 55C (:M) and hydrogen of 9
5S (:CM). Then, add 1 mol of hydrogen to this.
% diborane was poured in at a rate of 0.55 CCM. Pressure is 0.06 Torr, substrate temperature is 350"C
Film formation was performed at 3RF power of 250 W and substrate bias of -100 V.

できあがった電子写真感光体は実施例1と同様に良好な
帯電性を示し、正帯電で良好な画質のトナー画像が得ら
れた。
The completed electrophotographic photoreceptor exhibited good charging properties as in Example 1, and a toner image of good image quality was obtained with positive charging.

実施例6 円筒状の基体上に成膜できるように改造した第3図の装
置を用い、第2図に例示の電子写真感光体を以下のよう
にして作成した。
Example 6 The electrophotographic photoreceptor shown in FIG. 2 was produced in the following manner using the apparatus shown in FIG. 3 which had been modified to be able to form a film on a cylindrical substrate.

Al製円筒基体を用い、まず真空JfI52を約2×1
0’ Torrまで真空排気した。次にへ1基体を23
0℃に加熱し、SiH4流fi l05CにM 、 H
2流量90SCCM 、 B2H6流量0.5SCCM
として0.ITorrにて、RFパワー150WでBを
高密度に含むP型のA −Si:Hからなる電荷注入阻
止層を1000人の厚さに形成した。次にSiH4とB
2O,の流量を0にして、H2のみを流してIhr放電
を続けた。その後、再びSiH4を1O5C(:M流し
、H2流量90SCCMで放電させ、約1μのA −5
i:Hからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上に形
成した。
Using an Al cylindrical base, first apply vacuum JfI52 to approximately 2×1
The vacuum was evacuated to 0' Torr. Next, add 1 base to 23
Heat to 0 °C and add M, H to SiH4 fil05C.
2 flow rate 90SCCM, B2H6 flow rate 0.5SCCM
as 0. A charge injection blocking layer made of P-type A-Si:H containing B at a high density was formed to a thickness of 1000 nm using an RF power of 150 W at ITorr. Next, SiH4 and B
Ihr discharge was continued by setting the flow rate of 2O to 0 and flowing only H2. After that, SiH4 was again flowed at 1O5C (:M) and discharged at a H2 flow rate of 90SCCM, with an A-5 of about 1μ.
A charge generation layer consisting of i:H was formed on the charge injection blocking layer.

この後、SiH4とH2の流れを止め、 4X 10−
’ Torrまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、C,H3PとB2H6を用
い、真空槽52へ送り込んだ。c2Hs Fの流量を2
05CCMとし、これに水素で、1 mo1%まで希釈
したジボラン0.5 5C(:M、圧力I Torrシ
た。また、RFパワーを450W、基体バイアスを一7
0V、磁場の強さは500Gaussとした。
After this, the flow of SiH4 and H2 is stopped and 4X 10-
' After reducing the pressure to Torr, a charge transport layer was formed under the following conditions. That is, C, H3P and B2H6 were used and fed into the vacuum chamber 52. c2Hs F flow rate 2
Diborane 0.55C (:M, pressure I Torr) diluted to 1 mol1% with hydrogen was added to this.The RF power was 450W, and the substrate bias was 17%.
0V, and the magnetic field strength was 500 Gauss.

こうして得られた電子写真感光体を実験用に改造したN
P75501  (キャノン株式会社)にセットし連続
繰り返えし画像形成を行なったところ、いずれの転写画
像も良好な画質であった。
The electrophotographic photoreceptor thus obtained was modified for experimental use.
P75501 (Canon Co., Ltd.) was used for continuous and repeated image formation, and all transferred images had good image quality.

実施例7 第4図の装置を用い、以下の様にして第1図の構造の電
子写真感光体を作成した。
Example 7 Using the apparatus shown in FIG. 4, an electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 was produced in the following manner.

電荷輸送層の成膜条件として、マイクロ波パワー600
W 、原料ガスとしてCH3Clと水素との混合ガスを
用いた。マイクロ波周波数は2.45 GHzとした。
As a film forming condition for the charge transport layer, microwave power is 600.
W, a mixed gas of CH3Cl and hydrogen was used as the source gas. The microwave frequency was 2.45 GHz.

CH3Clの流量は55CCM、水素の流量は505C
CMで圧力はO,0O07Torrとした。磁場は87
5Gaussとし、電子サイクロトロン共鳴が起きる様
にした。この条件で隔壁99の位置を調節し、真空!f
i71がマイクロ波の空洞共振器として動作する様にし
たところ、隔壁99の開口部からプラズマ吹き出しが見
られた。基体温度は350℃、基板バイアスは一+50
Vとした。この条件で成膜された電荷輸送層の膜厚は9
.3μであった。
CH3Cl flow rate is 55CCM, hydrogen flow rate is 505C
The pressure was set to 0,0007 Torr in CM. The magnetic field is 87
5 Gauss so that electron cyclotron resonance occurs. Under these conditions, adjust the position of the partition wall 99 and create a vacuum! f
When i71 was made to operate as a microwave cavity resonator, plasma was observed blowing out from the opening of the partition wall 99. Substrate temperature is 350℃, substrate bias is 1+50
It was set to V. The thickness of the charge transport layer formed under these conditions was 9
.. It was 3μ.

この様にして作成した電荷輸送層の上に引き続いてA 
−Si:Hの電荷発生層を作成した。まず基体加熱ヒー
タ 102の電流を切って基体温度が100℃まで下が
るのを待ち、それから電流を再び流して200℃で一定
に保った。次にSiH4をIO5CCM 。
On top of the charge transport layer created in this way, A
-A charge generation layer of Si:H was created. First, the current to the substrate heating heater 102 was turned off and the temperature of the substrate was waited for to drop to 100°C, and then the current was turned on again to keep it constant at 200°C. Next, SiH4 was converted into IO5CCM.

H2を50SGにM流して、圧力を2.6x 1O−3
Torrにし、磁場を875Gaussとしてマイクロ
波を投入した。マイクロ波パワーは300Wとした。こ
うして電荷輸送層上に約1gmのA−5t:Hからなる
電荷発生層を成膜し、さらに連続してC■4流量7SG
CM、SiH4流量3SCCM%H7流量50SCCM
で表面層を形成し、第1図の構造の電子写真感光体を得
た。
Flow M of H2 into 50SG and increase the pressure to 2.6x 1O-3
Torr, the magnetic field was set to 875 Gauss, and microwaves were applied. The microwave power was 300W. In this way, a charge generation layer consisting of about 1 gm of A-5t:H was formed on the charge transport layer, and then a C4 flow rate of 7SG was formed.
CM, SiH4 flow rate 3SCCM%H7 flow rate 50SCCM
A surface layer was formed using the above steps, and an electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 was obtained.

この感光体を実験用電子写真装置にセットし、電子写真
特性を測定したところ高い帯電性と良好な感度を示し、
負帯電で像露光して現像したところ良好な画像が得られ
た。
When this photoreceptor was set in an experimental electrophotographic device and its electrophotographic characteristics were measured, it showed high chargeability and good sensitivity.
When imagewise exposed and developed with negative charge, a good image was obtained.

実施例8 電荷輸送層の成膜条件を以下のように変更する以外は実
施例1と同様にして電子写真感光体を作成した。
Example 8 An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜はCH3Clと水素のガスを用いて行
ない、流量はCH3Clを55CにM、水素11005
CC,水素で101101!1;に稀釈したフォスフイ
ン0.5SCCMとし、圧力は0.3Torrとした。
The charge transport layer was formed using CH3Cl and hydrogen gas, with a flow rate of CH3Cl at 55C and hydrogen at 11005M.
CC, 0.5 SCCM of phosphine diluted to 101101!1 with hydrogen, and the pressure was 0.3 Torr.

基板温度350℃、IIFパワー600W%磁場400
ガウス、基板バイアスは一200Vで成膜を行なった。
Substrate temperature 350℃, IIF power 600W% magnetic field 400
The film was formed at Gauss and the substrate bias was -200V.

こうして得られた電子写真感光体について実施例1と同
様にして電子写真特性を測定したところ、負帯電で良好
な画質のトナー画像が得られた。
When the electrophotographic properties of the thus obtained electrophotographic photoreceptor were measured in the same manner as in Example 1, a negatively charged toner image of good quality was obtained.

実施例9 第5図の装置を用い、以下のような成膜条件及び操作を
用いる以外は実施例6と同様の方法によって第2図の構
造の電子写真感光体を作成した。
Example 9 Using the apparatus shown in FIG. 5, an electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 2 was produced in the same manner as in Example 6 except that the following film forming conditions and operations were used.

AI製円筒基板を用い、まず真空層52を約6×10’
 Torrまで真空排気した。次に^l基体を230℃
に加熱しSiH4流量30SCCM%H2流量180S
CCM、 B2H6流i 1.5SCCMとして、 0
.ITorrにてRFパワー500WでBが高濃度にド
ープされたP型のA−5i:Hからなる電荷注入阻止層
を1000人の厚さに形成した。次にSiH4とB、 
H6の流量を0にし、H2のみを流してlhr放電をつ
づけた。その後、再びSiH4を30SCCM流し、H
2流i11805(:(:Mで放電させ、約1μのA 
−Si:Hからなる電荷発生層を上記電荷注入阻止層上
に形成した。
Using an AI cylindrical substrate, first create a vacuum layer 52 of about 6 x 10'
The vacuum was evacuated to Torr. Next, heat the substrate to 230℃
Heated to SiH4 flow rate 30SCCM%H2 flow rate 180S
CCM, B2H6 flow i 1.5SCCM, 0
.. A charge injection blocking layer made of P-type A-5i:H doped with B at a high concentration was formed to a thickness of 1000 nm using an RF power of 500 W at ITorr. Next, SiH4 and B,
The flow rate of H6 was set to 0, and only H2 was allowed to flow to continue lhr discharge. After that, 30SCCM of SiH4 was poured again, and H
2-current i11805 (:(:M discharge, about 1μ A
A charge generation layer made of -Si:H was formed on the charge injection blocking layer.

この後、SiH4とH2の流れを止め、 4X 10−
’ Torrまで減圧した後、電荷輸送層の成膜を次の
条件で行なった。すなわち、c、 H,FとH2を用い
真空層52へ送り込み、c、 H,FをIO5CCM%
H2を300 SCCM、圧力は0.7Torrとした
。また、RFパワーを650W、基体バイアスを一11
0V、磁場の強さは600Gaussとした。
After this, the flow of SiH4 and H2 is stopped and 4X 10-
' After reducing the pressure to Torr, a charge transport layer was formed under the following conditions. That is, c, H, F and H2 are sent to the vacuum layer 52, and c, H, F are IO5CCM%.
The H2 was 300 SCCM and the pressure was 0.7 Torr. In addition, the RF power was 650W and the body bias was -111W.
0V, and the magnetic field strength was 600 Gauss.

こうして得られた電子写真感光体は正帯電で良好な帯電
性を示した。この感光体を市販の複写機(キャノン製N
P7550)を改造した実験装置にとりつけた後、画像
形成を行なったところ初期の良好な画質が得られ、 1
20万枚のコピーテスト後も良好な画質が維持された。
The electrophotographic photoreceptor thus obtained was positively charged and exhibited good charging properties. This photoreceptor is used in a commercially available copying machine (Canon N
After installing the P7550) in a modified experimental device, image formation was performed, and good initial image quality was obtained. 1
Good image quality was maintained even after a 200,000 copy test.

実施例10 第3図の装置を用い、極性切換スイッチ69と70をB
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例1と同様の手順により、第1図の構造の
電子写真感光体を作成した。
Embodiment 10 Using the device shown in FIG. 3, the polarity changeover switches 69 and 70 are
An electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜は、CHF3を原料とし、流量は11
005CC,圧力0.02Torr、RFパワー150
W、基体温度230℃とし、成膜中は基体加熱フィラメ
ント44を800℃程度に下げて行なった。電磁コイル
には電流は流さず、基体付近に磁場はかけなかっ  “
た。この条件で成膜された電荷輸送層の膜厚は18μで
あった。
The charge transport layer was formed using CHF3 as a raw material, and the flow rate was 11
005CC, pressure 0.02Torr, RF power 150
W, the substrate temperature was 230° C., and the substrate heating filament 44 was lowered to about 800° C. during film formation. No current is passed through the electromagnetic coil, and no magnetic field is applied near the base.
Ta. The thickness of the charge transport layer formed under these conditions was 18 μm.

こうして得られた第1図の構造の電子写真感光体は、実
用的に使用し得ることが確認された実施例11 第3図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を
作成した。
Example 11 It was confirmed that the thus obtained electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 could be used practically. Using the apparatus shown in FIG. An electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1 except for the following.

電荷輸送層の成膜はCH3(:lと水素のガスを使用し
、流量はCH3(:lを50SCCM、水素を505C
(:M、圧力0.03Torr、 RFパワー450W
 、基体バイアスOV、基体温度は成膜開始時に450
℃、その後成膜中には基体加熱ヒーター44の電流を切
って行なった。直流バイアス用電源48の電圧はOvに
設定し、極性切換スイッチ69と70は電荷輸送層成膜
時にはAの状態にした。磁場は用いなかった。この条件
で成膜された電荷輸送層の膜厚は8JAgIであった。
The charge transport layer was formed using CH3 (:l) and hydrogen gas, and the flow rate was CH3 (:l: 50SCCM, hydrogen at 505C).
(:M, pressure 0.03 Torr, RF power 450W
, substrate bias OV, and substrate temperature were 450 at the start of film formation.
℃, and then the current of the substrate heating heater 44 was cut off during film formation. The voltage of the DC bias power supply 48 was set to Ov, and the polarity changeover switches 69 and 70 were set to the A state when forming the charge transport layer. No magnetic field was used. The thickness of the charge transport layer formed under these conditions was 8JAgI.

こうして得られた電子写真感光体は実用適に使用し得る
ことが確認された。
It was confirmed that the electrophotographic photoreceptor thus obtained could be used practically.

実施例12 第3図の装置を用い、極性切換スイッチ69と70をB
の状態にし、電荷輸送層の成膜条件を以下のように変え
た以外は実施例1と同様の手順により、第1図の構造の
電子写真感光体を作成した。
Embodiment 12 Using the device shown in FIG. 3, the polarity changeover switches 69 and 70 are
An electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the charge transport layer were changed as follows.

電荷輸送層の成膜は、114 H,CIと水素ガスを原
料とし、流量はらH,IO5CCM、水素90SC(:
M、圧力5Torr、RFパワー250W、基板温度2
00℃とし、成膜中は基板加熱フィラメント44を80
0℃程度に下げて行なった。電磁コイルには電流は流さ
ず、基板付近に磁場はかけなかった。この条件で得られ
た電荷輸送層の膜厚は18JAjであった。
The charge transport layer was formed using 114 H, CI and hydrogen gas as raw materials, with flow rates of H, IO5 CCM, and hydrogen 90 SC (:
M, pressure 5 Torr, RF power 250W, substrate temperature 2
00°C, and the substrate heating filament 44 was heated to 80°C during film formation.
The temperature was lowered to about 0°C. No current was passed through the electromagnetic coil, and no magnetic field was applied near the substrate. The thickness of the charge transport layer obtained under these conditions was 18 JAj.

こうして得られた第1図の構造の電子写真感光体はに使
用し得ることが確認された。
It was confirmed that the thus obtained electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. 1 could be used for.

実施例13 第3図の装置を用い、電荷輸送層の成膜条件を以下のよ
うにする以外は実施例1と同様にして電子写真感光体を
作成した。
Example 13 Using the apparatus shown in FIG. 3, an electrophotographic photoreceptor was produced in the same manner as in Example 1, except that the charge transport layer was formed under the following conditions.

電荷輸送層の成膜はC2Hj Faと水素ガスを使用し
、流量は晴GFa 5 SCCM、水素1205CCM
、圧力0.03Torr、 RFパワー450W、基板
バイアスOV、基板温度は成膜開始時に450℃、その
後成膜中には基板加熱ヒーター44の電流を切フて行な
った。直流バイアス用電源48の電圧はOvに設定し、
極性切換スイッチ69と70は電荷輸送層成膜時にはA
の状態にした。磁場は用いなかった。この条件で成膜し
た電荷輸送層の膜厚は8μであった。
The charge transport layer was formed using C2Hj Fa and hydrogen gas, and the flow rate was 1205 CCM of fine GFa5 SCCM and 1205 CCM of hydrogen.
, the pressure was 0.03 Torr, the RF power was 450 W, the substrate bias was OV, the substrate temperature was 450° C. at the start of film formation, and the current of the substrate heating heater 44 was turned off during film formation. The voltage of the DC bias power supply 48 is set to Ov,
The polarity changeover switches 69 and 70 are set to A when forming the charge transport layer.
I made it into a state. No magnetic field was used. The thickness of the charge transport layer formed under these conditions was 8 μm.

こうして得られた電子写真感光体は実用的に使用し得る
ことが確認された。
It was confirmed that the electrophotographic photoreceptor thus obtained could be used practically.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、本発明によってもたれされる効
果としては下記に列挙するようなものを挙げることがで
きる。
As explained above, the effects brought about by the present invention include those listed below.

l)高い帯電能を持ち、少ない帯電電流と少ない露光エ
ネルギー量で画像形成可能な電子写真感光体を提供する
事が可能となった。
l) It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that has high charging ability and can form images with a small charging current and a small amount of exposure energy.

2)高速画像形成が可能な電子写真感光体を提供するこ
とが可能となった。
2) It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor capable of high-speed image formation.

3)濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度
の高い、高品質な画像を得る事が容易に出来る電子写真
感光体を提供する事が可能となった。
3) It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that can easily produce high-quality images with high density, clear halftones, and high resolution.

4)温度、湿度等の使用環境の変動に対して安定な画像
を維持する事が可能な電子写真感光体を提供する事が可
能となった。
4) It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that can maintain stable images against changes in the usage environment such as temperature and humidity.

5)繰り返し使用の際のコロナ放電生成物や紙粉などの
付着の影習が少なく、また表面に傷がつかず長期間継続
的に安定な画像を維持しながら使用可能な電子写真感光
体を提供する事が可能となった。
5) An electrophotographic photoreceptor that is less susceptible to adhesion of corona discharge products and paper dust during repeated use, and that can be used while maintaining stable images over long periods of time without scratching the surface. It became possible to provide.

6)感光層の化学変化や劣化あるいは結晶化等の変質が
おこらず、長期間の悪環境下での保管に耐えて保管前と
変わらない良好な画質を再現する事が可能な電子写真感
光体を提供する事が可能となった。
6) An electrophotographic photoreceptor that does not undergo chemical changes, deterioration, crystallization, or other changes in the photosensitive layer, and can withstand long-term storage in adverse environments and reproduce the same good image quality as before storage. It became possible to provide.

7)製造工程の途中やオフィス等での取扱いの際に人体
に触れても全く害がなく、また現像剤中に感光層の一部
が削れて混入し、それがコピー上のトナー画像に含まれ
て人体に接触したりしても全く安全で、必要ならば使用
終了後に一部ゴミと−′緒に廃棄する事も安全上全く問
題なく、一般家庭で使用する際にも特別の注意なしに安
全に使用可能で、火災などの非常時に他のものと一緒に
燃えてしまっても有毒な気体を放出しない、従ってあら
ゆる点で全く安全な電子写真感光体を提供する事が可能
となった。
7) It is completely harmless even if it comes into contact with the human body during the manufacturing process or when handled in an office, etc., and part of the photosensitive layer may be scraped and mixed into the developer, and it will be included in the toner image on the copy. It is completely safe even if it comes into contact with the human body, and if necessary, it can be disposed of with some garbage after use without any safety problems, and there are no special precautions when using it at home. It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that can be used safely and does not emit toxic gases even if it is burned together with other materials in an emergency such as a fire, and is therefore completely safe in all respects. .

8)製造時に有害な原料を使用せず、又は従来に ・較
べて必要な有害原料の使用量が極端に少なくても製造可
能で、このため製造設備に取り付ける必要のある有害物
除害装置やその他の製造上の安全対策に要するコストを
著しく削減出来る電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。
8) It is possible to manufacture products without using harmful raw materials during production, or with an extremely small amount of harmful raw materials compared to conventional methods, and for this reason, it is possible to manufacture products using hazardous material abatement equipment and equipment that must be installed in manufacturing equipment. It has now become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that can significantly reduce the cost required for other manufacturing safety measures.

9)製造用の原料として入手し易く、安価な原料を使用
する事の出来る低コストな電子写真感光体を提供する事
が可能となった。
9) It has become possible to provide a low-cost electrophotographic photoreceptor that can use readily available and inexpensive raw materials for manufacturing.

10)不均一材料の混合や分散あるいは粒度分布制御な
どといった複雑な工程を取る事なく、また塗布液の調液
や塗布中の粘度制御あるいは多層構造の際に起きる層間
汚染や溶剤排気の処理などを必要としない簡略化された
工程で製造でき、またメンテナンスの容易な製造装置を
用いて製造出来る電子写真感光体を提供する事が可能と
なった。
10) It does not require complicated processes such as mixing and dispersing non-uniform materials or controlling particle size distribution, and also allows for preparation of coating liquids, viscosity control during coating, and treatment of interlayer contamination and solvent exhaust that occur during multilayer structures. It has become possible to provide an electrophotographic photoreceptor that can be manufactured by a simplified process that does not require , and can be manufactured using manufacturing equipment that is easy to maintain.

11)製造時の微粉未形成や製造容器内に付着した膜の
はがれによる微粒子の発生がなく、長時間安定して欠陥
のない均一な感光層を得る事の出来る電子写真感光体を
提供する事が可能となった。
11) To provide an electrophotographic photoreceptor that does not generate fine particles due to non-formation of fine powder during manufacturing or peeling off of a film adhered to the inside of a manufacturing container, and can stably obtain a defect-free and uniform photosensitive layer for a long period of time. became possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は本発明による電子写真感光体の実施
形態の例を示す模式的構成断面図、第3図、第4図及び
第5図は本発明の電子写真感光体の製造に用いることの
できる装置の一例を示す模式的概略図である。 14、24は支持体、13.23は電荷輸送層、12.
22は電荷発生層、11は表面層、21は電荷注入阻止
層、52.71は成膜を行なう真空槽、47は高周波電
源、 107はマイクロ波電源、45.48は電極、 
100は基板ホルダー、43及び106は電磁コイルで
ある。
1 and 2 are schematic structural cross-sectional views showing examples of embodiments of the electrophotographic photoreceptor according to the present invention, and FIGS. 1 is a schematic diagram showing an example of a device that can be used. FIG. 14 and 24 are supports, 13.23 is a charge transport layer, 12.
22 is a charge generation layer, 11 is a surface layer, 21 is a charge injection blocking layer, 52.71 is a vacuum chamber for film formation, 47 is a high frequency power source, 107 is a microwave power source, 45.48 is an electrode,
100 is a substrate holder, and 43 and 106 are electromagnetic coils.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した
感光層を有する電子写真感光体の製造方法であって、前
記電荷輸送層を、ハロゲン原子を含む炭素化合物と還元
剤との組合せを主原料とした炭素を主体とする膜として
形成する工程を含む事を特徴とする電子写真感光体の製
造 方法。
(1) A method for producing an electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated on a support, the charge transport layer being formed of a carbon compound containing a halogen atom and a reducing agent. 1. A method for producing an electrophotographic photoreceptor, comprising the step of forming a film containing carbon as a main raw material.
(2)前記炭素を主体とする膜が、水素、窒素及び酸素
から成る群から選ばれる少なくとも1つ以上の原子を含
む事を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電子写
真感光体の製造方法。
(2) The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein the carbon-based film contains at least one or more atoms selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, and oxygen. manufacturing method.
(3)前記炭素を主体とする膜が周期律表第III族に属
する原子を5原子%以下の濃度で含有する特許請求の範
囲第1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
(3) The method for producing an electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein the carbon-based film contains atoms belonging to Group III of the periodic table at a concentration of 5 at % or less.
(4)前記炭素を主体とする膜が周期律表第V族に属す
る原子を5原子%以下の濃度で含有する特許請求の範囲
第1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
(4) The method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein the carbon-based film contains atoms belonging to Group V of the periodic table at a concentration of 5 at % or less.
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