JPS6381243A - 溶融還元炉発生ガス分析方法 - Google Patents
溶融還元炉発生ガス分析方法Info
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- JPS6381243A JPS6381243A JP22692386A JP22692386A JPS6381243A JP S6381243 A JPS6381243 A JP S6381243A JP 22692386 A JP22692386 A JP 22692386A JP 22692386 A JP22692386 A JP 22692386A JP S6381243 A JPS6381243 A JP S6381243A
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Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、溶融還元炉発生ガス分析方法に関する。
［従来技術とその問題点］
従来、溶融還元炉から発生する排ガスの組成分析は、サ
ンプリング管をダクト中に挿入し、被測定ガスである排
ガスを採取してこれを所定の配管を介してガスクロマト
グラフ等の分析計に導いて行なっている。しかし、採取
した被測定ガスは高温であるためサンプリング管内で反
応する。その結果、分析計に導かれたガスを分析しても
排ガスダクト中の被測定ガスの組成とは異なったものと
なる。また、通常サンプリング管は鉄等の材質で形成さ
れており、この鉄が触媒の作用してサンプリング管内で
の反応を促進する問題があった。
ンプリング管をダクト中に挿入し、被測定ガスである排
ガスを採取してこれを所定の配管を介してガスクロマト
グラフ等の分析計に導いて行なっている。しかし、採取
した被測定ガスは高温であるためサンプリング管内で反
応する。その結果、分析計に導かれたガスを分析しても
排ガスダクト中の被測定ガスの組成とは異なったものと
なる。また、通常サンプリング管は鉄等の材質で形成さ
れており、この鉄が触媒の作用してサンプリング管内で
の反応を促進する問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、サン
プリング管内での被測定ガスの反応を防止して極めて高
い精度で組成分析をすることができる溶融還元炉発生ガ
ス分析方法を提供するものである。
プリング管内での被測定ガスの反応を防止して極めて高
い精度で組成分析をすることができる溶融還元炉発生ガ
ス分析方法を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、先端部をオリフィス状に開口し、かつ、内周
面にセラミック層を形成したサンプリング管により被測
定ガスを採取して、所定の分析計により該被測定ガスの
組成を分析することを特徴とする溶融還元炉発生ガス分
析方法である。
面にセラミック層を形成したサンプリング管により被測
定ガスを採取して、所定の分析計により該被測定ガスの
組成を分析することを特徴とする溶融還元炉発生ガス分
析方法である。
ここで、オリフィスの部分は、開口部の径を急激に小さ
くして採取した被測定ガスを膨張させて冷却することに
より、サンプリング管の内部でクラブキング反応等が起
きるのを防止するためのものである。従って、オリフィ
ス部の径は、被測定ガスの温度に応じて適宜設定し、例
えば被測定ガスの温度が高い場合にはオリフィス部の径
を比較的小さくし、被測定ガスの温度が低い場合にはオ
リフィス部の径を比較的大きくするのが好ましい。
くして採取した被測定ガスを膨張させて冷却することに
より、サンプリング管の内部でクラブキング反応等が起
きるのを防止するためのものである。従って、オリフィ
ス部の径は、被測定ガスの温度に応じて適宜設定し、例
えば被測定ガスの温度が高い場合にはオリフィス部の径
を比較的小さくし、被測定ガスの温度が低い場合にはオ
リフィス部の径を比較的大きくするのが好ましい。
また、被Ｍｊ定ガス中に重炭化水素が含まれている場合
は、ガスクロマトグラフ等の分析計での分析の際にピー
クが近接して発生し正確な分析を妨げるので、分析計の
前に重炭化水素を除去する吸着塔等を設けておくのが好
ましい。
は、ガスクロマトグラフ等の分析計での分析の際にピー
クが近接して発生し正確な分析を妨げるので、分析計の
前に重炭化水素を除去する吸着塔等を設けておくのが好
ましい。
［作用］
本発明にかかる溶融還元炉発生ガス分析方法によれば、
サンプリング管の先端部をオリフィス状に開口している
ので、採取した被測定ガスをサンプリング管の入口部で
急激に膨張させてその温度を低下させることにより、被
測定ガスがサンプリング管内で反応するのを防止するこ
とができる。
サンプリング管の先端部をオリフィス状に開口している
ので、採取した被測定ガスをサンプリング管の入口部で
急激に膨張させてその温度を低下させることにより、被
測定ガスがサンプリング管内で反応するのを防止するこ
とができる。
また、サンプリング管の内周面にセラミック層を設けて
いるので、サンプリング管の形成材料が触媒の作用をし
て被測定ガス５と反応するのを防止することかできる。
いるので、サンプリング管の形成材料が触媒の作用をし
て被測定ガス５と反応するのを防止することかできる。
これらの結果、極めて高い精度で被測定ガスの組成を分
析することができる。
析することができる。
［実施例コ
図は、本発明の実施例を示す説明図である。図中１は、
例えば鉄で形成されたサンプリング管である。サンプリ
ング管１の内周面には、セラミック層２が形成されてい
る。サンプリング管１の採取口である開口部のセラミッ
ク層の部分は、オリフィス３状に開口径を小さくした状
態になっている。サンプリング管１の後端部は、配管４
を介して順次冷却部５、トラップ６、重炭化水素吸着塔
７、吸引部８を経てガスクロマトグラフ分析計９に接続
されている。
例えば鉄で形成されたサンプリング管である。サンプリ
ング管１の内周面には、セラミック層２が形成されてい
る。サンプリング管１の採取口である開口部のセラミッ
ク層の部分は、オリフィス３状に開口径を小さくした状
態になっている。サンプリング管１の後端部は、配管４
を介して順次冷却部５、トラップ６、重炭化水素吸着塔
７、吸引部８を経てガスクロマトグラフ分析計９に接続
されている。
而して、サンプリング管１を溶融還元炉の排ガスダクト
１０に挿入し、吸引部８によって被測定ガスを吸引し、
順次冷却部５、トラップ６、重度□化水素吸着塔７、吸
引部８を経てガスクロマトグラフ分析計９に導いた。ガ
スクロマトグラフ分析計９による分析結果は下記表に示
す通りであった。
１０に挿入し、吸引部８によって被測定ガスを吸引し、
順次冷却部５、トラップ６、重度□化水素吸着塔７、吸
引部８を経てガスクロマトグラフ分析計９に導いた。ガ
スクロマトグラフ分析計９による分析結果は下記表に示
す通りであった。
なお、排ガスの温度は、１６００−１７００℃であり、
サンプリング管１の内径は１５朋、そのオリフィス３部
分の径はＩＭであった。これと比較するためにセラミッ
ク層２及びオリフィス３部を有しない点以外は実施例の
ものと同様の構造を有するサンプリング管を用いて従来
の方法に従って同様の測定を行なったところ、同表に併
記する結果を得た。
サンプリング管１の内径は１５朋、そのオリフィス３部
分の径はＩＭであった。これと比較するためにセラミッ
ク層２及びオリフィス３部を有しない点以外は実施例の
ものと同様の構造を有するサンプリング管を用いて従来
の方法に従って同様の測定を行なったところ、同表に併
記する結果を得た。
この結果から明らかなように実施例によるものでは、サ
ンプリング管１内で同等反応が起きておらず極めて正確
な分析結果であるが、従来の方法によるものでは、明ら
かにクラブキング反応がサンプリング管内で起きており
、正確な分析結果でないことが分った。
ンプリング管１内で同等反応が起きておらず極めて正確
な分析結果であるが、従来の方法によるものでは、明ら
かにクラブキング反応がサンプリング管内で起きており
、正確な分析結果でないことが分った。
記
（単位Ｖｏ１％）
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明にかかる溶融還元炉発生ガス
分析方法によれば、サンプリング管内での被測定ガスの
反応を防止して極めて高い精度で組成分析をすることが
できるものである。
分析方法によれば、サンプリング管内での被測定ガスの
反応を防止して極めて高い精度で組成分析をすることが
できるものである。
図は、本発明の実施例を示す説明図である。
１・・・サンプリング管、２・・・セラミック層、３・
・・オリフィス、４・・・配管、５・・・冷却部、６・
・・トラップ、７・・・重炭化水素吸着塔、８・・・吸
引部、９・・・ガスクロマトグラフ分析計１０・・・排
ガスダクト。
・・オリフィス、４・・・配管、５・・・冷却部、６・
・・トラップ、７・・・重炭化水素吸着塔、８・・・吸
引部、９・・・ガスクロマトグラフ分析計１０・・・排
ガスダクト。
Claims (1)
- 先端部をオリフィス状に開口し、かつ、内周面にセラミ
ック層を形成したサンプリング管により被測定ガスを採
取して、所定の分析計により該被測定ガスの組成を分析
することを特徴とする溶融還元炉発生ガス分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22692386A JPS6381243A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 溶融還元炉発生ガス分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22692386A JPS6381243A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 溶融還元炉発生ガス分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381243A true JPS6381243A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16852720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22692386A Pending JPS6381243A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 溶融還元炉発生ガス分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381243A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6568243B1 (en) | 1998-02-19 | 2003-05-27 | Nec Corporation | Method of evaluating capacitance value of capacitor on semiconductor substrate |
| JP2012510048A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | アーペーデュウ | ガスサンプリング装置 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22692386A patent/JPS6381243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6568243B1 (en) | 1998-02-19 | 2003-05-27 | Nec Corporation | Method of evaluating capacitance value of capacitor on semiconductor substrate |
| JP2012510048A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | アーペーデュウ | ガスサンプリング装置 |
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