JPS6380603A - High frequency amplifier circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば準マイクロ波帯の周波数の電気信号を
増幅する高周波増幅回路に関し、特に発振の防止対策に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Purpose of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a high frequency amplification circuit for amplifying an electrical signal having a frequency of, for example, a sub-microwave band, and particularly relates to measures for preventing oscillation.
[従来の技術]
例えば数QHz程度の周波数の電波を受信する場合、受
信機の高周波増幅回路にはガリウム・ヒ素(GaAs)
FETが能動素子、即ち増幅素子として用いられる。と
ころが、この種の能動素子は、入力インピーダンス及び
出力インピーダンスが比較的大きい(数にΩ程度)ため
、この種の高周波増幅回路は、その内部で発生したノイ
ズ及び電磁誘導によって外部から到来したノイズに対し
て非常に敏感であり、特にインピーダンスの不整合など
があると、反射波の影響により発振を生じ易い0発振が
生じると、高周波増幅回路は正常に動作しない。[Prior art] For example, when receiving radio waves with a frequency of several QHz, the high frequency amplification circuit of the receiver uses gallium arsenide (GaAs).
A FET is used as an active element, ie, an amplification element. However, this type of active element has a relatively large input impedance and output impedance (approximately several Ω), so this type of high-frequency amplification circuit is susceptible to noise generated internally and noise arriving from the outside due to electromagnetic induction. In particular, if there is an impedance mismatch, oscillation is likely to occur due to the influence of reflected waves, and if zero oscillation occurs, the high frequency amplifier circuit will not operate normally.
受信機を構成する場合、高周波増幅回路の入力端子には
、例えばインピーダンスが50Ωのアンテナが接続され
る。高周波増幅回路の入力インピーダンスは大きいので
、一般に、アンテナと高周波増幅回路の入力端子との間
に整合回路を挿入し、反射波が生じるのを防止している
。When configuring a receiver, an antenna having an impedance of, for example, 50Ω is connected to the input terminal of the high frequency amplification circuit. Since the input impedance of the high frequency amplifier circuit is large, a matching circuit is generally inserted between the antenna and the input terminal of the high frequency amplifier circuit to prevent reflected waves from occurring.
[発明が解決しようとする問題点]
ところが、整合回路が存在する場合であっても、アンテ
ナのインピーダンスに大きな変化が生じると、不整合が
生じ、高周波増幅回路が発振する。[Problems to be Solved by the Invention] However, even when a matching circuit is present, if a large change occurs in the impedance of the antenna, mismatching occurs and the high frequency amplifier circuit oscillates.
一般の通信機器においては、アンテナのインピーダンス
はほぼ一定であるが、例えば自動車に搭載されるアンテ
ナの場合、自動車が金属物体の近傍を通過する時、イン
ピーダンスに変化が生じる。In general communication equipment, the impedance of an antenna is approximately constant; however, in the case of an antenna mounted on a car, for example, when the car passes near a metal object, the impedance changes.
また、アンテナが脱着式のものであると、そのアンテナ
を受信機から外した時に、高周波増幅回路の入力端がハ
イインピーダンスになり、不整合が生じる。Furthermore, if the antenna is removable, when the antenna is removed from the receiver, the input end of the high frequency amplifier circuit becomes high impedance, causing mismatch.
このような不整合が生じた時に、従来の高周波増幅回路
では、発振が生じ易かった。When such a mismatch occurs, oscillation is likely to occur in conventional high frequency amplifier circuits.
本発明は、入力端子におけるインピーダンスのの変化の
有無にかかわらず、発振を生じない高周波増幅回路を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high frequency amplifier circuit that does not cause oscillation regardless of the presence or absence of a change in impedance at an input terminal.
[発明の構成]
[問題点を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明においては、一般に直
角位相ハイブリッドと呼ばれる結合素子(以下、ハイブ
リッドと略記する)を用い、′第1のハイブリッドの第
1のポートを入力端子iし、互いに90度の位相差を有
する第2のポート及び第3のポートに2つの増幅回路の
各入力端子を接続し、第4のポート、即ちアイソレート
ポートに終端素子を接続する。また、前記増幅回路の各
出力端子を、第2のハイブリッドの互いに90度の位相
差を有する2つのポートに接続し、アイソレートポート
に終端素子を接続し、もう1つのポートから出力信号を
取り出す。[Structure of the Invention] [Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention uses a coupling element generally called a quadrature hybrid (hereinafter abbreviated as hybrid), and The first port of the hybrid is connected to the input terminal i, the input terminals of the two amplifier circuits are connected to the second port and the third port, which have a phase difference of 90 degrees from each other, and the fourth port, that is, the isolated Connect the termination element to the port. Further, each output terminal of the amplifier circuit is connected to two ports of the second hybrid having a phase difference of 90 degrees from each other, a termination element is connected to the isolated port, and an output signal is taken out from the other port. .
[作用]
第2図に示す3 (dB]直角位相ハイブリッドHHに
おける各Sパラメータは、次の第(1)式で表わされる
。[Operation] Each S parameter in the 3 (dB) quadrature hybrid HH shown in FIG. 2 is expressed by the following equation (1).
・・・・・(1)
但し、a1〜a4及びb1〜b4は、第2図に示すハイ
ブリッドの各ポートにおける各々の矢印方向の信号電圧
を示す。...(1) However, a1 to a4 and b1 to b4 indicate signal voltages in each arrow direction at each port of the hybrid shown in FIG.
前記第(1)式より、次式が成立する。From the above equation (1), the following equation holds true.
b 1 = a 2/ff −j (a 3//l’)
”・(2a)b2=al//;i’ j(a
4/A’) ”・(2b)b3= j(al/f
f)+a4//ff ・・・・・(2c)b4−
j(a2//l’)+a3/’ff ・・・−(
2d)つまり、ポートP1に所定の信号を入力すると、
。b 1 = a 2/ff -j (a 3//l')
”・(2a)b2=al//;i' j(a
4/A') ”・(2b)b3= j(al/f
f)+a4//ff...(2c)b4-
j(a2//l')+a3/'ff...-(
2d) In other words, when a predetermined signal is input to port P1,
.
ポートP2及びP3に1位相が互いに90度異なる同レ
ベルの信号が現われ、ポートP4には信号が現われない
、なお、この場合のポートP4は、一般にアイソレート
ボートと呼ばれる。Signals of the same level with one phase different from each other by 90 degrees appear at ports P2 and P3, and no signal appears at port P4. In this case, port P4 is generally called an isolated port.
同様に、ポートP4に所定の信号を入力すると、ポート
P2及びP3に1位相が互いに90度異なる同レベルの
信号が現われ、ポートP1には信号が現われない。また
、ポートP2に所定の信号を入力すると、ボー)−PI
及びP4に、位相が互いに90度異なる同レベルの信号
が現われ、ポートP3には信号が現われない、更に、ポ
ートP3に所定の信号を入力すると、ポートP1及びP
4に。Similarly, when a predetermined signal is input to port P4, signals of the same level appear at ports P2 and P3 with one phase different by 90 degrees, and no signal appears at port P1. Also, when a predetermined signal is input to port P2, baud) - PI
and P4, the same level signals whose phases are 90 degrees different from each other appear, and no signal appears at port P3.Furthermore, when a predetermined signal is input to port P3, ports P1 and P4 appear.
To 4.
位相が互いに90度異なる同レベルの信号が現われ、ポ
ートP2には信号が現われない。Signals of the same level with phases different by 90 degrees appear, and no signal appears at port P2.
ここで、ハイブリッドHBのポートP1に信号を入力し
、ハイブリッドHBのポートP2及びP3にそれぞれ同
一構成の増幅回路を接続する場合を考える。ポートP2
及びP3に接続される増幅回路の反射係数を311とす
れば、第2図において次式が成立する。Here, consider a case where a signal is input to port P1 of hybrid HB, and amplifier circuits having the same configuration are connected to ports P2 and P3 of hybrid HB, respectively. Port P2
If the reflection coefficient of the amplifier circuit connected to P3 and P3 is 311, then the following equation holds true in FIG.
a 2=S 11 ・b 2 ・・・・
・(3a)a 3=S 11 ・b 3
”・(3b)また、ハイブリッドHBのアイソレート
ポートP4に、回路の特性インピーダンスと整合する負
荷を接続すれば、このポートP4は理論上、無反射終端
されることになり、a4=0になる。a2=S11・b2...
・(3a)a 3=S 11 ・b 3
”・(3b) Also, if a load that matches the characteristic impedance of the circuit is connected to the isolated port P4 of the hybrid HB, this port P4 will theoretically be terminated without reflection, and a4 = 0. .
この場合、前記第(2b)式及び第(2c)式より、次
式が成立する。In this case, the following equation holds true from equations (2b) and (2c).
b 2 = a 1 /A’ −・(
4a)b 3 = j (a 1 /ff)
”(4b)そこで、前記第(3a)式、第(3b)
式、第(4a)式及び第(4b)式を用いて前記第(2
a)式を変形すると、次式が得られる。b 2 = a 1 /A' −・(
4a) b 3 = j (a 1 /ff)
”(4b) Therefore, the above formula (3a), the formula (3b)
Using equations (4a) and (4b), the above (2nd
a) By transforming the equation, the following equation is obtained.
b 1 = a2//L’ −j (a3/’ff)=
S11・b2/ff−j(Sll・b3//l’)=S
11(a LIRl )/ff j(j−511(a
1/ff )/ff )=S11・al/ 2 −8
11・al/ 2=0 ・
・・・・(5)つまり、ハイブリッドHBのアイソレー
トポートP4に回路の特性インピーダンスと整合する負
荷を接続することにより、ポートP2及びP3側の反射
波a2及びa3は、前記負荷によって吸収され、その影
響はポートP1に現われない、従って、ハイブリッドH
BのポートP2及びP3に、入力インピーダンスの高い
増幅器を接続して、それらに比較的大きな反射波(a2
及びa3)が生じたとしても、その反射波はポートP1
に伝達されな+1)ll
例えば、増幅器の出力側の信号が増幅器の入力側にまわ
り込み、それが反射波a2及びa3に含まれる場合、増
幅器のゲインが大きいと進行波b2及びb3よりも反射
波a2及びa3のレベルが大きくなる。その場合、仮に
反射波a2及びa3がポートP1に伝達され、それが更
にポートP1に接続されるアンテナ等で反射してポート
P2及びP3に伝達されると、回路に発振が生じる可能
性が高い。b 1 = a2//L' -j (a3/'ff) =
S11・b2/ff-j(Sll・b3//l')=S
11(a LIRl )/ff j(j-511(a
1/ff)/ff)=S11・al/2-8
11・al/2=0・
(5) That is, by connecting a load that matches the characteristic impedance of the circuit to the isolated port P4 of the hybrid HB, the reflected waves a2 and a3 on the ports P2 and P3 sides are absorbed by the load, Its effect does not appear on port P1, so hybrid H
Amplifiers with high input impedance are connected to ports P2 and P3 of B, and a relatively large reflected wave (a2
Even if a3) occurs, the reflected wave will be transmitted to port P1.
+1)ll For example, if the signal on the output side of the amplifier goes around to the input side of the amplifier and is included in the reflected waves a2 and a3, if the gain of the amplifier is large, the reflected wave The levels of waves a2 and a3 increase. In that case, if reflected waves a2 and a3 are transmitted to port P1, and then reflected by an antenna connected to port P1 and transmitted to ports P2 and P3, there is a high possibility that oscillation will occur in the circuit. .
しかし、上記のような構成では1反射波a2及び@3は
ポートP1に伝達されないので、ポートP゛lとそれに
接続される素子とのインピーダンスが整合していない場
合でも、増幅器の入力端子で反射した信号がアンテナ側
で再び反射して増幅器の入力端子に戻ることはないので
、上記のような発振は生じない。However, in the above configuration, one reflected wave a2 and @3 are not transmitted to port P1, so even if the impedances of port P1 and the elements connected to it are not matched, the reflected waves a2 and @3 are reflected at the input terminal of the amplifier. Since the signal is not reflected again on the antenna side and returned to the input terminal of the amplifier, the above-mentioned oscillation does not occur.
以上説明したようなハイブリッドHBが1本発明では第
1のハイブリッドとして用いられる。第2のハイブリッ
ドは、2つの増幅回路の出力端子に得られる、互いに位
相の異なる信号を合成するのに利用される。また、第2
のハイブリッドを用いることによって、増幅回路の出力
とそれに接続される回路との間でも、第1のハイブリッ
ドの場合と同様に整合をとることができる。One hybrid HB as described above is used as a first hybrid in the present invention. The second hybrid is used to combine signals that are obtained at the output terminals of two amplifier circuits and have mutually different phases. Also, the second
By using this hybrid, it is possible to achieve matching between the output of the amplifier circuit and the circuit connected thereto, as in the case of the first hybrid.
本発明の他の目的及び特徴は、以下の1図面を参照した
実施例説明により明らかになろう。Other objects and features of the present invention will become clear from the following description of an embodiment with reference to one drawing.
[実施例]
第1図に、本発明を実施する一形式の高周波増幅回路の
構成を示す。この高周波増幅回路は、数GHz程度の周
波数の信号を増幅するのに用いられる。[Embodiment] FIG. 1 shows the configuration of one type of high frequency amplification circuit implementing the present invention. This high frequency amplification circuit is used to amplify signals with a frequency of about several GHz.
HBI及びHB2は、3dB直角位相ハイブリッドと呼
ばれる結合素子であり、この例ではヒロセ電機株式会社
製のものを使用している。HBI and HB2 are coupling elements called 3 dB quadrature hybrid, and in this example, those manufactured by Hirose Electric Co., Ltd. are used.
一方のハイブリッドHBIのポートP1には、受信アン
テナが接続される。ハイブリッドHBIのポート(アイ
ソレートボート)P4とアースとの間には、終端抵抗R
TIとトリマコンデンサCTでなる終端回路10が接続
されている。HBlのポートP2及びP3には、それぞ
れ、トランジスタQ1及びQ2を含む増幅回路の入力端
子が接続されている。A receiving antenna is connected to port P1 of one hybrid HBI. A terminating resistor R is installed between the hybrid HBI port (isolated boat) P4 and the ground.
A termination circuit 10 consisting of a TI and a trimmer capacitor CT is connected. Ports P2 and P3 of HBl are connected to input terminals of an amplifier circuit including transistors Q1 and Q2, respectively.
この例で使用しているトランジスタQ1及びQ2は、日
本電気株式会社製の23に571であり。The transistors Q1 and Q2 used in this example are 23-571 manufactured by NEC Corporation.
これらはガリウム・ヒ素(GaAs)で構成された電界
効果型トランジスタ(FET)である。These are field effect transistors (FETs) made of gallium arsenide (GaAs).
ハイブリッドHBIのポートP2に現われる電気信号は
、コイルL2を介してトランジスタQ1に印加されて増
幅され、コイルL4及びコンデンサC3を介して、ハイ
ブリッドHB2のポー)−P3に印加される。また、ハ
イブリッドHBIのボー)−P3に現われる電気信号は
、コイルL3を介してトランジスタQ2に印加されて増
幅され、コイルL5及びコンデンサC5を介して、ハイ
ブリッドHB2のポートP2に印加される。The electrical signal appearing at port P2 of hybrid HBI is applied to transistor Q1 via coil L2, amplified, and applied to port P3 of hybrid HB2 via coil L4 and capacitor C3. Further, the electric signal appearing at the baud-P3 of the hybrid HBI is applied to the transistor Q2 via the coil L3, amplified, and applied to the port P2 of the hybrid HB2 via the coil L5 and the capacitor C5.
ハイブリッドHB2のポートP4は、終端抵抗器RTI
を介して接地されている。HB2のポートP1には、ト
ランジスタQ3 (23に571)を含む増幅回路の入
力端子が接続されている。ハイブリッドHB2のポート
P1に現われる電気信号は、コイルL8を介してトラン
ジスタQ3に印加されて増幅され、コイルL9及びコン
デンサC9を介して出力端子に現われる。Port P4 of hybrid HB2 is connected to the termination resistor RTI
is grounded through. The input terminal of an amplifier circuit including a transistor Q3 (23 to 571) is connected to the port P1 of HB2. The electrical signal appearing at port P1 of hybrid HB2 is applied to transistor Q3 via coil L8, amplified, and appears at the output terminal via coil L9 and capacitor C9.
ハイブリッドHBI、HB2に接続された終端抵抗器R
T1及びRT2の抵抗値は、回路の特性インピーダンス
Zoと一致するように設定しである。Termination resistor R connected to hybrid HBI, HB2
The resistance values of T1 and RT2 are set to match the characteristic impedance Zo of the circuit.
トリマコンデンサCTは、回路の特性インピーダンスの
リアクタンス分を補償するために利用される。なお、I
C1は3端子レギユレータであり、各増幅回路に安定化
された電源電圧(5■)を供給する。The trimmer capacitor CT is used to compensate for the reactance of the characteristic impedance of the circuit. In addition, I
C1 is a three-terminal regulator, which supplies a stabilized power supply voltage (5■) to each amplifier circuit.
第1図の回路を、第3図に簡略化して示す、第3図に示
すAl、A2及びA3は、それぞれ第1図に示すトラン
ジスタQl、Q2及びQ3を含む各増幅回路に対応して
いる。この実施例で用いているハイブリッドHBI及び
HB2の動作は、前述した第2図のハイブリッドHBと
同一である。The circuit of FIG. 1 is simplified in FIG. 3. Al, A2, and A3 shown in FIG. 3 correspond to each amplifier circuit including transistors Ql, Q2, and Q3 shown in FIG. 1, respectively. . The operations of the hybrid HBI and HB2 used in this embodiment are the same as the hybrid HB shown in FIG. 2 described above.
そこで、前に説明した部分については説明を省略する。Therefore, the explanation of the previously explained parts will be omitted.
増幅回路A1及びA2の利得を821とすると第3図に
おいて次式が成立する。When the gains of the amplifier circuits A1 and A2 are set to 821, the following equation holds true in FIG.
a 5 = S21 ・b 2 =(
6a)a 8 = S21 ・b 3
・・・・・(6b)これらに前記第(4a)式及び第
(4b)式を代入すれば、次式が得られる。a 5 = S21 ・b 2 = (
6a) a 8 = S21 ・b 3
(6b) By substituting the above equations (4a) and (4b) into these, the following equation is obtained.
a 5−321 ・a 1/’ff ・
・・・・(7a)a8=−j(S21・al/ff)
・・・・17b)ここで、第2図のal、 A2
. A3. A4. bl、 b2゜b3及びb4は、
それぞれハイブリッドHB2においては、A7.A8.
A5.A6.b7.b8.b5及びb6に対応している
ので、前記第(2a)弐〜第(2d)式は、次式のよう
に変形される。a 5-321 ・a 1/'ff ・
...(7a) a8=-j(S21・al/ff)
...17b) Here, al, A2 in Fig. 2
.. A3. A4. bl, b2゜b3 and b4 are
In hybrid HB2, A7. A8.
A5. A6. b7. b8. b5 and b6, the above-mentioned equations (2a) 2 to (2d) are transformed as shown in the following equations.
b 7 = a 8//l’ −j (a 5/’ff
) ・・・・(8a)b 8 = a7/ff
−j (a6/ff) ・・・・(8b)b
5= j(a7/ff)十a6/ff −(8
c)b 6 = j (a8/ff)+ a5/’f
f −(8d)そこで、上記第(8a)式に、前
記第(7a)式及び第(7b)式を代入すると次式が得
られる。b 7 = a 8//l' -j (a 5/'ff
) ...(8a) b 8 = a7/ff
-j (a6/ff) ...(8b)b
5 = j (a7/ff) 10 a6/ff - (8
c) b 6 = j (a8/ff) + a5/'f
f − (8d) Then, by substituting the above equations (7a) and (7b) into the above equation (8a), the following equation is obtained.
b7=a8/ff j (a5/ff)= −j (
821・a 1/ff) /I’l j ((821
・a 1/ff)/ff)=−j (S21−a 1/
2) j (S21・al/2)= −j (S21
・a 1) ”(9)つまり、
2つのハイブリッドHBI、HB2の間には2つの増幅
回路AI、A2が備わっているが、ハイブリッドHBI
の入力端子(Pl)とハイブリッドHB2の出力端子(
Pl)との間の回路における利得はS21であり、1つ
の増幅回路の利得と等しい、この回路において信号の位
相は90度変化する。b7=a8/ff j (a5/ff)=-j (
821・a 1/ff) /I'l j ((821
・a 1/ff)/ff)=-j (S21-a 1/
2) j (S21・al/2)=−j (S21
・a 1) ” (9) In other words,
Two amplifier circuits AI and A2 are provided between the two hybrid HBI and HB2, but the hybrid HBI
The input terminal (Pl) of the hybrid HB2 and the output terminal (Pl) of the hybrid HB2
The gain in the circuit between Pl) is S21, which is equal to the gain of one amplifier circuit, and the phase of the signal changes by 90 degrees in this circuit.
また、ハイブリッドHB2の出力に接続された増幅回路
A3の入力端子で反射波(A7)が生じた場合、HB2
のポートP2及びP3にその波が伝達される(b5.b
8)、そして、それらが増幅回路A1及びA2の出力で
反射して、再びハイブリッドHB2に入力され、ポート
P4に伝達される(b6)、ところが、ハイブリッドH
B2のポートP4は、反射波a6を生じないように特性
インピーダンスZoによって終端されている。つまり、
ハイブリッドHB2のポー)−PIに呪われる波b7は
前記第(5)式に示すblに対応し、このレベルは零に
なる。即ち、増幅回路A3の入力端子で反射波(A7)
が生じたとしても、それが再び反射して信号波b7に重
畳することはなく、波b7に定在波は生じない。Furthermore, if a reflected wave (A7) occurs at the input terminal of the amplifier circuit A3 connected to the output of the hybrid HB2,
The wave is transmitted to ports P2 and P3 of (b5.b
8), and they are reflected by the outputs of the amplifier circuits A1 and A2, input into the hybrid HB2 again, and transmitted to the port P4 (b6); however, the hybrid H
Port P4 of B2 is terminated by characteristic impedance Zo so as not to generate reflected wave a6. In other words,
The wave b7 of the hybrid HB2 that is cursed by the PO)-PI corresponds to bl shown in the above equation (5), and its level becomes zero. That is, the reflected wave (A7) is generated at the input terminal of the amplifier circuit A3.
Even if this occurs, it will not be reflected again and superimposed on the signal wave b7, and no standing wave will be generated in the wave b7.
ところで、ハイブリッドHBIのポートP2及びP3に
接続された増幅回路At、A2の入力インピーダンスに
は、リアクタンス成分が含まれていると考えられる。こ
の場合、これらのリアクタンス成分を補償しなければ、
増幅回路At、A2で生じる反射波a2.a3の位相は
、上記理論上の位相と一致しなくなる。そして、ハイブ
リッドHBIのポートP1に反射波b1が生じる。しか
し、各増幅回路にリアクタンス成分を補償するためのリ
アクタンス要素を挿入すると、部品数が多くなるし、l
!i1m箇所も多くなる。By the way, it is considered that the input impedance of the amplifier circuits At and A2 connected to ports P2 and P3 of the hybrid HBI includes a reactance component. In this case, if these reactance components are not compensated for,
A reflected wave a2. generated by the amplifier circuit At, A2. The phase of a3 no longer matches the above theoretical phase. Then, a reflected wave b1 is generated at the port P1 of the hybrid HBI. However, if a reactance element is inserted into each amplifier circuit to compensate for the reactance component, the number of components will increase, and l
! The number of i1m locations also increases.
そこで、この実施例においては、第1図に示すように、
ハイブリッドHBIのポートP4に接続された終端回路
10に、抵抗器RTIと並列にトリマコンデンサCT(
半固定)を接続しである。終端回路10に1つのリアク
タンス成分を含めることにより、ポートP4を、リアク
タンス成分を含む2つの増幅回路Al、A2と整合させ
ることができる。従って、この例では各増幅回路AI、
A2には、リアクタンス成分を補償する回路は設けてな
い。Therefore, in this embodiment, as shown in FIG.
A trimmer capacitor CT (
Semi-fixed) is connected. By including one reactance component in the termination circuit 10, port P4 can be matched with two amplifier circuits Al and A2 that include reactance components. Therefore, in this example, each amplifier circuit AI,
A2 is not provided with a circuit to compensate for the reactance component.
なお、第1図においてコンデンサC6及びC10は、信
号の位相を補正するために用いられる。Note that in FIG. 1, capacitors C6 and C10 are used to correct the phase of the signal.
第1図に示す高周波増幅回路においては、実際に次の特
性が得られた。In the high frequency amplifier circuit shown in FIG. 1, the following characteristics were actually obtained.
利得: 31.5[dB]
ノイズレベル(NF) : 0.93 [dB ]入
力側電圧定在波比(VSI) : 1.36出力側電圧
定在波比(VSWR) : 1.12また、第11!I
の高周波増幅回路においては、入力端子に所定のインピ
ーダンスのアンテナを接続した時はもちろん、入力端子
を開放(インピーダンス無限大)にした場合にも、発振
を生ずることなく安定に動作することが確認された。Gain: 31.5 [dB] Noise level (NF): 0.93 [dB] Input side voltage standing wave ratio (VSI): 1.36 Output side voltage standing wave ratio (VSWR): 1.12 11th! I
It has been confirmed that this high-frequency amplifier circuit operates stably without oscillation, not only when an antenna with a predetermined impedance is connected to the input terminal, but also when the input terminal is left open (infinite impedance). Ta.
なお、上記実施例においては、ハイブリッド手段として
、3dB直角位相ハイブリッドを用いたが、少なくとも
4つのポートを備え、各ポートの位相関係が本発明の所
定の必要条件を満たすものであれば、構成の異なるもの
であっても本発明のハイブリッド手段として利用できる
。In the above embodiment, a 3 dB quadrature hybrid was used as the hybrid means, but the configuration may be modified as long as it has at least four ports and the phase relationship of each port satisfies the predetermined requirements of the present invention. Even if they are different, they can be used as the hybrid means of the present invention.
[効果]
以上のとおり本発明によれば、入力端子のインピーダン
スに変化が生じても、回路に発振を生じない、従って、
例えば自動車に搭載される受信機の高周波増幅回路のよ
うに入力端子のインピーダンスに変化が生じ易い装置に
おいて本発明を実施すれば、好ましい結果が得られる。[Effects] As described above, according to the present invention, even if the impedance of the input terminal changes, oscillation does not occur in the circuit.
For example, if the present invention is implemented in a device where the impedance of the input terminal is likely to change, such as a high frequency amplifier circuit of a receiver mounted on an automobile, favorable results can be obtained.
第1図は、本発明を実施する一形式の高周波増幅回路を
示す電気回路図である。
第2図は、1つのハイブリッド手段を示すブロック図で
ある。
第3図は、第1図の回路を簡略化して示すブロック図で
ある。
10:終端回路(第1の終端手段)
CT:トリマコンデンサ(リアクタンス素子)HBI:
3dB直角位相ハイブリッド(第1のハイブリッド手段
)HB2:3dB直角位相ハイブリッド(第2のハイブ
リッド手段)ANT:アンテナ(入力手段)
RT2:終端抵抗器(第2の終端手段)A1:増幅回路
(Iの増幅手段)
A2:増幅回路(第2の増幅手段)
A3:増幅回路(出力手段)FIG. 1 is an electrical circuit diagram illustrating one type of high frequency amplification circuit embodying the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing one hybrid means. FIG. 3 is a simplified block diagram of the circuit shown in FIG. 1. 10: Termination circuit (first termination means) CT: Trimmer capacitor (reactance element) HBI:
3dB quadrature hybrid (first hybrid means) HB2: 3dB quadrature hybrid (second hybrid means) ANT: antenna (input means) RT2: termination resistor (second termination means) A1: amplifier circuit (I A2: Amplification circuit (second amplification means) A3: Amplification circuit (output means)
Claims (5)
印加される信号を第2及び第3のポートに互いに実質上
90度の位相差をもって伝達し、第4のポートに印加さ
れる信号を第2及び第3のポートに互いに実質上90度
の位相差をもって伝達し、第2のポートに印加される信
号を第1及び第4のポートに互いに実質上90度の位相
差をもって伝達し、第3のポートに印加される信号を第
1及び第4のポートに互いに実質上90度の位相差をも
って伝達する第1のハイブリッド手段;前記第1のハイ
ブリッド手段と実質上同一 の機能を有する第2のハイブリッド手段; 前記第1のハイブリッド手段の第1のポー トに接続された入力手段; 前記第1のハイブリッド手段の第4のポー トに接続された第1の終端手段; 前記第1のハイブリッド手段の第2のポー トに入力端子が接続され、前記第2のハイブリッド手段
の第1のポートに出力端子が接続された第1の増幅手段
; 前記第1のハイブリッド手段の第3のポー トに入力端子が接続され、前記第2のハイブリッド手段
の第4のポートに出力端子が接続された第2の増幅手段
; 前記第2のハイブリッド手段の第2のポー トに接続された第2の終端手段;及び 前記第2のハイブリッド手段の第3のポー トに接続された出力手段; を備える高周波増幅回路。(1) having at least four ports, transmitting a signal applied to the first port to the second and third ports with a phase difference of substantially 90 degrees from each other, and transmitting a signal applied to the fourth port; to the second and third ports with a phase difference of substantially 90 degrees from each other, and the signal applied to the second port is transmitted to the first and fourth ports with a phase difference of substantially 90 degrees from each other. , a first hybrid means for transmitting a signal applied to the third port to the first and fourth ports with a phase difference of substantially 90 degrees from each other; having substantially the same function as the first hybrid means; a second hybrid means; an input means connected to a first port of the first hybrid means; a first termination means connected to a fourth port of the first hybrid means; a first amplification means having an input terminal connected to a second port of the means and an output terminal connected to a first port of the second hybrid means; an input terminal to a third port of the first hybrid means; a second amplifying means having a terminal connected thereto and having an output terminal connected to a fourth port of the second hybrid means; a second terminating means connected to a second port of the second hybrid means; and an output means connected to the third port of the second hybrid means.
素子を含む、前記特許請求の範囲第(1)項記載の高周
波増幅回路。(2) The high frequency amplifier circuit according to claim 1, wherein the first termination means includes a resistance element and a reactance element.
化する可変リアクタンス素子である、前記特許請求の範
囲第(2)項記載の高周波増幅回路。(3) The high frequency amplifier circuit according to claim (2), wherein the reactance element is a variable reactance element whose reactance changes.
同一の構成である、前記特許請求の範囲第(1)項記載
の高周波増幅回路。(4) The high frequency amplification circuit according to claim 1, wherein the first amplification means and the second amplification means have the same configuration.
ム・ヒ素によって構成された電界効果型トランジスタを
含む、前記特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第
(3)項又は第(4)項記載の高周波増幅回路。(5) The first amplification means and the second amplification means include field-effect transistors made of gallium arsenide. The high frequency amplification circuit according to item 3) or item (4).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22646586A JPS6380603A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | High frequency amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22646586A JPS6380603A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | High frequency amplifier circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6380603A true JPS6380603A (en) | 1988-04-11 |
Family
ID=16845523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22646586A Pending JPS6380603A (en) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | High frequency amplifier circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6380603A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012065117A (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | High frequency amplifier |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22646586A patent/JPS6380603A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012065117A (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | High frequency amplifier |
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