JPS6366412B2 - - Google Patents

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JPS6366412B2
JPS6366412B2 JP56042785A JP4278581A JPS6366412B2 JP S6366412 B2 JPS6366412 B2 JP S6366412B2 JP 56042785 A JP56042785 A JP 56042785A JP 4278581 A JP4278581 A JP 4278581A JP S6366412 B2 JPS6366412 B2 JP S6366412B2
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JP
Japan
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dielectric
capacitance
capacitor
conductor
internal electrodes
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JP56042785A
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Japanese (ja)
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JPS57157513A (en
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Yukio Sakabe
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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【発明の詳細な説明】 この発明はコンデンサに関し、特に、外部から
印加される直流バイアスによつて容量が変えられ
る可変コンデンサに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a capacitor, and particularly to a variable capacitor whose capacitance can be changed by externally applied DC bias.

従来、可変コンデンサとしては、機械的手段に
よつて容量を可変とするものが常識とされてい
た。すなわち、可変コンデンサというときには、
当業者は、対をなす電極のオーバラツプ量を機械
的に変えることにより容量を変えるコンデンサを
直ちに連想するのである。
Conventionally, it has been common knowledge that variable capacitors have variable capacitance by mechanical means. In other words, when talking about a variable capacitor,
Those skilled in the art are immediately reminded of capacitors whose capacitance is varied by mechanically varying the amount of overlap between paired electrodes.

この発明は、このような機械的手段を用いるこ
となく容量を可変とすることができる新規なコン
デンサを提供することを目的とするものである。
The object of the present invention is to provide a novel capacitor whose capacitance can be varied without using such mechanical means.

この発明は、BaTiO3系、Pb(Zr、Ti)O3系、
PbTiO3系のようなセラミツクに代表される誘電
特性の直流バイアス依存性が大きい性質を利用す
るものである。
This invention is based on BaTiO 3 system, Pb(Zr,Ti)O 3 system,
This takes advantage of the fact that the dielectric properties of ceramics, such as PbTiO 3 -based ceramics, are highly dependent on DC bias.

第1図はこの発明の原理的な説明を行なうため
のコンデンサの直流バイアス特性測定のための回
路図である。ここには、直列接続された3個のコ
ンデンサC1,C2,C3が存在する。その中
で、コンデンサC2が直流バイアス特性の測定さ
れる試料コンデンサである。試料コンデンサC2
の両端子間には抵抗Rを介して可変直流電源Sか
ら比較的高圧が印加される。直列接続された3個
のコンデンサC1,C2,C3の両端子間には自
動ブリツジBが接続される。自動ブリツジBから
はたとえば1kHz、1Vの交流が印加される。
FIG. 1 is a circuit diagram for measuring DC bias characteristics of a capacitor for explaining the principle of the present invention. There are three capacitors C1, C2, C3 connected in series. Among them, capacitor C2 is a sample capacitor whose DC bias characteristics are measured. Sample capacitor C2
A relatively high voltage is applied between both terminals of the variable DC power supply S via a resistor R. An automatic bridge B is connected between both terminals of three capacitors C1, C2, and C3 connected in series. For example, an alternating current of 1 kHz and 1 V is applied from the automatic bridge B.

試料コンデンサC2の直流バイアス特性の測定
にあたり、直流電源Sから電圧が順次変更されて
試料コンデンサC2に印加される。コンデンサC
1,C3は、試料コンデンサC2より大容量のも
のが用いられていて、直流電源Sからの直流電圧
が自動ブリツジBに加わることを阻止する。ま
た、抵抗Rは、試料コンデンサC2より高いイン
ピーダンスを有していて、自動ブリツジBから直
流電源Sへ交流が流れるのを防止する。
In measuring the DC bias characteristics of the sample capacitor C2, the voltage from the DC power supply S is sequentially changed and applied to the sample capacitor C2. Capacitor C
1 and C3 have a larger capacity than the sample capacitor C2, and prevent the DC voltage from the DC power supply S from being applied to the automatic bridge B. Furthermore, the resistor R has a higher impedance than the sample capacitor C2, and prevents alternating current from flowing from the automatic bridge B to the direct current power supply S.

試料コンデンサC2が直流電圧の印加によつて
その容量が変化されたときは、それは自動ブリツ
ジBで検出される。第2図は誘電特性の直流バイ
アス依存性が大きい高誘電率セラミツク材料につ
いて印加直流電圧と容量変化率との関係を示すグ
ラフである。BaTiO3系、Pb(Zr、Ti)O3系、
PbTiO3系のセラミツクのように、誘電特性の直
流バイアス依存性が大きい高誘電率セラミツク材
料は、直流バイアスの印加によつて誘電率が著し
く低下し、その容量変化率は第2図に示すように
大きな値を有している。このことに注目すれば、
直流バイアスの印加による可変コンデンサの実現
性が明らかとなろう。すなわち、第1図のブロツ
ク1内に示す3個のコンデンサC1,C2,C3
を一体化すれば、1個の可変コンデンサが得られ
ることになる。この発明はこの原理に基づくもの
である。
When the capacitance of the sample capacitor C2 is changed by applying a DC voltage, this is detected by the automatic bridge B. FIG. 2 is a graph showing the relationship between applied DC voltage and capacitance change rate for a high dielectric constant ceramic material whose dielectric properties are largely dependent on DC bias. BaTiO 3 series, Pb(Zr,Ti)O 3 series,
For high-permittivity ceramic materials, such as PbTiO 3 -based ceramics, whose dielectric properties are highly dependent on DC bias, the dielectric constant decreases significantly when DC bias is applied, and the rate of capacitance change is as shown in Figure 2. has a large value. If you pay attention to this,
The feasibility of creating a variable capacitor by applying a DC bias will become clear. That is, the three capacitors C1, C2, C3 shown in block 1 in FIG.
If these are integrated, one variable capacitor will be obtained. This invention is based on this principle.

第3図はこの発明の一実施例の等価電気回路図
である。第3図において、第1図に示すコンデン
サに相当のコンデンサは同様の参照符号を用いて
示す。第3図から明らかなように、この可変コン
デンサには、第1外部端子T1、第2外部端子T
2、第3外部端子T3および第4外部端子T4を
備える。このうち、第1外部端子T1および第4
外部端子T4は、第1図の自動ブリツジBに接続
される端子に相当し、可変容量を取り出す端子と
される。すなわち、従来からある可変コンデンサ
本来の端子である。第2外部端子T2および第3
外部端子T3は直流バイアスが印加される端子と
される。第1外部端子T1と第4外部端子T4と
の間に取り出される静電容量は、直流接続された
第1コンデンサC1、第2コンデンサC2および
第3コンデンサC3から得られるものである。こ
の場合、第2コンデンサC2から得られる静電容
量が、第1コンデンサC1および第3コンデンサ
C3から得られる各静電容量のいずれよりも小さ
く選ばれ、より好ましくは、極めて小さく選ばれ
ていれば、直列接続された各静電容量のうち、第
1および第3コンデンサC1,C3の静電容量は
ほとんど無視できることになり、第1および第4
外部端子T1,T4に取り出される静電容量に対
しては第2コンデンサC2の静電容量が最も大き
く寄与する。したがつて、第2および第3外部端
子T2,T3から加えられる直流バイアスによつ
て可変とされる第2コンデンサC2の可変静電容
量の変化がほとんどそのまま第1および第4外部
端子T1,T4に取り出されることができる。こ
の意味から、少なくとも第2コンデンサC2を構
成する誘電体として、誘電特性の直流バイアス依
存性が大きい高誘電率セラミツク材料を用いれ
ば、容量可変範囲の広いコンデンサが得られるこ
とになる。誘電体材料の選択によつて、1桁近く
の容量可変範囲をもつ可変コンデンサが得られる
ことが実験的に確かめられた。なお、第1コンデ
ンサC1および第3コンデンサC3を構成する誘
電体は、第2コンデンサC2を構成する誘電体と
同じであつても異なつていてもよい。なぜなら、
直列接続される第1ないし第3コンデンサC1な
いしC3のうち、第1および第3コンデンサC1
およびC3の各静電容量は第2コンデンサC2の
それより大きく、従つて(1/ωC)で定められ
るインピーダンスが小さくなるため、たとえ第1
および第3コンデンサC1およびC3を構成する
各誘電体に誘電特性の直流バイアス依存性の大き
いものを用いたとしても、第1ないし第3コンデ
ンサC1ないしC3の直列回路で見れば、前述し
たように、第1および第3コンデンサC1および
C3によつて与えられる静電容量はほとんど無視
できるからである。
FIG. 3 is an equivalent electrical circuit diagram of one embodiment of the present invention. In FIG. 3, capacitors corresponding to those shown in FIG. 1 are designated using similar reference numerals. As is clear from FIG. 3, this variable capacitor has a first external terminal T1 and a second external terminal T1.
2, a third external terminal T3 and a fourth external terminal T4. Of these, the first external terminal T1 and the fourth
The external terminal T4 corresponds to the terminal connected to the automatic bridge B in FIG. 1, and is a terminal from which the variable capacitance is taken out. In other words, it is the original terminal of a conventional variable capacitor. The second external terminal T2 and the third
The external terminal T3 is a terminal to which a DC bias is applied. The capacitance taken out between the first external terminal T1 and the fourth external terminal T4 is obtained from the first capacitor C1, the second capacitor C2, and the third capacitor C3 that are connected with direct current. In this case, the capacitance obtained from the second capacitor C2 is selected to be smaller than each of the capacitances obtained from the first capacitor C1 and the third capacitor C3, and more preferably, it is selected to be extremely small. , among the capacitances connected in series, the capacitances of the first and third capacitors C1 and C3 can be almost ignored;
The capacitance of the second capacitor C2 makes the largest contribution to the capacitance taken out to the external terminals T1 and T4. Therefore, the change in the variable capacitance of the second capacitor C2, which is made variable by the DC bias applied from the second and third external terminals T2 and T3, is almost unchanged from the first and fourth external terminals T1 and T4. can be taken out. In this sense, if a high dielectric constant ceramic material whose dielectric characteristics are highly dependent on DC bias is used as the dielectric material constituting at least the second capacitor C2, a capacitor with a wide variable capacitance range can be obtained. It has been experimentally confirmed that a variable capacitor with a variable capacitance range of nearly one order of magnitude can be obtained by selecting a dielectric material. Note that the dielectric material forming the first capacitor C1 and the third capacitor C3 may be the same as or different from the dielectric material forming the second capacitor C2. because,
Among the first to third capacitors C1 to C3 connected in series, the first and third capacitors C1
The capacitances of C3 and C3 are larger than that of the second capacitor C2, and therefore the impedance defined by (1/ωC) becomes smaller.
Even if the dielectrics constituting the third capacitors C1 and C3 are made of dielectric materials whose dielectric characteristics are highly dependent on DC bias, if we look at the series circuit of the first to third capacitors C1 to C3, as described above, , the capacitance provided by the first and third capacitors C1 and C3 is almost negligible.

以下、第3図の回路を達成するコンデンサの機
械的構造の実施例について説明する。
An example of the mechanical structure of a capacitor that achieves the circuit of FIG. 3 will be described below.

第4図はそのような機械的構造の一実施例の断
面図である。第4図には、積層構造のコンデンサ
が示される。第5図および第6図は第4図の積層
体に用いられる内部電極パターンを示す平面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of such a mechanical structure. FIG. 4 shows a capacitor having a laminated structure. 5 and 6 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate shown in FIG. 4. FIG.

第4図の積層体において、典型的に分類する
と、3個の静電容量、すなわち第1静電容量1
1、第2静電容量12および第3静電容量13が
形成される。第1および第3静電容量11,13
を形成する導体は、それぞれ、第5図および第6
図に示すセラミツクシート14,15上にそれぞ
れ形成された内部電極16,17で構成される。
第5図に示す内部電極16はセラミツクシート1
4の図による左端縁にまで延びて形成されたもの
である。第6図の内部電極17はセラミツクシー
ト15の右端縁にまで延びて形成されたものであ
る。第1および第3静電容量11,13をそれぞ
れ形成する部分は、第5図のセラミツクシート1
4と第6図のセラミツクシート15が交互に重ね
られて構成されたものである。第2静電容量12
を形成する部分は、内部電極をもたない1枚のセ
ラミツクシートまたは複数枚のセラミツクシート
の積重ねで構成される。このようにしてその内部
において第1ないし第3静電容量11,12,1
3を形成する誘電体18が積層体によつて単体の
ものとして得られる。誘電体18の端面には、第
1外部導電膜19、第2外部導電膜20、第3外
部導電膜21および第4外部導電膜22がそれぞ
れ形成される。第1外部導電膜19は第1静電容
量11を形成する部分において一方の各内部電極
16と電気的接続され、第2外部導電膜20は第
1静電容量11を形成する部分において他方の各
内部電極17と電気的接続され、第3外部導電膜
21は第3静電容量13を形成する部分において
一方の各内部電極16と電気的接続され、第4外
部導電膜22は第3静電容量13を形成する部分
において他方の各内部電極17と電気的接続され
る。各外部導電膜19,20,21,22は、そ
れぞれ、第3図の各外部端子T1,T2,T3,
T4に相当するものである。したがつて、第1お
よび第3静電容量11,13はそれぞれ複数対の
内部電極16,17間に形成された並列容量とし
て構成される。第2静電容量12は、最も端に位
置しかつ相対的に大きな間隔を隔てられた1対の
内部電極16a,17a間に形成される。この構
成から、第2静電容量12が第1および第3静電
容量11,13のいずれよりも小さいという関係
が容易に得られる。
In the laminate shown in FIG.
1, a second capacitance 12 and a third capacitance 13 are formed. First and third capacitance 11, 13
5 and 6, respectively.
It consists of internal electrodes 16 and 17 formed on ceramic sheets 14 and 15 shown in the figure, respectively.
The internal electrode 16 shown in FIG.
It is formed so as to extend to the left edge as shown in Figure 4. The internal electrode 17 shown in FIG. 6 is formed to extend to the right edge of the ceramic sheet 15. The portions forming the first and third capacitances 11 and 13 are made of the ceramic sheet 1 shown in FIG.
4 and the ceramic sheets 15 shown in FIG. 6 are alternately stacked. Second capacitance 12
The portion forming the electrode is composed of one ceramic sheet or a stack of multiple ceramic sheets without internal electrodes. In this way, the first to third capacitors 11, 12, 1
The dielectric 18 forming 3 is obtained as a single piece by means of a laminate. A first outer conductive film 19, a second outer conductive film 20, a third outer conductive film 21, and a fourth outer conductive film 22 are formed on the end face of the dielectric 18, respectively. The first external conductive film 19 is electrically connected to one of the internal electrodes 16 in the part where the first capacitance 11 is formed, and the second external conductive film 20 is electrically connected to the other internal electrode 16 in the part where the first capacitance 11 is formed. The third external conductive film 21 is electrically connected to one of the internal electrodes 16 in a portion forming the third capacitance 13, and the fourth external conductive film 22 is electrically connected to each internal electrode 17. The portion forming the capacitance 13 is electrically connected to the other internal electrode 17 . Each external conductive film 19, 20, 21, 22 is connected to each external terminal T1, T2, T3,
This corresponds to T4. Therefore, the first and third capacitances 11 and 13 are configured as parallel capacitances formed between a plurality of pairs of internal electrodes 16 and 17, respectively. The second capacitance 12 is formed between a pair of internal electrodes 16a and 17a located at the end and separated by a relatively large interval. From this configuration, the relationship that the second capacitance 12 is smaller than either of the first and third capacitances 11 and 13 can be easily obtained.

特に少なくとも第2静電容量12を形成するた
めの誘電体が誘電特性の直流バイアス依存性が大
きいセラミツク材料から構成される必要がある。
そのため誘電体18の積層に用いるセラミツクシ
ートとしては、前述したBaTiO3系、Pb(Zr、
Ti)O3系またはPbTiO3系のものが有利に用いら
れる。以下の実施例においても同様である。
In particular, it is necessary that the dielectric material for forming at least the second capacitance 12 be made of a ceramic material whose dielectric properties are highly dependent on DC bias.
Therefore, the ceramic sheets used for laminating the dielectric 18 include the aforementioned BaTiO 3 type, Pb(Zr,
Those based on Ti)O 3 or PbTiO 3 are advantageously used. The same applies to the following examples.

外部導電膜19,20,21,22は、たとえ
ば銀ペーストを塗布し焼付を行なうことによつて
形成される。この塗布の工程をより容易に進める
ために次の構造が提案される。
The external conductive films 19, 20, 21, and 22 are formed, for example, by applying and baking silver paste. In order to facilitate this coating process, the following structure is proposed.

第7図は第3図の回路を達成する機械的構造の
の他の実施例の斜視図である。第8図ないし第1
1図は第7図の積層体に用いられる内部電極パタ
ーンを示す平面図である。第7図に示す誘電体1
8の内部の断面構造は第4図に示すものと実質的
に同様である。この実施例では、各内部電極を誘
電体18の端面にまで引き出す構成が改良された
ものである。
FIG. 7 is a perspective view of another embodiment of a mechanical structure implementing the circuit of FIG. 3; Figures 8 to 1
1 is a plan view showing an internal electrode pattern used in the laminate shown in FIG. 7. FIG. Dielectric 1 shown in FIG.
The internal cross-sectional structure of 8 is substantially similar to that shown in FIG. In this embodiment, the configuration in which each internal electrode is drawn out to the end face of the dielectric 18 is improved.

第8図ないし第11図にそれぞれ示すように、
セラミツクシート23,24,25,26上に形
成される各内部電極27,28,29,30は、
4種類のパターンを有している。第8図の内部電
極27はセラミツクシート23の左端縁の上部に
だけ延びるように形成される。第9図の内部電極
28はセラミツクシート24の右端縁の上部にだ
け延びるように形成される。第10図の内部電極
29はセラミツクシート25の右端縁の下部にだ
け延びるように形成される。第11図の内部電極
30はセラミツクシート26の左端縁の下部にだ
け延びるように形成される。そして第1静電容量
11を形成する部分においては第8図のセラミツ
クシート23と第9図のセラミツクシート24と
が交互に積層される。第2静電容量12を形成す
る部分では、前の実施例と同様、内部電極が形成
されていないセラミツクシートが積層される。第
3静電容量13を形成する部分では、第10図の
セラミツクシート25と第11図のセラミツクシ
ート26とが交互に積層される。このように構成
されたとき、第7図に示すように、誘電体18の
一方の端面には内部電極27と内部電極30とが
相互に離隔した2つの列に沿つて表出し、これと
対向する他方の端面には内部電極28と内部電極
29とが相互に離隔した2つの列に沿つて表出す
る。各内部電極27,28,29,30の表出部
分が位置する各列に沿つて、第1ないし第4外部
導電膜19,20,21,22が塗布焼付され形
成される。誘電体18の各端面におけるそれぞれ
2個づつの外部導電膜の形成は、各内部電極17
の表出態様により所定以上の間隔を保つた状態で
行なわれることができるので、銀ペーストなどの
塗布作業を容易にする。
As shown in Figures 8 to 11, respectively,
Each internal electrode 27, 28, 29, 30 formed on the ceramic sheets 23, 24, 25, 26 is
It has four types of patterns. The internal electrode 27 shown in FIG. 8 is formed so as to extend only above the left edge of the ceramic sheet 23. As shown in FIG. The internal electrode 28 shown in FIG. 9 is formed so as to extend only to the upper right edge of the ceramic sheet 24. The internal electrode 29 shown in FIG. 10 is formed so as to extend only below the right edge of the ceramic sheet 25. As shown in FIG. The internal electrode 30 shown in FIG. 11 is formed so as to extend only below the left edge of the ceramic sheet 26. In the portion forming the first capacitance 11, the ceramic sheets 23 of FIG. 8 and the ceramic sheets 24 of FIG. 9 are alternately laminated. In the portion forming the second capacitance 12, ceramic sheets without internal electrodes are laminated as in the previous embodiment. In the portion forming the third capacitor 13, the ceramic sheets 25 shown in FIG. 10 and the ceramic sheets 26 shown in FIG. 11 are alternately laminated. When configured in this way, as shown in FIG. 7, the internal electrodes 27 and 30 are exposed along two rows spaced apart from each other on one end surface of the dielectric 18, and the internal electrodes 27 and 30 are exposed along two rows separated from each other. On the other end surface, internal electrodes 28 and 29 are exposed along two rows spaced apart from each other. First to fourth external conductive films 19, 20, 21, 22 are formed by coating and baking along each row in which exposed portions of internal electrodes 27, 28, 29, 30 are located. Formation of two external conductive films on each end surface of the dielectric 18 is performed on each internal electrode 17.
Because of the manner in which the silver paste is exposed, it is possible to maintain a predetermined distance or more, thereby facilitating the application work of silver paste and the like.

第12図は第3図の回路を達成する機械的構造
のさらに他の実施例の斜視図である。この第12
図の誘電体18中のセラミツクシートの積層態様
も、第4図と実質的に同様である。この実施例も
また、各セラミツクシート上の内部電極の引出し
状態が修正されたものである。第13図ないし第
16図は第12図の積層体に用いられる内部電極
パターンを示す平面図である。
FIG. 12 is a perspective view of yet another embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. This twelfth
The laminated form of the ceramic sheets in the dielectric 18 shown in the figure is also substantially the same as that shown in FIG. In this embodiment as well, the drawing state of the internal electrodes on each ceramic sheet has been modified. 13 to 16 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate shown in FIG. 12.

第13図ないし第16図に示すように、内部電
極は4種類のパターンをもつて形成される。すな
わち、各内部電極31,32,33,34は、す
べて各セラミツクシート35,36,37,38
のそれぞれの図による下端縁にまで引き出され
る。そして、この引出しは各下端縁の特定の位置
で部分的に行なわれる。各内部電極31,32,
33,34の引出し位置は、各セラミツクシート
35,36,37,38のそれぞれの下端縁上に
おいて図による左側から右側へと順次ずらされ
る。したがつて、第12図に示す誘電体18の一
端面において、図による左側から順次内部電極3
1、内部電極32、内部電極33および内部電極
34が表出する。この各内部電極31,32,3
3,34が表出した誘電体18の端面において、
それぞれ選ばれた内部電極と電気的接続されるよ
うに第1ないし第4外部導電膜19,20,2
1,22が形成される。
As shown in FIGS. 13 to 16, the internal electrodes are formed in four types of patterns. That is, each internal electrode 31, 32, 33, 34 is entirely connected to each ceramic sheet 35, 36, 37, 38.
It is pulled out to the lower edge according to each figure. This drawing is performed partially at specific positions on each lower edge. Each internal electrode 31, 32,
The drawer positions of the ceramic sheets 33 and 34 are sequentially shifted from the left side to the right side in the figure on the respective lower edges of the ceramic sheets 35, 36, 37, and 38. Therefore, on one end surface of the dielectric 18 shown in FIG.
1. Internal electrodes 32, 33, and 34 are exposed. These internal electrodes 31, 32, 3
At the end surface of the dielectric 18 where 3 and 34 are exposed,
first to fourth external conductive films 19, 20, 2 so as to be electrically connected to respective selected internal electrodes;
1 and 22 are formed.

第12図に示す機械的構造によれば、全外部導
電膜19,20,21,22が同一平面上に並ん
でいるので、プリント回路基板(図示せず)への
直接接続が極めて能率化される。また、外部導電
膜19,20,21,22を形成するための銀ペ
ースト等の塗布を容易にするのは、第7図の実施
例の場合と同様である。
According to the mechanical structure shown in FIG. 12, all the outer conductive films 19, 20, 21, 22 are aligned on the same plane, making direct connection to a printed circuit board (not shown) extremely efficient. Ru. Furthermore, the method for facilitating the application of silver paste or the like for forming the external conductive films 19, 20, 21, and 22 is the same as in the embodiment shown in FIG.

第17図は第3図の回路を達成する機械的構造
のさらに他の実施例の断面図である。第18図は
第17図の構造物の斜視図である。この実施例で
は、第2静電容量12を形成する部分の上に第1
および第3静電容量11,13を形成する部分が
互いに横に並んで位置する。この実施例も、所定
の内部電極パターンをもつセラミツクシートの積
層体から構成される。第19図ないし第21図は
この実施例の積層体に用いられる内部電極パター
ンを示す平面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view of yet another embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. FIG. 18 is a perspective view of the structure of FIG. 17. In this embodiment, the first
The portions forming the third capacitors 11 and 13 are located side by side with each other. This embodiment also consists of a laminate of ceramic sheets with a predetermined internal electrode pattern. FIGS. 19 to 21 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate of this embodiment.

第19図ないし第21図に示すように、内部電
極は典型的には3種類のパターンで形成される。
第19図の場合、セラミツクシート39上に、2
個の内部電極40,41が互いに間隔をおいて形
成される。各内部電極40,41は、セラミツク
シート39の図による下端縁にまで引き出され、
その各引出しの位置はセラミツクシート39の下
端縁の外側に片寄つた位置に選ばれる。第20図
の場合にも、セラミツクシート42上に2個の内
部電極43,44が互いに間隔をおいて形成され
る。各内部電極43,44は、セラミツクシート
42の図による下端縁の比較的内側の位置でそれ
ぞれ引出される。第21図に示すセラミツクシー
ト45には、ほぼ全面に延びに1個の内部電極4
6が形成される。
As shown in FIGS. 19 to 21, the internal electrodes are typically formed in three types of patterns.
In the case of FIG. 19, two
Internal electrodes 40 and 41 are formed at intervals from each other. Each internal electrode 40, 41 is drawn out to the lower edge of the ceramic sheet 39 as shown in the figure.
The position of each of the drawers is selected to be offset to the outside of the lower edge of the ceramic sheet 39. In the case of FIG. 20 as well, two internal electrodes 43 and 44 are formed on the ceramic sheet 42 at a distance from each other. Each internal electrode 43, 44 is drawn out at a position relatively inside the lower edge of the ceramic sheet 42 as shown in the figure. The ceramic sheet 45 shown in FIG. 21 has one internal electrode 4 extending over almost the entire surface.
6 is formed.

第17図に示すように、第21図の内部電極4
6をもつセラミツクシート45がまず底部を築く
ように配置され、その上に内部電極が形成されて
いないセラミツクシートが1枚または何枚か積み
重ねられ、その上にさらに第20図の内部電極4
3,44を有するセラミツクシート42と第19
図の内部電極40,41を有するセラミツクシー
ト39とが交互に積層される。このように構成さ
れた誘電体18中において、第1静電容量11は
複数対の内部電極40および内部電極43によつ
て形成され、第3静電容量13は複数対の内部電
極41および内部電極44によつて形成される。
第2静電容量12は、最下段の内部電極43aと
内部電極46との間の静電容量、および最下段の
内部電極44aと内部電極46との間の静電容量
の直列接続によつて構成される。
As shown in FIG. 17, the internal electrode 4 of FIG.
A ceramic sheet 45 having a diameter of 6 is first placed to form the bottom, and one or more ceramic sheets on which no internal electrodes are formed are stacked on top of the ceramic sheet 45, and then the internal electrodes 45 of FIG.
3, 44 and the 19th ceramic sheet 42
Ceramic sheets 39 having internal electrodes 40 and 41 shown in the figure are alternately laminated. In the dielectric body 18 configured in this way, the first capacitance 11 is formed by a plurality of pairs of internal electrodes 40 and internal electrodes 43, and the third capacitance 13 is formed by a plurality of pairs of internal electrodes 41 and internal electrodes 43. It is formed by the electrode 44.
The second capacitance 12 is generated by the capacitance between the lowest internal electrode 43a and the internal electrode 46, and the series connection of the capacitance between the lowest internal electrode 44a and the internal electrode 46. configured.

第18図に示すように、誘電体18の一端面に
は、第19図ないし第21図に示す内部電極のパ
ターンから明らかなように、左側から順次内部電
極40、内部電極43、内部電極44および内部
電極41が表出され、内部電極46は表出されな
い。表出された各内部電極40,43,44,4
1と電気的接続されるように、特定の領域に第1
ないし第4外部導電膜19,20,21,22が
それぞれ形成される。
As shown in FIG. 18, on one end surface of the dielectric 18, an internal electrode 40, an internal electrode 43, an internal electrode 44, etc. And the internal electrodes 41 are exposed, and the internal electrodes 46 are not exposed. Each exposed internal electrode 40, 43, 44, 4
1 in a particular area so as to be electrically connected to the first
to fourth external conductive films 19, 20, 21, and 22 are formed, respectively.

この第17図等に示す実施例においても、前述
した第12図の実施例と同様、プリント回路基板
への実装が能率化され、各外部導電膜19,2
0,21,22の形成のための塗布が容易とな
る。これに加えて、第17図等に示した実施例で
は、誘電体18をより薄形化することができる。
In the embodiment shown in FIG. 17, etc., as in the embodiment shown in FIG.
Coating for forming 0, 21, and 22 becomes easy. In addition, in the embodiment shown in FIG. 17 etc., the dielectric 18 can be made thinner.

第22図はこの発明の他の実施例の等価電気回
路図である。この回路図によれば、前述の第3図
の回路図に比べて抵抗Rが付加されていることが
理解される。この抵抗Rは、第1図の抵抗Rに相
当するものである。この実施例では、第1図のブ
ロツク1に加えて抵抗Rを含めて一体化された可
変コンデンサを提供しようとするものである。
FIG. 22 is an equivalent electrical circuit diagram of another embodiment of the invention. According to this circuit diagram, it is understood that a resistor R is added compared to the circuit diagram of FIG. 3 described above. This resistor R corresponds to the resistor R in FIG. This embodiment attempts to provide an integrated variable capacitor that includes a resistor R in addition to block 1 of FIG.

第23図は第22図の回路を達成する機械的構
造の一実施例の平面図である。第23図におい
て、誘電体47の内部の積層態様は、たとえば第
7図の誘電体18と同様であると考えればよい。
したがつて、誘電体47の相互に対向する2つの
端面には、それぞれ2個ずつ外部導電膜が形成さ
れる。第1外部導電膜48は第7図の第1外部導
電膜19に相当し、以下同様、第2ないし第4外
部導電膜49,50,51はそれぞれ第2ないし
第4外部導電膜20,21,22に相当する。こ
のうち、第2外部導電膜49は、第22図の第1
コンデンサC1と第2コンデンサC2との間を接
続する導体に相当する。この第2外部導電膜49
は、誘電体47の上面にまで延びて形成される。
誘電体47の上面には、第2外部導電膜49に接
続される抵抗体皮膜52が塗布焼付により形成さ
れる。そして、外部端子導電膜53もまた誘電体
47の上面に直接形成され、抵抗体皮膜52と電
気的接続される。このような構成において、第2
2図の回路図との対応を示すと、第1外部端子T
1が第1外部導電膜48に、第2外部端子T2が
外部端子導電膜53に、第3外部端子T3が第3
外部導電膜50に、第4外部端子T4が第4外部
導電膜51に、および抵抗Rが抵抗体皮膜52
に、それぞれ対応する。
FIG. 23 is a plan view of one embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. 22. In FIG. 23, the stacked state inside the dielectric 47 can be considered to be the same as that of the dielectric 18 in FIG. 7, for example.
Therefore, two external conductive films are formed on each of the two mutually opposing end surfaces of the dielectric 47. The first external conductive film 48 corresponds to the first external conductive film 19 in FIG. , 22. Of these, the second external conductive film 49 is the first external conductive film in FIG.
This corresponds to a conductor connecting between the capacitor C1 and the second capacitor C2. This second external conductive film 49
is formed extending to the upper surface of the dielectric 47.
A resistor film 52 connected to the second external conductive film 49 is formed on the upper surface of the dielectric 47 by coating and baking. The external terminal conductive film 53 is also formed directly on the upper surface of the dielectric 47 and is electrically connected to the resistor film 52. In such a configuration, the second
To show the correspondence with the circuit diagram in Figure 2, the first external terminal T
1 is connected to the first external conductive film 48, the second external terminal T2 is connected to the external terminal conductive film 53, and the third external terminal T3 is connected to the third external terminal conductive film 53.
The fourth external terminal T4 is connected to the external conductive film 50, the fourth external terminal T4 is connected to the fourth external conductive film 51, and the resistor R is connected to the resistor film 52.
correspond to each.

第22図および第23図に示す実施例によれ
ば、可変コンデンサとして用いるとき、第1図の
抵抗Rに相当する抵抗素子を外付けする必要がな
いので、実用上極めて有利である。なお、抵抗体
皮膜52および外部端子導電膜を形成する場所
は、誘電体47のいずれの面または位置であつて
もよい。さらに、抵抗体皮膜を誘電体に直接形成
することは、第4図、第12図および第18図の
各構造物に対しても可能である。
According to the embodiments shown in FIGS. 22 and 23, when used as a variable capacitor, there is no need to externally attach a resistor element corresponding to the resistor R in FIG. 1, which is extremely advantageous in practice. Note that the resistor film 52 and the external terminal conductive film may be formed on any surface or position of the dielectric 47. Furthermore, forming the resistor film directly on the dielectric material is also possible for the structures shown in FIGS. 4, 12, and 18.

第24図ないし第26図はこの発明の機械的構
造のさらに他の実施例の平面図である。第24図
ないし第26図において、各誘電体54,55,
56の表面に形成された各外部導電膜57,5
8,59には、それぞれ端子リード60,61,
62が電気的接続される。これらの実施例は、端
子リードをもたないいわゆるチツプ型に限らず、
端子リードをもつコンデンサとしてもこの発明が
適用されることを示したものである。また、第2
4図では、各導電膜57が、4つの端面にそれぞ
れ形成される。この実施例からもわかるように、
内部電極の引出し態様すなわち外部導電膜の形成
位置は、その用途に応じて適宜変更することが可
能である。
24 to 26 are plan views of still other embodiments of the mechanical structure of the present invention. In FIGS. 24 to 26, each dielectric 54, 55,
Each external conductive film 57, 5 formed on the surface of 56
8 and 59 have terminal leads 60, 61, and
62 is electrically connected. These embodiments are not limited to the so-called chip type that does not have terminal leads;
This shows that the present invention can also be applied to a capacitor having terminal leads. Also, the second
In FIG. 4, each conductive film 57 is formed on each of the four end faces. As can be seen from this example,
The manner in which the internal electrodes are drawn out, that is, the position at which the external conductive film is formed, can be changed as appropriate depending on the application.

以上のように、この発明によれば、直流バイア
スの印加によつて容量が可変とされる新規なコン
デンサが得られる。このコンデンサは、従来の機
械的な可変コンデンサに代わるものとして種々の
用途が期待できる。たとえば、機械的な可変コン
デンサではその容量を頻繁に変えることには適さ
ず、いわゆる半固定式のものに多くは使用されて
いた。すなわち、従来の機械的可変コンデンサで
は、容量を変えたい場合、わざわざその設けられ
た場所で操作しなければならないという煩雑さが
ある。これに対して、この発明のコンデンサによ
れば、直流バイアスにより容量が可変とされるの
で、いわゆる遠隔操作も可能となり、頻繁に容量
を変える必要のある用途に極めて適している。ま
た、安定化電源のためのインピーダンス可変手段
としても用いることができる。すなわち、電圧の
変動でこのコンデンサはその容量が変えられる
が、この容量に応じてインピーダンスが変わつて
くるので、インピーダンス可変手段として用いる
ことができる。また、従来、コイルとコンデンサ
とで構成されているLC回路においては、その共
振特性をインダクタンス成分を可変とすることに
より調整していたが、これに代えて、容量を可変
とすることで共振特性の調整を行なうことも可能
となる。さらに、この発明のコンデンサは、その
容量の可変範囲および変化率を、誘電体を構成す
る材料の選択や静電容量形成部分の層の厚さの設
計によつて容易に変えることができる。
As described above, according to the present invention, a novel capacitor whose capacitance is variable by applying a DC bias can be obtained. This capacitor can be expected to have various uses as an alternative to conventional mechanical variable capacitors. For example, mechanical variable capacitors are not suitable for frequently changing their capacitance, and are often used in so-called semi-fixed capacitors. That is, with conventional mechanically variable capacitors, if you want to change the capacitance, you have to go to the trouble of operating the capacitance at the location where it is installed. On the other hand, according to the capacitor of the present invention, since the capacitance is made variable by direct current bias, so-called remote control is possible, and it is extremely suitable for applications where the capacitance needs to be changed frequently. It can also be used as an impedance variable means for a stabilized power source. That is, the capacitance of this capacitor can be changed due to voltage fluctuations, and since the impedance changes according to this capacitance, it can be used as an impedance variable means. In addition, conventionally, in an LC circuit composed of a coil and a capacitor, the resonance characteristics were adjusted by making the inductance component variable; however, instead of this, by making the capacitance variable, the resonance characteristics It also becomes possible to make adjustments. Further, in the capacitor of the present invention, the variable range and rate of change of the capacitance can be easily changed by selecting the material constituting the dielectric material and designing the layer thickness of the capacitance forming portion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の原理的な説明を行なうため
のコンデンサの直流バイアス特性測定のための回
路図である。第2図は誘電特性の直流バイアス依
存性が大きい高誘電率セラミツク材料について印
加直流電圧と容量変化率との関係を示すグラフで
ある。第3図はこの発明の一実施例の等価電気回
路図である。第4図は第3図の回路を達成する機
械的構造の一実施例の断面図である。第5図およ
び第6図は第4図の積層体に用いられる内部電極
パターンを示す平面図である。第7図は第3図の
回路を達成する機械的構造の他の実施例の斜視図
である。第8図ないし第11図は第7図の積層体
に用いられる内部電極パターンを示す平面図であ
る。第12図は第3図の回路を達成する機械的構
造のさらに他の実施例の斜視図である。第13図
ないし第16図は第12図の積層体に用いられる
内部電極パターンを示す平面図である。第17図
は第3図の回路を達成する機械的構造のさらに他
の実施例の断面図である。第18図は第17図の
構造物の斜視図である。第19図ないし第21図
は第17図および第18図の積層体に用いられる
内部電極パターンを示す平面図である。第22図
はこの発明の他の実施例の等価電気回路図であ
る。第23図は第22図の回路を達成する機械的
構造の一実施例の平面図である。第24図ないし
第26図はこの発明の機械的構造のさらに他の実
施例の平面図である。 図において、C1,C2,C3はコンデンサ、
Sは可変直流電源、Rは抵抗、T1は第1外部端
子、T2は第2外部端子、T3は第3外部端子、
T4は第4外部端子、11は第1静電容量、12
は第2静電容量、13は第3静電容量、14,1
5,23,24,25,26,35,36,3
7,38,39,42,45はセラミツクシー
ト、16,17,27,28,29,30,3
1,32,33,34,40,41,43,4
4,46は内部電極、18,47,54,55,
56は誘電体、19,48は第1外部導電膜、2
0,49は第2外部導電膜、21,50は第3外
部導電膜、22,51は第4外部導電膜、52は
抵抗体皮膜、53は外部端子導電膜、57,5
8,59は外部導電膜、60,61,62は端子
リードである。
FIG. 1 is a circuit diagram for measuring DC bias characteristics of a capacitor for explaining the principle of the present invention. FIG. 2 is a graph showing the relationship between applied DC voltage and capacitance change rate for a high dielectric constant ceramic material whose dielectric properties are largely dependent on DC bias. FIG. 3 is an equivalent electrical circuit diagram of one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. 5 and 6 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate shown in FIG. 4. FIG. FIG. 7 is a perspective view of another embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. 8 to 11 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate shown in FIG. 7. FIG. FIG. 12 is a perspective view of yet another embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. 13 to 16 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminate shown in FIG. 12. FIG. 17 is a cross-sectional view of yet another embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. FIG. 18 is a perspective view of the structure of FIG. 17. FIGS. 19 to 21 are plan views showing internal electrode patterns used in the laminates shown in FIGS. 17 and 18. FIG. 22 is an equivalent electrical circuit diagram of another embodiment of the invention. FIG. 23 is a plan view of one embodiment of a mechanical structure that achieves the circuit of FIG. 22. 24 to 26 are plan views of still other embodiments of the mechanical structure of the present invention. In the figure, C1, C2, C3 are capacitors,
S is a variable DC power supply, R is a resistor, T1 is a first external terminal, T2 is a second external terminal, T3 is a third external terminal,
T4 is the fourth external terminal, 11 is the first capacitance, 12
is the second capacitance, 13 is the third capacitance, 14,1
5, 23, 24, 25, 26, 35, 36, 3
7, 38, 39, 42, 45 are ceramic sheets, 16, 17, 27, 28, 29, 30, 3
1, 32, 33, 34, 40, 41, 43, 4
4, 46 are internal electrodes, 18, 47, 54, 55,
56 is a dielectric, 19 and 48 are first external conductive films, 2
0, 49 are second external conductive films, 21, 50 are third external conductive films, 22, 51 are fourth external conductive films, 52 are resistor films, 53 are external terminal conductive films, 57, 5
8 and 59 are external conductive films, and 60, 61, and 62 are terminal leads.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 高誘電率セラミツク材料からなる誘電体と、 前記誘電体の少なくとも外表面にまで導出され
る第1、第2、第3および第4外部端子と、 前記第1、第2、第3および第4外部端子にそ
れぞれ電気的接続される第1、第2、第3および
第4導体と、 前記誘電体中において前記第1導体と前記第2
導体との間に形成される第1静電容量と、 前記誘電体中において前記第2導体と前記第3
導体との間に形成される第2静電容量と、 前記誘電体中において前記第3導体と前記第4
導体との間に形成される第3静電容量とを備える
単体としてのコンデンサであつて、 前記第2静電容量は前記第1および第3静電容
量のいずれよりも小さく、かつ前記誘電体の少な
くとも前記第2静電容量を与える部分は、誘電特
性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成さ
れ、 前記第2および第3外部端子は直流バイアスが
印加される端子とされ、 前記第1および第4外部端子は可変容量を取り
出す端子とされるコンデンサ。 2 前記第1、第2、第3および第4導体はそれ
ぞれ前記誘電体中に形成された内部電極の対を含
む特許請求の範囲第1項記載のコンデンサ。 3 前記第1および第3静電容量をそれぞれ形成
する対をなす内部電極相互の間隔は、前記第2静
電容量を形成する対をなす内部電極相互の間隔よ
り小さく選ばれる特許請求の範囲第2項記載のコ
ンデンサ。 4 前記第1および第3静電容量をそれぞれ形成
する内部電極はそれぞれ複数対あり順次積層され
相互に並列接続される特許請求の範囲第2項また
は第3項記載のコンデンサ。 5 前記第1および第3静電容量をそれぞれ形成
する対をなす内部電極の1個は、前記第2静電容
量を形成する内部電極を兼ねる特許請求の範囲第
3項または第4項記載のコンデンサ。 6 前記第2静電容量を形成する内部電極は2対
ありかつ相互に直列接続される特許請求の範囲第
2項ないし第5項のいずれかに記載のコンデン
サ。 7 前記内部電極は前記誘電体の端面に表出さ
れ、 前記各外部端子は前記誘電体の端面に形成され
た導電膜を含み、 前記導電膜の形成のパターンを選ぶことにより
前記各外部電極と接続されるべき前記各導体が選
ばれる特許請求の範囲第2項ないし第6項のいず
れかに記載のコンデンサ。 8 前記各外部端子は前記各導電膜に電気的接続
される端子リードを含む特許請求の範囲第7項記
載のコンデンサ。 9 前記第2または第3導体は抵抗体を含む特許
請求の範囲第1項ないし第8項のいずれかに記載
のコンデンサ。 10 前記抵抗体は前記誘電体の表面に形成され
た抵抗体皮膜である特許請求の範囲第9項記載の
コンデンサ。
[Scope of Claims] 1. A dielectric made of a high permittivity ceramic material; first, second, third, and fourth external terminals extending to at least the outer surface of the dielectric; 2. first, second, third and fourth conductors electrically connected to third and fourth external terminals, respectively; the first conductor and the second conductor in the dielectric;
a first capacitance formed between the second conductor and the third conductor in the dielectric;
a second capacitance formed between the third conductor and the fourth conductor in the dielectric;
and a third capacitance formed between a conductor and a conductor, wherein the second capacitance is smaller than either of the first and third capacitances, and the dielectric at least a portion providing the second capacitance is made of a material whose dielectric properties are highly dependent on DC bias, the second and third external terminals are terminals to which a DC bias is applied, and the first and third external terminals are terminals to which a DC bias is applied. The fourth external terminal is a capacitor that is used as a terminal to take out the variable capacitance. 2. The capacitor of claim 1, wherein each of the first, second, third and fourth conductors includes a pair of internal electrodes formed in the dielectric. 3. The distance between the pair of internal electrodes forming the first and third capacitances is selected to be smaller than the distance between the pair of internal electrodes forming the second capacitance. Capacitor described in item 2. 4. The capacitor according to claim 2 or 3, wherein a plurality of pairs of internal electrodes forming the first and third capacitances are sequentially stacked and connected in parallel. 5. The method according to claim 3 or 4, wherein one of the paired internal electrodes forming the first and third capacitances also serves as the internal electrode forming the second capacitance. capacitor. 6. The capacitor according to any one of claims 2 to 5, wherein there are two pairs of internal electrodes forming the second capacitance and are connected in series with each other. 7. The internal electrode is exposed on the end surface of the dielectric, and each external terminal includes a conductive film formed on the end surface of the dielectric, and by selecting a pattern for forming the conductive film, each external terminal can be connected to the external terminal. 7. A capacitor according to any one of claims 2 to 6, wherein each of the conductors to be connected is selected. 8. The capacitor according to claim 7, wherein each of the external terminals includes a terminal lead electrically connected to each of the conductive films. 9. The capacitor according to any one of claims 1 to 8, wherein the second or third conductor includes a resistor. 10. The capacitor according to claim 9, wherein the resistor is a resistor film formed on the surface of the dielectric.
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