JPS6366087B2 - - Google Patents

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JPS6366087B2
JPS6366087B2 JP16429779A JP16429779A JPS6366087B2 JP S6366087 B2 JPS6366087 B2 JP S6366087B2 JP 16429779 A JP16429779 A JP 16429779A JP 16429779 A JP16429779 A JP 16429779A JP S6366087 B2 JPS6366087 B2 JP S6366087B2
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noise
charging
output
distortion
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JP16429779A
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Takenori Ukari
Yoichi Yano
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Publication of JPS6366087B2 publication Critical patent/JPS6366087B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/10Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1081Reduction of multipath noise

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、FM受信機の雑音および歪軽減回
路に関し、特に、車載用FM受信機に特有の雑音
および歪を軽減するための回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a noise and distortion reduction circuit for an FM receiver, and more particularly to a circuit for reducing noise and distortion specific to a vehicle-mounted FM receiver.

[従来の技術] FM受信機が車両に搭載されて移動する場合、
種々の外部要因によつて雑音および歪が生じる。
たとえば、第1に、弱電界地域で生じるレイレイ
(Rayleigh)分布に基づく電界強度の変動による
雑音がある。すなわち、弱電界地域において、電
界強度が比較的大きな状態から小さな状態に変化
した場合、たとえば入力電界強度が30dB低下す
ると、S/N比で約55dB劣化する。そのとき、
雑音レベル(ホワイトノイズ)が55dB大きくな
り、この雑音レベルの増加が聴感上不快感を与え
る。第2に、反射波の影響によるいわゆるマルチ
パス(Multi path)歪による雑音がある。前者
と後者の比率は約3:7の割合で現われることが
知られている。
[Prior art] When an FM receiver is mounted on a vehicle and moved,
Noise and distortion are caused by various external factors.
For example, first, there is noise due to variations in electric field strength based on Rayleigh distribution that occur in weak electric field regions. That is, in a weak electric field region, when the electric field strength changes from a relatively large state to a small state, for example, if the input electric field strength decreases by 30 dB, the S/N ratio deteriorates by about 55 dB. then,
The noise level (white noise) increases by 55 dB, and this increase in noise level causes discomfort to the listener. Second, there is noise due to so-called multipath distortion due to the influence of reflected waves. It is known that the ratio of the former to the latter appears at a ratio of about 3:7.

従来の車載用FM受信機では、主として前者の
レイレイ変動による雑音を緩和するために、中間
周波数信号回路の出力レベルを判定し、受信電界
強度を検出して、この電界強度が或るレベル以下
になると復調出力の高域を抑圧するとともに、ス
テレオセパレーシヨンを小さくし、それによつて
見かけ上のS/N比を改善することが行なわれて
いる。
Conventional in-vehicle FM receivers mainly determine the output level of the intermediate frequency signal circuit, detect the received electric field strength, and detect when the electric field strength falls below a certain level in order to alleviate the noise caused by the former Ray-Ray fluctuation. In this case, the high frequency range of the demodulated output is suppressed and the stereo separation is reduced, thereby improving the apparent S/N ratio.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、従来の装置では、中間周波数信
号のレベルに基づいて雑音の軽減を図るものであ
るため、中間周波数信号のレベル(キヤリアレベ
ル)が所定レベル以上のときには、マルチパル歪
による雑音の発生に対し何ら対処することができ
ず、そのまま雑音が出力されてしまうという問題
があつた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional device, noise is reduced based on the level of the intermediate frequency signal, so when the level of the intermediate frequency signal (carrier level) is higher than a predetermined level, However, there was a problem in that no countermeasures could be taken for the generation of noise due to multi-pulse distortion, and the noise would be output as is.

それゆえに、この発明の主たる目的は、受信信
号の電界強度の強弱にかかわらず、主としてマル
チパス歪による雑音および歪を大幅に軽減し得る
FM受信機の雑音および歪軽減回路を提供するこ
とである。
Therefore, the main object of the present invention is to significantly reduce noise and distortion mainly due to multipath distortion, regardless of the strength of the electric field strength of the received signal.
An object of the present invention is to provide a noise and distortion reduction circuit for an FM receiver.

[問題点を解決するための手段] この発明は、復調回路の出力成分中に含まれる
雑音および歪の成分だけを検出し、その検出出力
に基づいて充放電回路を充電し、その充電電圧に
応じて復調回路出力の高周波成分を含む一部また
は全部を低減するようにしたものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention detects only the noise and distortion components contained in the output components of the demodulation circuit, charges the charging/discharging circuit based on the detected output, and adjusts the charging voltage to Accordingly, part or all of the output of the demodulation circuit including high frequency components is reduced.

[作用] この発明によれば、中間周波数信号の出力レベ
ルとは無関係に、復調出力中に含まれる雑音およ
び歪の成分だけを取出し、それに基づいて低減手
段を動作させるため、実質的に雑音および歪成分
を含む場合にだけ回路が動作する。
[Operation] According to the present invention, only the noise and distortion components contained in the demodulated output are extracted regardless of the output level of the intermediate frequency signal, and the reduction means is operated based on them, so that the noise and distortion components are substantially reduced. The circuit operates only when distortion components are included.

[実施例] 以下、図面を参照して、この発明の実施例につ
いて詳細に説明をする。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図で
ある。車載型のFM受信機1において、FM電波
はアンテナ3で受けられ、FMフロントエンド5
に与えられる。FMフロントエンド5は、周知の
ように、高周波増幅器や局部発振回路や周波数変
換回路等を含み、その出力として中間周波数信号
を導出する。FMフロントエンド5からの中間周
波数信号は、IF増幅/復調回路7に与えられる。
IF増幅/復調回路7は、第2図にその構成の一
例が示されている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In the car-mounted FM receiver 1, FM radio waves are received by the antenna 3, and the FM front end 5
given to. As is well known, the FM front end 5 includes a high frequency amplifier, a local oscillation circuit, a frequency conversion circuit, etc., and derives an intermediate frequency signal as its output. The intermediate frequency signal from the FM front end 5 is given to an IF amplification/demodulation circuit 7.
An example of the configuration of the IF amplification/demodulation circuit 7 is shown in FIG.

第2図を参照して、IF/復調回路7は、FMフ
ロントエンド5からの中間周波数信号を受ける、
たとえば6段のIF増幅器71を含む。IF増幅器
71からの出力は、リミツタ72によつて振幅制
限され、クオードラチヤ検波器73に与えられ、
復調される。そして、この検波器73の出力は
AFミユート増幅器74を介して後段のパルス性
雑音除去回路9に与えられる。一方、IF増幅器
71からの出力は、さらに、レベル検波器75に
よつてそのレベルが検出され、検出レベル出力は
信号強度指示器76に与えられるとともに、
IF/復調回路7の端子7aに与えられる。
Referring to FIG. 2, the IF/demodulation circuit 7 receives an intermediate frequency signal from the FM front end 5.
For example, it includes six stages of IF amplifiers 71. The output from the IF amplifier 71 is amplitude limited by a limiter 72 and given to a quadrature detector 73.
demodulated. The output of this detector 73 is
The signal is applied to the subsequent pulse noise removal circuit 9 via the AF miute amplifier 74. On the other hand, the level of the output from the IF amplifier 71 is further detected by a level detector 75, and the detected level output is given to a signal strength indicator 76.
It is applied to the terminal 7a of the IF/demodulation circuit 7.

第1図に戻つて、IF増幅/復調回路7の出力
は、パルス性雑音除去回路9に与えられる。ここ
で、第3図を参照して、パルス性雑音除去回路9
について簡単に説明する。
Returning to FIG. 1, the output of the IF amplification/demodulation circuit 7 is given to a pulse noise removal circuit 9. Here, with reference to FIG. 3, pulse noise removal circuit 9
I will briefly explain about.

IF増幅/復調回路7からの復調信号は、ロー
パスフイルタ91およびローパス増幅器92を経
てゲート回路93に与えられる。一方、復調信号
は、さらにAGC回路94を経てハイパスフイル
タ95に与えられる。ハイパスフイルタ95は、
復調信号の高域を通過させ、その出力をノイズ検
出器96に与えるとともに、端子9aに与える。
ノイズ検出器96では、その高域信号に応じてノ
イズ(パルス性雑音)を検出し、単安定マルチバ
イブレータ97をトリガする。単安定マルチバイ
ブレータ97の出力は上述のゲート回路93のゲ
ート制御信号として与えられる。したがつて、ゲ
ート回路93は、単安定マルチバイブレーチ97
の出力でローパス増幅器92を通した復調出力を
ゲートし、それを出力回路98に与える。出力回
路98は出力を後段のステレオ復調回路11へ与
えるとともに、パイロツト信号保持回路99に接
続されている。
The demodulated signal from the IF amplification/demodulation circuit 7 is applied to a gate circuit 93 via a low-pass filter 91 and a low-pass amplifier 92. On the other hand, the demodulated signal is further provided to a high pass filter 95 via an AGC circuit 94. The high pass filter 95 is
The high frequency band of the demodulated signal is passed through, and its output is applied to the noise detector 96 and also to the terminal 9a.
The noise detector 96 detects noise (pulse noise) according to the high frequency signal, and triggers the monostable multivibrator 97. The output of the monostable multivibrator 97 is given as a gate control signal to the gate circuit 93 described above. Therefore, the gate circuit 93 is a monostable multivibrator 97
gates the demodulated output that has passed through the low-pass amplifier 92 and supplies it to the output circuit 98. The output circuit 98 provides an output to the subsequent stereo demodulation circuit 11 and is connected to a pilot signal holding circuit 99.

再び第1図に戻つて、パルス性雑音除去回路9
からの出力すなわち出力回路98からの出力は、
ステレオ復調回路11に与えられる。ステレオ復
調回路11は、パルス性雑音が除去された復調出
力から、左信号と右信号とを導出する。左信号と
右信号はバランス用可変抵抗器13によつてバラ
ンスが調整され、左信号は可変抵抗器15を介し
て低周波増幅器19に与えられ、右信号は可変抵
抗器17を介して低周波増幅器21に与えられ
る。低周波増幅器19および21は、それぞれ、
対応のスピーカ23および25を駆動する。
Returning to FIG. 1 again, the pulse noise removal circuit 9
The output from the output circuit 98 is
The signal is applied to the stereo demodulation circuit 11. The stereo demodulation circuit 11 derives a left signal and a right signal from the demodulated output from which pulse noise has been removed. The balance between the left signal and the right signal is adjusted by the variable resistor 13 for balance, the left signal is given to the low frequency amplifier 19 via the variable resistor 15, and the right signal is given to the low frequency amplifier 19 via the variable resistor 17. The signal is applied to an amplifier 21. The low frequency amplifiers 19 and 21 are each
The corresponding speakers 23 and 25 are driven.

パルス性雑音除去回路9の端子9aすなわちハ
イパスフイルタ95(第3図)の出力は、コンデ
ンサ201を介して利得エレメントとしてのトラ
ンジスタ203のベースに与えられる。トランジ
スタ203は、そのベースに電源+Bからバイア
ス電圧が与えられ、かつそのコレクタは抵抗を介
して電源+Bに接続されている。また、トランジ
スタ203のエミツタは、スイツチングトランジ
スタ205ならびに抵抗およびコンデンサを介し
て接地されている。スイツチングトランジスタ2
05のベースは、線205aによつて、抵抗7b
および7cを含む分圧回路を介して、IF増幅/
復調回路7の端子7aすなわちレベル検波器75
(第2図)の出力に接続されている。
The terminal 9a of the pulse noise removing circuit 9, that is, the output of the high-pass filter 95 (FIG. 3), is applied via a capacitor 201 to the base of a transistor 203 as a gain element. The transistor 203 has its base supplied with a bias voltage from the power supply +B, and its collector connected to the power supply +B via a resistor. Further, the emitter of transistor 203 is grounded via switching transistor 205, a resistor, and a capacitor. switching transistor 2
The base of 05 is connected to resistor 7b by wire 205a.
IF amplification/
Terminal 7a of demodulation circuit 7, that is, level detector 75
(Fig. 2).

トランジスタ203のコレクタは、さらに、ト
ランジスタ209,215およびダイオード21
1,213を含む倍電圧整流回路207を通して
トランジスタ217のベースに与えられる。トラ
ンジスタ217のコレクタは電源+Bに接続さ
れ、エミツタは抵抗219を介して接地されてい
る。それとともに、トランジスタ217のエミツ
タは、ダイオード221および抵抗225の直列
接続を介してスイツチングトランジスタ229の
ベースに接続され、さらにダイオード221と抵
抗227の直列接続を介してスイツチングトラン
ジスタ231のベースに接続されている。ダイオ
ード221と抵抗225および227の接続点
は、コンデンサ223を介して接地されている。
このコンデンサ223が充放電回路を構成する。
スイツチングトランジスタ229のコレクタには
ステレオ復調回路11の左信号出力との間にコン
デンサ233が接続され、エミツタは接地されて
いる。同様に、スイツチングトランジスタ231
のコレクタはステレオ復調回路11の右信号出力
との間にコンデンサ235が接続され、そのエミ
ツタは接地されている。
The collector of transistor 203 is further connected to transistors 209, 215 and diode 21.
The voltage is applied to the base of a transistor 217 through a voltage doubler rectifier circuit 207 including 1,213. The collector of transistor 217 is connected to power supply +B, and the emitter is grounded via resistor 219. At the same time, the emitter of the transistor 217 is connected to the base of a switching transistor 229 through a series connection of a diode 221 and a resistor 225, and further connected to the base of a switching transistor 231 through a series connection of a diode 221 and a resistor 227. has been done. A connection point between diode 221 and resistors 225 and 227 is grounded via capacitor 223.
This capacitor 223 constitutes a charging/discharging circuit.
A capacitor 233 is connected between the collector of the switching transistor 229 and the left signal output of the stereo demodulation circuit 11, and its emitter is grounded. Similarly, switching transistor 231
A capacitor 235 is connected between the collector and the right signal output of the stereo demodulation circuit 11, and its emitter is grounded.

パルス性雑音除去回路9に含まれるハイパスフ
イルタ95(第3図)の出力は、先に説明したよ
うに、トランジスタ203のベースに与えられ
る。ハイパスフイルタ95は、本来のパルス性雑
音除去回路9における作用とともに、この実施例
では、歪成分の高次レベルを検出するために作用
する。したがつて、もしパルス性雑音除去回路9
を含まないようなFM受信機であれば、別の独立
したハイパスフイルタを設ければよい。
The output of the high pass filter 95 (FIG. 3) included in the pulse noise removal circuit 9 is applied to the base of the transistor 203, as described above. In this embodiment, the high-pass filter 95 functions in addition to the function in the original pulse noise removal circuit 9 to detect the high-order level of the distortion component. Therefore, if the pulse noise removal circuit 9
If the FM receiver does not include a filter, a separate high-pass filter can be installed.

ハイパスフイルタ95の特性の一例を第4図に
示す。もし、別の独立したハイパスフイルタを設
け、特性の良いすなわち減衰が急峻なものを用い
れば、それだけ後述の歪検出の性能が向上する。
なお、ハイパスフイルタ95のカツトオフ周波数
は、この実施例では、ほぼ100kHz程度という適
当な値に選ばれている。カツトオフ周波数は適当
に選ばなければならない。なぜならば、カツトオ
フ周波数があまり高すぎると、十分な精度で歪を
検出することができず、またあまりに低すぎると
誤つた検出を行なうことがあるからである。
An example of the characteristics of the high-pass filter 95 is shown in FIG. If another independent high-pass filter is provided and one with good characteristics, that is, one with steep attenuation, is used, the performance of distortion detection, which will be described later, will be improved accordingly.
In this embodiment, the cutoff frequency of the high-pass filter 95 is selected to be an appropriate value of about 100 kHz. The cutoff frequency must be chosen appropriately. This is because if the cutoff frequency is too high, distortion cannot be detected with sufficient accuracy, and if the cutoff frequency is too low, erroneous detection may occur.

次に、この発明の特徴の1つであるコンデンサ
223を含む充放電回路について説明する。コン
デンサ223の充電経路は、+B−トランジスタ
217−ダイオード221で構成されている。し
たがつて、この充電時定数に関係する回路上の抵
抗成分は、それぞれの素子の内部抵抗となる。ま
た、コンデンサ223の放電時には、ダイオード
221の逆抵抗R221、抵抗225,R22
5、トランジスタ229のベース−エミツタ間抵
抗Rbe、抵抗227,R227とトランジスタ2
31のベース−エミツタ間抵抗R′beが、それぞ
れ並列的に作用する。ここで、ダイオード221
の逆抵抗R221およびその他の抵抗成分の関係
は次式(1)で表わされる。
Next, a charging/discharging circuit including the capacitor 223, which is one of the features of the present invention, will be explained. The charging path of the capacitor 223 is composed of +B-transistor 217-diode 221. Therefore, the resistance component on the circuit related to this charging time constant is the internal resistance of each element. Furthermore, when the capacitor 223 is discharged, the reverse resistance R221 of the diode 221, the resistors 225, R22
5. Base-emitter resistance Rbe of transistor 229, resistance 227, R227 and transistor 2
31 base-emitter resistances R'be act in parallel. Here, the diode 221
The relationship between the reverse resistance R221 and other resistance components is expressed by the following equation (1).

R221>(R225+Rbe)×(R227+R′be)/(R225+Rbe
)+(R227+R′be)……(1) ここで、抵抗225および227の抵抗値R2
25およびR227をそれぞれ56kΩとし、トラ
ンジスタ229のベース−エミツタ間抵抗Rbeと
トランジスタ231ベース−エミツタ間抵抗
R′beが等しいとすると、上記(1)式の右辺は (56/2)kΩ+Rbe となり、また、トランジスタ229および231
が導通状態のときは抵抗Rbeは56kΩより極めて
小さいので、上記(1)式の右辺は約22.5kΩとなる。
したがつて、コンデンサ223の放電経路の放電
時定数は、充電経路の充電時定数に比べて極めて
大きくなる。すなわち、コンデンサ223の充放
電特性は、第5図に示すとおりとなる。
R221>(R225+Rbe)×(R227+R′be)/(R225+Rbe
)+(R227+R'be)...(1) Here, the resistance value R2 of resistors 225 and 227
25 and R227 are each 56 kΩ, and the base-emitter resistance Rbe of transistor 229 and the base-emitter resistance of transistor 231 are
Assuming that R'be is equal, the right side of equation (1) above becomes (56/2)kΩ+Rbe, and transistors 229 and 231
When is in a conductive state, the resistance Rbe is extremely smaller than 56kΩ, so the right side of equation (1) above is approximately 22.5kΩ.
Therefore, the discharging time constant of the discharging path of the capacitor 223 is extremely large compared to the charging time constant of the charging path. That is, the charging and discharging characteristics of the capacitor 223 are as shown in FIG.

第5図において、線Aが充電特性を示し、線B
が放電特性を示す。放電特性を示す線Bにおい
て、普通の抵抗とコンデンサだけの場合の特性に
比べて時間経過に伴つて長く尾を引いていること
がわかる。これは、トランジスタ229およびト
ランジスタ231のベース−エミツタ間抵抗Rbe
およびR′beは、ベース電圧が低くなるに従つて
大きくなるからである。しかしながら、この特性
は、トランジスタ229および231のスイツチ
ング特性すなわち復帰時間には影響なく、むしろ
歪が連続的に発生した場合における即答性を助け
る効果がある。
In FIG. 5, line A shows the charging characteristics, and line B
indicates the discharge characteristics. It can be seen that the line B showing the discharge characteristics has a longer tail as time passes compared to the characteristics in the case of only an ordinary resistor and capacitor. This is the base-emitter resistance Rbe of transistor 229 and transistor 231.
This is because R'be increases as the base voltage decreases. However, this characteristic does not affect the switching characteristics of the transistors 229 and 231, that is, the recovery time, but rather has the effect of helping quick response when distortion occurs continuously.

次に、以上説明したこの発明の一実施例の回路
の動作について説明をする。
Next, the operation of the circuit according to the embodiment of the present invention described above will be explained.

まず、受信電波がマルチパス歪を伴う場合につ
いて説明する。アンテナ3に入来したFM電波の
合成波は、FMフロントエンド5を介し、IF増
幅/復調回路7により、歪を含んだまま復調さ
れ、さらにパルス性雑音除去回路9に入力され
る。この回路9に入力された歪を含んだ復調信号
は、ハイパスフイルタ95(第3図)を通過し、
回路9の端子9aから出力される。ハイパスフイ
ルタ95は、復調信号に含まれる歪(歪率)が大
きいほど、また復調周波数ωmが高いほど、その
出力レベルが大きくなる。
First, a case where received radio waves are accompanied by multipath distortion will be described. The composite wave of FM radio waves that has entered the antenna 3 is demodulated with distortion by the IF amplification/demodulation circuit 7 via the FM front end 5, and is further input to the pulse noise removal circuit 9. The demodulated signal containing distortion input to this circuit 9 passes through a high-pass filter 95 (Fig. 3),
It is output from the terminal 9a of the circuit 9. The output level of the high-pass filter 95 increases as the distortion (distortion rate) included in the demodulated signal increases and as the demodulation frequency ωm increases.

ハイパスフイルタ95の出力は、コンデンサ2
01を介してトランジスタ203のベースに与え
られ、トランジスタ203によつて増幅される。
但し、スイツチングトランジスタ205が導通状
態すなわちIF増幅/復調回路7の端子7aの電
圧がハイレベルのときである。なお、トランジス
タ205のスイツチング動作については後述す
る。
The output of the high pass filter 95 is the capacitor 2
01 to the base of the transistor 203, and is amplified by the transistor 203.
However, this is when the switching transistor 205 is in a conductive state, that is, when the voltage at the terminal 7a of the IF amplification/demodulation circuit 7 is at a high level. Note that the switching operation of the transistor 205 will be described later.

トランジスタ203によつて増幅された雑音お
よび歪成分は倍電圧整流回路207によつて整流
され、スイツチングトランジスタ217のベース
に与えられる。スイツチングトランジスタ217
は、倍電圧整流回路207の出力電圧が所定値以
上のとき導通し、そのとき電源+Bから電流が流
れる。トランジスタ217を流れる電流は、ダイ
オード221を介してコンデンサ223(このコ
ンデンサの容量は、たとえば47μF/16Vに選べ
る)に与えられ、第5図の線Aで示す充電特性に
従つて急速に充電される。コンデンサ223の充
電電圧が所定値に達すると、スイツチングトラン
ジスタ229および231は同時に導通する。し
たがつて、ステレオ復調回路11の出力の左信号
出力と接地との間にコンデンサ233が介挿さ
れ、かつ右信号出力と接地との間にコンデンサ2
35が介挿されることになる。よつて、ステレオ
復調回路11の出力の高周波成分が低減される。
なお、コンデンサ233および235の値を適当
に選ぶことによつて、高周波を完全にカツトして
しまうこともできるし、必要な量だけカツトした
ミユーテイング動作とすることもできる。このよ
うにして、低周波増幅器19および21に入力さ
れるそれぞれの信号の高域が低減されることによ
り、雑音および歪が聴感上悪影響を及ぼすのを軽
減することができる。
The noise and distortion components amplified by transistor 203 are rectified by voltage doubler rectifier circuit 207 and applied to the base of switching transistor 217. switching transistor 217
is conductive when the output voltage of the voltage doubler rectifier circuit 207 is equal to or higher than a predetermined value, and current flows from the power supply +B at that time. The current flowing through the transistor 217 is applied to a capacitor 223 (the capacitance of this capacitor can be selected, for example, 47 μF/16 V) via a diode 221, and the capacitor 223 is rapidly charged according to the charging characteristic shown by line A in FIG. . When the charging voltage of capacitor 223 reaches a predetermined value, switching transistors 229 and 231 become conductive at the same time. Therefore, a capacitor 233 is inserted between the left signal output of the stereo demodulation circuit 11 and the ground, and a capacitor 233 is inserted between the right signal output and the ground.
35 will be inserted. Therefore, high frequency components of the output of the stereo demodulation circuit 11 are reduced.
Note that by appropriately selecting the values of the capacitors 233 and 235, it is possible to completely cut out the high frequency, or it is also possible to perform a muting operation in which the high frequency is cut off by a necessary amount. In this way, the high frequencies of the respective signals input to the low frequency amplifiers 19 and 21 are reduced, thereby making it possible to reduce the adverse effects of noise and distortion on auditory sensation.

次に、復調信号に含まれる歪が微小もしくは全
くない場合について説明する。この場合には、回
路9の端子9aに得られるハイパスフイルタ95
の出力電圧はほぼ零となる。このほぼ零のハイパ
スフイルタ95の出力は、トランジスタ203で
増幅されても倍電圧整流回路207のダイオード
211,213で整流するだけのレベルに達しな
いので、スイツチングトランジスタ217は不導
通である。したがつて、コンデンサ223に充電
電流が与えられることなく、トランジスタ22
9,231はともに不導通である。よつて、コン
デンサ223および235と接地との間が遮断さ
れ、上述の高周波成分の低減動作は行なわれな
い。
Next, a case where the demodulated signal contains very little or no distortion will be described. In this case, the high pass filter 95 obtained at the terminal 9a of the circuit 9
The output voltage of is almost zero. Even if the output of the high-pass filter 95, which is approximately zero, is amplified by the transistor 203, it does not reach a level sufficient to be rectified by the diodes 211 and 213 of the voltage doubler rectifier circuit 207, so the switching transistor 217 is non-conductive. Therefore, no charging current is applied to the capacitor 223, and the transistor 22
9 and 231 are both non-conductive. Therefore, capacitors 223 and 235 are disconnected from the ground, and the above-mentioned high frequency component reduction operation is not performed.

車載型FM受信機の場合には、上述のマルチパ
ス歪は、車の速度に比例して瞬間に変動する。し
たがつて、歪がない状態からある状態への変化に
対しては即応性が要求され、逆に歪がある状態か
らない状態への変化に対しては遅延特性が要性さ
れる。これは、自然に復帰させる必要があるから
である。すなわち、歪がある状態からない状態に
変化するとき、それに即応して高域低減を解除す
ると、低周波増幅器19および21に入力される
信号が瞬間的に増大されることになり、それは却
つて聴感上耳障りな雑音となるのである。したが
つて、この実施例では、コンデンサ223の充電
経路の充電時定数と放電経路の放電時定数とを違
え、その充放電特性を第5図に示すように設定し
ている。そのために、歪が発生するとすぐ雑音お
よび歪の聴感に対する影響を軽減するように動作
し、復調信号に歪が含まれない状態に変化すると
きには、遅延時間をもたせて自然に復帰させるこ
ととし、これら付加的な回路による聴感上の違和
感はほとんど生じないようにされている。
In the case of a vehicle-mounted FM receiver, the multipath distortion described above varies instantaneously in proportion to the speed of the vehicle. Therefore, immediate response is required for a change from a state with no distortion to a state, and conversely, delay characteristics are required for a change from a state with distortion to a state without distortion. This is because it needs to be restored naturally. In other words, when the state changes from a state with distortion to a state without distortion, if the high frequency reduction is immediately canceled in response, the signals input to the low frequency amplifiers 19 and 21 will be instantaneously increased, which is rather This results in audibly unpleasant noise. Therefore, in this embodiment, the charging time constant of the charging path of the capacitor 223 and the discharging time constant of the discharging path are different, and the charging and discharging characteristics are set as shown in FIG. To this end, as soon as distortion occurs, it operates to reduce the effects of noise and distortion on the sense of hearing, and when the demodulated signal changes to a state where no distortion is included, it is set to return naturally with a delay time. The additional circuit is designed to cause almost no audible discomfort.

次に、第6図を参照して、この回路に設けられ
ているハイパスフイルタ95の出力レベルの大小
(これは歪の大小に相関することは前に述べたと
おりである)によつて、低周波増幅器19および
21に入力される低周波信号がどのように高域低
減効果を与えられるのかについて説明する。
Next, referring to FIG. 6, depending on the magnitude of the output level of the high-pass filter 95 provided in this circuit (as mentioned earlier, this is correlated with the magnitude of distortion), A description will be given of how the low frequency signals input to the frequency amplifiers 19 and 21 are given a high frequency reduction effect.

まず、低周波信号の高域低減効果は、RA(=低
周波信号の可変抵抗器15または17と接地間の
インピーダンス)、RB(=トランジスタ229お
よび231のエミツタ−コレクタ間インピーダン
ス)ならびにCA(=コンデンサ233および23
5の容量値)によつて、変化することになる。
First, the high frequency reduction effect of low frequency signals is R A (=impedance between the low frequency signal variable resistor 15 or 17 and ground), R B (=emitter-collector impedance of transistors 229 and 231), and C A (= capacitors 233 and 23
5).

第1図において、インピーダンスRAにインピ
ーダンスRB+(1/jωCA)のインピーダンスが並
列に接続され、インピーダンスRBが値RaからRb
まで変化したとする。但し、値Raはトランジス
タ229および231が完全に不導通の状態のと
きすなわち歪が全くない状態のときインピーダン
スとする。また、値Rbはトランジスタ229お
よび231が完全に導通したときのインピーダン
スとする。
In Figure 1, an impedance of impedance R B + (1/jωC A ) is connected in parallel to impedance R A , and impedance R B changes from the value Ra to Rb
Suppose that it has changed to. However, the value Ra is the impedance when the transistors 229 and 231 are completely non-conductive, that is, when there is no distortion at all. Further, the value Rb is the impedance when the transistors 229 and 231 are completely conductive.

トランジスタ229および231が完全に不導
通では、インピーダンスRAは、ステレオ復調回
路11の出力インピーダンス、可変抵抗器15お
よび17のインピーダンスならびに可変抵抗器1
3のインピーダンス等が並列に接続された値であ
り、数kΩである。一方、上述の値Raは数100k
Ωである。したがつて、インピーダンスRAとイ
ンピーダンスRa+(1/jωCA)を並列接続した
ときの総合インピーダンスZは、インピーダンス
RAとほぼ等しくなる。すなわち、この場合(ト
ランジスタ229および231が完全に不導通の
状態の場合)には、低周波信号の高域低減効果は
達成されないこととなり、低周波信号の周波数特
性は、第6図の線Cで示すようになる。
When transistors 229 and 231 are completely non-conductive, impedance R A is the output impedance of stereo demodulation circuit 11, the impedance of variable resistors 15 and 17, and variable resistor 1.
This value is obtained by connecting three impedances in parallel, and is several kΩ. On the other hand, the value Ra mentioned above is several 100k
It is Ω. Therefore, the total impedance Z when impedance R A and impedance Ra + (1/jωC A ) are connected in parallel is the impedance
R is almost equal to A. That is, in this case (when transistors 229 and 231 are completely non-conducting), the effect of reducing the high frequency range of the low frequency signal is not achieved, and the frequency characteristic of the low frequency signal is as shown by line C in FIG. It will be shown as follows.

次に、トランジスタ229および231が完全
に導通したときには、総合インピーダンスZは、
次式(2)で表わされる。
Next, when transistors 229 and 231 are completely conductive, the total impedance Z is
It is expressed by the following equation (2).

Z=RA(Rb+(1/jωCA))/RA+(Rb+(1/jω
CA))……(2) トランジスタ229および231が完全に導通
しているということは、上記値Rbが零に近いと
いうことであり、この(2)式は近似的に次式(2′)
で表わされる。
Z=R A (Rb+(1/jωC A ))/R A +(Rb+(1/jω
C A ))...(2) The fact that the transistors 229 and 231 are completely conductive means that the above value Rb is close to zero, and this equation (2) can be approximated by the following equation (2' )
It is expressed as

Z=RA/(jωCA)/RA+(1/jωCA)……(2)
′ よつて、低周波信号の高域低減効果は次式(3)で
表わされる。
Z=R A /(jωC A )/R A +(1/jωC A )……(2)
′ Therefore, the high frequency reduction effect of a low frequency signal is expressed by the following equation (3).

減衰量=20log(RA/Z)〔dB〕 ……(3) この(3)式において、総合インピーダンスZは周
波数fの関数であり、したがつて任意の周波数f
における減衰量がわかる。そして、スイツチング
トランジスタ229および231が完全に導通し
た状態のときの高域低減効果は、第6図の線Fで
示される。なお、線Fより以上に高域減衰量を大
きくしたいときは、コンデンサ233および23
5の容量値CAを大きくすればよい。この第6図
で示すように、歪が全くない状態では、線Cで示
す通常の周波数特性であり、歪が増えるに従つ
て、インピーダンスRBがだんだん小さくなり、
線D、線Eまたは線Fのように周波数特性が変化
する。
Attenuation = 20log (R A /Z) [dB] ...(3) In this equation (3), the total impedance Z is a function of the frequency f, so at any frequency f
The amount of attenuation at is known. The high frequency reduction effect when switching transistors 229 and 231 are completely conductive is shown by line F in FIG. Note that if you want to increase the high-frequency attenuation amount beyond line F, use capacitors 233 and 23.
The capacitance value C A of No. 5 may be increased. As shown in Fig. 6, when there is no distortion, the frequency characteristic is normal as shown by line C, and as the distortion increases, impedance R B gradually decreases.
The frequency characteristics change as shown by line D, line E, or line F.

なお、第1図の実施例において、雑音および歪
に対する感度調整は、トランジスタ203の増幅
利得を適宜調整することにより設定できる。
In the embodiment shown in FIG. 1, sensitivity adjustment to noise and distortion can be set by appropriately adjusting the amplification gain of the transistor 203.

次に、スイツチングトランジスタ205の作用
について説明する。トランジスタ205は、誤動
作防止のために設けられたものである。
Next, the operation of switching transistor 205 will be explained. Transistor 205 is provided to prevent malfunction.

第7図は、アンテナ3の入力レベルとハイパス
フイルタ98の出力レベルおよびレベル検波器7
5の出力レベルを示すグラフである。第7図にお
いて、線Gがハイパスフイルタ95の出力レベル
を示し、線Hがレベル検波器75の出力レベルを
表わす。線Gからわかるように、アンテナが小さ
くなるとホワイトノイズが増大する。そして、ホ
ワイトノイズはハイパスフイルタ95を通過する
に十分な高周波レベルを含むので、もし第1図に
示すスイツチングトランジスタ205がないと仮
定した場合には、アンテナ入力が小さいときまた
は無信号時にもトランジスタ229および231
が導通状態となつて、高域低減動作が行なわれ
る。したがつて、この実施例では、アンテナ入力
が或るレベル以上になつて初めてスイツチングト
ランジスタ205が導通し、トランジスタ203
かつしたがつてトランジスタ217が能動化され
るようにしている。
FIG. 7 shows the input level of the antenna 3, the output level of the high-pass filter 98, and the level detector 7.
5 is a graph showing the output level of No. 5. In FIG. 7, line G represents the output level of high-pass filter 95, and line H represents the output level of level detector 75. As can be seen from line G, white noise increases as the antenna becomes smaller. Since the white noise contains a high frequency level high enough to pass through the high pass filter 95, if it is assumed that the switching transistor 205 shown in FIG. 229 and 231
becomes conductive, and a high frequency reduction operation is performed. Therefore, in this embodiment, switching transistor 205 becomes conductive and transistor 203 becomes conductive only when the antenna input exceeds a certain level.
Thus, transistor 217 is activated.

第8図は、線205aすなわちトランジスタ2
05bのベース電圧に対するトランジスタ203
のコレクタ電流特性および利得特性を示す。第8
図において、線が電流特性、線Jが利得特性を
示す。この実施例では、トランジスタ203は、
第8図の線Jで示すように、トランジスタ205
のベース電圧が0.4V付近で導通開始され、0.6V
付近で完全に導通状態となる。したがつて、第7
図の線Hで示すレベル検波器75の出力レベルに
基づいて任意のアンテナ入力レベルを選び、この
任意の点たとえばそれを点Kとし、ベース電圧が
この点K以上になるとスイツチングトランジスタ
205が導通するように、第1図の抵抗7bおよ
び7cの値を選べばよい。そうすれば、任意のア
ンテナ入力レベル以上たとえばK点以上のとき初
めてトランジスタ203かつしたがつてトランジ
スタ217が能動化されることになる。
FIG. 8 shows line 205a or transistor 2.
Transistor 203 for base voltage of 05b
The collector current characteristics and gain characteristics of 8th
In the figure, the line shows the current characteristics, and the line J shows the gain characteristics. In this example, transistor 203 is
As shown by line J in FIG.
The base voltage starts to conduct around 0.4V, and the voltage decreases to 0.6V.
It becomes completely conductive in the vicinity. Therefore, the seventh
An arbitrary antenna input level is selected based on the output level of the level detector 75 shown by line H in the figure, and this arbitrary point is set as a point K. When the base voltage becomes higher than this point K, the switching transistor 205 becomes conductive. The values of the resistors 7b and 7c shown in FIG. 1 may be selected so as to achieve the desired result. In this way, transistor 203 and therefore transistor 217 will only be activated when the antenna input level is higher than or equal to an arbitrary antenna input level, for example, higher than point K.

なお、スイツチングトランジスタ205に関連
する回路は、必要でない場合もある。すなわち、
弱電界地域のレイレイ分布に従つた電界強度の変
動に起因する雑音の影響をも軽減しようとすれ
ば、このスイツチングトランジスタ205に関連
する回路は不要である。この場合には、第9図に
示すように、第1図のスイツチングトランジスタ
205および線205aならびに抵抗7bおよび
7cなどを除去し、トランジスタ203のエミツ
タを直接抵抗あるいはコンデンサを介して接地す
ればよい。
Note that the circuit related to the switching transistor 205 may not be necessary. That is,
If the influence of noise caused by fluctuations in electric field strength according to the Ray-Ray distribution in weak electric field regions is to be reduced, the circuit related to the switching transistor 205 is unnecessary. In this case, as shown in FIG. 9, switching transistor 205, line 205a, resistors 7b and 7c, etc. in FIG. 1 may be removed, and the emitter of transistor 203 may be directly grounded via a resistor or capacitor. .

弱電界地域の電界強度は、先に説明したよう
に、レイレイ分布に従つている。このため、この
地域を走行する車両に搭載されたFM受信機のア
ンテナ入力レベルはその分布に従つて変動し、そ
の変動のたびに雑音が発生する。このため、この
レイレイ分布による雑音が発生するアンテナ入力
レベル以下で、低周波信号の高周波成分低減動作
のための回路を動作させると、このようなレイレ
イ分布による電界強度の変動に基づく雑音が生じ
ても、その雑音の影響が軽減され、聴感上違和感
が少なく受信できる。たとえば、第7図の点Kの
アンテナ入力レベル以下で、そのレイレイ分布に
よる雑音の影響が発生し始めるとすれば、この点
Kでトランジスタ217が導通するように、トラ
ンジスタ203のバイアス設定を行なえばよい。
そうすれば、この点K以下のアンテナ入力レベル
では、レイレイ分布による雑音が生じても、コン
デンサ233および235によつてその高域が低
減されるため、その影響は非常に少なくなる。ま
た、これはアンテナ入力レベルが低いほど、大き
な効果を発揮する。アンテナ入力レベルが低いほ
どホワイトノイズつまりハイパスフイルタ98の
出力が大きくなるからである。
As explained above, the electric field strength in the weak electric field region follows the Rayleigh distribution. For this reason, the antenna input level of the FM receiver mounted on vehicles traveling in this area fluctuates according to its distribution, and noise is generated each time this fluctuation occurs. Therefore, if a circuit for reducing the high frequency components of a low frequency signal is operated below the antenna input level at which noise due to this Rayray distribution occurs, noise will occur due to fluctuations in electric field strength due to this Rayray distribution. However, the influence of the noise is reduced, and reception is possible with less audible discomfort. For example, if the noise effect due to the Ray-Ray distribution begins to occur below the antenna input level at point K in FIG. good.
Then, at an antenna input level below this point K, even if noise due to Ray-Ray distribution occurs, its high frequency is reduced by capacitors 233 and 235, so its influence becomes extremely small. Moreover, this effect is more effective as the antenna input level is lower. This is because the lower the antenna input level, the greater the white noise, that is, the output of the high-pass filter 98.

この第9図に示すように、上述した実施例回路
(第1図の回路)におけるスイツチングトランジ
スタ205に関連する回路を除去した実施例によ
れば、弱電界地域ではレイレイ分布に基づく電界
強度の変動による雑音の大きさおよびアンテナ入
力レベルが或る程度下がつたときのホワイトノイ
ズの大きさを、また中電界地域ではマルチパス妨
害を受けてその合成波が雑音と歪とを伴つている
ときのこの歪と雑音の大きさを、それぞれ、正確
にかつ自動的に検出し、それぞれのホワイトノイ
ズ、雑音または歪等の大きさに応じた高域低減動
作を行なえる。したがつて、このような場合に、
聴取者に違和感を与えることはない。また、ホワ
イトノイズ、雑音または歪の大きさが小さくなれ
ば、自然にその高域低減効果が解除され、かつ自
然に復帰するので、良好な雑音および歪軽減回路
が得られる。
As shown in FIG. 9, according to the embodiment in which the circuit related to the switching transistor 205 in the circuit of the embodiment described above (the circuit in FIG. 1) is removed, the electric field strength is reduced based on the Ray-Ray distribution in weak electric field regions. The magnitude of noise due to fluctuations and the magnitude of white noise when the antenna input level drops to a certain extent, and when the composite wave is accompanied by noise and distortion due to multipath interference in medium electric field regions. The magnitude of this distortion and noise can be detected accurately and automatically, and a high frequency reduction operation can be performed according to the magnitude of each white noise, noise, distortion, etc. Therefore, in such a case,
It does not make the listener feel uncomfortable. Moreover, if the magnitude of white noise, noise, or distortion is reduced, the high-frequency reduction effect is naturally canceled and restored naturally, so that a good noise and distortion reduction circuit can be obtained.

[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、マルチパス
歪に基づく受信信号中の雑音や歪の影響が軽減さ
れ、良好な受信状態が得られるFM受信機を提供
することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to provide an FM receiver in which the influence of noise and distortion in a received signal due to multipath distortion is reduced and a good reception condition can be obtained. .

また、電界強度の変動による雑音をも併せて軽
減できるFM受信機とすることができる。
Further, it is possible to provide an FM receiver that can also reduce noise caused by fluctuations in electric field strength.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図で
ある。第2図は、第1図におけるIF増幅/復調
回路7を詳細に示すブロツク図である。第3図
は、第1図におけるパルス性雑音除去回路9を詳
細に示すブロツク図である。第4図は、ハイパス
フイルタ95の特性を示すグラフであり、横軸に
周波数、縦軸に減衰量を示す。第5図は、コンデ
ンサ223の充放電特性を示すグラフであり、横
軸に時間、縦軸にその端子電圧を示し、線Aが充
電特性、線Bが放電特性を示す。第6図は、第1
図の実施例による高域低減効果を説明するための
グラフであり、横軸に周波数、縦軸に減衰量を示
し、線Cが雑音ないし歪がほとんどないときを示
し、線D,EおよびFが順次雑音ないし歪が大き
くなつた場合を示す。第7図は、アンテナ入力レ
ベル(横軸)に対するハイパスフイルタ95の出
力レベルおよびレベル検波器75の出力レベルを
示すグラフであり、線Gがハイパスフイルタ95
の出力レベルを示し、線Hがレベル検波器75の
出力レベルを示す。第8図は、スイツチングトラ
ンジスタ205の作用について説明するためのグ
ラフであり、横軸にこのトランジスタ205のベ
ース電圧をとり、縦軸に電流および減衰量をと
り、線がトランジスタ203のコレクタ電流特
性を示し、線Jがトランジスタ203の利得特性
を示す。第9図は、この発明の他の実施例を示す
回路図である。 図において、1はFMステレオ受信機、3はア
ンテナ、5はFMフロントエンド、7はIF増幅/
復調回路、9はパルス性雑音除去回路、95はハ
イパスフイルタ、11はステレオ復調回路、1
9,21は低周波増幅器、23は増幅用トランジ
スタ(利得エレメント)、205,217,22
9,231はスイツチングトランジスタ、207
は倍電圧整流回路、223はコンデンサ(充放電
回路)、233,235はコンデンサ(復調出力
低減用)を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the IF amplification/demodulation circuit 7 in FIG. 1 in detail. FIG. 3 is a block diagram showing in detail the pulse noise removal circuit 9 in FIG. 1. FIG. 4 is a graph showing the characteristics of the high-pass filter 95, in which the horizontal axis shows frequency and the vertical axis shows attenuation. FIG. 5 is a graph showing the charging and discharging characteristics of the capacitor 223, with time on the horizontal axis and terminal voltage on the vertical axis, with line A showing the charging characteristics and line B showing the discharging characteristics. Figure 6 shows the first
This is a graph for explaining the high frequency reduction effect according to the embodiment shown in the figure, in which the horizontal axis shows frequency and the vertical axis shows attenuation amount, line C shows when there is almost no noise or distortion, and lines D, E, and F. shows a case where noise or distortion gradually increases. FIG. 7 is a graph showing the output level of the high-pass filter 95 and the output level of the level detector 75 with respect to the antenna input level (horizontal axis), and line G indicates the output level of the high-pass filter 95.
The line H shows the output level of the level detector 75. FIG. 8 is a graph for explaining the action of the switching transistor 205. The horizontal axis represents the base voltage of this transistor 205, the vertical axis represents the current and the amount of attenuation, and the line represents the collector current characteristics of the transistor 203. , and line J shows the gain characteristic of the transistor 203. FIG. 9 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention. In the figure, 1 is the FM stereo receiver, 3 is the antenna, 5 is the FM front end, and 7 is the IF amplification/
demodulation circuit; 9 is a pulse noise removal circuit; 95 is a high-pass filter; 11 is a stereo demodulation circuit;
9, 21 are low frequency amplifiers, 23 are amplification transistors (gain elements), 205, 217, 22
9,231 is a switching transistor, 207
is a voltage doubler rectifier circuit, 223 is a capacitor (charging/discharging circuit), and 233 and 235 are capacitors (for reducing demodulated output).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 アンテナと、前記アンテナによつて受信され
たFM信号を受けかつその出力に中間周波数信号
を導出するフロントエンドと、前記中間周波数信
号を受ける中間周波数信号回路と、前記中間周波
数信号回路の出力を復調する復調回路とを含む
FM受信機におけるマルチパスに起因する雑音お
よび歪の軽減回路であつて、 前記復調回路の出力成分中に含まれる雑音およ
び歪の成分だけを検出する検出手段、 充放電回路、 前記検出手段で検出された雑音および歪成分に
基づいて、前記充放電回路に充電電流を供給する
充電経路手段、および 前記充放電回路の充電電圧に応じて前記復調回
路出力の高周波成分の一部または全部を所定の割
合で低減する低減手段を備える、雑音および歪軽
減回路。 2 前記充放電回路の電荷が放電される放電経路
手段を含み、 前記放電経路手段の放電時定数は前記充電経路
手段の充電時定数に比べて大きく選ばれている、
特許請求の範囲第1項記載の雑音および歪軽減回
路。 3 前記充電経路手段は、前記検出手段の出力が
或る一定値以上のとき、前記充放電回路に充電電
流を供給する、特許請求の範囲第1項または第2
項記載の雑音および歪軽減回路。 4 前記充電経路手段は、前記検出手段出力を受
ける利得エレメントを含み、この利得エレメント
の出力に応じて前記充放電回路に充電電流を供給
する、特許請求の範囲第3項記載の雑音および歪
軽減回路。 5 前記充電経路手段は、前記利得エレメントの
出力を受ける整流回路を含み、 この整流回路の出力によつて前記充放電回路に
充電電流を供給する、特許請求の範囲第4項記載
の雑音および歪軽減回路。 6 前記検出手段は、前記復調回路出力を受ける
ハイパスフイルタを含む、特許請求の範囲第1項
ないし第5項のいずれかに記載の雑音および歪軽
減回路。 7 前記低減手段は、前記復調回路出力に含まれ
る高周波成分を低減する高周波成分低減手段を含
む、特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれ
かに記載の雑音および歪軽減回路。 8 前記高周波成分低減手段は、 前記充放電回路の電圧に応じて導通または不導
通となるスイツチング素子と、 前記スイツチング素子によつて前記復調回路出
力と接地との間に選択的に接続されるコンデンサ
とを含む、特許請求の範囲第7項記載の雑音およ
び歪軽減回路。 9 前記FM受信機は、ステレオ受信機として構
成され、 前記復調回路はステレオ復調回路を含み、 前記低減手段は前記ステレオの左信号経路およ
び右信号経路のそれぞれに設けられる、特許請求
の範囲第1項ないし第8項のいずれかに記載の雑
音および歪軽減回路。
[Claims] 1. An antenna, a front end that receives an FM signal received by the antenna and derives an intermediate frequency signal at its output, an intermediate frequency signal circuit that receives the intermediate frequency signal, and an intermediate frequency signal circuit that receives the intermediate frequency signal; and a demodulation circuit that demodulates the output of the frequency signal circuit.
A circuit for reducing noise and distortion caused by multipath in an FM receiver, comprising: a detection means for detecting only noise and distortion components included in the output component of the demodulation circuit; a charging/discharging circuit; charging path means for supplying a charging current to the charging/discharging circuit based on the noise and distortion components generated by the charging/discharging circuit; Noise and distortion reduction circuit comprising a reduction means for reducing the percentage. 2. includes a discharging path means through which the electric charge of the charging/discharging circuit is discharged, and a discharging time constant of the discharging path means is selected to be larger than a charging time constant of the charging path means;
A noise and distortion reduction circuit according to claim 1. 3. The charging path means supplies a charging current to the charging/discharging circuit when the output of the detecting means is a certain value or more.
Noise and distortion reduction circuit as described in Section. 4. The noise and distortion reduction according to claim 3, wherein the charging path means includes a gain element receiving the output of the detection means, and supplies charging current to the charging/discharging circuit according to the output of the gain element. circuit. 5. The noise and distortion according to claim 4, wherein the charging path means includes a rectifier circuit receiving the output of the gain element, and the output of the rectifier circuit supplies charging current to the charging/discharging circuit. mitigation circuit. 6. The noise and distortion reduction circuit according to any one of claims 1 to 5, wherein the detection means includes a high-pass filter that receives the output of the demodulation circuit. 7. The noise and distortion reduction circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein the reduction means includes a high frequency component reduction means for reducing high frequency components included in the output of the demodulation circuit. 8. The high-frequency component reducing means includes: a switching element that becomes conductive or non-conductive depending on the voltage of the charge/discharge circuit; and a capacitor selectively connected between the demodulation circuit output and ground by the switching element. 8. The noise and distortion reduction circuit according to claim 7, comprising: 9. The FM receiver is configured as a stereo receiver, the demodulation circuit includes a stereo demodulation circuit, and the reduction means is provided in each of the left signal path and the right signal path of the stereo. 9. The noise and distortion reduction circuit according to any one of Items 8 to 9.
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