JPS6364112U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6364112U JPS6364112U JP15741186U JP15741186U JPS6364112U JP S6364112 U JPS6364112 U JP S6364112U JP 15741186 U JP15741186 U JP 15741186U JP 15741186 U JP15741186 U JP 15741186U JP S6364112 U JPS6364112 U JP S6364112U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- pair
- series
- attenuation circuits
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
第１図は本考案のダイオード可変減衰器の一実
施例を示す回路図、第２図は従来のダイオード可
変減衰器の一例を示す回路図である。 １……抵抗回路、２……入力端子、３……出力
端子、４，５，６，７……ダイオード減衰回路、
９，１０……バイアス供給端子、１１，１２……
バイアス回路、４１，４２，５１，５２，６１，
６２，７１，７２……ダイオード、４３，６３…
…ＤＣカツトコンデンサ。
施例を示す回路図、第２図は従来のダイオード可
変減衰器の一例を示す回路図である。 １……抵抗回路、２……入力端子、３……出力
端子、４，５，６，７……ダイオード減衰回路、
９，１０……バイアス供給端子、１１，１２……
バイアス回路、４１，４２，５１，５２，６１，
６２，７１，７２……ダイオード、４３，６３…
…ＤＣカツトコンデンサ。
Claims (1)
- 少なくとも入力端子及び出力端子間に直列に接
続された一対の抵抗を有する抵抗回路に、第１及
び第２のダイオード減衰回路と、これらダイオー
ド減衰回路に夫々バイアスを加える第１及び第２
のバイアス回路とを接続してなるダイオード可変
減衰器において、前記第１のダイオード減衰回路
は、極性を向かい合わせて直列に接続される一対
のダイオードを前記抵抗回路の各抵抗の間と接地
との間に接続し、前記第２のダイオード減衰回路
は、極性を向かい合わせて直列に接続される一対
のダイオードを前記抵抗回路の入力端子及び出力
端子間に接続し、前記第１及び第２のバイアス回
路は夫々前記第１及び第２のダイオード減衰回路
の一対のダイオード間に各々バイアスを供給し得
るように構成したことを特徴とするダイオード可
変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15741186U JPS6364112U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15741186U JPS6364112U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364112U true JPS6364112U (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=31079933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15741186U Pending JPS6364112U (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364112U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11690245B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP15741186U patent/JPS6364112U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11690245B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module |
| US12004369B2 (en) | 2009-05-21 | 2024-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |