JPS6362708A - Breaking device for semiconductor wafer - Google Patents
Breaking device for semiconductor waferInfo
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- JPS6362708A JPS6362708A JP61208414A JP20841486A JPS6362708A JP S6362708 A JPS6362708 A JP S6362708A JP 61208414 A JP61208414 A JP 61208414A JP 20841486 A JP20841486 A JP 20841486A JP S6362708 A JPS6362708 A JP S6362708A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体末子の製造工程における半導体ウェ
ハのブレーク装置に関し、さらに詳しくは、半導体素子
の製造工程において、スクライブされた半導体ウェハを
ブレークさせるためのブレ一り装置の改良に係るもので
ある。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a device for breaking a semiconductor wafer in the manufacturing process of semiconductor chips, and more specifically, a device for breaking a scribed semiconductor wafer in the manufacturing process of semiconductor elements. This invention relates to an improvement of a blurring device for
従来例によるこの種の半導体ウェハのブレーク装置の一
例を第3図に示す。An example of a conventional semiconductor wafer breaking device of this type is shown in FIG.
すなわち、この第3図従来例構成において、符号lはブ
レーク作動用のエアシリンダであり、2はこのエアシリ
ンダ1の作動ピストン先端に、引張りバネ3,3を介し
て引張り状態に保持させた燐青銅板などの板バネによる
ブレーク操作のためのブレーク板マある。また、4はス
クライブされた゛ト導体ウェハ5を、半円弧状の受止面
4aに受止し得るようにしたブレーク台である。In other words, in the conventional configuration shown in FIG. 3, reference numeral 1 is an air cylinder for brake operation, and 2 is a phosphorus cylinder held at the tip of the operating piston of this air cylinder 1 in a tensioned state via tension springs 3, 3. There is a break plate ma for the break operation using a plate spring such as a bronze plate. Further, reference numeral 4 denotes a break stand capable of receiving a scribed conductive wafer 5 on a semicircular arc-shaped receiving surface 4a.
従って、この従来例装置の場合、ブレーク台4の半円弧
状の受Iヒ面4a上に受止されるスクライブされた半導
体ウェハ5は、エア作動シリンダ1の作動に伴ない、ブ
レーク板3によって押圧され、そのスクライブラインに
沿って分割されるのであり、このとき、ブレーク板3は
、引張りバネ3.3による引張り力によって、常に変形
、たわみなどを生ずることのないように維持される。Therefore, in the case of this conventional apparatus, the scribed semiconductor wafer 5 received on the semicircular arc-shaped receiving surface 4a of the break table 4 is moved by the break plate 3 as the air-operated cylinder 1 operates. The break plate 3 is pressed and divided along the scribe line, and at this time, the break plate 3 is always maintained so as not to be deformed or deflected by the tensile force of the tension spring 3.3.
しかしながら、このように操作される従来例での半導体
ウェハのブレーク装置によるときは、ブレーク作動時に
あって、半導体ウェハの表面を硬度の高いブレーク板3
によって押圧するようにしているために、同ブレーク板
3が接するウニI\表面に異物9例えばシリコン屑など
が付着されていると、その表面能動領域を損傷すること
があり、このブレーク工程で半導体素子を不良品にする
と云う問題点があった。However, when using the conventional semiconductor wafer breaking device operated in this manner, the surface of the semiconductor wafer is touched by the hard break plate 3 during the breaking operation.
Therefore, if foreign matter 9, such as silicon chips, is attached to the surface of the sea urchin I\ that the break plate 3 contacts, the active area of the surface may be damaged. There was a problem in that the device was made into a defective product.
この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであり、その目的とするところは、たとえ半
導体ウェハの表面に異物が介在されているときでも、同
表面に損傷を与えずにウェハのブレークを行ない得るよ
うにした。この種の半導体ウェハのブレーク装置を提供
することである。This invention was made to solve these conventional problems, and its purpose is to prevent damage to the surface of a semiconductor wafer even when foreign matter is present on the surface of the semiconductor wafer. The wafer can now be broken. It is an object of the present invention to provide this type of semiconductor wafer breaking device.
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体ウェ
ハのブレーク装置は、ブレーク操作のための構成として
、所定流体圧により保持された比較的柔軟な弾性ブレー
ク膜を有する加圧台と、円弧状面を有する受11−.作
動部材と、これらの少なくとも何れか一方を加圧作動さ
せる作動シリンダとを組合せて用い1弾性ブレーク膜に
半導体ウェハの表面を接した状態で、円弧状面によって
所期の半導体ウェハのブレークをなし得るようにしたも
のである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the semiconductor wafer breaking device according to the present invention includes a relatively flexible elastic break held by a predetermined fluid pressure as a configuration for breaking operation. A pressure table having a membrane and a receiver 11-. having an arcuate surface. Using a combination of an actuating member and an actuating cylinder that pressurizes at least one of these, the semiconductor wafer is broken in a desired manner by an arcuate surface while the surface of the semiconductor wafer is in contact with one elastic break membrane. It was designed to be obtained.
すなわち、この発明では、スクライブされた半導体ウェ
ハの表面に接するブレーク部材を、加圧可能な流体圧に
より保持された比較的柔軟な弾性ブレーク膜としである
ため、ブレーク操作に際しては、半導体ウェハ表面の全
面を可及的均等に加圧できて、同表面にたとえ異物が介
在されていても、異物自体への加圧力を小さくし得て、
この異物の介在に起因する表面の損傷を効果的に防止で
きるのである。That is, in this invention, the break member in contact with the surface of the scribed semiconductor wafer is a relatively flexible elastic break membrane held by pressurizable fluid pressure, so during the breaking operation, the break member in contact with the surface of the semiconductor wafer is The entire surface can be pressurized as evenly as possible, and even if there is a foreign object on the same surface, the pressure applied to the foreign object itself can be reduced,
Damage to the surface caused by the presence of foreign matter can be effectively prevented.
以下、この発明に係る半導体ウェハのブレーク装置の実
施例につき、第1図および第2図を参照して詳細に説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a semiconductor wafer breaking device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
第1図はこの発明の第1実施例装置の[要を模式的に示
した断面構成図である。FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram schematically showing the main points of a device according to a first embodiment of the present invention.
すなわち、この第1図に示す第1実施例装置において、
符号11はブレーク作動用のエアシリンダであり、12
はこのエア作動シリンダ11の作動ピストン先端に設け
られる加圧板である。また、13はブレーク面部に比較
的柔軟な1例えばシリコンゴムなどからなる弾性ブレー
ク膜14を配し、かつ内部に加圧流体15を封じ込めた
加圧台であって、その−面に前記加圧板12を接圧させ
ると共に、非操作状態で加圧流体15の圧力を一定に保
持するために、2ml圧バルブ!6および圧力ゲージ1
7を有している。さらに、18は半円弧状の受止面18
aを前記弾性ブレークWi14に対向配置させ、かつ従
来例の場合と同様に、この半円弧状の受+h面18aに
スクライブされた半導体ウェハ13を受止し得るように
したブレーク台である。That is, in the first embodiment device shown in FIG.
Reference numeral 11 is an air cylinder for brake operation, and 12
is a pressure plate provided at the tip of the operating piston of the air operating cylinder 11. Reference numeral 13 denotes a pressurizing table which has an elastic break membrane 14 made of a relatively flexible material such as silicone rubber on its break surface, and has a pressurized fluid 15 sealed therein, and has the pressurizing plate on its negative side. 12 and to keep the pressure of the pressurized fluid 15 constant in the non-operated state, a 2ml pressure valve! 6 and pressure gauge 1
7. Furthermore, 18 is a semicircular arc shaped receiving surface 18.
This is a break stand which is arranged to face the elastic break Wi14 and is capable of receiving the semiconductor wafer 13 scribed on the semicircular arc-shaped receiving surface 18a, as in the conventional example.
従って、この第1実施例構成の場合、ブレーク台!8の
′1′−円弧状の受11二面18a上に受市されるスク
ライブされた半導体ウェハ19は、エア作動シリンダ1
1の作動により、まず、加圧台13自体が移動されて、
その弾性ブレーク膜14を半導体ウェハ19の表面に接
圧させると共に、続いて、加圧板12による加圧台13
への加圧がなされる。Therefore, in the case of the configuration of this first embodiment, the brake stand! 8'1' - The scribed semiconductor wafer 19 received on the two surfaces 18a of the arcuate receiver 11 is placed in the air-operated cylinder 1.
1, the pressurizing table 13 itself is moved,
The elastic break film 14 is brought into contact with the surface of the semiconductor wafer 19, and then the pressure plate 12 is applied to the pressure table 13.
Pressure is applied.
そして、この加圧台13への加圧は、加圧流体15を介
して弾性ブレーク膜!4に抑圧作用を生じさせて、この
弾性ブレーク11914によって半導体ウェハ19表面
への全面に亘る均等な加圧がなされることになり、これ
によって、半導体ウェハ19をスクライブラインに沿い
良好かつ効果的に分割させ得るもので、このとき、半導
体ウェハlBに加えられるブレーク圧は、加圧流体15
に対する調圧バルブ18の調整により、ウェハ表面に損
傷を与えない圧力範囲内に保持されるのである。Pressure is applied to this pressure table 13 via an elastic break membrane via pressurized fluid 15. 4, the elastic break 11914 applies pressure evenly over the entire surface of the semiconductor wafer 19, thereby effectively and effectively pressing the semiconductor wafer 19 along the scribe line. At this time, the break pressure applied to the semiconductor wafer 1B is equal to the pressure fluid 15.
By adjusting the pressure regulating valve 18, the pressure is maintained within a pressure range that does not damage the wafer surface.
次に、第2図に示す第2実施例は、前記エア作動シリン
ダ11の作動ピストン先端に、前記ブレーク台18に代
わる回動自在な円板状のブレーク部材20を設けると共
に、前記加圧台13の弾性ブレーク膜14上に、スクラ
イブされた半導体ウェハ19の表面側を受止させておき
、この半導体ウェハ18の裏面側に前記ブレーク部材2
0の円周ブレーク部20aを押付けて転動させることに
よって、半導体ウェハ18をスクライブラインに沿い分
割させ得るもので、こ−でも前記第1実施例とはC同様
な作用。Next, in the second embodiment shown in FIG. 2, a rotatable disc-shaped break member 20 is provided at the tip of the actuating piston of the air actuating cylinder 11 in place of the break stand 18, and the pressure stand The front side of the scribed semiconductor wafer 19 is received on the elastic break film 14 of No. 13, and the break member 2 is placed on the back side of the semiconductor wafer 18.
By pressing and rolling the circumferential break portion 20a of 0, the semiconductor wafer 18 can be divided along the scribe line, and this operation is similar to that of the first embodiment.
効果を奏し得るのである。It can be effective.
以上詳述したように、この発明によるときは、所定流体
圧により保持された比較的柔軟な弾性ブレーク膜を有す
る加圧台と、円弧状面を有する受止2作動部材と、これ
らの少なくとも何れか一方を加圧作動させる作動シリン
ダとによって構成され、弾性ブレーク膜に半導体ウェハ
の表面を接した状態で、円弧状面による押圧作動によっ
て、所期の半導体ウェハのブレークをなし得るようにし
たから、ブレーク操作に際して、半導体ウェハ表面の全
面を可及的均等に加圧できて、同表面にたとえ異物など
が介在されていても、異物自体への加圧力を小さく抑制
でき、このような異物の介在に起因するウェハ表面の損
傷を効果的に防止できるのであり、しかも構造的にも比
較的簡単で容易に実施し得るなどの優れた特長がある。As detailed above, according to the present invention, at least one of the pressurizing table having a relatively flexible elastic break membrane held by a predetermined fluid pressure, the receiver 2 actuating member having an arcuate surface, and This is because the semiconductor wafer can be broken as desired by pressing the arcuate surface with the surface of the semiconductor wafer in contact with the elastic break membrane. During the break operation, the entire surface of the semiconductor wafer can be pressurized as uniformly as possible, and even if there is a foreign object on the same surface, the pressure applied to the foreign object itself can be suppressed to a small level. It has excellent features such as being able to effectively prevent damage to the wafer surface due to interference, and being relatively simple in structure and easy to implement.
第1図および第2図はこの発明に係る半導体ウェハのブ
レーク装置の第1および第2実施例の概要を模式的に示
したそれぞれ断面構成図であり。
また第3図は同上従来例によるブレーク装置の概要を模
式的に示した断面構成図である。
エト・・・エア作動シリンダ、12・・・・加圧板、1
3・・・・加圧台、14・・・・弾性ブレーク膜、15
・・・・加圧流体、16・・・・調圧パルプ、 18・
・・・ブレーク台(受止部材) 、18a・・・・受I
F面(円弧状面)、18・・・・半導体ウェハ、20・
・・・ブレーク部材(作動部材)、20a・・・・円I
SIブレーク面(円弧状面)。
代理人 大 岩 増 雄
第1図
11 :エアイ筆會カシ リ 〉ダ。
12 :3口1辷淳巨
16 :謂ILバ1し7゛。
19+牛嬶体ウニハ
第2図
属3図FIGS. 1 and 2 are cross-sectional configuration diagrams schematically showing first and second embodiments of a semiconductor wafer breaking device according to the present invention, respectively. Further, FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram schematically showing the outline of the breaking device according to the conventional example. Et...Air actuated cylinder, 12...Pressure plate, 1
3... Pressure table, 14... Elastic break membrane, 15
... Pressurized fluid, 16 ... Pressure regulating pulp, 18.
...Break stand (receiving member), 18a...Receiver I
F-plane (arc-shaped surface), 18... semiconductor wafer, 20...
...Break member (operating member), 20a...Circle I
SI break surface (arc shaped surface). Agent Masuo Oiwa Figure 1 11: Airi Fudekai Kashiri 〉da. 12: 3 mouths, 1 stroke, 16: So-called IL bar 1 and 7゛. 19+Cow's body Urchinha Fig. 2 Genus 3 Fig.
Claims (1)
して、内部に所定圧力の加圧流体を封じ込めた加圧台と
、円弧状面を有する受止、作動部材とを設けると共に、
前記加圧台あるいは受止、作動部材の少なくとも何れか
一方を、作動シリンダにより加圧作動し得るようにさせ
、これらの加圧台の弾性ブレーク膜と、受止、作動部材
の円弧状面との一方に受止させた半導体ウェハを、他方
への加圧作動により、ブレークさせるようにしたことを
特徴とする半導体ウェハのブレーク装置。(1) A relatively flexible elastic break membrane is disposed on the break surface, and a pressurizing table containing a pressurized fluid at a predetermined pressure is provided inside, and a receiving and actuating member having an arcuate surface are provided;
At least one of the pressurizing table, the receiver, and the actuating member can be pressurized by an actuating cylinder, and an elastic break membrane of the pressurizing table, an arcuate surface of the receiver, and the actuating member, 1. A semiconductor wafer breaking device characterized in that a semiconductor wafer received on one side of the semiconductor wafer is broken by applying pressure to the other side.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208414A JPS6362708A (en) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Breaking device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208414A JPS6362708A (en) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Breaking device for semiconductor wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362708A true JPS6362708A (en) | 1988-03-19 |
Family
ID=16555840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61208414A Pending JPS6362708A (en) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Breaking device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362708A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011056788A (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Breaking apparatus and breaking method |
JP2016076546A (en) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | Division device |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208414A patent/JPS6362708A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011056788A (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Breaking apparatus and breaking method |
JP2016076546A (en) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | Division device |
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