JPS6362295A - プリント基板製造方法 - Google Patents
プリント基板製造方法Info
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- JPS6362295A JPS6362295A JP20578786A JP20578786A JPS6362295A JP S6362295 A JPS6362295 A JP S6362295A JP 20578786 A JP20578786 A JP 20578786A JP 20578786 A JP20578786 A JP 20578786A JP S6362295 A JPS6362295 A JP S6362295A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 150000002433 hydrophilic molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント基板の製造方法に関するものであり、
さらに詳しく述べるならば、電気絶縁性基板の回路形成
部分に化学的金属めりきによシ導体図形を形成するアデ
ィティツ°法によるプリント基板の製造方法に関するも
のである。
さらに詳しく述べるならば、電気絶縁性基板の回路形成
部分に化学的金属めりきによシ導体図形を形成するアデ
ィティツ°法によるプリント基板の製造方法に関するも
のである。
電気絶縁性基板に化学金属めりき法によシ導体図形を形
成する際に貴金属などの触媒性がある物質を所定部分に
付着させた後、該基板をめっき液に浸漬するアディティ
フ゛プロセスは周知である。
成する際に貴金属などの触媒性がある物質を所定部分に
付着させた後、該基板をめっき液に浸漬するアディティ
フ゛プロセスは周知である。
所望の回路形成部分に回路を形成する方法として次の二
連シの方法がある。その一つは所望図形部のみに選択的
に触媒を付着させる方法であり、他の一つは基板の全表
面に触媒を付着させたのち、所望回形部以外の触媒をレ
ジストで被覆する方法である。
連シの方法がある。その一つは所望図形部のみに選択的
に触媒を付着させる方法であり、他の一つは基板の全表
面に触媒を付着させたのち、所望回形部以外の触媒をレ
ジストで被覆する方法である。
これらの方法で製造された印刷回路では選択的触媒付着
、レジスト塗布などにも拘わらず、図形形成部分以外に
めっき金属が析出するために図形形成部分以外で電気絶
縁性が不十分になることが起る。またレジスト被膜の下
に存在する触媒のために、レジスト被膜の上にめっき金
属が析出し同様に図形形成部分以外で電気絶縁性が不十
分になることが起る。
、レジスト塗布などにも拘わらず、図形形成部分以外に
めっき金属が析出するために図形形成部分以外で電気絶
縁性が不十分になることが起る。またレジスト被膜の下
に存在する触媒のために、レジスト被膜の上にめっき金
属が析出し同様に図形形成部分以外で電気絶縁性が不十
分になることが起る。
レジスト被膜上への異常析出を防止する特公昭56−4
2154号の方法によると、無機酸水溶液によりレジス
ト上の触媒を除去すること、およびレジストに、TI
、 Nl、sbの酸化物固溶体を含有させることによっ
て、レジスト上へのめっき金属の析出を抑制するととも
にレジストを無機酸水溶液に安定にして、触媒除去を容
易にすることが提案されている。さらに、特公昭57−
4116号公報によると、触媒の付着を害する抑制剤を
含む樹脂組成物をレジストとして用い、また化学めりき
前に洗浄剤として有機酸と塩酸または有機酸と硝酸を用
いてレジスト上に付着した触媒を除去する方法が提案さ
れている。
2154号の方法によると、無機酸水溶液によりレジス
ト上の触媒を除去すること、およびレジストに、TI
、 Nl、sbの酸化物固溶体を含有させることによっ
て、レジスト上へのめっき金属の析出を抑制するととも
にレジストを無機酸水溶液に安定にして、触媒除去を容
易にすることが提案されている。さらに、特公昭57−
4116号公報によると、触媒の付着を害する抑制剤を
含む樹脂組成物をレジストとして用い、また化学めりき
前に洗浄剤として有機酸と塩酸または有機酸と硝酸を用
いてレジスト上に付着した触媒を除去する方法が提案さ
れている。
レジストなしで基板に直接ノターンを形成する方法とし
て、近紫外、赤外、紫外光による光分解、光還元などの
光化学反応を利用して、触媒金属の図形を形成し、これ
を化学めっきによシ導体ノ々ターンとすることが提案さ
れている(電子材料、第19巻、第6号、第73頁およ
び日経エレクトロニクス、1982年4月26日号)。
て、近紫外、赤外、紫外光による光分解、光還元などの
光化学反応を利用して、触媒金属の図形を形成し、これ
を化学めっきによシ導体ノ々ターンとすることが提案さ
れている(電子材料、第19巻、第6号、第73頁およ
び日経エレクトロニクス、1982年4月26日号)。
従来の触媒を選択的に付着させる方法に於いては、触媒
を所望の図形で選択的に付着させることが困難であり、
ま要因形非形成部分にレジストを形成する方法に於いて
は、触媒を付着させた後、レジストを印刷する為、−旦
乾燥を要し、流れ作業に有利で外<、また、レジスト下
に残る触媒によりて電気絶縁性が低下するといった欠点
があった。本発明は、これらの欠点を解消し、レジスト
を不要とし、触媒を選択的に付与することで、所望回路
を形成できる方法を提供することを目的とする。この目
的を解決する手段として光を利用した回路形成を採用す
るが、本発明は従来より提案されている光還元または分
解により触媒を付着させる方法とは根本的に異なる光回
路形成法に依る。
を所望の図形で選択的に付着させることが困難であり、
ま要因形非形成部分にレジストを形成する方法に於いて
は、触媒を付着させた後、レジストを印刷する為、−旦
乾燥を要し、流れ作業に有利で外<、また、レジスト下
に残る触媒によりて電気絶縁性が低下するといった欠点
があった。本発明は、これらの欠点を解消し、レジスト
を不要とし、触媒を選択的に付与することで、所望回路
を形成できる方法を提供することを目的とする。この目
的を解決する手段として光を利用した回路形成を採用す
るが、本発明は従来より提案されている光還元または分
解により触媒を付着させる方法とは根本的に異なる光回
路形成法に依る。
本発明は光によって親水性から疎水性にまたは逆に性質
が変化する物質を基板材質中に取り入れるかあるいは基
板表面に存在させ、導体図形形成部分の基材を光によっ
て疎水性から親水性に変えるか、もしくは導体非形成部
分の基板を光によって親水性から疎水性に変え、そして
基板を触媒含有媒体と接触させることにより、基板の親
水性部分に触媒を付着させることを特徴とする。
が変化する物質を基板材質中に取り入れるかあるいは基
板表面に存在させ、導体図形形成部分の基材を光によっ
て疎水性から親水性に変えるか、もしくは導体非形成部
分の基板を光によって親水性から疎水性に変え、そして
基板を触媒含有媒体と接触させることにより、基板の親
水性部分に触媒を付着させることを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、導体金属を化学めっきする触媒を基
板を選択的に親水性部分に付着させ、疎水性部分に付着
させないことによジノ臂ターンニングを行なうこと、お
よび親水性から疎水性への変化あるいはこの逆の変化を
光の選択的照射によシ行ない触媒の親和性を制御するこ
とが基本になっている。
板を選択的に親水性部分に付着させ、疎水性部分に付着
させないことによジノ臂ターンニングを行なうこと、お
よび親水性から疎水性への変化あるいはこの逆の変化を
光の選択的照射によシ行ない触媒の親和性を制御するこ
とが基本になっている。
具体的には、光応答性分子、光応答性高分子、光反応性
分子または光反応性高分子を、絶縁基板に、コーティン
グもしくは含浸あるいは基板材料の分子鎖に取りいれた
基板を使用する。
分子または光反応性高分子を、絶縁基板に、コーティン
グもしくは含浸あるいは基板材料の分子鎖に取りいれた
基板を使用する。
光応答性分子の例はスピロベンゾピランおよびアゾベン
ゼンである。スピロベンゾピランは紫外光に応答して次
式に示すように疎水性分子から親水性分子(双極イオン
形成)にまたは可視光に応答してこの逆に変化する。
ゼンである。スピロベンゾピランは紫外光に応答して次
式に示すように疎水性分子から親水性分子(双極イオン
形成)にまたは可視光に応答してこの逆に変化する。
またアゾベンゼンは紫外光に応答して次式に示すように
疎水性分子から現水性分子(双極モーメント向上)また
は可視光に応答してこの逆に変化する・ 光反応性分子の例は0−ニトロベンズアルデヒドでアシ
、紫外光に反応して親水基の生成が非可逆的に起る。
疎水性分子から現水性分子(双極モーメント向上)また
は可視光に応答してこの逆に変化する・ 光反応性分子の例は0−ニトロベンズアルデヒドでアシ
、紫外光に反応して親水基の生成が非可逆的に起る。
疎水性 親水性
上記した基板に部分的に親(疎)水性領域を作シ出す物
質は、光により親(疎)水性から疎Cり水性に光変化を
呈する物質であれば伺でもよく、また光としては紫外線
、赤外線、可視光など何でもよい。ただし、量子収率が
高いほど変化が容易であシ実用上のぞましい。
質は、光により親(疎)水性から疎Cり水性に光変化を
呈する物質であれば伺でもよく、また光としては紫外線
、赤外線、可視光など何でもよい。ただし、量子収率が
高いほど変化が容易であシ実用上のぞましい。
基板の絶縁材料としては、ニーキシ樹脂、紙フェノール
樹脂、ポリイミド樹脂などあらゆる有機質材料を用いる
ことができる。光応答性(高)分子、光反応性(高)分
子などをコーティングもしくは取り入れる前の通常の状
態では、基板は親水性もしくは疎水性であることが望ま
しい。基板が親(疎)水性の場合は親(疎)水性から疎
(親)水性に光変化を呈する物質を用いることによシ、
光の照射領域と非照射領域を反対の性質とし、微細なノ
4ターンの形成が容易になる。
樹脂、ポリイミド樹脂などあらゆる有機質材料を用いる
ことができる。光応答性(高)分子、光反応性(高)分
子などをコーティングもしくは取り入れる前の通常の状
態では、基板は親水性もしくは疎水性であることが望ま
しい。基板が親(疎)水性の場合は親(疎)水性から疎
(親)水性に光変化を呈する物質を用いることによシ、
光の照射領域と非照射領域を反対の性質とし、微細なノ
4ターンの形成が容易になる。
光を基板の所定部分に照射するにはレジストに図形をパ
ターンニングするため従来使用されていたリソグラフィ
ー手法をそのtま適用することができる。
ターンニングするため従来使用されていたリソグラフィ
ー手法をそのtま適用することができる。
化学めっきのための触媒付与は通常の方法により行なう
と、触媒は基板の親水性部分に付着するのでパターン状
に化学めっきが形成することができる。この触媒付与工
程の方法を例示すると、例えば塩化スズと塩化/JPラ
ジウムの溶液に基板を浸漬した後、酸またはアルカリに
よシ触媒を活性化する。
と、触媒は基板の親水性部分に付着するのでパターン状
に化学めっきが形成することができる。この触媒付与工
程の方法を例示すると、例えば塩化スズと塩化/JPラ
ジウムの溶液に基板を浸漬した後、酸またはアルカリに
よシ触媒を活性化する。
本発明において、レジストなしで化学めりきがパターン
状に形成されるのは、触媒はぬれ性の差により親水性の
部分にのみ付着することによる。
状に形成されるのは、触媒はぬれ性の差により親水性の
部分にのみ付着することによる。
化学めっき金属は触媒が付着した部分にのみ析出し、回
路ノ母ターンが形成される。したがって、本発明で光は
ぬれ性制御の手段として用いられている。よって、本発
明は、光還元または分解によシ触媒を部分的に形成する
公知の方法とは原理的に全く異なる。また、親水性化処
理された物質表面を基板の均一粗化に利用する技術(特
開昭60−109.298号公報)とは原理的に異なシ
、本発明はめっき用触媒の付着に利用する。
路ノ母ターンが形成される。したがって、本発明で光は
ぬれ性制御の手段として用いられている。よって、本発
明は、光還元または分解によシ触媒を部分的に形成する
公知の方法とは原理的に全く異なる。また、親水性化処
理された物質表面を基板の均一粗化に利用する技術(特
開昭60−109.298号公報)とは原理的に異なシ
、本発明はめっき用触媒の付着に利用する。
以下、さらに実施例によυ本発明の詳細な説明する。
基板材料が疎水性の場合の実施例を第1〜4図に示した
。
。
用意された基板1には光の照射により所定の変化をする
物質が予めその表面に露出するように加えられている。
物質が予めその表面に露出するように加えられている。
その方法は特に限定しないが、例えば基板1の表面だけ
にかかる物質を適用する。
にかかる物質を適用する。
又は所定の物質を基板1に含浸せしめる。又は、基板1
の材料の分子鎖の中に所定物質を取り入れる。このよう
表添加方法あるいは混合方法に限らず、基板に所定物質
を配置する方法であればいかなる方法でも使用すること
ができる。
の材料の分子鎖の中に所定物質を取り入れる。このよう
表添加方法あるいは混合方法に限らず、基板に所定物質
を配置する方法であればいかなる方法でも使用すること
ができる。
かくして用意された基板1にスルーホール1aを形成す
る穴あけをする(第1図)。スルーホール1aの壁面は
凹凸が激しく、必ず親水性となシ、触媒は付着する。親
水性表面は鎖線で図示した。
る穴あけをする(第1図)。スルーホール1aの壁面は
凹凸が激しく、必ず親水性となシ、触媒は付着する。親
水性表面は鎖線で図示した。
続いて、回路・母ターンの通シ、光を照射する(第2図
)。光の照射された部分は親水性表面1b。
)。光の照射された部分は親水性表面1b。
le、ldとなる。続いて触媒を付与すると、親水性表
面1a、lb、lc、ldにのみ触媒4が付着する。触
媒付与条件、すなわち触媒含有媒体の組成、付着時間、
温度などは従来の通常の付与条件と変わっていない。最
後に化学めりきを行なうことによって触媒付着部分に導
体5を形成する。
面1a、lb、lc、ldにのみ触媒4が付着する。触
媒付与条件、すなわち触媒含有媒体の組成、付着時間、
温度などは従来の通常の付与条件と変わっていない。最
後に化学めりきを行なうことによって触媒付着部分に導
体5を形成する。
この化学めっき条件も従来通常の条件と変わってはいな
い。
い。
基板材料が親水性の場合の実施例を第5〜8図に示した
。
。
用意された基板1にスルーホール1aを形成する穴あけ
をする(第5図)。スルーホール1mの壁面は親水性状
態を維持する。続いて、回路ノ臂ターンとは反対のパタ
ーンで光を照射する(第6図)。
をする(第5図)。スルーホール1mの壁面は親水性状
態を維持する。続いて、回路ノ臂ターンとは反対のパタ
ーンで光を照射する(第6図)。
光の照射された部分は疎水性表面(鎖線を削除した)と
なる。続いて触媒を付与すると親水性表面1aに触媒4
が付着する。最後に化学めっきを行なうことによって触
媒付着部分に導体5を形成する。
なる。続いて触媒を付与すると親水性表面1aに触媒4
が付着する。最後に化学めっきを行なうことによって触
媒付着部分に導体5を形成する。
上記した二つの実施例では化学めっきが親水性領域から
その外側に横方向に広がりファインライン化に不利であ
る。そこで横方向への化学めっきの広がシを阻止しまた
疎水−親水のコントラストの補強をするためにレジスト
を使用することができる。その実施例を第9〜13図に
示した。基板1にスルーホール1aを形成する穴あけを
行ない(第9図)、次に基板1が疎水性の場合は回路/
ぐターン非形成部に、基板1が親水性の場合は回路ノ4
ターン形成部に、レジストパターン6を配置する。この
実施例では基板の性質如何に拘わらず、レジストパター
ン6を形成する印刷工程を行なうため、ノ臂ターン形成
を現存のめつきラインの中で行外うことができる。続い
て全面に光を照射する(第11図)。レジストパターン
6外に露出された部分は親水性表面1bとなる。その後
触媒を付与すると親水性表面1a、1bにのみ触媒4が
付着する(第12図)。最後にレジストパターン6を残
したまま化学めりきを行なうことによって触媒付着部分
に導体5を形成する(第13図)。
その外側に横方向に広がりファインライン化に不利であ
る。そこで横方向への化学めっきの広がシを阻止しまた
疎水−親水のコントラストの補強をするためにレジスト
を使用することができる。その実施例を第9〜13図に
示した。基板1にスルーホール1aを形成する穴あけを
行ない(第9図)、次に基板1が疎水性の場合は回路/
ぐターン非形成部に、基板1が親水性の場合は回路ノ4
ターン形成部に、レジストパターン6を配置する。この
実施例では基板の性質如何に拘わらず、レジストパター
ン6を形成する印刷工程を行なうため、ノ臂ターン形成
を現存のめつきラインの中で行外うことができる。続い
て全面に光を照射する(第11図)。レジストパターン
6外に露出された部分は親水性表面1bとなる。その後
触媒を付与すると親水性表面1a、1bにのみ触媒4が
付着する(第12図)。最後にレジストパターン6を残
したまま化学めりきを行なうことによって触媒付着部分
に導体5を形成する(第13図)。
なお、第10〜12図の段階ではレジストパターン6を
形成せず、第11図の段階では回路形成領域のみ露光し
、触媒4の付着後第13図に示すようにレジストパター
ン水性化 この方法ではレジストパターンの形成がメツキラインと
は別のラインで行なわざるを得ないことになシ、効率的
ではない。
形成せず、第11図の段階では回路形成領域のみ露光し
、触媒4の付着後第13図に示すようにレジストパター
ン水性化 この方法ではレジストパターンの形成がメツキラインと
は別のラインで行なわざるを得ないことになシ、効率的
ではない。
本発明によると、所望部分の基板にのみ触媒がレジスト
を使用せずに付着するようになる。このためレジスト塗
布工程が省略でき、工程の簡略化が可能になる。レジス
トをめりき金属の広がりを防止するために使用すると、
ファインパターンが作成できる。なお、レジストを使用
する場合でもレジストで被覆された基板表面は疎水性に
しているからめっき用触媒がレジストで被覆されていな
い部分にのみめっき金属が付着するので電気絶縁性低下
が起らない。
を使用せずに付着するようになる。このためレジスト塗
布工程が省略でき、工程の簡略化が可能になる。レジス
トをめりき金属の広がりを防止するために使用すると、
ファインパターンが作成できる。なお、レジストを使用
する場合でもレジストで被覆された基板表面は疎水性に
しているからめっき用触媒がレジストで被覆されていな
い部分にのみめっき金属が付着するので電気絶縁性低下
が起らない。
第1匈〒餠、2,3.4図は基板が疎水性の場合のプリ
ント基板製造法の実施例を示す図面、第5〜第8図は基
板が親水性の場合のプリント基板製造法の実施例を示す
図面、刷モホ→看個や第9〜13図はレジストを使用す
る場合のプリント基板製造法の実施例を示す図面〒哨1
嘴向す←噌である。 1一基板、2−スルーホール、4−触媒、5−導体、6
−レジストパターン。
ント基板製造法の実施例を示す図面、第5〜第8図は基
板が親水性の場合のプリント基板製造法の実施例を示す
図面、刷モホ→看個や第9〜13図はレジストを使用す
る場合のプリント基板製造法の実施例を示す図面〒哨1
嘴向す←噌である。 1一基板、2−スルーホール、4−触媒、5−導体、6
−レジストパターン。
Claims (1)
- 1、電気絶縁性基板の回路形成部分に化学的に金属めっ
きにより導体図形を形成するプリント基板の製造方法に
おいて、光によって親水性から疎水性にまたは逆に性質
が変化する物質を基板材質中に取り入れるかあるいは基
板上に存在させ、導体図形形成部分の基板を光によって
疎水性から親水性に変えるか、もしくは導体非形成部分
の基材を光によって親水性から疎水性に変え、そして基
板を触媒含有媒体と接触させることにより、基板の親水
性部分に触媒を付着させることを特徴とするプリント基
板製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20578786A JPS6362295A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プリント基板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20578786A JPS6362295A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プリント基板製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362295A true JPS6362295A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16512665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20578786A Pending JPS6362295A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プリント基板製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362295A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000129211A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法 |
JP2006165198A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
JP2009509048A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパストナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | 生成物を部分的に金属化する方法 |
JP2011232368A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Ricoh Co Ltd | 現像剤担持体の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP20578786A patent/JPS6362295A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000129211A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法 |
JP2006165198A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
JP4675096B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-04-20 | 株式会社リコー | 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品 |
JP2009509048A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパストナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | 生成物を部分的に金属化する方法 |
JP2011232368A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Ricoh Co Ltd | 現像剤担持体の製造方法 |
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