JPS6355795A - 情報記憶方法及び情報記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、情報を高密度に記憶する方法及びそれを用い
た素子に関するものである。更に詳しく述べれば、磁気
バブルの磁壁内に情報を書き込むことにより高密度化を
発成するメモリ素子に関するものである。

（従来の技術） 磁気バブルを情報の担体として用いる磁気バブルメモリ
素子では、２進データー情報の（１，０＞に、磁気バブ
ルの有無を対応させることが一般的に行われている。こ
の磁気バブルメモリ素子の情報記＋！密度を規定するの
は、磁気バブル転送パタン周期そのものである。従って
高密度記憶を達成する為には、転送パタン周期を縮める
ことが必要である。転送パタン周期の決定は、その時点
での露光・食刻技術水準に依存する。この技術水準は、
通常の光学露光方法を用いる場合、高々０．８μｍ程の
パタンか加工出来る程度である。

この露光食２］技術を用いて、記憶情報密度が最も高く
なるイオン注入デバイスでも、その憶密度は高々　１０
Ｍｂ／ｃｍ２程度である。近年半導体ＩＣメモリ素子の
記憶度の上昇に件ない、そのバックアップ機能性を要求
される磁気記憶素子に於いても、更に高記憶密度性を要
求される様になってきた。

このため、従来の磁気バブルを転送する磁気バブルメモ
リ素子では、記憶密度の点で、不充分となってきた。

一方、記憶密度の点で、従来の磁気バブルメモリに比べ
て、飛躍的に記憶密度を高めろことの出来るプロ・シホ
ラインメモリ素子が、特願昭５７−２１｝７４７号明細
書にて提案された。このメモリ素子は、磁気バブルを保
持し得る磁性材料薄膜に存在するストライプ状磁区の境
界である磁壁部の磁化状態の一形態である垂直ブロッホ
ライン対の有無で情報を記憶することを特徴としている
。情報の一単位が、前述の磁気バブルメモリ素子です。

磁区の有無で定められるのではなく、磁区の境界磁壁内
の微細磁化構造である垂直ブロッホライン（以下ＶＢＬ
）対の有無で定められるため、きわめて記憶密度が高く
なる。同じストライプ状磁区幅をもつ磁気バブルメモリ
素子に比べて、記憶密度は約１００倍となることが目明
ＭＡ書中に述べられている。

しかし乍ら、前記ブロッホラインメモリを安定に動作さ
せるためには、ストライプ状磁区の磁壁に、ＶＢＬ対安
定用のビットポジション形成パタンを設けることが必要
であることが１９８５年１｝月発行の第９回日本応用磁
気学会学術講演概要集第８３ページで述べられている。

ビットポジション形成パタンを設けることは、即ち、従
来の磁気バブルメモリ素子と同じ露光食刻技術によるパ
タン精度の制限を受けることを意味している。従って、
この様なビットポジション形成を行なうブロッホライン
メモリ素子では、その記憶密度は従来の磁気バブルメモ
リ素子のそれと大差はなくなり、記憶単位としては微小
なＶＢＬ対を用いた利点が失われてしまう。

更に、ブロッホラインメモリ素子では、情報の読み出し
を、周期的に並んだＶＢＬ対の転送でもあるストライプ
状磁区の各々の先端部でのＶＢＬ対から磁気バブルへの
変換可能の有無で行なっている。このストライプ状磁区
の周期は、記憶情報の高密度化に伴ない増々短くなる。

この様な雉かい周期のストライプ状磁区の各々の先端部
にＶＩＩＩＬ対から磁気バブルへ変換するＶＢＬ対を設
けることは前述の露光食刻技術からするときわめて困難
である。

（発明が解決しようとする問題点） 従来の磁気バブルメモリ素子の高密度化が困難である点
及び、ブロッホラインメモリ素子のＶＩ３Ｌ対から磁気
バブルへの変換部の複粗さが本発明の解決しようとして
いる主な問題点である。更に本発明は、従来の磁気バブ
ルメモリ素子を形成すると同等の露光食刻技術を用いて
、−層の高密度の記憶素子の提供することを目的とする
ものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の情報記憶方法は、磁気バブルを保持・転送し得
る磁性材料薄片と、該薄片上に設けた複数個のループ状
磁気バブル転送路と、該ループ状転送路に近接した情報
入出力用磁気バブル転送路と、上記２種の転送路を結合
する磁気バブルトランスファーゲートと、前記情報入出
力用磁気バブル転送路に設けられた、磁気バブルとスト
ラ・イブ状磁区の相互変換手段と、該ストライプ状磁区
の磁壁に垂直ブロッホライン対を書き込む手段と、前記
ストライプ状磁区内の垂直ブロッホライン対の数を検出
する手段を持つ磁気記憶素子に於いて、（見１＋Ｑ２＋
・・・、Ｑ、）（但し駐、・１又は０）で表わされる２
進デニター情報に対して、前記磁気バブルの境界磁壁に
注入することにより、各１ケの磁気バブルにつきｎ重の
情報を記憶せしめることを特徴とするものである；又、
本発明の情報記憶素子は、磁気バブルを保持・転送し得
る磁性材料薄片と、該薄片上に設けた複数個のループ状
磁気バブル転送路と、該ループ状転送路に近接した情報
入出力用磁気バブル転送路と、上記２種の転送路を結合
する磁気バブルトランスファーゲートと、前記情報入出
力用磁気バブル転送路に設けられた、磁気バブルとスト
ライプ状磁区の相互変換手段と、該ストライプ状磁区の
磁壁に垂直ブロッホライン対を書込む手段と、前記スト
ライプ状磁区内の垂直ブロッホライン対の数を検出する
手段を持ち、該ブロッホライン対数検出手段は、最大ブ
ロッホライン対数−１のブロッホライン安定位置を形成
するすだれ状導体パタンと、局所バイアス磁界変調導体
パタンと、ストライプ磁区先端引伸し導体・パタンと、
ストライプ磁区チョッピング導体パタンからなるブロッ
ホライン対磁気バブル変換部と、これにより生成された
相異なる磁壁状態をもつ磁気バブルを、勾配バイアス磁
界中を移動せしめることによりそれぞれの磁壁状態の磁
気バブルを弁別し、特定の磁壁状態の磁気バブル個数を
計数することを特徴としている。

（実施例） 本発明の原理及び動作例について、図面を用いて説明を
行なう。第１図＜ａ）、（ｂ）を用いて本発明の原理に
係る情報記憶方法を説明する。第１図（ａ）には、磁気
バブルの平面図を模式的に示している。磁気バブル１の
内外では、４に示す磁１ヒ方向が異なっているため、そ
の境界部には磁壁２が生じている。磁壁中央部の磁化方
向は面内に寝ている。この磁壁内の磁化方向は更に微細
構造を有し、磁化が磁壁面に垂直に向く部分をもつ垂直
ブロッホライン（ＶＢＬ）が存在し得る。−箇のＶｌ］
Ｌ部では、重化は面内で１８０’ねじれている。更に１
８０　°ねじれカニＶＢＬと対を作って　ＶＥＩＬ対３
とすると、この対は磁壁内で安定となる。

本発明の原理は、データー情報をＶＢＬ対の数に対応さ
せて、磁気バブルのは壁内に書き込むことにある。例え
ば第１図（ｂ）に示す様に、２進のデーター情報列に対
応して一意的に数ＮＢを割り当てることが可能である。

本例では、２進データー（Ｑｌ、Ｑｚ、’１３．Ｑ４）
　（但しＱｌ・１又はＯ）に対応しテＮＢＩＩ（ｊ　Ｈ
＋　Ｑｚ　’；＜２２＋　ｆ１３Ｘ：２２＋　［４×２
３（’）関係で一意に定まっている。この関係は、逆も
成り立ち、ＮＢか定まれば、それに対応して２進データ
ー（Ｑ、、Ｑ□、　Ｑ　３＋　Ｑ　４）も−意に決定さ
れる。即ち、磁気バブルの磁壁内にＮＢケのＶＢＬ対が
存在しているとき、その磁気バブルは（ｕ、１｝２．ｕ
３゜■４〉のデーターを表わしていることになる。これ
ムつは壁を有する磁気バブル１個の内には、（ｕ＋、Ｑ
ｚ、・・・、見。〉のｎ個の２進情報を貯えることが出
来ることを意味するものである。

この様に、ｎ個の情報をもつ１個の磁気バブルを、従来
の磁気バブルメモリ素子と同様に、ループ状の磁気バブ
ル転送路に貯えることにより、−挙に記憶密度はｎ倍に
なることが判る。この際、磁気バブル転送路自体のパタ
ン精度は、従来と何ら変ることがないことは言うまでも
ない。

次に、第２図を用いて本発明の素子構成とその動作につ
いて説明する。磁気バブル保持用材料薄膜１０に、バブ
ル発生器２０、磁気バブル転送路２１、Ｖ　Ｂ’Ｌ対書
込み２２、メジャーライン転送路２３、書込みトランス
ファーゲーｌ−２４、磁気バブル転送マイナーループ５
、取り出しトランスファーゲート３４取り出しメジャー
ライン転送路３３、ＶＢＬ対個数計数部３２、磁気バブ
ル転送路３１及び磁気バブル検出器３０を、精膜、露光
、エツチング等の工程を用いて形成し、これら全部を含
めてメモリチップ１｝と為す。

この基本動作は次の通りである。まず、磁気バブルを発
生器２０で発生する。発生した磁気バブルを、転送路２
１上を転送して、ＶＥＩＬ対書込部２２に導く。ＶＢＬ
対書込み部２２では、バイアス磁界を局所的に下げて、
磁界バブルをストライプ磁区内に引き伸ばす。このスト
ライプ状磁区に、昭和６１年３月発行の昭和６１年度電
子通信学会総合全国大会講演論文集１、第２２４ページ
で示す如き方法にてＶＩ］Ｌ対を、あらかじめ定められ
た個数Ｎ８だけ書き込む。次に、これを再び磁気バブル
状に縮めて、メジャー転送路２３上を転送する。この過
程を次々に繰返し、メジャー転送路上の各マイナールー
ズに対応する位置に磁気バブルが整列したときに、書込
みトランスファーゲート２４を開いて、磁気バブルをマ
イナーループ転送路５に移ず。さらにこの過程を、マイ
ナールーズの磁気バブル収納可能数たけ繰返して、マイ
ナーループをＶＯＬ対をもつ磁気バブルで満杯にする。

磁気バブルで満杯になったマイナーループ内では、磁気
バブルの転送はきわめて安定であることは、周知の通り
である。

情報を読み出す場合は、次の様に行なう。マイナールー
プ５にある　ＶＢＬ対をもつ磁気バブルを、ＪＩＹり出
しトランスファーゲート３４を開いて、取り出しメジャ
ーライン３３に移す。メジャーライン３３を転送して、
磁気バブルをＶ　Ｂ　Ｌ対個数計数部３２に導く。個数
計数部３２では、バイアス磁界を局所的に低下させて、
磁気バブルをストライプ状磁区に沖長する。次に後で詳
述する手法を用いて、このストライプ状磁区内に書き込
まれるＶ　Ｂ　Ｌ対の最大数をＭとしたときＭ−１〈・
Σパビ２”−’Ｎ囚の磁気バブルを切り出す。このとき
−ＮＢ−１個の磁気バブルの磁壁状態（Ｓ・−１）と、
残りのＭ−Ｎ８個の磁気バブルの磁壁状Ｒ（Ｓ・０）は
相異なり、この異なる磁壁状態の磁気バブルを弁別する
ことで、最初の磁気バブルが持っていた情報を判定する
。

第３図を用いて、本発明の記憶素子の駆動法を簡単に説
明する。上述のメモリチップ１｝のｖＢＬ対書き込み部
にカウンタ６２、変調器６１をつなぐ。これは入力部６
０と結合している。２進の入力データー流れに応じて、
変調器６０で、データーをｎヶずつに区切る。そして、
ｎ個のデーターをカウンタ６２に人出し、データーに応
じた数ＮＢを発生し、Ｎ８回のＶ［ｌＬ対書き込み部励
起パルスを生成する。

データー読み出しの際には、この逆過程を行なう、メモ
リチップ１｝のバブル検出器部にカウンタ７２を継ぐ。

カウンタ７２は、復調器７１に結合し、７１からは、出
カフ０が得られる。まず検出器部から、〜Ｂ−１個の特
定磁壁状態（Ｓ・−１）の磁気バブルに対応して、Ｎ、
−１個の出力が得られる。これをカウンタ７２でカウン
トして、復調器７１に入力する。復調器７１では、Ｎａ
−１に対応したｎ個のデーターが生成される。これをデ
ータ出カフ０とする。出力データーは、既入力６０にも
導いて、データーの再書込みを行なって、データーの存
在性を高めることを行なう。

次に、Ｎａ対のＶＢＬを、その磁壁にもつ磁気バブルの
ＶＢＬ対の計数について詳述する。まず、第４図〜第９
図を用いて、ＶＢＬ対の個数を特定の磁壁状態の磁気バ
ブルの個数に変換するＶＢＬ〜磁気バブル変換器につい
て説明する。第４図に示ず如＜、Ｎａ個のＶＢＬ対を持
った磁気バブル１が、メジャー転送路３３を転送されこ
の変換器に来る。この変換器部は、扉状のＶＢＬ対固定
用導体パタン３５、局所バイアス磁界変調用往復導体ノ
々タン３６．３６’、ストライプ磁区先端引伸しパタン
３７．ス１−ライブ磁区チョップ用導体パタン３８．３
８’から構成され、各導体パタンは電気的に絶縁されて
いる。

次に第５図の如く面内磁界ｔｌｉｎ４０を印加しつつ、
往復導体３６．３６’に電流を印加し、中央部のバイア
ス磁界を下げて、磁気バブル１企ストライプ状磁区１５
に引伸ばず。磁気バブルのは壁に存在しているＶＩ３Ｌ
対３も、磁区の伸長に伴なってストライプ磁区１５の磁
壁に分散する。しがしながら、その安定位置は定まらな
い。ストライプ磁区の両端には、Ｉｆ　ｉ　ｎの存在の
ために、それぞれ、Ｉｆ　ｉ　ｎの方向を向いたＶＢＬ
が常に安定に存在する。

次いで、第６図に示す様に、環状導体パタン３５に電流
を印加する。環状導体パタン３５の名代に生じる局所的
面内磁界４２と、ＶＢＬ対の間のは壁の磁１ヒ方向が一
致するため、名代を挾んでＶ　ＢＬ対は安定する。桟の
数の２ｆ音がＶＢＩ、対の安定位置の数に等しい。この
桟の数はＡ〈ΣＩ！１２し１−１〉で規定される。

このとき第７０の４１の示す様にバイアスパルス磁界を
印加する。このバイアスパルス磁界は、例えば高所磁界
発生往復導体パタン３６に加える電流値をパルス状に減
少することで容鴫に発生することが出来る。バイアスパ
ルス磁界の印加により、ス１−ライブ状磁界１５の磁壁
２が運動し、この運動により　ＶＢＬに対しジャイロ力
が生じて、ＶＢＬ対は移動する。即ち、第６図の３ａの
Ｖ　１３　Ｌ対は、第７図３ａの位置に移動する。６図
でｖｎ＋、対の存在しない箇所３６は、第７図の３６の
位置に移動する。このとき、ストライプ磁区先端のＶＩ
Ｌ　３ｃが移動しない様に導体３Ｂ“に電流を印加して
Ｖ　ＥＩ　Ｉ、局所固定磁界を発生させておく。この時
果、ストライプ磁区先端には、ＶＢＬが１対とＶＢＬが
１本存在する。池の位置のＶＢＬ対は、それぞれ安定位
置を１個分移動す更に、第８図に示す様に磁区先端引伸
しパタン３７に電流パルスを印加して、磁区先端を磁区
チョ・・ｌブ用導体パタン３０，３（１’を越えろ様に
引伸ばす。

ぞして、第９図に示す１ｋに、は区チョップ用導体パタ
ン３８．３８°に電流パルスを印加して、ストライプ磁
区の先端のみを分割する。切断されて生じた先端部は、
−符号をもつＶ　Ｂ　Ｌが２対入っているは壁状態（Ｓ
・−１）の磁気バブルが生成される。以上の第６図から
第９図のシーケンスを再度くりル）えずと、今度は、第
９図の３ｂで示す、’１３１、対安定位置にＶＢＬ対が
存在しないため、切断されて生じた磁気バブルの磁壁部
には１対のＶＴＩＩ、が存在することになる。これは磁
壁状態ではＳ・０に相当する。。

以上の動作をＸ・Σ、ｎ＝　、　２　＋　−１−１凹く
りがえすと、Ｍ個の磁気バブルが分割されて生じる。Ｍ
個の生じた磁気バブルは、Ｎ８−１個のＳ・−１状態の
ｍ気ハゴ）’ｖト、Ｍ−（ＮＢ−１）個のＳ・０状態の
磁気バブルに分がれる。Ｓ＝０の磁壁状態の磁気バブル
は、第１ｏ図に示す様に負符号のＶＢＬを一対もつ。Ｓ
・−１のは壁状態の磁気バブルは、負符号のＶ！ＪＬを
二対もつ。これら、Ｓ・０の磁壁状態の磁気のバブルは
、いわゆルソフ１〜バフル、Ｓ・−１の磁壁状態の磁気
バブルは、ハードバブルとしてよくその性２丁が知られ
ている。

第１｝図に示す様に、磁気バブルをバイアス磁界勾配Δ
ｌｌｂ中に置くと、Ｓ・０状態の磁気バブルは、磁界勾
配の方向に移動し、Ｓ・−１状態の磁気バブルは、磁界
勾配方間と一定の角度ρだけずれた方向に移動すること
が、一般にハードバブルのスキュー効果として知られて
いる。

又、第１２図に示す様に、磁気バブルの磁壁状態により
、その磁気バブル消減磁界ｉｔＯと、消滅臨界径ｄｏが
異なることが知られている。即ち、Ｓ・０の磁気バブル
に比べて、Ｓ・−１状態の磁気バブルは、消減磁界１｝
６は高く、消滅臨界径ｄ６は小さい。

以上の性質を用いた磁壁状態の弁別法を具体的に次に述
べる。第１３図、第１４図（ａ＞、（ｂ）はハードバブ
ルのスキュー効果を用いた第１の磁壁状態の弁別方法を
示すものである。まず、第１３図は、ＶＢＬ対計数部３
２に、２層のジグザグ導体パタン旧、８２で形成され磁
気バブル転送路３１が設けられている。この導体パタン
８１．８２に夫々位相が９０゜異なる交番電流を印加す
ると、磁気バブルはこの転送路に沿って転送される。こ
の際、磁気バブルＣ）スキュー効果により、その転送方
向は異ったニー）の方向を取得る。従って、この転送路
（全長Ｌ）の先に、゛パーマロイ薄膜等で構成された磁
気バブル検出器３０．３０°を配置すると、スキュー角
度ρに対してＬ−ｊａｍρの位置にある検出器３０から
シグナルが得れる磁気バブルの磁壁状態がＳ・−１であ
り、直線的前才にある検出器３０′からシグナルか得ら
れる場合はＳ・０の磁気バブルであると判明する。

第１４図（ａ）、（ｂ）は、ハードバブルのスキュー効
果を用いた磁壁弁別手段の今一つの例である。

ＶＢＬ対計数部３２に接して、ストライプ状導体パタン
Ｂ４、これに接してイオン注入連接円形パタン８３で形
成された磁気バブル転送路３１及びこの転送路３１に付
帯した磁気バブル検出器３０からこの弁別手段は構成さ
れている。ＶＢＬ対計数部で磁気バブル１が生成すると
、導体パタン８４に電流パルスＩを印加する。導体パタ
ンから発生ずるバイアス成分の磁界は、導体パタン８４
の幅方向に勾配Ｖｌｌｂをもつ。従って、Ｓ・０の磁気
バブルは連接円形パタンの磁気バブル安定位置であるカ
スプ部Ｂ３ａに移動する。一方、Ｓ・−１の磁気バブル
は、スキュー効果のため一ビット先のカスプ部８３ｂに
移動する。磁気バブル移動完了後、導体パタン８４への
電流印加を停止する。その後、面内回磁磁界を２サイク
ル回転した後、次の磁気バブル？νＩＬＬ対計数部３２
でえす。磁気バブル転送路３１に付帯した磁気バブル検
出器−３０では、第１４図（ｂ）に示す様に、回転磁界
Ｉ＋、の２クロツクの内、早い方のクロックタイミング
で磁気バブル出力ｖ３が検出される場合、Ｓ・−１の磁
壁状態の磁気バブルと判別される。遅い方のクロック・
ターイミングでｖ３か検出されると、これはＳ・０の磁
壁状態の磁気バブルであると判別されろ。

次に、磁気バブル消減磁界差を用いた磁壁状態の異なる
磁気バブルの第二の弁別手段について第１５図（ａ＞、
（ｂ）及び第１６図を用いて説明する。これは、磁９状
態の異なる磁気バフルの消減磁界の差を用いる手段であ
る。第１５図（ａ＞に示す様に、Ｖ　［Ｉ　Ｌ対計数部
３２の近傍に、磁気バブル転送路３１を配置する。本例
では、この転送路は、・イオン注入連接円形パタンで形
成されている。この転送路の途中に、ヘアピン型若しく
はリング型の導体パタンて・構成された磁気バブル消減
磁界発生部８５を設ける。Ｓ・０とＳ・−１磁壁状態の
不明な磁気バブルをＶ旧、計数部より生成させ、これを
順次、転送路に導き転送させる。途中の消減磁界発生部
［（５で、第１２図に示す様にＩｉ　ｏ＜　１｝　＜　
Ｉｉ　、；のバイアス磁界を印加する。すると、Ｓ・０
の状態の磁気バブルは消滅し、Ｓ・−１の状態の磁気バ
ブルは消滅しない。この消滅しなかった磁気バブルのみ
を転送路３１の先に付−）；シした検出器で検出出力ｖ
３として検出される。第１５図（ｂ）に示す如く、この
磁気バブルを検出すべき回転磁界ＨｒのＮヶのクロック
タイミングの内２．Ｊケのｖｌを検出することにより、
Ｊ−１のＶ　Ｂ　Ｌ対か品切の情報磁気バフルに存在し
ていたことが判明する。

この磁気バブル転送路は、第１６図に示す如き、二層導
体電流アクロス磁気バブル転送路であってら、本手段の
効果には何ら変りはないことは明かである。

（発明の効果） 本発明の実施することにより、次の効果が得られる。ま
ず、１個の磁気バブルに複数の情報を持たせるため、従
来の磁気バブルメモリ技術と同じ露光・食刻技術水準で
も、容易に記憶密度を上げることが可能となった。１ゲ
の磁気バブルの周囲の磁壁部にＶＢＬ対は、３２対程度
は容易に保持し得る。これは最大５ビツトの情報か、１
ケの磁気バブルに貯えられることに対応している。イオ
ン注入法を用いた磁気バブルメモリ素子では１６Ｍｂ／
ｃｗ２の記憶密度は容易に達成出来る。本発明をこれに
適用すると１３０Ｍｂ／ｃｗ２の記憶密度が可能となる
。

本発明のＶＢＬ対の書き込みや個数計数部は、単に一木
のストライプ状磁区について設けるだけで済む。従って
、従来のブロッホラインメモリ素子のＶＩＡＬ対書き込
みやＶＢＬ対読み出し機能をより筆線な形で利用でき、
この部分を−ρ数設けることによろパタン加工技術の制
用を受けることはない。

ｉ！ＩＩち、従来のブロッホラインメモリ崇子δも、ぞ
の実用化は容易であると言える。

又、本発明の製造方法によれば、高密度な磁気バブル転
送方式をもつイオン注入磁気バブルメモリ素子ては不可
能であった磁気バブルの磁壁内でのＶ（ＩＬ対の安定存
在が、可能となった。このため、高密度磁気バブルメモ
リ素子の技術で直ちに、５倍程度の記憶密度の向上とな
った。。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の情報記憶方法を示す図、
第３図は、本発明の情報記憶素子の駆動方法を示す図、
第４図〜第９図は、本発明の情報記憶素子に於ける垂直
ブロックホライン対（＋／　Ｂ　Ｌ対）計数部動作を説
明する図、第１０図は、Ｖ　［３Ｌ対のイｊ無に対応す
る磁気バブルの磁壁状態図、第冒図及び第１２図は、磁
壁状！さの異なる磁気バブルの弁別原理図、第１３図〜
第１４図は、本発明の情報記憶素子に於ける第１の磁壁
状態弁別手段を示す図、第Ｌ　５．Ｓｌ−第１６図は、
第２の磁壁状態弁別手段を′奥 説明する図。 図に於いて、１は磁気バブル、２は磁壁、３，３ａはＶ
ＢＬ対、３ｂはＬＩＩ＋、）ない位置、３ＣはＶＢＬ５
、・１は磁（上方向、５はマイナーループ磁気バブル転
送路て′ある。１０は磁気バブル保持材ＩＰ−＋、１｝
はメモリチ・ツブ、１５はストライプ状磁区、２０は磁
気バブル発生器、２１．３１は磁気バブル転送路、２２
はＶ旧、対書き込み部、２２．３３はメジャーライン転
送路、２４１．３４はトランスファーゲー１〜．３０．
３０°は磁気バブル検出器、３２はＶ　ｌｔ　Ｌ対計数
部、３５はＶ　ＨＬ対固定パタン、３６．３６゛はバイ
アス磁界変調導体、３７はストライプ磁区先端引伸しパ
タン、３８．３８′はストライプ磁区チョップＩ＜タン
、１０は１事内磁界、４１はバイアス磁界パルス、４２
はＶＩ３Ｌ対固定胴固定用面内磁界は回転磁界、６０は
データー人力部、６１は変調器、６２はカウンター、７
０はデークー出力部、７１は１′ｇ、調器、７２はカウ
ンター、８１．１（２，８３は磁気ハ第　１　図 （ａｌ　　　　　　　　　　　　Ｔｂ）第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第　８　図 第　１０　図 第１｝図 第１２図 バイアス磁界 第１３図 第１４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルを保持・転送し得る磁性材料薄片と、該
   薄片上に設けた複数個のループ状磁気バブル転送路と、
   該ループ状転送路に近接した情報入出力用磁気バブル転
   送路と、上記２種の転送路を結合する磁気バブルトラン
   スファーゲートと、前記情報入出力用磁気バブル転送路
   に設けられた、磁気バブルとストライプ状磁区の相互変
   換手段と、該ストライプ状磁区の磁壁に垂直ブロッホラ
   イン対を書込む手段と、前記ストライプ状磁区内の垂直
   ブロッホライン対の数を検出する手段を持つ磁気記憶素
   子に於いて、（ｌ＿１、ｌ＿２、・・・、ｌ＿ｎ）（但
   しｌ＿１＝１又は０）で表わされる２進データー情報に
   対して、Ｎ＝｛１＋Σ＾ｎ＿ｉ＿＝＿１ｌ＿ｉ２＾ｉ＾
   −＾１｝個の垂直ブロッホライン対を前記磁気バブルの
   境界磁壁に注入することにより、各１個の磁気バブルに
   つきｎ重の情報を記憶せしめることを特徴とする情報記
   憶方法。 ２、磁気バブルを保持・転送し得る磁性材料薄片と、該
   薄片上に設けた複数個のループ状磁気バブル転送路と、
   該ループ状転送路に近接した情報入出力用磁気バブル転
   送路と、上記２種の転送路を結合する磁気バブルトラン
   スファーゲートと、前記情報入出力用磁気バブル転送路
   に設けられた、磁気バブルとストライプ状磁区の相互変
   換手段と、該ストライプ状磁区の磁壁に垂直ブロッホラ
   イン対を書込む手段と、前記ストライプ状磁区内の垂直
   ブロッホライン対の数を検出する手段を持つ情報記憶素
   子において、該垂直ブロッホライン対数検出手段は最大
   ブロッホライン対数−１のブロッホライン安定位置を形
   成するすだれ状導体パタンと、局所バイアス磁界変調導
   体パタンと、ストライプ磁区先端引伸し導体パタンと、
   ストライプ磁区チョッピング導体パタンからなるブロッ
   ホライン対磁気バブル変換部と、これにより生成された
   相異なる磁壁状態をもつ磁気バブルを、勾配バイアス磁
   界中を移動せしめることによりそれぞれの磁壁状態の磁
   気バブルを弁別し、特定の磁壁状態の磁気バブル個数を
   計数する垂直ブロッホライン対の個数検出手段を有する
   ことを特徴とする情報記憶素子。 ３、磁気バブルを保持・転送し得る磁性材料薄片と、該
   薄片上に設けた複数個のループ状磁気バブル転送路と、
   該ループ状転送路に近接した情報入出力用磁気バブル転
   送路と、上記２種の転送路を結合する磁気バブルトラン
   スファーゲートと、前記情報入出力用磁気バブル転送路
   に設けられた、磁気バブルとストライプ状磁区の相互変
   換手段と、該ストライプ状磁区の磁壁に垂直ブロッホラ
   イン対を書込む手段と、前記ストライプ状磁区内の垂直
   ブロッホライン対の数を検出する手段を持つ情報記憶素
   子において、該垂直ブロッホライン対数検出手段は最大
   ブロッホライン対数−１のブロッホライン安定位置を形
   成するすだれ状導体パタンと、局所バイアス磁界変調導
   体パタンと、ストライプ磁区先端引伸し導体パタンと、
   ストライプ磁区チョッピング導体パタンからなるブロッ
   ホライン対磁気バブル変換部と、これにより生成された
   相異なる磁壁状態をもつ磁気バブルをこれに近接して設
   けた磁気バブル転送路に導き、この転送路中に設けた局
   所磁界印加部通加時に局所バイアス磁界を印加すること
   により特定の磁壁状態の磁気バブルを消滅することによ
   り、異なる磁壁状態をもつ磁気バブルの個数を計数する
   垂直ブロッホライン対の個数検出手段を有したことを特
   徴とした情報記憶素子。